JP2002299781A

JP2002299781A - 回路基板

Info

Publication number: JP2002299781A
Application number: JP2001097943A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Saito; 利之齋藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】回路基板とマザーボードとの接合強度を低下
させることなく、回路基板の内部の回路機能素子の特性
を正確に測定することができる回路基板を提供する。【解決手段】所定回路網が形成された回路基板１の端面
に、グランド端面電極２、５及び接合補助端子電極３を
配置するとともに、前記回路基板１裏面に独立した信号
電極４を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各種の電子機器や電
子装置等に用いられる電子回路モジュールに適した回路
基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器や電子回路モジュール
は、小型化・薄型化・高機能化・低コスト化等の要求が
より一層強くなっている。それらの要求を実現するため
に、回路基板自身を積層化して、同回路内に回路機能を
集積化していた。また、製造効率を高めるため、このよ
うな回路基板は、複数の回路基板が縦横に配置された大
型回路基板で製造され、製造工程の最終工程であるシー
ルドケースの取着の前後に、大型回路基板から複数の回
路基板に分離していた。

【０００３】電子回路モジュールは、例えば、積層構造
の回路基板に複数のストリップラインを配置し、また基
板表面に表面導体膜を形成し、この表面導体膜上に各種
電子部品素子を搭載していた。また、基板の一部を用い
て容量成分を発生させたりしていた。これにより、この
回路基板内に共振回路部やフィルタ回路部を形成したり
して、さらに、アンテナスイッチング機能をもたせてい
た。

【０００４】従来の電子回路モジュールの回路基板は、
大型回路基板から分離抽出して形成されることから、外
部と接続する端子電極は、分離される回路基板の端面部
分形成されていた。即ち、回路基板の端面に概略半円形
状の凹部を形成し、この凹部内にグランド端子電極、信
号側端子電極を形成していた。即ちこのような回路基板
の裏面の構造は、図５に示すような構造をなしていた。
図において、５１は回路基板であり、５２は信号用端子
電極及びそのランド電極であり、５３はグランド端子電
極及びそのランド電極である。５４は回路基板５１の裏
面に被着形成し、グランド電位と接続してシールド導体
膜である。

【０００５】例えば、信号用端子電極５２は、基板５１
の端面に形成された凹部５２ａと、凹部５２ａ内に形成
された端面電極５２ｂと、裏面側のランド導体膜５２ｃ
とから構成されている。

【０００６】また、グランド端子電極５３は、基板５１
の端面に形成された凹部５３ａと、凹部５３ａ内に形成
された端面電極５３ｂと、裏面側のランド導体膜５３ｃ
とから構成されている。特に、各ランド導体膜５３ｃ
は、シールド導体膜５４と接続している。また、図示し
ていないが、基板５１の表面を覆うシールドケースの一
部は、グランド端子電極５３の凹部５３内に挿入され、
グランド電位の端面電極５３ｂと半田を介して接合され
ている。

【０００７】また、これらの端子電極５２、５３は、基
板５１の表面や内部に形成された所定電位の導体と接続
されている。

【０００８】このような裏面構造を有する回路基板は、
外部のマザーボード基板の配線パッドは、半田などを介
して接続される。この時、凹部５２ａ、５３ａ内の端子
電極５２ｂ、５３ｂに半田のはい上がりが発生すること
になり、強固な半田接合が可能となる。

【０００９】しかし、このような回路基板は、上述のよ
うに大型回路基板から製造工程の最終工程で分離（分割
または切断）される。即ち、分離前の大型基板の状態で
の裏面は、図６のように構成されている。

【００１０】即ち、１つの回路基板領域Ａと他の回路基
板領域Ｂとは、分離仮想線６１を境界として大型基板６
０が形成される。そして、各凹部５２ａ、５３ａは、隣
接しあう回路基板領域Ａ、Ｂとが、共用しあう貫通穴６
２、６３が形成されている。そして、この貫通穴６２、
６３の内壁に、端子電極５２ｂ、５３ｂとなる導体膜６
２ｂ、６３ｂが、また、貫通穴６２、６３の裏面開口周
囲にランド電極５２ｃ、５３ｃとなる導体膜６２ｃ、６
３ｃが形成されている。

【００１１】ここで、通常、回路基板領域Ａ側の信号側
端子５２と回路基板領域Ｂの信号側端子電極５２とが互
いに当接しあい、また、回路基板領域Ａのグランド端子
電極５３と回路基板領域Ｂのグランド端子電極５３とが
互いに当接し合うように配置されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
造では、例えば、大型回路基板６０の状態で、各回路基
板領域Ａ毎の特性を測定する場合、信号側端子電極５２
となる貫通穴６２の周囲のランド電極６２ｃに測定用プ
ローブをあてて測定すると、回路基板領域Ａと回路基板
領域Ｂの特性とが混合された測定結果となり、回路基板
領域Ａの単独の特性は得られない。

【００１３】このため、大型回路基板６０から各回路基
板領域Ａ、Ｂを分離した後、各回路基板の特性を測定し
なければならなかった。従って、各々回路基板を分離し
た後、特性を測定し、また、その特性を修正し、さら
に、回路基板に対して、シールドケースの取着が伴うた
め、その生産性が悪かった。

【００１４】本発明は上記問題点を解決すべく案出され
たもので、その目的は、回路基板とマザーボードとの接
合強度を維持させて、同時に、生産効率が良好、即ち、
大型基板の状態で各回路基板領域の単独の特性が測定で
きる電子回路モジュールに用いる回路基板を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、所
定回路網が形成された回路基板の端面に、グランド端面
電極及び接合補助端子電極を配置するとともに、前記回
路基板裏面に独立した信号電極を配置した回路基板であ
る。

【００１６】また、前記回路基板が、複数の回路基板が
縦横に整列された大型回路基板から抽出されることを特
徴とする回路基板である。

【作用】本発明によれば、回路基板の信号側端子電極
が、基板の裏面に独立して形成されている。即ち、大型
基板の状態では、隣接しあう回路基板領域間で、この信
号側端子電極が連続して接続されていないため、各回路
基板領域の単独の特性を測定する場合、確実に当該回路
基板の特性を正確に測定することができ、これにより、
測定した回路基板に見合った修正を大型基板の状態で実
施することができる。尚、グランド電位の端子電極は、
特性の測定において、基準のグランド電位とするため、
連続している方が、むしろ、特性測定においては好適で
ある。

【００１７】これにより、回路基板の製造にあたり、従
来のように、シールドケースの取着工程の前後で大型基
板の分離が可能となるため、生産効率が維持・向上す
る。

【００１８】また、基板の端面には、端面の凹部にグラ
ンド電位の端子電極や接合用補強端子電極が形成されて
いるため、マザーボードに半田実装しても、その部分に
半田はい上がり部が形成されるため、マザーボードとの
間の接合強度が維持されることになる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて詳説する。

【００２０】図１は本発明の回路基板の分解斜視図であ
る。尚、図１の分解斜視図では，特に、本発明の構造を
明確にするため、回路基板の裏面に被着される導体まで
分解して示している。また、図２は本発明の回路基板の
裏面図である。

【００２１】図において、電子部品モジュール１０は、
複数の誘電体層１ａ〜１ｃが積層されてなる回路基板１
と、シールドケース９とから構成されている。

【００２２】回路基板１は、例えば多層セラミック回路
基板や多層に積層したガラスエポキシ絶縁基板等などが
例示できる。特に、この回路基板１は、高周波回路とし
ての特性や、電子回路網の高密度化を考慮して、複数の
誘電体セラミック層（誘電体層）１ａ〜１ｃが積層して
成る多層セラミック回路基板が好適に用いられる。

【００２３】また、各誘電体層１ａ〜１ｃの層間には、
所定回路網を構成する内部配線導体１２が形成され、各
各誘電体層１ａ〜１ｃには、内部配線導体１２や回路基
板１の両主面に配置される各種導体と接続するビアホー
ル導体１１が形成されている。ここで、内部配線導体１
２または両主面に被着される導体は、例えばストリップ
ラインなどのようにインダクタンス成分を有する導体
膜、容量成分を形成する容量電極などが挙げられ、それ
単独でインダクタンス成分や容量成分として動作する場
合や、これらの集中定数的なインダクタンス成分と容量
成分とから成るＬＣ共振回路部、フィルタ回路部、ま
た、分布定数的なインダクタンス成分と容量成分とから
成るＬＣ共振回路部、フィルタ回路部などがある。

【００２４】また、回路基板１の表面には、上述の導体
（表面配線導体１３）が形成されて、この表面配線導体
１３上には、ＩＣチップ、チップ状電子部品などの電子
部品７が実装されている。

【００２５】上述の回路基板１の内部配線導体１２や表
面配線導体１３は、端子電極に接続され、外部のマザー
ボードに接続される。

【００２６】端子電極は、基板１の端面部分を利用して
形成される端子電極２、３、５と、基板１の裏面に独立
して形成される端子電極４とがある。例えば、端子電極
２、５はグランド電位の端子電極であり、端子電極３は
グランド電位または浮き状態の端子電極である。

【００２７】これらの端子電極２、３、５は、基板１の
端面に形成された凹部２ａ、３ａ、５ａと、凹部２ａ、
３ａ、５ａ内に形成された端面電極２ｂ、３ｂ、５ｂ
と、凹部２ａ、３ａ、５ａの裏面開口周囲に形成された
ランド導体膜２ｃ、３ｃ、５ｃとから構成されている。
特に、端子電極５の形状が、他の端子電極２、３に比較
して大きいのは、この端子電極の凹部５ａ内に、シール
ドケース９の一部が挿入配置されて、端子電極５ｂに半
田を介して接合されるためである。

【００２８】また、図２では、各ランド導体膜２ｃ、５
ｃとは、基板１の裏面に被着された幅広い導体膜である
裏面シールド導体６が接続されている。

【００２９】このようなグランド電位の端子電極２、５
は、回路基板１の内部配線導体１２や表面配線導体１３
に接続されている。その接続の方法は、例えば各誘電体
層１ａ〜１ｂの層間の内部配線導体１２が、凹部２ａ、
５ａ内の端子電極２ｂ、５ｂに直接接続したり、また、
ビアホール導体１１によって、ランド導体膜２ｃ、５ｃ
やシールド導体膜６に接続することにより達成されてい
る。

【００３０】この点、端子電極３は、例えば、一切内部
配線導体１２や表面配線導体１３と接続しないようにす
ることにより、浮き電位の端子電極とすることができ
る。

【００３１】また、端子電極４は、信号側の端子電極で
あり、回路基板１の裏面に独立して島状に配置されてい
る。例えば、従来、基板の端部に形成した凹部でもって
形成していたことを考慮して、浮き電位の端子電極３の
ランド導体膜３ｃの近傍に配置されている。例えば、浮
き電位の端子電極３のランド導体膜３ｃと信号側端子電
極４との間に間隙が形成されている。ここで、端子電極
３は浮き電位となっているため、マザーボードに半田接
合した時、ランド導体膜３ｃとの間に半田ブリッジが形
成されて、浮き電位の端子電極３と信号側の端子電極４
とが導通しても構わない。逆に、この信号側の端子電極
４とグランド電位の端子電極２、５やシールド導体膜６
とは、マザーボード上に実装した時に、半田ブリッジが
発生しない程度の充分な間隔を設ける必要がある。

【００３２】また、このような回路基板１の表面には、
表面配線導体１３が形成され、その表面に電子部品素子
７が配置されている。本発明では、基板端面には信号側
の端子電極が配置されていないことから、基板表面の周
囲にグランド導体膜を周設しても構わない。この場合、
仮に、グランド導体膜が浮き電位の端子電極２と導通す
る場合、基板１の裏面においては浮き端子電極３のラン
ド導体膜３ｃと信号側の端子電極４とが半田ブリッジが
形成されない程度に充分な間隙を設ける必要がある。こ
のように基板１の周囲にグランド導体膜を周設すること
により、基板表面のシールド効果を向上させることがで
きる。

【００３３】また、基板１の表面には、シールドケース
９が被覆されている。このシールドケース９の材料とし
ては、鉄・洋白・アルミニウム・ＳＵＳ・銅等が用いら
れる。

【００３４】シールドケース９は、その一面（基板の表
面側）が開口し、その側面部から延出した突片９ａを有
している。この突片９ａは、シールドケース９の側面部
から延出し、端子電極５の凹部５ａ内に挿入され、グラ
ンド電位の端子電極５ｂに半田を介して接合されてい
る。尚、シールドケース９と基板１の端面との接合箇所
は、図では、２ヶ所となっているが、異なる辺で３ヶ所
以上の接合箇所を設けることにより、安定的にシールド
ケース９を取着できる。

【００３５】ここで、本発明の特徴的なことは、回路基
板１の端面にグランド電位または浮き電位の端子電極
２、３、５が形成され、そして、信号側の端子電極４
は、これらの端子電極２、３、５と電気的に切り離され
た状態で存在している。尚、内部配線導体１２と信号側
の端子電極４との接続は、ビアホール導体１１を配して
接続されている。

【００３６】即ち、大型回路基板の状態では、２つの回
路基板となる回路基板領域Ａ、Ｂが連接していたとして
も、両回路基板領域Ａ、Ｂの信号側の端子電極４同士が
少なくとも導通することがない。これにより、後述する
製造工程中の各回路基板領域Ａ、Ｂの回路特性を個別に
測定することができる。

【００３７】また、この回路基板１を電子モジュール１
０として、マザーボードに半田接合する場合には、回路
基板１の裏面部分に存在する端子電極４やランド電極２
ｃ、３ｃ、５ｃとの間の半田接合のみならず、基板１の
端面に形成された端面導体膜２ｂ、３ｂ、５ｂにまで、
半田のはい上がりが発生し、回路基板１の端面部分で強
固な半田接合が維持できることになる。

【００３８】上述の電子回路モジュール１０の回路基板
１の製造方法について説明する。

【００３９】まず、回路基板１となる誘電体材料、例え
ば、ガラス−誘電体セラミック材料から成るグリーンシ
ートを形成する。具体的には、上述のセラミック粉末、
上述の低融点ガラス成分のフリット、有機バインダ、有
機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクターブレード法
によって所定厚みにテープ成形して、所定大きさに切断
してシートを作成する。上述のセラミック材料とガラス
材料との構成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温
で安定的に焼成するために、セラミック材料が１０〜６
０重量％、好ましくは３０〜５０重量％であり、ガラス
材料が９０〜４０重量％、好ましくは７０〜５０重量％
である。

【００４０】有機バインダは、固形分（セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。

【００４１】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２，
２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイ
ソベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水
溶性である必要があり、モノマー及びバインダには、親
水性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されてい
る。その付加量は酸価で表せば２〜３００あり、好まし
くは５〜１００である。付加量が少ない場合は水への溶
解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は
熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分
散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加され
る。

【００４２】尚、このグリーンシートは、回路基板１と
なる複数の回路基板領域Ａ、Ｂ・・からなる大型グリー
ンシートである。

【００４３】次に、グリーンシート上の各回路基板領域
毎に、グリーンシートの厚みを貫くビアホール導体１１
などとなる所定径の貫通穴をパンチングによって形成す
る。

【００４４】次に、グリーンシート上の各回路基板領域
毎に、上述の貫通穴にＡｇ系導電性ペーストを充填し
て、内部配線導体１２となる導体膜などを形成する。
尚、この内部配線導体１２は、回路機能素子、例えば、
ストリップライン導体膜、コンデンサなどとなる導体膜
としても利用される。同時に、最外層に位置するグリー
ンシート上に、表層配線導体１３となる導体膜、各種電
極パッドとなる導体膜を、Ａｇ系導電性ペーストを印刷
し、乾燥処理により形成する。

【００４５】また、最外層の下部側に位置するグリーン
シートの裏面側には、端子電極４となる導体膜、シール
ド導体膜６となる導体膜、必要に応じてランド電極２
ｃ、３ｃ、５ｃを形成する。

【００４６】ここで、導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ
単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金）粉末、
ガラス成分、エチルセルロースなどの有機バインダー、
溶剤を均質混合したものが用いられる。

【００４７】また、基板の表面に露出する表面配線導体
１３やシールド導体膜６となる導電性ペーストは、Ａｇ
系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末あるい
はＡｕ系粉末、Ｐｔ粉末、無機バインダ、有機バイン
ダ、溶剤を均質混合したものが用いられる。

【００４８】このように各導体膜が形成されたグリーン
シートを、積層順に応じて積層一体化して、複数の回路
基板領域からなる未焼成状態の大型回路基板を形成す
る。その後、必要に応じて、各電子回路モジュールの形
状に応じて、分割溝を形成する。

【００４９】次に、未焼成大型回路基板の各回路基板領
域を仕切る境界部分に、この境界線を跨がるように分離
後に凹部２ａ、３ａ、５ａとなる貫通穴を形成する。そ
の後、その貫通穴の内壁に端面電極２ｂ、３ｂ、５ｂと
なる導体膜、ランド電極２ｃ、３ｃ、５ｃとなる導体膜
を形成する。具体的には、貫通穴の一方開口から吸引し
ながら、開口を覆う範囲で導電性ペーストを印刷を行
う。

【００５０】これにより、先に形成したランド電極２
ｃ、３ｃ、５ｃとなる導体膜と一体化させることができ
る。

【００５１】次に上述の未焼成状態の大型回路基板を大
気雰囲気や中性雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱
バインダ過程と焼結過程からなる。

【００５２】脱バインダ過程は、回路基板となるグリー
ンシートや導体膜に含まれる有機成分を焼失するための
ものであり、例えば６００℃以下の温度領域で行われ
る。

【００５３】また、焼結過程は、回路基板となるグリー
ンシートのガラス成分が結晶化すると同時に、セラミッ
ク粉末の粒界に均一に分散し、回路基板に一定強度、一
定の誘電率を与え、さらに、導体膜の導電材料の金属粉
末であるＡｇ系材料またはＡｕ材料を粒成長させて、低
抵抗化させ、回路基板１と一体化させるものである。こ
れは、ピーク温度８５０〜１０５０℃に達するまでに行
われる。

【００５４】この工程で、回路基板１となる各回路基板
領域Ａ、Ｂ・・では、回路機能素子を含む内部配線導体
１２、凹部２ａ、３ａ、５ａとなる貫通孔の内壁に形成
された端子電極２ｂ、３ｂ、５ｂ、ビアホール導体１１
が形成され、回路基板１表面では、表層配線導体１３、
各種電極パッド、基板裏面には端子電極４、シールド導
体膜６が形成されることになる。

【００５５】その後、必要に応じて、表面配線導体に接
続する厚膜抵抗素子や所定形状の絶縁保護膜を形成す
る。

【００５６】次に、各回路基板領域Ａ、Ｂ・・の単独の
回路特性を測定する。この特性とは，例えば、ストリッ
プライン導体膜やコンデンサを厚膜技法により形成して
いるため、導電性ペーストの印刷ずれ、印刷にじみや、
グリーンシートの積層ずれなどにより、設計どおりの特
性が得られない場合がある。この回路基板領域Ａ、Ｂ内
その修正を行なうために、回路基板領域毎の特性を測定
する。具体的には、特性測定用装置プローブの２つの接
点のうち、一方の接点をグランド電位の端子電極２、５
に接続し、他方の接点を信号側の端子電極４に接続し
て、諸特性の測定を行う。

【００５７】このようにして回路機能素子の特性を測定
した結果、不良な特性が得られるものについては、回路
基板を分割する前に回路基板領域内に不良マーキングを
記載し、その後の製造工程、例えば電子部品７などの実
装を行わない。尚、測定の結果、特性の調整・修正は、
表面に形成した調整用導体などにレーザー照射・一部除
去を行い、特性の調整行なう。

【００５８】次に、必要に応じて、回路基板領域Ａ、Ｂ
の表面に各種電子部品素子７を実装する。尚、上述の特
性の測定前に各種電子部品素子７を実装しても構わな
い。

【００５９】次に、シールドケース９を大型回路基板の
各回路基板領域を被覆する。このシールドケース９は、
凹部５ａとなる貫通穴の端面電極５ｂに半田を充填し、
シールドケース９の突片９ａを貫通穴に挿入し、リフロ
ー処理にて半田接合する。

【００６０】そして、その後、各回路基板領域毎に大型
回路基板を分離し、回路基板を用いた電子回路モジュー
ル１０が完成する。

【００６１】尚、大型回路基板から回路基板領域１にお
いては、凹部２ａ、３ａなどと貫通穴は半円形状である
が、長円形状であっても構わない。また、上述の導体の
材料として、Ａｇ系またはＡｕ系材料で接続している
が、セラミック材料及び焼成雰囲気（中性または還元牲
雰囲気）を利用すれば、Ｃｕ系導体材料を用いることが
できる。

【００６２】また、電子部品素子７の実装及びシールド
ケース９の取着は、大型回路基板から回路基板に分離し
た後であってもよい。

【００６３】本発明の電子回路モジュール１０によれ
ば、回路基板１の裏面に、信号側の端子電極４が独立し
て形成されているので、大型回路基板の状態で各回路基
板領域の回路特性、高周波特性を測定しても、大型回路
基板で隣接しあう配置し合う回路基板領域の回路網の影
響を一切受けないことになり、純粋なる回路基板１のみ
の特性を測定することができる。しかも、製造工程の早
い段階で不良品を除去でき、むだな工程が減少する。

【００６４】また、浮き電位の端子電極３（ダミー電
極）が基板１の端面に形成されているため、基板１の端
面に位置する端子電極の数を減少させずに済み、回路基
板１とマザーボードとの接合強度を低下させることはな
い。

【００６５】また、端子電極２、３、５の直径、また
は、基板中央側への切り込み量を約４００μｍ以下とす
ることができるため、回路基板１の全体の高密度実装を
実現できる。

【００６６】なお、印刷ずれ等による不必要な接続を防
ぐために、信号側の端子電極４と浮き電極やグランド電
位の端子電極２、３、５（ランド電極２ａ、３ａ、５
ａ）やシールド導体６との間隔を１００μｍ以上とする
ことが望ましい。特に、マザーボード実装時に信号端子
電極４に短絡してはならないグランド電位のシールド導
体やランド電極２ａ、５ａとは、３００μｍ以上の間隔
を設けることが望ましい。

【００６７】図３は、本発明の回路基板の他の実施の形
態を示す回路基板の裏面の平面図である。この実施例で
は、グランド電位の端子電極２のランド電極２ｃと浮き
電位の端子電極３のランド電極３ｃとの間に、信号側の
端子電極４を配置している。

【００６８】なお、本発明は上記の例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
や改良を施すことは何ら差し支えない。

【００６９】例えば、絶縁基板材料として多層セラミッ
ク回路基板に代えてガラスエポキシ絶縁基板を用いても
よいことは言うまでもない。

【００７０】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００７１】回路基板１は、寸法が７ｍｍ×５ｍｍ×
０．１ｍｍ、比誘電率が２０であるものを用いた。コン
デンサの電極パターンを０．７ｍｍ×０．７ｍｍ、コイ
ルパターンの長さを４ｍｍ、幅を０．１ｍｍとし、ま
た、凹部は、φ０．４ｍｍの円状凹部を６ヶ所、楕円状
の凹部を２ヶ所形成した。

【００７２】上記製造方法によって、本発明の回路基板
（図２）と従来の回路基板（図５）を含む大型回路基板
を作成した。

【００７３】そして、それぞれの大型回路基板の状態
で、ネットワークアナライザを用いて１００ＭＨｚから
６ＧＨｚにおける各回路基板領域単独の周波数特性の測
定を行った。

【００７４】図３、７に、本発明と従来の回路基板領域
の周波数−インピーダンス（Ｚ）特性を示す。

【００７５】図のように、本発明の大型回路基板はノイ
ズが少なく、正確な特性を測定することができることが
分かる。なお、本実施例では、ネットワークアナライザ
を用いて１００ＭＨｚから６ＧＨｚにおける周波数特性
の測定を行ったが、直流電圧印加時の絶縁抵抗値の測定
をはじめ、ミリ波・マイクロ波領域の特性を評価するこ
とも可能である。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、回路基板の裏面に、信
号側の端子電極を配置している。そして、回路基板か複
数抽出できる大型回路基板の状態では、信号側の端子電
極が隣接する回路基板とは電気的に非導通状態を維持で
きるため、大型基板の状態で個々の回路基板の特性を確
実に測定できる。よって、回路基板の特性の修正及び調
整が簡単に行なえ、また、生産効率が大きく向上する。

【００７７】また、基板の端面には、グランド端子電極
またはダミー端子電極が形成されているので、回路基板
とマザーボードとの接合強度を維持せさせることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路基板の分解斜視図である。

【図２】本発明の回路基板の裏面側の平面図である。

【図３】本発明の他の回路基板の裏面側の平面図であ
る。

【図４】本発明の大型回路基板の回路基板領域の高周波
特性を示す図である。

【図５】従来の回路基板の裏面側の平面図である。

【図６】従来の大型回路基板の裏面側の部分平面図であ
る。

【図７】従来の大型回路基板の回路基板領域の高周波特
性を示す図である。

【符号の説明】

１０電子回路モジュール１、５１回路基板１ａ〜１ｃ誘電体層２、３、５端子電極２ａ、３ａ、５ａ凹部２ｂ、３ｂ、５ｂ端子電極導体２ｃ、３ｃ、５ｃランド電極６シールド導体膜９シールドケース９ａ突片部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ // Ｈ０５Ｋ 3/46 ＮＨ０１Ｌ 23/12 ＮＱＥＦターム(参考） 5E317 AA22 BB04 BB11 CC22 CD29 CD32 GG16 5E338 AA03 AA18 BB31 BB65 BB75 CC01 CC09 CD01 CD11 CD32 EE11 EE26 EE31 EE51 5E346 AA12 AA15 AA41 AA60 BB02 BB03 BB04 BB06 BB16 CC18 CC31 DD02 DD34 EE24 GG06 GG08 GG09 GG32 HH11 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定回路網が形成された回路基板の端面
に、グランド端面電極及び接合補助端子電極を配置する
とともに、前記回路基板裏面に独立した信号電極を配置
したことを特徴とする回路基板。
【請求項２】前記回路基板が、複数の回路基板が縦横
に整列された大型回路基板から抽出されることを特徴と
する請求項１記載の回路基板。