JP2002294223A

JP2002294223A - 研磨剤及び研磨方法

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Publication number: JP2002294223A
Application number: JP2001093628A
Authority: JP
Inventors: Akira Miyashita; 昭宮下; Masahiro Ogiwara; 正宏荻原; Michihiko Mizuno; 亨彦水野; Shigeru Oba; 茂大葉
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2001-03-28
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2002-10-09
Anticipated expiration: 2021-03-28
Also published as: JP3876967B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】シリコンウェーハ及び同様の材料の研磨剤で
あって、研磨速度の向上による生産性の向上、及び金属
汚染の防止によるウェーハ品質の向上を図る研磨剤及び
その研磨剤を用いる研磨方法を提供する。【解決手段】 −ＮＨ基を含み、Ｃ数／｛Ｎ数＋Ｏ数｝
比２．５以下である化合物を添加した研磨剤。化合物が
ピペリジンをベースとした化合物の窒素とパラの位置に
置換基（官能基）を含む化合物であり、パラの位置の置
換基が−ＣＯＯＨ、−ＳＯ_３Ｈ、−ＮＨ_２又は−ＰＯ_４
Ｈ_２である研磨剤（例えば、ヘキサヒドロイソニコチン
酸）。またコロイダルシルカを含む研磨剤であって、ヘ
キサヒドロイソニコチン酸が０．００１〜１．０ｍｏｌ
／Ｌ添加され、ＮａＯＨによりｐＨを１０〜１２に調整
した研磨剤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ
等、例えばシリコンウェーハ及び同様な材料を研磨する
ための研磨剤及びその研磨剤を用いた研磨方法に関す
る。

【０００２】

【関連技術】一般にシリコンウェーハの製造方法は、単
結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得
るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウ
ェーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取
りする面取り工程と、このウェーハを平坦化するラッピ
ング工程と、面取り及びラッピングされたウェーハに残
留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウェ
ーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研
磨されたウェーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や
異物を除去する洗浄工程を有している。上記工程は、主
な工程を示したもので、他に熱処理工程や平面研削工程
等の工程が加わったり、工程順が入れ換えられたりす
る。

【０００３】また、同一工程を複数段実施したりするこ
ともある。その後検査等を行い、デバイス製造会社（工
程）に送られ、前記シリコンウェーハ上に絶縁膜や金属
配線を形成し、メモリー等のデバイスが製造される。

【０００４】上記研磨工程ではウェーハを高平坦度に鏡
面研磨する事及び研磨能力の向上が望まれている。研磨
工程で用いられる研磨剤は主にアルミナやコロイダルシ
リカ（ＳｉＯ₂）を含有した研磨剤が多く使用されてい
る。このアルミナやコロイダルシリカ（ＳｉＯ₂）を水
で希釈し更にアルカリが添加された懸濁液（スラリー）
状の研磨剤が使用されている。

【０００５】研磨能力を向上する方法として、研磨に使
用する研磨剤を工夫することがある。例えば、上記シリ
カ系の研磨剤は、粒径が１０〜１５０ｎｍ程度のものが
用いられている。研磨剤に含まれるシリカの粒度を大き
くすればするほど研磨能力は向上する。しかし、粒径が
大きくなるほどウェーハ表面に研磨ダメージ等が生じ易
い。

【０００６】他の方法として研磨速度の向上のため、上
記研磨剤に添加剤を入れることがある。一般に、シリコ
ンウェーハの研磨用研磨剤に対する添加物として例え
ば、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミンのよう
なアミノアルコール（エタノールアミン）類を添加する
と研磨能率が向上することが知られている。

【０００７】その他の添加剤としてはアンモニア、メチ
ルアミン、ジメチルアミンなど炭素原子数が５個以下の
比較的低級アルキル基であるアミン、また環状化合物で
あるピペラジン等が使用されることがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、研磨速度の向
上のために用いられるＮ−（β−アミノエチル）エタノ
ールアミンなどの添加剤は、ウェーハ内への金属汚染、
特にＣｕ汚染を推進することがわかってきた。これは、
添加剤であるＮ−（β−アミノエチル）エタノールアミ
ン自体が汚染されやすく、この添加剤の汚染をスラリー
中に持ち込んでしまいウェーハ表面と接触させ研磨する
ため、結果的にウェーハを汚染してしまうことが考えら
れる。

【０００９】そこで、添加剤による金属汚染を防ぐた
め、更にキレート化合物などを添加する事など考えられ
るが、添加剤同士が干渉したりし、研磨されるウェーハ
の表面状態の悪化や、研磨速度が遅くなってしまうなど
の問題があった。

【００１０】また、従来は、研磨剤の安定性、特に研磨
速度や表面状態を安定化させるため研磨剤のｐＨ値の管
理も重要であった。つまり研磨が続くと、ｐＨが変動す
るため炭酸ナトリウムなどを添加しつつｐＨを調整し研
磨する必要があった。

【００１１】そこで、研磨速度を向上しつつ、高平坦度
なウェーハとし、且つ金属汚染もなく、研磨中も安定し
たｐＨが維持できる添加剤が要求されていた。

【００１２】本発明は、シリコンウェーハ及び同様の材
料を研磨する際に用いられる研磨剤であって、研磨速度
の向上による生産性の向上、及び金属汚染の防止による
ウェーハ品質の向上を図ることができる研磨剤及びその
研磨剤を用いる研磨方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の研磨剤の第１の態様は、ウェーハを研磨す
る為の研磨剤において、−ＮＨ基を含み、〔Ｃ（炭素原
子）数／｛Ｎ（窒素原子）数＋Ｏ（酸素原子）数｝〕の
比が２．５以下である化合物を添加したことを特徴とす
る。研磨剤の研磨速度を向上するには、上記化合物にお
けるＣ（炭素原子）の数／｛Ｎ（窒素原子）数＋Ｏ（酸
素原子）数｝〕の比が重要であり、この値が小さい程研
磨能力が高くなり、この比が２．５以下が有効である。

【００１４】上記化合物としては、Ｎ原子を含む環状化
合物をベースとし、更にＯ（酸素原子）及び又はＮ（窒
素原子）を含む置換基（官能基）を含む化合物を用いる
ことができる。

【００１５】研磨剤に、アミノ基のような結合を含んで
いる化合物を添加すると研磨速度は速くなる。しかし、
アミノ基を含む直鎖状の化合物は毒性が高いことが多
く、毒性のないものを使う必要がある。一般的に環状の
化合物は毒性が低く環状化合物とすることが好ましい。

【００１６】上記化合物として、さらに具体的には、ウ
ェーハを研磨する為の研磨剤にピペリジンをベースとし
た化合物の窒素原子とパラの位置に置換基（官能基）を
含む化合物を用いることができる。

【００１７】ピペリジンをベースとした化合物としたの
は、環状化合物であり、−ＮＨ結合を含んでいるためで
ある。但し、ピペリジンのみでは、若干の研磨速度の向
上は得られるが、十分な研磨速度は得られない。

【００１８】そこで、上述したように、研磨剤の研磨速
度を更に向上（早く）するには、Ｃ（炭素原子）の数／
｛Ｎ（窒素原子）の数＋Ｏ（酸素原子）の数｝の比が重
要であり、この値が小さいほど研磨能力が高くなること
が明らかになった。特に上記比が２．５以下であること
が好ましい。

【００１９】従って、置換基として、酸素原子や窒素原
子を含む（又は、炭素原子の少ない）官能基をピペラジ
ンの一部に置換する事によって研磨速度を向上する事が
できる。

【００２０】つまり、例えばイオン性の置換基として、
−ＣＯＯＨ基（カルボキシル基）、−ＳＯ₃Ｈ基（スル
ホン酸基）、−ＮＨ₂基（アミノ基）、又は−PO₄H₂基
（燐酸基）等が好適である。ピペリジンをベースとした
環状化合物の一部に置換する事が好ましい。

【００２１】研磨速度を向上させるのみであれば、上記
のような官能基を置換する事で実施できるが、特にＮ原
子に対してパラ（ｐ−）の位置にイオン性の置換基があ
ると好ましい。これは金属汚染を防止する意味で重要で
ある。ピペリジンは環状の化合物のため、立体障害とな
り金属などをそもそも補足しづらい。

【００２２】しかし、環状のＮ原子に対してメタ（ｍ
−）及びオルト（ｏ−）の位置に置換基が存在した場
合、キレート効果が生じる事があり、金属を捕獲しやす
くなる。状態によっては汚染された添加剤を添加する事
になる。この添加物は、研磨に作用するため徐々に分解
等が行われ、その中で汚染物が放出され研磨対象である
ウェーハ表面を汚染してしまう事になる。

【００２３】従って、研磨能力を向上させる対象となる
研磨剤自体にはキレート効果がないことが好ましい。こ
のような意味で、パラ（ｐ−）の位置に置換基が存在す
る場合、キレート効果が殆ど無いので好ましい。

【００２４】本発明の研磨剤の研磨速度を向上し、更に
汚染を抑えるには、パラ（ｐ−）の位置に官能基を置換
する事が重要である。

【００２５】また、研磨剤はアルミナベース及びコロイ
ダルシリカベースなど様々な研磨剤があるが、特にシリ
コンウェーハを鏡面化するための研磨であれば、コロイ
ダルシリカをベースとしたものであることが好ましい。

【００２６】本発明の研磨剤の第２の態様はコロイダル
シリカを含む研磨剤であって、ヘキサヒドロイソニコチ
ン酸を添加したことを特徴とする。

【００２７】ヘキサヒドロイソニコチン酸は、イソニペ
コチン酸、ピペリジン−４−カルボン酸ともいい、水に
易溶な針状晶である。水に溶けた状態でほぼ中性であ
る。イソニぺコチン酸（ヘキサヒドロイソニコチン酸）
は、ピペリジンをベースとした化合物でピペリジンの窒
素原子とパラの位置に置換基（官能基）として−ＣＯＯ
Ｈ基を持つ化合物である。分子式（Ｃ₆Ｈ₁₁ＮＯ₂）であ
りＣ／（Ｎ＋Ｏ）の比も２であり比較的小さいため、研
磨速度が向上する。

【００２８】ヘキサヒドロイソニコチン酸を添加すると
研磨剤を汚すことなく研磨することができるため、被研
磨ウェーハへも金属汚染をすることはなく好ましい添加
剤となる。また研磨速度も向上する。

【００２９】研磨剤は粒径１０〜１５０ｎｍ程度のコロ
イダルシリカを純水中に１〜５ｗｔ％分散させたものが
好適に用いられる。この研磨剤中に本発明のヘキサヒド
ロイソニコチン酸を添加するが、添加する量は、研磨剤
１Ｌ（リットル）当たり０．００１〜１．０ｍｏｌ程度
の量で十分である。特に好ましくは０．０１〜０．１ｍ
ｏｌ／Ｌである。この範囲の量を添加すれば研磨速度も
向上し、金属汚染も効果的に防止することができる。

【００３０】なお、コロイダルシリカはｐＨが低下した
場合や、研磨剤中のアルカリ溶液の割合が増えた場合に
凝集しやすい。ヘキサヒドロイソニコチン酸は中性であ
り研磨剤に添加する際に研磨剤のｐＨが低下しコロイダ
ルシリカが凝集してしまう可能性がある。そこで予めヘ
キサヒドロイソニコチン酸と炭酸ナトリウムやＮａＯＨ
等のアルカリ溶液を調合したものをベースとなる研磨剤
中に添加すると良い。

【００３１】特にヘキサヒドロイソニコチン酸は中性で
あるため、ヘキサヒドロイソニコチン酸が消費されても
ｐＨに影響する事がない。従って研磨前にＮａＯＨ等の
強塩基によりｐＨをアルカリ性に調整することができ
る。好ましくはｐＨが１０〜１２になるようにする。Ｎ
ａＯＨ等の強塩基のアルカリ溶液でｐＨを調整すると添
加量が少なくてすみ、研磨剤中のアルカリ溶液の割合も
少なくすることができコロイダルシリカの凝集を抑える
ことができる。

【００３２】また、従来アミノアルコールやピペラジン
等を添加した場合、研磨するに従いｐＨが変化するた
め、炭酸ナトリウム等を研磨中に添加しｐＨを調整する
必要があった。また、アミノアルコール等を添加した研
磨剤はｐＨの減少する割合が比較的大きく、添加する炭
酸ナトリウムの量も多くなってしまい、添加するアルカ
リ溶液の濃度が濃くなりコロイダルシリカが凝集しやす
い。ヘキサヒドロイソニコチン酸を添加した場合はｐＨ
が安定しているため、ｐＨ調整も僅かですみ操業上安定
して研磨することができる。

【００３３】これは、ヘキサヒドロイソニコチン酸がも
つ、−ＮＨ基と−ＣＯＯＨ基の作用によるものと考えら
れる。これらの基が存在する事により添加剤としては中
性を維持するために、研磨剤全体のｐＨの変化を少なく
し、安定な状態に維持できる。このようにｐＨの安定性
については特に、−ＣＯＯＨ基の官能基が好適であっ
た。

【００３４】この研磨剤は種々の研磨装置で使用でき
る。つまり、ウェーハを保持した状態で研磨布の表面に
ウェーハを押し付け、同時に研磨剤を所定の流量で研磨
布上に供給し、この研磨剤を介してウェーハの被研磨面
が研磨布表面と摺擦されてウェーハを研磨するものであ
れば、好適にこの研磨剤が使用でき、高平坦度で、研磨
速度も速く、金属汚染なども防止した研磨を行なうこと
ができる。

【００３５】本発明の研磨方法は、ウェーハを保持した
状態で研磨布の表面にウェーハを押し付け、同時に研磨
剤を所定の流量で研磨布上に供給し、この研磨剤を介し
てウェーハの被研磨面が研磨布表面と摺擦されてウェー
ハを研磨する方法において、上記した本発明の研磨剤を
用いるものである。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の研磨剤が適用され
かつ本発明の研磨方法を実施する際に用いられる研磨装
置について添付図面中、図４に基づいて説明する。図４
は研磨装置の１例を示す概略側面説明図である。

【００３７】本発明の研磨剤が適用されかつ本発明の研
磨方法を実施するための研磨装置については、特に限定
されるものではないが、例えば、図４に示すような研磨
装置が使用される。図４はバッチ式の研磨装置の一例を
示すもので、研磨装置Ａは回転軸３７により所定の回転
速度で回転せしめられる研磨定盤３０を有している。該
研磨定盤３０の上面には研磨布Ｐが貼設されている。

【００３８】３３はワーク保持盤で上部荷重３５を介し
て回転シャフト３８によって回転せしめられる。複数枚
のウェーハＷはワックス等の接着手段によってワーク保
持盤３３の下面に保持された状態で上記研磨布Ｐの表面
に押し付けられ、同時に研磨剤供給装置（図示せず）よ
り研磨剤供給配管３４を通して所定の流量で、研磨剤溶
液（スラリー）３９を研磨布Ｐ上に供給し、この研磨剤
溶液３９を介してウェーハＷの被研磨面が研磨布Ｐ表面
と摺擦されてウェーハＷの研磨が行われる。

【００３９】枚葉式の研磨装置でも、基本的な研磨機構
の構成はバッチ式とほぼ同じである。バッチ式の研磨と
大きく異なる点は、ウェーハを保持する部分に枚葉式の
ヘッドを有し、１ヘッド当たり１枚のウェーハを保持し
て研磨するという点である。

【００４０】研磨能力（研磨速度）を向上するには、ヘ
キサヒドロイソニコチン酸のようなピペリジンをベース
とした化合物、つまり、−ＮＨ結合を含んでいる化合物
が好ましい。特に該化合物の窒素原子とパラの位置にイ
オン性の置換基を含む化合物が好ましい。イオン性の置
換基を有することで更に研磨速度が上昇する。

【００４１】ヘキサヒドロイソニコチン酸（ピペリジン
−４−カルボン酸）はピペリジンをベースとし環状の化
合物のため、立体障害となり、金属などをそもそも捕捉
しづらい。しかし、環状のＮ原子に対してメタ（ｍ
−）、つまりピペリジン−３−カルボン酸及びオルト
（ｏ−）、つまりピペリジン−２−カルボン酸の位置に
置換基が存在した場合、金属を捕獲しやすくなり、添加
剤自体が汚染されやすくなる。このような添加剤はキレ
ートを作る性質がある。

【００４２】このような状態では、研磨中、添加剤が徐
々に分解され、キレート効果で保持していた金属を放出
し研磨対象であるウェーハ表面を汚染してしまう事にな
る。従って、研磨能力を向上されるための研磨剤自体に
はキレート効果がないことが好ましい。このような意味
で、パラ（ｐ−）つまり、ピペラジン−４−カルボン酸
の位置に置換基が存在する場合、キレート効果が殆ど無
いので好ましい。

【００４３】ヘキサヒドロイソニコチン酸は、ピペリジ
ン−４−カルボン酸ともいい、ピペリジンのＮ原子から
４つ目（つまりパラの位置）にカルボン酸が置換された
化合物であり好適である。

【００４４】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもの
であって限定的に解釈すべきものではない。

【００４５】（実施例１）研磨剤全体に対し平均粒度が
５０ｎｍのコロイダルシリカ（ＳｉＯ₂）を約２．５ｗ
ｔ％含有させたものをベースとなる研磨剤とした。

【００４６】あらかじめヘキサヒドロイソニコチン酸と
ＮａＯＨを混合し、この混合液を上記ベースとなる研磨
剤の入ったタンク（１００リットル）にヘキサヒドロイ
ソニコチン酸の濃度がスラリー１リットル当たり、０．
１ｍｏｌとなるように及び研磨剤の初期ｐＨが約１１に
なるように調整した。この研磨剤を循環させて使用し
た。

【００４７】一般的なウェーハ製造工程でエッチング工
程を経た直径１５０ｍｍのシリコンウェーハ（ＣＺ、ｐ
型、結晶方位＜１００＞）に対し、上記の研磨剤を用い
研磨した。図４の研磨装置と同様の装置を用い、発泡ウ
レタン樹脂製研磨パッドを使用し、上記研磨剤を１０Ｌ
／分で供給し、研磨荷重（２５０ｇ／ｃｍ²）及び研磨
時間（１０分）の研磨条件で上記シリコンウェーハの研
磨を行なった。

【００４８】（比較例１）上記ベースとなる研磨剤に特
別な添加物を加える事なく、炭酸ナトリウムによって初
期ｐＨを約１１に調整し、実施例１と同様の条件でシリ
コンウェーハを研磨した。

【００４９】（比較例２）上記ベースとなる研磨剤にＮ
−（β−アミノエチル）エタノールアミンをスラリー１
リットル当たり、０．１ｍｏｌ添加し、炭酸ナトリウム
により初期ｐＨを約１１に調整し、実施例１と同様の条
件でシリコンウェーハを研磨した。

【００５０】上記実施例１及び比較例１〜２の添加物を
添加した研磨剤によって研磨した後のウェーハの平坦度
はいずれも良好であり、研磨傷等の発生もなかった。

【００５１】これらの研磨剤を使用した時の研磨速度及
び汚染状況を確認した。研磨速度は１０分間研磨した時
点での研磨取り代から計算した。汚染状況としては研磨
後のウェーハ表面に付着した金属不純物を確認した。こ
れはVPD-AAS（Vapor Phase Decomposition and Atomic
Absorption Spectroscopy）により評価した。VPD-AASは
ウェーハ表面の自然酸化膜をＨＦ蒸気で気相分解し、そ
の時同時に分解された不純物をＨＣｌやＨＦ等の薬液で
回収し原子吸光光度計で定量分析する手法である。

【００５２】その結果を図１及び図２に示す。研磨速度
については、何も添加しない比較例１を１とした時の相
対研磨速度で示した。図１に示すように実施例１のヘキ
サヒドロイソニコチン酸を添加した場合は、比較例２の
Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミンとほぼ同じ
研磨能力であった。何も添加しない研磨剤（比較例１）
に比べ、約１．４倍向上している。

【００５３】ウェーハ表面の汚染（金属不純物）量につ
いては、シリコンウェーハに付着した場合に特に問題と
なる銅（Ｃｕ）について観察した。図２に示すように、
この金属不純物濃度は実施例１では約５．５３×１０⁹
ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、比較例１では約３．３５×１０⁹ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ²、比較例２では約１．８０×１０¹⁰ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ²であった。

【００５４】以上のようにヘキサヒドロイソニコチン酸
を添加した実施例１の研磨速度は、比較例１に比べ３０
％以上向上している。また、ウェーハ表面の汚染も、ほ
ぼ同じ研磨速度である比較例２に比べて半分以下に抑え
られている。つまり従来の添加剤とほぼ同じ研磨能力を
維持しながら、汚染も少ない研磨が行なえ、品質的に安
定したウェーハの製造ができる。

【００５５】（実施例２）：ｐＨの安定性確認試験研磨剤中のヘキサヒドロイソニコチン酸を０．０１ｍｏ
ｌ／Ｌとした以外は実施例１の研磨条件で、ｐＨの調整
をする事無く、繰り返しシリコンウェーハを研磨し、各
バッチの研磨終了後にスラリータンクのｐＨの変化を確
認した。その結果を図３に示す。

【００５６】（比較例３）また、研磨剤中のＮ−（β−
アミノエチル）エタノールアミンを０．０１ｍｏｌ／Ｌ
とした以外は比較例２の研磨条件で研磨し、実施例２と
同様に研磨途中、ｐＨの調整をする事無く、繰り返しシ
リコンウェーハを研磨し、ｐＨの変化を確認した。その
結果を図３に示す。

【００５７】実施例２では、研磨により若干のｐＨの低
下はあるものの繰り返し研磨を行なっても比較的安定し
たｐＨが得られた。一方、比較例３では実施例２に比べ
２倍程度はやくｐＨが低下していく傾向にあった。これ
では研磨速度が減少してしまい好ましくない。

【００５８】また、バッチ毎にｐＨを調整する際にも、
比較例３のような場合、実施例２に比べ炭酸ナトリウム
等の添加量を多くする必要がある。炭酸ナトリウム量を
多く添加すると研磨剤自体が凝集してしまい使用できな
くなる。従って研磨剤を使用できる回数が減ることにな
る。実施例２ではｐＨの低下の割合が少ないのでｐＨ調
整のための添加剤も少なくてすみ研磨剤も長時間繰り返
し使用できる。

【００５９】

【発明の効果】上記のように本発明の研磨剤及び研磨方
法によれば、研磨速度の向上による生産性向上、金属汚
染防止によるウェーハ品質向上、及びｐＨの安定化によ
る操業の安定性を図ることができる。

【００６０】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１及び比較例１、２において各添加物を
添加した研磨剤の相対研磨速度を示すグラフである。

【図２】実施例１及び比較例１、２において各添加物を
添加した研磨剤により研磨した後のウェーハ表面の金属
汚染量（濃度）を示すグラフである。

【図３】実施例２及び比較例３におけるｐＨの安定性を
示すグラフである。

【図４】研磨装置の一例を示す概略側面説明図である。

【符号の説明】

３０：研磨定盤、３３：ワーク保持盤、３４：研磨剤供
給配管、３５：上部荷重、３７：回転軸、３８：回転
シャフト、３９：研磨剤溶液、Ｐ：研磨布、Ｗ：ウェー
ハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者水野亨彦福島県西白河郡西郷村小田倉字大平150番地信越半導体株式会社白河工場内 (72)発明者大葉茂福島県西白河郡西郷村小田倉字大平150番地信越半導体株式会社白河工場内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 CB10 DA02 DA17 5F043 AA02 BB30 DD16 FF07 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハを研磨する為の研磨剤におい
て、−ＮＨ基を含み、〔Ｃ（炭素原子）数／｛Ｎ（窒素
原子）数＋Ｏ（酸素原子）数｝〕の比が２．５以下であ
る化合物を添加したことを特徴とする研磨剤。
【請求項２】前記化合物が、Ｎ原子を含む環状化合物
をベースとし、更にＯ（酸素原子）及び又はＮ（窒素原
子）を含む置換基（官能基）を含む化合物であることを
特徴とする請求項１記載の研磨剤。
【請求項３】前記化合物が、ピペリジンをベースとし
た化合物の窒素原子とパラの位置に置換基（官能基）を
含む化合物であることを特徴とする研磨剤。
【請求項４】上記パラの位置の置換基が、−ＣＯＯＨ
基（カルボキシル基）、−ＳＯ₃Ｈ基（スルホン酸
基）、−ＮＨ₂基（アミノ基）、又は−PO₄H₂基（燐酸
基）であることを特徴とする請求項３記載の研磨剤。
【請求項５】コロイダルシリカを含む研磨剤であっ
て、ヘキサヒドロイソニコチン酸が添加されていること
を特徴とする研磨剤。
【請求項６】前記ヘキサヒドロイソニコチン酸の添加
量が０．００１〜１．０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴と
する請求項５記載の研磨剤。
【請求項７】ＮａＯＨによりｐＨを１０〜１２の範囲
に調整したことを特徴とする請求項５又は６記載の研磨
剤。
【請求項８】ウェーハを保持した状態で研磨布の表面
にウェーハを押しつけ、同時に研磨剤を所定の流量で研
磨布上に供給し、この研磨剤を介してウェーハの被研磨
面が研磨布表面と摺擦されてウェーハを研磨する方法に
おいて、上記研磨剤として請求項１〜７のいずれか１項
に記載の研磨剤を用いることを特徴とする研磨方法。