JP2002284582A - セラミックハニカム体の焼成方法 - Google Patents
セラミックハニカム体の焼成方法Info
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- JP2002284582A JP2002284582A JP2001087786A JP2001087786A JP2002284582A JP 2002284582 A JP2002284582 A JP 2002284582A JP 2001087786 A JP2001087786 A JP 2001087786A JP 2001087786 A JP2001087786 A JP 2001087786A JP 2002284582 A JP2002284582 A JP 2002284582A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】焼成時のクラックの発生を抑制し、昇温速度を
低下させる必要のない、隔壁厚の薄いセラミックハニカ
ム体の焼成方法。 【解決手段】焼成に供されるセラミックハニカム体は、
原料としてタルクを必須成分とし、原料調合、成形用坏
土の調製、成形、乾燥などの常法による各工程を経て、
焼成されるのであるが、この焼成過程におけるタルクの
脱水反応段階において、焼成対象のセラミックハニカム
体を水蒸気濃度が１０体積％以上の雰囲気下で加熱す
る。
低下させる必要のない、隔壁厚の薄いセラミックハニカ
ム体の焼成方法。 【解決手段】焼成に供されるセラミックハニカム体は、
原料としてタルクを必須成分とし、原料調合、成形用坏
土の調製、成形、乾燥などの常法による各工程を経て、
焼成されるのであるが、この焼成過程におけるタルクの
脱水反応段階において、焼成対象のセラミックハニカム
体を水蒸気濃度が１０体積％以上の雰囲気下で加熱す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄壁セラミックハ
ニカム体の焼成方法の改良に関する。
ニカム体の焼成方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】コージェライトを含む低熱膨張特性の焼
結セラミックハニカム体は、特に自動車排ガス浄化用触
媒担体として有用なものである。この焼結セラミックハ
ニカム体は、タルクなどコージェライト形成原料と成形
助剤などから調製された原料混合物を押出し成形法によ
り、ハニカム状に成形し、乾燥後、連続炉または単独炉
で焼成されて、製作される。
結セラミックハニカム体は、特に自動車排ガス浄化用触
媒担体として有用なものである。この焼結セラミックハ
ニカム体は、タルクなどコージェライト形成原料と成形
助剤などから調製された原料混合物を押出し成形法によ
り、ハニカム状に成形し、乾燥後、連続炉または単独炉
で焼成されて、製作される。
【０００３】本発明出願人は、この製造方法に採用され
る焼成方法を多数の提案している。例えば、特開平８−
７３２７４号公報、特開平１０−２７３３６６号公報に
は、パルス燃焼バーナを用いて、クラックや変形を抑制
する焼成方法、特開平５−８５８５６号公報には、熱収
縮する１１００℃〜１２００℃の温度域の昇温速度を６
０℃／Ｈｒ以下とする焼成方法を開示している。
る焼成方法を多数の提案している。例えば、特開平８−
７３２７４号公報、特開平１０−２７３３６６号公報に
は、パルス燃焼バーナを用いて、クラックや変形を抑制
する焼成方法、特開平５−８５８５６号公報には、熱収
縮する１１００℃〜１２００℃の温度域の昇温速度を６
０℃／Ｈｒ以下とする焼成方法を開示している。
【０００４】また、特開平１１−７９８５１号公報に
は、隔壁厚さが３．９〜２．０ミル（ハニカムの隔壁厚
の表示は当業者の慣用により単位ミル（１ミル＝０．０
２５ｍｍ）を用いる。以下同様）のセラミックハニカム
を対象に、原料中のカオリンの脱水反応が進行する４０
０℃〜６００℃の間を昇温速度４０℃／Ｈｒで焼成し、
クラックの発生を少なくする焼成方法を開示している。
は、隔壁厚さが３．９〜２．０ミル（ハニカムの隔壁厚
の表示は当業者の慣用により単位ミル（１ミル＝０．０
２５ｍｍ）を用いる。以下同様）のセラミックハニカム
を対象に、原料中のカオリンの脱水反応が進行する４０
０℃〜６００℃の間を昇温速度４０℃／Ｈｒで焼成し、
クラックの発生を少なくする焼成方法を開示している。
【０００５】さらには、特開平２−２５５５７６号公報
には、コージェライト系セラミックハニカムを、１１０
０℃〜１２００℃の熱収縮温度域で昇温速度を６０℃／
Ｈｒ以下とするか、所定時間昇温を停止して、変形を防
止しようとする焼成方法が開示されている。また、特開
平１−２１５７６５号公報には、セラミックハニカムの
内部と外側部の温度を検知してバーナを制御するクラッ
ク防止に関する焼成方法を開示している。
には、コージェライト系セラミックハニカムを、１１０
０℃〜１２００℃の熱収縮温度域で昇温速度を６０℃／
Ｈｒ以下とするか、所定時間昇温を停止して、変形を防
止しようとする焼成方法が開示されている。また、特開
平１−２１５７６５号公報には、セラミックハニカムの
内部と外側部の温度を検知してバーナを制御するクラッ
ク防止に関する焼成方法を開示している。
【０００６】また、特開平１−２０３２７３号公報に
は、セラミックハニカム体中の成形助剤、増孔剤の燃焼
を促進または抑制するため、雰囲気中の酸素濃度を増加
または減少するようにした焼成方法を開示している。ま
た、特開昭６３−２１０５９３号公報には、セラミック
ハニカム体の貫通孔に焼成雰囲気ガスを強制的に通過さ
せ、均一加熱するようにした焼成方法を開示している。
なお、本発明が対象とするコージェライト系セラミック
ハニカム体の原料配合、組成に関しては、特開昭６１−
１６８５６３号公報に詳細に開示してある。
は、セラミックハニカム体中の成形助剤、増孔剤の燃焼
を促進または抑制するため、雰囲気中の酸素濃度を増加
または減少するようにした焼成方法を開示している。ま
た、特開昭６３−２１０５９３号公報には、セラミック
ハニカム体の貫通孔に焼成雰囲気ガスを強制的に通過さ
せ、均一加熱するようにした焼成方法を開示している。
なお、本発明が対象とするコージェライト系セラミック
ハニカム体の原料配合、組成に関しては、特開昭６１−
１６８５６３号公報に詳細に開示してある。
【０００７】ところで、排ガス浄化用に用いられるセラ
ミックハニカム体は、浄化性能向上のためにセル密度を
増加する傾向にあり、このセル密度の増加が圧力損失の
増加も招くのであるが、隔壁厚さを薄くすることで、こ
の圧力損失の増加を抑えることができる。従来は、隔壁
厚６ミルが主流であってが近年は隔壁厚４ミルが開発さ
れ、さらには隔壁厚２ミルの実用化も始まった。
ミックハニカム体は、浄化性能向上のためにセル密度を
増加する傾向にあり、このセル密度の増加が圧力損失の
増加も招くのであるが、隔壁厚さを薄くすることで、こ
の圧力損失の増加を抑えることができる。従来は、隔壁
厚６ミルが主流であってが近年は隔壁厚４ミルが開発さ
れ、さらには隔壁厚２ミルの実用化も始まった。
【０００８】このような、隔壁厚が薄くなるにしたがい
発生する生産技術上の問題のひとつに、焼成時にセラミ
ックハニカム体の端面部分にクラックが生じ易く、量産
規模の焼成炉の場合、満足な歩留まりが維持できないと
いう問題がある。この問題は、焼成時の昇温速度をごく
ゆっくりした速度、例えば従来４０℃／Ｈｒであったも
のを１０℃／Ｈｒ程度の速度に低下させれば、一応解消
可能であるが、この場合には、焼成工程の生産性が１／
４に低下するという致命的な問題が派生するので、その
解決が望まれていた。
発生する生産技術上の問題のひとつに、焼成時にセラミ
ックハニカム体の端面部分にクラックが生じ易く、量産
規模の焼成炉の場合、満足な歩留まりが維持できないと
いう問題がある。この問題は、焼成時の昇温速度をごく
ゆっくりした速度、例えば従来４０℃／Ｈｒであったも
のを１０℃／Ｈｒ程度の速度に低下させれば、一応解消
可能であるが、この場合には、焼成工程の生産性が１／
４に低下するという致命的な問題が派生するので、その
解決が望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、焼成時のセラ
ミックハニカム体におけるクラックの発生の抑制を図る
とともに、昇温速度を低下せるという対策を必要としな
いセラミックハニカム体の焼成方法、特に隔壁厚の薄い
セラミックハニカム体を対象とした同焼成方法を提供す
る。
点を解決するためになされたものであり、焼成時のセラ
ミックハニカム体におけるクラックの発生の抑制を図る
とともに、昇温速度を低下せるという対策を必要としな
いセラミックハニカム体の焼成方法、特に隔壁厚の薄い
セラミックハニカム体を対象とした同焼成方法を提供す
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題は、タルクを
含む原料混合物から形成されたセラミックハニカム体の
焼成方法であって、前記タルクの脱水反応段階におい
て、該セラミックハニカム体を水蒸気濃度が１０体積％
以上の雰囲気下で加熱することを特徴とする本発明のセ
ラミックハニカム体の焼成方法によって、解決すること
ができる。
含む原料混合物から形成されたセラミックハニカム体の
焼成方法であって、前記タルクの脱水反応段階におい
て、該セラミックハニカム体を水蒸気濃度が１０体積％
以上の雰囲気下で加熱することを特徴とする本発明のセ
ラミックハニカム体の焼成方法によって、解決すること
ができる。
【００１１】また、前記本発明は、前記水蒸気濃度が１
０〜５０体積％である形態、前記タルクの脱水反応段階
において、昇温速度を最大８０℃／Ｈｒまでに設定した
形態、あるいは、焼成対象であるセラミックハニカム体
が、隔壁厚さが２．５ミル以下、セル密度が１２００セ
ル／インチ2 以上（ハニカムのセル密度の表示は当業者
の慣用により単位セル／インチ2（１セル／インチ2＝
０．１５５セル／ｃｍ2）を用いる。以下同様）の薄壁
ハニカムである形態のセラミックハニカム体の焼成方法
として好ましく具体化される。
０〜５０体積％である形態、前記タルクの脱水反応段階
において、昇温速度を最大８０℃／Ｈｒまでに設定した
形態、あるいは、焼成対象であるセラミックハニカム体
が、隔壁厚さが２．５ミル以下、セル密度が１２００セ
ル／インチ2 以上（ハニカムのセル密度の表示は当業者
の慣用により単位セル／インチ2（１セル／インチ2＝
０．１５５セル／ｃｍ2）を用いる。以下同様）の薄壁
ハニカムである形態のセラミックハニカム体の焼成方法
として好ましく具体化される。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明のセラミックハニカ
ム体の焼成方法に係る実施形態について、説明する。先
ず、本発明は、焼成方法にかかるものであるが、焼成に
供されるセラミックハニカム体は、原料調合、成形用坏
土の調製、成形、乾燥などの常法による各工程により製
作される。
ム体の焼成方法に係る実施形態について、説明する。先
ず、本発明は、焼成方法にかかるものであるが、焼成に
供されるセラミックハニカム体は、原料調合、成形用坏
土の調製、成形、乾燥などの常法による各工程により製
作される。
【００１３】本発明は、原料としてタルクを必須成分と
し、望ましくは、３０重量％以上含むものに適用される
のであるが、その他の原料調合では、前述の特開昭６１
−１６８５６３号公報に記載の配合原料および調合割合
が適用できる。例えば、コージェライトの組成であるＳ
ｉＯ2：４７〜５３重量％、Ａｌ2Ｏ3 ：３２〜３８重量
％、ＭｇＯ：１２〜１５重量％の領域になるよう、所定
の微粒のタルク、カオリン、アルミナ、その他コージェ
ライト化原料を配合する。この場合、必要に応じて、バ
インダ、界面活性剤、ワックス、増孔剤などを添加すれ
ばよい。
し、望ましくは、３０重量％以上含むものに適用される
のであるが、その他の原料調合では、前述の特開昭６１
−１６８５６３号公報に記載の配合原料および調合割合
が適用できる。例えば、コージェライトの組成であるＳ
ｉＯ2：４７〜５３重量％、Ａｌ2Ｏ3 ：３２〜３８重量
％、ＭｇＯ：１２〜１５重量％の領域になるよう、所定
の微粒のタルク、カオリン、アルミナ、その他コージェ
ライト化原料を配合する。この場合、必要に応じて、バ
インダ、界面活性剤、ワックス、増孔剤などを添加すれ
ばよい。
【００１４】前記配合物は、押出し成形に適した水分に
調整され、混練工程を経て成形用坏土として調製され
る。この成形用坏土を用いて、円形、長円形、角型など
の外形断面からなり、長手方向に形成される通気孔とし
ての多数のセルを薄い隔壁を介して配列したハニカム体
に押出し成形される。次いで、乾燥後、シャットルキル
ンのような単独焼成炉、またはトンネル炉のような連続
焼成炉で焼成される。
調整され、混練工程を経て成形用坏土として調製され
る。この成形用坏土を用いて、円形、長円形、角型など
の外形断面からなり、長手方向に形成される通気孔とし
ての多数のセルを薄い隔壁を介して配列したハニカム体
に押出し成形される。次いで、乾燥後、シャットルキル
ンのような単独焼成炉、またはトンネル炉のような連続
焼成炉で焼成される。
【００１５】そして、本発明の最も特徴とするところ
は、前記焼成過程におけるタルクの脱水反応段階におい
て、焼成対象のセラミックハニカム体を水蒸気濃度が１
０体積％以上の雰囲気下で加熱する点にある。
は、前記焼成過程におけるタルクの脱水反応段階におい
て、焼成対象のセラミックハニカム体を水蒸気濃度が１
０体積％以上の雰囲気下で加熱する点にある。
【００１６】すなわち、加熱方式が、ＬＰＧガス加熱の
ような燃焼ガスによる加熱の場合、直火形式あるいはマ
ッフル炉のような間接形式のいずれであっても、被焼成
物であるセラミックハニカム体は、自然の大気の存在下
ではなく、前記した特定の水蒸気濃度を有する雰囲気に
制御されて加熱されるのである。加熱方式が燃焼ガスが
発生しない電気加熱炉の場合も、同様に自然の大気の存
在下ではなく、雰囲気は特定の水蒸気濃度に制御される
ものである。
ような燃焼ガスによる加熱の場合、直火形式あるいはマ
ッフル炉のような間接形式のいずれであっても、被焼成
物であるセラミックハニカム体は、自然の大気の存在下
ではなく、前記した特定の水蒸気濃度を有する雰囲気に
制御されて加熱されるのである。加熱方式が燃焼ガスが
発生しない電気加熱炉の場合も、同様に自然の大気の存
在下ではなく、雰囲気は特定の水蒸気濃度に制御される
ものである。
【００１７】本発明によれば、前記の通り、特定の水蒸
気濃度に制御された焼成雰囲気においてセラミックハニ
カム体を加熱、焼成することにより、セラミックハニカ
ム体に生じるクラックを、後記実施例に示す通り、極め
て効果的に抑制できることがわかった。
気濃度に制御された焼成雰囲気においてセラミックハニ
カム体を加熱、焼成することにより、セラミックハニカ
ム体に生じるクラックを、後記実施例に示す通り、極め
て効果的に抑制できることがわかった。
【００１８】本発明において、かかる顕著な作用効果が
得られる理由は、学術的に完全に究明されていないが、
おおよそ次に示す理由と推測される。セラミックハニカ
ム体に含まれる原料タルクは、焼成過程において、８０
０℃〜１０００℃の温度域では内在する構造水の脱水反
応が進行し、同時に体積収縮することが知られている。
また、このタルクの脱水反応は、雰囲気の水分濃度が高
くなると反応温度がより高温側になることが確認できて
いる。例えばタルク粉末の熱重量減少分析では、雰囲気
水蒸気濃度１％以下の場合には脱水反応温度が８３０℃
付近であるのが、水蒸気濃度１５％では８７０℃付近に
なる（昇温速度２℃／ｍｉｎ）。
得られる理由は、学術的に完全に究明されていないが、
おおよそ次に示す理由と推測される。セラミックハニカ
ム体に含まれる原料タルクは、焼成過程において、８０
０℃〜１０００℃の温度域では内在する構造水の脱水反
応が進行し、同時に体積収縮することが知られている。
また、このタルクの脱水反応は、雰囲気の水分濃度が高
くなると反応温度がより高温側になることが確認できて
いる。例えばタルク粉末の熱重量減少分析では、雰囲気
水蒸気濃度１％以下の場合には脱水反応温度が８３０℃
付近であるのが、水蒸気濃度１５％では８７０℃付近に
なる（昇温速度２℃／ｍｉｎ）。
【００１９】このような、雰囲気の水蒸気濃度が低い従
来の焼成における前記タルクの脱水反応段階において
は、ある体積を有するセラミックハニカム体は外側部分
から脱水反応が開始し、同時に収縮し始める。中心部分
は外側部分の脱水反応により雰囲気水蒸気濃度が高くな
り、脱水反応が遅れ、収縮も遅れて開始する。このた
め、外側部分と中心部分にて収縮差が生じ、クラックと
なると推定される。しかし、本発明のように、タルクの
脱水反応段階において、雰囲気の水蒸気濃度を１０体積
％以上、好ましくは、１０〜５０体積％、に高めておく
ことにより、外側部分の脱水反応による収縮を遅延さ
せ、中心部分との時間差を少なくするものと考えられて
いる。
来の焼成における前記タルクの脱水反応段階において
は、ある体積を有するセラミックハニカム体は外側部分
から脱水反応が開始し、同時に収縮し始める。中心部分
は外側部分の脱水反応により雰囲気水蒸気濃度が高くな
り、脱水反応が遅れ、収縮も遅れて開始する。このた
め、外側部分と中心部分にて収縮差が生じ、クラックと
なると推定される。しかし、本発明のように、タルクの
脱水反応段階において、雰囲気の水蒸気濃度を１０体積
％以上、好ましくは、１０〜５０体積％、に高めておく
ことにより、外側部分の脱水反応による収縮を遅延さ
せ、中心部分との時間差を少なくするものと考えられて
いる。
【００２０】かくして、本発明は、前記タルクの脱水反
応段階において、昇温速度を最大８０℃／Ｈｒまでに設
定したような、やや高めの昇温速度の場合のクラック防
止に有効であるし、また焼成対象であるセラミックハニ
カム体が、隔壁厚さが２．５ミル以下、セル密度が１２
００セル／インチ2 以上の薄壁でかつ高セル密度のハニ
カムのような、クラックが発生しやすい形態において
も、有効となる。さらには、タルク原料が３０％以上配
合されるような高配合混合物において特に有効な焼成方
法となる。
応段階において、昇温速度を最大８０℃／Ｈｒまでに設
定したような、やや高めの昇温速度の場合のクラック防
止に有効であるし、また焼成対象であるセラミックハニ
カム体が、隔壁厚さが２．５ミル以下、セル密度が１２
００セル／インチ2 以上の薄壁でかつ高セル密度のハニ
カムのような、クラックが発生しやすい形態において
も、有効となる。さらには、タルク原料が３０％以上配
合されるような高配合混合物において特に有効な焼成方
法となる。
【００２１】なお、本発明でいう、タルクの脱水反応段
階とは、タルク結晶構造の中にＯＨの形で含まれている
構造水が脱出する反応で、脱出時に吸熱を伴い、結晶構
造が変化し、体積が減少する段階を意味するが、被焼成
物の温度で表示することも可能であり、８００℃〜１０
００℃の温度を示す段階と言い換えることができる。
階とは、タルク結晶構造の中にＯＨの形で含まれている
構造水が脱出する反応で、脱出時に吸熱を伴い、結晶構
造が変化し、体積が減少する段階を意味するが、被焼成
物の温度で表示することも可能であり、８００℃〜１０
００℃の温度を示す段階と言い換えることができる。
【００２２】また、雰囲気に水蒸気を導入するには、燃
焼炉においてはバーナの燃焼空気に所定量の水蒸気を混
入することや、電気炉においては飽和温度の水蒸気を外
部から炉内に注入するなどの手段で、水蒸気を雰囲気中
に導入し、かつその濃度を制御することができるのであ
る。
焼炉においてはバーナの燃焼空気に所定量の水蒸気を混
入することや、電気炉においては飽和温度の水蒸気を外
部から炉内に注入するなどの手段で、水蒸気を雰囲気中
に導入し、かつその濃度を制御することができるのであ
る。
【００２３】なお、本発明の好ましい水蒸気濃度を１０
〜５０体積％としたのは、下限以下ではクラック防止効
果が充分でないからであり、また上限以上の水蒸気は、
クラック防止効果には充分であるが、８００℃〜１００
０℃の焼成温度を得るのに適切でないからである。ま
た、水蒸気濃度の測定は、炉内の雰囲気ガスをポンプ等
により吸引し露点計にて露点を測定する、または、吸湿
管を炉内に設置するなどの方法で測定すればよく、実際
の管理に当っては、濃度を雰囲気単位体積当りの水蒸気
含有体積％の表示に換算できる、雰囲気の露点（℃）で
表示してもよい。
〜５０体積％としたのは、下限以下ではクラック防止効
果が充分でないからであり、また上限以上の水蒸気は、
クラック防止効果には充分であるが、８００℃〜１００
０℃の焼成温度を得るのに適切でないからである。ま
た、水蒸気濃度の測定は、炉内の雰囲気ガスをポンプ等
により吸引し露点計にて露点を測定する、または、吸湿
管を炉内に設置するなどの方法で測定すればよく、実際
の管理に当っては、濃度を雰囲気単位体積当りの水蒸気
含有体積％の表示に換算できる、雰囲気の露点（℃）で
表示してもよい。
【００２４】
【実施例】（実施例１）次に、本発明の実施例につい
て、下記表１にその試験条件および試験結果を示す。こ
の試験結果によれば、タルク含有量が３０％以上になる
高配合率の原料混合物を用い、隔壁厚さが４ミル以下、
特に２．５ミル以下でセル密度が１２００セル／インチ
2 以上の高密度薄壁ハニカム体のように、最もクラック
が発生しやすいセラミックハニカム体を焼成するに際し
ても、タルクの脱水反応段階である８００℃〜１０００
℃の範囲で水蒸気濃度を表１に示すように制御すること
により昇温速度を１０℃／ｈｒから４０℃〜８０℃／ｈ
ｒに速度アップしても、クラック発生率は平均０％〜５
％程度であって、本発明の範囲外の通常の大気を導入し
た比較例の場合の８０％〜１００％に対して、極めて優
秀な結果が得られたことが分る。
て、下記表１にその試験条件および試験結果を示す。こ
の試験結果によれば、タルク含有量が３０％以上になる
高配合率の原料混合物を用い、隔壁厚さが４ミル以下、
特に２．５ミル以下でセル密度が１２００セル／インチ
2 以上の高密度薄壁ハニカム体のように、最もクラック
が発生しやすいセラミックハニカム体を焼成するに際し
ても、タルクの脱水反応段階である８００℃〜１０００
℃の範囲で水蒸気濃度を表１に示すように制御すること
により昇温速度を１０℃／ｈｒから４０℃〜８０℃／ｈ
ｒに速度アップしても、クラック発生率は平均０％〜５
％程度であって、本発明の範囲外の通常の大気を導入し
た比較例の場合の８０％〜１００％に対して、極めて優
秀な結果が得られたことが分る。
【００２５】
【表１】
【００２６】なお、この試験のための試験体は、表１に
示す原料配合％の混合物から、ハニカム隔膜厚２．５ミ
ル、セル密度１２００セル／インチ2で、直径１１０ｍ
ｍ、高さ１５０ｍｍ、かさ密度１．４×１０6ｍｍ3の成
形体として押出し成形した。焼成試験には、ＬＮＧガス
を燃料とした実用のシャトルキルン及び電気炉を用い、
試験体ｎ＝１０本についてそれぞれ表１に示した温度域
を所定の昇温速度で焼成した。クラック発生の有無は、
外観の目視検査によった。
示す原料配合％の混合物から、ハニカム隔膜厚２．５ミ
ル、セル密度１２００セル／インチ2で、直径１１０ｍ
ｍ、高さ１５０ｍｍ、かさ密度１．４×１０6ｍｍ3の成
形体として押出し成形した。焼成試験には、ＬＮＧガス
を燃料とした実用のシャトルキルン及び電気炉を用い、
試験体ｎ＝１０本についてそれぞれ表１に示した温度域
を所定の昇温速度で焼成した。クラック発生の有無は、
外観の目視検査によった。
【００２７】
【発明の効果】本発明のセラミックハニカム体の焼成方
法は、以上説明したように構成されているので、最もク
ラックが発生しやすい、隔壁厚さが２．５ミル以下、セ
ル密度が１２００セル／インチ2 以上の高密度薄壁ハニ
カム体を、クラックの発生を抑制して生産性を低下させ
ることなく、量産できるという優れた効果がある。よっ
て本発明は、従来の問題点を解消したセラミックハニカ
ム体の焼成方法として、工業的価値はきわめて大なるも
のがある。
法は、以上説明したように構成されているので、最もク
ラックが発生しやすい、隔壁厚さが２．５ミル以下、セ
ル密度が１２００セル／インチ2 以上の高密度薄壁ハニ
カム体を、クラックの発生を抑制して生産性を低下させ
ることなく、量産できるという優れた効果がある。よっ
て本発明は、従来の問題点を解消したセラミックハニカ
ム体の焼成方法として、工業的価値はきわめて大なるも
のがある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三輪 雅良 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA36 AA37 CA10 GA21 GA25 HA05 HA08
Claims (4)
- 【請求項１】タルクを含む原料混合物から形成されたセ
ラミックハニカム体の焼成方法であって、前記タルクの
脱水反応段階において、該セラミックハニカム体を水蒸
気濃度が１０体積％以上の雰囲気下で加熱することを特
徴とするセラミックハニカム体の焼成方法。 - 【請求項２】前記水蒸気濃度が１０〜５０体積％である
請求項１に記載のセラミックハニカム体の焼成方法。 - 【請求項３】前記タルクの脱水反応段階において、昇温
速度を最大８０℃／Ｈｒまでに設定した請求項１または
２に記載のセラミックハニカム体の焼成方法。 - 【請求項４】焼成対象であるセラミックハニカム体が、
隔壁厚さが２．５ミル以下、セル密度が１２００セル／
インチ2 以上の薄壁ハニカムである請求項１または２ま
たは３に記載のセラミックハニカム体の焼成方法。
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