JP2002282764A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回転基台または雰囲気遮断板から飛散した処
理液を効率良く回収してその跳ね返りを防止することが
できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗは、チャックピン１４を介してス
ピンベース１０上に水平姿勢にて保持されている。スピ
ンベース１０の上方には雰囲気遮断板３０が設けられて
いる。雰囲気遮断板３０を基板Ｗに近接させて基板Ｗを
回転させつつ、その下面から処理液や窒素ガス等を供給
して洗浄や乾燥等の処理を行う。基板Ｗから飛散した処
理液はスプラッシュガード５０の回収ポート５７によっ
て回収される。一方、スピンベース１０上を流れる薬液
は案内部６０から飛散する。案内部６０は、スピンベー
ス１０の上面１０ａと面一となる面６２を有するととも
に、回収ポート５７に対向する尖鋭形状の尖端部６１を
備えているため、スピンベース１０から飛散する薬液が
正確に回収ポート５７に向かう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を水
平面内にて回転させつつ薬液等の処理液を供給してエッ
チング処理等の所定の処理を行う基板処理装置、特に枚
葉式の基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりこの種の枚葉式の基板処理装置
として表裏面洗浄装置やベベルエッチング装置が使用さ
れている。表裏面洗浄装置は、基板を水平面内にて回転
させつつその表面および裏面の両側から所定の薬液や純
水（以下、薬液および純水を総称して「処理液」とす
る）を供給して基板の表裏面を洗浄する装置である。一
方、ベベルエッチング装置は、基板を水平面内にて回転
させつつ裏面側から所定の処理液を供給し、その処理液
の一部を基板表面の周縁部に回り込ませて該周縁部のエ
ッチング処理を行う装置である。

【０００３】図６は、従来の枚葉式の基板処理装置の要
部を示す図である。この基板処理装置は、基板Ｗの下面
側から処理液を供給して基板表面の周縁部をエッチング
するベベルエッチング装置である。

【０００４】スピンベース１００の上面には、複数のチ
ャックピン１０１が立設されている。複数のチャックピ
ン１０１のそれぞれが基板Ｗの周縁部を把持することに
よって、その基板Ｗをスピンベース１００から所定間隔
を隔てた水平姿勢にて保持する。基板Ｗは、その表面を
上面側に向け、裏面を下面側に向けた状態にて保持され
る。

【０００５】スピンベース１００の中心部下面側には回
転軸１１０が垂設されている。回転軸１１０の内側は中
空となっており、その中空部分に処理液ノズル１１２が
挿設されている。回転軸１１０は、図外の回転駆動機構
によって回転自在とされている。回転軸１１０が回転さ
れることにより、スピンベース１００およびそれに保持
された基板Ｗも水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心
として回転される。

【０００６】処理液ノズル１１２は、図外の薬液供給源
および純水供給源とバルブを介して連結されている。そ
のバルブを開放することによって、処理液ノズル１１２
から基板Ｗの下面にフッ酸等の薬液または純水を吐出す
ることができる。一方、回転軸１１０の内壁と処理液ノ
ズル１１２との間の隙間は不活性ガス供給源とバルブを
介して接続されている。そのバルブを開放することによ
って、回転軸１１０から基板Ｗの下面に不活性ガスとし
ての窒素ガス（Ｎ₂）を供給することができる。

【０００７】スピンベース１００の上方には雰囲気遮断
板１２０が設けられている。雰囲気遮断板１２０は、ス
ピンベース１００に対向して設けられた円盤形状の部材
である。雰囲気遮断板１２０の中心部上面側には回転軸
１２１が垂設されている。回転軸１２１の内側は中空と
なっており、その中空部分に処理液ノズル１２２が挿設
されている。回転軸１２１は図外の回転駆動機構によっ
て回転自在とされている。回転軸１２１が回転されるこ
とにより、雰囲気遮断板１２０は基板Ｗと平行かつ同軸
に、しかもほぼ同じ回転数にて回転される。

【０００８】処理液ノズル１２２は薬液供給源および純
水供給源とバルブを介して連結されている。そのバルブ
を開放することによって、処理液ノズル１２２から基板
Ｗの上面にフッ酸等の薬液または純水を吐出することが
できる。一方、回転軸１２１の内壁と処理液ノズル１２
２との間の隙間は不活性ガス供給源とバルブを介して接
続されている。そのバルブを開放することによって、回
転軸１２１から基板Ｗの上面に不活性ガスとして窒素ガ
スを供給することができる。

【０００９】また、スピンベース１００およびそれに保
持された基板Ｗの周囲を取り囲むようにカップが配置さ
れている。カップには、回転する基板Ｗ等から飛散した
処理液を回収するための回収ポート１３０が設けられて
いる。なお、カップには回収する処理液の種類に応じて
複数の回収ポートが設けられており、カップを昇降させ
ることによってスピンベース１００の周囲に位置する回
収ポートを切り換えるのであるが、図６では図示の便宜
上１つの回収ポート１３０のみを図示している。回収ポ
ート１３０から回収された処理液は図外の排液口へと案
内され排出される。

【００１０】この基板処理装置における基板Ｗの処理手
順としては、まず、図示を省略する搬送ロボットによっ
て未処理の基板Ｗがスピンベース１００に渡され、チャ
ックピン１０１によって周縁部が把持されることにより
水平姿勢にて当該基板Ｗが保持される。次に、雰囲気遮
断板１２０がスピンベース１００に近接して基板Ｗの上
方を覆うとともに、回収ポート１３０がスピンベース１
００および雰囲気遮断板１２０の周囲を囲むようにカッ
プが昇降する。

【００１１】その後、スピンベース１００および雰囲気
遮断板１２０が回転される。スピンベース１００が回転
されることによって、それに保持された基板Ｗも当然に
回転される。そして、この状態において、処理液ノズル
１１２から基板Ｗの下面にフッ酸等の薬液が吐出され
る。吐出された薬液は遠心力によって基板Ｗの裏面全体
に拡がり、その一部は基板Ｗ表面の周縁部にまで回り込
む。この回り込んだ薬液によって基板Ｗ表面の周縁部の
エッチング処理が進行する。

【００１２】所定時間のエッチング処理が終了した後、
処理液ノズル１１２および処理液ノズル１２２から純水
が吐出される。吐出された純水は基板Ｗの回転の遠心力
によって基板Ｗの表裏全面に拡がり、純水による洗浄処
理（リンス処理）が行われる。

【００１３】所定時間のリンス処理が終了した後、処理
液ノズル１１２および処理液ノズル１２２からの処理液
吐出を停止する一方で基板Ｗをそのまま回転させ続け、
基板Ｗに付着した水滴を遠心力によって振り切る（スピ
ンドライ処理）。そしてこのときに、回転軸１１０から
基板Ｗの下面に窒素ガスが吹き付けられるとともに、回
転軸１２１から基板Ｗの上面に窒素ガスが吹き付けられ
る。窒素ガスが供給されることによって基板Ｗの周辺が
低酸素濃度雰囲気となり、この低酸素濃度雰囲気下にて
基板Ｗのスピンドライ処理を行うことにより、ウォータ
ーマーク（水と酸素と基板のシリコンとが反応して発生
する乾燥不良）の発生を抑制しているのである。

【００１４】このベベルエッチングを行う枚葉式の基板
処理装置において、雰囲気遮断板１２０を備えているの
は、基板Ｗの周辺を効率良く窒素ガス雰囲気として乾燥
時間を短縮するとともに、ウォーターマークの発生を抑
制し、さらにはスピンドライ時にカップ等から跳ね返っ
た汚染物質が基板Ｗの表面に付着するのを防止する目的
である。

【００１５】なお、以上はベベルエッチングを行う枚葉
式の基板処理装置についての概要説明であったが、表裏
面洗浄を行う枚葉式の基板処理装置についてもほぼ同様
のものとなる。表裏面洗浄処理装置の場合は、エッチン
グ処理時に処理液ノズル１１２から基板Ｗの下面に薬液
が吐出されるとともに、処理液ノズル１２２から基板Ｗ
の上面にも薬液が吐出される。すなわち、基板Ｗの上下
両側から薬液が吐出されることとなり、吐出された薬液
は回転の遠心力によって基板Ｗの表裏全面に拡がり、薬
液による洗浄処理（エッチング処理）が進行する。エッ
チング処理以外の残余の点については上述したベベルエ
ッチング装置と概ね同じである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の枚葉
式の基板処理装置においては、回転する基板Ｗから遠心
力によって処理液が飛散することとなる。基板Ｗから飛
散した処理液は、図６中矢印ＡＲ６１にて示すように、
ほぼ水平方向に飛び出して回収ポート１３０によって受
け止められ、回収される。

【００１７】しかし、処理液ノズル１１２から吐出され
た処理液は、図６中矢印ＡＲ６２にて示すように、基板
Ｗとスピンベース１００との間を流れるため、その一部
はスピンベース１００から飛散することとなる。また、
表裏面洗浄処理装置の場合、処理液ノズル１２２から吐
出された処理液の一部も、図６中矢印ＡＲ６４にて示す
ように、基板Ｗからスピンベース１００に落下した後、
スピンベース１００から飛散することとなる。スピンベ
ース１００の周縁部は割れ防止のためにＲ加工や面取り
加工等がなされており、スピンベース１００から飛散す
る処理液は当該加工部分に誘導されつつ飛散することと
なるため、必ずしも水平方向には飛び出さない。

【００１８】また、特にベベルエッチングを行う基板処
理装置では、基板Ｗと雰囲気遮断板１２０との間隔が狭
いため、処理液の一部は雰囲気遮断板１２０に誘導され
つつ飛散することとなり、このような雰囲気遮断板１２
０から飛散する処理液も必ずしも水平方向には飛び出さ
ない。

【００１９】すなわち、スピンベース１００や雰囲気遮
断板１２０から飛散した処理液は、図６中矢印ＡＲ６３
にて示すように、広角度にて斜め上方や斜め下方に飛び
出すこととなる。このようにスピンベース１００や雰囲
気遮断板１２０から広角度にて処理液が飛散すると、飛
び出した処理液は回収ポート１３０に回収されずにカッ
プによって跳ね返され、その跳ね返された処理液が雰囲
気遮断板１２０と基板Ｗとの間から入り込んで基板Ｗの
表面に付着する。このように、跳ね返された処理液が基
板Ｗの表面に付着すると、それがパーティクル発生源に
なるという問題が生じるのである。特に、ベベルエッチ
ングを行う基板処理装置では、跳ね返った薬液が基板Ｗ
の表面に付着すると、その付着した部分が腐食されてデ
バイス不良の原因ともなる。

【００２０】また、処理液のうちフッ酸等の薬液は回収
して再利用する場合も多いが、スピンベース１００や雰
囲気遮断板１２０から広角度にて処理液が飛散すると、
矢印ＡＲ６３にて示すような斜め方向に飛散した処理液
は回収ポート１３０から回収することが出来ない。その
結果、回収ポート１３０からの処理液の回収率が低下し
て、処理コストが増大することとなる。

【００２１】スピンベース１００や雰囲気遮断板１２０
から広角度にて処理液が飛散したとしても、回収ポート
１３０を幅広くしてカップを大型化すれば、高い回収率
にて処理液を回収できるのであるが、これは基板処理装
置を大型化させることとなり、フットプリント（装置の
占有する平面面積）の増加やコスト上昇という問題が生
じる。特に、この種の基板処理装置は通常クリーンルー
ム内に設置されるものであり、雰囲気維持のために相応
の費用を要するクリーンルーム内においてフットプリン
トが増大することは大きな問題である。

【００２２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、回転基台および／または雰囲気遮断板から飛散
した処理液を効率良く回収してその跳ね返りを防止する
ことができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板を水平面内にて回転させつ
つ処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置にお
いて、基板を略水平姿勢にて保持する回転基台と、前記
回転基台に保持された基板を略鉛直方向に沿った軸を中
心として回転させる第１回転手段と、前記回転基台によ
って保持された基板の周囲を取り囲むように設けられ、
前記回転手段によって回転される基板から飛散する処理
液を受け止める受け止め部を有し、前記受け止め部によ
って受け止められた処理液を所定の排液口に導く飛散防
止手段と、前記回転基台よりも上方に配置され、前記回
転基台によって保持された基板の上面に対向する雰囲気
遮断板と、前記雰囲気遮断板を略鉛直方向に沿った軸を
中心として回転させる第２回転手段と、前記回転基台に
よって保持された基板に処理液を供給する処理液供給手
段と、を備え、前記処理液供給手段から供給された処理
液のうち前記回転基台および／または前記雰囲気遮断板
から飛散する処理液の飛散方向を前記受け止め部へと向
ける案内部を前記回転基台および／または前記雰囲気遮
断板の周縁部に設けている。

【００２４】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記案内部に、前記受
け止め部に対向する尖端部を備えている。

【００２５】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理装置において、前記案内部に、前記回
転基台の上面および／または前記雰囲気遮断板の下面と
面一の面を設けている。

【００２６】また、請求項４の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記案内部に、前記回
転基台および／または前記雰囲気遮断板の厚さよりも小
さな幅を有して前記受け止め部に対向する帯部を備える
とともに、前記回転基台の上面および／または前記雰囲
気遮断板の下面と面一の面を設けている。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００２８】＜１．第１実施形態＞図１は、本発明にか
かる基板処理装置の構成を示す縦断面図である。第１実
施形態の基板処理装置は、基板Ｗにベベルエッチングを
行う枚葉式の基板処理装置であって、主として基板Ｗを
保持するスピンベース１０と、スピンベース１０上に設
けられた複数のチャックピン１４と、スピンベース１０
を回転させる電動モータ２０と、スピンベース１０に対
向して設けられた雰囲気遮断板３０と、スピンベース１
０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むスプラッシュガ
ード５０と、スピンベース１０上に保持された基板Ｗに
処理液や不活性ガスを供給する機構と、雰囲気遮断板３
０およびスプラッシュガード５０を昇降させる機構とを
備えている。

【００２９】スピンベース１０は、その上に基板Ｗを略
水平姿勢にて保持している。スピンベース１０は中心部
に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそ
れぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャッ
クピン１４が立設されている。チャックピン１４は円形
の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあれば
良い。なお、図１では図示の便宜上、２個のチャックピ
ン１４のみを示している。

【００３０】チャックピン１４のそれぞれは、基板Ｗの
周縁部を下方から支持する基板支持部１４ａと基板支持
部１４ａに支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板
Ｗを保持する基板保持部１４ｂとを備えている。各チャ
ックピン１４は、基板保持部１４ｂが基板Ｗの外周端面
を押圧する押圧状態と、基板保持部１４ｂが基板Ｗの外
周端面から離れる開放状態との間で切り換え可能に構成
されている。複数のチャックピン１４の押圧状態と開放
状態との切り換えは、種々の公知の機構によって実現す
ることが可能であり、例えば特公平３−９６０７号公報
に開示されたリンク機構等を用いれば良い。

【００３１】スピンベース１０に基板Ｗを渡すときおよ
びスピンベース１０から基板Ｗを受け取るときには、チ
ャックピン１４を開放状態にする。一方、基板Ｗに対し
て後述の諸処理を行うときには、チャックピン１４を押
圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数のチ
ャックピン１４は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗ
をスピンベース１０から所定間隔を隔てた水平姿勢にて
保持する。基板Ｗは、その表面を上面側に向け、裏面を
下面側に向けた状態にて保持される。チャックピン１４
を押圧状態として基板Ｗを保持したときには、基板支持
部１４ａの上端部が基板Ｗの上面より突き出る。これは
処理時にチャックピン１４から基板Ｗが脱落しないよう
に、基板Ｗを確実に保持するためである。

【００３２】スピンベース１０の周縁部には、断面形状
が直角三角形の円環状の案内部６０が周設されている。
この案内部６０の形態や役割の詳細についてはさらに後
述する。

【００３３】スピンベース１０の中心部下面側には回転
軸１１が垂設されている。回転軸１１は中空の円筒状部
材であって、その内側の中空部分には下側処理液ノズル
１５が挿設されている。回転軸１１の下端付近には、ベ
ルト駆動機構２１を介して電動モータ２０が連動連結さ
れている。すなわち、回転軸１１の外周に固設された従
動プーリ２１ａと電動モータ２０の回転軸に連結された
主動プーリ２１ｂとの間にベルト２１ｃが巻き掛けられ
ている。電動モータ２０が駆動すると、その駆動力はベ
ルト駆動機構２１を介して回転軸１１に伝達され、回転
軸１１、スピンベース１０とともにそれに保持された基
板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として
回転される。

【００３４】下側処理液ノズル１５は回転軸１１を貫通
しており、その先端部１５ａはスピンベース１０に保持
された基板Ｗの中心部直下に位置する。また、下側処理
液ノズル１５の基端部は処理液配管１６に連通接続され
ている。処理液配管１６の基端部は二股に分岐されてい
て、一方の分岐配管１６ａには薬液供給源１７が連通接
続され、他方の分岐配管１６ｂには純水供給源１８が連
通接続されている。分岐配管１６ａ，１６ｂにはそれぞ
れバルブ１２ａ，１２ｂが設けられている。これらバル
ブ１２ａ，１２ｂの開閉を切り換えることによって、下
側処理液ノズル１５の先端部１５ａからスピンベース１
０に保持された基板Ｗの下面の中心部付近に薬液または
純水を選択的に切り換えて吐出・供給することができ
る。すなわち、バルブ１２ａを開放してバルブ１２ｂを
閉鎖することにより下側処理液ノズル１５から薬液を供
給することができ、バルブ１２ｂを開放してバルブ１２
ａを閉鎖することにより下側処理液ノズル１５から純水
を供給することができる。なお、第１実施形態の基板処
理装置においては、薬液としてフッ酸（ＨＦ）、塩酸
（ＨＣｌ）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水と水との混合
液）等を使用する。

【００３５】また、回転軸１１の中空部分の内壁および
スピンベース１０の開口部の内壁と下側処理液ノズル１
５の外壁との間の隙間は、気体供給路１９となってい
る。この気体供給路１９の先端部１９ａはスピンベース
１０に保持された基板Ｗの下面中心部に向けられてい
る。そして、気体供給路１９の基端部はガス配管２２に
連通接続されている。ガス配管２２は不活性ガス供給源
２３に連通接続され、ガス配管２２の経路途中にはバル
ブ１３が設けられている。バルブ１３を開放することに
よって、気体供給路１９の先端部１９ａからスピンベー
ス１０に保持された基板Ｗの下面の中心部に向けて不活
性ガスを供給することができる。なお、第１実施形態の
基板処理装置においては、不活性ガスとして窒素ガス
（Ｎ₂）を使用する。

【００３６】以上の回転軸１１、ベルト駆動機構２１、
電動モータ２０等は、ベース部材２４上に設けられた円
筒状のケーシング２５内に収容されている。

【００３７】ベース部材２４上のケーシング２５の周囲
には受け部材２６が固定的に取り付けられている。受け
部材２６には、円筒状の仕切り部材２７ａ，２７ｂ，２
７ｃが立設されている。ケーシング２５の外壁と仕切り
部材２７ａの内壁との間の空間が第１排液槽２８を形成
し、仕切り部材２７ａの外壁と仕切り部材２７ｂの内壁
との間の空間が第２排液槽２９を形成し、仕切り部材２
７ｂの外壁と仕切り部材２７ｃの内壁との間の空間が第
３排液槽３９を形成している。

【００３８】第１排液槽２８の底部には廃棄ドレイン２
８ｂに連通接続された排出口２８ａが設けられている。
第１排液槽２８の排出口２８ａからは使用済みの純水お
よび気体が廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。廃棄ド
レイン２８ｂに排出された純水および気体は気液分離さ
れた後、それぞれ所定の手順に従って廃棄される。

【００３９】第２排液槽２９の底部には排液ドレイン２
９ｂに連通接続された排液口２９ａが設けられている。
第２排液槽２９の排液口２９ａからは使用済みの薬液が
排液ドレイン２９ｂへと排出される。排液ドレイン２９
ｂに排出された薬液は図外の排液ラインへと排出され
る。

【００４０】第３排液槽３９の底部には回収ドレイン３
９ｂに連通接続された排液口３９ａが設けられている。
第３排液槽３９の排液口３９ａからは使用済みの薬液が
回収ドレイン３９ｂへと排出される。回収ドレイン３９
ｂに排出された薬液は図外の回収タンクによって回収さ
れ、その回収された薬液が回収タンクから薬液供給源１
７に供給されることにより、薬液が循環再利用されるよ
うになっている。

【００４１】受け部材２６の上方にはスプラッシュガー
ド５０が設けられている。スプラッシュガード５０は、
筒状の部材であって、スピンベース１０およびそれに保
持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置されてい
る。スプラッシュガード５０は、外側部５４と内側部５
５とによって構成されている。外側部５４と内側部５５
とは連結部材５６によって連結されており、この連結部
材５６には円周方向に沿って、排液案内流路を形成する
多数の開口が穿設されている。連結部材５６によって連
結される外側部５４と内側部５５との間の隙間が回収ポ
ート５７を形成しており、その径は上方へ向かうほど小
さくなる。また、スプラッシュガード５０の内側部５５
には断面”く”の字形状の第１受止部５１および断面円
弧形状の第２受止部５２が形成されるとともに、円環状
の溝５３ａ，５３ｂが刻設されている。

【００４２】スプラッシュガード５０は、リンク部材５
８を介してガード昇降機構５９と連結されており、ガー
ド昇降機構５９によって昇降自在とされている。ガード
昇降機構５９としては、ボールネジを用いた送りネジ機
構やエアシリンダを用いた機構等、公知の種々の機構を
採用することができる。

【００４３】ガード昇降機構５９がスプラッシュガード
５０を最も下方位置にまで下降させているときには、仕
切り部材２７ａ，２７ｂがそれぞれ溝５３ａ，５３ｂに
遊嵌するとともに、スピンベース１０およびそれに保持
された基板Ｗの周囲に回収ポート５７が位置する（図１
の状態）。この状態はエッチング処理時の状態であっ
て、薬液を回収再利用する場合であり、回転する基板Ｗ
等から飛散した薬液は回収ポート５７によって受け止め
られ、連結部材５６の開口を通過して第３排液槽３９に
流れ込み、排液口３９ａへと導かれた後、排液口３９ａ
から回収ドレイン３９ｂへと排出される。なお、このと
きの薬液の飛散形態についてはさらに後述する。

【００４４】また、ガード昇降機構５９がスプラッシュ
ガード５０を図１の状態から若干上昇させると、スピン
ベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第１
受止部５１が位置することとなる。この状態は、リンス
処理時の状態であり、回転する基板Ｗ等から飛散した純
水は第１受止部５１によって受け止められ、その傾斜に
沿って第１排液槽２８に流れ込み、排出口２８ａへと導
かれた後、排出口２８ａから廃棄ドレイン２８ｂへと排
出される。

【００４５】ガード昇降機構５９がスプラッシュガード
５０をさらに上昇させると、仕切り部材２７ａ，２７ｂ
がそれぞれ溝５３ａ，５３ｂから離間するとともに、ス
ピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に
第２受止部５２が位置することとなる。この状態はエッ
チング処理時の状態であって、薬液を廃棄する場合であ
り、回転する基板Ｗ等から飛散した薬液は第２受止部５
２によって受け止められ、その曲面に沿って第２排液槽
２９に流れ込み、排液口２９ａへと導かれた後、排液口
２９ａから排液ドレイン２９ｂへと排出される。

【００４６】スピンベース１０の上方には、スピンベー
ス１０によって保持された基板Ｗの上面に対向する雰囲
気遮断板３０が設けられている。雰囲気遮断板３０は、
基板Ｗの径よりも若干大きく、かつスプラッシュガード
５０の上部開口の径よりも小さい径を有する円盤状部材
である。雰囲気遮断板３０は、中心部に開口を有する。

【００４７】雰囲気遮断板３０の中心部上面側には回転
軸３５が垂設されている。回転軸３５は中空の円筒状部
材であって、その内側の中空部分には上側処理液ノズル
３６が挿設されている。回転軸３５は、支持アーム４０
にベアリングを介して回転自在に支持されているととも
に、ベルト駆動機構４１を介して電動モータ４２に連動
連結されている。すなわち、回転軸３５の外周に固設さ
れた従動プーリ４１ａと電動モータ４２の回転軸に連結
された主動プーリ４１ｂとの間にベルト４１ｃが巻き掛
けられている。電動モータ４２が駆動すると、その駆動
力はベルト駆動機構４１を介して回転軸３５に伝達さ
れ、回転軸３５および雰囲気遮断板３０が水平面内にて
鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。従っ
て、雰囲気遮断板３０は基板Ｗとほぼ平行かつ同軸に回
転されることとなる。また、雰囲気遮断板３０は基板Ｗ
とほぼ同じ回転数にて回転される。なお、ベルト駆動機
構４１、電動モータ４２等はいずれも支持アーム４０内
に収容されている。

【００４８】上側処理液ノズル３６は回転軸３５を貫通
しており、その先端部３６ａはスピンベース１０に保持
された基板Ｗの中心部直上に位置する。また、上側処理
液ノズル３６の基端部は処理液配管３７に連通接続され
ている。処理液配管３７の基端部は分岐されていて、一
方の分岐配管３７ａには薬液供給源１７が連通接続さ
れ、他方の分岐配管３７ｂには純水供給源１８が連通接
続されている。分岐配管３７ａ，３７ｂにはそれぞれバ
ルブ３８ａ，３８ｂが設けられている。これらバルブ３
８ａ，３８ｂの開閉を切り換えることによって、上側処
理液ノズル３６の先端部３６ａからチャックピン１４に
保持された基板Ｗの上面の中心部付近に薬液または純水
を選択的に切り換えて吐出・供給することができる。す
なわち、バルブ３８ａを開放してバルブ３８ｂを閉鎖す
ることにより上側処理液ノズル３６から薬液を供給する
ことができ、バルブ３８ｂを開放してバルブ３８ａを閉
鎖することにより上側処理液ノズル３６から純水を供給
することができる。

【００４９】また、回転軸３５の中空部分の内壁および
雰囲気遮断板３０の中心の開口の内壁と上側処理液ノズ
ル３６の外壁との間の隙間は、気体供給路４５となって
いる。この気体供給路４５の先端部４５ａはスピンベー
ス１０に保持された基板Ｗの上面中心部に向けられてい
る。そして、気体供給路４５の基端部はガス配管４６に
連通接続されている。ガス配管４６は不活性ガス供給源
２３に連通接続され、ガス配管４６の経路途中にはバル
ブ４７が設けられている。バルブ４７を開放することに
よって、気体供給路４５の先端部４５ａからスピンベー
ス１０に保持された基板Ｗの上面の中心部に向けて不活
性ガス（ここでは窒素ガス）を供給することができる。

【００５０】また、支持アーム４０は、アーム昇降機構
４９によって昇降自在とされている。アーム昇降機構４
９としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシ
リンダを用いた機構等、公知の種々の機構を採用するこ
とができる。アーム昇降機構４９は、支持アーム４０を
昇降させることによって、それに連結された回転軸３５
および雰囲気遮断板３０を昇降させる。より具体的に
は、アーム昇降機構４９は、スピンベース１０に保持さ
れた基板Ｗの上面に近接する位置と、基板Ｗの上面から
大きく上方に離間した位置との間で雰囲気遮断板３０を
昇降させる。雰囲気遮断板３０がスピンベース１０に保
持された基板Ｗの上面に近接すると、その基板Ｗの表面
全面を覆うこととなる。

【００５１】なお、第１実施形態においては、スピンベ
ース１０が回転基台に、電動モータ２０が第１回転手段
に、回収ポート５７等が受け止め部に、スプラッシュガ
ード５０が飛散防止手段に、電動モータ４２が第２回転
手段に、薬液供給源１７およびバルブ１２ａ，３８ａが
処理液供給手段にそれぞれ相当する。

【００５２】次に、以上のような構成を有する第１実施
形態の基板処理装置における基板Ｗの処理手順について
説明する。第１実施形態のベベルエッチングを行う枚葉
式基板処理装置における基本的な処理手順は、基板Ｗに
対して薬液によるエッチング処理を行った後、純水によ
って薬液を洗い流すリンス処理を行い、さらにその後基
板Ｗを高速で回転させることによって水滴を振り切るス
ピンドライ処理を行うというものである。

【００５３】まず、スプラッシュガード５０を若干下降
させることによって、スピンベース１０をスプラッシュ
ガード５０から突き出させるとともに、雰囲気遮断板３
０を大きく上昇させてスピンベース１０から大幅に離間
させる。この状態にて、図示を省略する搬送ロボットに
よって未処理の基板Ｗがスピンベース１０に渡される。
そして、チャックピン１４が渡された基板Ｗの周縁部を
把持することにより水平姿勢にて当該基板Ｗを保持す
る。

【００５４】次に、スプラッシュガード５０を上昇させ
てスピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周
囲に回収ポート５７を位置させるとともに、雰囲気遮断
板３０を下降させて基板Ｗに近接させる。但し、雰囲気
遮断板３０は基板Ｗに非接触とする。そして、スピンベ
ース１０とともにそれに保持された基板Ｗを回転させ
る。また、雰囲気遮断板３０も回転させる。この状態に
て、下側処理液ノズル１５から薬液を基板Ｗの下面のみ
に吐出する。下側処理液ノズル１５から吐出された薬液
は遠心力によって基板Ｗの裏面全体に拡がり、その一部
は基板Ｗ表面の周縁部にまで回り込む。この回り込んだ
薬液によって基板Ｗ表面の周縁部のエッチング処理（ベ
ベルエッチング）が進行する。なお、エッチング処理時
に、気体供給路１９および気体供給路４５から少量の窒
素ガスを吐出して気体供給路１９，４５への薬液の逆流
を防止するようにしても良い。

【００５５】エッチング処理時に、回転する基板Ｗから
飛散した薬液はスプラッシュガード５０の回収ポート５
７によって受け止められ、連結部材５６の開口を通過し
て第３排液槽３９に流れ込む。第３排液槽３９に流れ込
んだ薬液は、排液口３９ａから回収ドレイン３９ｂへと
排出され、回収される。

【００５６】このときに、下側処理液ノズル１５から吐
出された薬液は、基板Ｗとスピンベース１０との間を流
れるため、その一部は回転するスピンベース１０から飛
散することとなる。図２は、スピンベース１０の構成お
よび薬液が飛散する様子を説明するための図である。

【００５７】スピンベース１０の周縁部には、断面形状
が直角三角形の円環状の案内部６０が周設されている。
案内部６０の断面形状である直角三角形の直角を挟む二
辺のうちの一辺によって形成される面６２がスピンベー
ス１０の上面１０ａと面一とされている。また、案内部
６０の断面形状である直角三角形の鋭角の一つによって
形成される尖鋭形状の尖端部６１が回収ポート５７に対
向している。

【００５８】案内部６０の面６２とスピンベース１０の
上面１０ａとが面一であるため、図２中矢印ＡＲ２３に
て示すように、下側処理液ノズル１５から吐出された薬
液は基板Ｗとスピンベース１０との間を流れ、その一部
はスピンベース１０の上面１０ａから案内部６０の面６
２に沿って円滑に流れる。そして、案内部６０の面６２
上を流れた薬液は、図２中矢印ＡＲ２２にて示すよう
に、尖端部６１から回収ポート５７に向かって飛散す
る。すなわち、案内部６０は、面６２によって薬液の飛
散方向が安定してスピンベース１０の径方向（水平方
向）となるようにするとともに、尖端部６１によって薬
液の液だれを防止することにより、スピンベース１０か
ら飛散する薬液が正確に回収ポート５７に向かうように
しているのである。

【００５９】なお、下側処理液ノズル１５から吐出され
た薬液のうち基板Ｗから飛散する薬液は、図２中矢印Ａ
Ｒ２１にて示すように、回収ポート５７に向かって飛散
する。また、薬液を回収する必要のないときは、スプラ
ッシュガード５０を上昇させてスピンベース１０および
それに保持された基板Ｗの周囲に第２受止部５２を位置
させる。この場合であっても、スピンベース１０から飛
散する薬液は、案内部６０によって正確に第２受止部５
２に向かうこととなる。そして、第２受止部５２によっ
て受け止められた薬液は、第２排液槽２９に流れ込み、
第２排液槽２９に流れ込んだ薬液は、排液口２９ａから
排液ドレイン２９ｂへと排出される。

【００６０】所定時間のエッチング処理が終了した後、
下側処理液ノズル１５からの薬液吐出を停止するととも
に、スプラッシュガード５０を昇降させてスピンベース
１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第１受止部
５１を位置させる。なお、雰囲気遮断板３０は、基板Ｗ
に近接した状態を維持する。この状態にて、基板Ｗを回
転させつつ上側処理液ノズル３６および下側処理液ノズ
ル１５から純水を基板Ｗの上下両面に吐出する。吐出さ
れた純水は回転の遠心力によって基板Ｗの表裏全面に拡
がり、純水によって薬液を洗い流す洗浄処理（リンス処
理）が進行する。なお、リンス処理時においても気体供
給路１９および気体供給路４５から少量の窒素ガスを吐
出して気体供給路１９，４５への純水の逆流を防止する
ようにしても良い。

【００６１】リンス処理時に、回転する基板Ｗから飛散
した純水はスプラッシュガード５０の第１受止部５１に
よって受け止められ、その傾斜に沿って第１排液槽２８
に流れ込む。第１排液槽２８に流れ込んだ純水は、排出
口２８ａから廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。

【００６２】このときにも、供給された純水の一部は回
転するスピンベース１０から飛散することとなるが、そ
の飛散する純水は案内部６０によって正確に第１受止部
５１に向かうこととなる。

【００６３】所定時間のリンス処理が終了した後、上側
処理液ノズル３６および下側処理液ノズル１５からの純
水吐出を停止するとともに、スプラッシュガード５０を
若干下降させてスピンベース１０をスプラッシュガード
５０からわずかに突き出させる。なお、雰囲気遮断板３
０は、基板Ｗに近接した状態を維持する。この状態に
て、基板Ｗを回転させつつ気体供給路１９および気体供
給路４５から窒素ガスを吐出して基板Ｗの上下両面に吹
き付ける。吐出された窒素ガスは、スピンベース１０と
基板Ｗとの間および雰囲気遮断板３０と基板Ｗとの間を
流れ、基板Ｗの周辺を低酸素濃度雰囲気とする。窒素ガ
スが供給された低酸素濃度雰囲気下にて、基板Ｗに付着
している水滴が回転の遠心力によって振り切られること
により振り切り乾燥処理（スピンドライ処理）が進行す
る。

【００６４】所定時間のスピンドライ処理が終了する
と、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの
回転を停止する。また、雰囲気遮断板３０の回転も停止
するとともに、雰囲気遮断板３０を上昇させてスピンベ
ース１０から離間させる。この状態にて、図示を省略す
る搬送ロボットが処理済の基板Ｗをスピンベース１０か
ら取り出して搬出することにより一連の表裏面洗浄処理
が終了する。

【００６５】以上のように、第１実施形態の基板処理装
置においては、スピンベース１０の周縁部に断面形状が
直角三角形の円環状の案内部６０を周設することによ
り、回転するスピンベース１０から飛散する処理液が回
収ポート５７等に正確に向かうようにしている。回転す
るスピンベース１０から処理液を飛散させる力は遠心力
であり、処理液の飛散方向を決定する主たる因子は遠心
力の作用する方向である。すなわち、スピンベース１０
から飛散する処理液は基本的にはスピンベース１０の径
方向に向かうこととなる。

【００６６】ところが、スピンベース１０に接触する処
理液には遠心力の他に表面張力も作用することとなり、
処理液はスピンベース１０の形状に沿って流れようとす
る。このため、処理液の飛散方向はスピンベース１０の
形状による影響も受けることとなり、従来の装置のよう
にスピンベース１０にＲ加工等を施した場合においては
広角度にて処理液が飛散することとなっていたのであ
る。

【００６７】そこで、本発明の第１実施形態の基板処理
装置では、スピンベース１０の周縁部に断面形状が直角
三角形の円環状の案内部６０を周設することにより、案
内部６０の面６２とスピンベース１０の上面１０ａとが
面一となるようにするとともに、回収ポート５７等に対
向する尖鋭形状の尖端部６１を案内部６０に設けてい
る。これにより、スピンベース１０の上面１０ａから案
内部６０の面６２に沿って処理液が円滑に流れるととも
に、尖端部６１にて液だれが生じることなく、スピンベ
ース１０から処理液が回収ポート５７等に正確に飛散す
るようにしている。換言すれば、案内部６０は、スピン
ベース１０の回転の遠心力によって処理液に作用する基
本的な飛散方向（スピンベース１０の径方向）を阻害し
ないような形状効果をスピンベース１０に付与し、スピ
ンベース１０から飛散する処理液の飛散方向を回収ポー
ト５７等へと向けているのである。

【００６８】従って、スピンベース１０から飛散した処
理液はほとんど拡がることなく回収ポート５７等によっ
て受け止められることとなるため、飛散した処理液を効
率良く回収してその跳ね返りを防止することができる。
その結果、跳ね返された処理液が基板Ｗの表面に付着す
ることに起因するパーティクル発生やデバイス不良等の
問題が生じるおそれがなくなる。

【００６９】また、使用した薬液を回収する場合、スピ
ンベース１０およびそれに保持された基板Ｗから飛散し
た薬液の殆どが回収ポート５７によって受け止められ、
回収されるため、高い回収率にて薬液が回収されること
となる。

【００７０】さらに、スプラッシュガード５０の大きさ
は従来と同程度であっても処理液を効率良く回収してそ
の跳ね返りを防止することができるため、基板処理装置
のフットプリントの増大を抑制することができる。

【００７１】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装
置も基板Ｗにベベルエッチングを行う枚葉式の基板処理
装置であって、案内部６０の形態以外は第１実施形態と
全く同じである。また、基板Ｗの処理手順についても第
１実施形態と全く同じである。

【００７２】図３は、第２実施形態のスピンベース１０
の構成および薬液が飛散する様子を説明するための図で
ある。スピンベース１０の周縁部には、断面形状が直角
三角形の円環状の案内部６０が周設されている。案内部
６０の断面形状である直角三角形の鋭角の一つによって
形成される尖鋭形状の尖端部６１が回収ポート５７に対
向している。但し、第１実施形態とは異なり、案内部６
０が多少大きく、またスピンベース１０の上面１０ａと
面一となる面は有していない。

【００７３】下側処理液ノズル１５から吐出された薬液
は基板Ｗとスピンベース１０との間を流れ、その一部は
スピンベース１０の上面１０ａから案内部６０の面６２
へと流れる。そして、案内部６０の面６２上を流れた薬
液は、図３中矢印ＡＲ３１にて示すように、尖端部６１
から回収ポート５７に向かって飛散する。すなわち、案
内部６０は、尖端部６１によって薬液の液だれを防止す
ることにより、スピンベース１０から飛散する薬液が正
確に回収ポート５７に向かうようにしているのである。

【００７４】このようにしても、スピンベース１０から
飛散した処理液はほとんど拡がることなく回収ポート５
７に向かう。また、案内部６０が第１実施形態よりも多
少大きいため、基板Ｗから飛散して重力により案内部６
０の面６２上に落下した処理液も尖端部６１から回収ポ
ート５７に向かってほとんど拡がることなく飛散する。
もっとも、第２実施形態では、処理液が流れる案内部６
０の面６２が水平方向に対して傾斜しているため、飛散
方向の安定性は第１実施形態の方が若干良好である。

【００７５】第２実施形態においてもスピンベース１０
から飛散した処理液はほとんど拡がることなく回収ポー
ト５７等に向かうため、第１実施形態と同様に、飛散し
た処理液を効率良く回収してその跳ね返りを防止するこ
とができる。その結果、跳ね返された処理液が基板Ｗの
表面に付着することに起因するパーティクル発生やデバ
イス不良等の問題が生じるおそれがなくなる。

【００７６】また、使用した薬液を回収する場合、スピ
ンベース１０およびそれに保持された基板Ｗから飛散し
た薬液の殆どが回収ポート５７によって受け止められ、
回収されるため、高い回収率にて薬液が回収されること
となる。

【００７７】さらに、スプラッシュガード５０の大きさ
は従来と同程度であっても処理液を効率良く回収してそ
の跳ね返りを防止することができるため、基板処理装置
のフットプリントの増大を抑制することができる。

【００７８】＜３．第３実施形態＞次に、本発明の第３
実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装
置は、基板Ｗに表裏面洗浄処理を行う枚葉式の基板処理
装置である。図４は、第３実施形態のスピンベース１０
および雰囲気遮断板３０の構成並びに薬液が飛散する様
子を説明するための図である。

【００７９】第３実施形態の基板処理装置においては、
スピンベース１０の周縁部に断面形状が二等辺三角形の
円環状の案内部６０が周設されている。案内部６０の断
面形状である二等辺三角形の頂角によって形成される尖
鋭形状の尖端部６１が回収ポート５７に対向している。
但し、第１実施形態とは異なり、案内部６０がスピンベ
ース１０の上面１０ａと面一となる面は有していない。

【００８０】また、雰囲気遮断板３０の周縁部にも断面
形状が二等辺三角形の円環状の案内部７０が周設されて
いる。案内部７０の断面形状である二等辺三角形の頂角
によって形成される尖鋭形状の尖端部７１が回収ポート
５７に対向している。なお、第３実施形態の表裏面洗浄
処理を行う基板処理装置においては、チャックピン１４
の大きさがベベルエッチング装置よりも多少大きい。残
余の点に関しては、第３実施形態の基板処理装置は第１
実施形態と概ね同じである。

【００８１】第３実施形態の基板処理装置における基本
的な処理手順も、第１実施形態と同様、基板Ｗに対して
薬液によるエッチング処理を行った後、純水によって薬
液を洗い流すリンス処理を行い、さらにその後基板Ｗを
高速で回転させることによって水滴を振り切るスピンド
ライ処理を行うというものである。但し、第１実施形態
と異なり、第３実施形態の表裏面洗浄処理を行う枚葉式
の基板処理装置では、上側処理液ノズル３６および下側
処理液ノズル１５から薬液を基板Ｗの上下両面に吐出す
る。吐出された薬液は回転の遠心力によって基板Ｗの表
裏全面に拡がり、薬液による洗浄処理（エッチング処
理）が進行する。これ以外の点に関しては、第１実施形
態における基板Ｗの処理手順と同じであり、その説明を
省略する。

【００８２】第３実施形態の基板処理装置においては、
下側処理液ノズル１５から吐出された薬液は基板Ｗとス
ピンベース１０との間を流れ、その一部はスピンベース
１０の上面１０ａから案内部６０の面６２へと流れる。
そして、案内部６０の面６２上を流れた薬液は、図４中
矢印ＡＲ４１にて示すように、尖端部６１から回収ポー
ト５７に向かって飛散する。すなわち、案内部６０は、
尖端部６１によって薬液の液だれを防止することによ
り、スピンベース１０から飛散する薬液が正確に回収ポ
ート５７に向かうようにしているのである。

【００８３】一方、上側処理液ノズル３６から吐出され
た薬液は基板Ｗと雰囲気遮断板３０との間を流れ、その
一部は雰囲気遮断板３０の下面３０ａから案内部７０の
面７２へと導かれる。そして、案内部７０の面７２に沿
って流れた薬液は、図４中矢印ＡＲ４２にて示すよう
に、尖端部７１から回収ポート５７に向かって飛散す
る。すなわち、案内部７０は、尖端部７１によって薬液
の液だれを防止することにより、雰囲気遮断板３０から
飛散する薬液が正確に回収ポート５７に向かうようにし
ているのである。

【００８４】このようにすれば、第３実施形態において
は、スピンベース１０および雰囲気遮断板３０から飛散
した処理液がほとんど拡がることなく回収ポート５７等
に向かうため、第１実施形態と同様に、飛散した処理液
を効率良く回収してその跳ね返りを防止することができ
る。その結果、跳ね返された処理液が基板Ｗの表面に付
着することに起因するパーティクル発生やデバイス不良
等の問題が生じるおそれがなくなる。

【００８５】また、使用した薬液を回収する場合、雰囲
気遮断板３０、スピンベース１０およびそれに保持され
た基板Ｗから飛散した薬液の殆どが回収ポート５７によ
って受け止められ、回収されるため、高い回収率にて薬
液が回収されることとなる。

【００８６】さらに、スプラッシュガード５０の大きさ
は従来と同程度であっても処理液を効率良く回収してそ
の跳ね返りを防止することができるため、基板処理装置
のフットプリントの増大を抑制することができる。

【００８７】＜４．第４実施形態＞次に、本発明の第４
実施形態について説明する。図５は、第４実施形態のス
ピンベース１０および雰囲気遮断板３０の構成並びに薬
液が飛散する様子を説明するための図である。第４実施
形態の基板処理装置も基板Ｗにベベルエッチングを行う
枚葉式の基板処理装置であって、案内部６０の形態およ
び雰囲気遮断板３０に案内部７０を設けている点以外は
第１実施形態と全く同じである。また、基板Ｗの処理手
順についても第１実施形態と全く同じである。

【００８８】第４実施形態の基板処理装置においては、
スピンベース１０の周縁部に断面形状が台形の円環状の
案内部６０が周設されている。案内部６０の断面形状で
ある台形の一辺によって形成される面６２がスピンベー
ス１０の上面１０ａと面一とされている。また、案内部
６０の断面形状である台形の他の一辺によって形成さ
れ、スピンベース１０の厚さよりも小さな幅を有する帯
部６３が回収ポート５７に対向している。

【００８９】一方、雰囲気遮断板３０の周縁部にも断面
形状が台形の円環状の案内部７０が周設されている。案
内部７０の断面形状である台形の一辺によって形成され
る面７２が雰囲気遮断板３０の下面３０ａと面一とされ
ている。また、案内部７０の断面形状である台形の他の
一辺によって形成され、雰囲気遮断板３０の厚さよりも
小さな幅を有する帯部７３が回収ポート５７に対向して
いる。

【００９０】第４実施形態の基板処理装置においては、
案内部６０の面６２とスピンベース１０の上面１０ａと
が面一であるため、下側処理液ノズル１５から吐出され
た薬液は基板Ｗとスピンベース１０との間を流れ、その
一部はスピンベース１０の上面１０ａから案内部６０の
面６２に沿って円滑に流れる。そして、案内部６０の面
６２上を流れた薬液は、図５中矢印ＡＲ５１にて示すよ
うに、帯部６３から回収ポート５７に向かって飛散す
る。すなわち、案内部６０は、面６２によって薬液の飛
散方向が安定してスピンベース１０の径方向となるよう
にするとともに、スピンベース１０の厚さより幅の小さ
い帯部６３によって薬液の液だれを低減することによ
り、スピンベース１０から飛散する薬液が正確に回収ポ
ート５７に向かうようにしているのである。

【００９１】また、ベベルエッチングを行う基板処理装
置においては、下側処理液ノズル１５から吐出された薬
液の一部が基板Ｗの表面に回り込んで雰囲気遮断板３０
に接触する。そのような薬液は、案内部７０の面７２と
雰囲気遮断板３０の下面３０ａとが面一であるため、雰
囲気遮断板３０の下面３０ａから案内部７０の面７２に
沿って円滑に導かれる。そして、案内部７０の面７２に
沿って導かれた薬液は、図５中矢印ＡＲ５２にて示すよ
うに、帯部７３から回収ポート５７に向かって飛散す
る。すなわち、案内部７０は、面７２によって薬液の飛
散方向が安定して雰囲気遮断板３０の径方向となるよう
にするとともに、雰囲気遮断板３０の厚さより幅の小さ
い帯部７３によって薬液の液だれを低減することによ
り、雰囲気遮断板３０から飛散する薬液が正確に回収ポ
ート５７に向かうようにしているのである。

【００９２】このようにすれば、第４実施形態において
は、スピンベース１０および雰囲気遮断板３０から飛散
した処理液がほとんど拡がることなく回収ポート５７等
に向かうため、第１実施形態と同様に、飛散した処理液
を効率良く回収してその跳ね返りを防止することができ
る。その結果、跳ね返された処理液が基板Ｗの表面に付
着することに起因するパーティクル発生やデバイス不良
等の問題が生じるおそれがなくなる。

【００９３】また、使用した薬液を回収する場合、雰囲
気遮断板３０、スピンベース１０およびそれに保持され
た基板Ｗから飛散した薬液の殆どが回収ポート５７によ
って受け止められ、回収されるため、高い回収率にて薬
液が回収されることとなる。

【００９４】さらに、スプラッシュガード５０の大きさ
は従来と同程度であっても処理液を効率良く回収してそ
の跳ね返りを防止することができるため、基板処理装置
のフットプリントの増大を抑制することができる。

【００９５】＜５．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、案内部６０，７０の形態は上記
の各実施形態に示したものに限定されず、少なくともス
ピンベース１０または雰囲気遮断板３０から飛散する処
理液の飛散方向を回収ポート５７等の受け止め部に向か
わせるような形態であれば良い。具体的には、案内部６
０，７０は、回収ポート５７等の受け止め部に対向する
尖鋭形状の尖端部またはスピンベース１０若しくは雰囲
気遮断板３０の厚さよりも小さな幅を有して回収ポート
５７等の受け止め部に対向する帯部を備えていれば良
い。このようにすれば、処理液の液だれを防止または低
減することにより、飛散する処理液を正確に回収ポート
５７等の受け止め部に向かわせることができる。

【００９６】そして、案内部６０，７０がスピンベース
１０の上面１０ａまたは雰囲気遮断板３０の下面３０ａ
と面一となるような面を備えていればより好ましい。こ
のような面一となる面によって処理液の飛散方向を安定
させることができ、飛散する処理液をより正確に回収ポ
ート５７等の受け止め部に向かわせることができる。

【００９７】従って、例えば、第１実施形態において示
したような案内部６０を雰囲気遮断板３０の周縁部に周
設するようにしても良い。但し、この場合は、案内部６
０の面６２を雰囲気遮断板３０の下面３０ａと面一とな
るようにする。

【００９８】また、第３実施形態において、尖端部６
１，７１の断面形状の角度は９０°以上であっても良
い。もっとも、尖端部６１，７１の断面形状の角度を鋭
角にした方が液だれ防止効果が向上して、飛散する処理
液をより正確に回収ポート５７等の受け止め部に向かわ
せることができる。

【００９９】また、案内部６０（７０）は、少なくとも
スピンベース１０または雰囲気遮断板３０の一方の周縁
部に周設するようにすれば良い。

【０１００】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、処理液供給手段から供給された処理液のうち
回転基台および／または雰囲気遮断板から飛散する処理
液の飛散方向を飛散防止手段の受け止め部へと向ける案
内部を回転基台および／または雰囲気遮断板の周縁部に
設けるため、回転基台および／または雰囲気遮断板から
飛散した処理液を正確に受け止め部に向かわせることが
でき、そのような飛散した処理液を効率良く回収してそ
の跳ね返りを防止することができる。

【０１０１】また、請求項２の発明によれば、案内部が
受け止め部に対向する尖端部を備えるため、回転基台お
よび／または雰囲気遮断板から飛散した処理液をより正
確に受け止め部に向かわせることができ、請求項１の発
明による効果を確実に得ることができる。

【０１０２】また、請求項３の発明によれば、案内部が
回転基台の上面および／または雰囲気遮断板の下面と面
一の面を有するため、回転基台および／または雰囲気遮
断板から飛散した処理液をより正確に受け止め部に向か
わせることができ、請求項１の発明による効果を確実に
得ることができる。

【０１０３】また、請求項４の発明によれば、案内部が
回転基台および／または雰囲気遮断板の厚さよりも小さ
な幅を有して受け止め部に対向する帯部を備えるととも
に、回転基台の上面および／または雰囲気遮断板の下面
と面一の面を有するため、回転基台および／または雰囲
気遮断板から飛散した処理液をより正確に受け止め部に
向かわせることができ、請求項１の発明による効果を確
実に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる基板処理装置の構成を示す縦断
面図である。

【図２】スピンベースの構成および薬液が飛散する様子
を説明するための図である。

【図３】第２実施形態のスピンベースの構成および薬液
が飛散する様子を説明するための図である。

【図４】第３実施形態のスピンベースおよび雰囲気遮断
板の構成並びに薬液が飛散する様子を説明するための図
である。

【図５】第４実施形態のスピンベースおよび雰囲気遮断
板の構成並びに薬液が飛散する様子を説明するための図
である。

【図６】従来の枚葉式の基板処理装置の要部を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０ スピンベース １２ａ，３８ａ バルブ １５ 下側処理液ノズル １７ 薬液供給源 ２０，４２ 電動モータ ３０ 雰囲気遮断板 ３６ 上側処理液ノズル ５０ スプラッシュガード ５７ 回収ポート ６０，７０ 案内部 ６１，７１ 尖端部 ６３，７３ 帯部 Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朝来野 香 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 BB24 BB93 BB96 CC01 CC13 CD22 CD33 4F042 AA02 AA07 AA08 AA10 CC07 EB09 EB23

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を水平面内にて回転させつつ処理液
   を供給して所定の処理を行う基板処理装置であって、 基板を略水平姿勢にて保持する回転基台と、 前記回転基台に保持された基板を略鉛直方向に沿った軸
   を中心として回転させる第１回転手段と、 前記回転基台によって保持された基板の周囲を取り囲む
   ように設けられ、前記回転手段によって回転される基板
   から飛散する処理液を受け止める受け止め部を有し、前
   記受け止め部によって受け止められた処理液を所定の排
   液口に導く飛散防止手段と、 前記回転基台よりも上方に配置され、前記回転基台によ
   って保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、 前記雰囲気遮断板を略鉛直方向に沿った軸を中心として
   回転させる第２回転手段と、 前記回転基台によって保持された基板に処理液を供給す
   る処理液供給手段と、を備え、 前記処理液供給手段から供給された処理液のうち前記回
   転基台および／または前記雰囲気遮断板から飛散する処
   理液の飛散方向を前記受け止め部へと向ける案内部を前
   記回転基台および／または前記雰囲気遮断板の周縁部に
   設けることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記案内部は、前記受け止め部に対向する尖端部を備え
   ることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記案内部は、前記回転基台の上面および／または前記
   雰囲気遮断板の下面と面一の面を有することを特徴とす
   る基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記案内部は、前記回転基台および／または前記雰囲気
   遮断板の厚さよりも小さな幅を有して前記受け止め部に
   対向する帯部を備えるとともに、前記回転基台の上面お
   よび／または前記雰囲気遮断板の下面と面一の面を有す
   ることを特徴とする基板処理装置。