JP2002280544A - ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタInfo
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- JP2002280544A JP2002280544A JP2001081182A JP2001081182A JP2002280544A JP 2002280544 A JP2002280544 A JP 2002280544A JP 2001081182 A JP2001081182 A JP 2001081182A JP 2001081182 A JP2001081182 A JP 2001081182A JP 2002280544 A JP2002280544 A JP 2002280544A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに関
し、ベース層の材料として、アクセプタが充分に機能で
きるＧａＡｓＳｂを用い、しかも、余分なベース・エミ
ッタ間電圧Ｖbeを必要としないＨＢＴを実現しようとす
る。 【解決手段】 ＩｎＰ基板１１上に形成されたヘテロ接
合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中にＧ
ａＡｓＮＳｂからなるベース層１５が含まれてなること
を特徴とする。
し、ベース層の材料として、アクセプタが充分に機能で
きるＧａＡｓＳｂを用い、しかも、余分なベース・エミ
ッタ間電圧Ｖbeを必要としないＨＢＴを実現しようとす
る。 【解決手段】 ＩｎＰ基板１１上に形成されたヘテロ接
合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中にＧ
ａＡｓＮＳｂからなるベース層１５が含まれてなること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低電圧動作が可能
なヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ｈｅｔｅｒｏ
ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ：ＨＢＴ）に関する。
なヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ｈｅｔｅｒｏ
ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ：ＨＢＴ）に関する。
【０００２】現在、携帯電話が急速に普及しつつあり、
その一因は、携帯電話端末の低価格化と著しい小型化に
ある。
その一因は、携帯電話端末の低価格化と著しい小型化に
ある。
【０００３】そのような携帯電話端末に於ける出力段の
トランジスタとしては、ＧａＡｓ系ＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ
ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられて
きたのであるが、近年、単一電源で動作し、高効率で、
低歪み特性をもつＧａＡｓ系ＨＢＴが多用されるように
なってきた。
トランジスタとしては、ＧａＡｓ系ＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ
ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられて
きたのであるが、近年、単一電源で動作し、高効率で、
低歪み特性をもつＧａＡｓ系ＨＢＴが多用されるように
なってきた。
【０００４】携帯電話端末が小型化された理由を考える
と、多分に電池の高効率化と増幅段数の削減に負ってい
て、初期に用いられていた電池の出力電圧は７．２
〔Ｖ〕を必要としたが、その後、次第に低減され、現
在、３．６〔Ｖ〕になっている。
と、多分に電池の高効率化と増幅段数の削減に負ってい
て、初期に用いられていた電池の出力電圧は７．２
〔Ｖ〕を必要としたが、その後、次第に低減され、現
在、３．６〔Ｖ〕になっている。
【０００５】今後、電源電圧が更に低下した場合、低電
圧に於いて効率良く動作するトランジスタが必要であっ
て、ＨＢＴもその例に漏れないが、ＨＢＴに於いて、動
作電圧の下限を決定する最大の要素は、動作時に於ける
ベース・エミッタ間電圧Ｖbeである。
圧に於いて効率良く動作するトランジスタが必要であっ
て、ＨＢＴもその例に漏れないが、ＨＢＴに於いて、動
作電圧の下限を決定する最大の要素は、動作時に於ける
ベース・エミッタ間電圧Ｖbeである。
【０００６】通常、ｎｐｎ型ＨＢＴに於けるベース・エ
ミッタ間電圧Ｖbeは、主として、ベース層の価電子帯に
於ける最大ポテンシャル・エネルギとエミッタ層の伝導
帯に於ける最小ポテンシャル・エネルギとの差に依って
決定される。
ミッタ間電圧Ｖbeは、主として、ベース層の価電子帯に
於ける最大ポテンシャル・エネルギとエミッタ層の伝導
帯に於ける最小ポテンシャル・エネルギとの差に依って
決定される。
【０００７】従って、ベース層にエネルギ・バンド・ギ
ャップが小さい材料を使用すれば、ベース・エミッタ間
電圧Ｖbeを小さくすることができ、例えばＧａＡｓ基板
上に作製されるＨＢＴに於けるベース層はＧａＡｓ層で
あって、そのエネルギ・バンド・ギャップは１．４〔ｅ
Ｖ〕である。
ャップが小さい材料を使用すれば、ベース・エミッタ間
電圧Ｖbeを小さくすることができ、例えばＧａＡｓ基板
上に作製されるＨＢＴに於けるベース層はＧａＡｓ層で
あって、そのエネルギ・バンド・ギャップは１．４〔ｅ
Ｖ〕である。
【０００８】ＧａＡｓ基板をＩｎＰ基板に変えてＨＢＴ
を作製する場合、ベース層を構成する材料として、エネ
ルギ・バンド・ギャップが小さい、即ち、０．７５〔ｅ
Ｖ〕であるＩｎＧａＡｓやＧａＡｓＳｂを用いることが
できるので、低電圧化を大きく進展させることができ
る。
を作製する場合、ベース層を構成する材料として、エネ
ルギ・バンド・ギャップが小さい、即ち、０．７５〔ｅ
Ｖ〕であるＩｎＧａＡｓやＧａＡｓＳｂを用いることが
できるので、低電圧化を大きく進展させることができ
る。
【０００９】一般に、ＩｎＰ系ＨＢＴに於いては、ベー
ス層の材料としてＩｎＧａＡｓが用いられ、また、ベー
ス層に於けるアクセプタとしては、ＢｅやＺｎが用いら
れているのであるが、このようなＨＢＴに通電を続けた
場合、アクセプタが結晶中を移動し、ある時間が経過し
た後、ＨＢＴが故障に至る旨の信頼性上の問題を抱えて
いる。
ス層の材料としてＩｎＧａＡｓが用いられ、また、ベー
ス層に於けるアクセプタとしては、ＢｅやＺｎが用いら
れているのであるが、このようなＨＢＴに通電を続けた
場合、アクセプタが結晶中を移動し、ある時間が経過し
た後、ＨＢＴが故障に至る旨の信頼性上の問題を抱えて
いる。
【００１０】また、アクセプタとしてＣを用いた場合、
通電中にアクセプタが移動することは少なくなるが、別
な問題として、結晶成長時にＣが成長雰囲気ガスの水素
と結合し、電気的にアクセプタであるべきＣが不活性化
してしまい、デバイス特性の向上を期待することができ
ない現象が起こる。
通電中にアクセプタが移動することは少なくなるが、別
な問題として、結晶成長時にＣが成長雰囲気ガスの水素
と結合し、電気的にアクセプタであるべきＣが不活性化
してしまい、デバイス特性の向上を期待することができ
ない現象が起こる。
【００１１】そこで、ＩｎＧａＡｓの代わりにＧａＡｓ
Ｓｂをベース層の材料として用いることが検討されてい
て、その場合には、アクセプタとしてのＣは水素と結合
しても不活性化し難い性質がある。
Ｓｂをベース層の材料として用いることが検討されてい
て、その場合には、アクセプタとしてのＣは水素と結合
しても不活性化し難い性質がある。
【００１２】ところで、ベース層材料にＧａＡｓＳｂを
用いた場合、良いことばかりではなく、そのようなベー
ス層をもつＨＢＴを動作させるには、ベース・エミッタ
間電圧Ｖbeを高くしなければならない。
用いた場合、良いことばかりではなく、そのようなベー
ス層をもつＨＢＴを動作させるには、ベース・エミッタ
間電圧Ｖbeを高くしなければならない。
【００１３】図４はＧａＡｓＳｂベース層をもつＨＢＴ
を表すエネルギ・バンド・ダイヤグラムであり、図に於
いて、ＥV は価電子帯の上端、ＥC は伝導帯の下端、１
はＩｎＰコレクタ層、２はＧａＡｓ0.5 Ｓｂ0.5 ベース
層、３はＩｎＰエミッタ層をそれぞれ示している。
を表すエネルギ・バンド・ダイヤグラムであり、図に於
いて、ＥV は価電子帯の上端、ＥC は伝導帯の下端、１
はＩｎＰコレクタ層、２はＧａＡｓ0.5 Ｓｂ0.5 ベース
層、３はＩｎＰエミッタ層をそれぞれ示している。
【００１４】図示したＨＢＴのエネルギ・バンド・ダイ
ヤグラムに依れば、ＩｎＰエミッタ層３に比較し、Ｇａ
Ａｓ0.5 Ｓｂ0.5 ベース層２に於ける伝導帯下端は０．
１８〔ｅＶ〕高くなっていて、エミッタ層３から注入さ
れる電子に対する障壁として観測されるので、電子がこ
の障壁を乗り越える為には、ベース・エミッタ間電圧Ｖ
beを大きくしなければならない。
ヤグラムに依れば、ＩｎＰエミッタ層３に比較し、Ｇａ
Ａｓ0.5 Ｓｂ0.5 ベース層２に於ける伝導帯下端は０．
１８〔ｅＶ〕高くなっていて、エミッタ層３から注入さ
れる電子に対する障壁として観測されるので、電子がこ
の障壁を乗り越える為には、ベース・エミッタ間電圧Ｖ
beを大きくしなければならない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、ベース層
の材料として、アクセプタが充分に機能できるＧａＡｓ
Ｓｂを用い、しかも、余分なベース・エミッタ間電圧Ｖ
beを必要としないＨＢＴを実現しようとする。
の材料として、アクセプタが充分に機能できるＧａＡｓ
Ｓｂを用い、しかも、余分なベース・エミッタ間電圧Ｖ
beを必要としないＨＢＴを実現しようとする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明では、ＨＢＴのベ
ース層にＩｎＰに略格子整合するＧａＡｓＮＳｂを用い
ることが基本になっている。
ース層にＩｎＰに略格子整合するＧａＡｓＮＳｂを用い
ることが基本になっている。
【００１７】ＩｎＰに格子整合するＧａＡｓＳｂにＮ原
子を添加して漸増させた場合には、伝導帯下端は低くな
ってくるのであるが、Ｎ原子を添加すると格子定数が小
さくなるので、これを補償する為、Ｎ原子の約３倍の量
のＳｂ原子を加えると良い。
子を添加して漸増させた場合には、伝導帯下端は低くな
ってくるのであるが、Ｎ原子を添加すると格子定数が小
さくなるので、これを補償する為、Ｎ原子の約３倍の量
のＳｂ原子を加えると良い。
【００１８】Ｎ原子の量を１〔％〕とすれば、ＩｎＰ及
びＧａＡｓＮＳｂの伝導帯下端のエネルギは殆ど一致
し、その結果、エミッタ層から注入される電子は、ベー
ス層に於いて障壁を感ずることはなくなり、従って、Ｈ
ＢＴのベース・エミッタ間電圧Ｖbeを従来に比較して約
０．０５〔Ｖ〕低下させることができる。
びＧａＡｓＮＳｂの伝導帯下端のエネルギは殆ど一致
し、その結果、エミッタ層から注入される電子は、ベー
ス層に於いて障壁を感ずることはなくなり、従って、Ｈ
ＢＴのベース・エミッタ間電圧Ｖbeを従来に比較して約
０．０５〔Ｖ〕低下させることができる。
【００１９】因みに、ＧａＡｓ系基板を用いたＨＢＴの
ベース層にＧａＡｓＮＳｂを使用した発明がなされてい
るが（要すれば、「特許２００１−４４２１２号公
報」、を参照）、用いる基板材料の違いに起因し、ベー
ス層のエネルギ・バンド・ギャップは広くせざるを得
ず、ＩｎＰ系基板を用いた場合のように低電圧動作させ
ることはできない。
ベース層にＧａＡｓＮＳｂを使用した発明がなされてい
るが（要すれば、「特許２００１−４４２１２号公
報」、を参照）、用いる基板材料の違いに起因し、ベー
ス層のエネルギ・バンド・ギャップは広くせざるを得
ず、ＩｎＰ系基板を用いた場合のように低電圧動作させ
ることはできない。
【００２０】尚、本発明では、ＨＢＴの低電圧化に着目
し、その利点について記述しているが、ＩｎＰ基板上に
作製したＨＢＴは、ＧａＡｓ基板上に作製したＨＢＴに
比較し、より高い周波数帯で動作可能であることが知ら
れ、例えば携帯電話の周波数帯である１〔ＧＨｚ〕〜２
〔ＧＨｚ〕帯域よりも１桁高い周波数帯、即ち、ミリ波
帯で使用することができる出力トランジスタとして期待
されているので、この出力トランジスタのベース・エミ
ッタ間電圧Ｖbeを低減することで効率は大きく向上す
る。
し、その利点について記述しているが、ＩｎＰ基板上に
作製したＨＢＴは、ＧａＡｓ基板上に作製したＨＢＴに
比較し、より高い周波数帯で動作可能であることが知ら
れ、例えば携帯電話の周波数帯である１〔ＧＨｚ〕〜２
〔ＧＨｚ〕帯域よりも１桁高い周波数帯、即ち、ミリ波
帯で使用することができる出力トランジスタとして期待
されているので、この出力トランジスタのベース・エミ
ッタ間電圧Ｖbeを低減することで効率は大きく向上す
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態を説
明する為のＨＢＴを表す要部切断側面図であり、図に於
いて、１１はＩｎＰ基板、１２はｉ−ＩｎＰバッファ
層、１３はｎ−ＩｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、
１４はｉ−ＩｎＰコレクタ層、１５はｐ−ＧａＡｓＮＳ
ｂベース層、１６はｎ−ＩｎＰエミッタ層、１７はｎ−
ＩｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、１８はエミッタ
電極、１９はベース電極、２０はコレクタ電極をそれぞ
れ示している。
明する為のＨＢＴを表す要部切断側面図であり、図に於
いて、１１はＩｎＰ基板、１２はｉ−ＩｎＰバッファ
層、１３はｎ−ＩｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、
１４はｉ−ＩｎＰコレクタ層、１５はｐ−ＧａＡｓＮＳ
ｂベース層、１６はｎ−ＩｎＰエミッタ層、１７はｎ−
ＩｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、１８はエミッタ
電極、１９はベース電極、２０はコレクタ電極をそれぞ
れ示している。
【００２２】図２は図１について説明したＨＢＴのエネ
ルギ・バンド・ダイヤグラムであって、図１に於いて用
いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持
つものとする。
ルギ・バンド・ダイヤグラムであって、図１に於いて用
いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持
つものとする。
【００２３】図に依れば、ベース層１５の材料をＧａＡ
ｓＮＳｂにすることで、伝導帯の下端はＩｎＰエミッタ
層１６に於ける伝導帯の下端と略一致していることが看
取され、ＩｎＰエミッタ層１６から注入される電子に対
して電位障壁にならないことが認識されよう。尚、図４
について説明したとおり、ベース層２がＧａＡｓ0.5Ｓ
ｂ0.5 である場合には、ＩｎＰエミッタ層３の伝導帯下
端に比較して０．１８〔ｅＶ〕高くなっている。
ｓＮＳｂにすることで、伝導帯の下端はＩｎＰエミッタ
層１６に於ける伝導帯の下端と略一致していることが看
取され、ＩｎＰエミッタ層１６から注入される電子に対
して電位障壁にならないことが認識されよう。尚、図４
について説明したとおり、ベース層２がＧａＡｓ0.5Ｓ
ｂ0.5 である場合には、ＩｎＰエミッタ層３の伝導帯下
端に比較して０．１８〔ｅＶ〕高くなっている。
【００２４】図３はＩｎＰに略格子整合するＧａＡｓＮ
Ｓｂに於けるＳｂとＮとの組成比を変化させた場合の価
電子帯上端と伝導帯下端のポテンシャル・エネルギ変化
を説明する為の線図であり、横軸にはＳｂ及びＮの割合
〔％〕を、また、縦軸にはＩｎＰの価電子帯上端からの
ポテンシャル・エネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってあ
る。
Ｓｂに於けるＳｂとＮとの組成比を変化させた場合の価
電子帯上端と伝導帯下端のポテンシャル・エネルギ変化
を説明する為の線図であり、横軸にはＳｂ及びＮの割合
〔％〕を、また、縦軸にはＩｎＰの価電子帯上端からの
ポテンシャル・エネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってあ
る。
【００２５】通常、ＧａＡｓＳｂは、ＧａＡｓ0.5 Ｓｂ
0.5 の組成であれば、ＩｎＰと略格子整合するのである
が、Ｎを１〔％〕加えた場合には、格子不整合を補償す
る為にＳｂを３〔％〕加えなくてはならない為、結果と
してＳｂの組成は５３〔％〕になる。
0.5 の組成であれば、ＩｎＰと略格子整合するのである
が、Ｎを１〔％〕加えた場合には、格子不整合を補償す
る為にＳｂを３〔％〕加えなくてはならない為、結果と
してＳｂの組成は５３〔％〕になる。
【００２６】このようにすると、ＧａＡｓＮＳｂの伝導
帯下端はＩｎＰの伝導帯下端と略一致し、このＨＢＴに
於けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムは図２に示した
とおりになり、その結果、従来例に於けるＧａＡｓ0.5
Ｓｂ0.5 からなるベース層２の場合はベース・エミッタ
間電圧Ｖbeが０．４〔Ｖ〕であったのに対して、本発明
に於けるＧａＡｓ0.5 Ｎ0.01Ｓｂ0.53からなるベース層
１５の場合はベース・エミッタ間電圧Ｖbeが０．３５
〔Ｖ〕まで低下する。
帯下端はＩｎＰの伝導帯下端と略一致し、このＨＢＴに
於けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムは図２に示した
とおりになり、その結果、従来例に於けるＧａＡｓ0.5
Ｓｂ0.5 からなるベース層２の場合はベース・エミッタ
間電圧Ｖbeが０．４〔Ｖ〕であったのに対して、本発明
に於けるＧａＡｓ0.5 Ｎ0.01Ｓｂ0.53からなるベース層
１５の場合はベース・エミッタ間電圧Ｖbeが０．３５
〔Ｖ〕まで低下する。
【００２７】
【発明の効果】本発明に依るヘテロ接合バイポーラ・ト
ランジスタに於いては、ＩｎＰ基板上に形成されたヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中
にＧａＡｓＮＳｂからなるベース層が含まれてなること
を基本としている。
ランジスタに於いては、ＩｎＰ基板上に形成されたヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中
にＧａＡｓＮＳｂからなるベース層が含まれてなること
を基本としている。
【００２８】前記構成を採ることに依り、ベース層の伝
導帯下端はエミッタ層の伝導帯下端と略一致し、その結
果、エミッタ層から注入される電子に対してベース層が
電位障壁として作用することは殆どなく、従って、この
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを動作させる場合
のベース・エミッタ間電圧Ｖbeは従来のヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタに比較して充分に低くすることが
できるので、低電圧に於いて効率良く動作させることが
できる。
導帯下端はエミッタ層の伝導帯下端と略一致し、その結
果、エミッタ層から注入される電子に対してベース層が
電位障壁として作用することは殆どなく、従って、この
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを動作させる場合
のベース・エミッタ間電圧Ｖbeは従来のヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタに比較して充分に低くすることが
できるので、低電圧に於いて効率良く動作させることが
できる。
【図１】本発明の一実施の形態を説明する為のＨＢＴを
表す要部切断側面図である。
表す要部切断側面図である。
【図２】図１について説明したＨＢＴのエネルギ・バン
ド・ダイヤグラムである。
ド・ダイヤグラムである。
【図３】ＩｎＰに略格子整合するＧａＡｓＮＳｂに於け
るＳｂとＮとの組成比を変化させた場合の価電子帯上端
と伝導帯下端のポテンシャル・エネルギ変化を説明する
為の線図である。
るＳｂとＮとの組成比を変化させた場合の価電子帯上端
と伝導帯下端のポテンシャル・エネルギ変化を説明する
為の線図である。
【図４】ＧａＡｓＳｂベース層をもつＨＢＴを表すエネ
ルギ・バンド・ダイヤグラムである。
ルギ・バンド・ダイヤグラムである。
１１ ＩｎＰ基板 １２ ｉ−ＩｎＰバッファ層 １３ ｎ−ＩｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層 １４ ｉ−ＩｎＰコレクタ層 １５ ｐ−ＧａＡｓＮＳｂベース層 １６ ｎ−ＩｎＰエミッタ層 １７ ｎ−ＩｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層 １８ エミッタ電極 １９ ベース電極 ２０ コレクタ電極
Claims (3)
- 【請求項１】ＩｎＰ基板上に形成されたヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタを構成する半導体層中にＧａＡｓ
ＮＳｂからなるベース層が含まれてなることを特徴とす
るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。 - 【請求項２】ベース層を構成するＧａＡｓＮＳｂがＩｎ
Ｐに略格子整合する組成をもつことを特徴とする請求項
１記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。 - 【請求項３】ＧａＡｓＮＳｂからなるベース層にＣがド
ーピングされてなることを特徴とする請求項１或いは２
記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081182A JP4869487B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081182A JP4869487B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280544A true JP2002280544A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4869487B2 JP4869487B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=18937331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001081182A Expired - Fee Related JP4869487B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4869487B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03289135A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2001003194A1 (fr) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Picogiga | Transistor iii-v a heterojonction, notamment transistor a effet de champ hemt ou transistor bipolaire a heterojonction |
| JP2001044212A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Fujitsu Ltd | ヘテロ・バイポーラ半導体装置 |
-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001081182A patent/JP4869487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03289135A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2001003194A1 (fr) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Picogiga | Transistor iii-v a heterojonction, notamment transistor a effet de champ hemt ou transistor bipolaire a heterojonction |
| JP2003504851A (ja) * | 1999-07-01 | 2003-02-04 | ピコジガ | ヘテロ接合ｉｉｉ−ｖ族トランジスタ、特にｈｅｍｔ電界効果トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
| JP2001044212A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Fujitsu Ltd | ヘテロ・バイポーラ半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4869487B2 (ja) | 2012-02-08 |
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