JP2002279830A - 異方導電性フィルム - Google Patents

異方導電性フィルム

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板の劣化が生じることのない低温の熱
圧着作業によって、電子部品および回路基板に強固に接
着して良好な導通状態を形成し得る異方導電性フィルム
を提供する。 【解決手段】 フィルム基板１Ａ中に複数の導通路２が
該フィルム基板の厚み方向に貫通し、各導通路の両端部
２ａ、２ｂがフィルム基板の表裏面に露出した構成の異
方導電性フィルムにおいて、フィルム基板１Ａを下記式
（Ｉ）で表される構造を有するポリカルボジイミド共重
合体を主体に構成する。 【化１】 （式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３０の整数、ｘ
は１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ1はアルキレ
ン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、Ｒ3は芳香族
物モノイオシアナート残基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異方導電性フィルム
に関し、詳しくは、フィルム基板材料にポリカルボジイ
ミド共重合体を用いた異方導電性フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、異方導電性フィルムは、半導体素
子（ＩＣチップ）等の電子部品と回路基板間を電気的に
接続するためのコネクタ部材として広く使用されるよう
になってきている。
【０００３】異方導電性フィルムとしては、従来から、
絶縁性フィルム中に導電性微粒子を分散させて形成した
ものが知られている。しかし、この異方導電性フィルム
は、構造上、ファインピッチ化した接続対象物との接続
が難しいという問題や、接続対象物の端子、例えば、半
導体素子の電極等を凸状（バンプ状）にしなければなら
ないという問題がある。そこで、かかる問題を解消でき
るもの、すなわち、ファインピッチかつバンプレス化に
対応し得る異方導電性フィルムとして、国際公開公報Ｗ
Ｏ９８／０７２１６に絶縁性フィルム基板中に複数の導
通路を互いに絶縁してフィルム基板の厚み方向に貫通さ
せた異方導電性フィルムが提案されている。
【０００４】ところで、異方導電性フィルムは大きく分
けて次の二つの用途で使用されている。一つは、異方導
電性フィルムを半導体素子等の電子部品と回路基板間に
介在させて両者に熱圧着して、電子部品と回路基板を電
気的かつ機械的に接続する、所謂、実装用コネクタとし
ての用途である。もう一つは、半導体素子等の電子部品
の機能検査において、異方導電性フィルムを電子部品と
回路基板間に挿入して両者に圧接し、電子部品と回路基
板を検査可能に導通させる、所謂、検査用コネクタとし
ての用途である。
【０００５】なお、異方導電性フィルムを検査用コネク
タとして使用するのは、電子部品の機能検査を、電子部
品を回路基板に実装した後に行っていたのでは、電子部
品が不良であった場合に、良品である回路基板も共に処
分されることとなり、回路基板の歩留まりが低下し、金
額的な損失も大きくなってしまうためである。
【０００６】ところで、半導体素子等の電子部品を異方
導電性フィルムを用いて回路基板に実装する場合、電子
部品と回路基板間に良好な導通状態を形成するには、異
方導電性フィルムのフィルム基板が十分に軟化または溶
融して電子部品および回路基板に強固に接着する必要が
ある。近年、実装用コネクタに用いる異方導電性フィル
ムとして、フィルム基板にポリカルボジイミド樹脂を用
いたものが多く使用されるようになってきている。これ
は、ポリカルボジイミド樹脂が低吸湿性であり、これを
フィルム基板に用いた異方導電性フィルムは高耐湿信頼
性に優れ、しかも、常温保存も可能である等の理由によ
る。しかし、フィルム基板をポリカルボジイミド樹脂で
形成した異方導電性フィルムの場合、フィルム基板（ポ
リカルボジイミド樹脂）を十分に軟化乃至溶融させるに
は、２５０℃以上の温度で熱圧着を行う必要がある。し
かし、当該異方導電性フィルムを２５０℃以上の温度で
熱圧着して得られた半導体装置（回路基板上に半導体素
子を実装した完成品）の性状をよく調べたところ、回路
基板のベース基板（樹脂基板）が劣化して変色し、半導
体装置のマザーボードへの接続不良を発生させることが
分かった。
【０００７】一方、半導体素子等の電子部品の機能検査
では、電子部品が実際の動作時に発熱するので、その発
熱した状態での機能を診るべく、１５０℃以上の高温度
下で機能検査（バーンインテスト）を行う場合がある。
しかし、従来の異方導電性フィルムの殆どのものは、１
５０℃以上の高温に耐え得る耐熱性を有しておらず、そ
のために、フィルム基板が軟化または溶融してその一部
が回路基板（検査用治具）に付着して、検査作業を連続
的に行えなくなる場合がある。すなわち、検査用治具と
して回路基板を繰り返し使用できなくなる。
【０００８】耐熱性の良好な異方導電性フィルムとし
て、例えば、フィルム基板をシリコーンゴムで形成した
ものがあるが、フィルム基板にシリコーンゴムを用いた
異方導電性フィルムでは、１５０℃以上の温度下での検
査において、フィルム基板からシリコンガスが発生し
て、電子部品や回路基板を汚染して検査中に導通が取れ
なくなったり、また、Ｓｉ成分が電子部品（半導体素
子）や回路基板に付着して誤動作を生じる場合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な事情に鑑み、回路基板の劣化が生じることのない低温
の熱圧着（ボンディング）作業で、電子部品と回路基板
間を良好な導通状態に接続することができる異方導電性
フィルムを提供することを第１の目的としている。ま
た、半導体素子等の電子部品の１５０℃以上の温度下で
の機能検査において、フィルム基板が電子部品や回路基
板に粘着することがなく、比較的低圧（低荷重）の加圧
によって電子部品と回路基板間を検査可能に導通させる
ことができ、しかも、アウトガスを発生することもない
異方導電性フィルムを提供することを第２の目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明者らは鋭意研究した結果、ポリカルボジイミド分
子中にポリアルキレンカーボネートの単位を導入したポ
リカルボジイミド共重合体は、ポリカルボジイミド樹脂
が有する優れた低吸湿性を損なうことなく、比較的低温
度で軟化乃至溶融し得るものとなり、これをフィルム基
板に用いた異方導電性フィルムは比較的低温で電子部品
と回路基板に熱圧着できること、さらに当該共重合体の
熱硬化物は１５０℃以上の温度に耐え得る耐熱性を有し
ながらも比較的柔軟で、これをフィルム基板に用いた異
方導電性フィルムは、比較的低圧（低荷重）の加圧で電
子部品と回路基板に圧接するだけでこれら両者間を検査
可能に導通させ得ることを見出し、本発明を完成させ
た。すなわち、本発明は以下の特徴からなる。
【００１１】（１）絶縁性樹脂からなるフィルム基板中
に複数の導通路が互いに絶縁されて該フィルム基板の厚
み方向に貫通してなる異方導電性フィルムであって、前
記フィルム基板が下記式（Ｉ）で表される構造を有する
ポリカルボジイミド共重合体を主体に構成されてなるこ
とを特徴とする異方導電性フィルム。
【００１２】
【化３】
【００１３】（式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３
０の整数、ｘは１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ
1はアルキレン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、
Ｒ3は芳香族物モノイソシアネート残基を表す。） （２）前記ポリカルボジイミド共重合体のガラス転移温
度が５０〜１５０℃である上記（１）記載の異方導電性
フィルム。 （３）式（Ｉ）中のＲ1で表されるアルキレン基がヘキ
サメチレン基であり、Ｒ2で表される芳香族ジイソシア
ネート残基がトリレンジイソシアネート残基であり、Ｒ
3で表される芳香族モノイソシアネート残基がｐ−イソ
プロピルフェニルイソシアネート残基である上記（１）
記載の異方導電性フィルム。 （４）当該異方導電性フィルムは、電子部品と回路基板
間に介在させてこれら両者に熱圧着し、当該電子部品と
回路基板間を機械的かつ電気的に接続する、電子部品の
実装用の異方導電性フィルムである上記（１）〜（３）
のいずれかに記載の異方導電性フィルム。 （５）絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に、複数の導
通路が互いに絶縁されて該フィルム基板の厚み方向に貫
通してなる異方導電性フィルムであって、前記フィルム
基板が下記式（Ｉ）で表される構造を有するポリカルボ
ジイミド共重合体の硬化物を主体に構成されてなること
を特徴とする異方導電性フィルム。
【００１４】
【化４】
【００１５】（式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３
０の整数、ｘは１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ
1はアルキレン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、
Ｒ3は芳香族物モノイソシアネート残基を表す。） （６）前記ポリカルボジイミド共重合体の硬化物のガラ
ス転移温度が１５０〜２５０℃である上記（５）記載の
異方導電性フィルム。 （７）式（Ｉ）中のＲ1で表されるアルキレン基がヘキ
サメチレン基であり、Ｒ2で表される芳香族ジイソシア
ネート残基がトリレンジイソシアネート残基であり、Ｒ
3で表される芳香族モノイソシアネート残基がｐ−イソ
プロピルフェニルイソシアネート残基である上記（５）
記載の異方導電性フィルム。 （８）フィルム全体の１５０℃〜２５０℃での弾性率が
１〜１０００ＭＰａである上記（５）記載の異方導電性
フィルム。 （９）当該異方導電性フィルムは、電子部品と回路基板
間に挿入してこれら両者に圧接し、当該電子部品と回路
基板を検査可能に導通させる、電子部品の機能検査用の
異方導電性フィルムである上記（５）〜（８）のいずれ
かに記載の異方導電性フィルム。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳細に説明す
る。図１は本発明の第１の態様の異方導電性フィルム、
すなわち、実装用コネクタとして有用な異方導電性フィ
ルムの一例を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）中のＩｂ−Ｉｂ線における断面図である。本
発明の第１の態様の異方導電性フィルムは、この異方導
電性フィルム１０Ａに示されるように、絶縁性樹脂から
なるフィルム基板１Ａ中に複数の導通路２が互いに絶縁
されてフィルム基板１Ａの厚み方向に貫通し、各導通路
２の両端部２ａ、２ｂがフィルム基板１Ａの表裏面１
ａ、１ｂにそれぞれ露出した構造を有し、フィルム基板
１Ａが下記式（Ｉ）で表される構造を有するポリカルボ
ジイミド共重合体（以下、単に式（Ｉ）のポリカルボジ
イミド共重合体ともいう。）を主体に構成されているこ
とを特徴とする。
【００１７】
【化５】
【００１８】（式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３
０の整数、ｘは１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ
1はアルキレン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、
Ｒ3は芳香族物モノイソシアネート残基を表す。）
【００１９】当該式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合
体は、芳香族ジイソシアネートから合成されるポリカル
ボジイミド樹脂の主鎖中にポリアルキレンカーボネート
の単位を導入したものである。
【００２０】式（Ｉ）において、ポリアルキレンカーボ
ネート単位中のＲ1のアルキレン基は炭素数が２〜１２
が好ましく、直鎖でも分岐でもよい。そのうちでも、エ
チレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基、ドデ
カメチレン基が好ましく、ヘキサメチレン基が特に好ま
しい。
【００２１】また、Ｒ2の芳香族ジイソシアネート残基
は、芳香族ジイソシアネートから二つのイソシアネート
が除去されたものであり、例えば、４，４'−ジフェニ
ルメタンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルエー
テルジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネー
ト、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｏ−トリジンジ
イソシアネート、ナフチレンジイソシアネート、２，４
−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソ
シアネート等が挙げられ、これらは１種でも、２種以上
を混合して用いてもよい。これらのうちでも２，４−ト
リレンジイソシアネートおよび／または２，６−トリレ
ンジイソシアネートが好ましい。
【００２２】また、式中のＲ3の芳香族モノイソシアネ
ート残基は、芳香族モノイソシアネートからイソシアネ
ートが除去されたものであり、例えばフェニルイソシア
ネート、トシルイソシアネート、ジメチルフェニルイソ
シアネート、クロロフェニルイソシアネート、ｐ−イソ
プロピルフェニルイソシアネート、ジイソプロピルフェ
ニルイソシアネート、ナフチルイソシアネート、ベンジ
ルイソシアネート等が挙げられ、これらは１種でも、２
種以上を混合して用いてもよい。これらのうちでも、ｐ
−イソプロピルフェニルイソシアネートが特に好まし
い。該芳香族モノイソシアネートは末端封止のために添
加され、該末端封止によって共重合体の分子量が制御さ
れる。
【００２３】カルボジイミド単位の繰り返し数ｎが３０
よりも大きいと、共重合体の重合中にゲル化が生じ、固
形物として取得することが困難となる。すなわち、後述
のように、通常、当該ポリカルボジイミド共重合体の共
重合反応は溶媒中で行われ、反応後の溶液から、溶媒を
揮散（蒸発）させて、共重合体をフィルムとして採取す
るが、かかる作業を行えなくなる。また、ポリアルキレ
ンカーボネートの重合度ｍが５０より大きいと溶媒への
溶解性が低下して、作業性が悪く、共重合反応自体が困
難になる。また、ポリアルキレンカーボネートの導入量
を示す繰り返し数ｘが１０より大きいと、共重合体の分
子量が大きくなりすぎて、重合反応中にゲル化して、上
記と同様の問題を生じる。
【００２４】前記のように、フィルム基板にポリカルボ
ジイミド樹脂を用いた従来の異方導電性フィルムを、実
装用コネクタに用いた場合、接続対象物（電子部品と回
路基板）との間に良好な接続状態（強固に接着し、か
つ、導通性が得られる状態）を形成するには、異方導電
性フィルムを２５０℃以上の温度に加熱して熱圧着する
必要があったが、当該第１の態様の異方導電性フィルム
では、１５０〜２００℃程度の低温での熱圧着（ボンデ
ィング）によって、フィルム基板が十分に軟化乃至溶融
して、接続対象物との間に良好な接続状態を形成するこ
とができる。また、フィルム基板がポリカルボジイミド
樹脂に由来する良好な低吸湿性を有しているので、実装
して得られる完成品（例えば、半導体素子を回路基板に
実装した半導体装置）は高耐湿信頼性を有するものとな
る。
【００２５】式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体
は、例えば、過剰量の芳香族ジイソシアネート中でポリ
アルキレンカーボネートジオールと芳香族ジイソシアネ
ートを反応させた後（水酸基とイソシアネートのウレタ
ン化反応を行った後）、分子末端を封止するためのモノ
イソシアネートを添加した後、カルボジイミド化触媒を
用いて反応系内の芳香族ジイソシアネート成分をカルボ
ジイミド化することによって製造することができる。
【００２６】上記の反応は、通常、適当な溶媒中で行わ
れる。当該溶媒としては、シクロヘキサン等の脂環族炭
化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、
キシレン、クメン等の芳香族炭化水素系溶媒；テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の脂環式エーテル類；アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサンノン等のケトン系溶媒等が挙げられる。こ
れらは１種でも２種以上を併用してもよい。
【００２７】ポリアルキレンカーボネートジオールと芳
香族ジイソイソシアネートとの反応では、通常、ポリア
ルキレンカーボネートジオール１モルに対して芳香族ジ
イソイソシアネートを２〜５０モル程度を添加し、０〜
１５０℃程度で、１０分〜３時間程度反応を行う。
【００２８】カルボジイミド化触媒は、種々のものを使
用できるが、例えば、１−フェニル−２−ホスホレン−
１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホ
レン−１−オキシド、１−フェニル−２−ホスホレン−
１−スルフィド、１−エチル−３−メチル−２−ホスホ
レン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−１−
ホスファ−３−シクロペンテン−１−オキシド、２，５
−ジヒドロ−３−メチル−１−フェニルホスホール−１
−オキシドや、これらに相当する異性体、３−ホスホレ
ン類等が好ましい。また、使用量はイソシアネート成分
全量に対して０．０１〜５重量％程度が好ましい。ま
た、カルボジイミド化反応は４０〜１５０℃程度で、１
０分〜５時間程度行うのが好ましい。
【００２９】式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体
は、数平均分子量が１０００〜１００００が好ましく、
特に好ましくは２０００〜８０００である。当該数平均
分子量は、ＧＰＣによる測定値であり、測定装置：ＨＬ
Ｃ８１２０（東ソー社製）、カラム：ＧＭＨHR-H＋ＧＭ
ＨHR-H＋Ｇ2000ＨHR（いずれも東ソー社製、３個を直列
したもの）、展開溶媒：テトラヒドロフランの測定条件
で測定し、ポリスチレン換算をした値である。
【００３０】また、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重
合体のガラス転移温度は５０〜１５０℃が好ましい。当
該ガラス転移温度はＴＭＡ（熱機械分析）の引張りモー
ドで測定した値である。測定条件は５℃／分で昇温し、
１ｇの引張荷重を加えた。この測定によって得られたＴ
ＭＡ曲線における変曲点をガラス転移温度とした。
【００３１】本発明の第１の態様の異方導電性フィルム
において、「フィルム基板が式（Ｉ）のポリカルボジイ
ミド共重合体を主体に構成されてなる」とは、式（Ｉ）
のポリカルボジイミド共重合体単独でフィルム基板を構
成しても、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体にさ
らに必要に応じて他の絶縁性樹脂を配合してフィルム基
板を構成してもよいことを意味する。
【００３２】本発明の第１の態様の異方導電性フィルム
は、フィルム基板１Ａが式（Ｉ）のポリカルボジイミド
共重合体のみで構成されたものが好ましいが、他の絶縁
性樹脂を配合する場合、その割合はフィルム基板全体当
たり１５重量％以下の少ない範囲で含有させてもよい。
かかる他の絶縁性樹脂としては、当該分野で従来からフ
ィルム基板材料として使用されている絶縁性樹脂を使用
でき、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカルボジイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げ
られる。これらは１種を用いても、２種以上を併用して
もよい。
【００３３】当該第１の態様の異方導電性フィルムは、
特に実装用コネクタとして有用なものであり、この点か
ら、フィルム基板１Ａの厚みは１０〜２００μｍ程度が
好ましく、特に好ましくは２０〜１００μｍ程度であ
る。
【００３４】導通路２には各種の金属を用いることがで
きるが、銅、金、アルミニウム、ニッケルなどが好まし
く、特に導電性の点から、銅、金が好ましい。金属導線
のなかでも、例えばＪＩＳ Ｃ ３１０３に規定された
銅線などのように電気を伝導すべく製造されたものがよ
り好ましく、電気的特性、機械的特性、さらにはコスト
の点でも最も優れた導通路となる。
【００３５】導通路２の断面形状（フィルム基板の面拡
張方向と平行に切った断面の形状）、大きさ、ピッチ
（配置間隔）は、接続対象物（電子部品、回路基板）の
端子形成面の状態（端子の形状、ピッチ等）に応じて適
宜設定される。通常、導通路の断面形状は円形または正
多角形が好ましい。また、大きさは、断面が円形の導通
路の場合で、断面の直径が５〜１００μｍ程度が好まし
く、断面が正多角形の導通路の場合、上記直径の円の面
積に相当する断面積となる大きさとするのが好適であ
る。導通路のピッチ（配置間隔）は、通常、導通路の中
心線間の間隔で２５〜１００μｍが好ましく、特に好ま
しくは４０〜８０μｍである。
【００３６】フィルム基板１Ａの表裏面に露出する導通
路２の両端部（端面）２ａ、２ｂは、フィルム基板の面
と同一面にあっても、フィルム基板の面より窪んでいて
も、また、フィルム基板の面から突出していてもよく、
さらに、これらの状態が混在していてもよい。また、フ
ィルム基板の一方の面（表裏面の何れか一方）では導通
路の端部（端面）が突出し、他方の面（表裏面の何れか
他方）では導通路の端部が窪んでいるなどの態様でもよ
く、組み合わせは自由である。導通路の端部の凹凸の態
様は、接続対象物の端子（電子部品の電極、回路基板の
配線パターン）の形状等に応じて選択すればよい。
【００３７】フィルム基板の面から導通路の端部を突出
させる場合の突出量は、接続信頼性の点から、０．５〜
３０μｍ程度が好ましく、１〜１５μｍ程度が特に好ま
しい。
【００３８】導通路２の端部の表面は、導通性が高い金
属材料や耐腐食性に優れた金やニッケルなどの材料でさ
らに被覆してもよい。また、導通路の材料、特に半導体
素子側の端部を被覆する材料は、半導体素子の電極の表
面の材料に応じて、好ましいものを選択すればよい。例
えば、アルミニウム（電極側）と金（導通路側）、バリ
アメタル（電極側）と半田（導通路側）などの組み合わ
せが挙げられる。バリアメタルは、素子内の配線材料と
して用いられるＡｌと、外部の金属との拡散反応を防止
する層を構成すべく用いられる金属であって、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｎｉ等の単体および合金などが挙げられる。
【００３９】導通路２の配列パターン（フィルム面を見
たときの導通路の配列のパターン）は、図１に示す最密
状の他、正方行列状やその他のランダムな密集状態であ
ってもよく、特に限定はされない。
【００４０】当該第１の態様の異方導電性フィルムの製
造方法は特に限定されないが、好ましい例として、例え
ば、下記の（Ａ）、（Ｂ）の２つの方法が挙げられる。
【００４１】（Ａ）国際公開公報ＷＯ９８／０７２１６
に記載された異方導電性フィルムの製造方法、すなわ
ち、所望の太さの金属導線の表面に絶縁性樹脂からな
る被覆層を形成した絶縁導線を芯材にロール状に巻き付
けて巻線コイルを形成する工程と、該巻線コイルを加
熱および／または加圧して、隣り合う絶縁導線の被覆層
同士を融着および／または圧着させて一体化した巻線コ
イルブロックを形成する工程と、該巻線コイルブロッ
クを、各絶縁導線と角度をなして交差する平面を断面と
して所定のフィルム厚さにスライスする工程とを含む製
造方法である。当該方法で、絶縁導線に式（Ｉ）のポリ
カルボジイミド共重合体で被覆層を形成した絶縁導線の
みを用いることで、（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合
体でフィルム基板が形成された本発明の異方導電性フィ
ルムが得られる。なお、フィルム基板を式（Ｉ）のポリ
カルボジイミド共重合体以外の他の絶縁性樹脂を含む構
成とする場合は、絶縁導線に、式（Ｉ）のポリカルボジ
イミド共重合体と他の絶縁性樹脂を含む被覆層を形成し
た絶縁導線を使用する。ここで、式（Ｉ）のポリカルボ
ジイミド共重合体と他の絶縁性樹脂を含む被覆層を形成
した絶縁導線とは、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重
合体と他の絶縁性樹脂との混合物の被覆層を形成したも
のでも、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体の層と
他の絶縁性樹脂の層を積層した構造の被覆層を形成した
ものでもよい。また、巻線コイルブロック中に式（Ｉ）
のポリカルボジイミド共重合体の被覆層を形成した絶縁
導線と、他の絶縁性樹脂の被覆層を形成した絶縁導線と
を混在させることで、フィルム基板中に他の絶縁性樹脂
を含有させることもできる。
【００４２】（Ｂ）本件出願人が特願２０００−１１７
０３９号で提案した製造方法、すなわち、図２（ａ）に
示す金属導線１１の表面に絶縁性樹脂からなる被覆層１
２を形成した絶縁導線１３を、図２（ｂ）に示すよう
に、芯材２０に対してロール状に巻いて、絶縁導線１３
からなる一層の巻線層１４を形成し、さらに、図２
（ｃ）に示すように、この巻線層１４に絶縁性樹脂フィ
ルム１５を重ね巻く作業を繰り返し行って、図３
（ａ），（ｂ）に示す、絶縁導線からなる一層の巻線層
１４と、絶縁性樹脂フィルム１５とが交互に重なった積
層物１６を形成し、次に、この積層物１６中の絶縁導線
１３の被覆層１２及び絶縁性樹脂フィルム１５の少なく
とも一方を溶融して当該積層物１６をブロック化し、該
ブロック化した積層物１６を絶縁導線１３（金属導線１
１）と角度を成して交差する平面を断面として所望のフ
ィルム厚さにスライスする製造方法である。当該方法
で、絶縁導線に式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体
で被覆層を形成した絶縁導線を用い、絶縁性樹脂フィル
ムに式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体からなる絶
縁性樹脂フィルムを用いることで、フィルム基板が式
（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体単体で形成された
本発明の異方導電性フィルムが得られる。
【００４３】なお、フィルム基板を式（Ｉ）のポリカル
ボジイミド共重合体以外の他の絶縁性樹脂を含む構成と
する場合は、絶縁導線および絶縁性樹脂フィルムの少な
くとも一方の側で、他の絶縁性樹脂を含む構成のものを
使用すればよい。例えば、全ての絶縁導線に式（Ｉ）の
ポリカルボジイミド共重合体で被覆層を形成した絶縁導
線を使用する場合は、全ての絶縁性樹脂フィルム、また
は、一部の絶縁性樹脂フィルムに、他の絶縁性樹脂から
なるフィルム、または、式（Ｉ）のポリカルボジイミド
共重合体と他の絶縁性樹脂を含むフィルムを使用し、全
ての絶縁性樹脂フィルムに式（Ｉ）のポリカルボジイミ
ド共重合体からなるフィルムを使用する場合は、全ての
絶縁導線、または、一部の絶縁導線に、他の絶縁性樹脂
で被覆層を形成した絶縁導線、または、式（Ｉ）のポリ
カルボジイミド共重合体と他の絶縁性樹脂を含む被覆層
を形成した絶縁導線を使用する。ここで、式（Ｉ）のポ
リカルボジイミド共重合体と他の絶縁性樹脂を含むフィ
ルムとしては、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体
と他の絶縁性樹脂の混合物のフィルムであっても、式
（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体の層と他の絶縁性
樹脂の層を積層した構造のフィルムであってもよい。式
（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体と他の絶縁性樹脂
を含む被覆層を形成した絶縁導線は、前記（Ａ）の方法
と同様に、式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体と他
の絶縁性樹脂との混合物の被覆層を形成したものでも、
式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体の層と他の絶縁
性樹脂の層を積層した構造の被覆層を形成したものでも
よい。
【００４４】なお、上記（Ｂ）の本件出願人が特願２０
００−１１７０３９号で提案した異方導電性フィルムの
製造方法は、芯材に対して絶縁導線の巻線層と絶縁性樹
脂フィルムが交互に繰り返し重なった積層物（多層構造
物）をブロック化し、該ブロックからフィルムを切り出
すので、フィルム中の導通路の配置間隔（ピッチ）を絶
縁導線の被覆層の厚みと絶縁性樹脂フィルムの厚みによ
って調整でき、上記（Ａ）の国際公開公報ＷＯ９８／０
７２１６に記載の絶縁導線の巻線コイルブロックからフ
ィルムを切り出す方法（該方法はフィルム中の導通路の
配置間隔（ピッチ）が絶縁導線の被覆層の厚みのみで決
まる）に比べて、フィルム中の導通路の配置間隔（ピッ
チ）を容易に拡大できる利点がある。
【００４５】導通路の端部がフィルム基板の面から突出
した構造の異方導電性フィルムを得る場合は、上記
（Ａ）または（Ｂ）の方法で製造された異方導電性フィ
ルムに対して、フィルム基板（絶縁性樹脂部分）のエッ
チング処理、若しくは、金属導線の端面へのメッキ等に
よる金属堆積処理を行えばよい。
【００４６】次に、本発明の第２の態様の異方導電性フ
ィルムを説明する。図４は本発明の第２の態様の異方導
電性フィルム、すなわち、特に検査用コネクタに有用な
異方導電性フィルムの一例を示し、図４（ａ）は平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＩＶｂ−ＩＶｂ線にお
ける断面図である。本発明の第２の態様の異方導電性フ
ィルムは、この異方導電性フィルム１０Ｂに示されるよ
うに、絶縁性樹脂からなるフィルム基板１Ｂ中に、複数
の導通路２が互いに絶縁されてフィルム基板１Ｂの厚み
方向に貫通し、各導通路２の両端部２ａ、２ｂがフィル
ム基板１Ｂの表裏面１ａ、１ｂにそれぞれ露出した構造
を有し、フィルム基板１Ｂが前記の式（Ｉ）のポリカル
ボジイミド共重合体の硬化物を主体に構成されているこ
とを特徴とする。ここで、式（Ｉ）のポリカルボジイミ
ド共重合体の硬化物を主体に構成されているとは、式
（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体の硬化物単独でフ
ィルム基板を構成しても、式（Ｉ）のポリカルボジイミ
ド共重合体の硬化物にさらに必要に応じて他の絶縁性樹
脂を配合してフィルム基板を構成してもよいことを意味
する。
【００４７】当該第２の態様の異方導電性フィルムは、
そのフィルム基板１Ｂを式（Ｉ）のポリカルボジイミド
共重合体の硬化物を主体に構成したもので、その他の構
成は第１の態様の異方導電性フィルムと基本的に同じで
ある。
【００４８】当該第２の態様の異方導電性フィルムは、
フィルム基板１Ｂが式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重
合体の硬化物を主体に構成されていることで、フィルム
基板は高い耐熱性を有しながら、比較的で変形しやす
く、電子部品と回路基板間に介在させて両者に圧接する
と、電子部品や回路基板に反りやうねりがあっても、そ
れを自らの変位で吸収し得る。よって、半導体素子等の
電子部品の機能検査を１５０℃以上（一般に１５０〜２
００℃）の温度下で行う場合に、フィルム基板は軟化や
溶融を起こさず、しかも、比較的低圧力（荷重）の加圧
でその導通路の両端を電子部品の電極と回路基板の回路
（配線）パターンに確実に接触させることができる。
【００４９】なお、半導体素子等の電子部品の機能検査
において、回路基板には、半導体素子を実際に実装する
製品としての回路基板でもよいが、多くの場合、この回
路基板をモデルとして作製した検査用治具としての回路
基板が用いられる。本発明の異方導電性フィルムを検査
用コネクタに用いて電子部品の機能検査を行う場合も同
様である。
【００５０】ポリカルボジイミド樹脂を高温下に置くこ
とで高硬度の硬化物が得られることは知られているが、
式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体は１５０〜２０
０℃の高温下に概ね０．５〜５時間程度置くことで熱硬
化する。当該第２の態様の異方導電性フィルムにおい
て、フィル基板１Ｂを構成する式（Ｉ）のポリカルボジ
イミド共重合体の硬化物とは、かかる１５０〜２００℃
の高温下に式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体を置
くことで硬化したものである。硬化の程度としては、Ｊ
ＩＳ Ｋ ７２１５に記載の方法で測定したデュロメー
タ硬度が７５〜９０となる程度が好ましく、特に好まし
くは８０〜９０程度である。また、硬化後のガラス転移
温度は１５０〜２５０℃が好ましい。
【００５１】式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重合体の
硬化物のデュロメータ硬度が７５より小さい場合、フィ
ルム基板１Ｂの耐熱性が不十分になり、９０を超えると
フィルム基板が変形しにくく、異方導電性フィルムの弾
性率が大きくなりすぎ、低圧（荷重）で電子部品と回路
基板に異方導電性フィルムを適切な導通状態となるよう
に圧接することが困難となる。
【００５２】当該第２の態様の異方導電性フィルムは、
フィルム基板１Ｂが式（Ｉ）のポリカルボジイミド共重
合体の硬化物のみで構成されたものが好ましいが、柔軟
性付与等の目的で、他の絶縁性樹脂をフィルム基板全体
当たり１５重量％の以下の範囲で含有させることもでき
る。該他の絶縁性樹脂の例としては、前述の第１の態様
の異方導電性フィルムにおける、フィルム基板に含有し
得る他の絶縁性樹脂のそれと同様のものが挙げられる。
【００５３】当該第２の態様の異方導電性フィルムは、
特に検査用コネクタとして有用なものであり、かかる点
から、フィルム基板１Ｂの厚みは５０〜６００μｍ程度
が好ましく、特に好ましくは６０〜５００μｍ程度であ
る。
【００５４】導通路２の材料、断面形状、大きさ等は、
前述の第１の態様の異方導電性フィルムの導通路におけ
るそれらと基本的に同じである。断面形状は円形または
正多角形が好ましく、また、大きさは断面が円形の導通
路の場合で、断面の直径が５〜３０μｍ程度が好まし
く、断面が正多角形の導通路の場合、上記直径の円の面
積に相当する断面積となる大きさとするのが好適であ
る。導通路２のピッチ（配置間隔）は、導通路の中心線
間の間隔で５〜２５０μｍ程度が好ましく、特に好まし
くは１００〜２００μｍ程度である。
【００５５】フィルム基板の表裏面に露出する導通路の
両端部（端面）は、フィルム基板の面と同一面にあって
も、フィルム基板の面より窪んでいても、また、フィル
ム基板の面から突出してもよく、さらに、これらの状態
が混在していてもよい。また、フィルム基板の一方の面
（表裏面の何れか一方）では導通路の一方の端部（端
面）が突出し、他方の面（表裏面の何れか他方）では導
通路の他方の端部（端面）窪んでいるなどの態様でもよ
く、組み合わせは自由である。導通路の端部の凹凸の態
様は、電子部品および回路基板の端子形成面の状態に応
じて選択すればよい。
【００５６】フィルム基板の面から導通路の端部を突出
させる場合の突出量は、良好な導通状態を得る観点か
ら、通常、２〜１００μｍ程度が好ましく、１０〜６０
μｍ程度が特に好ましい。
【００５７】また、当該第２の異方導電性フィルムは、
１５０℃〜２５０℃において、構造全体（フィルム全
体）としての弾性率が１〜１０００ＭＰａが好ましく、
５〜９００ＭＰａが特に好ましい。弾性率が１ＭＰａ未
満であると、電子部品や回路基板に付着して、検査後に
これらから取り外しにくくなり、１０００ＭＰａより大
きいと、電子部品や回路基板の反りやうねりを十分に吸
収しにくくなる。なお、異方導電性フィルムの構造全体
（フィルム全体）の弾性率には、フィルム基板の構成材
料と厚み以外に、導通路の材料、導通路のフィルム基板
内の密度や配列パターン、導通路のフィルム基板面から
の突出高さ等も影響を与える。よって、これらは、異方
導電性フィルムの構造全体（フィルム全体）の弾性率が
上記の好ましい範囲となるように設定するようにする。
【００５８】異方導電性フィルムの構造全体の弾性率
は、たとえば動的粘弾性測定装置（ＤＭＳ２１０、セイ
コーインスツルメンツ社製）を用いて測定できる。測定
条件は、当該異方導電性フィルムのフィルムの面が拡張
する方向のうちの一方向に対し、引張りモードで、一定
の周波数（１０Ｈｚ）で、温度を５℃／分で昇温させて
１５０℃と２５０℃での測定とする。測定時に入力する
試料の厚みは、導通路の長さ（＝異方導電性フィルム全
体の厚み）とする。
【００５９】当該第２の態様の異方導電性フィルムの製
造方法は特に限定されないが、例えば、前記第１の態様
の異方導電性フィルムの製造方法の例として挙げた前記
（Ａ）の方法において、絶縁導線からなる巻線コイルブ
ロックを形成するための絶縁導線の被覆層を溶融固化す
る加熱を１５０〜２００℃で行う、または、（Ｂ）の方
法において、絶縁導線の巻線層と絶縁性樹脂フィルムが
交互に繰り返し重なった積層物をブロック化する際の絶
縁導線の被覆層および絶縁性樹脂フィルムを溶融固化す
る加熱を１５０〜２００℃で行うことで、製造すること
ができる。
【００６０】当該第２の態様の異方導電性フィルムを用
いることで、１５０℃以上の温度おいて、電子部品にお
ける一つの電極当たりの接触荷重が９．８〜２９４ｍＮ
程度になるような低圧（低荷重）で、異方導電性フィル
ムを電子部品と回路基板に圧接して、機能検査を実施す
ることができる。なお電子部品の一つの電極当たりの接
触荷重は、電子部品の電極が全点導通させるために加え
た圧力（荷重）を電子部品の電極数で割って求めた値で
ある。
【００６１】
【実施例】以下、実施例と比較例とにより本発明をより
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。
【００６２】実施例１ トリレンジイソシアネート（２，４−トリレンジイソシ
アネート（２，４−ＴＤＩ）と２，６−トリレンジイソ
シアネート（２，６−ＴＤＩ）とのモル比（２，４−Ｔ
ＤＩ：２，６−ＴＤＩ）＝２：８の混合物）１００ｇ、
ポリヘキサメチレンカーボネートジオール１００ｇを、
キシレンとシクロヘキサンの混合溶媒中で、１００℃、
３時間反応させてウレタン化し、さらに３−メチル−１
−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド０．８８３
ｇ、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート６．４７
９９３ｇを添加し、１００℃で１時間重合させて、ポリ
ヘキサメチレンカーボネートが共重合したポリカルボジ
イミド共重合体溶液を得た。該溶液を９０℃で３０分、
２００℃で３０分乾燥してフィルム化してポリカルボジ
イミド共重合体を固形分として採取し、該固形分のガラ
ス転移温度を測定したところ１３０℃であった。また、
数平均分子量を測定したところ６３００であった。
【００６３】上記合成したポリカルボジイミド共重合体
を１８μｍ径の銅線にコーティングして被覆層とした絶
縁導線を作製し、この絶縁導線を用いて、前記（Ａ）の
方法で、図１に示す、導通路が最密状に配置され、各導
通路の両端部（端面）がフィルム基板の表裏面と同一面
にある、異方導電性フィルム（フィルムの厚み：７０μ
ｍ、導通路の中心線間距離（ピッチ）：平均５０μｍ）
を作製した。なお、製造段階での巻線コイルをブロック
化する際の絶縁導線の被覆層を溶融するための加熱は１
４０℃で１時間とした。
【００６４】半導体素子として、チップサイズ（外形：
８ｍｍ×８ｍｍ、厚さ：３００μｍ）、パッドサイズ
（外形：１００μｍ×１００μｍ、厚み：１μｍ）、パ
ッドピッチ：２００μｍ、パッド数：２１９個の集積回
路チップを用意した。なお、パッドはＡｌパッドであ
る。
【００６５】厚さ１ｍｍのＦＲ−４基板（ガラスエポキ
シ基板）上にＣｕ／Ｎｉ／Ａｕからなる回路パターン
（回路幅が１００μｍ、隣り合った回路間の隙間の幅が
１００μｍ）形成された回路基板の回路パターンの形成
面に、前記作製した異方導電性フィルムを載せ、さらに
この上に前記半導体素子を載せ、フリップチップボンダ
ーを用い、温度１５０℃、荷重（圧力）１．９６ＭＰ
ａ、加圧時間４０分の条件でボンディングを行い、半導
体素子を回路基板に実装した。その結果、半導体素子の
電極（パッド）は全点導通し、実装後の完成品は、回路
基板のベース基板であるＦＲ−４基板（ガラスエポキシ
基板）に変色は見られず、高信頼性の半導体装置を得る
ことができた。
【００６６】比較例１ ２，４'−トリレンジイソシアネート１００ｇ、３−メ
チル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド
０．８８３ｇ、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネー
ト６．４７９９３ｇをキシレンとシクロヘキサンの混合
溶媒中、１００℃で、１時間重合してポリカルボジイミ
ド溶液を得た。該溶液を９０℃で３０分、２００℃で３
０分乾燥してポリカルボジイミド樹脂を固形分として採
取し、該固形分のガラス転移温度を測定したところ２３
０℃であった。また、数平均分子量を測定したところ４
８００であった。
【００６７】上記合成したポリカルボジイミド樹脂を１
８μｍ径の銅線にコーティングして被覆層とした絶縁導
線を作製し、この絶縁導線を用い、前記（Ａ）の方法
で、図１に示す、導通路が最密状に配置され、各導通路
の両端部（端面）がフィルム基板の表裏面と同一面にあ
る、異方導電性フィルム（フィルム厚み：７０μｍ、導
通路の中心線間距離（ピッチ）：平均５０μｍ）を作製
した。なお、製造段階での巻線コイルをブロック化する
際の絶縁導線の被覆層を溶融するための加熱は１７５℃
で１時間行った。
【００６８】実施例１で使用したものと同じ回路基板の
回路パターンの形成面に、前記作製した異方導電性フィ
ルムを載せ、さらにこの上に実施例１で使用したものと
同じ半導体素子を載せ、フリップチップボンダーを用
い、実施例１と同じ条件（温度１５０℃、荷重（圧力）
１．９６ＭＰａ、加圧時間４０分）でボンディングを行
い、半導体素子を回路基板に実装した。その結果、半導
体素子の電極（パッド）の導通率は２０％であった。さ
らに、ボンディング温度を３００℃にして（荷重、加圧
時間は前記と同じ）ボンディングを行うと、全点導通し
たが、回路基板のベース基板であるＦＲ−４基板（ガラ
スエポキシ基板）が変色した。
【００６９】実施例２ 実施例１で合成したポリカルボジイミド共重合体を１８
μｍ径の銅線にコーティングして被覆層とした絶縁導線
を作製し、この絶縁導線を用い、前記（Ａ）の方法で、
図１に示す、導通路が最密状に配置され、各導通路の両
端部（端面）がフィルム基板の表裏面と同一面にある、
異方導電性フィルム（フィルム厚み：７０μｍ、導通路
の中心線間距離（ピッチ）：平均５０μｍ）を作製し
た。なお、製造段階での巻線コイルをブロック化する際
の絶縁導線の被覆層を溶融するための加熱は１０℃／分
で昇温し、２００℃到達後、０．５時間固定し、その後
室温まで冷却した。作製した異方導電性フィルムの１５
０℃での弾性率を測定したところ２００ＭＰａであっ
た。また、実施例１で合成したポリカルボジイミド共重
合体の固形分試料に対して、上記と同様の加熱処理を施
した後、ガラス転移温度を測定したところ、ガラス転移
温度は１７０℃であった。また、デュロメータ硬度は８
５であった。
【００７０】検査する半導体素子として、チップサイズ
（外形：１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ：５００μｍ）、バ
ンプ径：７０μｍ、バンプ高さ：７０μｍ、バンプピッ
チ：２００μｍ、バンプ数：１５６個のベアチップ状態
の集積回路チップを用意した。なお、バンプはＡｕスタ
ッドバンプである。
【００７１】厚さ１ｍｍのＦＲ−４基板（ガラスエポキ
シ基板）上にＣｕ／Ｎｉ／Ａｕからなる回路パターン
（回路の厚み：１８μｍ、回路幅：１００μｍ、回路間
の隙間の幅：１００μｍ）を形成した回路基板の回路パ
ターン形成面に、前記作製した異方導電性フィルムを載
せ、さらにこの異方導電性フィルム上に前記半導体素子
を載せて、その上から荷重（圧力）９．８Ｎを加えた。
その結果、半導体素子のバンプは全点導通した。そし
て、さらに１５０℃の温度下でこの加圧状態を維持した
まま半導体素子の機能検査（検査時間は２４時間）を行
ったところ、機能検査中、半導体素子のバンプは全点導
通した状態を維持し、目的の機能検査を問題なく行え
た。また、検査終了後は半導体素子と異方導電性フィル
ムと回路基板は接着しておらず、３者を簡単に分離でき
た。
【００７２】比較例２ 実施例２で使用した銅線にシリコーンゴムをコーティン
グして絶縁導線を作製し、この絶縁導線を用いて、前記
（Ａ）の方法で、導通路が最密状に配置され、各導通路
の両端部（端面）がフィルム基板の表裏面と同一面にあ
る、異方導電性フィルム（フィルムの厚み：７０μｍ、
導通路の中心線間距離（ピッチ）：平均５０μｍ）を作
製した。
【００７３】実施例２で用いたものと同じ回路基板の回
路形成面に、前記作製した異方導電性フィルムを載せ、
さらにこの異方導電性フィルム上に実施例２で用いたも
のと同じ半導体素子を載せて、その上から荷重（圧力）
９．８Ｎを加えた。その結果、半導体素子のバンプは全
点導通した。そして、さらに１５０℃の温度下でこの加
圧状態を維持したまま実施例１と同じ半導体素子の機能
検査を行ったところ、初期は半導体素子のバンプが全点
導通（１００％導通）していたが、異方導電性フィルム
のフィルム基板からＳｉ成分が半導体素子および回路基
板に付着し、誤動作が生じた。
【００７４】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の第１の態様の異方導電性フィルムによれば、フィル
ム基板をポリカルボジイミド樹脂で形成した従来の異方
導電性フィルムを用いる場合に比べて低温（１５０〜２
００℃程度）の熱圧着によって、半導体素子等の電子部
品と回路基板間を良好な導通状態に接続することがで
き、回路基板のベース基板の劣化させることなく、電子
部品を回路基板上に実装することができる。また、第２
の態様の異方導電性フィルムによれば、半導体素子等の
電子部品の１５０℃以上の温度下での機能検査におい
て、フィルム基板が電子部品や回路基板に粘着せず、し
かも、アウトガスを発生することもなく、比較的低圧
（低荷重）の加圧によって電子部品と回路基板間を検査
可能に導通させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の態様による異方導電性フィルム
の一例を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１
（ｂ）図は図１（ａ）中のＩｂ−Ｉｂ線における断面図
である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は本発明の異方導電性
フィルムの製造方法において、芯材に絶縁導線からなる
巻線層と絶縁性樹脂フィルムを交互に巻きつける作業
（積層作業）の工程を示す図である。
【図３】本発明の異方導電性フィルムの製造方法におい
て、図２の工程後に得られる絶縁導線からなる巻線層と
絶縁性樹脂フィルムとが交互に積層した積層体を示し、
図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＩＩ
Ｉｂ−ＩＩＩｂにおける断面図である。
【図４】本発明の第２の態様による異方導電性フィルム
の一例を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４
（ｂ）図は図４（ａ）中のＩＶｂ−ＩＶｂ線における断
面図である。
【符号の説明】
１Ａ フィルム基板 １ａ フィルム基板の表側面 １ｂ フィルム基板の裏側面 ２ 導通路 ２ａ、２ｂ 導通路の端部 １０Ａ 異方導電性フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ (72)発明者 堀田 祐治 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4J034 AA05 HA01 HC12 HC13 HC64 HC67 HC70 HC71 JA43 QB03 QB07 QC08 QD06 RA14 4J040 EH031 GA20 LA02 LA06 LA08 LA09 MB03 NA20 5E319 AA03 AB05 AC01 AC02 BB16 BB20 CD51 GG20 5F044 LL09 NN05 NN19 5G307 HA02 HB03 HC01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に複
    数の導通路が互いに絶縁されて該フィルム基板の厚み方
    向に貫通してなる異方導電性フィルムであって、前記フ
    ィルム基板が下記式（Ｉ）で表される構造を有するポリ
    カルボジイミド共重合体を主体に構成されてなることを
    特徴とする異方導電性フィルム。 【化１】 （式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３０の整数、ｘ
    は１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ1はアルキレ
    ン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、Ｒ3は芳香族
    物モノイソシアネート残基を表す。）
  2. 【請求項２】 前記ポリカルボジイミド共重合体のガラ
    ス転移温度が５０〜１５０℃である請求項１記載の異方
    導電性フィルム。
  3. 【請求項３】 式（Ｉ）中のＲ1で表されるアルキレン
    基がヘキサメチレン基であり、Ｒ2で表される芳香族ジ
    イソシアネート残基がトリレンジイソシアネート残基で
    あり、Ｒ3で表される芳香族モノイソシアネート残基が
    ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート残基である請
    求項１記載の異方導電性フィルム。
  4. 【請求項４】 当該異方導電性フィルムは、電子部品と
    回路基板間に介在させてこれら両者に熱圧着し、当該電
    子部品と回路基板間を機械的かつ電気的に接続する、電
    子部品の実装用の異方導電性フィルムである請求項１〜
    ３のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  5. 【請求項５】 絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に、
    複数の導通路が互いに絶縁されて該フィルム基板の厚み
    方向に貫通してなる異方導電性フィルムであって、前記
    フィルム基板が下記式（Ｉ）で表される構造を有するポ
    リカルボジイミド共重合体の硬化物を主体に構成されて
    なることを特徴とする異方導電性フィルム。 【化２】 （式中、ｍは２〜５０の整数、ｎは１〜３０の整数、ｘ
    は１〜１０の整数、Ａはウレタン結合、Ｒ1はアルキレ
    ン基、Ｒ2は芳香族ジイソシアネート残基、Ｒ3は芳香族
    物モノイソシアネート残基を表す。）
  6. 【請求項６】 前記ポリカルボジイミド共重合体の硬化
    物のガラス転移温度が１５０〜２５０℃である請求項５
    記載の異方導電性フィルム。
  7. 【請求項７】 式（Ｉ）中のＲ1で表されるアルキレン
    基がヘキサメチレン基であり、Ｒ2で表される芳香族ジ
    イソシアネート残基がトリレンジイソシアネート残基で
    あり、Ｒ3で表される芳香族モノイソシアネート残基が
    ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート残基である請
    求項５記載の異方導電性フィルム。
  8. 【請求項８】 フィルム全体の１５０℃〜２５０℃での
    弾性率が１〜１０００ＭＰａである請求項５記載の異方
    導電性フィルム。
  9. 【請求項９】 当該異方導電性フィルムは、電子部品と
    回路基板間に挿入してこれら両者に圧接し、当該電子部
    品と回路基板を検査可能に導通させる、電子部品の機能
    検査用の異方導電性フィルムである請求項５〜８のいず
    れかに記載の異方導電性フィルム。
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