JP2002277655A

JP2002277655A - 光導波路デバイスモジュールの実装方法および実装装置

Info

Publication number: JP2002277655A
Application number: JP2001074585A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Yokoyama; 敏史横山; Yasuo Kitaoka; 康夫北岡; Kazuhisa Yamamoto; 和久山本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-03-15
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2002-09-25

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】光導波路デバイス実装時の光導波路の高さ方
向位置制御を高精度に行うことを可能とし、高効率な光
結合を安定して実現することのできる光導波路デバイス
モジュールの実装方法を提供する。【解決手段】光導波路デバイス５をコレット２８によ
り保持しながらサブマウント１９上の所望の位置へ搬送
する工程と、光導波路デバイスがサブマウントに接触す
るように光導波路デバイスをサブマウント上へ降下させ
る工程と、コレットによる光導波路デバイスの保持を停
止した後、光導波路デバイスをサブマウントに対して加
圧し、光導波路デバイスをサブマウントへ固定する工程
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光源と光導
波路デバイスをサブマウント上に実装して光導波路デバ
イスモジュールを作製するための実装方法および実装装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光導波路デバイスを用いた光導波路デバ
イスモジュールとして、半導体レーザと、擬似位相整合
（以下、ＱＰＭと記す。）方式の光導波路型波長変換
（山本他、Optics Letters Vol.16, No.15, 1156 (199
1)）デバイスを用いた第２高調波発生（以下、ＳＨＧと
記す。）モジュールがある。光ディスクの高密度化およ
びディスプレイの高繊細化を実現するため、小型の短波
長光源が必要とされている。

【０００３】光導波路型波長変換デバイスを用いた光導
波路デバイスモジュールの概略構成図を図８に示す。半
導体レーザ４４として、波長可変半導体レーザが用いら
れている。半導体レーザ４４は、活性領域４５、位相領
域４６、ＤＢＲ領域４７より構成されている。波長変換
素子である光導波路型波長変換デバイス４８は、Ｘ板Ｍ
ｇドープＬｉＮｂＯ₃基板４９上に形成された、光導波
路５０と周期的な分極反転領域５１より構成されてい
る。半導体レーザ４４と光導波路型波長変換デバイス４
８は、活性層および光導波路５０が形成された面がサブ
マウント５２に接するように固定され、半導体レーザ４
４の出射面より得られたレーザ光は、光導波路型波長変
換デバイス４８の光導波路５０に直接結合される。例え
ば半導体レーザ４４の出力１００ｍＷに対して、７０ｍ
Ｗのレーザ光が光導波路５０に結合される。半導体レー
ザ４４の発振波長を光導波路型波長変換デバイス４８の
位相整合波長に固定することで、波長４２５ｎｍのブル
ー光が得られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】光導波路デバイスとし
て光導波路型波長変換デバイスを用い、光導波路型波長
変換デバイスと半導体レーザとをサブマウント上に配置
することによって作製される光導波路デバイスモジュー
ルでは、半導体レーザは、半田材料を用いて活性層がサ
ブマウント側に位置するように固定され、光導波路型波
長変換デバイスは、接着剤を用いて光導波路がサブマウ
ント側に位置するように固定される。

【０００５】光導波路デバイスモジュールの実装方法
を、図９を用いて説明する。はじめに半導体レーザ１１
が、レーザ光導波部３６側の面がサブマウント１９に接
するように、半田２４を用いてサブマウント１９へ実装
される。次に、光導波路型波長変換デバイス５がサブマ
ウント１９へ実装される。まず、サブマウント１９上
に、接着剤として紫外線硬化剤３５が塗布される。次
に、光導波路型波長変換デバイス５が、コレット２８を
用いてサブマウント１９上へ移動させられる。光導波路
型波長変換デバイス５は、光導波路９が下面になるよう
に運ばれる。光導波路型波長変換デバイス５は、真空吸
着によりコレット２８に保持される。

【０００６】位置合わせが完了すると、コレット２８を
降下させ、サブマウント１９へ光導波路型波長変換デバ
イス５を押し当てた後、紫外線を照射して紫外線硬化剤
３５を硬化させ、サブマウント１９上へ光導波路型波長
変換デバイス５を固定する。以上の工程を経て光導波路
型波長変換デバイスモジュールは完成する。高効率な光
結合を実現するには、光導波路型波長変換デバイス５の
光導波路入射端位置４０と、半導体レーザ１１のレーザ
光出射位置４１の位置とを、非常に高精度に一致させる
必要がある。特に高さ方向であるＺ方向の位置制御は、
結合効率の変化に大きな影響を及ぼすため最も重要であ
り、位置ずれ幅は±０．２μｍ以内に収める必要があ
る。

【０００７】従来、光導波路型波長変換デバイス５をサ
ブマウント１９に固定する際には、図１０のように、光
導波路型波長変換デバイス５をコレット２８に吸着した
ままの状態で位置決めを行い、光導波路型波長変換デバ
イス５をサブマウント１９上へ降下させ、紫外線硬化剤
３５を硬化して実装を行っていた。しかしながら、この
ような実装方法ではＺ方向の位置制御が困難であった。
図１０中のサンプルＡ、Ｂのように、光導波路型波長変
換デバイス５の厚みおよびＸＹ方向の傾斜はサンプルご
とに異なっており、光導波路入射端位置４０で０〜１０
μｍ程度のばらつきを持っている。

【０００８】光導波路型波長変換デバイス５を傾斜や厚
みのばらつきが無いように作製することは、光導波路型
波長変換デバイス５の作製プロセス上非常に困難であ
る。結果として、光導波路型波長変換デバイス５の光導
波路入射端位置４０のサブマウント１９からの距離ｄが
０〜１０μｍの間でばらつき、高効率な光結合を安定し
て得ることは非常に困難であった。

【０００９】本発明は、Ｚ方向の高精度な位置制御を行
うことを可能とし、高効率な光結合を安定して実現する
ことのできる光導波路デバイスモジュールの実装方法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の光導波路デバイスモジュールの実装
方法は、光導波路デバイスをコレットにより保持しなが
らサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程と、光導
波路デバイスがサブマウントに接触するように光導波路
デバイスをサブマウント上へ降下させる工程と、コレッ
トによる光導波路デバイスの保持を停止した後、光導波
路デバイスをサブマウントに対して加圧し、光導波路デ
バイスをサブマウントへ固定する工程とを有する。

【００１１】上記の方法において、光導波路デバイスへ
の加圧により、光導波路デバイス表面をサブマウント表
面に対して水平とすることが好ましい。また、上記の方
法において、コレットによる光導波路デバイスの保持を
停止するために、コレットより押圧部材を突出させるこ
とが好ましい。

【００１２】本発明の第２の光導波路デバイスモジュー
ルの実装方法は、光導波路デバイスをコレットにより保
持しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程
と、サブマウント表面と光導波路デバイスの距離を測定
する工程と、サブマウント表面と光導波路デバイスの距
離の測定結果に基づき、光導波路デバイス表面がサブマ
ウント表面に対して水平となるように光導波路デバイス
またはサブマウントの傾斜角を調整する工程と、光導波
路デバイスをサブマウント上へ固定する工程とを有す
る。

【００１３】上記の方法において、サブマウント表面と
光導波路デバイスの距離を、３点以上で測定することが
望ましい。その場合、サブマウント表面と光導波路デバ
イスとの距離を３点以上で測定する手段として、光学的
手段を用いることが望ましい。光学的手段としては、Ｃ
ＣＤカメラまたは干渉光学系と、画像処理装置とを用い
ることが好ましい。

【００１４】本発明の第３の光導波路デバイスモジュー
ルの実装方法は、光導波路デバイスをコレットにより保
持しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程
と、光導波路デバイスをコレットにより保持しながらサ
ブマウントへ接触するまで降下させて光導波路デバイス
表面をサブマウント表面に対して水平にする工程と、光
導波路デバイス表面がサブマウント表面に対して水平で
ある状態を保ったまま光導波路デバイスをサブマウント
上へ固定する工程とを有する。

【００１５】上記の方法において、光導波路デバイス表
面がサブマウント表面に対して水平である状態を保った
まま光導波路デバイスの位置決めを再度行うことが望ま
しい。

【００１６】本発明の第１の光導波路デバイスモジュー
ルの実装装置は、光導波路デバイスをコレットにより保
持しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送し、光導
波路デバイスがサブマウントに接触するように光導波路
デバイスをサブマウント上へ降下させる手段と、コレッ
トによる光導波路デバイスの保持を停止させる手段と、
光導波路デバイスをサブマウントに対して加圧する手段
とを備える。光導波路デバイスの保持を停止させる手段
は、コレットより押圧部材を突出させる機構により構成
されている。

【００１７】本発明の第２の光導波路デバイスモジュー
ルの実装装置は、光導波路デバイスをコレットにより保
持しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する手段
と、サブマウント表面と光導波路デバイスの距離を測定
する距離計測装置と、距離計測装置による測定結果に基
づき光導波路デバイス表面をサブマウント表面に対して
水平にする角度調整機構とを備える。

【００１８】上記の装置において、距離計測装置が、光
学的手段を用いた光学計測装置および画像処理装置から
構成されていることが好ましい。光学計測装置は、ＣＣ
Ｄカメラまたは干渉光学系であることが望ましい。ま
た、上記の装置において、角度調整機構が、前記コレッ
トまたは前記サブマウントが載置されるステージに取り
付けられていることが望ましい。

【００１９】本発明の第３の光導波路デバイスモジュー
ルの実装装置は、光導波路デバイスをコレットにより保
持しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する手段
と、光導波路デバイスをコレットにより保持しながらサ
ブマウントへ接触するまで降下させた時に光導波路デバ
イス表面をサブマウント表面に対して水平にする可動部
と、可動部の状態を維持する維持機構とを備える。

【００２０】上記の装置において、維持機構が電磁ロッ
クを用いていることが望ましい。また、可動部が、前記
コレット、もしくは前記サブマウントが載置されたステ
ージに取り付けられていることが望ましい。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下の各実施の形態では、光導波
路デバイスとレーザ光源をサブマウント上に配置して光
導波路デバイスモジュールを作製する際に、高効率な光
結合を安定して得るための実装方法および実装装置が開
示される。各実施の形態では、光導波路デバイスとして
光導波路型波長変換デバイスを用いる場合について説明
する。光導波路型波長変換デバイスは、基本波である赤
外光から高調波である青色光への変換効率が高く、モジ
ュールの小型化、簡素化を容易に実現できるため、短波
長光源の実現に非常に適した光導波路デバイスである。

【００２２】図１に、本実施の形態で用いた光導波路型
波長変換デバイスの構成図を示す。光導波路型波長変換
デバイス５は、ＭｇをドープしたＬｉＮｂＯ₃基板６を
用いて作製される。ＬｉＮｂＯ₃基板６には、プロトン
交換を行い、アニール処理により光導波路９が形成さ
れ、さらに周期的分極反領域１０が形成されて、第２高
調波が発生するようになっている。それらの上面には、
ＳｉＯ₂を用いた保護膜８が付加されている。

【００２３】（実施の形態１）光導波路デバイスモジュ
ールを作製するための実装装置について図２を参照して
説明する。この装置は、光導波路型波長変換デバイス５
の位置決めを行い所望の位置へ搬送する搬送機構１と、
光導波路型波長変換デバイス５を保持するためのコレッ
ト２８と、光導波路型波長変換デバイス５をサブマウン
ト１９上へ降下させる降下機構２と、サブマウント１９
を固定するためのステージ３を備えている。光導波路型
波長変換デバイス５は、真空吸着によりコレット２８に
保持される。この装置はさらに、光導波路型波長変換デ
バイス５がサブマウント１９上へ降下され、光導波路型
波長変換デバイス５がサブマウント１９へ接触した後、
コレット２８による光導波路型波長変換デバイス５の保
持を停止させる機能、および光導波路型波長変換デバイ
ス５を加圧する機能を有している。

【００２４】本実施の形態における実装方法について、
図３を用いて説明する。図３（ａ）に示すように、ま
ず、光導波路型波長変換デバイス５をコレット２８によ
り、光導波路面を下側にして真空吸着してサブマウント
１９上の所望の位置へ搬送し、サブマウント１９上へ降
下させる。光導波路型波長変換デバイス５がサブマウン
ト１９に接触した後、図３（ｂ）に示すように、コレッ
ト２８による吸着を解除して、コレット２８による保持
を停止する。光導波路型波長変換デバイス５の光導波路
面は平面形状であるため、光導波路型波長変換デバイス
５がサブマウント１９に接触した後、コレット２８によ
る保持を停止することで、光導波路型波長変換デバイス
５の光導波路面とサブマウント１９表面は自動的に平行
になる。

【００２５】このようにして光導波路型波長変換デバイ
ス５の光導波路面とサブマウント１９表面が平行になっ
た後、コレット２８を用いて光導波路型波長変換デバイ
ス５を加圧してサブマウント１９へ押さえつける。それ
により、光導波路型波長変換デバイス５の光導波路面と
サブマウント１９表面の平行状態が維持されたまま、光
導波路型波長変換デバイス５の位置ずれが調整される。
結果として光導波路入射端位置４０は、光導波路型波長
変換デバイス５の厚みばらつきや傾斜の影響を受けず、
サブマウント１９表面から一定の距離に設置され、Ｚ方
向において非常に高い位置精度が得られる。

【００２６】光導波路型波長変換デバイス５の光導波路
面とサブマウント１９表面を平行にして配置する手段と
しては、吸着を解除する他に、コレット２８から気体を
噴出させたり、図４のように、上下方向に摺動するピン
からなる保持停止機構２０をコレット２８に付加した構
成を用いることができる。光導波路型波長変換デバイス
５がサブマウント１９表面に接触した後、保持停止機構
２０を作動させて、光導波路型波長変換デバイス５をサ
ブマウント１９の表面に向かって押圧する。それにより
コレット２８による光導波路型波長変換デバイス５の保
持が停止され、光導波路型波長変換デバイス５の光導波
路面とサブマウント１９表面を平行にすることができ
る。

【００２７】従来、光導波路デバイスモジュールの作製
に用いられていた実装装置及び実装方法では、光導波路
型波長変換デバイス５をサブマウント１９に固定する際
に、光導波路型波長変換デバイス５をコレット２８に吸
着したままの状態で光導波路型波長変換デバイス５へ加
圧しながら、サブマウント１９上への実装を行ってい
た。そのため、光導波路型波長変換デバイス５の厚みお
よびＸＹ方向の傾斜の影響を受け、サブマウント１９表
面と光導波路入射端位置４０との距離が０〜１０μｍ程
度ばらついていた。一方、本実施の形態の実装装置およ
び実装方法を用いた実施例では、従来０〜１０μｍであ
った光導波路入射端位置のＺ方向位置制御精度は、０．
１μｍ以内という非常に高精度な値へ改善された。従っ
て、半導体レーザの出力１００ｍＷに対して、７０ｍＷ
のレーザ光を光導波路に安定して結合することができ、
２０ｍＷの第２高調波を得ることができた。

【００２８】（実施の形態２）実施の形態２で用いられ
る実装装置について、図５を参照して説明する。この実
装装置は、基本的な構造は実施の形態１で用いたものと
同様である。但し、図５の実装装置は、サブマウント１
９表面と光導波路波長変換デバイス５との距離を測定す
る距離計測装置１２と、サブマウント表面と光導波路型
波長変換デバイスとの距離の測定結果に基き、光導波路
型波長変換デバイス５の表面がサブマウント１９表面に
対して水平になるように、コレット２８の角度を変化さ
せる角度調整機構（図示せず）を備えている。同様な機
構をステージ３に取り付けても良い。サブマウント１９
表面と光導波路波長変換デバイス５との距離を計測する
には、光学的手段を用いた光学計測装置を用いるのが良
い。

【００２９】光学的手段を用いると、光導波路型波長変
換デバイス５に非接触な状態で光導波路型波長変換デバ
イス５とサブマウント１９表面との距離を計測できるた
め、高精度な実装が要求される光導波路デバイスの実装
においては有効である。本実施の形態においては、光学
計測装置としてＣＣＤカメラを用いている。ＣＣＤカメ
ラにより写し出された画像を用いて、光導波路型波長変
換デバイス５とサブマウント１９表面との距離を画像処
理によって測定することが可能である。

【００３０】光学計測装置として、干渉光学系を使用し
ても良い。干渉光学系としては干渉膜厚計などが挙げら
れる。図６に干渉膜厚計の構成を示す。干渉膜厚計は、
光源５７、ハーフミラー５８、偏光板５９および６０、
ウォラストンプリズム６１、ＣＣＤカメラ６２、モニタ
ー６３、対物レンズ６４から構成される。ハーフミラー
５８を介して対物レンズ６４を通った光で照明された、
実厚ｄのギャップの上面（光導波路型波長変換デバイス
５の導波路側の表面）および下面（サブマウント１９表
面）からの反射波面が、２ｄの位相差を持って戻ってく
る。これらの波面は、偏光板５９により直線偏光となり
ウォラストンプリズム６１に入射する。２ｄの位相差を
持った２波面は、ウォラストンプリズム６１を通過する
と、２方向の互いに直交する偏光方向によってそれぞれ
＋ａと−ａだけティルトする。これらの波面が偏光板６
０を通過すると、波面同志が交わったところに干渉縞が
生じる。この干渉縞をＣＣＤカメラ６２により観測し、
モニター６３へ写し出す。モニター６３に写された干渉
縞の間隔Ｙよりギャップｄを求めることが可能である。

【００３１】本実施の形態における実装方法について、
図５を参照して説明する。図５に示すように、コレット
２８を用いて光導波路型波長変換デバイス５を保持し、
サブマウント１９上の所望の位置へ搬送した後、光導波
路型波長変換デバイス５とサブマウント１９表面との距
離を、距離計測装置１２を用いて測定する。光導波路型
波長変換デバイス５とサブマウント１９表面との距離を
３点以上測定することで、光導波路型波長変換デバイス
５とサブマウント１９表面のＸＹ方向の傾斜角を確実に
知ることが可能となるので、距離ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃を、距
離計測装置１２を用いて測定する。角度調整機構は、コ
レット２８を、あらゆる方向の傾斜角へ変更可能な機能
を有する。角度調整機構としては、通常用いられるどの
ような機構を用いても良い。

【００３２】距離ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃の測定結果をもとに、
光導波路型波長変換デバイス５とサブマウント１９との
なすＸＹ方向の角度を算出し、光導波路型波長変換デバ
イス５とサブマウント１９のなす角度がゼロとなるよう
に（光導波路型波長変換デバイス５とサブマウント１９
との距離が一定となるように）、コレット２８またはス
テージ３を動かし、光導波路型波長変換デバイス５をサ
ブマウント１９に対して水平にする。光導波路型波長変
換デバイス５をサブマウント１９に対して水平にした状
態で、光導波路型波長変換デバイス５をサブマウント１
９上へ降下して実装することで、光導波路型波長変換デ
バイス５の光導波路入射端位置とサブマウント１９表面
との距離は、所定の値に対して非常に高精度に制御され
る。

【００３３】従来光導波路デバイスモジュールの作製に
用いられていた実装装置及び実装方法では、光導波路型
波長変換デバイス５をサブマウント１９に固定する際
に、光導波路型波長変換デバイス５の光導波路側の面が
サブマウント１９表面に対して傾斜している場合であっ
ても、そのままの状態で実装が行われていた。そのた
め、光導波路型波長変換デバイス５の厚みおよびＸＹ方
向の傾斜の影響を受け、サブマウント１９表面と光導波
路入射端位置４０との距離が０〜１０μｍ程度ばらつい
ていた。

【００３４】一方、本実施の形態の実装装置および実装
方法を用いることで、従来０〜１０μｍであった光導波
路入射端位置のＺ方向位置制御精度は、０．１μｍ以内
という非常に高精度な値へ改善された。その結果、半導
体レーザの出力１００ｍＷに対して７０ｍＷのレーザ光
を光導波路に安定して結合することができ、２０ｍＷの
第２高調波を得ることができた。

【００３５】（実施の形態３）実施の形態３で用いられ
る実装装置について、図７を参照して説明する。この実
装装置も、基本的な構造は実施の形態１で用いたものと
同様である。但し、図７の実装装置では、コレット２８
に、例えば半球状または球状の可動部５５が付加されて
いる。可動部５５は、光導波路型波長変換デバイス５を
サブマウント１９上へ降下した際に、光導波路型波長変
換デバイス５表面とサブマウント１９表面とが水平にな
るように、コレット２８をあらゆる方向の角度に傾斜さ
せることが可能である。また、光導波路型波長変換デバ
イス５表面とサブマウント１９表面とが水平になった状
態を維持するための維持機構が付加されている。

【００３６】本実施の形態においては、維持機構として
電磁ロックを用いる。すなわち、コレット２８として鉄
などの磁性体を用い、コレット２８へ巻かれたコイル５
６に電流を流すことで、コレット２８を電磁石とする。
磁石となったコレット２８は、傾斜角を保ったまま、磁
気的な結合により降下機構２に固定される。電磁ロック
方式によれば、コレット２８の可動または固定状態の切
り替えを、コイル５６への通電で制御可能であり、機械
的な操作は不要であるため、光導波路型波長変換デバイ
ス５の角度を維持する方法として適している。同様な機
構をステージ３に取り付け、ステージ３があらゆる角度
に傾斜可能な状態とし、その傾斜角を保つような機構を
取り付けてもよい。

【００３７】本実施の形態における実装方法を、図７を
参照して説明する。まず、あらゆる傾斜角へ変更可能な
コレット２８を用いて、光導波路型波長変換デバイス５
を保持し、光導波路型波長変換デバイス５をサブマウン
ト１９上へ降下させながら押し当て、光導波路型波長変
換デバイス５表面をサブマウント１９表面に対して水平
にする。コレット２８は、可動部５５によりあらゆる角
度へ傾斜可能であるので、光導波路型波長変換デバイス
５表面の傾斜に応じてコレット２８の傾斜角が変わり、
光導波路型波長変換デバイス５表面とサブマウント１９
表面とは水平となる。その状態でコイル５６へ電流を流
し、光導波路型波長変換デバイス５表面とサブマウント
１９表面とが水平となったときのコレット２８の傾斜角
を保持したまま、光導波路型波長変換デバイス５を上昇
させ、再度光導波路型波長変換デバイス５の位置調整を
行い、サブマウント１９上へ実装する。

【００３８】光導波路型波長変換デバイス５表面は上述
の工程によってサブマウント１９表面に対して水平とな
っているため、光導波路型波長変換デバイス５の光導波
路入射端位置とサブマウント表面との距離は、非常に高
精度に制御される。また一旦、光導波路型波長変換デバ
イス５表面とサブマウント１９表面とを水平にした後、
光導波路型波長変換デバイス５を上昇させ、再度光導波
路型波長変換デバイス５の位置調整を行いサブマウント
１９上へ実装することで、光導波路型波長変換デバイス
５表面とサブマウント１９表面とを水平にする際に生じ
た、光導波路型波長変換デバイスのＸＹ方向の位置ずれ
を補正することができる。ステージ３に可動部を取り付
けた場合も同様である。

【００３９】本実施の形態の実装装置および実装方法を
用いることで、従来０〜１０μｍであった光導波路入射
端位置のＺ方向位置制御精度は、０．１μｍ以内という
非常に高精度な値へ改善された。その結果、半導体レー
ザの出力１００ｍＷに対して７０ｍＷのレーザ光を光導
波路に安定して結合することができ、２０ｍＷの第２高
調波を得ることができた。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、光導波路
デバイスをサブマウントに対し水平に実装することが可
能となり、光導波路デバイスの光導波路入射端位置を高
精度に制御することができ、高効率な光結合が安定して
得られる。従って、光導波路型波長変換デバイスと半導
体レーザをサブマウント上に配置して光導波路デバイス
モジュールを作製する際の、歩留まり向上の効果が大で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】光導波路型波長変換デバイスの構成図

【図２】本発明の実装装置を示す図

【図３】本発明の実装装置および実装方法を示す図

【図４】本発明の実装装置および実装方法を示す図

【図５】本発明の実装装置および実装方法を示す図

【図６】干渉膜厚計の構成を示す図

【図７】本発明の実装装置および実装方法を示す図

【図８】光導波路型波長変換デバイスを用いた光導波路
デバイスモジュールの概略構成図

【図９】従来の実装方法を示す図

【図１０】光導波路入射端位置のばらつきを示す図

【符号の説明】

１搬送機構２降下機構３ステージ５、４８光導波路型波長変換デバイス６、４９Ｘ板ＭｇドープＬｉＮｂＯ₃基板８保護膜９、５０光導波路１０、５１周期的分極反転領域１１半導体レーザ１２距離計測装置１９、５２サブマウント２０保持停止機構２４半田２８コレット３５紫外線硬化剤３６レーザ光導波部４０、５４光導波路入射端位置４１、５３レーザ光出射位置４４ＤＢＲ半導体レーザ４５活性領域４６位相領域４７ＤＢＲ領域５５可動部５６コイル５７光源５８ハーフミラー５９、６０偏光板６１ウォラストンプリズム６２ＣＣＤカメラ６３モニター６４対物レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山本和久大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H037 BA02 DA02 DA18 2H047 KA04 KA11 MA07 QA03 TA01 TA32 TA42 2K002 AB12 CA03 DA06 EA24 FA26 HA20 5F073 AA65 AB21 AB23 FA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波路デバイスをコレットにより保持
しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程
と、前記光導波路デバイスが前記サブマウントに接触す
るように前記光導波路デバイスを前記サブマウント上へ
降下させる工程と、前記コレットによる前記光導波路デ
バイスの保持を停止した後、前記光導波路デバイスを前
記サブマウントに対して加圧し、前記光導波路デバイス
を前記サブマウントへ固定する工程とを有することを特
徴とする光導波路デバイスモジュールの実装方法。
【請求項２】前記光導波路デバイスへの加圧により、
前記光導波路デバイス表面を前記サブマウント表面に対
して水平とすることを特徴とする請求項１に記載の光導
波路デバイスモジュールの実装方法。
【請求項３】前記コレットによる前記光導波路デバイ
スの保持を停止するために、前記コレットより押圧部材
を突出させることを特徴とする請求項１に記載の光導波
路デバイスモジュールの実装方法。
【請求項４】光導波路デバイスをコレットにより保持
しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程
と、前記サブマウント表面と前記光導波路デバイスの距
離を測定する工程と、前記サブマウント表面と前記光導
波路デバイスの距離の測定結果に基づき、前記光導波路
デバイス表面が前記サブマウント表面に対して水平とな
るように前記光導波路デバイスまたは前記サブマウント
の傾斜角を調整する工程と、前記光導波路デバイスを前
記サブマウント上へ固定する工程とを有することを特徴
とする光導波路デバイスモジュールの実装方法。
【請求項５】前記サブマウント表面と前記光導波路デ
バイスの距離を測定する工程において、前記サブマウン
ト表面と前記光導波路デバイスの距離を３点以上で測定
することを特徴とする請求項４に記載の光導波路デバイ
スの実装方法。
【請求項６】前記サブマウント表面と前記光導波路デ
バイスの距離を測定する工程において、距離の測定手段
が光学的手段であることを特徴とする請求項４に記載の
光導波路デバイスモジュールの実装方法。
【請求項７】前記光学的手段として、ＣＣＤカメラま
たは干渉光学系と、画像処理装置とを用いることを特徴
とする請求項６に記載の光導波路デバイスモジュールの
実装方法。
【請求項８】光導波路デバイスをコレットにより保持
しながらサブマウント上の所望の位置へ搬送する工程
と、前記光導波路デバイスを前記コレットにより保持し
ながら前記サブマウントへ接触するまで降下させて前記
光導波路デバイス表面を前記サブマウント表面に対して
水平にする工程と、前記光導波路デバイス表面が前記サ
ブマウント表面に対して水平である状態を保ったまま前
記光導波路デバイスを前記サブマウント上へ固定する工
程とを有することを特徴とする光導波路デバイスモジュ
ールの実装方法。
【請求項９】前記光導波路デバイス表面が前記サブマ
ウント表面に対して水平である状態を保ったまま、前記
光導波路デバイスの位置決めを再度行うことを特徴とす
る請求項８に記載の光導波路デバイスモジュールの実装
方法。
【請求項１０】光導波路デバイスをサブマウント上へ
実装する光導波路デバイスモジュールの実装装置であっ
て、前記光導波路デバイスをコレットにより保持しながら前
記サブマウント上の所望の位置へ搬送し、前記光導波路
デバイスが前記サブマウントに接触するように前記光導
波路デバイスを前記サブマウント上へ降下させる手段
と、前記コレットによる前記光導波路デバイスの保持を
停止させる手段と、前記光導波路デバイスを前記サブマ
ウントに対して加圧する手段とを備え、前記光導波路デバイスの保持を停止させる手段が、前記
コレットより押圧部材を突出させる機構により構成され
ていることを特徴とする光導波路デバイスモジュールの
実装装置。
【請求項１１】光導波路デバイスをサブマウント上へ
実装する光導波路デバイスモジュールの実装装置であっ
て、前記光導波路デバイスをコレットにより保持しながら前
記サブマウント上の所望の位置へ搬送する手段と、前記
サブマウント表面と前記光導波路デバイスの距離を測定
する距離計測装置と、前記距離計測装置による測定結果
に基づき前記光導波路デバイス表面を前記サブマウント
表面に対して水平にする角度調整機構とを備えたことを
特徴とする光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項１２】前記距離計測装置が、光学的手段を用
いた光学計測装置および画像処理装置から構成されてい
ることを特徴とする請求項１１に記載の光導波路デバイ
スモジュールの実装装置。
【請求項１３】前記光学計測装置がＣＣＤカメラまた
は干渉光学系であることを特徴とする請求項１２に記載
の光導波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項１４】前記角度調整機構が、前記コレット、
または前記サブマウントが載置されるステージに取り付
けられていることを特徴とする請求項１１に記載の光導
波路デバイスモジュールの実装装置。
【請求項１５】光導波路デバイスをサブマウント上へ
実装する光導波路デバイスモジュールの実装装置であっ
て、前記光導波路デバイスをコレットにより保持しながら前
記サブマウント上の所望の位置へ搬送する手段と、前記
光導波路デバイスを前記コレットにより保持しながら前
記サブマウントへ接触するまで降下させた時に前記光導
波路デバイス表面を前記サブマウント表面に対して水平
にする可動部と、前記可動部の状態を維持する維持機構
とを備えたことを特徴とする光導波路デバイスモジュー
ルの実装装置。
【請求項１６】前記維持機構が電磁ロックを用いてい
ることを特徴とする請求項１５に記載の光導波路デバイ
スモジュールの実装装置。
【請求項１７】前記可動部が、前記コレット、または
前記サブマウントが載置されたステージに取り付けられ
ていることを特徴とする請求項１６に記載の光導波路デ
バイスモジュールの実装装置。