JP2002274877A - ガラス物品の製造方法 - Google Patents
ガラス物品の製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱透明化処理後の脱気工程の所要時間を短
縮することができるガラス物品の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 気相合成法により合成したガラス微粒子
堆積体を、加熱炉中で加熱処理して脱水、収縮、透明化
させるガラス物品の製造方法において、加熱処理の初期
は前記加熱炉内の雰囲気をＨｅなどの低分子量ガス雰囲
気に保持しながら加熱し、加熱処理中のガラス体の嵩密
度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値となった時点
でＮ2 などの高分子量ガス雰囲気に切り換えて加熱を続
行することを特徴とするガラス物品の製造方法。
縮することができるガラス物品の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 気相合成法により合成したガラス微粒子
堆積体を、加熱炉中で加熱処理して脱水、収縮、透明化
させるガラス物品の製造方法において、加熱処理の初期
は前記加熱炉内の雰囲気をＨｅなどの低分子量ガス雰囲
気に保持しながら加熱し、加熱処理中のガラス体の嵩密
度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値となった時点
でＮ2 などの高分子量ガス雰囲気に切り換えて加熱を続
行することを特徴とするガラス物品の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相合成法により合
成したガラス微粒子堆積体を加熱炉中で加熱処理して脱
水、収縮、透明化させるガラス物品の製造方法に関し、
特に熱処理後の脱気処理時間を短縮することができるガ
ラス物品の製造方法に関する。
成したガラス微粒子堆積体を加熱炉中で加熱処理して脱
水、収縮、透明化させるガラス物品の製造方法に関し、
特に熱処理後の脱気処理時間を短縮することができるガ
ラス物品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ母材、フォトマスク用ガラス
母材などのガラス物品の製造方法として、気相合成法、
例えば気相軸付法（ＶＡＤ法）あるいは外付法（ＯＶＤ
法）により合成されたガラス微粒子堆積体をヘリウム
（Ｈｅ）雰囲気の加熱炉中で加熱処理（焼結）すること
により透明化する方法がある。この焼結と同時にＦ（フ
ッ素）などの添加を行う場合にも焼結処理はＨｅ雰囲気
で行われるので焼結後の製品（焼結体）中にはＨｅが溶
解しており、脱気処理（アニール）が必要である。例え
ば光ファイバ母材の場合、焼結時に溶解したＨｅを線引
き温度での飽和濃度以下になるまで脱気しなければなら
ず、脱気が不完全であると線引き時にＨｅガスによる発
泡が起こり、断線しやすいなどの問題を生じる。脱気処
理は通常、真空状態で焼結体を高温にさらして焼結体中
のＨｅを拡散させることにより行われるが、焼結体の径
が大きくなるとＨｅの拡散が困難となり、脱気に要する
時間が非常に長くなるという問題がある。
母材などのガラス物品の製造方法として、気相合成法、
例えば気相軸付法（ＶＡＤ法）あるいは外付法（ＯＶＤ
法）により合成されたガラス微粒子堆積体をヘリウム
（Ｈｅ）雰囲気の加熱炉中で加熱処理（焼結）すること
により透明化する方法がある。この焼結と同時にＦ（フ
ッ素）などの添加を行う場合にも焼結処理はＨｅ雰囲気
で行われるので焼結後の製品（焼結体）中にはＨｅが溶
解しており、脱気処理（アニール）が必要である。例え
ば光ファイバ母材の場合、焼結時に溶解したＨｅを線引
き温度での飽和濃度以下になるまで脱気しなければなら
ず、脱気が不完全であると線引き時にＨｅガスによる発
泡が起こり、断線しやすいなどの問題を生じる。脱気処
理は通常、真空状態で焼結体を高温にさらして焼結体中
のＨｅを拡散させることにより行われるが、焼結体の径
が大きくなるとＨｅの拡散が困難となり、脱気に要する
時間が非常に長くなるという問題がある。
【０００３】光ファイバの製造工程における焼き入れと
アニール（脱水、収縮、透明化させる熱処理と脱気処理
に相当する）の所要時間を短縮する方法として、先ずＨ
ｅなどの低分子量ガス（第１ガス）雰囲気で部分的にの
み焼き入れし、その後、窒素（Ｎ2 ）などの第１ガスよ
りも分子量の高いガス（第２ガス）雰囲気中で焼き入れ
とアニールを行うようにし、第１ガスから第２ガスへの
切り換え時期をジャケットスートが５〜１５％収縮した
時点とする方法が提案されている（特開平７−１４９５
３４号公報）。しかしながら、本発明者らの追試によれ
ば、この方法の場合にはスート内にＮ2 ガスが混入し、
焼結後のガラスが白濁してしまう場合があることが判明
した。
アニール（脱水、収縮、透明化させる熱処理と脱気処理
に相当する）の所要時間を短縮する方法として、先ずＨ
ｅなどの低分子量ガス（第１ガス）雰囲気で部分的にの
み焼き入れし、その後、窒素（Ｎ2 ）などの第１ガスよ
りも分子量の高いガス（第２ガス）雰囲気中で焼き入れ
とアニールを行うようにし、第１ガスから第２ガスへの
切り換え時期をジャケットスートが５〜１５％収縮した
時点とする方法が提案されている（特開平７−１４９５
３４号公報）。しかしながら、本発明者らの追試によれ
ば、この方法の場合にはスート内にＮ2 ガスが混入し、
焼結後のガラスが白濁してしまう場合があることが判明
した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術における問題点を解決し、加熱透明化処理後の脱
気工程の所要時間を短縮することができるガラス物品の
製造方法を提供することを目的とする。
来技術における問題点を解決し、加熱透明化処理後の脱
気工程の所要時間を短縮することができるガラス物品の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は（１）気相合成
法により合成したガラス微粒子堆積体を、加熱炉中で加
熱処理して脱水、収縮、透明化させるガラス物品の製造
方法において、加熱処理の初期は前記加熱炉内の雰囲気
を低分子量ガス雰囲気に保持しながら加熱し、加熱処理
中のガラス体の嵩密度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれ
かの値となった時点で高分子量ガス雰囲気に切り換えて
加熱を続行することを特徴とするガラス物品の製造方
法、（２）前記高分子量ガス雰囲気に切り換える時期
が、加熱処理中のガラス体の嵩密度が１．９ｇ／ｃｍ3
以上のいずれかの値となった時点であることを特徴とす
る前記（１）のガラス物品の製造方法、及び（３）前記
熱処理における雰囲気ガス中にフッ素化合物を添加し、
熱処理と同時にフッ素添加を行うことを特徴とする前記
（１）又は（２）のガラス物品の製造方法である。
法により合成したガラス微粒子堆積体を、加熱炉中で加
熱処理して脱水、収縮、透明化させるガラス物品の製造
方法において、加熱処理の初期は前記加熱炉内の雰囲気
を低分子量ガス雰囲気に保持しながら加熱し、加熱処理
中のガラス体の嵩密度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれ
かの値となった時点で高分子量ガス雰囲気に切り換えて
加熱を続行することを特徴とするガラス物品の製造方
法、（２）前記高分子量ガス雰囲気に切り換える時期
が、加熱処理中のガラス体の嵩密度が１．９ｇ／ｃｍ3
以上のいずれかの値となった時点であることを特徴とす
る前記（１）のガラス物品の製造方法、及び（３）前記
熱処理における雰囲気ガス中にフッ素化合物を添加し、
熱処理と同時にフッ素添加を行うことを特徴とする前記
（１）又は（２）のガラス物品の製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】気相合成法で得られたガラス微粒
子堆積体を加熱炉中で加熱して脱水、収縮、透明化させ
る熱処理工程（焼結工程）において、加熱処理中のガラ
ス体（加熱処理工程によりガラス微粒子堆積体は収縮し
て緻密化し、透明なガラス物品となるが、この間の被処
理物をガラス体と称する）に溶解している低分子量ガス
（Ｈｅ又はＨ2 ）の濃度は炉内の圧力と低分子量ガスの
濃度によって決まる。すなわち、圧力が一定の場合、炉
内の低分子量ガスの濃度が高くなればそのときの飽和濃
度に達するまで低分子量ガスはガラス体中に溶解してい
く。また、炉内低分子量ガスの濃度が低くなればガラス
体中に溶解している低分子量ガスはガラス体の外へ拡散
しようとする。
子堆積体を加熱炉中で加熱して脱水、収縮、透明化させ
る熱処理工程（焼結工程）において、加熱処理中のガラ
ス体（加熱処理工程によりガラス微粒子堆積体は収縮し
て緻密化し、透明なガラス物品となるが、この間の被処
理物をガラス体と称する）に溶解している低分子量ガス
（Ｈｅ又はＨ2 ）の濃度は炉内の圧力と低分子量ガスの
濃度によって決まる。すなわち、圧力が一定の場合、炉
内の低分子量ガスの濃度が高くなればそのときの飽和濃
度に達するまで低分子量ガスはガラス体中に溶解してい
く。また、炉内低分子量ガスの濃度が低くなればガラス
体中に溶解している低分子量ガスはガラス体の外へ拡散
しようとする。
【０００７】本発明はこの原理を利用して焼結後のガラ
ス体中の溶解低分子量ガス量をできるだけ減らし、後の
脱気工程の所要時間を短縮させることを目的としてお
り、焼結工程の途中で低分子量ガスを止め、該低分子量
ガスよりも分子量の大きい高分子量ガス（Ｎ2 又はＡ
ｒ）を流すことにより炉内低分子量ガス濃度を低くする
ことによってこの目的を達成している。この場合、加熱
炉内の雰囲気を低分子量ガスから高分子量ガスへ切り換
える時期が重要である。切り換え時期が早すぎると高分
子量ガスがガラス体に混入し気泡として残留してしま
い、また、遅すぎると低分子量ガスの拡散効果が小さく
なる。
ス体中の溶解低分子量ガス量をできるだけ減らし、後の
脱気工程の所要時間を短縮させることを目的としてお
り、焼結工程の途中で低分子量ガスを止め、該低分子量
ガスよりも分子量の大きい高分子量ガス（Ｎ2 又はＡ
ｒ）を流すことにより炉内低分子量ガス濃度を低くする
ことによってこの目的を達成している。この場合、加熱
炉内の雰囲気を低分子量ガスから高分子量ガスへ切り換
える時期が重要である。切り換え時期が早すぎると高分
子量ガスがガラス体に混入し気泡として残留してしま
い、また、遅すぎると低分子量ガスの拡散効果が小さく
なる。
【０００８】本発明の方法においてはＨｅなどの低分子
量ガス雰囲気からＮ2 などの高分子量ガス雰囲気への切
り換え時期を判断するパラメータとして加熱処理中のガ
ラス体の嵩密度を採用している。加熱処理前のガラス微
粒子堆積体の嵩密度は０．３〜０．６ｇ／ｃｍ3 程度で
あり、これを加熱処理して透明化すると嵩密度は２．２
ｇ／ｃｍ3 程度となる。本発明の方法では加熱処理の初
期はＨｅなどの低分子量ガス雰囲気とし、ガラス体の嵩
密度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値、好ましく
は１．９ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値となった時点で
Ｎ2 などの高分子量ガス雰囲気に切り換えるようにして
いる。
量ガス雰囲気からＮ2 などの高分子量ガス雰囲気への切
り換え時期を判断するパラメータとして加熱処理中のガ
ラス体の嵩密度を採用している。加熱処理前のガラス微
粒子堆積体の嵩密度は０．３〜０．６ｇ／ｃｍ3 程度で
あり、これを加熱処理して透明化すると嵩密度は２．２
ｇ／ｃｍ3 程度となる。本発明の方法では加熱処理の初
期はＨｅなどの低分子量ガス雰囲気とし、ガラス体の嵩
密度が１．７ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値、好ましく
は１．９ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値となった時点で
Ｎ2 などの高分子量ガス雰囲気に切り換えるようにして
いる。
【０００９】ガラス体の嵩密度が１．７ｇ／ｃｍ3 未満
で切り換えると、前記のとおりＮ2などの高分子量ガス
がガラス体に混入し気泡として残留してしまい、得られ
るガラス物品の品質が低下するが、嵩密度が１．７ｇ／
ｃｍ3 以上になるとＮ2 などの高分子量ガスはガラス体
中に混入しなくなり、焼結と同時にＨｅなどの低分子量
ガスの脱気効果が得られ、後の脱気処理工程の所要時間
を短縮することができる。
で切り換えると、前記のとおりＮ2などの高分子量ガス
がガラス体に混入し気泡として残留してしまい、得られ
るガラス物品の品質が低下するが、嵩密度が１．７ｇ／
ｃｍ3 以上になるとＮ2 などの高分子量ガスはガラス体
中に混入しなくなり、焼結と同時にＨｅなどの低分子量
ガスの脱気効果が得られ、後の脱気処理工程の所要時間
を短縮することができる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明をさら
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。各実施例、比較例においてＶＡＤ
法で合成した純シリカからなる外径２８０ｍｍ、有効部
長さ１０００ｍｍで嵩密度が０．３ｇ／ｃｍ3 のガラス
微粒子堆積体を使用し、これを焼結炉に入れ、雰囲気ガ
スの条件を変えて加熱処理を行い透明ガラス化した。
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。各実施例、比較例においてＶＡＤ
法で合成した純シリカからなる外径２８０ｍｍ、有効部
長さ１０００ｍｍで嵩密度が０．３ｇ／ｃｍ3 のガラス
微粒子堆積体を使用し、これを焼結炉に入れ、雰囲気ガ
スの条件を変えて加熱処理を行い透明ガラス化した。
【００１１】加熱のパターンは各実施例、比較例共通で
図１に示すとおりとし、１２０分間で１１００℃に昇温
し（主として脱水段階）、１１００℃で１２０分間保持
（主としてフッ素添加が行われる段階）、６０分間で１
２１０℃に昇温し１８０分間保持（主として収縮が起こ
る段階）、その後１５０分間で１３８０℃に昇温（主と
して透明化、焼結が進行する段階）した後放冷するパタ
ーンで加熱処理した。また、各実施例、比較例共に脱水
段階では雰囲気ガス中に２．０ｓｌｍ（スタンダードリ
ットル／分）の塩素ガスを添加し、フッ素添加段階以降
は２．０ｓｌｍのＳＦ6 を添加した。
図１に示すとおりとし、１２０分間で１１００℃に昇温
し（主として脱水段階）、１１００℃で１２０分間保持
（主としてフッ素添加が行われる段階）、６０分間で１
２１０℃に昇温し１８０分間保持（主として収縮が起こ
る段階）、その後１５０分間で１３８０℃に昇温（主と
して透明化、焼結が進行する段階）した後放冷するパタ
ーンで加熱処理した。また、各実施例、比較例共に脱水
段階では雰囲気ガス中に２．０ｓｌｍ（スタンダードリ
ットル／分）の塩素ガスを添加し、フッ素添加段階以降
は２．０ｓｌｍのＳＦ6 を添加した。
【００１２】（比較例１）雰囲気ガスとして加熱処理開
始から終了まで２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流しながら
加熱処理した。その結果、全長にわたって良好な透明の
焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得られた。この焼
結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した後、光ファイ
バの線引きを行ったところ、線引き中に断線が多発（約
１００回／Ｍｍ）し、実用にならなかった。なお、この
条件で断線回数を５回／Ｍｍまで減少させるには１２８
時間の脱気処理が必要であった。
始から終了まで２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流しながら
加熱処理した。その結果、全長にわたって良好な透明の
焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得られた。この焼
結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した後、光ファイ
バの線引きを行ったところ、線引き中に断線が多発（約
１００回／Ｍｍ）し、実用にならなかった。なお、この
条件で断線回数を５回／Ｍｍまで減少させるには１２８
時間の脱気処理が必要であった。
【００１３】（比較例２）雰囲気ガスとして加熱処理開
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、４１５分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．５ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この場合はＨｅガスから
Ｎ2 ガスへの切り換えが早すぎたので、得られた焼結体
はＮ2 の混入の影響で白濁しており、品質不良であっ
た。
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、４１５分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．５ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この場合はＨｅガスから
Ｎ2 ガスへの切り換えが早すぎたので、得られた焼結体
はＮ2 の混入の影響で白濁しており、品質不良であっ
た。
【００１４】（実施例１）雰囲気ガスとして加熱処理開
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、４６０分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．７ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この結果、全長にわたっ
て良好な透明の焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得
られ、この焼結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した
後、光ファイバの線引きを行ったところ、比較例１に比
べて断線回数は減少し、断線頻度は５０回／Ｍｍであっ
た。また、脱気処理の時間を４８時間としたところ、断
線回数は１０回／Ｍｍに減少した。なお、この条件で断
線回数を５回／Ｍｍまで減少させるには７２時間の脱気
処理が必要であった。
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、４６０分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．７ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この結果、全長にわたっ
て良好な透明の焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得
られ、この焼結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した
後、光ファイバの線引きを行ったところ、比較例１に比
べて断線回数は減少し、断線頻度は５０回／Ｍｍであっ
た。また、脱気処理の時間を４８時間としたところ、断
線回数は１０回／Ｍｍに減少した。なお、この条件で断
線回数を５回／Ｍｍまで減少させるには７２時間の脱気
処理が必要であった。
【００１５】（実施例２）雰囲気ガスとして加熱処理開
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、５３０分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．９ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この結果、全長にわたっ
て良好な透明の焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得
られ、この焼結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した
後、光ファイバの線引きを行ったところ、断線頻度は５
回／Ｍｍであった。
始から２２．１ｓｌｍのＨｅガスを流し、５３０分経過
した時点でＨｅガスを止め（この段階でガラス体の嵩密
度σは１．９ｇ／ｃｍ3 ）、以後は２２．１ｓｌｍのＮ
2 ガスを流して加熱処理した。この結果、全長にわたっ
て良好な透明の焼結体（嵩密度２．２ｇ／ｃｍ3 ）が得
られ、この焼結体を１０５０℃で２１時間脱気処理した
後、光ファイバの線引きを行ったところ、断線頻度は５
回／Ｍｍであった。
【００１６】各実施例、比較例における加熱処理時間と
ガラス体の嵩密度の変化の状況を図２に、また、嵩密度
と収縮率との関係を図３に示す。なお、上記実施例、比
較例において使用したＳＦ6 の代わりにＣＦ4 又はＳｉ
Ｆ4 を使用しても同様の結果が得られた。
ガラス体の嵩密度の変化の状況を図２に、また、嵩密度
と収縮率との関係を図３に示す。なお、上記実施例、比
較例において使用したＳＦ6 の代わりにＣＦ4 又はＳｉ
Ｆ4 を使用しても同様の結果が得られた。
【００１７】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ガラス微粒子堆
積体を加熱処理して透明化した後の脱気処理工程の所要
時間を大幅に短縮することができ、その産業上の利用価
値は極めて高いものである。
積体を加熱処理して透明化した後の脱気処理工程の所要
時間を大幅に短縮することができ、その産業上の利用価
値は極めて高いものである。
【図１】実施例、比較例における加熱処理の加熱パター
ンを示す図。
ンを示す図。
【図２】実施例、比較例における加熱処理時間とガラス
体の嵩密度の変化の状況を示す図。
体の嵩密度の変化の状況を示す図。
【図３】実施例、比較例における嵩密度と収縮率との関
係を示す図。
係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎本 正 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 大石 敏弘 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 4G014 AH21 4G021 CA13 CA14
Claims (3)
- 【請求項１】 気相合成法により合成したガラス微粒子
堆積体を、加熱炉中で加熱処理して脱水、収縮、透明化
させるガラス物品の製造方法において、加熱処理の初期
は前記加熱炉内の雰囲気を低分子量ガス雰囲気に保持し
ながら加熱し、加熱処理中のガラス体の嵩密度が１．７
ｇ／ｃｍ3 以上のいずれかの値となった時点で高分子量
ガス雰囲気に切り換えて加熱を続行することを特徴とす
るガラス物品の製造方法。 - 【請求項２】 前記高分子量ガス雰囲気に切り換える時
期が、加熱処理中のガラス体の嵩密度が１．９ｇ／ｃｍ
3 以上のいずれかの値となった時点であることを特徴と
する請求項１に記載のガラス物品の製造方法。 - 【請求項３】 前記熱処理における雰囲気ガス中にフッ
素化合物を添加し、熱処理と同時にフッ素添加を行うこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス物品の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076294A JP2002274877A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | ガラス物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076294A JP2002274877A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | ガラス物品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002274877A true JP2002274877A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18933255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001076294A Withdrawn JP2002274877A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | ガラス物品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002274877A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015071517A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| WO2016007691A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Corning Incorporated | Optical fiber with reduced hydrogen sensitivity |
| CN105271649A (zh) * | 2014-07-21 | 2016-01-27 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 用于生产掺杂石英玻璃的方法 |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076294A patent/JP2002274877A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9650281B2 (en) | 2014-07-09 | 2017-05-16 | Corning Incorporated | Optical fiber with reducing hydrogen sensitivity |
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