JP2002270996A

JP2002270996A - プリント回路基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002270996A
Application number: JP2001069944A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Endo; 俊明遠藤; Akio Miyamoto; 昭男宮本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-03-13
Filing date: 2001-03-13
Publication date: 2002-09-20

Abstract

(57)【要約】【課題】煩わしい処理を必要とせず、電子回路基板を
簡便に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】導電性の金属からなる転写層を有する画
像転写材料の転写層表面、及び前記転写層を転写可能な
回路基板の表面の少なくとも一方に、前記転写層を回路
基板表面に転写させるための粘着性材料を含む潜像形成
液を画像様に付与して回路潜像を形成する潜像形成工程
と、前記画像転写材料の転写層表面と前記回路基板の表
面とを接触させて加熱し、前記回路潜像に対応した前記
転写層を前記回路基板表面に転写する転写工程と、を含
むプリント回路基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱転写方式を応用
したプリント回路基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板の製造において、基板
の表面に、回路をなす導体を形成する手段は、大きく分
類すると３種類が知られている。すなわち、第１は、サ
ブトラクティブ法と呼ばれる方法であって、絶縁材の表
面に金属箔を接着した後、その金属箔上に回路となるべ
き部分にエッチングレジストを形成し、不要部分の金属
箔をウエットエッチングにより除去して回路を形成する
方法、第２は絶縁材の表面にスパッタリングにより導体
層を形成した後、エッチングして回路を形成する方法、
第３は、アディテブ法と呼ばれる方法であって、絶縁材
の表面をＰｄ（パラジウム）処理した後、耐めっきレジ
ストで回路以外の部分を覆い、耐めっきレジストが覆わ
れなかった部分に無電解法で導体を析出させる方法であ
る。

【０００３】以上のプリント回路基板の製造方法は、露
光処理や、エッチング処理など煩わしい処理が必要であ
り、プリント基板を容易にかつ短時間で作製することが
できなかった。特に実験・試作など、プリント基板を短
時間で作製することが必要な場合、非常に不便であっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を考慮してなされたものであり、本発明の目的は、高い
解像度を有する電子回路を煩わしい処理を行うことな
く、簡便に形成することができるプリント回路基板の製
造方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記目的は、以下のプリ
ント回路基板の製造装置を提供することにより解決され
る。（１）導電性の金属からなる転写層を有する画像転写材
料の転写層表面、及び前記転写層を転写可能な回路基板
の表面の少なくとも一方に、前記転写層を回路基板表面
に転写させるための粘着性材料を含む潜像形成液を画像
様に付与して回路潜像を形成する潜像形成工程と、前記
画像転写材料の転写層表面と前記回路基板の表面とを接
触させて加熱し、前記回路潜像に対応した前記転写層を
前記回路基板表面に転写する転写工程と、を含むことを
特徴とするプリント回路基板の製造方法である。

【０００６】（２）前記粘着性材料が、熱可塑性を有す
ることを特徴とする前記（１）に記載のプリント回路基
板の製造方法である。（３）前記粘着性材料が、マイクロカプセル化されてい
ることを特徴とする前記（１）または（２）に記載のプ
リント回路基板の製造方法である。（４）前記潜像形成液が、下記一般式（１）で表される
化合物を含むことを特徴とする前記（１）から（３）の
いずれかに記載のプリント回路基板の製造方法である。Ｒ−（Ｓ−Ｐ）ｎ一般式（１）〔Ｒは疎水性基または疎水性重合体を表し、Ｐは下記構
造単位Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つを含み、重
合度が１０以上３５００以下の重合体を表す。ｎは１又
は２を表す。〕

【０００７】

【化２】

【０００８】（５）前記粘着性材料に対する前記一般式
（１）で表される化合物の含有率が、５〜５０質量％で
あることを特徴とする前記（４）に記載のプリント回路
基板の製造方法である。（６）前記転写層が金属蒸着膜からなることを特徴とす
る前記（１）から（５）のいずれかに記載のプリント回
路基板の製造方法である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。本発明のプリント回路基板の製造方法は、先ず、支
持体上に、導電性の金属からなる転写層を設けてなる画
像転写材料と、この画像転写材料の転写層を転写可能な
回路基板とを準備し、該画像転写材料の転写層表面或い
は回路基板表面のいずれか一方に、転写層を回路基板表
面に転写させるための粘着性材料を含む潜像形成液を画
像様に付与して回路潜像を形成する。そして、形成され
た回路潜像を挟んで前記画像転写材料の転写層と前記回
路基板表面とを密着させ、加熱した加圧ローラを通過さ
せた後に、前記画像転写材料と前記回路基板とを剥離
し、回路基板に転写された転写層を乾燥することにて回
路基板上に回路を形成するものである。このプリント回
路基板の製造方法では、回路潜像を形成した部分のみ転
写層を支持体から分離し、転写することで回路基板表面
に回路を形成する。

【００１０】このように、本発明のプリント回路基板の
製造方法は、露光処理やエッチング処理など煩わしい処
理が不要で、文字や画像を紙などに印刷するのと同様の
感覚でプリント回路基板を製造することができる。ま
た、高解像度で回路潜像を形成、転写をすることがで
き、微細部分を有する回路をも容易に形成することがで
きる。以下、本発明のプリント回路基板の製造方法につ
いて詳細に説明する。

【００１１】［潜像形成液］まず、本発明において用い
る潜像形成液について説明する。該潜像形成液としては
粘着性材料を含む液を用いる。ここでいう粘着性材料と
は、常温または加熱時に粘着性を有する物質を指し、主
として有機重合体を挙げることができる。具体的には、
アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル等のアクリル系モノマーの単独重合体
およびその共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、
ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のようなビニル系モ
ノマーの単独重合体およびエチレン−酢酸ビニル等それ
らの共重合体、ポリエステル、ポリアミド等のような縮
合系ポリマー、スチレン−ブタジエン共重合体、アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体のようなゴム系ポリマ
ーを挙げることができる。これらの中でも、ガラス転移
点（Ｔｇ）が９０℃よりも低いポリマーであることが好
ましい。また、これらは水への乳化分散体、所謂ラテッ
クス状態で存在するものであってもよい。さらに、熱可
塑性を有するものが好ましい。

【００１２】また、粘着性材料を含有する液とは、上記
粘着性材料を、水または有機溶剤類の溶媒に溶解または
分散（固体分散および乳化分散を含む）した液をいう。
ここにいう有機溶剤類とは、具体的には、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ
−プロピルアルコールのアルキルアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、等のアミド
類、エチレングリコール、１，２，６ヘキサントリオー
ル、チオジグリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン
等の１価または多価アルコール類、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等の
エーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジアセト
ンアルコール等のケトン類またはケトアルコール類等を
挙げることができる。

【００１３】これら水または有機溶剤類は、粘着性材料
を溶解または分散させるために、各々単独に使用しても
よく、複数種類の溶剤を混合して使用してもよい。ま
た、上記溶液には、吐出適性、液の保存安定性、接着特
性を改善するために、表面張力調整剤、防黴剤、粘度調
整剤、ｐＨ調整剤、消泡剤、可塑剤等を併用することが
できる。

【００１４】また、本発明において、潜像形成液が粘着
性材料を分散形態（固体分散、乳化分散）で含む場合に
は、一般式（１）Ｒ−（Ｓ−Ｐ）ｎで表される化合物
を添加することが好ましい。この化合物を添加すること
により、分散形態にある粘着性材料が凝集を起こすこと
がなく潜像形成液が安定に保持され、また、ノズル詰ま
りが発生することも防がれる。一般式（１）で示される
化合物は、粘着性材料に対し５〜５０質量％、好ましく
は７．５〜２５質量％添加される。

【００１５】一般式（１）中、Ｒは疎水性基または疎水
性重合体を表し、Ｐは下記構造単位Ａ、Ｂ及びＣのうち
の少なくとも１つを含み、重合度が１０以上３５００以
下の重合体を表す。ｎは１又は２を表す。

【００１６】

【化３】

【００１７】ここで、Ｒ¹は−Ｈ又は炭素数１〜６のア
ルキル基を表わし、Ｒ² は−Ｈ又は炭素数１〜１０のア
ルキル基を表わし、Ｒ³は−Ｈ又は−ＣＨ₃を表わし、Ｒ
⁴はＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＯＯＨ（アンモニウム塩又
は金属塩を含む）又は−ＣＮを表わし、Ｘは−Ｈ、−Ｃ
ＯＯＨ（アンモニウム塩又は金属塩を含む）又は−ＣＯ
ＮＨ₂を表わし、Ｙは−ＣＯＯＨ（アンモニウム塩又は
金属塩を含む）、−ＳＯ₃Ｈ（アンモニウム塩又は金属
塩を含む）、−ＯＳＯ₃Ｈ（アンモニウム塩又は金属塩
を含む）、−ＣＨ₂ＳＯ₃Ｈ（アンモニウム塩又は金属塩
を含む）、−ＣＯＮＨＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂ＳＯ₃Ｈ（アン
モニウム塩又は金属塩を含む）又は−ＣＯＮＨＣＨ₂Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｎ⁺ （ＣＨ₃）₃Ｃｌ^-を表わす。

【００１８】前記一般式（１）において、Ｒ¹は−Ｈが
好ましく、Ｒ²は−ＣＨ₃が好ましい。また、上記一般式
（１）で表わされる化合物の代表的な例として、ビニル
アルコールとビニルエステルのランダム又はブロック共
重合体あるいは更にカルボキシル基等のアニオン性基を
有する第３モノマー成分を含むビニルアルコールとビニ
ルエステルのランダム又はブロック共重合体の末端をア
ルキル基又は疎水性重合体で変性したものが挙げられ
る。

【００１９】前記一般式（１）におけるＲの疎水性基と
しては、脂肪族基（例えばアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基など）、芳香族基（例えばフェニル基、ナ
フチル基など）及び脂環基があり、これらは置換されて
いるものも含む。置換基としては、脂肪族基、芳香族
基、脂環基、複素環基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ
基、ニトロ基、Ｎ−置換スルファモイル基、カルバモイ
ル基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、
アリールスルホニルアミノ基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アラルキル基、アシル基などが挙げられる。

【００２０】一般式（１）におけるＲの疎水性基がアル
キル基の場合には、炭素数３〜７０、好ましくは４〜５
０、特に８〜２４が好ましい。Ｒが疎水性基の場合の具
体例は、特開平１０−９５９４２号公報の段落００３４
ないし００４２に開示されている（Ｓ−１）から（Ｓ−
５０）までの基が好ましく挙げられる。

【００２１】また、一般式（１）におけるＲが疎水性重
合体の場合、ポリスチレン及びその誘導体、ポリメタク
リル酸エステル（例えばポリメタクリル酸メチル）及び
その誘導体、ポリアリクル酸エステル及びその誘導体、
ポリブテン、ポリ酢酸ビニル、ポリバーサチック酸ビニ
ル等に代表される水に不溶性のビニル重合体やビニル共
重合体、ポリオキシプロピレンやポリオキシテトラメチ
レンの如き水に不溶性のポリオキシアルキレン類、更に
はポリアミド及びポリエステル等の水不溶性重合体等が
挙げられる。特にポリスチレン及びその誘導体、ポリメ
タクリル酸エステル及びその誘導体、ポリアクリル酸エ
ステル及びその誘導体並びにポリ塩化ビニルが好ましく
用いられる。また、疎水性重合体の重合度は２以上５０
０以下、好ましくは２以上２００以下、更に好ましくは
２以上１００以下である。

【００２２】前記一般式（１）で表される化合物におけ
る重合体Ｐは、上記構造単位Ａ、Ｂ及びＣのうちの少な
くとも１つを含む重合体である。重合体Ａを構成する構
造単位Ａとしては具体的には、ビニルアルコール、α−
メチルビニルアルコール、α−プロピルビニルアルコー
ル等が挙げられる。重合体Ｐを構成する構造単位Ｂとし
ては酢酸ビニル、蟻酸ビニル、プロピオン酸ビニル及び
これらのα置換体が挙げられる。更に重合体Ｐを構成す
る構造単位Ｃとしてはアクリル酸、メタクリル酸又はク
ロトン酸（それぞれアンモニウム塩、又はＮａ、Ｋ等の
金属塩を含む）、マレイン酸又はイタコン酸（それぞれ
モノアルキルエステル、アンモニウム塩、又はＮａ、Ｋ
等の金属塩を含む）、ビニルホスホン酸、ビニル硫酸、
アクリルスルホン酸、メタクリルスルホン酸、２−アク
リルアミド−３−メチルプロパンスルホン酸又は２−メ
タクリルアミド−３−メチルプロパンスルホン酸（それ
ぞれアンモニウム塩、又はＮａ、Ｋ等の金属塩を含
む）、アクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウム
クロリド又はメタクリルアミドプロピルトリメチルアン
モニウムクロリド等の水中でイオン解離する単量体単位
が挙げられる。特にイタコン酸、マレイン酸が好まし
い。

【００２３】これらの中で構造単位Ａとしては、ビニル
アルコール単位が、構造単位Ｂとしては酢酸ビニル単位
が、また構造単位Ｃとしてはカルボン酸（アンモニウム
塩、又はＮａ、Ｋ等の金属塩を含む）を含むビニルモノ
マー単位又はスルホン酸（アンモニウム塩、又はＮａ、
Ｋ等の金属塩を含む）を含むビニルモノマー単位がより
好ましい単位である。

【００２４】重合体Ｐを構成する上記構造単位Ａ、Ｂ及
びＣの含量については特に制限はないが、Ａ、Ｂ、Ｃの
含率をそれぞれｘ、ｙ、ｚモル％とすると、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１００、０≦ｘ≦１００、０≦ｙ≦７５、０≦ｚ≦１
００が好ましく、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、０≦ｘ≦１０
０、０≦ｙ≦５０、０≦ｚ≦５０が特に好ましい。ま
た、構造単位Ｃの含量が１モル％以下の場合、重合体Ｐ
が水溶性又は水分散性であるためには、構造単位Ａの含
量は５０モル％〜１００モル％であるのが好ましい。

【００２５】本発明の一般式（１）で表される化合物は
水溶性から水分散性まで広い範囲のものを含む。本発明
の一般式（１）で表される化合物が水溶性又は水分散性
である限りにおいては、重合体Ｐが上記構造単位Ａ、Ｂ
及びＣ以外の構造単位を含むことも何ら差し支えなく、
これらの構造単位として、例えばエチレン、プロピレ
ン、イソプテン、アクリロニトリル、アクリルアミド、
メタクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、塩化ビニル
又はフッ化ビニル単位が挙げられる。該重合体Ｐの重合
度は１０〜３５００、好ましくは１０〜２０００、更に
好ましくは１０〜１０００、特に好ましくは１０〜５０
０である。

【００２６】該重合体Ｐの構造単位Ａ及びＢにおけるＲ
¹およびＲ²のアルキル基としては、特にメチル基が好ま
しい。また、該アルキル基はヒドロキシル基、アミド
基、カルボキシル基、スルホン酸基、スルフィン酸基、
スルホンアミド基等により置換されていてもよい。

【００２７】本発明における一般式（１）で表される化
合物は、本発明の目的により、これを構成するＰ及びＲ
の最適化学組成、分子量等は異なるが、どの目的におい
ても、ＰとＲの重量比が０．００１≦Ｒ／Ｐ≦２、より
好ましくは０．０１≦Ｒ／Ｐ≦１の組成を有するものが
特に効果が優れている。

【００２８】また、潜像形成液をノズルによって塗布す
る場合、前記粘着性材料はマイクロカプセル化（カプセ
ル化）して用いると、ノズルの詰まりを回避することが
できる。このようなマイクロカプセルは、熱応答性マイ
クロカプセルでも、圧力で壁が破壊されるタイプのもの
でもよく、公知の方法によりマイクロカプセル化するこ
とができる。例えば、親水性壁材を用いたコアセルベー
ション法（ＵＳ−２８００４５７、ＵＳ−２８００４５
８）、界面重合法（ＵＳ−３２８７１５４、特公昭３８
−１９５７４）、ポリマー析出法（ＵＳ−３４１８２５
０）、イソシアネート−ポリオール壁材を用いる方法
（ＵＳ−３７９６６６９）、イソシアネート壁材を用い
る方法（ＵＳ−３９１４５１１）、アミノ・アルデヒド
樹脂壁材を用いる方法（ＵＳ−４００１１４０等）、モ
ノマーの重合によるin situ 重合法（英国９２７８０
７）、スプレードライング法（ＵＳ−３１１１４０７
等）を挙げることができる。

【００２９】例えば、粘着性材料を、水に不溶又は難溶
な溶媒に溶解または分散させた後、これを、マイクロカ
プセルの壁材料を含む水性液体に加え、乳化分散させ、
その後マイクロカプセルの壁を成長させる方法や、粘着
性材料のラテックスを用いてマイクロカプセル化する方
法等が挙げられる。ラテックスを用いる場合、ラテック
スの粒子径は、０．０５〜０．５μｍ、好ましくは０．
１５μｍ以下である。前記溶剤としては、例えば、エス
テル類（酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等）、
ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
プロピルケトン等）が代表として挙げられる。その他
に、芳香族系溶剤、鉱物油類、植物油類、炭化水素類、
高級脂肪酸エステル類、高級アルコール類、高級脂肪酸
アミド類等が挙げられる。

【００３０】粘着性材料をを溶解又は分散させた液を水
中に乳化分散する時、必要に応じて、油相又は水相に、
界面活性剤や保護コロイドを用いることができる。例と
して、水相側に用いる保護コロイドを挙げると、ゼラチ
ン、ゼラチン誘導体、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、変性ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、カルボキシメチルセルロースや、ヒドロキシエチル
セルロース等のセルロース類、無水マレイン酸樹脂、ス
チレン−ブタジエン共重合体、アクリル系ラテックス等
があるが、本発明の場合、上記に限定されない。

【００３１】前記マイクロカプセル壁材料としては、ポ
リイソシアネート化合物、あるいはこれにさらにポリオ
ール化合物組み合わせたものを主成分とするポリウレタ
ン材料が好ましく用いられ、この他に、ポリアミンをさ
らに用いるポリウレア／ポリウレタン材料も壁材料とし
て好適に用いることができる。ポリウレタン材料のポリ
イソシアネート類としては、公知のものが使え、特に代
表的なものとして、トリレンジイソシアネート、ジフェ
ニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、キシリレン
ジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネ
ート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ジベンジルイ
ソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネート、
ｍ−もしくはｐ−テトラメチルキシリレンジイソシアネ
ート、又はトリフェニルメタントリイソシアネートの如
き芳香族ジ−ないしトリイソシアネートモノマー類や、
水添トリレンジイソシアネート、水添ジフェニルメタン
−４，４’−ジイソシアネート、１，４−テトラメチレ
ンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシ
アネート、水添キシリレンジイソシアネート、シクロヘ
キシル−１，４−ジイソシアネート、又はイソホロンジ
イソシアネートの如き脂肪族、又は脂環式ジイソシアネ
ートモノマー類などが挙げられる。本発明には、これら
の単独もしくは２種以上の併用してもよい。

【００３２】さらに、これらの各種ジイソシアネートモ
ノマー類から誘導される３官能以上のポリイソシアヌレ
ート型ポリイソシアネート、アダクト型ポリイソシアネ
ート又はビューレット型ポリイソシアネートの如き各種
のイソシアネートプレポリマーもポリイソシアネートと
して好ましく使用することができる。

【００３３】更に望むならば、上記の各種イソシアネー
ト類に、ポリオールやポリアミンを水相又は、油相中に
併用してもよい。ポリオールの例としては、多価アルコ
ール、ポリウレタンポリオール、アクリルポリオール、
ポリエステルポリオール、ポリエチレングリコール、ポ
リエチレンオキシド、ラクトン変性ポリエステルポリオ
ール、ポリエステルアミドポリオール、アルキドポリオ
ール、ポリエーテルポリオール、変性ポリエーテルポリ
オール等が挙げられる。

【００３４】又、ポリアミンの例としては、公知のもの
が単独又は混合で使用でき、代表的なものとしては、
１，２−エチレンジアミン、ビス−（３−アミノプロピ
ル）−アミン、ヒドラジン、ヒドラジン−２−エタノー
ル、ビス（２−メチルアミノエチル）−メチルアミン、
１，４−ジアミノシクロヘキサン、３−アミノ−１−メ
チルアミノプロパン、Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、Ｎ−メチル−ビス−
（３−アミノプロピル）−アミン、テトラエチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、１−アミノエチル−
１，２−エチレンジアミン、ビス−（Ｎ，Ｎ’−アミノ
エチル）−１，２−エチレンジアミン、ジエチレントリ
アミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘ
キサミン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、
２，４，６−トリアミノトルエントリハイドロクロライ
ド、１，３，６−トリアミノナフタレン、イソホロンジ
アミン、キシリレンジアミン、水添キシリレンジアミ
ン、４，４’−ジアミノフェニルメタン又は水添４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、あるいは、Ｘ−２２
−１６１−ＡＳ、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１６
１Ｂ、Ｘ−２２−１６１Ｃ（信越シリコーン株式会社
製）や、ＢＹ−１６−８２８、ＢＹ−１６−８５０、Ｂ
Ｙ−１６−８４１７、ＢＹ−１６−８４９、ＢＹ−１６
−８７２（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
製）等のシリコーン系ポリアミン類、更に、ジエチレン
トリアミンなどのポリアミン類に、パーフルオロオクチ
ルクロライドやパーフルオロオクチルスルホライドなど
のパーフルオロアルキル化合物を付加した化合物に代表
されるフッ素系ポリアミン類などの、ポリアミンモノマ
ーの誘導体などが挙げられる。

【００３５】以上の方法で作製されるマイクロカプセル
の粒径は、潜像形成液の保存性や潜像形成液吐出ノズル
の目詰まり防止の点から平均粒径が０．０５μm 〜１μ
m 、さらに０．０７μm 〜０．５μm が好ましい。ま
た、マイクロカプセルを濾過又は遠心分離で一度取り出
し、再度水性液体に分散させて潜像形成液とすることも
できる。また、マイクロカプセルの壁の厚さは０．００
５〜０．１μｍ程度が適切である。

【００３６】次に、本発明の方法に用いられる画像転写
材料と回路基板について説明する。本発明において用い
られる画像転写材料は、導電性の金属からなる転写層を
支持体上に設けてなるものである。以下、画像転写材料
を構成している支持体、および転写層、さらに所望によ
り設けられるその他の層について詳述する。

【００３７】＜画像転写材料＞［支持体］画像転写材料の支持体の材料には特に限定は
なく、各種の支持体材料を目的に応じて用いることがで
きる。支持体材料の好ましい例としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体等の合成樹脂材料を挙げること
ができる。中でも、二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トが、機械的強度や熱に対する寸法安定性を考慮すると
好ましい。

【００３８】支持体には、その上に設けられる転写層と
の密着性を向上させるために、表面の粗面化処理および
／または一層または二層以上の下塗層の付設を行なうこ
とが好ましい。表面の粗面化処理の例としては、グロー
放電処理、コロナ放電処理等を挙げることができる。下
塗層の材料としては、支持体と転写層の両表面に高い接
着性を示し、かつ熱伝導性が小さく、また耐熱性に優れ
たものであることが好ましい。そのような下塗層の材料
の例としては、スチレン、スチレン−ブタジエン共重合
体、ゼラチン等を挙げることができる。下塗層全体の厚
さは通常０．０１〜２μｍである。また、画像転写材料
の転写層付設側とは反対側の表面には、必要に応じて、
離型層等の各種の機能層の付設、あるいは表面処理を行
なうこともできる。

【００３９】［転写層］転写層は導電性の金属からな
り、該金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、
金、白金などを挙げることできる。支持体上に転写層を
形成するには、金属を層状に形成できる手法であればよ
く、例えば、蒸着法、スパッタ法、圧延などを挙げるこ
とができる。転写層の層厚は、０．０１〜５μｍとする
ことが好ましい。

【００４０】［その他の層］以上の支持体と転写層との
間には、必要に応じて、その他の層を設けることができ
る。その他の層としては、剥離層、下塗り層などを挙げ
ることができる。

【００４１】支持体上に、転写層がこの順に積層された
構成の画像転写材料の転写層表面、或いは、後述する回
路基板の表面に、潜像形成液を画像様に付与して回路潜
像を形成すると、転写層を構成する金属のうち、潜像形
成液が付着した回路潜像の部分のみ、回路基板の表面に
接着し転写される。

【００４２】＜回路基板＞本発明の方法に用い得る回路
基板としては、絶縁性基板や、積層板などを使用するこ
とができる。絶縁性基板としては、ガラス基板、紙基板
にエポキシ樹脂またはフェノール樹脂などを含浸させた
基板、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムなど
が挙げられ、これらの絶縁性基板は、金属メッキ用触媒
を表面に設けてあったり、少なくとも一面に薄い導電層
が形成されていたりしてもよい。また、積層板として
は、前記絶縁性基板の少なくとも１面に、銅、アルミニ
ウム、銀、鉄、金などの導電層を設けた積層板を使用す
ることができる。これらの積層板の例は、「プリント回
路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、
１９９３年発刊、日刊工業新聞社）に記載されている。

【００４３】本発明のプリント回路基板の製造方法は、
上記の如き画像転写材料、回路基板および潜像形成液を
用いて行われる。

【００４４】次に、本発明において使用されるプリント
回路基板製造装置を図面を参照して説明するとともに、
プリント回路基板の製造方法を工程毎に順次説明する。
図１は本発明に係るプリント回路基板製造装置の構成を
示す概念図である。プリント回路基板製造装置１には、
画像転写材料５に液滴状の潜像形成液を付与する吐出ヘ
ッド（ノズルヘッド）１３と、画像転写材料５と回路基
板１１とを密着させ、転写を行うための加熱手段を備え
た支持ドラム３とピンチローラー７とからなる一対の加
圧ローラーとを備える。支持ドラム３には支持体上に転
写層を形成した画像転写材料５が、外周の一部分に巻き
付けられるようにして支持される。支持体に形成される
転写層には蒸着した導電性の金属が含まれる。

【００４５】画像転写材料５は支持体側が支持ドラム３
に接触し、転写層側が表面となるようにして支持ドラム
３に支持される。プリント回路基板製造装置１には、支
持ドラム３と同一軸方向のピンチローラ７を対向配置し
てある。このピンチローラ７の内部には温度制御可能な
ヒータを内蔵してある。

【００４６】この支持ドラム３とピンチローラ７との間
には、搬送ベルト１４上に位置させた回路基板１１が挿
入される。支持ドラム３とピンチローラ７との間には、
画像転写材料５と受像体１１と搬送ベルト１４とが、転
写層と回路基板１１の表面とが互いに密着するように積
層され、加圧ローラー間に挿入され、加熱されながら、
支持ドラム３とピンチローラ７の回転によって図中右方
向に移動するようになっている。

【００４７】プリント回路基板製造装置１には支持ドラ
ム３に対向して液滴吐出ヘッド１３を設けてある。液滴
吐出ヘッド１３は図示されない移動レールなどを介して
画像転写材料の幅方向自在に移動可能に配置されてい
る。この液滴吐出ヘッド１３の移動方向は、回路画像形
成のための主走査方向となる。この液滴吐出ヘッド１３
は液状の潜像形成液からなる液滴を画像様に吐出し、支
持ドラム３に支持された画像転写材料５の画像転写層表
面に回路潜像を形成する。この液滴吐出ヘツド１３の構
造としては、公知の一般的なインクジェット印刷装置に
用いられるインクヘッドと同様の構造を有するものが適
用できる。

【００４８】画像転写材料５に対して、液滴吐出ヘッド
１３から潜像形成液の液滴を画像様に吐出して画像転写
材料５の転写層に回路潜像を形成する。この工程が潜像
形成工程である。

【００４９】次に、回路潜像が形成された画像転写材料
５の転写層と回路基板１１の表面とが密着するように積
層し、支持ドラム３とピンチローラ７とにより加圧す
る。この時、支持ドラム３内部の加熱手段を制御して所
定の条件で回路基板１１及び画像転写材料５の全面が加
熱されることで、画像様に潜像形成液が付着した回路潜
像部分のみが回路基板１１表面に画像様に転写される。
即ち、転写工程である。その後、画像転写材料５が支持
ドラム３に沿って、円周方向に巻かれて搬送されること
で、画像転写材料５が受像シート１１から剥離され、回
路基板１１表面に回路が形成される。

【００５０】このように、上述のプリント回路基板製造
装置１を用いた製造方法によれば、画像転写材料５及び
回路基板１１を、全面的に加熱することで、潜像形成液
が付着した回路潜像部分のみの転写性が向上し、回路潜
像部分のみが選択的に回路基板１１へ転写、定着させ
る。

【００５１】次にプリント回路基板製造装置の別の態様
について説明する。図２はプリント回路基板製造装置の
第２の構成を示す。プリント回路基板製造装置２０は、
回路基板１１表面に液滴状の潜像形成液を付与する吐出
ヘッド２１と、画像転写材料５と回路基板１１とを密着
させ、転写を行うための支持ドラム３と加熱手段を備え
たピンチローラー７とからなる一対の加圧ローラーと、
密着し、転写工程を終了した画像転写材料５と回路基板
１１とを剥離させるための剥離バー２３とを備える。

【００５２】この実施形態によるプリント回路基板製造
装置２０では、支持ドラム３の搬送方向下流側に、画像
転写材料５を回路基板１１側へ押圧するピールバー（剥
離バー）２３を設けてある。また、剥離バー２３と画像
転写材料５の巻き取り手段２５との間では、画像転写材
料５が所定の張力で巻き取られるようになっている。更
に、剥離バー２３を通過した後の画像転写材料５は、回
路基板１１に対して直角に近い角度で剥離されるように
なっている。このように構成したプリント回路基板製造
装置２０によれば、剥離バー２３を境に、画像転写材料
５の支持体が直角に近い角度で屈曲されるので、支持体
と転写層との剥離が曲げ半径の違いにより促進されるこ
ととなり、回路基板１１表面への転写層の定着を良好に
することができる。

【００５３】プリント回路基板製造装置２０は、支持ド
ラム３に対向して液滴吐出ヘッド２１を設けてある。液
滴吐出ヘッド２１は回路基板１１の幅方向自在に移動可
能なようになっている。この態様においては、吐出ヘッ
ド２１が回路基板１１方向に液滴を吐出する点、及び、
画像転写材料５と回路基板１１とを安定に剥離させるた
めの剥離バー２３を備える点を除けば、前記プリント回
路基板製造装置１と同様の構成を有する。この液滴吐出
ヘッド２１は潜像形成液の液滴を画像様に回路基板１１
表面に吐出して、回路潜像を形成するが、この回路基板
１１は、支持ドラム３に支持された画像転写材料５の転
写層表面と密着して、回路潜像形成部分における転写層
の転写性を向上させる機能を有する。

【００５４】この態様では、潜像形成液を画像転写材料
ではなく、回路基板１１に吐出するので、薄い回路基板
を用いた場合にも、吐出要因による回路潜像の位置精度
の低下を抑えることができる。

【００５５】このように、本発明のプリント回路基板の
製造方法においては、潜像形成液による画像様の回路潜
像を形成して、当該部分の転写層自体を回路基板１１に
転写、定着して回路を形成することができる。また、前
記したように、潜像形成液による回路潜像は、画像転写
材料５の転写層表面に形成されても、回路基板の表面に
形成されても同様の効果を奏する。

【００５６】以下に、本発明のプリント回路基板製造装
置の変形例について説明する。本発明に係るプリント回
路基板製造装置３０においては、図３に示すように、前
記液滴吐出ヘッドの液滴吐出方向が、前記画像転写材料
５及び前記回路基板１１のいずれの方向ともすることが
できるように、吐出方向を切り換え自在に設けて、材料
や転写条件により適宜吐出方向を変更し得るように配置
してある。

【００５７】液滴吐出ヘッド３１の方向切り換え構造と
しては、単一または複数の吐出孔を有する液滴吐出ヘッ
ド３１を、回動自在に設けるもの（図３に示したもの）
の他、予めそれぞれの方向に吐出孔を設けておき、必要
に応じていずれか一方の吐出孔を開閉制御するもの等が
考えられる。このプリント回路基板製造装置３０によれ
ば、使用する画像転写材料５または回路基板１１と液滴
との適性に基づき、いずれか好適な画像形成面に対し
て、液滴吐出ヘッド３１の液滴吐出方向を切り換えて、
回路潜像を形成することが可能となる。

【００５８】また、本発明の製造方法において、転写工
程の後、受像シートの受像面を加熱乾燥する工程を加え
ることが好ましい。この方法を実施するためのプリント
回路基板製造装置として、図４および図５の加熱乾燥装
置を設けたプリント回路基板製造装置が挙げられる。図
４で示されるプリント回路基板製造装置４０は、前記図
１で示される製造装置に、さらに加熱乾燥装置２７を転
写位置よりも下流側に設置したものであり、また、図５
で示されるプリント回路基板製造装置５０においては、
前記図２で示されるプリント回路基板製造装置に、剥離
バー２３よりも下流側に加熱乾燥装置２７を設けたもの
である。また、図示していないが、潜像形成液を画像転
写材料または回路基板に像様に付与した後であって転写
する前に、解像度を低下させないため、前記付与面を加
熱乾燥させることが好ましい。

【００５９】吐出ヘッドの変形例として、液滴吐出タイ
プではなく、潜像形成液を面状または線状に液滴を吐出
できるものを用い、その液滴吐出ヘッドと画像転写材料
或いは受像シートとの間に、画像様に透孔を形成したマ
スクを配設する態様を用いても同様の効果を得ることが
できる。面状に液滴を吐出する手段としては、例えば、
複数の吐出孔を設けるもの、或いは拡散ノズルを設ける
ものが挙げられ、線状に液滴を吐出する手段としては、
主走査方向に線状に並べた吐出孔を、副走査方向に移動
させるもの等が挙げられる。このプリント回路基板製造
装置によれば、液滴を面状に吐出するので、高速に回路
潜像の形成することができる。

【００６０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらに制限されるものではない。な
お、本実施例においては、特にことわりのない限り、
「部」は「質量部」を、「％」は「質量％」を示す。実施例１＜画像転写材料の作製＞支持体として、厚さ１０μｍの
ポリエチレンテレフタレート（東レ製）を用い、この支
持体表面にアルミニウムを厚さ０．１μｍとなるように
蒸着し、該アルミニウムからなる転写層を形成し、画像
転写材料を得た。＜回路基板の作製＞回路基板としては、フェノール樹脂
板を、２００ｍｍ×３００ｍｍに加工したものを用い
た。

【００６１】＜潜像形成工程＞潜像形成液として以下の
ものを用いた。（粘着性材料を含む潜像形成液１の調製）ポリメチルメタクリレート樹脂（Ｔｇ：５５℃）１２部メチルエチルケトン３００部アセトン３００部上記成分を均一に攪拌し、潜像形成液１を得た。図１に
示すプリント回路基板製造装置１に画像転写材料と回路
基板と潜像形成液１とをセットし、液滴吐出ヘッド１３
から潜像形成液１を吐出して、画像転写材料に回路潜像
を形成した。

【００６２】＜転写工程＞続いて、支持ドラム３とピン
チローラ７により、回路潜像を形成した画像転写材料及
び回路基板を用いて、回路上に転写層を転写した。

【００６３】＜乾燥工程＞最後に、１００℃に設定した
加熱乾燥装置２７を用いて、転写後の回路基板を乾燥さ
せ、プリント回路基板を得た。以上の工程よるプリント
回路基板の製造に要した時間は、５分間であった。ま
た、回路内の微細部分において金属が良好に転写されて
おり、通電してもショートすることがなかった。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるプ
リント回路基板の製造方法によれば、露光処理、エッチ
ング処理など煩わしい処理を必要とせず、電子回路基板
を簡便に製造することができる。また、高解像度で回路
潜像の形成、転写することができ、微細な回路を有する
プリント回路基板を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるプリント回路基板製造装置の
一態様を示す概念図である。

【図２】本発明に係わるプリント回路基板製造装置の
吐出ヘッドが受像シート方向に配置された態様を示す概
念図である。

【図３】本発明に係わるプリント回路基板製造装置の
吐出ヘッドの方向が切り替え可能に配置された態様を示
す概念図である。

【図４】図１のプリント回路基板製造装置に加熱乾燥
装置を設けたプリント回路基板製造装置の一態様を示す
概念図である。

【図５】図２のプリント回路基板製造装置に加熱乾燥
装置を設けたプリント回路基板製造装置の一態様を示す
概念図である。

【符号の説明】

１、２０、３０、４０、５０プリント回路基板製造装
置３支持ドラム５画像転写材料７ピンチローラ１１回路基板１３、２１、３１吐出ヘッド（ノズルヘッド）１４搬送ベルト２３剥離部材（剥離バー）２７加熱乾燥装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性の金属からなる転写層を有する画
像転写材料の転写層表面、及び前記転写層を転写可能な
回路基板の表面の少なくとも一方に、前記転写層を回路
基板表面に転写させるための粘着性材料を含む潜像形成
液を画像様に付与して回路潜像を形成する潜像形成工程
と、前記画像転写材料の転写層表面と前記回路基板の表面と
を接触させて加熱し、前記回路潜像に対応した前記転写
層を前記回路基板表面に転写する転写工程と、を含むこ
とを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項２】前記粘着性材料が、熱可塑性を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板の製
造方法。
【請求項３】前記粘着性材料が、マイクロカプセル化
されていることを特徴とする請求項１または２に記載の
プリント回路基板の製造方法。
【請求項４】前記潜像形成液が、下記一般式（１）で
表される化合物を含むことを特徴とする請求項１から３
のいずれか１項に記載のプリント回路基板の製造方法。Ｒ−（Ｓ−Ｐ）ｎ一般式（１）〔Ｒは疎水性基または疎水性重合体を表し、Ｐは下記構
造単位Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つを含み、重
合度が１０以上３５００以下の重合体を表す。ｎは１又
は２を表す。〕【化１】
【請求項５】前記粘着性材料に対する前記一般式
（１）で表される化合物の含有率が、５〜５０質量％で
あることを特徴とする請求項４に記載のプリント回路基
板の製造方法。
【請求項６】前記転写層が金属蒸着膜からなることを
特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のプリ
ント回路基板の製造方法。