JP2002262448A - 電力遮断装置 - Google Patents
電力遮断装置Info
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- power
- integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源端子に異常な高電圧もしくは逆電圧が集
積回路へ印加される等の原因で集積回路が異常な高温に
なったときに、集積回路が破壊されおよび発火するのを
防止する。 【解決手段】 本発明の電力遮断装置は、半導体パッケ
ージ４内に配置された半導体チップ１の所定の位置に配
置された電源遮断素子３を備え、前記電源遮断素子３
は、前記半導体チップ１が所定の温度以上になると、前
記半導体チップ１に供給される電力を遮断する。また。
電源遮断素子３は半導体チップ１の表面または内部のい
ずれに配置してもよい。
積回路へ印加される等の原因で集積回路が異常な高温に
なったときに、集積回路が破壊されおよび発火するのを
防止する。 【解決手段】 本発明の電力遮断装置は、半導体パッケ
ージ４内に配置された半導体チップ１の所定の位置に配
置された電源遮断素子３を備え、前記電源遮断素子３
は、前記半導体チップ１が所定の温度以上になると、前
記半導体チップ１に供給される電力を遮断する。また。
電源遮断素子３は半導体チップ１の表面または内部のい
ずれに配置してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路を有する
半導体チップの温度が異常に上昇したときに、半導体チ
ップに供給される電力を遮断し、半導体が発火するのを
防止する電力遮断装置に関する。
半導体チップの温度が異常に上昇したときに、半導体チ
ップに供給される電力を遮断し、半導体が発火するのを
防止する電力遮断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電力遮断装置として、図
５に示すような集積回路１００が形成された半導体チッ
プを有するものがある。この従来の電力遮断装置は、電
力を供給するために電源電圧Ｖｃｃを供給する電力供給
端子１０１にコンパレータ１０２および電流源１０６の
一端が接続される。電流源１０６の他端とグランドとの
間には、ダイオード１０７が直列に接続される。電流源
１０６とダイオード１０７との接続点は、コンパレータ
１０２の１つの入力端子に接続される。コンパレータ１
０２の他の入力端子には、基準電源１０８が接続され
る。この基準電源１０８は、コンパレータ１０２の他の
入力端子に基準電圧Ｖｒを与える。さらに、電力供給端
子１０１には保護ダイオード１０９の一端が接続され、
保護ダイオード１０９の他端は接地される。
５に示すような集積回路１００が形成された半導体チッ
プを有するものがある。この従来の電力遮断装置は、電
力を供給するために電源電圧Ｖｃｃを供給する電力供給
端子１０１にコンパレータ１０２および電流源１０６の
一端が接続される。電流源１０６の他端とグランドとの
間には、ダイオード１０７が直列に接続される。電流源
１０６とダイオード１０７との接続点は、コンパレータ
１０２の１つの入力端子に接続される。コンパレータ１
０２の他の入力端子には、基準電源１０８が接続され
る。この基準電源１０８は、コンパレータ１０２の他の
入力端子に基準電圧Ｖｒを与える。さらに、電力供給端
子１０１には保護ダイオード１０９の一端が接続され、
保護ダイオード１０９の他端は接地される。
【０００３】一方、電力供給端子１０１にはレギュレー
タ１０３が接続され、このレギュレータ１０３の出力端
子にはスイッチ回路１０５を介して負荷１０４が接続さ
れる。スイッチ回路１０５は、コンパレータ１０２の出
力により制御される。
タ１０３が接続され、このレギュレータ１０３の出力端
子にはスイッチ回路１０５を介して負荷１０４が接続さ
れる。スイッチ回路１０５は、コンパレータ１０２の出
力により制御される。
【０００４】図６は、ダイオードの特性を示す図であ
る。図６に示すように、ダイオード１０７は、温度Ｔが
変化するとダイオード１０７の端子電圧Ｖｆが変化する
温度検出ダイオードである。ダイオード１０７の温度Ｔ
がＴ１からＴ２へ変化すると、ダイオード１０７の端子
電圧ＶｆはＶｆ１からＶｆ２へ変化する。
る。図６に示すように、ダイオード１０７は、温度Ｔが
変化するとダイオード１０７の端子電圧Ｖｆが変化する
温度検出ダイオードである。ダイオード１０７の温度Ｔ
がＴ１からＴ２へ変化すると、ダイオード１０７の端子
電圧ＶｆはＶｆ１からＶｆ２へ変化する。
【０００５】次に、本発明の集積回路１００の動作につ
いて説明する。通常の温度Ｔ１゜Ｃで動作している集積
回路１００では、コンパレータ１０２の一端の電圧Ｖｆ
１が基準電圧Ｖｒよりも少し高くなるように設定してあ
り、そのときにはコンパレータ１０２の出力はスイッチ
回路１０５をオン状態に制御するように構成される。一
方、何らかの原因、たとえば、電力供給源１０１に異常
高電圧が印加された場合には、集積回路１００に過大な
電流が流れ、集積回路１００の各部の温度が上昇する。
このときには、図６に示すように、集積回路１００の温
度が、たとえば、Ｔ２゜Ｃになっていたとすると、ダイ
オード１０７の端子電圧はＶｆ２となり、基準電圧Ｖｒ
よりも低下する。このダイオード１０７の端子電圧の低
下に対応して、コンパレータ１０２はスイッチ回路１０
５をオフに制御する。これによって、負荷１０４での熱
の発生は終了し、集積回路１００の温度上昇は止まり、
集積回路１００を保護することができる。また、保護ダ
イオード１０９は、電力供給端子１０１に異常電圧が印
加されたときに回路を保護するダイオードであり、一
方、逆電圧が印加されたときには、この保護ダイオード
１０９に大電流が流れ保護ダイオード１０９の温度およ
び回路基板の温度を上昇させ、それによってダイオード
１０７の電圧を変化させる働きもする。
いて説明する。通常の温度Ｔ１゜Ｃで動作している集積
回路１００では、コンパレータ１０２の一端の電圧Ｖｆ
１が基準電圧Ｖｒよりも少し高くなるように設定してあ
り、そのときにはコンパレータ１０２の出力はスイッチ
回路１０５をオン状態に制御するように構成される。一
方、何らかの原因、たとえば、電力供給源１０１に異常
高電圧が印加された場合には、集積回路１００に過大な
電流が流れ、集積回路１００の各部の温度が上昇する。
このときには、図６に示すように、集積回路１００の温
度が、たとえば、Ｔ２゜Ｃになっていたとすると、ダイ
オード１０７の端子電圧はＶｆ２となり、基準電圧Ｖｒ
よりも低下する。このダイオード１０７の端子電圧の低
下に対応して、コンパレータ１０２はスイッチ回路１０
５をオフに制御する。これによって、負荷１０４での熱
の発生は終了し、集積回路１００の温度上昇は止まり、
集積回路１００を保護することができる。また、保護ダ
イオード１０９は、電力供給端子１０１に異常電圧が印
加されたときに回路を保護するダイオードであり、一
方、逆電圧が印加されたときには、この保護ダイオード
１０９に大電流が流れ保護ダイオード１０９の温度およ
び回路基板の温度を上昇させ、それによってダイオード
１０７の電圧を変化させる働きもする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電力遮断装置においては、前述のように、電力供給源１
０１に異常高電圧が印加された時には負荷１０４への供
給電力を遮断することができるが、集積回路１００に逆
電圧が印加された時には、コンパレータ１０２が動作せ
ず、そのために、負荷１０４への電力供給を遮断するこ
とができない。従って、集積回路が破壊され最悪の場合
には発火に至るという問題がある。また、従来の電力遮
断装置においては、コンパレータ１０２が必要であるの
で、集積回路１００全体として、消費電力が大きくなる
という問題がある。
電力遮断装置においては、前述のように、電力供給源１
０１に異常高電圧が印加された時には負荷１０４への供
給電力を遮断することができるが、集積回路１００に逆
電圧が印加された時には、コンパレータ１０２が動作せ
ず、そのために、負荷１０４への電力供給を遮断するこ
とができない。従って、集積回路が破壊され最悪の場合
には発火に至るという問題がある。また、従来の電力遮
断装置においては、コンパレータ１０２が必要であるの
で、集積回路１００全体として、消費電力が大きくなる
という問題がある。
【０００７】本発明の目的は、電源端子に異常高電圧ま
たは逆電圧が印加された時に、これらの異常電圧または
逆電圧のために、集積回路が破壊し、または集積回路が
発火するのを防止することができる電力遮断装置を提供
することにある。
たは逆電圧が印加された時に、これらの異常電圧または
逆電圧のために、集積回路が破壊し、または集積回路が
発火するのを防止することができる電力遮断装置を提供
することにある。
【０００８】また、本発明の他の目的は、コンパレータ
を不要として消費電力を低減することができる電力遮断
装置を提供することにある。
を不要として消費電力を低減することができる電力遮断
装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、半導体パッケージ内に配置
された半導体チップの所定の位置に配置された電源遮断
素子を備え、前記電源遮断素子は、前記半導体チップが
所定の温度以上になると、前記半導体チップに供給され
る電力を遮断することを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、半導体パッケージ内に配置
された半導体チップの所定の位置に配置された電源遮断
素子を備え、前記電源遮断素子は、前記半導体チップが
所定の温度以上になると、前記半導体チップに供給され
る電力を遮断することを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明は、電源遮断素子が、
前記半導体チップ上のいずれかの表面に配置されること
を特徴とする。
前記半導体チップ上のいずれかの表面に配置されること
を特徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、電源遮断素子が、
前記半導体チップの内部に配置されることを特徴とす
る。
前記半導体チップの内部に配置されることを特徴とす
る。
【００１２】請求項４記載の発明は、電源遮断素子の一
端が電力供給源に接続され、他端が半導体チップの電源
端子に接続されることを特徴とする。
端が電力供給源に接続され、他端が半導体チップの電源
端子に接続されることを特徴とする。
【００１３】請求項５記載の発明は、前記電源遮断素子
が、ポリスイッチ、サーモスタットまたはヒューズで構
成されることを特徴とする。
が、ポリスイッチ、サーモスタットまたはヒューズで構
成されることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．次に、本発明の実
施の形態１の発明を図面に基づいて詳細に説明する。図
１は、本発明の実施の形態１の電力遮断装置を示す斜視
図である。図２は、本発明の実施の形態１の電力遮断装
置の回路構成を示す図である。
施の形態１の発明を図面に基づいて詳細に説明する。図
１は、本発明の実施の形態１の電力遮断装置を示す斜視
図である。図２は、本発明の実施の形態１の電力遮断装
置の回路構成を示す図である。
【００１５】図１に示すように、本発明の実施の形態１
の電力遮断装置は、半導体チップ１と、その半導体チッ
プ１の適切な位置に配置された電源遮断素子３、および
半導体チップ１を配置するためのパッケージ４とから構
成される。電源遮断素子３は、半導体チップ１の温度上
昇を最適に検知できる位置に固着され、その一端は電力
供給端子１０１に接続され、その他端は半導体チップ１
の電源端子５に接続される。パッケージ４は、複数の端
子を有し、その中には、外部電源の電源端子に接続され
る電力供給端子１０１、外部電源のグランド端子に接続
されるグランド端子６および外部との信号のやり取りを
行うその他の端子７〜１８を備えている。パッケージ４
の実際の端子数はパッケージ４の種類によって異なり、
図１は単にその一例を示す。電力供給端子１０１には、
外部電源から、直流電圧Ｖｃｃが印加される。
の電力遮断装置は、半導体チップ１と、その半導体チッ
プ１の適切な位置に配置された電源遮断素子３、および
半導体チップ１を配置するためのパッケージ４とから構
成される。電源遮断素子３は、半導体チップ１の温度上
昇を最適に検知できる位置に固着され、その一端は電力
供給端子１０１に接続され、その他端は半導体チップ１
の電源端子５に接続される。パッケージ４は、複数の端
子を有し、その中には、外部電源の電源端子に接続され
る電力供給端子１０１、外部電源のグランド端子に接続
されるグランド端子６および外部との信号のやり取りを
行うその他の端子７〜１８を備えている。パッケージ４
の実際の端子数はパッケージ４の種類によって異なり、
図１は単にその一例を示す。電力供給端子１０１には、
外部電源から、直流電圧Ｖｃｃが印加される。
【００１６】図２に示すように、半導体チップ１中の集
積回路２は、保護ダイオード１０９と、レギュレータ１
０３とを有している。レギュレータ１０３には負荷１０
４が接続されている。電源遮断素子３は、電力供給端子
１０１と半導体チップ１の電源端子５間に接続される。
電源端子５は、保護ダイオード１０９の一端およびレギ
ュレータ１０３に接続される。保護ダイオード１０９の
他端は接地される。半導体チップ１のグランド端子２１
はパッケージ４のグランド端子６に接続される。一方、
レギュレータ１０３の出力は従来の半導体チップ１と異
なり、直接に外部の負荷１０４に接続される。なお、図
２において、実施の形態１の半導体チップ１はコンパレ
ータ１０２を有しないことに注意すべきである。
積回路２は、保護ダイオード１０９と、レギュレータ１
０３とを有している。レギュレータ１０３には負荷１０
４が接続されている。電源遮断素子３は、電力供給端子
１０１と半導体チップ１の電源端子５間に接続される。
電源端子５は、保護ダイオード１０９の一端およびレギ
ュレータ１０３に接続される。保護ダイオード１０９の
他端は接地される。半導体チップ１のグランド端子２１
はパッケージ４のグランド端子６に接続される。一方、
レギュレータ１０３の出力は従来の半導体チップ１と異
なり、直接に外部の負荷１０４に接続される。なお、図
２において、実施の形態１の半導体チップ１はコンパレ
ータ１０２を有しないことに注意すべきである。
【００１７】次に、図２に示される半導体チップ１の動
作について説明する。電源遮断素子３は、半導体チップ
１から熱を受ける位置に配置され、半導体チップ１の温
度が所定温度以上になると電力供給端子１０１と電源端
子５間の電気的接続を遮断する。半導体チップ１が高温
になる原因は、従来の技術のところで説明したように電
力供給端子１０１に異常な高電圧または逆電圧が印加さ
れる合、または集積回路２中の部品が故障によって異常
に発熱した場合等がある。これらの場合には、集積回路
２には異常な大電流が流れて全体的にまたは局所的に熱
が発生して集積回路２および半導体チップ１の温度が上
昇する。
作について説明する。電源遮断素子３は、半導体チップ
１から熱を受ける位置に配置され、半導体チップ１の温
度が所定温度以上になると電力供給端子１０１と電源端
子５間の電気的接続を遮断する。半導体チップ１が高温
になる原因は、従来の技術のところで説明したように電
力供給端子１０１に異常な高電圧または逆電圧が印加さ
れる合、または集積回路２中の部品が故障によって異常
に発熱した場合等がある。これらの場合には、集積回路
２には異常な大電流が流れて全体的にまたは局所的に熱
が発生して集積回路２および半導体チップ１の温度が上
昇する。
【００１８】電源遮断素子３は、例えば、ポリスイッチ
（なお、ポリスイッチはＲａｙｃｈｅｍ社が発売してい
る商品名である）、サーモスタットまたはヒューズで構
成される。電源遮断素子３は、ポリスイッチまたはサー
モスタットで構成した場合は、半導体チップ１の温度が
前記所定温度以下となると再び使用することができる。
前記所定の温度は、通常、例えば、集積回路２内のトラ
ンジスタが動作しなくなる温度である１５０℃以上の値
に設定される。
（なお、ポリスイッチはＲａｙｃｈｅｍ社が発売してい
る商品名である）、サーモスタットまたはヒューズで構
成される。電源遮断素子３は、ポリスイッチまたはサー
モスタットで構成した場合は、半導体チップ１の温度が
前記所定温度以下となると再び使用することができる。
前記所定の温度は、通常、例えば、集積回路２内のトラ
ンジスタが動作しなくなる温度である１５０℃以上の値
に設定される。
【００１９】なお、図２において、保護ダイオード１０
９は、電源端子５に所定値以上の電圧が印加された時に
は逆方向の電流が流れ、電源端子５の電圧が高電圧にな
るのを防止し、それによって、レギュレータ１０３およ
び負荷１０４に異常電圧が印加されるのを防止する。し
かしながら、上述のように、ユーザが誤って電力供給端
子１０１に逆電圧を印加した場合には、保護ダイオード
１０９に過大な電力が流れ、保護ダイオード１０９等が
発熱するので、電源遮断素子３はその発熱を検知し電力
供給端子１０１から電源端子５への電力供給を遮断す
る。
９は、電源端子５に所定値以上の電圧が印加された時に
は逆方向の電流が流れ、電源端子５の電圧が高電圧にな
るのを防止し、それによって、レギュレータ１０３およ
び負荷１０４に異常電圧が印加されるのを防止する。し
かしながら、上述のように、ユーザが誤って電力供給端
子１０１に逆電圧を印加した場合には、保護ダイオード
１０９に過大な電力が流れ、保護ダイオード１０９等が
発熱するので、電源遮断素子３はその発熱を検知し電力
供給端子１０１から電源端子５への電力供給を遮断す
る。
【００２０】実施の形態１の発明によれば、半導体チッ
プ１の温度が所定温度以上となると、電源遮断素子３が
電力供給端子１０１と電源端子５間の電気的な接続を遮
断するので、半導体チップ１への電力の供給が遮断さ
れ、半導体チップ１の温度がそれ以上高温になることを
防止する。
プ１の温度が所定温度以上となると、電源遮断素子３が
電力供給端子１０１と電源端子５間の電気的な接続を遮
断するので、半導体チップ１への電力の供給が遮断さ
れ、半導体チップ１の温度がそれ以上高温になることを
防止する。
【００２１】実施の形態２．実施の形態１においては、
電源遮断素子３は、半導体チップ１の表面に配置された
が、実施の形態２においては、電源遮断素子３は半導体
チップ１の中に配置される。この構成以外の構成は、実
施の形態１の構成と同じである。
電源遮断素子３は、半導体チップ１の表面に配置された
が、実施の形態２においては、電源遮断素子３は半導体
チップ１の中に配置される。この構成以外の構成は、実
施の形態１の構成と同じである。
【００２２】次に、本発明の実施の形態２の電力遮断装
置を図面に基づいて説明する。図３は、本発明の実施の
形態２の電力遮断装置を示す斜視図である。図４は、本
発明の実施の形態２の電力遮断装置の回路構成を示す図
である。図３および図４においては、図１および図２中
の構成要素と同じ構成要素には同じ参照符号が付され
る。
置を図面に基づいて説明する。図３は、本発明の実施の
形態２の電力遮断装置を示す斜視図である。図４は、本
発明の実施の形態２の電力遮断装置の回路構成を示す図
である。図３および図４においては、図１および図２中
の構成要素と同じ構成要素には同じ参照符号が付され
る。
【００２３】図３および図４において、電源遮断素子３
は半導体チップ１の内部に配置され、電源遮断素子３の
一端は半導体チップ１の電源端子２０を介して電力供給
端子１０１に接続され、その他端は電源端子５に接続さ
れる。図３において、集積回路２の部分には実際にはＩ
Ｃ回路等が配置されるが、表現の都合上単に４辺形で表
示してある。図３および図４におけるその他の回路構成
はそれぞれ図１および図２と同様であるので詳細な説明
は省略する。
は半導体チップ１の内部に配置され、電源遮断素子３の
一端は半導体チップ１の電源端子２０を介して電力供給
端子１０１に接続され、その他端は電源端子５に接続さ
れる。図３において、集積回路２の部分には実際にはＩ
Ｃ回路等が配置されるが、表現の都合上単に４辺形で表
示してある。図３および図４におけるその他の回路構成
はそれぞれ図１および図２と同様であるので詳細な説明
は省略する。
【００２４】実施の形態２においては、電源遮断素子３
を半導体チップ１の内部の発熱部分のすぐ近くに配置す
ることができる。したがって、電源遮断素子３が半導体
チップ１の温度上昇をより速く検出することができるの
で、半導体チップ１の温度が上昇したときにより速く電
源からの電力供給を遮断することができる。
を半導体チップ１の内部の発熱部分のすぐ近くに配置す
ることができる。したがって、電源遮断素子３が半導体
チップ１の温度上昇をより速く検出することができるの
で、半導体チップ１の温度が上昇したときにより速く電
源からの電力供給を遮断することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源端子に異常な高電圧もしくは逆電圧が印加された
時、または集積回路の内部が異常な高温になったとき
に、電源遮断素子が集積回路への電力供給を遮断するの
で、集積回路の破壊および集積回路の発火を防止するこ
とができる。
電源端子に異常な高電圧もしくは逆電圧が印加された
時、または集積回路の内部が異常な高温になったとき
に、電源遮断素子が集積回路への電力供給を遮断するの
で、集積回路の破壊および集積回路の発火を防止するこ
とができる。
【００２６】また、本発明によれば、コンパレータが不
要となるので集積回路の消費電力を低減することができ
る。
要となるので集積回路の消費電力を低減することができ
る。
【図１】 本発明の実施の形態１の電力遮断装置を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 本発明の実施の形態１の電力遮断装置の回路
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態２の電力遮断装置を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】 本発明の実施の形態２の電力遮断装置の回路
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】 従来の電力遮断装置を示す斜視図である。
【図６】 オン温度検出ダイオードの特性を示す図であ
る。
る。
１…半導体チップ、２…集積回路、３…電源遮断素子、
４…パッケージ、５…電源端子、６…グランド端子、７
〜１８…端子、２０…電源端子、２１…グランド端子、
１０１…電力供給端子、１０３…レギュレータ、１０４
…負荷、１０６…電流源、１０７…ダイオード、１０８
…基準電源、１０９…保護ダイオード
４…パッケージ、５…電源端子、６…グランド端子、７
〜１８…端子、２０…電源端子、２１…グランド端子、
１０１…電力供給端子、１０３…レギュレータ、１０４
…負荷、１０６…電流源、１０７…ダイオード、１０８
…基準電源、１０９…保護ダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体パッケージ内に配置された半導体
チップの所定の位置に配置された電源遮断素子を備え、
前記電源遮断素子は、前記半導体チップが所定の温度以
上になると、前記半導体チップに供給される電力を遮断
することを特徴とする電力遮断装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電力遮断装置において、
前記所定の位置は、前記半導体チップ上のいずれかの表
面であることを特徴とする電力遮断装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の電力遮断装置において、
前記所定の位置は、前記半導体チップの内部であること
を特徴とする電力遮断装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の電力遮断装置において、
前記電源遮断素子は、一端が電力供給源に接続され、他
端が半導体チップの電源端子に接続されることを特徴と
する電力遮断装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の電力
遮断装置において、前記電源遮断素子は、ポリスイッ
チ、サーモスタットまたはヒューズで構成されることを
特徴とする電力遮断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051961A JP2002262448A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | 電力遮断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051961A JP2002262448A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | 電力遮断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002262448A true JP2002262448A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18912662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001051961A Withdrawn JP2002262448A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | 電力遮断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002262448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7505733B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-03-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Broadcast signal receiver |
-
2001
- 2001-02-27 JP JP2001051961A patent/JP2002262448A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7505733B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-03-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Broadcast signal receiver |
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