JP2002261191A - 絶縁樹脂シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁樹脂シートおよび半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、導電パターンを持ったフレキシブルシ
ートを支持基板として採用し、この上に半導体素子を実
装し、全体をモールドした半導体装置が開発されてい
る。この場合、絶縁樹脂の両面に電極や配線がパターニ
ングされた絶縁樹脂シートとして用意される。よってこ
の絶縁樹脂シートの反りが顕著であると、作業性の低
下、パッケージの反り等の問題を発生させる。 【解決手段】 絶縁樹脂２の表面は、第１の導電膜３が
全面に形成されるか、またはパターニングされて形成さ
れる。しかし絶縁樹脂の裏面は、第１の導電膜３よりも
厚く形成された第２の導電膜４が形成される。この様
に、絶縁樹脂シート１の裏面には、厚く形成された第２
の導電膜４があるため、熱膨張係数の違いにより発生す
る反りを防止する事ができる。
ートを支持基板として採用し、この上に半導体素子を実
装し、全体をモールドした半導体装置が開発されてい
る。この場合、絶縁樹脂の両面に電極や配線がパターニ
ングされた絶縁樹脂シートとして用意される。よってこ
の絶縁樹脂シートの反りが顕著であると、作業性の低
下、パッケージの反り等の問題を発生させる。 【解決手段】 絶縁樹脂２の表面は、第１の導電膜３が
全面に形成されるか、またはパターニングされて形成さ
れる。しかし絶縁樹脂の裏面は、第１の導電膜３よりも
厚く形成された第２の導電膜４が形成される。この様
に、絶縁樹脂シート１の裏面には、厚く形成された第２
の導電膜４があるため、熱膨張係数の違いにより発生す
る反りを防止する事ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁樹脂シートお
よび半導体装置の製造方法に関し、例えば、少なくとも
表面に電極が形成された絶縁樹脂シートの作業性を向上
し、この絶縁樹脂シートを支持基板として半導体素子を
封止する半導体装置の製造方法に関するものである。
よび半導体装置の製造方法に関し、例えば、少なくとも
表面に電極が形成された絶縁樹脂シートの作業性を向上
し、この絶縁樹脂シートを支持基板として半導体素子を
封止する半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣパッケージは携帯機器や小型
・高密度実装機器への採用が進み、従来のＩＣパッケー
ジとその実装概念が大きく変わろうとしている。例えば
特開２０００−１３３６７８号公報に述べられている。
これは、絶縁樹脂シートの一例としてフレキシブルシー
トであるポリイミド樹脂シートを採用した半導体装置に
関する技術である。
・高密度実装機器への採用が進み、従来のＩＣパッケー
ジとその実装概念が大きく変わろうとしている。例えば
特開２０００−１３３６７８号公報に述べられている。
これは、絶縁樹脂シートの一例としてフレキシブルシー
トであるポリイミド樹脂シートを採用した半導体装置に
関する技術である。
【０００３】図１４〜図１６は、フレキシブルシート５
０をインターポーザー基板として採用するものである。
尚、各図の上に示す図面は、平面図、下に示す図面は、
Ａ−Ａ線の断面図である。
０をインターポーザー基板として採用するものである。
尚、各図の上に示す図面は、平面図、下に示す図面は、
Ａ−Ａ線の断面図である。
【０００４】まず図１４に示すフレキシブルシート５０
の上には、接着剤を介して銅箔パターン５１が貼り合わ
されて用意されている。この銅箔パターン５１は、実装
される半導体素子がトランジスタ、ＩＣにより、そのパ
ターンが異なるが、一般には、ボンディングパッド５１
Ａ、アイランド５１Ｂが形成されている。また符号５２
は、フレキシブルシート５０の裏面から電極を取り出す
ための開口部であり、前記銅箔パターン５１が露出して
いる。
の上には、接着剤を介して銅箔パターン５１が貼り合わ
されて用意されている。この銅箔パターン５１は、実装
される半導体素子がトランジスタ、ＩＣにより、そのパ
ターンが異なるが、一般には、ボンディングパッド５１
Ａ、アイランド５１Ｂが形成されている。また符号５２
は、フレキシブルシート５０の裏面から電極を取り出す
ための開口部であり、前記銅箔パターン５１が露出して
いる。
【０００５】続いて、このフレキシブルシート５０は、
ダイボンダーに搬送され、図１５の如く、半導体素子５
３が実装される。その後、このフレキシブルシート５０
は、ワイヤーボンダーに搬送され、ボンディングパッド
５１Ａと半導体素子５３のパッドが金属細線５４で電気
的に接続されている。
ダイボンダーに搬送され、図１５の如く、半導体素子５
３が実装される。その後、このフレキシブルシート５０
は、ワイヤーボンダーに搬送され、ボンディングパッド
５１Ａと半導体素子５３のパッドが金属細線５４で電気
的に接続されている。
【０００６】最後に、図１６の如く、フレキシブルシー
ト５０の表面に封止樹脂５５が設けられて封止される。
ここでは、ボンディングパッド５１Ａ、アイランド５１
Ｂ、半導体素子５３および金属細線５４を被覆するよう
にトランスファーモールドされる。その後、図１６Ｂに
示すように、半田や半田ボール等の接続手段５６が設け
られ、半田リフロー炉を通過することで開口部５２を介
してボンディングパッド５１Ａと融着した球状の半田５
６が形成される。しかもフレキシブルシート５０には、
半導体素子５３がマトリックス状に形成されるため、図
１６の様にダイシングされ、個々に分離される。
ト５０の表面に封止樹脂５５が設けられて封止される。
ここでは、ボンディングパッド５１Ａ、アイランド５１
Ｂ、半導体素子５３および金属細線５４を被覆するよう
にトランスファーモールドされる。その後、図１６Ｂに
示すように、半田や半田ボール等の接続手段５６が設け
られ、半田リフロー炉を通過することで開口部５２を介
してボンディングパッド５１Ａと融着した球状の半田５
６が形成される。しかもフレキシブルシート５０には、
半導体素子５３がマトリックス状に形成されるため、図
１６の様にダイシングされ、個々に分離される。
【０００７】また図１６Ｃに示す断面図は、フレキシブ
ルシート５０の両面に電極として５１Ａと５１Ｄが形成
されているものである。このフレキシブルシート５０
は、一般に、両面がパターニングされてメーカーから供
給されている。
ルシート５０の両面に電極として５１Ａと５１Ｄが形成
されているものである。このフレキシブルシート５０
は、一般に、両面がパターニングされてメーカーから供
給されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述した製造装置、例
えばダイボンター、ワイヤーボンダー、トランスファー
モールド装置、リフロー炉等に於いて、フレキシブルシ
ート５０が搬送されて、ステージまたはテーブルと言わ
れる部分に装着されたものを図１７に示す。
えばダイボンター、ワイヤーボンダー、トランスファー
モールド装置、リフロー炉等に於いて、フレキシブルシ
ート５０が搬送されて、ステージまたはテーブルと言わ
れる部分に装着されたものを図１７に示す。
【０００９】しかしフレキシブルシート５０のベースと
なる絶縁樹脂の厚みは５０μｍ程度と薄く、また表面に
形成される銅箔パターン５１の厚みも９〜３５μｍと薄
いため、図１８に示すように反ったりして搬送性が非常
に悪く、また前述したステージやテーブルへの装着性が
悪い欠点があった。これは、絶縁樹脂自身が非常に薄い
ために依る反り、銅箔パターン５１と絶縁樹脂との熱膨
張係数との差による反りが考えられる。特に堅い絶縁材
料が、図１８に示すように反っていると、上からの加圧
で簡単に割れてしまう問題があった。
なる絶縁樹脂の厚みは５０μｍ程度と薄く、また表面に
形成される銅箔パターン５１の厚みも９〜３５μｍと薄
いため、図１８に示すように反ったりして搬送性が非常
に悪く、また前述したステージやテーブルへの装着性が
悪い欠点があった。これは、絶縁樹脂自身が非常に薄い
ために依る反り、銅箔パターン５１と絶縁樹脂との熱膨
張係数との差による反りが考えられる。特に堅い絶縁材
料が、図１８に示すように反っていると、上からの加圧
で簡単に割れてしまう問題があった。
【００１０】また開口部５２の部分は、モールドの際に
上から加圧されるため、ボンディングパッド５１Ａの周
辺を上に反らせる力が働き、ボンディングパッド５１Ａ
の接着性を悪化させることもあった。
上から加圧されるため、ボンディングパッド５１Ａの周
辺を上に反らせる力が働き、ボンディングパッド５１Ａ
の接着性を悪化させることもあった。
【００１１】またフレキシブルシート５０を構成する樹
脂材料自身にフレキシブル性が無かったり、熱伝導性を
高めるためにフィラーを混入すると、堅くなる。この状
態でワイヤーボンダーでボンディングするとボンディン
グ部分にクラックが入る場合がある。またトランスファ
ーモールドの際も、金型が当接する部分でクラックが入
る場合がある。これは図１８に示すように反りがあると
より顕著に現れる。
脂材料自身にフレキシブル性が無かったり、熱伝導性を
高めるためにフィラーを混入すると、堅くなる。この状
態でワイヤーボンダーでボンディングするとボンディン
グ部分にクラックが入る場合がある。またトランスファ
ーモールドの際も、金型が当接する部分でクラックが入
る場合がある。これは図１８に示すように反りがあると
より顕著に現れる。
【００１２】今まで説明したフレキシブルシート５０
は、裏面に電極が形成されないものであったが、図１６
Ｃに示すように、フレキシブルシート５０の裏面にも電
極５１Ｄが形成される場合もある。この時、電極５１Ｄ
が前記製造装置と当接したり、この製造装置間の搬送手
段の搬送面と当接するため、電極５１Ｄの裏面に損傷が
発生する問題があった。この損傷が入ったままで電極と
して成るため、後に熱が加わったりすることにより電極
５１Ｄ自身にクラックが入る問題もあった。
は、裏面に電極が形成されないものであったが、図１６
Ｃに示すように、フレキシブルシート５０の裏面にも電
極５１Ｄが形成される場合もある。この時、電極５１Ｄ
が前記製造装置と当接したり、この製造装置間の搬送手
段の搬送面と当接するため、電極５１Ｄの裏面に損傷が
発生する問題があった。この損傷が入ったままで電極と
して成るため、後に熱が加わったりすることにより電極
５１Ｄ自身にクラックが入る問題もあった。
【００１３】またフレキシブルシート５０の裏面に電極
５１Ｄが設けられると、トランスファーモールドの際、
ステージに面接触できない問題が発生する。この場合、
前述したようにフレキシブルシート５０が堅い材料で成
ると、電極５１Ｄが支点となり、電極５１Ｄの周囲が下
方に加圧されるため、フレキシブルシート５０にクラッ
クを発生させる問題があった。
５１Ｄが設けられると、トランスファーモールドの際、
ステージに面接触できない問題が発生する。この場合、
前述したようにフレキシブルシート５０が堅い材料で成
ると、電極５１Ｄが支点となり、電極５１Ｄの周囲が下
方に加圧されるため、フレキシブルシート５０にクラッ
クを発生させる問題があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされ、第１に、表面に形成された第１の導電膜
と、裏面の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜より
も厚く形成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と
前記第２の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹
脂とから成る絶縁樹脂シートで解決するものである。
みてなされ、第１に、表面に形成された第１の導電膜
と、裏面の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜より
も厚く形成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と
前記第２の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹
脂とから成る絶縁樹脂シートで解決するものである。
【００１５】第１の導電膜は、実質全面が第１の導電膜
で被覆されていても、またパターニングされていても、
第２の導電膜が厚く形成されているため、絶縁樹脂シー
トとしてその反りに対して強くなり、搬送性を向上させ
ることができる。
で被覆されていても、またパターニングされていても、
第２の導電膜が厚く形成されているため、絶縁樹脂シー
トとしてその反りに対して強くなり、搬送性を向上させ
ることができる。
【００１６】第２に、前記第１の導電膜は、３５μｍ以
下で、第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶縁
樹脂は、１００μｍ以下であることで解決するものであ
る。
下で、第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶縁
樹脂は、１００μｍ以下であることで解決するものであ
る。
【００１７】絶縁樹脂の厚みは、パッケージ全体の厚み
を薄くするため、できる限り薄いことが望まれる。しか
し第２の導電膜が、７０μｍ以上と第１の導電膜よりも
厚く形成されるため、反りを防止できる。
を薄くするため、できる限り薄いことが望まれる。しか
し第２の導電膜が、７０μｍ以上と第１の導電膜よりも
厚く形成されるため、反りを防止できる。
【００１８】第３に、前記絶縁樹脂は、ポリイミド樹脂
またはエポキシ樹脂を主成分とすることで解決するもの
である。
またはエポキシ樹脂を主成分とすることで解決するもの
である。
【００１９】第４に、前記第１の導電膜は、パターニン
グ加工領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜
は、少なくとも下金型の封止領域に対応する全面に形成
されることで解決するものである。
グ加工領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜
は、少なくとも下金型の封止領域に対応する全面に形成
されることで解決するものである。
【００２０】絶縁樹脂自体が堅いものでも、またフィラ
ーが混入されて堅くなったものでも、両面が導電膜でカ
バーされている絶縁樹脂シートとなる。よってメーカー
から供給され、製造装置に実装されるまでの間で発生す
るクラックが抑止できる。
ーが混入されて堅くなったものでも、両面が導電膜でカ
バーされている絶縁樹脂シートとなる。よってメーカー
から供給され、製造装置に実装されるまでの間で発生す
るクラックが抑止できる。
【００２１】第５に、前記第１の導電膜は、半導体素子
と電気的に接続するためにパターニングされ、前記第２
の導電膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する全
面に形成されることで解決するものである。
と電気的に接続するためにパターニングされ、前記第２
の導電膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する全
面に形成されることで解決するものである。
【００２２】この絶縁樹脂シートは、裏面は実質全面に
渡り導電膜が厚く形成されるため、チップのダイボンデ
ィング、ワイヤーボンダー、半導体素子の封止のための
支持基板として利用できる。しかも、絶縁樹脂材料自身
が柔らかい場合、ワイヤーボンダー時のエネルギーを金
属細線に伝えづらいが、裏面に導電膜が形成されるた
め、エネルギーの伝搬を向上できワイヤーボンディング
性を向上できる。
渡り導電膜が厚く形成されるため、チップのダイボンデ
ィング、ワイヤーボンダー、半導体素子の封止のための
支持基板として利用できる。しかも、絶縁樹脂材料自身
が柔らかい場合、ワイヤーボンダー時のエネルギーを金
属細線に伝えづらいが、裏面に導電膜が形成されるた
め、エネルギーの伝搬を向上できワイヤーボンディング
性を向上できる。
【００２３】第６に、表面に形成された第１の導電膜
と、裏面の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜より
も厚く形成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と
前記第２の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹
脂とを有する絶縁樹脂シートを用意し、前記第１の導電
膜を第１の電極または／および第１の配線に加工し、前
記第１の電極または／および第１の配線と電気的に接続
した半導体素子を固着し、前記絶縁樹脂シートを封止金
型に搬送し、前記第２の導電膜を金型に当接して、前記
半導体素子を封止し、前記第２の導電膜をパターニング
し、前記第１の電極または／および第１の配線と電気的
に接続される第２の電極または／および第２の配線を形
成することで解決するものである。
と、裏面の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜より
も厚く形成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と
前記第２の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹
脂とを有する絶縁樹脂シートを用意し、前記第１の導電
膜を第１の電極または／および第１の配線に加工し、前
記第１の電極または／および第１の配線と電気的に接続
した半導体素子を固着し、前記絶縁樹脂シートを封止金
型に搬送し、前記第２の導電膜を金型に当接して、前記
半導体素子を封止し、前記第２の導電膜をパターニング
し、前記第１の電極または／および第１の配線と電気的
に接続される第２の電極または／および第２の配線を形
成することで解決するものである。
【００２４】導電膜が厚く形成されるため、絶縁樹脂シ
ートのフラット性が維持でき、またトランスファーモー
ルド装置の下金型と面で接触できるため、局部的な加圧
が無くなりクラック発生を抑止することができる。同様
にワイヤーボンダー時に加わるエネルギーは、第２の導
電膜を採用することにより、金属細線につたわり易く成
る。
ートのフラット性が維持でき、またトランスファーモー
ルド装置の下金型と面で接触できるため、局部的な加圧
が無くなりクラック発生を抑止することができる。同様
にワイヤーボンダー時に加わるエネルギーは、第２の導
電膜を採用することにより、金属細線につたわり易く成
る。
【００２５】第７に、前記絶縁樹脂シートは、前記第１
の導電膜が前記第１の電極または／および第１の配線に
加工された状態で用意されることで解決するものであ
る。
の導電膜が前記第１の電極または／および第１の配線に
加工された状態で用意されることで解決するものであ
る。
【００２６】第８に、第２の導電膜を７０μｍ以上と
し、前記絶縁樹脂シートの搬送性を高め、製造工程で取
り扱い性を向上させた。
し、前記絶縁樹脂シートの搬送性を高め、製造工程で取
り扱い性を向上させた。
【００２７】第９に、前記封止の後、前記第２の導電膜
を薄くして、前記第２の電極または／および第２の配線
を形成することで解決するものである。
を薄くして、前記第２の電極または／および第２の配線
を形成することで解決するものである。
【００２８】第２の導電膜を薄くすることにより、第２
の電極または／および第２の配線をファインパターンと
することができる。しかも第２の導電膜の裏面をエッチ
ングしたり、研磨／研削することにより薄くできるた
め、各製造工程で受けた損傷の部分を取り除くことがで
きる。特に、研磨／研削工程で薄くした場合、この工程
での損傷が入る場合がある。この時は、再度ライトエッ
チングをすれば良い。
の電極または／および第２の配線をファインパターンと
することができる。しかも第２の導電膜の裏面をエッチ
ングしたり、研磨／研削することにより薄くできるた
め、各製造工程で受けた損傷の部分を取り除くことがで
きる。特に、研磨／研削工程で薄くした場合、この工程
での損傷が入る場合がある。この時は、再度ライトエッ
チングをすれば良い。
【００２９】第１０に、表面に形成された第１の導電膜
と、裏面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有
し、間には絶縁樹脂が設けられた絶縁樹脂シートであ
り、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に設け
られた少なくとも一層の第３の配線または／および第３
の電極と、前記第３の配線または／第３の電極を絶縁す
る少なくとも２層の絶縁樹脂とを有し、前記第２の導電
膜が前記第１の導電膜よりも厚く形成されることで解決
するものである、請求項１〜請求項９に於いて、絶縁樹
脂シートは、表裏に電極が設けられているが、請求項１
０〜は、表裏電極の間にも電極や配線が設けられたもの
であり、一般には多層基板と言われるものである。
と、裏面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有
し、間には絶縁樹脂が設けられた絶縁樹脂シートであ
り、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に設け
られた少なくとも一層の第３の配線または／および第３
の電極と、前記第３の配線または／第３の電極を絶縁す
る少なくとも２層の絶縁樹脂とを有し、前記第２の導電
膜が前記第１の導電膜よりも厚く形成されることで解決
するものである、請求項１〜請求項９に於いて、絶縁樹
脂シートは、表裏に電極が設けられているが、請求項１
０〜は、表裏電極の間にも電極や配線が設けられたもの
であり、一般には多層基板と言われるものである。
【００３０】この場合も、第２の導電膜が厚く形成され
ているため、絶縁樹脂シートとしてその反りに対して強
くなり、搬送性を向上させることができる。
ているため、絶縁樹脂シートとしてその反りに対して強
くなり、搬送性を向上させることができる。
【００３１】第１１に、前記第１の導電膜は、３５μｍ
以下で、第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶
縁樹脂は、１００μｍ以下であることで解決するもので
ある。
以下で、第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶
縁樹脂は、１００μｍ以下であることで解決するもので
ある。
【００３２】第１２に、絶縁樹脂は、ポリイミド樹脂ま
たはエポキシ樹脂を主成分とすることで解決するもので
ある。
たはエポキシ樹脂を主成分とすることで解決するもので
ある。
【００３３】第１３に、前記第１の導電膜は、パターニ
ング加工領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜
は、少なくとも下金型の封止領域に対応する部分に形成
されることで解決するものである。
ング加工領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜
は、少なくとも下金型の封止領域に対応する部分に形成
されることで解決するものである。
【００３４】第１４に、前記第１の導電膜は、半導体素
子と電気的に接続するためにパターニングされ、前記第
２の導電膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する
部分に形成されることで解決するものである。
子と電気的に接続するためにパターニングされ、前記第
２の導電膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する
部分に形成されることで解決するものである。
【００３５】第１５に、前記絶縁樹脂には、フィラーが
混入されることで解決するものである。
混入されることで解決するものである。
【００３６】一般に、フィラーが混入されることによ
り、剛性が高まり、クラックが発生しやすくなる。しか
し両面に導電膜が形成されることでクラックが発生しに
くくなる。また裏面に第２の導電膜を厚く形成すれば、
絶縁樹脂シート自体のフラット性が高まり、クラックの
発生を防止できる。
り、剛性が高まり、クラックが発生しやすくなる。しか
し両面に導電膜が形成されることでクラックが発生しに
くくなる。また裏面に第２の導電膜を厚く形成すれば、
絶縁樹脂シート自体のフラット性が高まり、クラックの
発生を防止できる。
【００３７】第１６に、表面に形成された第１の導電膜
と、裏面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有
し、間には絶縁樹脂が設けられ、前記第１の導電膜と前
記第２の導電膜との間に設けられた少なくとも一層の第
３の配線または／および第３の電極と、前記第３の配線
または／および第３の電極を絶縁する少なくとも２層の
絶縁樹脂とを有し、前記第２の導電膜が前記第１の導電
膜よりも厚く形成された絶縁樹脂シートを用意し、前記
第１の導電膜を第１の電極または／および第１の配線に
加工すると共に、前記第１の電極または／および第１の
配線と前記第２の導電膜とを電気的に接続する接続部を
形成し、前記第１の電極または／および第１の配線と電
気的に接続した半導体素子を固着し、前記絶縁樹脂シー
トを封止金型に搬送し、前記第２の導電膜を金型に当接
して、前記半導体素子を封止し、前記第２の導電膜をパ
ターニングし、前記第１の電極または／および第１の配
線と電気的に接続される第２の電極または／および第２
の配線を形成することで解決するものである。
と、裏面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有
し、間には絶縁樹脂が設けられ、前記第１の導電膜と前
記第２の導電膜との間に設けられた少なくとも一層の第
３の配線または／および第３の電極と、前記第３の配線
または／および第３の電極を絶縁する少なくとも２層の
絶縁樹脂とを有し、前記第２の導電膜が前記第１の導電
膜よりも厚く形成された絶縁樹脂シートを用意し、前記
第１の導電膜を第１の電極または／および第１の配線に
加工すると共に、前記第１の電極または／および第１の
配線と前記第２の導電膜とを電気的に接続する接続部を
形成し、前記第１の電極または／および第１の配線と電
気的に接続した半導体素子を固着し、前記絶縁樹脂シー
トを封止金型に搬送し、前記第２の導電膜を金型に当接
して、前記半導体素子を封止し、前記第２の導電膜をパ
ターニングし、前記第１の電極または／および第１の配
線と電気的に接続される第２の電極または／および第２
の配線を形成することで解決するものである。
【００３８】導電膜が厚く形成されるため、絶縁樹脂シ
ートのフラット性が維持でき、またトランスファーモー
ルド装置の下金型と面で接触できるため、局部的な加圧
が無くなりクラック発生を抑止することができる。同様
にワイヤーボンダー時に加わるエネルギーは、第２の導
電膜を採用することにより、金属細線につたわり易く成
る。
ートのフラット性が維持でき、またトランスファーモー
ルド装置の下金型と面で接触できるため、局部的な加圧
が無くなりクラック発生を抑止することができる。同様
にワイヤーボンダー時に加わるエネルギーは、第２の導
電膜を採用することにより、金属細線につたわり易く成
る。
【００３９】第１７に、前記絶縁樹脂シートは、前記第
１の導電膜が前記第１の電極または／および第１の配線
に加工された状態で用意することで解決するものであ
る。
１の導電膜が前記第１の電極または／および第１の配線
に加工された状態で用意することで解決するものであ
る。
【００４０】第１８に、第２の導電膜を７０μｍ以上と
し、前記絶縁樹脂シートの搬送性を高め、しかも絶縁樹
脂シートの平坦性を維持することにより、製造工程の簡
素化、歩留まり工場を可能とするものである。
し、前記絶縁樹脂シートの搬送性を高め、しかも絶縁樹
脂シートの平坦性を維持することにより、製造工程の簡
素化、歩留まり工場を可能とするものである。
【００４１】第１９に、前記封止の後、前記第２の導電
膜を薄くして、前記第２の電極または／および第２の配
線を形成することで解決するものである。
膜を薄くして、前記第２の電極または／および第２の配
線を形成することで解決するものである。
【００４２】
【発明の実施の形態】絶縁樹脂シートを説明する第１の
実施の形態 まず絶縁樹脂シートについて、図１および図２を参照し
て説明する。両図とも、表と裏に導電膜が形成されたも
のである。
実施の形態 まず絶縁樹脂シートについて、図１および図２を参照し
て説明する。両図とも、表と裏に導電膜が形成されたも
のである。
【００４３】図１Ａは、全体が絶縁樹脂シート１であ
り、中間には絶縁樹脂２が設けられている。この絶縁樹
脂２の表には、第１の導電膜３が形成され、裏面には第
２の導電膜４が形成される。また第１の導電膜３は、絶
縁樹脂２の表面全域に形成されるものであり、後の工程
によって、点線で示したボンディングパッド５、アイラ
ンド６および開口部７が形成されるものである。
り、中間には絶縁樹脂２が設けられている。この絶縁樹
脂２の表には、第１の導電膜３が形成され、裏面には第
２の導電膜４が形成される。また第１の導電膜３は、絶
縁樹脂２の表面全域に形成されるものであり、後の工程
によって、点線で示したボンディングパッド５、アイラ
ンド６および開口部７が形成されるものである。
【００４４】つまり絶縁樹脂シート１の表面は、実質全
域に第１の導電膜３が形成され、裏面にも実質全域に第
２の導電膜４が形成されるものである。また絶縁樹脂２
の材料は、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂等の高分
子から成る絶縁材料で成る。また、第１の導電膜３およ
び第２の導電膜４は、好ましくは、Ｃｕを主材料とする
もの、または公知のリードフレームの材料であり、メッ
キ法、蒸着法またはスパッタ法で絶縁樹脂２に被覆され
たり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着
されても良い。貼着する際、糊を採用するため、全体の
厚みは増加する。
域に第１の導電膜３が形成され、裏面にも実質全域に第
２の導電膜４が形成されるものである。また絶縁樹脂２
の材料は、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂等の高分
子から成る絶縁材料で成る。また、第１の導電膜３およ
び第２の導電膜４は、好ましくは、Ｃｕを主材料とする
もの、または公知のリードフレームの材料であり、メッ
キ法、蒸着法またはスパッタ法で絶縁樹脂２に被覆され
たり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着
されても良い。貼着する際、糊を採用するため、全体の
厚みは増加する。
【００４５】また絶縁樹脂シート１は、キャスティング
法で形成されても良い。以下に簡単にその製造方法を述
べる。まず平膜状の第１の導電膜の上に糊状のポリイミ
ドを塗布し、また平膜状の第２の導電膜の上にも糊状の
ポリイミドを塗布する。そして両者のポリイミドを半硬
化させた後に貼り合わせると絶縁樹脂シートができあが
る。
法で形成されても良い。以下に簡単にその製造方法を述
べる。まず平膜状の第１の導電膜の上に糊状のポリイミ
ドを塗布し、また平膜状の第２の導電膜の上にも糊状の
ポリイミドを塗布する。そして両者のポリイミドを半硬
化させた後に貼り合わせると絶縁樹脂シートができあが
る。
【００４６】また第１の導電膜３は、絶縁樹脂シート１
の全域でなくても良い。これを示すものが、図１Ｂであ
る。ここには３つのパターンが形成されている。左のパ
ターンは、パターン加工領域８Ｂと封止用の樹脂の注入
孔、つまりゲート９を示す。また中央のパターンは、上
金型と絶縁樹脂シート１との当接領域１０を示す。ここ
で上金型は、第１の導電膜３と当接した方が、絶縁樹脂
３に欠陥やクラックを与えない。よって少なくともパタ
ーン加工領域または当接領域を含めた樹脂封止領域に第
１の導電膜３が形成されて、絶縁樹脂シート１として供
給されても良い。尚、樹脂封止領域８Ａを右側のパター
ンで示した。尚、本実施例では、下金型と絶縁樹脂シー
ト１は、全域で面で接触している。よって第２の導電膜
４は、絶縁樹脂２にクラック等の欠陥が発生しないよう
に全面に形成される。しかし図１Ｂの右側のように、当
接領域を含めた樹脂封止領域に第２の導電膜４が形成さ
れて絶縁樹脂シート１として供給されても良い。
の全域でなくても良い。これを示すものが、図１Ｂであ
る。ここには３つのパターンが形成されている。左のパ
ターンは、パターン加工領域８Ｂと封止用の樹脂の注入
孔、つまりゲート９を示す。また中央のパターンは、上
金型と絶縁樹脂シート１との当接領域１０を示す。ここ
で上金型は、第１の導電膜３と当接した方が、絶縁樹脂
３に欠陥やクラックを与えない。よって少なくともパタ
ーン加工領域または当接領域を含めた樹脂封止領域に第
１の導電膜３が形成されて、絶縁樹脂シート１として供
給されても良い。尚、樹脂封止領域８Ａを右側のパター
ンで示した。尚、本実施例では、下金型と絶縁樹脂シー
ト１は、全域で面で接触している。よって第２の導電膜
４は、絶縁樹脂２にクラック等の欠陥が発生しないよう
に全面に形成される。しかし図１Ｂの右側のように、当
接領域を含めた樹脂封止領域に第２の導電膜４が形成さ
れて絶縁樹脂シート１として供給されても良い。
【００４７】どちらにしても、第１の導電膜３は、後の
工程によりエッチングされ、図２の様なパターンが形成
され、素子の実装、電気的接続、封止工程を経て半導体
装置として完成する。尚、符号１１は、ガイド孔であ
る。
工程によりエッチングされ、図２の様なパターンが形成
され、素子の実装、電気的接続、封止工程を経て半導体
装置として完成する。尚、符号１１は、ガイド孔であ
る。
【００４８】絶縁樹脂シートを説明する第２の実施の形
態 図２は、全体が絶縁樹脂シート１であり、絶縁樹脂２の
裏面には、第１の実施の形態と同様に第２の導電膜４が
全面に形成されている。しかし第１の導電膜は、前もっ
てパターニングされ、ボンディングパッド５、アイラン
ド６、開口部７が形成され絶縁樹脂シート１として供給
されるものである。尚、ボンディングパッド５と第２の
導電膜４は、電気的に接続されている。
態 図２は、全体が絶縁樹脂シート１であり、絶縁樹脂２の
裏面には、第１の実施の形態と同様に第２の導電膜４が
全面に形成されている。しかし第１の導電膜は、前もっ
てパターニングされ、ボンディングパッド５、アイラン
ド６、開口部７が形成され絶縁樹脂シート１として供給
されるものである。尚、ボンディングパッド５と第２の
導電膜４は、電気的に接続されている。
【００４９】絶縁樹脂２の材料は、ポリイミド樹脂また
はエポキシ樹脂等の高分子から成る絶縁材料で成る。ま
た、第１の導電膜３および第２の導電膜４は、好ましく
は、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレ
ーム材等であり、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で
絶縁樹脂２に被覆されたり、圧延法やメッキ法により形
成された金属箔が貼着されても良い。貼着する際、糊を
採用するため、全体の厚みは増加する。
はエポキシ樹脂等の高分子から成る絶縁材料で成る。ま
た、第１の導電膜３および第２の導電膜４は、好ましく
は、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレ
ーム材等であり、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で
絶縁樹脂２に被覆されたり、圧延法やメッキ法により形
成された金属箔が貼着されても良い。貼着する際、糊を
採用するため、全体の厚みは増加する。
【００５０】また具体的な絶縁樹脂シート１の一例を図
１Ｂに示す。ここには３つのパターンが形成されてい
る。左のパターンは、パターン加工領域８Ａとゲート９
を示す。また中央のパターンは、上金型と絶縁樹脂シー
ト１との当接領域１０、ボンディングパッド５、アイラ
ンド６を示す。つまり、第１の導電膜は、中央のパター
ンの様に、少なくとも第１の電極または／および第１の
配線がエッチングにより形成されていればよい。前述し
たように、上金型は、第１の導電膜３と当接した方が、
絶縁樹脂３に欠陥やクラックを与えない。よってこの当
接領域もパターニングされた方が良い。尚、第２の導電
膜は、第１の実施の形態と同様に、絶縁樹脂シート１の
全面に形成されるが、右側のパターンのように少なくと
も樹脂封止領域、または少なくとも当接領域１０も含め
た領域に形成されても良い。この封止領域８は、ダイボ
ンディング、ワイヤーボンディング、トランスファーモ
ールド時に外力が加わるところであるため、少なくとも
この部分を含んだ領域に第２の導電膜４が形成されるこ
とが好ましい。
１Ｂに示す。ここには３つのパターンが形成されてい
る。左のパターンは、パターン加工領域８Ａとゲート９
を示す。また中央のパターンは、上金型と絶縁樹脂シー
ト１との当接領域１０、ボンディングパッド５、アイラ
ンド６を示す。つまり、第１の導電膜は、中央のパター
ンの様に、少なくとも第１の電極または／および第１の
配線がエッチングにより形成されていればよい。前述し
たように、上金型は、第１の導電膜３と当接した方が、
絶縁樹脂３に欠陥やクラックを与えない。よってこの当
接領域もパターニングされた方が良い。尚、第２の導電
膜は、第１の実施の形態と同様に、絶縁樹脂シート１の
全面に形成されるが、右側のパターンのように少なくと
も樹脂封止領域、または少なくとも当接領域１０も含め
た領域に形成されても良い。この封止領域８は、ダイボ
ンディング、ワイヤーボンディング、トランスファーモ
ールド時に外力が加わるところであるため、少なくとも
この部分を含んだ領域に第２の導電膜４が形成されるこ
とが好ましい。
【００５１】この状態で、フレキシブルシートの製造メ
ーカーから供給され、素子の実装、電気的接続、封止工
程を経て半導体装置として完成する。
ーカーから供給され、素子の実装、電気的接続、封止工
程を経て半導体装置として完成する。
【００５２】第１の実施の形態も第２の実施の形態も、
本発明の特徴とする所は、第２の導電膜４を第１の導電
膜３よりも厚く形成するところにある。
本発明の特徴とする所は、第２の導電膜４を第１の導電
膜３よりも厚く形成するところにある。
【００５３】つまり第２の導電膜４を厚く形成すること
により、絶縁樹脂シート１の平坦性を維持でき、後の工
程の作業性を向上させ、絶縁樹脂２への欠陥、クラック
等の誘発を防止することができる。更には、第２の導電
膜４は、色々な工程を経るために傷が入ってしまう。し
かし厚い第２の導電膜４全面を薄くしてからパターニン
グするため、この傷を取り除くことができる。また平坦
性を維持しながら封止樹脂を硬化できるので、パケッジ
の裏面も平坦にでき、絶縁樹脂シート１の裏面に形成さ
れる電極もフラットに配置できる。よって、実装基板上
の電極と絶縁樹脂シート裏面の電極とを当接でき、半田
不良を防止することができる。更には、第２の導電膜４
を薄くしてからパターニングすると、再度エッチングを
減らせ、微細パターンが可能となる。
により、絶縁樹脂シート１の平坦性を維持でき、後の工
程の作業性を向上させ、絶縁樹脂２への欠陥、クラック
等の誘発を防止することができる。更には、第２の導電
膜４は、色々な工程を経るために傷が入ってしまう。し
かし厚い第２の導電膜４全面を薄くしてからパターニン
グするため、この傷を取り除くことができる。また平坦
性を維持しながら封止樹脂を硬化できるので、パケッジ
の裏面も平坦にでき、絶縁樹脂シート１の裏面に形成さ
れる電極もフラットに配置できる。よって、実装基板上
の電極と絶縁樹脂シート裏面の電極とを当接でき、半田
不良を防止することができる。更には、第２の導電膜４
を薄くしてからパターニングすると、再度エッチングを
減らせ、微細パターンが可能となる。
【００５４】具体的には、第１の導電膜３の厚さは、５
〜３５μｍ程度が好ましい。これは、エッチングにより
第１のボンディングパッド５、アイランド６を形成する
からである。ここでは、ボンディングパッド５、アイラ
ンド６を示したが、ＩＣのパッド数が多くなれば成るほ
どファインパターンで形成する必要がある。また複数の
半導体素子が平面的に実装される場合、半導体素子と受
動素子を組み合わせてハイブリッドＩＣを構成する場合
等を考慮すると、アイランド、ボンディングパッド以外
に配線も必用となる。この一例を図１０〜図１３に符号
１２で示した。つまり電極または配線等の少なくとも一
つが選択されて、導電パターンが形成される。よってこ
の導電パターンが密に成れば成るほど、ファインパター
ンが必用となる。しかしエッチングにおいて、絶縁樹脂
が完全に顔を出すまでフルエッチングすると、異方性で
も等方性でも横方向にサイドエッチングが進む。これ
は、膜厚が厚ければ厚いほど顕著であり、膜厚が薄けれ
ば薄いほどサイドエッチングが抑制されてファインパタ
ーンが可能となる。
〜３５μｍ程度が好ましい。これは、エッチングにより
第１のボンディングパッド５、アイランド６を形成する
からである。ここでは、ボンディングパッド５、アイラ
ンド６を示したが、ＩＣのパッド数が多くなれば成るほ
どファインパターンで形成する必要がある。また複数の
半導体素子が平面的に実装される場合、半導体素子と受
動素子を組み合わせてハイブリッドＩＣを構成する場合
等を考慮すると、アイランド、ボンディングパッド以外
に配線も必用となる。この一例を図１０〜図１３に符号
１２で示した。つまり電極または配線等の少なくとも一
つが選択されて、導電パターンが形成される。よってこ
の導電パターンが密に成れば成るほど、ファインパター
ンが必用となる。しかしエッチングにおいて、絶縁樹脂
が完全に顔を出すまでフルエッチングすると、異方性で
も等方性でも横方向にサイドエッチングが進む。これ
は、膜厚が厚ければ厚いほど顕著であり、膜厚が薄けれ
ば薄いほどサイドエッチングが抑制されてファインパタ
ーンが可能となる。
【００５５】全実施の形態において、絶縁樹脂２は、ポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂等が好ましい。ペースト状
のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、
その膜厚は、１０μｍ〜１００μｍ程度である。またシ
ートとして形成する場合、市販のものは２５μｍが最小
の膜厚である。また熱伝導性が考慮され、中にフィラー
が混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓ
ｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒
化ボロン等が考えられる。
リイミド樹脂、エポキシ樹脂等が好ましい。ペースト状
のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、
その膜厚は、１０μｍ〜１００μｍ程度である。またシ
ートとして形成する場合、市販のものは２５μｍが最小
の膜厚である。また熱伝導性が考慮され、中にフィラー
が混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓ
ｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒
化ボロン等が考えられる。
【００５６】また第２の導電膜４の膜厚は、７０μｍ〜
２００μｍ程度が良い。好ましくは、７０〜１２５μｍ
程度が良い。この厚みであれば、第１の導電膜３が５〜
３５μｍ程度であっても平坦性を維持できる。
２００μｍ程度が良い。好ましくは、７０〜１２５μｍ
程度が良い。この厚みであれば、第１の導電膜３が５〜
３５μｍ程度であっても平坦性を維持できる。
【００５７】この様に、第２の導電膜４の膜厚を第１の
導電膜３よりも厚く形成すれば、絶縁樹脂シート１の平
坦性が維持できる。
導電膜３よりも厚く形成すれば、絶縁樹脂シート１の平
坦性が維持できる。
【００５８】特に、ダイボンディング装置のテーブル、
ワイヤーボンディング装置のテーブルおよびトランスフ
ァーモールド装置のステージに絶縁樹脂シートを配置し
た時にメリットを有する。
ワイヤーボンディング装置のテーブルおよびトランスフ
ァーモールド装置のステージに絶縁樹脂シートを配置し
た時にメリットを有する。
【００５９】以下にそのメリットを述べる。まずダイボ
ンディングの時のメリットを述べる。例えばＳｉの半導
体素子の裏面には一般にはＡｕが被覆され、アイランド
６の表面に形成されたＡｕと固着される。この時、約４
００度Ｃに加熱されて加圧される。そしてチップ裏面と
アイランドのＡｕが融着すると同時にＡｕとＳｉの共晶
が形成される。この時、第２の導電膜４が薄いと、この
熱により反りが発生し、絶縁樹脂の表面に形成された電
極、アイランドまたは配線に亀裂が形成される可能性が
ある。しかし第２の導電膜４自身が厚いために、反りを
抑制でき、この亀裂も防止できる。また第２の導電膜４
が厚ければ、ヒートシンクとしての機能も高まる。つま
り絶縁樹脂２に加わる熱を第２の導電膜４が吸収するた
め、絶縁樹脂自体の劣化も防止でき、更にはダイボンデ
ィングのテーブルが金属等で成れば、外部にその熱を放
出することも可能となる。
ンディングの時のメリットを述べる。例えばＳｉの半導
体素子の裏面には一般にはＡｕが被覆され、アイランド
６の表面に形成されたＡｕと固着される。この時、約４
００度Ｃに加熱されて加圧される。そしてチップ裏面と
アイランドのＡｕが融着すると同時にＡｕとＳｉの共晶
が形成される。この時、第２の導電膜４が薄いと、この
熱により反りが発生し、絶縁樹脂の表面に形成された電
極、アイランドまたは配線に亀裂が形成される可能性が
ある。しかし第２の導電膜４自身が厚いために、反りを
抑制でき、この亀裂も防止できる。また第２の導電膜４
が厚ければ、ヒートシンクとしての機能も高まる。つま
り絶縁樹脂２に加わる熱を第２の導電膜４が吸収するた
め、絶縁樹脂自体の劣化も防止でき、更にはダイボンデ
ィングのテーブルが金属等で成れば、外部にその熱を放
出することも可能となる。
【００６０】続いて、ワイヤーボンデインクの時のメリ
ットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディ
ングの際は、２５０度Ｃ〜３００度Ｃに加熱される。こ
の時、第２の導電膜が薄いと、絶縁樹脂シート１が反
り、この状態でボンディングヘッドを介して絶縁樹脂シ
ートが加圧される。よって、亀裂の発生する可能性があ
る。これは、絶縁樹脂にフィラーが混入されると、材料
自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。
また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌ
のボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが伝わ
りづらい。しかし第２の導電膜４自体が厚く形成される
ことでこれらの問題を解決することができる。
ットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディ
ングの際は、２５０度Ｃ〜３００度Ｃに加熱される。こ
の時、第２の導電膜が薄いと、絶縁樹脂シート１が反
り、この状態でボンディングヘッドを介して絶縁樹脂シ
ートが加圧される。よって、亀裂の発生する可能性があ
る。これは、絶縁樹脂にフィラーが混入されると、材料
自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。
また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌ
のボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが伝わ
りづらい。しかし第２の導電膜４自体が厚く形成される
ことでこれらの問題を解決することができる。
【００６１】最後に、トランスファーモールド時のメリ
ットを述べる。例えば図５の様に、絶縁樹脂で封止した
後、樹脂は冷却される。この時、絶縁樹脂と導電膜の熱
膨張係数の違いにより、収縮率に差が出て、半導体装置
全体が反る。しかし第２の導電膜４自体が厚く形成され
ることにより、完全に室温に戻るまで、パッケージ全体
の平坦性を維持することができる。特に、絶縁樹脂シー
ト１の裏面に形成される電極は、反りにより、同一平面
内に位置できなくなる。この状態で、実装基板に配置す
ると、実装基板上の電極と半導体装置裏面の電極に隙間
を発生し、半田不良等を発生する。本発明では、第２の
導電膜４が厚く形成されるため、これらの問題も防止で
きる。
ットを述べる。例えば図５の様に、絶縁樹脂で封止した
後、樹脂は冷却される。この時、絶縁樹脂と導電膜の熱
膨張係数の違いにより、収縮率に差が出て、半導体装置
全体が反る。しかし第２の導電膜４自体が厚く形成され
ることにより、完全に室温に戻るまで、パッケージ全体
の平坦性を維持することができる。特に、絶縁樹脂シー
ト１の裏面に形成される電極は、反りにより、同一平面
内に位置できなくなる。この状態で、実装基板に配置す
ると、実装基板上の電極と半導体装置裏面の電極に隙間
を発生し、半田不良等を発生する。本発明では、第２の
導電膜４が厚く形成されるため、これらの問題も防止で
きる。
【００６２】また第２の導電膜４は、前述したテーブル
やステージに当接されたり、搬送装置で擦られたりす
る。よってたくさんの傷が発生する。しかし第２の導電
膜４を電極として活用する場合、しかもファインパター
ンを形成する場合、第２の導電膜４全体を３５μｍ以下
にエッチング、研磨または研削し、第２の導電膜４を薄
くする。特にエッチングの場合、この損傷を取り除くこ
とができる。また研磨、研削をすると、この工程により
傷が入るが、この後、ライトエッチングをすることによ
り取り除くことができる。
やステージに当接されたり、搬送装置で擦られたりす
る。よってたくさんの傷が発生する。しかし第２の導電
膜４を電極として活用する場合、しかもファインパター
ンを形成する場合、第２の導電膜４全体を３５μｍ以下
にエッチング、研磨または研削し、第２の導電膜４を薄
くする。特にエッチングの場合、この損傷を取り除くこ
とができる。また研磨、研削をすると、この工程により
傷が入るが、この後、ライトエッチングをすることによ
り取り除くことができる。
【００６３】以上述べたように、第２の導電膜４を第１
の導電膜よりも厚くすることにより、絶縁樹脂シートと
しての色々なメリットが生まれ、しかもこの絶縁樹脂シ
ートを採用した半導体装置に於いても優れた効果を発生
する。
の導電膜よりも厚くすることにより、絶縁樹脂シートと
しての色々なメリットが生まれ、しかもこの絶縁樹脂シ
ートを採用した半導体装置に於いても優れた効果を発生
する。
【００６４】また実施の形態として述べないが、図１ま
たは図２に於いて、第１の導電膜３と第２の導電膜との
間に少なくとも一層の導電膜を設けても良い。一般的に
多層基板と言われているものである。この場合、絶縁樹
脂は、少なくとも２層となる。現在、４層、５層のメタ
ル配線が形成されたフレキシブルシートは、商品化され
ている。よってそのスルーホールの形成方法等は、省略
する。この場合でも、裏面に厚い導電膜を形成すること
により、前述したようなメリットが発生する。
たは図２に於いて、第１の導電膜３と第２の導電膜との
間に少なくとも一層の導電膜を設けても良い。一般的に
多層基板と言われているものである。この場合、絶縁樹
脂は、少なくとも２層となる。現在、４層、５層のメタ
ル配線が形成されたフレキシブルシートは、商品化され
ている。よってそのスルーホールの形成方法等は、省略
する。この場合でも、裏面に厚い導電膜を形成すること
により、前述したようなメリットが発生する。
【００６５】絶縁樹脂シートを使った半導体装置の製造
方法を説明する第３の実施の形態図３〜図７、図８〜図
９に於いて、絶縁樹脂シート１を使った半導体装置の製
造方法を説明する。尚、（Ａ）で示す図は、平面図であ
り、（Ｂ）で示す図は、Ａ−Ａ線に於ける断面図であ
る。
方法を説明する第３の実施の形態図３〜図７、図８〜図
９に於いて、絶縁樹脂シート１を使った半導体装置の製
造方法を説明する。尚、（Ａ）で示す図は、平面図であ
り、（Ｂ）で示す図は、Ａ−Ａ線に於ける断面図であ
る。
【００６６】まず図１に示すように絶縁樹脂シート１が
用意される。この絶縁樹脂シート１の裏面は、第２の導
電膜４が全面に形成され、表面には第１の導電膜３が全
面に形成されて用意される。
用意される。この絶縁樹脂シート１の裏面は、第２の導
電膜４が全面に形成され、表面には第１の導電膜３が全
面に形成されて用意される。
【００６７】続いて、開口部７に対応する部分だけ取り
除かれたホトレジストを全面に形成する。そしてこのホ
トレジストを介して第１の導電膜３をエッチングする。
尚、第１の導電膜３、第２の導電膜４は、両者共にＣｕ
を主材料とするものである。従ってエッチング液は、塩
化第２鉄または塩化第２銅である。尚、開口部の開口径
は、ホトリソグラフィーの解像度により変化するが、こ
こでは５０μｍ程度である。またエッチングの際に、第
２の導電膜４は、接着性のシート等でカバーした方がよ
い。しかし第２の導電膜４自体が十分に厚く、エッチン
グ後にも、平坦性が維持できる膜厚であれば、シートで
カバーすることもない。
除かれたホトレジストを全面に形成する。そしてこのホ
トレジストを介して第１の導電膜３をエッチングする。
尚、第１の導電膜３、第２の導電膜４は、両者共にＣｕ
を主材料とするものである。従ってエッチング液は、塩
化第２鉄または塩化第２銅である。尚、開口部の開口径
は、ホトリソグラフィーの解像度により変化するが、こ
こでは５０μｍ程度である。またエッチングの際に、第
２の導電膜４は、接着性のシート等でカバーした方がよ
い。しかし第２の導電膜４自体が十分に厚く、エッチン
グ後にも、平坦性が維持できる膜厚であれば、シートで
カバーすることもない。
【００６８】また、導電膜として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｆｅ−
Ｎｉ、公知のリードフレーム材等でも良い。ただし、第
２の導電膜４は、樹脂封止し熱硬化するまで平坦性を維
持できる厚みであることが大切である。尚、作業性が考
慮され、絶縁樹脂シートの両側には、ガイド孔が設けら
れている。（以上図３を参照） 続いて、前記ホトレジストを取り除いた後、第１の導電
膜３をマスクにして、レーザーにより開口部７の真下の
絶縁樹脂２を取り除き、開口部７の底に第２の導電膜４
を露出させる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザーが
好ましい。またレーザーで絶縁樹脂を蒸発させた後、開
口部の底部に残査がある場合は、過マンガン酸ソーダま
たは過硫酸アンモン等でウェットエッチングし、この残
査を取り除く。
Ｎｉ、公知のリードフレーム材等でも良い。ただし、第
２の導電膜４は、樹脂封止し熱硬化するまで平坦性を維
持できる厚みであることが大切である。尚、作業性が考
慮され、絶縁樹脂シートの両側には、ガイド孔が設けら
れている。（以上図３を参照） 続いて、前記ホトレジストを取り除いた後、第１の導電
膜３をマスクにして、レーザーにより開口部７の真下の
絶縁樹脂２を取り除き、開口部７の底に第２の導電膜４
を露出させる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザーが
好ましい。またレーザーで絶縁樹脂を蒸発させた後、開
口部の底部に残査がある場合は、過マンガン酸ソーダま
たは過硫酸アンモン等でウェットエッチングし、この残
査を取り除く。
【００６９】続いて、開口部７を介して第２の導電膜４
と第１の導電膜３が電気的に導通するようにメッキを行
う。一般には、無電解メッキと電解メッキの両方を行
う。ここでは、無電解メッキにより約２μｍのＣｕを少
なくとも開口部の全面に形成する。これにより第１の導
電膜３と第２の導電膜４が電気的に導通するため、再度
この導電膜３，４を電極にして電解メッキを行い、約２
０μｍのＣｕをメッキする。これにより、開口部７は、
Ｃｕで埋め込まれる。尚、商品名でエバラユージライト
というメッキ液を採用すると、開口部のみを選択的に埋
め込むことも可能である。またメッキ膜は、ここではＣ
ｕを採用したが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を採用しても良
い。またマスクを使用して部分メッキをしても良い。図
４では、無電解メッキ膜と電解メッキ膜が一体で図示さ
れ、符号１３で示されている。
と第１の導電膜３が電気的に導通するようにメッキを行
う。一般には、無電解メッキと電解メッキの両方を行
う。ここでは、無電解メッキにより約２μｍのＣｕを少
なくとも開口部の全面に形成する。これにより第１の導
電膜３と第２の導電膜４が電気的に導通するため、再度
この導電膜３，４を電極にして電解メッキを行い、約２
０μｍのＣｕをメッキする。これにより、開口部７は、
Ｃｕで埋め込まれる。尚、商品名でエバラユージライト
というメッキ液を採用すると、開口部のみを選択的に埋
め込むことも可能である。またメッキ膜は、ここではＣ
ｕを採用したが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を採用しても良
い。またマスクを使用して部分メッキをしても良い。図
４では、無電解メッキ膜と電解メッキ膜が一体で図示さ
れ、符号１３で示されている。
【００７０】尚、ボンディング性や半田付け性が考慮さ
れ、ボンディングパッド５、アイランド６には、Ａｕ、
Ａｇ等の膜が形成される。
れ、ボンディングパッド５、アイランド６には、Ａｕ、
Ａｇ等の膜が形成される。
【００７１】続いて、第１の導電膜３にホトレジストを
形成し、ボンディングパッド５、アイランド６および金
型当接領域１０の上にホトレジストが残るようにパター
ニングする。尚、図１２、図１３に示すように配線１２
が形成される場合は、この配線の上にもホトレジストが
形成される。そしてこのホトレジストをエッチングマス
クとして、第１の導電膜３をパターニングし、ボンディ
ングパッド５、アイランド６、当接領域１０を形成す
る。
形成し、ボンディングパッド５、アイランド６および金
型当接領域１０の上にホトレジストが残るようにパター
ニングする。尚、図１２、図１３に示すように配線１２
が形成される場合は、この配線の上にもホトレジストが
形成される。そしてこのホトレジストをエッチングマス
クとして、第１の導電膜３をパターニングし、ボンディ
ングパッド５、アイランド６、当接領域１０を形成す
る。
【００７２】続いて、絶縁樹脂シートを搬送してダイボ
ンディング装置のテーブルに装着する。第２の導電膜４
は、膜厚が厚く形成されるため、テーブルと実質面で接
触される。ここでテーブルが約４００度Ｃに成り、半導
体素子１４とアイランド６が固着される。例えば、アイ
ランド６の表面にＡｕが形成され、半導体素子１４の裏
面にＡｕが形成されるとこの温度で共晶結合が可能とな
る。またアイランド６の上にＡｇが形成される場合は、
一般的には半田等のロウ材が採用されて固着される。
ンディング装置のテーブルに装着する。第２の導電膜４
は、膜厚が厚く形成されるため、テーブルと実質面で接
触される。ここでテーブルが約４００度Ｃに成り、半導
体素子１４とアイランド６が固着される。例えば、アイ
ランド６の表面にＡｕが形成され、半導体素子１４の裏
面にＡｕが形成されるとこの温度で共晶結合が可能とな
る。またアイランド６の上にＡｇが形成される場合は、
一般的には半田等のロウ材が採用されて固着される。
【００７３】本工程では、絶縁樹脂シート１に４００度
Ｃの熱が加わるので、一般の絶縁樹脂シートでは、反り
が発生する事がある。この現象は、絶縁樹脂の劣化、ダ
イボンディング性の低下をもたらす。しかし第２の導電
膜４が厚いため、その反りを防止することが可能とな
る。また第２の導電膜が厚いため、ヒートシンクとして
作用し、絶縁樹脂の劣化も防止できる。尚、ここで、半
導体素子は、フェイスダウンで実装されても良い。この
場合、半導体素子の表面には、半田ボールやバンプが設
けられる。そして絶縁樹脂シート１の表面には、半田ボ
ールの位置に対応した部分に電極が設けられ、両者が固
着される。またアイランド６は、省略されるが、放熱用
の電極として、半導体素子と絶縁された状態で残してお
いても良い。
Ｃの熱が加わるので、一般の絶縁樹脂シートでは、反り
が発生する事がある。この現象は、絶縁樹脂の劣化、ダ
イボンディング性の低下をもたらす。しかし第２の導電
膜４が厚いため、その反りを防止することが可能とな
る。また第２の導電膜が厚いため、ヒートシンクとして
作用し、絶縁樹脂の劣化も防止できる。尚、ここで、半
導体素子は、フェイスダウンで実装されても良い。この
場合、半導体素子の表面には、半田ボールやバンプが設
けられる。そして絶縁樹脂シート１の表面には、半田ボ
ールの位置に対応した部分に電極が設けられ、両者が固
着される。またアイランド６は、省略されるが、放熱用
の電極として、半導体素子と絶縁された状態で残してお
いても良い。
【００７４】続いて、この絶縁樹脂シート１は、ワイヤ
ーボンダーに移送され、ボンダーのテーブルに設置され
る。この時も、第２の導電膜４が厚いことで、テーブル
と絶縁樹脂シート１は、実質的に面で接触されることに
なる。金属細線１５として、Ａｕが採用される場合、２
５０度Ｃ〜３００度Ｃに加熱される。またＡｌ線に依る
接続では、常温で超音波が加えられる。
ーボンダーに移送され、ボンダーのテーブルに設置され
る。この時も、第２の導電膜４が厚いことで、テーブル
と絶縁樹脂シート１は、実質的に面で接触されることに
なる。金属細線１５として、Ａｕが採用される場合、２
５０度Ｃ〜３００度Ｃに加熱される。またＡｌ線に依る
接続では、常温で超音波が加えられる。
【００７５】この際も、絶縁樹脂シート１には、反りの
発生が抑制されるので、ボンディング時の衝撃によるク
ラックを抑制することができる。またＡｕ、Ａｌの金属
細線１５を採用する場合、ボンディングパッド５の表面
には、ＡｕまたはＡｇが最表面に形成される。（以上図
４を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、モールド装置へと搬送さ
れ、ステージに実装される。モールド方法としては、ト
ランスファーモールド、インジェクションモールド、塗
布、ディピング等でも可能である。しかし量産性を考慮
すると、トランスファーモールド、インジェクションモ
ールドが適している。この場合、図１７に示すトランス
ファーモールド装置１００に実装され、封止樹脂１６が
熱で溶融されてモールドされる。図１７に於いて、１０
０Ａが下金型、１００Ｂが上金型、１０１が封止領域で
あり、キャビティと一般には言われている。また１０２
は、ガイド孔１１を通過するガイドピンで、１０３がポ
ット、１０４がランナーである。
発生が抑制されるので、ボンディング時の衝撃によるク
ラックを抑制することができる。またＡｕ、Ａｌの金属
細線１５を採用する場合、ボンディングパッド５の表面
には、ＡｕまたはＡｇが最表面に形成される。（以上図
４を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、モールド装置へと搬送さ
れ、ステージに実装される。モールド方法としては、ト
ランスファーモールド、インジェクションモールド、塗
布、ディピング等でも可能である。しかし量産性を考慮
すると、トランスファーモールド、インジェクションモ
ールドが適している。この場合、図１７に示すトランス
ファーモールド装置１００に実装され、封止樹脂１６が
熱で溶融されてモールドされる。図１７に於いて、１０
０Ａが下金型、１００Ｂが上金型、１０１が封止領域で
あり、キャビティと一般には言われている。また１０２
は、ガイド孔１１を通過するガイドピンで、１０３がポ
ット、１０４がランナーである。
【００７６】図のように少なくとも樹脂封止領域に対応
する下金型は、フラットであるため、絶縁樹脂シート１
は、フラットで当接される必要がある。つまりキャビテ
ィ１０１の中に高温の溶融した樹脂１６が注入され、そ
の後室温にまで冷却されて硬化される。しかしモールド
体を金型から取り出した際、封止樹脂１６の収縮は、完
全に終了していないのが一般的である。そのため、封止
樹脂１６の収縮が完全に完了するまで、第２の導電膜４
によってパッケージの平坦性を維持している。
する下金型は、フラットであるため、絶縁樹脂シート１
は、フラットで当接される必要がある。つまりキャビテ
ィ１０１の中に高温の溶融した樹脂１６が注入され、そ
の後室温にまで冷却されて硬化される。しかしモールド
体を金型から取り出した際、封止樹脂１６の収縮は、完
全に終了していないのが一般的である。そのため、封止
樹脂１６の収縮が完全に完了するまで、第２の導電膜４
によってパッケージの平坦性を維持している。
【００７７】特に、第２の導電膜４は、後に半導体装置
の裏面電極として加工され、この複数の電極が実質同一
面内に配置できることになる。（以上図５を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、エッチング装置へ搬送さ
れ、まず第２の導電膜４全体が３５μｍ以下に薄くなる
までエッチングされる。これにより、今まで、第２の導
電膜４に発生した傷は取り除かれる。尚、残った第２の
導電膜４の膜厚は、パターンの緻密度に左右される。
尚、研磨、研削により削っても良い。しかし、最後にこ
の工程で発生した傷を取り除くためにライトエッチング
を施した方が良い。また最近では、ウェハの平坦化を目
的としてＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)が採
用されている。本願に於いてもこの方法が採用できる。
の裏面電極として加工され、この複数の電極が実質同一
面内に配置できることになる。（以上図５を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、エッチング装置へ搬送さ
れ、まず第２の導電膜４全体が３５μｍ以下に薄くなる
までエッチングされる。これにより、今まで、第２の導
電膜４に発生した傷は取り除かれる。尚、残った第２の
導電膜４の膜厚は、パターンの緻密度に左右される。
尚、研磨、研削により削っても良い。しかし、最後にこ
の工程で発生した傷を取り除くためにライトエッチング
を施した方が良い。また最近では、ウェハの平坦化を目
的としてＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)が採
用されている。本願に於いてもこの方法が採用できる。
【００７８】そして、薄くなった第２の導電膜４がパタ
ーニングされる。これもホトレジストを採用したホトリ
ソグラフィで実現できる。ここでは、図６Ａに示すよう
に、ボンディングパッド５に対応した位置に第２の電極
１６Ａが形成され、半田ボール形成位置には第２の電極
１６Ｂが形成され、両者を一体でつなぐ配線１２が設け
られる。例えば、ＢＧＡ等で採用される再配線パターン
と同じものである。第２の導電膜４が薄く形成されるた
め、このパターンはファインで実現できる。
ーニングされる。これもホトレジストを採用したホトリ
ソグラフィで実現できる。ここでは、図６Ａに示すよう
に、ボンディングパッド５に対応した位置に第２の電極
１６Ａが形成され、半田ボール形成位置には第２の電極
１６Ｂが形成され、両者を一体でつなぐ配線１２が設け
られる。例えば、ＢＧＡ等で採用される再配線パターン
と同じものである。第２の導電膜４が薄く形成されるた
め、このパターンはファインで実現できる。
【００７９】更に、封止樹脂１６を支持基板として、絶
縁樹脂シート１の裏面には、例えば半田レジスト等の絶
縁性樹脂１８が被覆され、第２の電極１６Ｂの部分が開
口され、半田１７が設けられる。尚、半田ボールを載置
し、溶融しても良い。
縁樹脂シート１の裏面には、例えば半田レジスト等の絶
縁性樹脂１８が被覆され、第２の電極１６Ｂの部分が開
口され、半田１７が設けられる。尚、半田ボールを載置
し、溶融しても良い。
【００８０】最後に、半導体装置となる１ユニットがマ
トリックス状に形成されているため、個々に分離され
る。方法としてはダイシング、カット等が考えられる。
（以上図６を参照） 図７は、図６の変形例である。ここでは、第２の導電膜
４は、全て取り除かれている。そして絶縁樹脂２から露
出しているメッキ膜１３に半田ボール１７が固着されて
いるものである。
トリックス状に形成されているため、個々に分離され
る。方法としてはダイシング、カット等が考えられる。
（以上図６を参照） 図７は、図６の変形例である。ここでは、第２の導電膜
４は、全て取り除かれている。そして絶縁樹脂２から露
出しているメッキ膜１３に半田ボール１７が固着されて
いるものである。
【００８１】図８〜図９に示すものは、半導体素子１４
をフェイスダウンで実装するものである。
をフェイスダウンで実装するものである。
【００８２】絶縁樹脂２の表面に、電極１９、ランド状
の放熱用電極２０または配線等が形成されるが、ここま
での工程は、図４までの説明と同じであるので省略をす
る。
の放熱用電極２０または配線等が形成されるが、ここま
での工程は、図４までの説明と同じであるので省略をす
る。
【００８３】そして絶縁樹脂２の表面にパターンが形成
された後、半導体素子１４が実装される。半導体素子１
４のパッドには、半田ボールまたはバンプ等の接続手段
２１が形成され、第１の電極１９と電気的に接続され
る。尚、放熱用の電極２０は、省略されても良い。（以
上図８を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、トランスファーモールド
装置に移送され、封止樹脂１６で封止される。尚、半導
体素子１４と絶縁樹脂シート１との隙間が非常に狭く、
封止樹脂１６が浸入しにくい場合は、粘度の小さいアン
ダーフィル２２を間に浸透した後にモールドされてもよ
い。（以上図９を参照） その後は、図６や、図７で説明したように、第２の導電
膜４を薄くし、パターニングし、半田等を形成した後
に、半導体装置として個々に分離される。
された後、半導体素子１４が実装される。半導体素子１
４のパッドには、半田ボールまたはバンプ等の接続手段
２１が形成され、第１の電極１９と電気的に接続され
る。尚、放熱用の電極２０は、省略されても良い。（以
上図８を参照） 続いて、絶縁樹脂シート１は、トランスファーモールド
装置に移送され、封止樹脂１６で封止される。尚、半導
体素子１４と絶縁樹脂シート１との隙間が非常に狭く、
封止樹脂１６が浸入しにくい場合は、粘度の小さいアン
ダーフィル２２を間に浸透した後にモールドされてもよ
い。（以上図９を参照） その後は、図６や、図７で説明したように、第２の導電
膜４を薄くし、パターニングし、半田等を形成した後
に、半導体装置として個々に分離される。
【００８４】半導体装置を説明する第４の実施の形態 続いて図１０を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用
した半導体装置について説明する。尚図１０Ａは、半導
体装置の平面図、図１０Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１
０Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
した半導体装置について説明する。尚図１０Ａは、半導
体装置の平面図、図１０Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１
０Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
【００８５】第３の実施の形態までの説明から判るよう
に、本実施の形態も絶縁樹脂シートの裏面に形成される
第２の導電膜が厚く形成されて絶縁樹脂シートとして供
給され、これを支持基板として活用し、半導体素子１４
の固着、アンダーフィルの充填、そして封止樹脂をトラ
ンスファーモールドして形成したものである。
に、本実施の形態も絶縁樹脂シートの裏面に形成される
第２の導電膜が厚く形成されて絶縁樹脂シートとして供
給され、これを支持基板として活用し、半導体素子１４
の固着、アンダーフィルの充填、そして封止樹脂をトラ
ンスファーモールドして形成したものである。
【００８６】本半導体素子は、パッド数が２００ピン以
上と多く、素子数も非常に多いＩＣである。例えば図４
では、ボンディングパッド５を半導体素子の周りに形成
できている。しかし２００ピン以上となると、ボンディ
ングパッドのサイズに限界があり、最小サイズにしても
ボンディングパッドがリング状に配置できないものがあ
る。
上と多く、素子数も非常に多いＩＣである。例えば図４
では、ボンディングパッド５を半導体素子の周りに形成
できている。しかし２００ピン以上となると、ボンディ
ングパッドのサイズに限界があり、最小サイズにしても
ボンディングパッドがリング状に配置できないものがあ
る。
【００８７】図１０は、半導体素子上のパッドに半田や
バンプが形成され、これらが絶縁樹脂の表面に形成され
た第１の電極と接続されるものである。
バンプが形成され、これらが絶縁樹脂の表面に形成され
た第１の電極と接続されるものである。
【００８８】一つ目の第１の電極３０は、半導体素子３
１のバンプと接続され、絶縁樹脂３２の表面に沿って第
１の配線３３を介して外側に延在され、第１の電極３４
と接続される。そしてこの第１の電極３４に設けられた
バイアホール３５を介して絶縁樹脂の裏面に設けられた
第２の電極３６と接続されている。
１のバンプと接続され、絶縁樹脂３２の表面に沿って第
１の配線３３を介して外側に延在され、第１の電極３４
と接続される。そしてこの第１の電極３４に設けられた
バイアホール３５を介して絶縁樹脂の裏面に設けられた
第２の電極３６と接続されている。
【００８９】二つ目の第１の電極３７は、半導体素子３
１のバンプと接続され、第１の電極３７の裏面に形成さ
れたバイアホール３５を介して絶縁樹脂３２の裏面に形
成された第２の電極３８と電気的に接続され、そこから
第２の配線３９を介して内側に延在され、そこで第２の
電極４０と電気的に接続されている。
１のバンプと接続され、第１の電極３７の裏面に形成さ
れたバイアホール３５を介して絶縁樹脂３２の裏面に形
成された第２の電極３８と電気的に接続され、そこから
第２の配線３９を介して内側に延在され、そこで第２の
電極４０と電気的に接続されている。
【００９０】本構造は、ピン数が多いため、再配線３
３、３９を活用し、絶縁樹脂３２の裏面に形成される第
２の電極３６、４０を分散させている。つまりパッケー
ジの裏面に２００以上の電極が分散されているわけであ
る。
３、３９を活用し、絶縁樹脂３２の裏面に形成される第
２の電極３６、４０を分散させている。つまりパッケー
ジの裏面に２００以上の電極が分散されているわけであ
る。
【００９１】本発明の特徴である絶縁樹脂シートの裏面
に形成された厚い第２の導電膜の活用により、パッケー
ジの裏面がフラットに形成される。これは、この第１の
電極３６、４０を実質的に一平面内に配置することにな
る。よってこの半導体装置を実装基板に実装しても、実
装基板側に配置された電極と面で当接でき、接続不良を
なくすことができる。
に形成された厚い第２の導電膜の活用により、パッケー
ジの裏面がフラットに形成される。これは、この第１の
電極３６、４０を実質的に一平面内に配置することにな
る。よってこの半導体装置を実装基板に実装しても、実
装基板側に配置された電極と面で当接でき、接続不良を
なくすことができる。
【００９２】半導体装置を説明する第５の実施の形態続
いて図１１を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１１Ａは、半導体
装置の平面図、図１１は、Ａ−Ａ線の断面図、図１１Ｃ
は、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
いて図１１を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１１Ａは、半導体
装置の平面図、図１１は、Ａ−Ａ線の断面図、図１１Ｃ
は、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
【００９３】本発明は、第４の実施の形態に於いて、封
止樹脂４１を省略したものである。どちらかといえば、
絶縁樹脂シートに半導体素子３１を実装したら、上から
封止樹脂をポッテイングしたり、アンダーフィル材４２
だけですましたものである。この場合、封止樹脂の硬化
の際に発生する樹脂収縮が無くなるため、全体の反りを
抑制できるものである。
止樹脂４１を省略したものである。どちらかといえば、
絶縁樹脂シートに半導体素子３１を実装したら、上から
封止樹脂をポッテイングしたり、アンダーフィル材４２
だけですましたものである。この場合、封止樹脂の硬化
の際に発生する樹脂収縮が無くなるため、全体の反りを
抑制できるものである。
【００９４】尚、封止樹脂を無くした事以外は、前実施
の形態と同じであるので、これ以上の説明は、省略す
る。
の形態と同じであるので、これ以上の説明は、省略す
る。
【００９５】半導体装置を説明する第６の実施の形態続
いて図１２を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１２Ａは、半導体
装置の平面図、図１２Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１２
Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
いて図１２を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１２Ａは、半導体
装置の平面図、図１２Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１２
Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
【００９６】本発明は、半導体素子や受動素子が少なく
とも２つ実装され、この複数の素子が第１の配線や第２
の配線を介して電気的に接続されるものである。
とも２つ実装され、この複数の素子が第１の配線や第２
の配線を介して電気的に接続されるものである。
【００９７】絶縁樹脂３２の表面に、配線を形成すると
交差する部分が発生するため、点線で示した様に、絶縁
樹脂３２の裏面に第２の配線４３を設けてクロスオーバ
ーを実現したものである。
交差する部分が発生するため、点線で示した様に、絶縁
樹脂３２の裏面に第２の配線４３を設けてクロスオーバ
ーを実現したものである。
【００９８】本発明の特徴は、第２の導電膜を厚く形成
することにより、パッケージ裏面のフラット性を高める
と同時に、色々な製造工程への搬送性、取り扱い性を容
易にするものである。
することにより、パッケージ裏面のフラット性を高める
と同時に、色々な製造工程への搬送性、取り扱い性を容
易にするものである。
【００９９】しかし第２の導電膜自体は、最終的に膜厚
を薄くしてから、第２の電極、第２の配線としてパター
ニングできる。つまり２層配線が実現できるため、この
ようなクロスオーバーが実現できるわけである。
を薄くしてから、第２の電極、第２の配線としてパター
ニングできる。つまり２層配線が実現できるため、この
ようなクロスオーバーが実現できるわけである。
【０１００】全実施の形態に応用できることであるが、
第１の導電膜と第２の導電膜の間に更に銅箔パターンを
加えた、３層以上のパターンにより、更に複雑な回路を
実現できる。
第１の導電膜と第２の導電膜の間に更に銅箔パターンを
加えた、３層以上のパターンにより、更に複雑な回路を
実現できる。
【０１０１】ここでは、半導体素子４４、４５が２つで
実装されているが、半導体素子以外にチップ抵抗、チッ
プコンデンサ等の受動素子を実装することにより、いわ
ゆるハイブリッド回路が１パッケージで実現できるもの
である。
実装されているが、半導体素子以外にチップ抵抗、チッ
プコンデンサ等の受動素子を実装することにより、いわ
ゆるハイブリッド回路が１パッケージで実現できるもの
である。
【０１０２】これらは、素子が１つ実装されるのと大き
く異なる点がある。つまり平面的な実装面積が増大する
ことである。つまり本発明の一つのテーマでもあるパッ
ケージの反りが大きく問題となってくるわけである。し
かし第２の導電膜自体が厚く形成されれば、封止樹脂が
完全に収縮するまで第２の導電膜でその平坦性を維持で
きる。よって、パッケージの裏面に位置する第２の電極
が一平面内に配置されることになり、実装基板への実装
性が向上され、歩留まりの向上を実現できる。
く異なる点がある。つまり平面的な実装面積が増大する
ことである。つまり本発明の一つのテーマでもあるパッ
ケージの反りが大きく問題となってくるわけである。し
かし第２の導電膜自体が厚く形成されれば、封止樹脂が
完全に収縮するまで第２の導電膜でその平坦性を維持で
きる。よって、パッケージの裏面に位置する第２の電極
が一平面内に配置されることになり、実装基板への実装
性が向上され、歩留まりの向上を実現できる。
【０１０３】半導体装置を説明する第７の実施の形態続
いて図１３を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１３Ａは、半導体
装置の平面図、図１３Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１３
Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
いて図１３を参照して本発明の絶縁樹脂シートを採用し
た半導体装置について説明する。尚図１３Ａは、半導体
装置の平面図、図１３Ｂは、Ａ−Ａ線の断面図、図１３
Ｃは、Ｂ−Ｂ線の断面図である。
【０１０４】本発明は、第６の実施の形態に於いて、封
止樹脂を省略したものである。どちらかといえば、支持
基板に半導体素子を実装したら、上から封止樹脂をポッ
テイングしたり、アンダーフィル材だけですましたもの
である。この場合、封止樹脂の硬化の際に発生する樹脂
収縮が無くなるため、全体の反りを抑制できるものであ
る。
止樹脂を省略したものである。どちらかといえば、支持
基板に半導体素子を実装したら、上から封止樹脂をポッ
テイングしたり、アンダーフィル材だけですましたもの
である。この場合、封止樹脂の硬化の際に発生する樹脂
収縮が無くなるため、全体の反りを抑制できるものであ
る。
【０１０５】尚、封止樹脂を無くした事以外は、前実施
の形態と同じであるので、これ以上の説明は、省略す
る。
の形態と同じであるので、これ以上の説明は、省略す
る。
【０１０６】
【発明の効果】以上説明したように、第２の導電膜が厚
く形成されているため、絶縁樹脂シートとして反りに対
して強くなり、搬送性を向上させることができる。
く形成されているため、絶縁樹脂シートとして反りに対
して強くなり、搬送性を向上させることができる。
【０１０７】また、絶縁樹脂自体が堅いものでも、また
フィラーが混入されて堅くなったものでも、両面が導電
膜でカバーされている絶縁樹脂シートとなる。よってメ
ーカーから供給され、製造装置に実装されるまでの間で
発生するクラックが抑止できる。
フィラーが混入されて堅くなったものでも、両面が導電
膜でカバーされている絶縁樹脂シートとなる。よってメ
ーカーから供給され、製造装置に実装されるまでの間で
発生するクラックが抑止できる。
【０１０８】また、絶縁樹脂シートは、裏面は実質全面
に渡り導電膜が厚く形成されるため、チップのダイボン
ディング、ワイヤーボンダー、半導体素子の封止のため
の支持基板として利用できる。しかも、絶縁樹脂材料自
身が柔らかい場合、ワイヤーボンダー時のエネルギーを
金属細線に伝えづらいが、裏面に導電膜が形成されるた
め、エネルギーの伝搬を向上できワイヤーボンディング
性を向上できる。
に渡り導電膜が厚く形成されるため、チップのダイボン
ディング、ワイヤーボンダー、半導体素子の封止のため
の支持基板として利用できる。しかも、絶縁樹脂材料自
身が柔らかい場合、ワイヤーボンダー時のエネルギーを
金属細線に伝えづらいが、裏面に導電膜が形成されるた
め、エネルギーの伝搬を向上できワイヤーボンディング
性を向上できる。
【０１０９】更には、第２の導電膜を薄くすることによ
り、第２の電極または／および第２の配線をファインパ
ターンとすることができる。しかも第２の導電膜の裏面
をエッチングしたり、研磨／研削することにより薄くで
きるため、各製造工程で受けた損傷の部分を取り除くこ
とができる。
り、第２の電極または／および第２の配線をファインパ
ターンとすることができる。しかも第２の導電膜の裏面
をエッチングしたり、研磨／研削することにより薄くで
きるため、各製造工程で受けた損傷の部分を取り除くこ
とができる。
【０１１０】最後に、絶縁樹脂にフィラーが混入される
と、剛性が高まり、クラックが発生しやすくなる。しか
し両面に導電膜が形成されることでクラックが発生しに
くくなる。また裏面に第２の導電膜を厚く形成すれば、
絶縁樹脂シート自体のフラット性が高まり、よりクラッ
クの発生を防止できる。
と、剛性が高まり、クラックが発生しやすくなる。しか
し両面に導電膜が形成されることでクラックが発生しに
くくなる。また裏面に第２の導電膜を厚く形成すれば、
絶縁樹脂シート自体のフラット性が高まり、よりクラッ
クの発生を防止できる。
【図１】 本発明の絶縁樹脂シートを説明する図であ
る。
る。
【図２】 本発明の絶縁樹脂シートを説明する図であ
る。
る。
【図３】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図４】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図５】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図６】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図７】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図８】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図９】 本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図１０】 本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１１】 本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１２】 本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１３】 本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１４】 従来の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図１５】 従来の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図１６】 従来の半導体装置の製造方法を説明する図
である。
である。
【図１７】 トランスファーモールド装置を説明する図
である。
である。
【図１８】 従来のフレキシブルシートを説明する図で
ある。
ある。
１ 絶縁樹脂シート ２ 絶縁樹脂 ３ 第１の導電膜 ４ 第２の導電膜 ５ ボンディングパッド ６ アイランド ７ 開口部 ８ 樹脂封止領域 ９ ゲート １０ 当接領域 １１ ガイド孔 １２ 配線 １３ メッキ膜 １４ 半導体素子 １５ 金属細線 １６ 封止樹脂 １７ 半田
Claims (19)
- 【請求項１】 表面に形成された第１の導電膜と、裏面
の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜よりも厚く形
成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と前記第２
の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹脂とを有
することを特徴とした絶縁樹脂シート。 - 【請求項２】 前記第１の導電膜は、３５μｍ以下で、
第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶縁樹脂
は、１００μｍ以下であることを特徴とした請求項１に
記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項３】 前記絶縁樹脂は、ポリイミド樹脂または
エポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とした請求項２
に記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項４】 前記第１の導電膜は、パターニング加工
領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜は、少な
くとも下金型の封止領域に対応する全面に形成されるこ
とを特徴とした請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
絶縁樹脂シート。 - 【請求項５】 前記第１の導電膜は、半導体素子と電気
的に接続するためにパターニングされ、前記第２の導電
膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する全面に形
成されることを特徴とした請求項１〜請求項３のいずれ
かに記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項６】 表面に形成された第１の導電膜と、裏面
の実質全面に設けられ、前記第１の導電膜よりも厚く形
成された第２の導電膜と、前記第１の導電膜と前記第２
の導電膜との間に設けられたシート状の絶縁樹脂とを有
する絶縁樹脂シートを用意し、 前記第１の導電膜を第１の電極または／および第１の配
線に加工し、 前記第１の電極または／および第１の配線と電気的に接
続した半導体素子を固着し、 前記絶縁樹脂シートを封止金型に搬送し、前記第２の導
電膜を金型に当接して、前記半導体素子を封止し、 前記第２の導電膜をパターニングし、前記第１の電極ま
たは／および第１の配線と電気的に接続される第２の電
極または／および第２の配線を形成することを特徴とし
た半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記絶縁樹脂シートは、前記第１の導電
膜が前記第１の電極または／および第１の配線に加工さ
れた状態で用意されることを特徴とした請求項６に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 第２の導電膜を７０μｍ以上とし、前記
絶縁樹脂シートの搬送性を高めたことを特徴とする請求
項６または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記封止の後、前記第２の導電膜を薄く
して、前記第２の電極または／および第２の配線を形成
することを特徴とした請求項６〜請求項８のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 表面に形成された第１の導電膜と、裏
面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有し、間に
は絶縁樹脂が設けられた絶縁樹脂シートであり、 前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に設けられ
た少なくとも一層の第３の配線または／および第３の電
極と、前記第３の配線または／第３の電極を絶縁する少
なくとも２層の絶縁樹脂とを有し、前記第２の導電膜が
前記第１の導電膜よりも厚く形成されることを特徴とし
た絶縁樹脂シート。 - 【請求項１１】 前記第１の導電膜は、３５μｍ以下
で、第２の導電膜は、７０μｍ以上であり、前記絶縁樹
脂は、１００μｍ以下であることを特徴とした請求項１
０に記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項１２】 前記絶縁樹脂は、ポリイミド樹脂また
はエポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とした請求項
１１に記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項１３】 前記第１の導電膜は、パターニング加
工領域の実質全面に設けられ、前記第２の導電膜は、少
なくとも下金型の封止領域に対応する部分に形成される
ことを特徴とした請求項１０〜請求項１２のいずれかに
記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項１４】 前記第１の導電膜は、半導体素子と電
気的に接続するためにパターニングされ、前記第２の導
電膜は、少なくとも下金型の封止領域に対応する部分に
形成されることを特徴とした請求項１０〜請求項１２の
いずれかに記載の絶縁樹脂シート。 - 【請求項１５】 前記絶縁樹脂には、フィラーが混入さ
れる請求項３または請求項１２に記載の絶縁樹脂シー
ト。 - 【請求項１６】 表面に形成された第１の導電膜と、裏
面の実質全面に形成された第２の導電膜とを有し、間に
は絶縁樹脂が設けられ、前記第１の導電膜と前記第２の
導電膜との間に設けられた少なくとも一層の第３の配線
または／および第３の電極と、前記第３の配線または／
および第３の電極を絶縁する少なくとも２層の絶縁樹脂
とを有し、前記第２の導電膜が前記第１の導電膜よりも
厚く形成された絶縁樹脂シートを用意し、 前記第１の導電膜を第１の電極または／および第１の配
線に加工すると共に、前記第１の電極または／および第
１の配線と前記第２の導電膜とを電気的に接続する接続
部を形成し、 前記第１の電極または／および第１の配線と電気的に接
続した半導体素子を固着し、 前記絶縁樹脂シートを封止金型に搬送し、前記第２の導
電膜を金型に当接して、前記半導体素子を封止し、 前記第２の導電膜をパターニングし、前記第１の電極ま
たは／および第１の配線と電気的に接続される第２の電
極または／および第２の配線を形成することを特徴とし
た半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記絶縁樹脂シートは、前記第１の導
電膜が前記第１の電極または／および第１の配線に加工
された状態で用意されることを特徴とした請求項１６に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 第２の導電膜を７０μｍ以上とし、前
記絶縁樹脂シートの搬送性を高めたことを特徴とする請
求項１６または請求項１７に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１９】 前記封止の後、前記第２の導電膜を薄
くして、前記第２の電極または／および第２の配線を形
成することを特徴とした請求項１６〜請求項１８のいず
れかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001060173A JP3685724B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 回路装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001060173A JP3685724B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 回路装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2004235834A Division JP2005005730A (ja) | 2004-08-13 | 2004-08-13 | 回路装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261191A true JP2002261191A (ja) | 2002-09-13 |
| JP3685724B2 JP3685724B2 (ja) | 2005-08-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001060173A Expired - Fee Related JP3685724B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 回路装置 |
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-
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- 2001-03-05 JP JP2001060173A patent/JP3685724B2/ja not_active Expired - Fee Related
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