JP2002257777A - ガスセンサ - Google Patents

ガスセンサ

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JP2002257777A
JP2002257777A JP2001052975A JP2001052975A JP2002257777A JP 2002257777 A JP2002257777 A JP 2002257777A JP 2001052975 A JP2001052975 A JP 2001052975A JP 2001052975 A JP2001052975 A JP 2001052975A JP 2002257777 A JP2002257777 A JP 2002257777A
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真治 熊澤
Yuji Oi
雄二 大井
Nobuhiro Hayakawa
暢博 早川
Mineji Nasu
峰次 那須
Koji Shiotani
宏治 塩谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間で使用可能となり、素子破壊が起きる
ことがないガスセンサを提供することを課題とする。 【解決手段】 該ガスセンサ素子の温度を昇温させて、
各固体電解質積層1、12、13が動作可能となる温度
に到達するまでの間、該第2電極321、322に酸素
が該基準酸素室側へ移動する極性である微小電位を印加
する。これにより、第2測定室22に酸素が汲みこまれ
るのを防止することができ、活性後は早期に第2測定室
22の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めるこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の排気ガ
ス等に含まれる窒化酸化物等のガスを測定するための、
酸素イオン伝導性固体電解質を用いたガスセンサに関す
る。更に詳しくは、ガスセンサを短時間で使用可能にす
るとともに、酸素イオン伝導性固体電解質及び制御回路
等のの破壊を防ぐガスセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】窒素酸化物の濃度を検出するためのガス
センサとして、酸素イオン伝導性固体電解質層に電極を
設けた酸素イオンポンプセルを2基使用したガスセンサ
がある。このガスセンサは被測定ガスを、図1に示すガ
スセンサ素子の第1拡散通路41を介して第1測定室2
1に導入し、且つ、第1測定室21の第1電極311、
312に電圧を印加して、第2測定室22入り口の酸素
濃度を一定にするように酸素を素子外へ汲み出す。尚、
この汲み出しによって一酸化窒素等の窒化酸化物も幾ら
か分解される。
【0003】更に、第2測定室22の第2電極321、
322に電圧を印加して、第1測定室21の被測定ガス
が第2拡散通路42を介して流入する第2測定室22内
の酸素を汲み出すとともに、窒化酸化物を分解する。こ
のとき、第2測定室22の第2電極321、322に流
れる電流Ip2は、窒化酸化物の濃度に比例する。このた
め、電流Ip2から窒化酸化物濃度を算出するとともに、
第1測定室21の第1電極311、312に流れる電流
Ip1を用いた補正を行うことで、正確な窒化酸化物濃度
を求めることができる。
【0004】また、このセンサ素子は酸素イオン伝導性
固体電解質を用いているため、この固体電解質が電解質
として機能する温度域(例えば500〜900℃)で使
用することが必要であり、温度域以外に電位差がある場
合は、無理にポンプとして機能しようとした結果、素子
破壊が起きる場合があった。このため、昇温中は素子破
壊を防ぐために、第2電極321、322に電圧を印加
しないことで、電位差を生じないようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第2電極32
1、322に電圧を印加することなく昇温を行うと、自
然に生じた電位差によって第2測定室22側に酸素が汲
みこまれる場合があり、昇温後、酸素を余分に汲み出す
必要が生じて、使用できない時間が増えることがあっ
た。本発明は、このような問題点を解決するものであ
り、昇温中に第2測定室へ酸素が汲みこまれることがな
く、短時間で使用可能となり、素子破壊が起きることが
ないガスセンサを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のガスセンサは、
拡散通路を介して測定ガスを拡散できる少なくとも1つ
の測定室と、該測定室に面して酸素イオン伝導性固体電
解質体からなる少なくとも1つのポンプセルを具備し、
該ポンプセルに電流を流すことで酸素を測定室内外へポ
ンピングし、その時に流れる電流値から測定ガス中の被
検出ガス濃度を測定するガスセンサであって、該ポンプ
セルに流れる電流は、該測定室内から酸素を汲み出す方
向、又は測定室内へ酸素を汲み入れる方向のいずれか一
方向に流れ、該一方向とは逆の方向に流れないことを特
徴とする。
【0007】また、本発明のガスセンサは、拡散通路を
介して測定ガスを拡散できる少なくとも1つの測定室
と、該測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体か
らなる少なくとも1つのポンプセルを具備し、該ポンプ
セルに電流を流すことで酸素を測定室内外へポンピング
し、その時に流れる電流値から測定ガス中の被検出ガス
濃度を測定するガスセンサであって、該ポンプセルに流
れる電流を該測定室内から酸素を汲み出す方向、又は該
測定室内へ酸素を汲み入れる方向のいずれか一方向に流
し、該一方向とは逆の方向に流れる電流を抑制する逆電
流抑制手段を備えることを特徴とする。
【0008】更に、本ガスセンサは、拡散通路を介して
測定ガスを拡散できる第1及び第2測定室と、該第1及
び第2測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体か
らなる第1及び第2ポンプセルを具備し、該第1ポンプ
セルは該第1測定室に面し、該第2ポンプセルは該第2
測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下で周囲の測定
ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下で該第1測定
室と連通し、該第1ポンプセルによって該第1測定室中
の酸素濃度を制御することで、第2測定室に流入する酸
素量を所定量に制御し、該第2ポンプセルによって該第
2測定室中の酸素濃度を制御することで、該第2測定室
に流入する被検出ガス濃度を測定するガスセンサであっ
て、該第2ポンプセルに流れる電流は、該第2測定室内
から酸素を汲み出す方向、又は該第2測定室内へ酸素を
汲み入れる方向のいずれか一方向に流れ、該一方向とは
逆の方向に流れないことを特徴とする。
【0009】また、本ガスセンサは、拡散通路を介して
測定ガスを拡散できる第1及び第2測定室と、該第1及
び第2測定室に面して酸素イオン伝導性固体電解質体か
らなる第1及び第2ポンプセルを具備し、該第1ポンプ
セルは該第1測定室に面し、該第2ポンプセルは該第2
測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下で周囲の測定
ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下で該第1測定
室と連通し、該第1ポンプセルによって該第1測定室中
の酸素濃度を制御することで、第2測定室に流入する酸
素量を所定量に制御し、該第2ポンプセルによって該第
2測定室中の酸素濃度を制御することで、該第2測定室
に流入する被検出ガス濃度を測定するガスセンサであっ
て、該第2ポンプセルに流れる電流を該第2測定室内か
ら酸素を汲み出す方向、又は該第2測定室内へ酸素を汲
み入れる方向のいずれか一方向に流し、該一方向とは逆
の方向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備える
ことを特徴とする。
【0010】上記「逆電流抑制手段」は、酸素イオン伝
導性固体電解質体や制御回路の各素子に逆電流が流れ、
素子破壊を防ぐ為の手段である。この手段は任意に選択
することができる。つまり、上記逆電流抑制手段は、ダ
イオードとしたり、直流電源を用いることを挙げること
ができる。また、トランジスタや電界効果トランジスタ
等の制御素子としてもよいし、制御回路の各素子内に一
体として備えることもできる。また、上記直流電源の電
圧は10〜200mV(特に20〜120mV、更に好
ましくは30〜100mV)が好ましい。電位の範囲が
10mV未満では、十分な抑止効果が得られず第2測定
室に酸素が汲みこまれる恐れがあるし、200mVを超
えると、無理に第2測定室から酸素を汲み出すほどの電
位となって、固体電解質積層の破壊を起こす恐れが生じ
るからである。
【0011】更に、このようなガスセンサは、上記ポン
プセルがポンピング可能である活性状態にあるかを判定
する判定手段を備え、上記逆電流抑制手段は該判定手段
の結果が未活性状態であれば上記逆の方向に流れる電流
を抑制することができる。この活性状態の判断は任意の
方法で行うことができるが、動作可能温度未満であれば
未活性状態とし、動作可能温度以上であれば活性状態と
することを例示できる。尚、上記測定ガスは窒素酸化物
等とすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明のガスセンサに関す
る実施例により本発明を更に詳しく説明する。本ガスセ
ンサは、ガソリンエンジン等の内燃機関の排気管に接続
され、排気ガス中の窒化酸化物ガス濃度を測定するため
に用いられる。
【0013】〔実施例1〕本実施例1のガスセンサは、
逆電流抑制手段にダイオードを用いたガスセンサであ
る。本ガスセンサに用いられるガスセンサ素子は、図1
に示すように、対向する2枚のヒータ61、62と、ヒ
ータ61、62の間に設けられる、薄膜状ジルコニアか
らなる第1固体電解質層11、第2固体電解質層12及
び第3固体電解質層13を備える。また、各固体電解質
層11、12、13の間には、それぞれアルミナからな
る絶縁層51、52が挟まれている。第1固体電解質層
11及び第2固体電解質層12の間には空隙とした第1
測定室21が設けられている。また、第2固体電解質層
12及び第3固体電解質層13の間には、第2測定室2
2と、絶縁層52内に形成される基準酸素室23とが設
けられている。更に、第1測定室21は、連通孔を設け
た絶縁層41である第1拡散通路41を介して外気に通
じる。また、第2測定室22は、第2固体電解質層12
に設けられた第2拡散通路42を介して第1測定室21
に接続されている。
【0014】第1固体電解質層11の表裏面上には第1
電極(P1)が設けられており、第1ポンプセルとして
機能する。このうち、陽極側である第1電極311(P
1+)はヒータ61側であり、陰極側である第1電極31
2(P1-)は第1測定室21内に位置する。また、第3
固体電解質層13の表面上には第2電極(P2)が設け
られており、第2ポンプセルとして機能する。このう
ち、陽極側である第2電極321(P2+)は基準酸素室
23内、陰極側である第2電極322(P2-)は第2測
定室22内に位置する。更に、第2固体電解質層12の
表裏面上には基準電極(S)が設けられている。このう
ち、陽極側である基準電極331(S+)は基準酸素室
23内、陰極側である基準電極332(S-)は第1測
定室21内に位置する。
【0015】図2に本実施例1のガスセンサ素子の制御
回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極32
2(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続さ
れ、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)
素子73の出力側に接続されている。また、第1電極3
11(P1+)はオペアンプ71の出力側に、第2電極3
21(P2+)は、逆電流抑制手段であるダイオード8を
介してオペアンプ72の出力側に、そして基準電極33
1(S+)はPID73の入力側に接続されている。
【0016】次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御
回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。各
固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ
素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62
を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に
達するまで加熱する。
【0017】ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P
2)に電位を掛けないことで、第2測定室22に酸素が
汲みこまれるのを防止することができる。このため、活
性後は早期に第2測定室22の酸素濃度を低減させ、窒
素酸化物濃度を求めることができる。更に、オペアンプ
72の出力先に逆電流抑制手段であるダイオード8を設
けたため、第2測定室22に酸素が汲みこむ方向に電流
が流れるのを防止することができるとともに、オペアン
プ72の破壊を防止することができる。
【0018】尚、各固体電解質層11、12、13が活
性化し、使用可能な温度域に達した後は、第1電極(P
1)、第2電極(P2)に通常の印加を行い、窒素酸化物
濃度を求めることができる。また、第1電極(P1)3
11、312間では、400mV程度の電位差があるた
め、窒素酸化物も20〜30%程度分解される。
【0019】〔実施例2〕本実施例2のガスセンサは、
逆電流抑制手段にダイオードを用いたガスセンサであ
る。本ガスセンサに用いられるガスセンサ素子は図1に
示すように、実施例1と同じ構成である。
【0020】図3に本実施例1のガスセンサ素子の制御
回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極32
2(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続さ
れ、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)
素子73の出力側、及び定電圧電源82の入力側に接続
されている。また、第1電極311(P1+)はオペアン
プ71の出力側に、第2電極321(P2+)は、定電圧
電源82及びオペアンプ72の出力側に、そして基準電
極331(S+)はPID素子73の入力側に接続され
ている。
【0021】次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御
回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。各
固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ
素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62
を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に
達するまで加熱する。また、第2電極(P2)には、定
電圧電源82を用いて、酸素が該基準酸素室側へ移動す
る極性の電位を印加する。つまり、第2電極321(P
2+)が正、第2電極322(P2-)が負となるように、
40〜70mVの電位をかける。
【0022】ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P
2)にポンピングが起きない程度の電位を掛けること
で、第2電極(P2)間の電位によるポンプ作用が起き
ず、第2測定室22に酸素が汲みこまれるのを防止する
ことができる。このため、活性後は早期に第2測定室2
2の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めること
ができる。また、印加する電位は、酸素の汲み出しに必
要な電位より低い200mV以下の40〜70mVであ
るため、実際には酸素の移動が抑制され、固体電解質の
破壊を防止することができる。
【0023】〔実施例3〕本実施例3のガスセンサは、
第2ポンプセルの電圧印加用の電源自体を逆電流抑制手
段として用いたガスセンサである。本ガスセンサに用い
られるガスセンサ素子は図1に示すように、実施例1と
同じ構成である。
【0024】図4に本実施例1のガスセンサ素子の制御
回路図を示す。第1電極312(P1-)、第2電極32
2(P2-)及び基準電極332(S-)は互いに接続さ
れ、オペアンプ71の入力側、PID(比例積分微分)
素子73の出力側に接続されている。また、第1電極3
11(P1+)はオペアンプ71の出力側に、第2電極3
21(P2+)はオペアンプ72の出力側に、そして基準
電極331(S+)はPID素子73の入力側に接続さ
れている。
【0025】次いで、上記ガスセンサ素子及びその制御
回路を用いたガスセンサの昇温時の動作を説明する。各
固体電解質層11、12、13を活性化し、ガスセンサ
素子を使用可能な温度域にするには、ヒータ61、62
を通電し、ガスセンサ素子の温度が500〜900℃に
達するまで加熱する。また、第2電極(P2)には、定
電圧源Vref2及びオペアンプ72を用いて、酸素が
該基準酸素室側へ移動する極性の電位を印加する。つま
り、第2電極321(P2+)が正、第2電極322(P
2-)が負となるように、40〜70mVの電位をかけ
る。
【0026】ガスセンサ素子の昇温時に第2電極(P
2)にポンピングが起きない程度の電位を掛けること
で、第2電極(P2)間の電位によるポンプ作用が起き
ず、第2測定室22に酸素が汲みこまれるのを防止する
ことができる。このため、活性後は早期に第2測定室2
2の酸素濃度を低減させ、窒素酸化物濃度を求めること
ができる。また、印加する電位は、酸素の汲み出しに必
要な電位より低い200mV以下の40〜70mVであ
るため、実際には酸素の移動が抑制され、固体電解質の
破壊を防止することができる。
【0027】尚、本発明においては、上記実施例に示す
ものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で
種々変更した態様とすることができる。即ち、ガスセン
サ素子の制御回路に用いられている逆電流抑制手段は、
図2に示すダイオード8に限らず、任意の素子を用いる
ことができる。また、オペアンプ72内に一体として備
えることができる。更に、必要に応じてオペアンプ71
及びPID73に逆電流抑制手段を設けることができ
る。また、本実施例で検知するガスの種類は、窒素酸化
物ガスのみとしたが、電極Sを酸素濃度検出用として用
い、酸素及び窒素酸化物ガス濃度を求めることができ
る。
【0028】
【発明の効果】本発明のガスセンサによれば、ガスセン
サ素子の昇温中に第2測定室に酸素が汲みこまれること
が無く、短時間で使用可能にすることができる。また、
ガスセンサ素子の素子破壊を防ぐことができる。更に、
ガスセンサ素子昇温時に制御回路の破壊を防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例のガスセンサに用いるガスセンサ素子
の構造を説明するための断面図である。
【図2】本実施例1のガスセンサの制御回路を説明する
ための回路図である。
【図3】本実施例2のガスセンサの制御回路を説明する
ための回路図である。
【図4】本実施例2のガスセンサの制御回路を説明する
ための回路図である。
【符号の説明】
11;第1固体電解質層、12;第2固体電解質層、1
3;第3固体電解質層、21;第1測定室、22;第2
測定室、23;基準酸素室、311;第1電極(P
1+)、312;第1電極(P1-)、321;第2電極
(P2+)、322;第2電極(P2-)、331;基準電
極(S+)、332;基準電極(S-)、41;第1拡散
通路、42;第2拡散通路、51、52;絶縁層、6
1、62;ヒータ、71、72;オペアンプ、73;P
ID素子、81;ダイオード、82;定電圧電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早川 暢博 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内 (72)発明者 那須 峰次 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内 (72)発明者 塩谷 宏治 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる
    少なくとも1つの測定室と、該測定室に面して酸素イオ
    ン伝導性固体電解質体からなる少なくとも1つのポンプ
    セルを具備し、該ポンプセルに電流を流すことで酸素を
    測定室内外へポンピングし、その時に流れる電流値から
    測定ガス中の被検出ガス濃度を測定するガスセンサであ
    って、 該ポンプセルに流れる電流は、該測定室内から酸素を汲
    み出す方向、又は測定室内へ酸素を汲み入れる方向のい
    ずれか一方向に流れ、該一方向とは逆の方向に流れない
    ことを特徴とするガスセンサ。
  2. 【請求項2】 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる
    少なくとも1つの測定室と、該測定室に面して酸素イオ
    ン伝導性固体電解質体からなる少なくとも1つのポンプ
    セルを具備し、該ポンプセルに電流を流すことで酸素を
    測定室内外へポンピングし、その時に流れる電流値から
    測定ガス中の被検出ガス濃度を測定するガスセンサであ
    って、 該ポンプセルに流れる電流を該測定室内から酸素を汲み
    出す方向、又は該測定室内へ酸素を汲み入れる方向のい
    ずれか一方向に流し、該一方向とは逆の方向に流れる電
    流を抑制する逆電流抑制手段を備えることを特徴とする
    ガスセンサ。
  3. 【請求項3】 上記ポンプセルがポンピング可能である
    活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記逆電
    流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれば上
    記逆の方向に流れる電流を抑制する請求項2記載のガス
    センサ。
  4. 【請求項4】 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる
    第1及び第2測定室と、該第1及び第2測定室に面して
    酸素イオン伝導性固体電解質体からなる第1及び第2ポ
    ンプセルを具備し、 該第1ポンプセルは該第1測定室に面し、該第2ポンプ
    セルは該第2測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下
    で周囲の測定ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下
    で該第1測定室と連通し、該第1ポンプセルによって該
    第1測定室中の酸素濃度を制御することで、第2測定室
    に流入する酸素量を所定量に制御し、該第2ポンプセル
    によって該第2測定室中の酸素濃度を制御することで、
    該第2測定室に流入する被検出ガス濃度を測定するガス
    センサであって、 該第2ポンプセルに流れる電流は、該第2測定室内から
    酸素を汲み出す方向、又は該第2測定室内へ酸素を汲み
    入れる方向のいずれか一方向に流れ、該一方向とは逆の
    方向に流れないことを特徴とするガスセンサ。
  5. 【請求項5】 拡散通路を介して測定ガスを拡散できる
    第1及び第2測定室と、該第1及び第2測定室に面して
    酸素イオン伝導性固体電解質体からなる第1及び第2ポ
    ンプセルを具備し、 該第1ポンプセルは該第1測定室に面し、該第2ポンプ
    セルは該第2測定室に面し、該第1測定室は拡散抵抗下
    で周囲の測定ガスと連通し、該第2測定室は拡散抵抗下
    で該第1測定室と連通し、該第1ポンプセルによって該
    第1測定室中の酸素濃度を制御することで、第2測定室
    に流入する酸素量を所定量に制御し、該第2ポンプセル
    によって該第2測定室中の酸素濃度を制御することで、
    該第2測定室に流入する被検出ガス濃度を測定するガス
    センサであって、 該第2ポンプセルに流れる電流を該第2測定室内から酸
    素を汲み出す方向、又は該第2測定室内へ酸素を汲み入
    れる方向のいずれか一方向に流し、該一方向とは逆の方
    向に流れる電流を抑制する逆電流抑制手段を備えること
    を特徴とするガスセンサ。
  6. 【請求項6】 上記第2ポンプセルがポンピング可能で
    ある活性状態にあるかを判定する判定手段を備え、上記
    逆電流抑制手段は該判定手段の結果が未活性状態であれ
    ば上記逆の方向に流れる電流を抑制する請求項5記載の
    ガスセンサ。
  7. 【請求項7】 上記逆電流抑制手段は、ダイオードであ
    る請求項2、3、5又は6記載のガスセンサ。
  8. 【請求項8】 上記逆電流抑制手段は、直流電源である
    請求項2、3、5又は6記載のガスセンサ。
  9. 【請求項9】 上記直流電源の電圧は10〜200mV
    である請求項8記載のガスセンサ。
  10. 【請求項10】 上記測定ガスは窒素酸化物である請求
    項1乃至9のいずれか一項に記載のガスセンサ。
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