JP2002251730A - 光記録媒体及び記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録線速が半径位置により変わるＣＡＶ記録
において、特性の向上及び特性のより広いマージンを確
保するための記録発光波形に関する記録方法及びこれら
方法に適した記録媒体の記録材料、構成を提供するこ
と。 【解決手段】 記録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変
化を利用した相変化記録媒体を用いた記録方法におい
て、記録マークを形成するためのレーザー発光波形を複
数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パ
ルス列とし、複数のオンパルス幅Ｔｐが最内周における
基準クロック周波数νｉ、最内周の線速Ｖｉと各記録半
径位置での線速Ｖｒの比からの幅で発光させ記録するこ
とを特徴とする記録方法。 【数１】Ｔｐ＝α*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2／νｉ αは任意の固定された値。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光ディス
ク、書き換え可能光ディスクに関し、大容量光ファイ
ル、デジタルビデオディスクに応用される。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光記録媒体は、書き換え可能な
記録媒体として普及しており、最近において、データス
トレージ用からビデオ録画用途まで使用範囲が広がって
いる。近年、記録波長の短波長化も進んでおり、波長４
００ｎｍの青色ＬＤが実用レベルになっている。相変化
記録媒体も今後、このような使用用途の拡大と記録再生
技術の進歩により、大容量、高速記録再生を可能にする
記録材料、媒体構成に適合させることが必要になってく
る。

【０００３】その中で、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化記録
材料は、媒体構成を大きく変えなくても高密度に記録す
ることができるため、最適な材料である。これら相変化
記録材料を用いて高速記録を行なう方法の一つに、記録
線速が内周から外周に向けて速くなるＣＡＶ記録方法が
ある。これは、記録再生装置にとって、一定回転数で回
転させるため、ＣＬＶ方法に比べて制御が簡単である。
しかし、記録媒体、特に相変化型記録媒体にとっては、
幅広い線速に対応することが難しい。直径１２０ｍｍの
ＣＤ，ＤＶＤの場合、最内周に対し最外周は約２．５倍
線速が速くなる。したがって、１倍から２．５倍の線速
を同じ材料、構成で可能にしなければならない。１倍速
に相当する線速そのものが高速化すれば、外周の線速が
ますます速くなるため媒体の記録材料、媒体構成に対す
る条件が厳しくなってくる。例えば、内周部と外周部で
記録層材料の組成を変える、あるいは誘電体保護層の材
料、及び膜厚を変えるなどが考えられるが、作製プロセ
スが複雑になってしまう。さらに、同じ媒体でＣＡＶ、
ＣＬＶ両方に対応させる必要があると、これらの技術だ
けでは優れた特性の媒体を作製することが難しくなる。
そこで、記録媒体の最適化はもちろんであるが、ＬＤの
レーザー発光波形の発光パターン、いわゆる記録ストラ
テジーを線速ごとに合わせることで媒体構成、記録材料
を大きく変えることなく、優れた特性を得ることが可能
になる。特願２０００−３２２７４０号公報において、
ＣＡＶ記録の場合の発光パルス幅を記録線速とともに変
化する基準クロックに比例させる部分（比例係数は固
定）と一定の時定数部分からなる発光パターンとするこ
と、最終オフパルス長を同様に基準クロックに比例（比
例係数は固定）させるなどして、特性を得ることが可能
になっている（図１）。

【０００４】しかしながら、高い線速に適しても逆に低
い線速において、記録パワーに対する特性のマージンが
狭いなど優れた特性を得るためにさらに発光波形を工夫
する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来技術に鑑みて、記録線速が半径位置により
変わるＣＡＶ記録において、特性の向上及び特性のより
広いマージンを確保するための記録発光波形に関する記
録方法及びこれら方法に適した記録媒体の記録材料、構
成を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題は、（１）「記
録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変化を利用した相変
化記録媒体を用いた記録方法において記録マークを形成
するためのレーザー発光波形を複数のオンパルスとこれ
に続くオフパルスからなる記録パルス列とし、複数のオ
ンパルス幅Ｔｐが最内周における基準クロック周波数ν
ｉ、最内周の線速Ｖｉと各記録半径位置での線速Ｖｒの
比からの幅で発光させ記録することを特徴とする記録方
法；

【０００７】

【数６】Ｔｐ＝α*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2／νｉ αは任意の固定された値」、（２）「最終オフパルス幅
Ｔｃが、最内周におけるオフパルス幅Ｔｏと最内周の線
速Ｖｉと各記録半径位置での線速Ｖｒの比からの幅で発
光させ記録することを特徴とする前記第（１）項に記載
の記録方法；

【０００８】

【数７】Ｔｃ＝β*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2*Ｔｏ βは任意の固定された値」、（３）「複数パルス列のオ
ンパルスの開始位置が、基準クロック（１／ν）遅れて
発光し記録することを特徴とする前記第（１）項に記載
の記録方法」、（４）「先頭オンパルスのみを、最内周
における基準クロック周波数νｉと最内周の線速Ｖｉと
各記録半径位置での線速Ｖｒの比からだけ早い時間から
開始することを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）
項の何れか１に記載の記録方法；

【０００９】

【数８】Δ＝γ*（１／νｉ）*｛１−（Ｖｉ／Ｖｒ）｝ γは任意の固定された値」により達成される。

【００１０】また、上記課題は、本発明の（５）「透明
基板上に下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電
体保護層、第２誘電体保護層、Ａｇ合金あるいはＡｇか
らなる反射層で構成されることを特徴とする光記録媒
体」、（６）「記録層が、下記式（数９）の組成からな
り、元素ＸはＡｇ，Ｉｎ，Ｇｅから少なくとも２種類以
上選ばれることを特徴とする前記第（５）に記載の光記
録媒体；

【００１１】

【数９】ＸαＳｂβＴｅ１−α−β ０＜α＜１５，６０≦β＜９０（ａｔ％）」、（７）
「第２誘電体保護層がＳｉＣあるいはＳｉＣＯからなる
ことを特徴とする前記第（５）項に記載の光記録媒
体」、（８）「Ａｇ合金反射層が、下記式（数１０）で
表わされることを特徴とする前記第（６）項に記載の光
記録媒体；

【００１２】

【数１０】Ａｇｙ（Ｃｕ，Ｎｉ）１−ｙ （９５＜ｙ＜１００（ａｔ％）） 」、（９）「第２保護層の膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以
下であることを特徴とする前記第（５）項または第
（７）項に記載の光記録媒体」により達成される。

【００１３】更にまた、上記課題は、本発明の（１０）
「記録線速が最大２０ｍ／ｓｅｃ．であることを特徴と
する前記第（５）項乃至第（８）項のいずれかに記載の
光記録媒体を用いた光記録方法」により達成される。

【００１４】本発明の特徴は、ＣＡＶ記録において、優
れた特性を得るための記録発光パルス波形が、第１に、
複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録
パルス列とし、複数のオンパルス幅Ｔｐが最内周におけ
る基準クロック周波数νｉ、最内周の線速Ｖｉと各記録
半径位置での線速Ｖｒの比から

【００１５】

【数１１】Ｔｐ＝α*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2／νｉ αは任意の固定された値 の幅で発光させ記録すること、第２に、最終オフパルス
幅Ｔｃが、最内周におけるオフパルス幅Ｔｏと最内周の
線速Ｖｉと各記録半径位置での線速Ｖｒの比から

【００１６】

【数１２】Ｔｃ＝β*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2*Ｔｏ βは任意の固定された値 の幅で発光させ記録すること、第３に、複数パルス列の
オンパルスの開始位置が、基準クロックＴｗ遅れて発光
し記録すること、第４に、先頭オンパルスのみを、最内
周における基準クロック周波数νｉと最内周の線速Ｖｉ
と各記録半径位置での線速Ｖｒの比から

【００１７】

【数１３】Δ＝γ*（１／Ｖｉ）*｛１−（Ｖｉ／Ｖ
ｒ）｝、 γは任意の固定された値 だけ早い時間から開始する発光波形により記録すること
により、広い線速範囲において、広いマージンが得られ
る。一方、これら発光パルス波形に適し、なおかつ狙い
とする記録線速に適した媒体構成及び記録層組成とし
て、第５に、透明基板上に下部誘電体保護層、相変化型
記録層、上部誘電体保護層、第２誘電体保護層、Ａｇ合
金あるいはＡｇ反射層で構成されること、第６に、記録
層が、下記式（数１４）の組成からなり、元素ＸはＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｇｅから少なくとも２種類以上選ばれる記録
材料を使用すること、

【００１８】

【数１４】ＸαＳｂβＴｅ１-α-β ０＜α＜１５，６０≦β＜９０（ａｔ％） 第７に、第２誘電体保護層がＳｉＣあるいはＳｉＣＯか
らなること、第８に、Ａｇ合金反射層を、

【００１９】

【数１５】Ａｇｙ（Ｃｕ，Ｎｉ）１−ｙ （９５＜ｙ＜１００（ａｔ％）） の構成、材料にすること、第９に、第２保護層の膜厚が
２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることにより、繰り返し記
録をしても、十分な特性を得ることが可能になる。第１
０に、以上の記録媒体の記録可能な線速範囲が最大２０
ｍ／ｓであることを特徴とする光記録方法である。

【００２０】以下にこれらの構成、作用を示す。記録媒
体として用いる記録層材料は、高い線速で初回記録はも
ちろん、繰り返しオーバーライト時にも消し残りなく、
しかも、記録マークの環境保存性が良いことが必要であ
る。本発明に用いる記録層材料は高速に消去が可能で、
しかも高密度、すなわち小さいマークが形成しやすい。
その材料、組成は

【００２１】

【数１６】ＸαＳｂβＴｅ１-α-β ０＜α＜１５，６０≦β＜９０（ａｔ％） である。Ｓｂ量は、少ない場合、結晶化速度が下がるた
め高速記録に対して特性が得にくい。しかし、多すぎる
と非晶質相の形成及び安定性が悪くなる。好ましい範囲
としては、６５＜β＜８０である。添加元素として、Ａ
ｇ，Ｉｎ，Ｇｅが挙げられるが、これらの効果は、記録
マーク（非晶質相）の安定化を図る効果が主である。し
かし、Ｉｎは結晶化速度を高め、高速記録にも効果があ
る。これら添加元素が多すぎると特に繰り返し記録特性
を劣化させるため、少なくとも２元素以上でしかもこれ
ら元素の添加量を高々１５ａｔ％が良い。また、各添加
元素の好ましい範囲は、０．５＜Ａｇ＜２， ２＜Ｉｎ
＜８，１＜Ｇｅ＜５（ａｔ％）である。これら記録層材
料において、記録線速は最大２０ｍ／ｓまでの記録が可
能である。

【００２２】次に、上記記録層材料を用い優れた媒体特
性を得るためには、最適な層構成が必要になる。ポリカ
ーボネートを代表とする透明基板上に下部誘電体保護
層、相変化型記録層、上部誘電体保護層、第２誘電体保
護層、Ａｇ合金あるいはＡｇ反射層からなる構成とす
る。下部誘電体保護層及び上部保護層は、ＺｎＳ，Ｓｉ
Ｏ ₂を代表とする酸化物、硫化物あるいはこれら混合物,
あるいはＳｉＮなどの窒化物、あるいはＳｉＣなどの炭
化物が挙げられる。

【００２３】本発明においては、ＺｎＳ，ＳｉＯ₂（モ
ル比８０：２０）を用いる。第２上部保護層は、Ａｇあ
るいはＡｇ合金反射層及びＺｎＳ，ＳｉＯ₂層の高温、
高湿度環境において起こる硫化反応を防止すること及び
上部保護層から反射層への放熱効率を悪くすることのな
い熱伝導率が必要である。すなわち、上部保護層より熱
伝導率が高く、反射層材料により近いことが望ましい。
上部第２保護層に適した材料は、融点が高く、熱衝撃に
強く、できるだけ透明な膜が良い。本発明では、硫化防
止及び環境保存性に優れた材料としてＳｉＣを選択し
た。さらに、上部第２保護層の膜厚も重要であり、あま
り厚いと反射層への放熱性が悪くなり記録特性が悪くな
る。一方、薄すぎると硫化防止効果がなくなるが、記録
特性を優先し、しかも硫化を抑えるためには最低２ｎｍ
以上が必要である。厚い方は１０ｎｍあれば良いが、好
ましくは３ｎｍ〜５ｎｍが良い。

【００２４】反射層として使用する材料は、これまでＡ
ｌあるいはＡｌ合金が安価で光記録媒体に用いられてき
たが、より高い線速で特性を向上させるには、Ａｌ以上
あるいはそれを越える熱伝導率をもつＡｇ合金あるいは
高純度なＡｇを用いるのが好ましい。Ａｇ単体がより好
ましいが、高温高湿環境下において、酸化により熱伝導
率が低下するなど記録特性が劣化することを防ぐため
に、Ａｇに少量の金属を添加する。添加元素には、Ｐ
ｄ，Ａｕ，Ｐｔなどの貴金属があるが、できるだけ安価
な金属が好ましい。そのため、本発明はＣｕ，Ｎｉを添
加することにより劣化を抑制する。添加量は高々５ａｔ
％でＣｕ：Ｎｉ＝１：１付近で良い。好ましくは１ａｔ
％〜２ａｔ％で良い。あまり多く添加すると熱電導率が
著しく低下するためである。以上の構成により、低線速
から高線速まで優れた特性を持つ媒体となる。

【００２５】これらの媒体を用いて、記録半径位置によ
り記録線速が変化し外周で最も速くなるＣＡＶ記録をす
る場合、特性を得るために、媒体のみならずレーザ光の
パルス発光波形が重要になる。本発明において、任意の
記録マーク（ｎ＋１）*（１／ν）、（νは基準クロッ
ク周波数、ｎは２より大きい整数）を記録するために、
ｎ個のパルス列を用いる発光波形において、オンパルス
及び最終オフパルスを連続する基準周波数と線速をパラ
メータで決まる幅に設定して発光させることにより、最
内周の遅い線速から最外周の速い線速まで、優れた記録
特性が得られる。これらパルス幅は、オンパルスを、

【００２６】

【数１７】Ｔｐ＝α*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2／νｉ αは任意の固定された値 とする。例えば直径１２０ｍｍの媒体において、最内周
の半径２４ｍｍの線速を３．５ｍ／ｓとすると、最外周
が５８ｍｍの場合線速は８．５ｍ／ｓとなる。最内周の
半径２４ｍｍの線速を７ｍ／ｓの場合は、最外周が５８
ｍｍの場合、線速は約１７ｍ／ｓとなる。記録密度を半
径位置によらず一定にすれば、最内周の記録周波数、す
なわち基準クロック周波数νｉも外周につれ増加する。
記録半径位置で決まる線速と、最内周のクロック周波数
でパルス幅を連続的に変える。例えば、νｉが２６．２
ＭＨｚの場合、最内周の最適なパルス幅が、α*（１／
νｉ）に対し、α＝１／３となる。すなわち、約１２．
７ｎｓｅｃ．であれば、最外周は、約８ｎｓｅｃ．とな
る。

【００２７】次に、最終オフパルス部分、すなわちマー
ク後端部の非晶質相と結晶相の境界位置を制御する部分
においては、最終オフパルス幅Ｔｃを、最内周における
オフパルス幅Ｔｏと最内周の線速Ｖｉと各記録半径位置
での線速Ｖｒの比から

【００２８】

【数１８】Ｔｃ＝β*（Ｖｉ／Ｖｒ）²*Ｔｏ βは任意の固定された値 とする。最内周のＴｏを選びβを決めておけば、外周の
最適なオフパルス幅が求まる。

【００２９】さらに、高線速側すなわち最外周側におい
て、マーク先端部を制御するために先頭オンパルスの位
置を、パルス幅は固定したまま、幅Δ早く発光させる。
あまり早く光らせると、より短いマークの変調度が下が
るため、媒体構成、入射ビーム径に応じて行なう。先頭
より後の各パルスの開始位置は、半径位置に対応した基
準クロック分ずらす。

【００３０】

【実施例】以下、実施例により、詳細な説明を行なう。 ［実施例］基板の溝ピッチを０．７４μｍ、溝幅０．２
５μｍ、溝深さ３５ｎｍ、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート製基板を用い、この上にスパッ
タリング方式により各層を積層する。下部保護層は、Ｚ
ｎＳ：ＳｉＯ₂=８０：２０（ｍｏｌ％）を使用し、膜厚
を８０ｎｍとした。記録層を表１に示す組成、材料をに
して膜厚１９ｎｍとした。上部保護層については同様に
ＺｎＳ：ＳｉＯ₂=８０：２０（ｍｏｌ％）として、膜厚
を１０ｎｍとした。その上にＳｉＣ層を膜厚４ｎｍにし
て、最後にＡｇ₉₉Ｃｕ _0.5Ｎｉ_0.5（ａｔ％）合金を用い
て、厚さ１５０ｎｍの反射層を設けた。さらに紫外線硬
化樹脂を塗布し、膜のない厚さ０．６ｍｍ基板を貼合わ
せて厚さ１．２ｍｍとし記録媒体とした。大口径ＬＤを
用い、所定の条件で媒体全面を結晶化させた。従来例と
して、記録層をＳｂＴｅとして、上部保護層にＳｉＣ層
を設けず、反射層がＡｇのみ、ＡｌＴｉ（１ｗｔ％）の
場合をしめす。

【００３１】表１に示した実施例及び従来例はすべて波
長６５８ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６５のピックアップ
ヘッドを用いて、ＣＬＶにより線速８．５ｍ／ｓで、記
録線密度が０．２６５μｍ／ｂｉｔ、記録データの変調
方式は（８，１６）変調で、記録パワーは最大１５ｍ
Ｗ、消去パワーは記録パワーの０．５〜０．６倍、バイ
アスパワーが０．５ｍＷで記録した。繰り返し記録回数
は、ジッター９％以下の場合の回数を示した。また、８
０℃，８５％ＲＨ ３００時間の高温高湿環境下でのジ
ッター劣化が１％以下を○，ジッター劣化が１％から２
％の範囲を△、それ以上を×とする。

【００３２】次に、表１の実施例２に示す特性の良好な
媒体を用いて、ＣＡＶ方式により、記録した。記録線速
は、最内周（半径２４ｍｍ）で３．５ｍ／ｓ、最外周
（半径５８ｍｍ）８．５ｍ／ｓで記録した。記録密度
は、実施例１〜６に示した場合の条件と同じで、記録周
波数は、最内周で２６．２ＭＨｚ、最外周で６７．３Ｍ
Ｈｚとした。図１に示した従来の記録発光波形パターン
で記録した場合のジッターの記録線速依存性を図３に示
す。この場合の波形の各パラメータの値を表２に示す。
図４に、本発明の条件により記録した場合の記録線速依
存性を示す。いずれも記録パワーＰｗは１３．５ｍＷ、
消去パワーＰｅは記録パワーの比 Ｐｅ＊（０．５〜
０．５７）とした。最内周がＰｅ＝０．５＊Ｐｗ、最外
周がＰｅ＝０．５７＊Ｐｗとし、外周側に向けて大きく
なる。本発明の記録発光波形の各パラメータを表２に示
す。ここで、Ｔｗｉ＝３８．２ｎｓｅｃ．、Ｔｗｊ＝
０．３３＊Ｔｗｉ、Ｔｏ＝０．６７＊Ｔｗｉである。本
発明により、一回記録、繰り返し記録後ともに線速依存
性が小さくなった。

【００３３】

【表１−１】

【００３４】

【表１−２】

【００３５】

【表２】

【００３６】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明より明らか
なように、請求項１の本発明により、記録半径位置によ
り線速、記録周波数が変化する記録方法において、線速
依存性の少ない、良好な記録特性を得るための光記録媒
体の記録方法が提供でき、請求項２の本発明により、記
録半径位置により線速、記録周波数が変化する記録方法
において、線速依存性の少ない、良好な記録特性を得る
ための光記録媒体の記録方法が提供でき、請求項３の本
発明により、記録半径位置により線速、記録周波数が変
化する記録方法において、線速依存性の少ない、良好な
記録特性を得るための光記録媒体の記録方法が提供で
き、請求項４の本発明により、記録半径位置により線
速、記録周波数が変化する記録方法において、線速依存
性の少ない、良好な記録特性を得るための光記録媒体の
記録方法が提供でき、請求項５の本発明に示す光記録媒
体の構成により、記録半径位置により線速、記録周波数
が変化する記録方法において、線速依存性の少ない、良
好な記録特性を得ることができ、請求項６の本発明に示
す光記録媒体の記録層材料により、記録半径位置により
線速、記録周波数が変化する記録方法において、線速依
存性の少ない、良好な記録特性を得ることができ、請求
項７の本発明に示す第２上部保護層材料により、記録半
径位置により線速、記録周波数が変化する記録方法にお
いて、線速依存性の少ない、良好な記録特性を得ること
ができ、請求項８の本発明に示す反射層材料により、記
録半径位置により線速、記録周波数が変化する記録方法
において、線速依存性の少ない、良好な記録特性を得る
ことができ、請求項９の本発明により、第２上部保護層
材料の膜厚を最適化することにより、記録半径位置によ
り線速、記録周波数が変化する記録方法において、線速
依存性の少ない、良好な記録特性を得ることができ、請
求項１０の本発明により、記録半径位置により線速、記
録周波数が変化する記録方法において、より高い線速で
記録しても良好な記録特性を得ることができるという極
めて優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の記録発光波形パターンで記録した場合の
ジッターの記録線速依存性を示した図である。

【図２】従来の記録方法の説明図である。

【図３】実施例２の媒体を用いた場合のジッターの線速
度依存性を示した図である（従来記録発光波形）。

【図４】実施例２の媒体を用いた場合のジッターの線速
度依存性を示した図である（実施例７による記録発光波
形）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｅ (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB45 LA13 LA14 LB07 MA13 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 KK20

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変
   化を利用した相変化記録媒体を用いた記録方法におい
   て、記録マークを形成するためのレーザー発光波形を複
   数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パ
   ルス列とし、複数のオンパルス幅Ｔｐが最内周における
   基準クロック周波数νｉ、最内周の線速Ｖｉと各記録半
   径位置での線速Ｖｒの比からの幅で発光させ記録するこ
   とを特徴とする記録方法。 【数１】Ｔｐ＝α*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2／νｉ αは任意の固定された値
2. 【請求項２】 最終オフパルス幅Ｔｃが、最内周におけ
   るオフパルス幅Ｔｏと最内周の線速Ｖｉと各記録半径位
   置での線速Ｖｒの比からの幅で発光させ記録することを
   特徴とする請求項１に記載の記録方法。 【数２】Ｔｃ＝β*（Ｖｉ／Ｖｒ）^1/2*Ｔｏ βは任意の固定された値
3. 【請求項３】 複数パルス列のオンパルスの開始位置
   が、基準クロック（１／ν）遅れて発光し記録すること
   を特徴とする請求項１に記載の記録方法。
4. 【請求項４】 先頭オンパルスのみを、最内周における
   基準クロック周波数νｉと最内周の線速Ｖｉと各記録半
   径位置での線速Ｖｒの比からだけ早い時間から開始する
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１に記載の記
   録方法。 【数３】Δ＝γ*（１／νｉ）*｛１−（Ｖｉ／Ｖｒ）｝ γは任意の固定された値
5. 【請求項５】 透明基板上に下部誘電体保護層、相変化
   型記録層、上部誘電体保護層、第２誘電体保護層、Ａｇ
   合金あるいはＡｇからなる反射層で構成されることを特
   徴とする光記録媒体。
6. 【請求項６】 記録層が、下記式（数４）の組成からな
   り、元素ＸはＡｇ，Ｉｎ，Ｇｅから少なくとも２種類以
   上選ばれることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒
   体。 【数４】ＸαＳｂβＴｅ１−α−β ０＜α＜１５，６０≦β＜９０（ａｔ％）
7. 【請求項７】 第２誘電体保護層がＳｉＣあるいはＳｉ
   ＣＯからなることを特徴とする請求項５に記載の光記録
   媒体。
8. 【請求項８】 Ａｇ合金反射層が、下記式（数５）で表
   わされることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒
   体。 【数５】Ａｇｙ（Ｃｕ，Ｎｉ）１−ｙ （９５＜ｙ＜１００（ａｔ％））
9. 【請求項９】 第２保護層の膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ
   以下であることを特徴とする請求項５または７に記載の
   光記録媒体。
10. 【請求項１０】 記録線速が最大２０ｍ／ｓｅｃ．であ
    ることを特徴とする請求項５乃至８の何れかに記載の光
    記録媒体を用いた光記録方法。