JP4086224B2 - 光記録媒体及び光記録方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に光ビームを照射することによって、結晶と非結晶間を転移させて、情報の記録・再生を行ない、かつ書き換えが可能である相変化型光記録媒体、特に大容量光ファイル、ＤＶＤ＋ＲＷに応用される相変化型光記録媒体およびその記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザービームのような光ビームの照射による情報の記録・再生及び書き換え可能な光記録媒体の一つとして、結晶と非結晶間の転移を利用した、いわゆる相変化型光記録媒体が従来から知られ、広く実用化されている。
相変化型光記録媒体は、初期にものに比してその進歩はめざましく最近ではかなりの大容量の画像データを扱うことが可能なってきているが、より大容量の記録媒体の出現が望まれているのは言うまでもなく、データをより高速に記録再生できるものが要求されている。
相変化型光記録媒体は、ＣＤ、ＤＶＤのような書き換え型記録媒体として普及しているが、その理由は大容量で高速記録が可能であることだけではなく、ＲＯＭとの互換性が高いことが挙げられる。
高速記録が可能なＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒも実用化されているが、さらなる高速化が要求されている。しかし、高線速に対応したディスクは、低速ディスクに対応している低速ドライブでも記録できることが望ましい。ＣＤ−Ｒは、これが可能であり、広い線速に対応可能なものである。
高い線速で記録するためには、より高い記録パワーの出せるレーザーが必要になるが、低速ドライブに搭載されているレーザー光のパワーは、高線速対応ドライブのものより低いのが普通であり、高線速対応ディスクを低線速で、より低いパワーで記録することは線速範囲が広がれば広がるほど相変化型記録媒体では難しくなる。
さらにＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭとの互換を確保する必要から、感度を上げるために例えば反射率を必要以上に下げることはできない。
書き換え可能型ＤＶＤはここ数年の間に商品化されているが、商品化されているものでは２．４倍速が最高であり、より高線速に対応したディスク及びドライブはなく、しかも低線速ドライブで記録できる下位互換可能な高線速ディスクは、未だ商品化されていない。
【０００３】
これらの要求を満たすためには、低い記録パワーでしかも記録パワーのマージンが広い相変化型光記録媒体の記録層および記録方法を最適化することがまず必要である。
相変化型光記録媒体の記録層を構成する材料の代表的なものとして、ＧｅＳｂＴｅ系，ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ系の各材料が挙げられる。中でもＳｂＴｅ系の状態図に示されているＳｂ：Ｔｅ＝７０：３０（原子比）付近の共晶組成を基本にして、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅを添加して得られるＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、高密度でより高線速記録をしても繰り返し記録特性に優れた材料である。
【０００４】
一方、記録層材料及び媒体構成以外に、記録方法に関する工夫もなされている。
所定の長さのマークを形成をするため、記録媒体に入射するレーザー光を複数のパルス状の発光波形で記録することが必要である。また特開２０００−３２２７４０号公報には、低線速度から高線速度の範囲で所定のマーク長に記録する方法が開示されている。この方法は、マークを形成するための複数の加熱、冷却パルス部の組からなるマルチパルス部と、マーク間において、その記録パワーで決まる一定のパワーを照射する発光波形により、繰り返し記録を行なう方法であり、発光波形は従来用いられている方法であるが、先頭パルス、中間パルス、後部パルスを各記録線速で最適な記録特性を得るための方法である。
しかし、下位互換が可能でしかも高線速記録に対し、この方法をそのまま用いても特性の改善ができず、さらに最適な方法を見出す必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、上記従来技術に鑑みて、相変化型光記録媒体において、下位互換が可能でしかも高線速記録が可能な記録媒体及び記録方法を提供することである。特に、ＤＶＤ書き換え型記録媒体において、ＤＶＤと等速の線速３．４９ｍ／ｓから、最大でその４倍である１４ｍ／ｓ（１３．９６ｍ／ｓ）までの記録線速で記録ができ、しかも該光記録媒体でより低い記録線速と、より低い記録パワーで記録するドライブで記録が可能である下位互換がとれ、ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換も可能な記録媒体及びそれを用いた記録方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「基板上に、第１誘電体保護層、レーザー光を照射することによって結晶相と非晶質相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化型記録層、第２誘電体保護層及び反射層を順次設けられてなる相変化型記録媒体において、波長６５５ｎｍから６６０ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．６５、盤面パワー１２ｍＷのＤＣ光を照射して測定した該記録媒体の再結晶化上限線速度Ｖｃｕ（ｍ／ｓ）が最高記録線速度Ｖｍａｘ．＝１４ｍ／ｓと最低記録線速度Ｖｍｉｎ．＝３．４９ｍ／ｓの間にあって、Ｖｃｕが
【数１２】
（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２＜Ｖｃｕ
＜（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２＋３
であることを特徴とする光記録媒体」、（２）「第２の誘電体保護層がイオウを含み、反射層がＡｇまたはＡｇ合金で構成され、反射層と第２の誘電体保護層の間に膜厚が８ｎｍ以下のＳｉＣまたはＳｉからなる硫化防止層が設けられたことを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「第１の誘電体保護層と記録層の間に、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２からなる混合物とＹ_２Ｏ_３あるいはＭｇＯのいずれかを含み膜厚が１ｎｍ〜４ｎｍである第３の誘電体層が設けられたことを特徴とする前記第（１）項または第（２）項に記載の光記録媒体」、（４）「記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅからなり、各元素の原子比（ａｔ％）が
【０００７】
【数１３】
０＜Ａｇ≦１
【０００８】
【数１４】
０＜Ｉｎ≦３
【０００９】
【数１５】
６５＜Ｓｂ≦７５
【００１０】
【数１６】
１５＜Ｔｅ＜２５
【００１１】
【数１７】
２＜Ｇｅ≦５
であって、これらの原子比の和が１００％であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項の何れか１に記載の光記録媒体」、（５）「記録層がＧｅＭｎＳｂＴｅからなり、各元素の原子比が
【００１２】
【数１８】
０＜Ｍｎ≦５
【００１３】
【数１９】
６５＜Ｓｂ≦７５
【００１４】
【数２０】
１５＜Ｔｅ＜２５
【００１５】
【数２１】
２＜Ｇｅ≦５
であって、これらの原子比の和が１００％であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項の何れか１に記載の光記録媒体」、（６）「記録層にＧａが添加され、その添加量が３ａｔ％以下であることを特徴とする前記第（４）項または第（５）項に記載の光記録媒体」、（７）「情報が記録された前記第（１）項乃至第（６）項の何れかに記載の光記録媒体」により達成される。
【００１６】
また、上記課題は、本発明の（８）「前記第（１）項乃至第（６）項の何れかに記載の光記録媒体の最低記録線速度が３．４９ｍ／ｓ、最高記録線速度が１４ｍ／ｓであって、所定の時間の長さがｎＴ（ｎは２以上の整数、Ｔは基準クロック）である記録マークを形成するための発光波形が、先頭部の加熱パルス、冷却パルスと中間部の加熱パルスと冷却パルスと最後部の加熱パルスと冷却パルスからなるパルス列であり、加熱パルス時間をＯＰｉ、冷却パルス時間をＦＰｉ（ｉは一個の加熱パルス部と一個の冷却パルス部を一組のパルス部とした場合のそのパルス数ｍでｍ＝（ｎ−２））とした場合に、先頭部の各パルス幅をＯＰ１、ＦＰ１、後端部の各パルス幅をＯＰｍ、ＦＰｍ、一個ないし複数個からなる中間部の各パルス幅がＯＰｊ、ＦＰｊ（ｊ＝２〜ｍ−１）の場合、前記第（１）項に記載のＶｃｕより高い記録線速で記録するときに、ＯＰ１の開始時間を形成されるマークの先端部から、１Ｔ以上遅れて記録することを特徴とする光記録方法」、（９）「マーク形成するための発光波形の加熱、冷却パルスを照射する各パワーを記録パワー（Ｐｗ）、ボトムパワー（Ｐｂ）としたときに、マークと次のマークを形成する間に照射するパワーを消去パワー（Ｐｅ）とし、この消去パワーが、２値であって、後端部の冷却パルスの後に照射され、記録パワーの変化とともに変動する部分Ｐｅｖと次のマークの先端加熱パルス部まで照射する一定の値の消去パワーＰｅｃとからなり、Ｐｅｖの照射時間がＴ以下であることを特徴とする前記第（８）項に記載の光記録方法」、（１０）「２つの消去パワー、Ｐｅｖ、Ｐｅｃが、中間記録線速から最高記録線速の間において、Ｐｅｖは記録パワーとともに変化し、Ｐｅｃは最もマークの消去比がよい一定のパワーの２値であり、最低記録線速から中間記録線速の間において、Ｐｅｃ＝Ｐｅｖであり、１値となることを特徴とする前記第（９）項に記載の光記録方法」、（１１）「Ｆｐｍの終了時間Ｌｐを、形成されるマークの後端部から、
【００１７】
【数２２】
０≦Ｌｐ＜（１−ＯＰｍ）
の時間だけ速く終わることを特徴とする前記第（８）項に記載の光記録方法」、（１２）「中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２より高い記録線速で記録するときの、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅｖの比Ｐｅｖ／Ｐｗが、０．２から０．５であることを特徴とする前記第（８）項乃至第（１１）項の何れか１に記載の光記録方法」、（１３）「最低線速から中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２以下の各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．３*Ｔから０．６*Ｔの範囲であることを特徴とする前記第（８）項に記載の光記録方法」、（１４）「中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２以上から最高線速での、各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．４*Ｔから０．７*Ｔの範囲であることを特徴とする前記第（８）項に記載の光記録方法」により達成される。
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
従来の記録媒体の構成は、透明基板上に、第１の誘電体保護層、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする相変化型記録層、第１の誘電体保護層、反射層の順に積層したものが基本である。
用いる基板としては、記録再生光の波長に対し透明である、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタアクリル酸（ＰＭＭＡ）などのプラスチックやガラスが挙げられるが、特にポリカーボネート製の基板が好ましい。
【００１９】
基板と記録層の間に用いる第１誘電体保護層、記録層と反射層の間に用いる第２誘電体保護層を構成する材料としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄、等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層あるいは混合物として用いることもできる。
中でも、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物が相変化型記録媒体では、一般的に用いられており、その混合比は８０：２０（モル比）がよい。
第１の誘電体保護層は、熱伝導率が低く、比熱が小さく、オーバーライトにより結晶化しない、加熱と急冷の多数回の履歴によるクラックの発生、元素の拡散などがないことがよい。ＺｎＳ-ＳｉＯ_２（８０：２０）はこれら条件に対し適しており、第１の誘電体保護層にも用いられている。
しかしながら、線速が高くなるほど、より短時間に加熱、急冷を行なう必要があり、より材料の検討が必要になる。ＺｒＯ_２は、Ｙ_２Ｏ_３を３ｍｏｌ％から６ｍｏｌ％を含む混合物は屈折率が、ＺｎＳＳｉＯ_２とほぼ同じかそれよりも大きく、熱伝導率も低い。
バルクにおける熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定したところ、ＺｒＯ_２を主成分とする系として、ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２（５ｍｏｌ％）、ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（５０ｍｏｌ％）、ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（４０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ_２（２０ａｔ％）がそれぞれ、５．１、３．５、１．７３、２．６（Ｗ／ｍＫ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０ｍｏｌ％）が、８．４（Ｗ／ｍＫ）であった。屈折率（ｎ）は、ＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２（５ｍｏｌ％以外は、すべて２以上であった。また、Ｙ_２Ｏ_３の代わりに、ＭｇＯを用いてもよい。いずれもスパッタ法による成膜のためのターゲットを作製する際に、ターゲットの割れを防止するために用いる材料である。
【００２０】
一方、これら材料を第２の誘電体保護層に用いて、媒体を作製し、記録後に８０℃、８５％ＲＨで記録マークの保存性を調べたところ、ＺｒＯ_２の含有量が５０ａｔ％より多い系の場合は、マークが消滅するか、ジッター劣化が大きい。
しかし、ＺｒＯ_２系の繰り返しオーバーライト特性は良く、１０００回記録した後のジッター劣化はＺｎＳＳｉＯ_２より少なかった。そこで、好ましい材料としては、ＳｉＯ_２は５〜５０ｍｏｌ％，ＺｒＯ_２は２０〜５０ｍｏｌ％添加することが好ましい。
記録マークの保存性は、保存性の高い記録層材料を用いることにより、劣化を低くできることがわかっている。ＺｒＯ_２系は、結晶化を促進させる作用もあり、より高線速でオーバーライトするにはより効果的になる。
また、第２の誘電体保護層として、従来用いているＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０）でもよい。特許第２５１１９６４号公報には、ＺｒＯ_２単体あるいはＳｉＯ_２単体を記録層と接するように設けることが開示されているが、これは、ＺｒＯ２単体であり、しかも膜厚が３０ｎｍ以上である。本発明のように混合物であり、ＺｒＯ_２の結晶化を抑制させる働きとしてＳｉＯ_２を添加すること、結晶化促進をさせる記述がない。
【００２１】
さらに、ＺｒＯ_２系保護層材料を第１の誘電体保護層と記録層の間に設けることも効果的である。この場合は、膜厚は１ｎｍ以上でよい。
第１の誘電体保護層の膜厚は、４５乃至２５０ｎｍの範囲として、６５ｎｍ乃至２００ｎｍが好ましい。４５ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低下、畜熱効果の低下となり好ましくない。繰り返しオーバーライト特性の劣化が大きくなる。２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じる。
第２の誘電体保護層の膜厚は５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲とし、８ｎｍ乃至２０ｎｍが好ましい。５ｎｍより薄いと、記録感度が低下する。５０ｎｍより厚くなると、温度上昇による変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
【００２２】
反射層を構成する材料としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉなどの金属材料を挙げることができる。膜厚は、５０ｎｍ乃至２５０ｎｍ程度が好ましく、特に１００ｎｍ以上がよい。膜厚が厚くなり過ぎると放熱性がより向上するが、薄膜を作製する間に媒体の温度上昇により、基板の変形が起きてしまう。ＤＶＤの場合は、基板の厚さがＣＤの半分の０．６ｍｍであるために、変形がより大きくなり易い。膜厚が薄すぎると、放熱性が悪くなり記録特性が劣化し、また記録感度の低下、記録パワーに対するマージンが狭くなる。
反射層は、従来は、ＡｌあるいはＡｌ合金を用いてきたが、ＤＶＤの２倍速では、熱伝導率がより高いＡｇを用いることにより、特性が向上した。線速が速くなると、冷却速度が大きくなるがマーク形成する際に、発光パルスの加熱パルス時間を長くする必要があった。これは基準クロックが小さくなるために、加熱不足になるためである。パワーを大きくしていけばよいがパワーの限界がある。
一方、加熱時間を長くすると、冷却時間が短くなってしまい冷却時間の不足が起きるため、マークが形成しにくくなる。これは、一つの加熱と冷却のパルス時間の和が基準クロックであり、この制約の中で変えているためである。そこで、媒体で冷却効率を上げるために、反射層をＡｇで形成するのが好ましい。
【００２３】
しかしながら、ここで第２の誘電体保護層がイオウを含む材料で、反射層がＡｇでそれぞれ形成される場合、高温高湿下ではＡｇ_２Ｓが生成されて、これが特性劣化とか欠陥発生原因になり問題となる場合がある。そのような問題の対応策として、本発明者等は、反射層と第２の誘電体保護層の間に硫化反応防止層を設け、その材料として酸化物、窒化物、炭化物あるいは金属を用いることを鋭意検討した結果、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＴｉＯｘが好ましく、特にＳｉＣがＡｇとＳとの反応防止に有効であり、膜厚を３ｎｍ程度に薄く形成しても高い効果が得られるを確認した。
硫化反応防止層の膜厚は２ｎｍ以上、上限は１０ｎｍが好ましい。これ以上厚いと、反射層と第２誘電体保護層との距離が離れるため放熱効率が下がってしまい、また吸収係数が高いために反射率が低下してしまう。
反射層をＡｇで形成すると特性が向上する旨前記したが、硫化防止層は、Ａｇそのものの腐食性（硫化性）に対して効果を示すものの、反射層と硫化防止層との剥離が問題になる場合がある。したがって、Ａｇからなる反射層と硫化防止層との密着性を高めるのに、反射層にＡｇ単体を用いる場合、薄膜作製時のスパッタリング条件（アルゴンガス圧）を最適化して、Ａｇの結晶粒径を小さくし、粒成長を抑制すれば、Ａｇの薄膜表面が平滑になって、密着性が向上させることができて好ましい。粒径が大きくなるにつれ、表面が凹凸状になって密着性が弱い箇所から剥がれやすくなり好ましくない。
このＡｇの結晶粒径が制御されたＡｇ単体からなる反射層は密着性が高いため、硫化防止層の形成の如何を問わず隣接層との剥離防止に有効である。
【００２４】
また、本発明の相変化型光記録媒体においては、該媒体を指粉、油成分あるいは外気等から保護し耐環境性を向上させるために、反射層上に紫外線硬化樹脂を硬化させる等して形成される保護膜（環境保護層）を設けることができる。
このような環境保護層を設ける場合、反射層との密着性が高いことが望ましい。特に反射層にＡｇ単体を用いる場合、その配慮が必要であり、そのために環境保護層として用いる紫外線硬化型樹脂の硬化条件あるいは厚さを最適化することによって、密着性を高めることができる。
しかし、最適条件で作製されていなかったり、記録膜のない基板を貼り合わせる前の保管条件、または基板自身あるいは紫外線硬化型樹脂の吸湿によって、劣化する可能性はある。
以上のようなＡｇ単体を用いる場合に懸念される課題を回避するには、Ａｇ単体に換えて、Ａｇを９５ａｔ％以上、残りをＣｕ及びＮｉを添加した合金、例えば、ＡｇxＣｕyＮｉ_{１−ｘ−ｙ}、ｘ≧９５、ｙ≦５（ａｔ％）用いることが好ましく、信頼性をが向上させることができる。Ａｇに対する添加量は、５ａｔ％を超えると熱伝導率が著しく減少する傾向があるため、２ａｔ％以下が好ましい。Ａｇの膜をスパッタ法により作製する場合に、Ａｇ膜の結晶粒径を小さくするために基板とターゲット間にかけるパワーは、３ｋＷ以下がよい。これ以上だと結晶粒が大きくなる。Ａｇは、熱伝導率が金属の中では、Ａｌ、Ａｕに比べて高く、反射層に用いた場合に放熱性がよい。低い記録線速側では高い冷却速度が必要となる。特に、最低線速から、中間の線速領域では、再結晶化速度が高いため冷却速度が高いほどマークが形成し易い。
また、低い記録パワーでは、感度を高めるために加熱パルス幅を広げ記録層の温度を上げようとすると、冷却パルス幅がその分短くなる。冷却速度が高くなればこの冷却パルス幅をより広くすることがなくなるため、記録感度が上がる。
【００２５】
本発明の相変化型光記録媒体の記録層の膜厚は、１０ｎｍ〜２０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ以下では、結晶と非晶質相の反射率差が小さくなり、これ以上厚いと記録感度、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる傾向がある。
該記録層を構成する相変化型記録材料として、Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０付近の共晶組成を基本とし、Ａｇ、ＩｎさらにＧｅを添加したＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ系のそれぞれの材料が、他の材料に比して高線速でしかも高密度の記録に適しているため、従来から注目されている。
しかしながら本発明者等の検討によれば、Ｓｂは、Ｔｅに対する比率が大きくなるほど、特にＳｂ量が８０ａｔ％を超えると結晶化速度が高くなるが、反面保存性が悪くしかも非晶質相を形成しにくくなる傾向があり、従って、高線速記録に対応するためには、Ｓｂ量が６５ａｔ％以上８０ａｔ％より少ない方が好ましく、一方Ｔｅ量は１５ａｔ％以上２５ａｔ％以下が好ましいことを確認した。
【００２６】
Ｇｅは遅いにかかわらず、記録したマークの高温環境下での保存性を向上させるのに、重要な元素である。ＧｅとＴｅの結合エネルギーが大きく、しかもＧｅ添加量が増加する程、結晶化温度を高くするため保存性がよいと考えられる。しかし、あまり多く入れると結晶化温度がさらに高くなり、結晶化速度も遅くなるので５ａｔ％以下がよい。
Ａｇを添加すると、記録マークを安定化させるが、結晶化温度はあまり増加させない。Ａｇの添加量があまり多いと結晶化の速度を下げてしまうため、高々１ａｔ％程度の添加量が好ましい。
また、Ｉｎは、結晶化速度を上げるとともに、結晶化温度が上がるので保存性も向上させる効果を有するが、反面偏析しやすく、多く入れると繰り返しオーバーライト特性の劣化と再生光パワーに対する劣化が起きる傾向がある。そのためＩｎの添加量は、５ａｔ％以下が好ましく、特に３ａｔ％以下が好ましい。
【００２７】
Ｉｎ以外に、結晶化速度を速くするものにＧａがある。Ｇａは同量のＩｎに比べ、結晶化速度をより速くするが、結晶化温度もより高くなる。Ｇｅが５ａｔ％で、Ｇａが５ａｔ％以上になると結晶化温度が２００℃をはるかに超えて、２５０℃以上にもなる。そのため、記録層を非晶質状態から結晶化させるための初期化過程において、トラック一周の反射率分布が大きくなり、記録特性、データエラーの原因になるため、Ｇａは結晶化速度を速くさせるための補助的な元素として、３ａｔ％以下添加するのがよい。
【００２８】
ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ系は、より高線速な材料としては限界があり、Ａｇ，Ｉｎに代わる元素を検討した結果、結晶化速度を上げるが必要以上に上げない元素として、Ｍｎが効果的であることがわかった。
Ｍｎは多く添加しても、オーバーライト特性を劣化させずに保存特性も良好である。結晶化温度も上げるが量に対する増加量は小さく、再生光劣化も小さい。Ｍｎは、多くて５ａｔ％入れれば充分である。
このように、ＧｅＭｎＳｂＴｅ系も高線速に適した材料であるが、さらにＧａを添加し結晶化速度と保存性を向上させることができる。
【００２９】
以上説明した相変化型光記録媒体は、記録波長が４００〜７８０ｎｍの範囲で記録再生が可能である。ＤＶＤの場合、波長６５０ｎｍ、対物レンズの開口率を０．６０〜０．６５とし、入射光のビーム径を１μｍ以下とする。そのため、基板の厚さは０．６ｍｍとし、収差を小さくしている。
マークが書き込まれる溝部と溝部のピッチは、０．７４μｍ、溝の深さは１５ｎｍ〜４５ｎｍ、溝幅は０．２〜０．３μｍとする。溝は、約８２０ｋＨｚの周期をもつ蛇行状溝となっている。
アドレス部は、蛇行溝の周波数の位相を変調させ、この位相変化部分を検出し、２値化信号に変換しアドレス（番号）を読み取る。この蛇行部の振幅は、５ｎｍから２０ｎｍである。記録線密度は、０．２６７μｍ／ｂｉｔで、（８−１６）変調方法で記録する。最短マーク長は０．４μｍになる。
ＤＶＤの２倍速は、線速７ｍ／ｓ（６．９８ｍ／ｓ）であり、基準クロック周波数は５２．３ＭＨｚ（Ｔ：１９．１ナノ秒）になる。４倍速では、線速１４ｍ／ｓ（１３．９６ｍ／ｓ）になり基準クロック周波数は１０５ＭＨｚ（Ｔ：９．６ナノ秒）である。
書き換え型ＤＶＤには、すでにＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷといった規格の異なる記録媒体及びドライブが商品化されているが、ＤＶＤ＋ＲＷは、記録線速がＤＶＤの１倍から２．４倍速である。記録パワーは、最大１５ｍＷ、消去パワーは最大８ｍＷである。
【００３０】
本発明は、主にこのＤＶＤ＋ＲＷの１倍速から４倍速まで記録ができ、しかも既に商品化されている記録パワー、消去パワーの限られた２．４倍速までのドライブでも記録が可能な下位互換が可能な記録媒体及び４倍速が記録可能な記録方法に関するものであり、まず、上記で述べた記録媒体の下位互換が可能な条件を考える必要がある。
相変化型光記録媒体に、一定のＤＣ光を照射しながら、線速を１倍速から４倍速まで変えていき、このときの反射信号強度を測定していくと、通常ある線速から反射強度が減少し始め、それ以上の速い線速になるとさらに反射強度が減少しやがて飽和していく傾向がある。このときの反射強度が減少し始める線速を転移線速と呼ぶ。
この転移線速は主に、相変化型光記録媒体を構成する、記録層の構成元素の組成と各層の膜厚によって決まる。これは、転移線速以下では記録層が結晶状態にあり、転移線速より速い線速では非晶質相が形成し始め、充分高い線速では記録層全体が非晶質相になっている。１倍速から２．４倍速まで記録可能とするためには、転移線速を２．４倍すなわち、８．４ｍ／ｓより低い線速とした。好ましい範囲は、最高記録線速より１ｍ／ｓから１．５ｍ／ｓ遅くすることである。
一方、４倍速が最高線速の場合は転移線速を１２．５ｍ／ｓから１３ｍ／ｓとすることになる。しかし、この場合実際に１倍速から４倍速まで記録した場合、記録パワーは１５ｍＷ以上が必要となる。
転移線速以下では、一旦非晶質相が形成されすぐに再結晶化されることも含まれるという意味から、この転移線速を最結晶化上限速度ということもできる。
【００３１】
本発明の相変化型光記録媒体は、再結晶化上限速度Ｖｃｕが最高記録線速度Ｖｍａｘ．と最低記録線速度Ｖｍｉｎ.に対して
【００３２】
【数２３】
（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２＜Ｖｃｕ
＜｛（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２｝＋３
で表わされるものであり、本発明はこのような相変化型光記録媒体を用いることによって、高線速記録と下位互換を可能にしたものである。
最低線速度が３．５ｍ／ｓ、最高線速度が１４ｍ／ｓの場合、Ｖｃｕは、８．７５ｍ／ｓから１１．７５ｍ／ｓの間である。
特に、９ｍ／ｓから１１ｍ／ｓが好ましいが、この好ましい線速は波長６５５ｎｍから６６０ｎｍの範囲にあるＬＤで、対物レンズのＮＡが０．６５の光学ヘッドを用い、盤面パワー１２ｍＷを照射した場合の値である。これら条件を決めるにあたり、表６に示す記録層材料及び組成と基板の上に、下部保護層ＺｎＳＳｉＯ_２、記録層、上部保護層ＺｎＳＳｉＯ_２、硫化防止層ＳｉＣ，反射層Ａｇを表に示す条件で順に作製し、環境保護層をつけた後、接着材により０．６ｍｍの膜のない基板と貼り合わせた。これを、波長６５９ｎｍ，ＮＡ０．６５の対物レンズ゛を用いて、４倍速と１倍速で記録した。表１及び図６に、各線速において、４倍速は記録パワー１７ｍＷ，１倍速は記録パワー１５ｍＷで５トラックを連続記録した後、中心のトラックのオーバーライト１０００回後のジッターを測定した。
【００３３】
【表１】

記録媒体の再結晶化上限速度をこの範囲に設定することによって、下位互換と高線速記録を可能にすることができる。すなわち、この範囲に入りさえすれば、記録層材料あるいは各層の膜厚条件に限定的な条件はなく、下位互換と高線速記録を可能にできるが、より良い特性を得るには、記録層材料あるいは各層の膜厚等を前述したような条件を選択することが好ましい。
さらに、記録方法を最適化すると、高い線速でよりマージンを広げることができる。
【００３４】
図１に記録消去するための従来用いられてきた発光波形を示す。照射パワーとして、記録パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）、ボトムパワー（Ｐｂ）があり、記録パワーを照射し、記録層を加熱するための先頭加熱パルス部ＯＰ１、中間部の加熱パルス部ＯＰｊ（ｊ＝２〜ｍ−１）、後部加熱パルス部ＯＰｍと、ボトムパワーを照射する冷却パルス部ＦＰ１、ＦＰｊ、ＦＰｍがあり、さらに、中間部の加熱パルス部と冷却パルス部の時間の和がＴになっている。パルスの数はマーク長ｎＴに対し、（ｎ−１）個である。先頭加熱部の開始時間は形成されるマークの先端０Ｔから１Ｔまでの範囲にしていた。
【００３５】
しかし、本発明において、特に最高線速度４倍速（１４ｍ／ｓ）では、１Ｔかそれよりも長い時間遅らせることがよいことがわかった。特にオーバーライト１回目において効果が顕著になる。
特に、４倍速では記録層が充分な記録パワー記録する場合、非晶質相に相変化し易い線速領域のためであり、オーバーライト１回目では記録マークの消去比が低いため、マーク長が所定の長さより長くなったり、消し残りが生じる。
先頭パルスの開始時間を１Ｔ以上に遅らせること以外に、後端冷却パルス部ＦＰｍの終了時間Ｌｐを、形成されるマークの後端部から、０≦Ｌｐ＜（１−ＯＰｍ）の時間だけ速く終了させるとさらに、オーバーライト特性がよい。図２のＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍは、各記録線速毎にきまる基準クロックＴに比例して変化する。より記録特性を最適化させるために、基準クロックＴに比例する時間と固定された時間の和で決めてもよい。２．４倍速の、ＯＰ１が、０．３３Ｔ＋６ｎｓｅｃ．、ＯＰｊ，ＯＰｍが０．１７Ｔ＋６ｎｓｅｃ．となる。さらに中間線速（Ｖｍａｘ．Ｖｍｉｎ．）／２から最高線速の間の線速領域において、オーバーライト特性を向上させるためには、消去比を向上させ、さらに記録パワーに対するマージンを広げることが必要である。
図２に示すように、２つの消去パワー、Ｐｅｖ、Ｐｅｃが２値であって、中間記録線速から最高記録線速の間において、Ｐｅｖは記録パワーとともに変化し、Ｐｅｃは最もマークの消去比がよい一定の消去パワーである。
【００３６】
一方、最低記録線速から中間記録線速の間において、Ｐｅｃ＝Ｐｅｖであり、Ｐｅｃの１値となる。
中間記録線速から最高記録線速領域の最適消去パワーのパワーマージンが狭いため、従来の相変化記録媒体の消去パワーは、記録パワーと消去パワーの比（Ｐｅ／Ｐｗ）を決めて、記録パワーの変化とともに変わる。
これがＰｅｖであるが、この場合より低い記録パワーでは消去パワーも低くなってしまうため、消去比が悪くなる。また、より高い記録パワーでは消去パワーも高くなり消去比が悪くなるよりも、消去パワーの温度上昇で１部非晶質相が形成されてしまう。従って、パワーマージンが狭くなる。
そこで、消去比が高い最適消去パワーをＰｅｖを照射したあとに、次のマークを記録するまでの間照射すれば消し残ることがほとんどなく、記録パワーマージンが広がる。また、消去パワーをＰｅｃの１値のみにしてしまうと、より低い記録パワーでは逆にマーク長を短くしてしまったりするため、ある時間の間は、Ｐｅｖを照射した方がよい。
Ｐｅｖの照射時間は好ましくは、０．５Ｔから１Ｔである。記録パワーＰｗとＰｅｖの比Ｐｅｖ／Ｐｗを、中間線速より高い記録線速で記録するときは、０．２から０．５であり、線速が高くなるほど小さくなる。２．４倍速で（Ｐｅｖ／Ｐｗ）を０．４〜０．５、４倍速で０．３０〜０．４０である。
【００３７】
各加熱パルス時間ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍは、中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２以上から最高線速での、各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．４*Ｔから０．７*Ｔの範囲が最適である。また、最低線速から中間線速では、各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．３*Ｔから０．６*Ｔの範囲とすることが最適である。媒体を記録再生するドライブには、これら発光波形が出力されるためのＬＤ駆動回路が設けられている。
【００３８】
【実施例】
以下に実施例を示す。
（実施例１−３）
基板の溝ピッチを０．７４μｍ、溝幅０．２５μｍ、溝深さ２５ｎｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を用い、この上にスパッタリング方式によって各層を次のように順次形成した。
この基板上に、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（ｍｏｌ％）のターゲットを使用して膜厚６８ｎｍの第一の誘電体保護層を形成した後、その上に、表１に示すＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料からなる膜厚１６ｎｍの相変化記録層を形成した。
次に、この記録層の上に、第一の誘電体保護層と同じＺｎＳ：ＳｉＯ_２=８０：２０（ｍｏｌ％）からなる膜厚９ｎｍの第二の誘電体保護層を設けた。
第二の誘電体保護層の上に、膜厚４ｎｍのＳｉＣからなる硫化反応防止層を、さらに膜厚１４０ｎｍのＡｇからなる反射層を順次設けた。Ａｇの製膜の際、特にスパッタ投入パワーを３ｋＷとした。
耐環境性を向上させるために、大日本インキ製ＳＤ３１８紫外線硬化樹脂を塗布後、硬化させ５ミクロン厚として保護膜とした。
最後に、膜のないもう一枚の同一基板を紫外線硬化樹脂（アクリル製、日本化薬ＤＶＤ００３）で厚さ４０μｍとして、貼合わせて記録媒体とした。これにより、８０℃、８５％ＲＨまたは、９５％の湿度で２５℃と４０℃の温度サイクル試験を行なっても欠陥のない媒体ができる。
こうして作成した相変化型光記録媒体について、波長８１０ｎｍ大口径ＬＤ（ビーム径；トラック方向１μｍｘ半径方向７５μｍ）を用い、線速９ｍ／ｓ、パワー１０００ｍＷ、ヘッドの送り速度１８μｍ／回転で記録層を結晶化させ、初期化した。
【００３９】
記録再生は波長６５７ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて、最高線速度１４ｍ／ｓで記録密度が０．２６７μｍ／ｂｉｔとなるように記録した。記録データの変調方式は（８．１６）変調。記録パワーは１７ｍＷ、バイアスパワーは０．１ｍＷ、消去パワーは６ｍＷとして記録した。
記録方法は、図２に示す記録波形にて行なった。各マーク長のパルスの数は、（ｎ−１）とした。先頭パルスの開始時間を１.０５Ｔ遅らせた。図２に対応する各時間は、ＯＰ１ ５．８ナノ秒（０．６１Ｔ）、ＦＰ１ ３．７秒、ＯＰｊ５．５ナノ秒（０．５８Ｔ）、ＯＰｍ ４．０ナノ秒、ＦＰｊ ５．８ナノ秒（０．５８Ｔ）、ＯＰｍ １．６ナノ秒とした。Ｔは９．５ナノ秒である。
表１に、隣接する５トラックをＤＯＷ（ダイレクトオーバーライト）１０回記録した場合の中心トラックのｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋジッター値を示す。
１回記録のジッター（σ／Ｔ）は、７％から８％であった。１０回記録後、８０℃、８５％ＲＨ、３００時間、高温高湿環境下に置いた後のジッター増加量が１％以下を（○）、２％以下を（△）、それ以上の場合を（×）とした。再結晶化速度Ｖｃｕをさらに表２に示した。
【００４０】
【表２】

【００４１】
（実施例４〜６）
実施例１〜３と同様の作製方法で媒体を作製した。記録層は、表２に示すとおりであり、初期化条件を線速１０ｍ／ｓ、パワー１１００ｍＷ、ヘッドの送り速度１８μｍ／回転で記録層を結晶化させた。
記録方法は、実施例１〜３と同じである。表２に、隣接する５トラックをＤＯＷ１０回記録した場合の中心トラックのｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋジッター値を示す。
１回記録のジッター（σ／Ｔ）は、７％から８％であった。１０回記録後、８０℃、８５％ＲＨ、３００時間、高温高湿環境下に置いた後のジッター増加量が１％以下を（○）、２％以下を（△）、それ以上の場合を（×）とした。再結晶化速度Ｖｃｕをさらに表３に示した。
【００４２】
【表３】

【００４３】
（実施例７〜９）
実施例１〜３と同様の作製方法で媒体を作製した。記録層は、表３に示すとおりであり、初期化条件を線速９ｍ／ｓ、パワー１０００ｍＷ、ヘッドの送り速度１８μｍ／回転で記録層を結晶化させた。
記録方法は、実施例１〜３と同じである。表２に、隣接する５トラックをＤＯＷ１０回記録した場合の中心トラックのｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋジッター値を示す。
１回記録のジッター（σ／Ｔ）は、７％から８％であった。１０回記録後、８０℃、８５％ＲＨ、３００時間、高温高湿環境下に置いた後のジッター増加量が１％以下を（○）、２％以下を（△）、それ以上の場合を（×）とした。再結晶化速度Ｖｃｕをさらに表４に示した。
【００４４】
【表４】

【００４５】
（実施例１０〜１２）
実施例１〜３と同様の作製方法で媒体を作製した。記録層は、表３に示すとおりであり、初期化条件を線速９ｍ／ｓ、パワー１０００ｍＷ、ヘッドの送り速度１８μｍ／回転で記録層を結晶化させた。
記録方法は、実施例１〜３と同じである。表４に、隣接する５トラックをＤＯＷ１０回記録した場合の中心トラックのｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋジッター値を示す。
１回記録のジッター（σ／Ｔ）は、７％から８％であった。１０回記録後、８０℃、８５％ＲＨ、３００時間、高温高湿環境下に置いた後のジッター増加量が１％以下を（○）、２％以下を（△）、それ以上の場合を（×）とした。再結晶化速度Ｖｃｕをさらに表５に示した。
【００４６】
【表５】

【００４７】
（実施例１３〜１５）
媒体構成を実施例１から１２の第１誘電体保護層と記録層の間にＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｙ_２Ｏ_３あるいは、ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，ＺｒＯ_２，ＭｇＯを第３の誘電体層を設けた図３のような構成とした。この層もこれら混合物のスパッタターゲットを用い、スパッタ法により作製した。膜厚は、２ｎｍとした。記録方法は、実施例１から１２と同じである。用いた記録層は、実施例１から３の場合の記録層材料である。
初期化条件は、線速９ｍ／ｓ、パワー１０００ｍＷ、ヘッドの送り速度１８μｍ／回転である。
【００４８】
表６に、隣接する５トラックをＤＯＷ１０回記録した場合とＤＯＷ１０００回記録した場合の中心トラックのｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋジッター値を示す。１回記録のジッター（σ／Ｔ）は、７％から８％であった。１０回記録後、８０℃、８５％ＲＨ、３００時間、高温高湿環境下に置いた後のジッター増加量が１％以下を（○）、２％以下を（△）、それ以上の場合を（×）とした。実施例１から１２において、ＤＯＷ１０００回後のジッターは、９％から１０％の間であり、ＤＯＷのジッターが改善された。
【００４９】
【表６】

【００５０】
（実施例１６）
実施例１で用いた記録媒体を用いた。記録方法を記録線速１４ｍ／ｓの場合、Ｐｅｃ ５．７ｍＷとし、Ｐｅｖは記録パワーに対し、Ｐｅｖ＝Ｐｗ*０．３５となるようにした。
記録線速３．５ｍ／ｓにおいて、Ｐｅｃは、Ｐｅｖと同じ値であり、Ｐｅｖ＝Ｐｗ*０．５３となるようにした。線速１４ｍ／ｓでは、ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．５８*Ｔ、記録線速３．５ｍ／ｓでは、ＯＰ１を０．４Ｔ、ＯＰｊ、ＯＰｍを、０．３０*Ｔとした。図４に、線速１４ｍ／ｓのジッターの記録パワー依存性を示す。
比較例として、実施例１の場合の、記録パワー依存性の記録線速１４ｍ／ｓの場合を示す。図５に線速３．５ｍ／ｓの場合のジッターの記録パワー依存性を示す。
図４、図５から、最低記録線速から最高記録線速まで充分な記録特性が得られていることがわかる。
また、図５から従来のドライブの記録パワー条件である１５ｍＷ以下で記録パワーマージンが広く、高線速記録対応の媒体でも下位互換が可能であることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の光記録媒体は、高い記録線速に対応でき、低い線速で低い記録パワーで記録可能であり、さらに下位互換に対応できるものである。
また、本発明の光記録媒体は、第２の誘電体保護層がイオウを含む保護層ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射層、反射層と第２の誘電体保護層の間に、Ｓｉ，ＳｉＣからなり８ｎｍ以下の薄い膜厚の硫化防止層からなる構成にすることにより、低い記録線速から高い記録線速までの高い記録感度を持つ、特性のよいものである。
また、本発明の光記録媒体は、低い記録線速から高い記録線速まで、オーバーライト特性を向上させることができ優れた書き換え型である。
また、本発明の光記録方法は、特にレーザー駆動回路を具備したドライブを用いることにより、下位互換の特性を維持したまま、特に、中間線速度から最高線速度の記録線速範囲で、オーバーライト特性の向上と記録パワーマージンの広い記録特性が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録消去するための従来用いられてきた発光波形を示した図である。
【図２】記録消去するための本発明における発光波形を示した図である。
【図３】本発明の記録媒体の構成図の一例である。
【図４】本発明において線速で線速１４ｍ／ｓのジッターの記録パワー依存性を示した図である。
【図５】本発明において線速３．５ｍ／ｓの場合のジッターの記録パワー依存性を示した図である。
【図６】本発明における、ジッタ−値と再結晶化上限線速度との関係を示し、（数１）を支持する図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 第１の誘電体保護層
３ 第３の誘電体層
４ 記録層
５ 第２の誘電体保護層
６ 硫化防止層
７ 反射層

Claims (14)

1. 基板上に、第１誘電体保護層、レーザー光を照射することによって結晶相と非晶質相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化型記録層、第２誘電体保護層及び反射層を順次設けられてなる相変化型記録媒体において、波長６５５ｎｍから６６０ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．６５、盤面パワー１２ｍＷのＤＣ光を照射して測定した該記録媒体の再結晶化上限線速度Ｖｃｕ（ｍ／ｓ）が最高記録線速度Ｖｍａｘ．＝１４ｍ／ｓと最低記録線速度Ｖｍｉｎ．＝３．４９ｍ／ｓの間にあって、Ｖｃｕが
   

   

   であることを特徴とする光記録媒体。
2. 第２の誘電体保護層がイオウを含み、反射層がＡｇまたはＡｇ合金で構成され、反射層と第２の誘電体保護層の間に膜厚が８ｎｍ以下のＳｉＣまたはＳｉからなる硫化防止層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 第１の誘電体保護層と記録層の間に、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２からなる混合物とＹ_２Ｏ_３あるいはＭｇＯのいずれかを含み膜厚が１ｎｍ〜４ｎｍである第３の誘電体層が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅからなり、各元素の原子比（ａｔ％）が
   

   

   

   

   

   

   であって、これらの原子比の和が１００％であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１に記載の光記録媒体。
5. 記録層がＧｅＭｎＳｂＴｅからなり、各元素の原子比が
   

   

   

   

   

   であって、これらの原子比の和が１００％であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１に記載の光記録媒体。
6. 記録層にＧａが添加され、その添加量が３ａｔ％以下であることを特徴とする請求項４または５に記載の光記録媒体。
7. 情報が記録された請求項１乃至６の何れかに記載の光記録媒体。
8. 請求項１乃至６の何れかに記載の光記録媒体の最低記録線速度が３．４９ｍ／ｓ、最高記録線速度が１４ｍ／ｓであって、所定の時間の長さがｎＴ（ｎは２以上の整数、Ｔは基準クロック）である記録マークを形成するための発光波形が、先頭部の加熱パルス、冷却パルスと中間部の加熱パルスと冷却パルスと最後部の加熱パルスと冷却パルスからなるパルス列であり、加熱パルス時間をＯＰｉ、冷却パルス時間をＦＰｉ（ｉは一個の加熱パルス部と一個の冷却パルス部を一組のパルス部とした場合のそのパルス数ｍでｍ＝（ｎ−２））とした場合に、先頭部の各パルス幅をＯＰ１、ＦＰ１、後端部の各パルス幅をＯＰｍ、ＦＰｍ、一個ないし複数個からなる中間部の各パルス幅がＯＰｊ、ＦＰｊ（ｊ＝２〜ｍ−１）の場合、請求項１に記載のＶｃｕより高い記録線速で記録するときに、ＯＰ１の開始時間を形成されるマークの先端部から、１Ｔ以上遅れて記録することを特徴とする光記録方法。
9. マーク形成するための発光波形の加熱、冷却パルスを照射する各パワーを記録パワー（Ｐｗ）、ボトムパワー（Ｐｂ）としたときに、マークと次のマークを形成する間に照射するパワーを消去パワー（Ｐｅ）とし、この消去パワーが、２値であって、後端部の冷却パルスの後に照射され、記録パワーの変化とともに変動する部分Ｐｅｖと次のマークの先端加熱パルス部まで照射する一定の値の消去パワーＰｅｃとからなり、Ｐｅｖの照射時間がＴ以下であることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。
10. ２つの消去パワー、Ｐｅｖ、Ｐｅｃが、中間記録線速から最高記録線速の間において、Ｐｅｖは記録パワーとともに変化し、Ｐｅｃは最もマークの消去比がよい一定のパワーの２値であり、最低記録線速から中間記録線速の間において、Ｐｅｃ＝Ｐｅｖであり、１値となることを特徴とする請求項９に記載の光記録方法。
11. Ｆｐｍの終了時間Ｌｐを、形成されるマークの後端部から、
    

    

    の時間だけ速く終わることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。
12. 中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２より高い記録線速で記録するときの、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅｖの比Ｐｅｖ／Ｐｗが、０．２から０．５であることを特徴とする請求項８乃至１１の何れか１に記載の光記録方法。
13. 最低線速から中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２以下の各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．３*Ｔから０．６*Ｔの範囲であることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。
14. 中間線速（Ｖｍａｘ．＋Ｖｍｉｎ．）／２以上から最高線速での、各パルス幅ＯＰ１、ＯＰｊ、ＯＰｍが、０．４*Ｔから０．７*Ｔの範囲であることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。

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