JP2003248973A - 光記録媒体、その記録方法及び記録装置 - Google Patents
光記録媒体、その記録方法及び記録装置Info
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- JP2003248973A JP2003248973A JP2002115456A JP2002115456A JP2003248973A JP 2003248973 A JP2003248973 A JP 2003248973A JP 2002115456 A JP2002115456 A JP 2002115456A JP 2002115456 A JP2002115456 A JP 2002115456A JP 2003248973 A JP2003248973 A JP 2003248973A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録線速度で、高密度記録が行なえ、且
つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない、新規な第三
保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録
方法及び記録装置の提供。 【解決手段】 記録層が、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、
Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した
材料からなり、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層
（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｃ）の何れかの層から
なる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射
放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒
体。 （ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）Ｓｉ
Ｏ２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ
層とＳｉＯ２層とをこの順に積層した層
つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない、新規な第三
保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録
方法及び記録装置の提供。 【解決手段】 記録層が、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、
Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した
材料からなり、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層
（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｃ）の何れかの層から
なる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射
放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒
体。 （ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）Ｓｉ
Ｏ２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ
層とＳｉＯ２層とをこの順に積層した層
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒
体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記
録媒体に関し、更には、この光記録媒体にに対し、ＣＡ
Ｖ方式により、或いは記録媒体の記録半径位置を複数に
区切ってＣＬＶ方式により記録する方法及び装置に関す
る。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒
体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記
録媒体に関し、更には、この光記録媒体にに対し、ＣＡ
Ｖ方式により、或いは記録媒体の記録半径位置を複数に
区切ってＣＬＶ方式により記録する方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光線を利用して光ディスクに高
密度な情報の記録又は再生を行う技術として、一つの記
録マークを複数の短パルス列の照射によって形成するオ
ーバーライト方法が知られている（特開平３−１８５６
２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一定回
転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポット
の相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い領域
においてレーザーパワー不足になったり、或いは回路設
計が困難になったりするという新たな課題が発生する場
合がある。このような欠点を改良するため、ある波形の
入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度が予め
設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの変調波形
を短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレーザーの変
調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変換して光
ディスク上に照射することが提案されている（特開平６
−１２６７４号公報）。
密度な情報の記録又は再生を行う技術として、一つの記
録マークを複数の短パルス列の照射によって形成するオ
ーバーライト方法が知られている（特開平３−１８５６
２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一定回
転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポット
の相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い領域
においてレーザーパワー不足になったり、或いは回路設
計が困難になったりするという新たな課題が発生する場
合がある。このような欠点を改良するため、ある波形の
入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度が予め
設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの変調波形
を短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレーザーの変
調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変換して光
ディスク上に照射することが提案されている（特開平６
−１２６７４号公報）。
【０００３】ところで近年は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量
以上の高密度記録が可能で、更にその２倍速以上（約７
ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度で記録可能な相変化型
光記録媒体、及びそうした光記録媒体への記録方法の開
発が期待されている。そのような光記録媒体に対し、Ｃ
ＡＶ記録或いは光記録媒体の記録半径位置を複数に区切
ってＣＬＶ記録する場合、入力パルス幅を少し短くした
記録方法では、良好な記録特性（ジッタ特性）が得られ
ず、従来例の低線速側に用いられるようなレーザーの変
調波形（短パルス列化したもの）の方が良好な結果を与
える。前記特開平６−１２６７４号公報では、Ｇｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５の化合物に近い組成を用いているため、この
ような記録方法が採用されるものと考えられる。しかし
その反面、高線速度側でレーザーの変調波形が崩れない
ように調整した波形のパルス幅を固定して記録を行う場
合には、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さ
くなり過ぎ、記録パワーが不足することによってジッタ
特性が悪化する傾向がある。このような現象は、記録層
の組成による影響も考えられる。また一方、高記録線速
度での記録を可能にするため第二保護層上に金属反射層
を設けると、そのことによって記録層の欠陥発生や反射
層と第二保護層との間での部分剥離問題が発生すること
がある。
以上の高密度記録が可能で、更にその２倍速以上（約７
ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度で記録可能な相変化型
光記録媒体、及びそうした光記録媒体への記録方法の開
発が期待されている。そのような光記録媒体に対し、Ｃ
ＡＶ記録或いは光記録媒体の記録半径位置を複数に区切
ってＣＬＶ記録する場合、入力パルス幅を少し短くした
記録方法では、良好な記録特性（ジッタ特性）が得られ
ず、従来例の低線速側に用いられるようなレーザーの変
調波形（短パルス列化したもの）の方が良好な結果を与
える。前記特開平６−１２６７４号公報では、Ｇｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５の化合物に近い組成を用いているため、この
ような記録方法が採用されるものと考えられる。しかし
その反面、高線速度側でレーザーの変調波形が崩れない
ように調整した波形のパルス幅を固定して記録を行う場
合には、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さ
くなり過ぎ、記録パワーが不足することによってジッタ
特性が悪化する傾向がある。このような現象は、記録層
の組成による影響も考えられる。また一方、高記録線速
度での記録を可能にするため第二保護層上に金属反射層
を設けると、そのことによって記録層の欠陥発生や反射
層と第二保護層との間での部分剥離問題が発生すること
がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な不都合を生じることなく、高記録線速度で、高密度記
録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のな
い光記録媒体、更には、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の
高密度記録が可能で、３．０〜２０ｍ／ｓの範囲の高記
録線速度で記録可能な新規な第三保護層を有する相変化
型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提
供を目的とする。
な不都合を生じることなく、高記録線速度で、高密度記
録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のな
い光記録媒体、更には、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の
高密度記録が可能で、３．０〜２０ｍ／ｓの範囲の高記
録線速度で記録可能な新規な第三保護層を有する相変化
型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提
供を目的とする。
【０００５】上記課題は、次の１）〜６）の発明（以
下、本発明１〜６という。）によって解決される。 １） 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護
層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中
から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料から
なる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス
相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第
二の誘電体層（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｃ）の何
れかの層からなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属
反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とす
る光記録媒体。 （ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層 （ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層し
た層 （ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した
層 （ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に
積層した層 ２） 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護
層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中
から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料から
なる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス
相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上にＳｉ
Ｏ２、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２の積層からなる第二の誘電体層（上部保護層）、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉ、又はＳｉ−Ｃ−Ｏからなる第三の誘電体層
（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に
有することを特徴とする光記録媒体。 ３） 記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の
照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率
差が３０％以上であることを特徴とする１）又は２）記
載の光記録媒体。 ４） 記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形
を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記
録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録
半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔ
ｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを
特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体の記
録方法。 ５） 次の（ｉ）（ii）の記録方法を、最大周波数と最
小周波数の中間の周波数において切り替えて用いること
を特徴とする４）記載の光記録媒体の記録方法。 （ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定す
る部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分
とを連続的に組み合わせてなる記録方法 （ii）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対し
てデューティが一定となるように調整してなる記録方法 ６） ４）又は５）記載の光記録媒体の記録方法を実現
するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時
定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動
回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録
媒体の記録装置。
下、本発明１〜６という。）によって解決される。 １） 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護
層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中
から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料から
なる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス
相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第
二の誘電体層（上部保護層）、下記（ａ）〜（ｃ）の何
れかの層からなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属
反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とす
る光記録媒体。 （ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層 （ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層し
た層 （ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した
層 （ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に
積層した層 ２） 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護
層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中
から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料から
なる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス
相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上にＳｉ
Ｏ２、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２の積層からなる第二の誘電体層（上部保護層）、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉ、又はＳｉ−Ｃ−Ｏからなる第三の誘電体層
（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に
有することを特徴とする光記録媒体。 ３） 記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の
照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率
差が３０％以上であることを特徴とする１）又は２）記
載の光記録媒体。 ４） 記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形
を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記
録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録
半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔ
ｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを
特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体の記
録方法。 ５） 次の（ｉ）（ii）の記録方法を、最大周波数と最
小周波数の中間の周波数において切り替えて用いること
を特徴とする４）記載の光記録媒体の記録方法。 （ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定す
る部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分
とを連続的に組み合わせてなる記録方法 （ii）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対し
てデューティが一定となるように調整してなる記録方法 ６） ４）又は５）記載の光記録媒体の記録方法を実現
するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時
定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動
回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録
媒体の記録装置。
【０００６】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。本発明は、特定組成の記録層を用い、第二の誘電体
層（上部保護層）と金属反射層（反射放熱層）の間に特
定の材料からなる第三の誘電体層（第三保護層）を設け
ることを特徴とする。図１は本発明の光記録媒体の層構
成の一例を示す概念図である。即ち、案内溝（図示せ
ず）を有する基板１上に、第一の誘電体層（下部保護
層）２、記録層３、第二の誘電体層（上部保護層）４、
第三の誘電体層（第三保護層）５、金属反射層（反射放
熱層）６を順に製膜し、好ましくは金属反射層６の上に
ＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層７を積層した構成であ
る。本発明の光記録媒体は、記録層に、従来のＧｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５に近い組成の合金に代えて、ＳｂＴｅを必須
元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂなどの中から選ばれた少なくとも１種
の元素を添加した材料を用いる。具体例としては、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＡｌＳｂＴ
ｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧ
ａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどが挙げられるが、特に好
ましいのは、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ
である。
る。本発明は、特定組成の記録層を用い、第二の誘電体
層（上部保護層）と金属反射層（反射放熱層）の間に特
定の材料からなる第三の誘電体層（第三保護層）を設け
ることを特徴とする。図１は本発明の光記録媒体の層構
成の一例を示す概念図である。即ち、案内溝（図示せ
ず）を有する基板１上に、第一の誘電体層（下部保護
層）２、記録層３、第二の誘電体層（上部保護層）４、
第三の誘電体層（第三保護層）５、金属反射層（反射放
熱層）６を順に製膜し、好ましくは金属反射層６の上に
ＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層７を積層した構成であ
る。本発明の光記録媒体は、記録層に、従来のＧｅ２Ｓ
ｂ２Ｔｅ５に近い組成の合金に代えて、ＳｂＴｅを必須
元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂなどの中から選ばれた少なくとも１種
の元素を添加した材料を用いる。具体例としては、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＡｌＳｂＴ
ｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧ
ａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどが挙げられるが、特に好
ましいのは、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ
である。
【０００７】これらの合金において、基本となるＳｂと
Ｔｅの組成比は次の通りである。 Ｓｂ、６０〜８０原子％、望ましくは６５〜７８原子％ Ｔｅ、１８〜３０原子％、望ましくは２０〜２８原子％ また、添加元素は０．０１〜１０原子％の範囲で添加す
るのが良い。Ｓｂが６０原子％未満であるか、Ｔｅが３
０原子％を越えた場合には、記録スピードが遅くなって
しまい、Ｓｂが８０原子％を越えるか、Ｔｅが１８原子
％未満の場合には、記録マーク（アモルファス相）の保
存安定性が悪化してしまう。例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
Ｇｅの好ましい組成範囲は次の通りである。 Ａｇ、０．１〜７．０原子％、望ましくは０．３〜５．０原子％ Ｉｎ、 １〜１０原子％、望ましくは ２〜７原子％ Ｇｅ、 １〜１０原子％、望ましくは １〜７原子％ Ｓｂ、 ６０〜８０原子％、望ましくは ６５〜７８原子％ Ｔｅ、 １８〜３０原子％、望ましくは ２０〜２８原子％
Ｔｅの組成比は次の通りである。 Ｓｂ、６０〜８０原子％、望ましくは６５〜７８原子％ Ｔｅ、１８〜３０原子％、望ましくは２０〜２８原子％ また、添加元素は０．０１〜１０原子％の範囲で添加す
るのが良い。Ｓｂが６０原子％未満であるか、Ｔｅが３
０原子％を越えた場合には、記録スピードが遅くなって
しまい、Ｓｂが８０原子％を越えるか、Ｔｅが１８原子
％未満の場合には、記録マーク（アモルファス相）の保
存安定性が悪化してしまう。例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
Ｇｅの好ましい組成範囲は次の通りである。 Ａｇ、０．１〜７．０原子％、望ましくは０．３〜５．０原子％ Ｉｎ、 １〜１０原子％、望ましくは ２〜７原子％ Ｇｅ、 １〜１０原子％、望ましくは １〜７原子％ Ｓｂ、 ６０〜８０原子％、望ましくは ６５〜７８原子％ Ｔｅ、 １８〜３０原子％、望ましくは ２０〜２８原子％
【０００８】誘電体層はＺｎＳ・ＳｉＯ２からなるもの
が望ましい。第三の誘電体層（第三保護層）の形態とし
ては、（ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層、（ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉ
Ｃ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｃ）ＳｉＯ２層
とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｄ）ＳｉＯ
２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に積層した層が
挙げられる。また、記録層上の第二の誘電体層（上部保
護層）をＳｉＯ２、ＺｎＳ・ＳｉＯ ２、或いはＺｎＳ／
ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層とし、第三の誘電体層（第三保
護層）をＳｉＣ、Ｓｉ、又はＳｉ−Ｃ−Ｏにしてもよ
い。金属反射層はＡｇ又はＡｌ−Ｔｉからなるものが望
ましい。
が望ましい。第三の誘電体層（第三保護層）の形態とし
ては、（ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層、（ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉ
Ｃ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｃ）ＳｉＯ２層
とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した層、（ｄ）ＳｉＯ
２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に積層した層が
挙げられる。また、記録層上の第二の誘電体層（上部保
護層）をＳｉＯ２、ＺｎＳ・ＳｉＯ ２、或いはＺｎＳ／
ＺｎＳ・ＳｉＯ２の積層とし、第三の誘電体層（第三保
護層）をＳｉＣ、Ｓｉ、又はＳｉ−Ｃ−Ｏにしてもよ
い。金属反射層はＡｇ又はＡｌ−Ｔｉからなるものが望
ましい。
【０００９】基板１の材料としては、通常、ガラス、セ
ラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性の点で樹脂
基板が好ましい。その代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙
げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク
状、カード状又はシート状であってもよい。
ラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性の点で樹脂
基板が好ましい。その代表例としては、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙
げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク
状、カード状又はシート状であってもよい。
【００１０】第一の誘電体層（下部保護層）、第二の誘
電体層（上部保護層）、及び、第三の誘電体層（第三保
護層）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。膜
厚は、その機能、即ち、耐熱層、多重干渉層としての機
能によっても異なるが、第一の誘電体層は５０〜１１０
ｎｍ、又は１７０〜２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ未満で
は記録層を基板の影響から保護する機能に乏しく、２１
５ｎｍを越えると界面剥離を生じ易くなる。第二の誘電
体層は１０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ未満で
は記録感度が悪くなり、３０ｎｍを越えると熱がこもり
過ぎてしまう。第三の誘電体層（第三保護層）は２〜１
０ｎｍとするのがよい。
電体層（上部保護層）、及び、第三の誘電体層（第三保
護層）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。膜
厚は、その機能、即ち、耐熱層、多重干渉層としての機
能によっても異なるが、第一の誘電体層は５０〜１１０
ｎｍ、又は１７０〜２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ未満で
は記録層を基板の影響から保護する機能に乏しく、２１
５ｎｍを越えると界面剥離を生じ易くなる。第二の誘電
体層は１０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ未満で
は記録感度が悪くなり、３０ｎｍを越えると熱がこもり
過ぎてしまう。第三の誘電体層（第三保護層）は２〜１
０ｎｍとするのがよい。
【００１１】各層の好ましい製膜条件は、次の通りであ
る。 ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜：投入電力３ｋＷ Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０−３Ｔｏｒｒ ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０−３Ｔｏｒｒ Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）
３ｍｍＴｏｒｒ
る。 ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜：投入電力３ｋＷ Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０−３Ｔｏｒｒ ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０−３Ｔｏｒｒ Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）
３ｍｍＴｏｒｒ
【００１２】従来例の記録材料は、オーバーライト時の
消去を確実に行うために、記録層を消去レベル以上のパ
ワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要があ
る。これに対し、本発明の記録層は、消去特性に優れる
ため、記録マークの記録時において、レーザー光を照射
した後、急冷することさえ考慮すればよい。従って、Ｃ
ＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切って
ＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成で
きる。図２は、本発明の第１の主要な記録方法、即ち本
発明の記録方法を説明する図である。
消去を確実に行うために、記録層を消去レベル以上のパ
ワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要があ
る。これに対し、本発明の記録層は、消去特性に優れる
ため、記録マークの記録時において、レーザー光を照射
した後、急冷することさえ考慮すればよい。従って、Ｃ
ＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切って
ＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成で
きる。図２は、本発明の第１の主要な記録方法、即ち本
発明の記録方法を説明する図である。
【００１３】相変化型記録媒体においては、記録マーク
を形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパル
スとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列で行
う。本発明の記録パルス列は、従来の例に対し、ＣＡＶ
（角速度一定）記録のように例えば、内周から外周へ記
録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／
Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録する場合
など、複数の記録スピードで記録する場合に好適であ
る。特に特徴的な点は、各パルスの幅の規定を線速度に
関係なく規定される時定数（ＴｍＰ）とウィンドウ幅に
比例する部分（ｄＴｍｐ）の組み合せで行ったことであ
る。このようにパルス条件を設定すると、例えばｄＴｍ
ｐの部分の有無における実際のパルスデューティ比は図
３に示したものになる。ｄＴｍｐのない場合、時定数固
定値を最高速において最良のデューティー比となるよう
に決めた場合には低線速度側ではｄＴｍｐ有の条件より
小さくなることが分る。この場合、記録マーク記録位置
のばらつきの評価であるジッタ特性がパワー不足により
悪化してしまうことが発明者らの実験により分った。こ
のように本発明のパルス光を設定することによって、単
一速度ではなく、複数の記録速度に対応する記録方法が
得られることになる。
を形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパル
スとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列で行
う。本発明の記録パルス列は、従来の例に対し、ＣＡＶ
（角速度一定）記録のように例えば、内周から外周へ記
録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／
Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録する場合
など、複数の記録スピードで記録する場合に好適であ
る。特に特徴的な点は、各パルスの幅の規定を線速度に
関係なく規定される時定数（ＴｍＰ）とウィンドウ幅に
比例する部分（ｄＴｍｐ）の組み合せで行ったことであ
る。このようにパルス条件を設定すると、例えばｄＴｍ
ｐの部分の有無における実際のパルスデューティ比は図
３に示したものになる。ｄＴｍｐのない場合、時定数固
定値を最高速において最良のデューティー比となるよう
に決めた場合には低線速度側ではｄＴｍｐ有の条件より
小さくなることが分る。この場合、記録マーク記録位置
のばらつきの評価であるジッタ特性がパワー不足により
悪化してしまうことが発明者らの実験により分った。こ
のように本発明のパルス光を設定することによって、単
一速度ではなく、複数の記録速度に対応する記録方法が
得られることになる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例により限定されるもの
ではない。
するが、本発明はこれらの実施例により限定されるもの
ではない。
【００１５】実施例１
ポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法により
ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部保護層２、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ記録層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる上部保護層
４、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層からなる第三の誘電体層（第三保護
層）５、Ａｇ−Ｔｉ反射層（反射放熱層）６を順に製膜
し、更にその上に、スピンコート法によりＵＶ硬化樹脂
からなる環境保護層７を積層して、光記録媒体を作成し
た。各層の製膜条件は、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）が
何れも２×１０−３Ｔｏｒｒであり、投入電力は次の通
りである。 ＺｎＳ・ＳｉＯ２下部保護膜：３ｋＷ ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録膜 ：１ｋＷ ＺｎＳ・ＳｉＯ２上部保護膜：３ｋＷ Ｓｉ−Ｃ−Ｏ第三保護膜 ：３ｋＷ Ａｌ−Ｔｉ反射膜 ：９ｋＷ 上記ＡｇＩｎＳｂＴｅとしては下記の組成のものを使用
した。組成比は原子％であり、全ての元素の和は１００
原子％である。 Ａｇ０．５％、Ｉｎ７％、Ｓｂ６７％、Ｔｅ２５．５％ また、２％のＧｅを添加した下記の組成の記録材料でも
同様な結果が得られ、この場合は保存安定性に優れるこ
とも分った。 Ａｇ０．５％、Ｉｎ５％、Ｇｅ２％、Ｓｂ６８％、Ｔｅ
２５．５％ 更に、ＡｇＡｌＳｂＴｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅ
ＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどに
ついても試験したところ、添加元素の組成を調整するこ
とによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ材料と同等の特性を示し
た。同様に、本発明２の元素の添加は、高速記録を可能
にすると同時に結晶化温度を上昇させ記録マークの保存
安定性に寄与するものと考えられる。以上説明したよう
に、記録材料の組成比と層構成を調整することによっ
て、本発明３のような３〜２０ｍ／ｓで記録可能でかつ
アモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上の光記
録媒体が得られる。
ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部保護層２、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ記録層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる上部保護層
４、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層からなる第三の誘電体層（第三保護
層）５、Ａｇ−Ｔｉ反射層（反射放熱層）６を順に製膜
し、更にその上に、スピンコート法によりＵＶ硬化樹脂
からなる環境保護層７を積層して、光記録媒体を作成し
た。各層の製膜条件は、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）が
何れも２×１０−３Ｔｏｒｒであり、投入電力は次の通
りである。 ＺｎＳ・ＳｉＯ２下部保護膜：３ｋＷ ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録膜 ：１ｋＷ ＺｎＳ・ＳｉＯ２上部保護膜：３ｋＷ Ｓｉ−Ｃ−Ｏ第三保護膜 ：３ｋＷ Ａｌ−Ｔｉ反射膜 ：９ｋＷ 上記ＡｇＩｎＳｂＴｅとしては下記の組成のものを使用
した。組成比は原子％であり、全ての元素の和は１００
原子％である。 Ａｇ０．５％、Ｉｎ７％、Ｓｂ６７％、Ｔｅ２５．５％ また、２％のＧｅを添加した下記の組成の記録材料でも
同様な結果が得られ、この場合は保存安定性に優れるこ
とも分った。 Ａｇ０．５％、Ｉｎ５％、Ｇｅ２％、Ｓｂ６８％、Ｔｅ
２５．５％ 更に、ＡｇＡｌＳｂＴｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅ
ＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどに
ついても試験したところ、添加元素の組成を調整するこ
とによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ材料と同等の特性を示し
た。同様に、本発明２の元素の添加は、高速記録を可能
にすると同時に結晶化温度を上昇させ記録マークの保存
安定性に寄与するものと考えられる。以上説明したよう
に、記録材料の組成比と層構成を調整することによっ
て、本発明３のような３〜２０ｍ／ｓで記録可能でかつ
アモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上の光記
録媒体が得られる。
【００１６】特にＡｇＩｎＳｂＴｅ及びＡｇＩｎＳｂＴ
ｅＧｅを用いた光記録媒体に対し、内周３．４９ｍ／ｓ
ｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速度でＣＡＶ記録
を行った。オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する
部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数
を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示すように
連続に組み合わせる方法を用いた。ここで、図中のｄＴ
ｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算するよう
な設定にした。図２では正側の定数を乗算したが、負
側、例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。また、定数
に関しては、Ｔｗに対して、本実施例では分母に６を用
いたが、「ｎ／整数」に設定すると回路上都合が良い。
上記の結果、単に時定数を固定して記録を行うと、低線
速度側でのジッタ上昇や全体的なジッタ上昇が見られる
のに対し、本実施例ではジッタが低く抑えられ、安定し
た記録が行われることが分かった。また、記録層の欠陥
発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発
生を抑えることができた。
ｅＧｅを用いた光記録媒体に対し、内周３．４９ｍ／ｓ
ｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速度でＣＡＶ記録
を行った。オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する
部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数
を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示すように
連続に組み合わせる方法を用いた。ここで、図中のｄＴ
ｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算するよう
な設定にした。図２では正側の定数を乗算したが、負
側、例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。また、定数
に関しては、Ｔｗに対して、本実施例では分母に６を用
いたが、「ｎ／整数」に設定すると回路上都合が良い。
上記の結果、単に時定数を固定して記録を行うと、低線
速度側でのジッタ上昇や全体的なジッタ上昇が見られる
のに対し、本実施例ではジッタが低く抑えられ、安定し
た記録が行われることが分かった。また、記録層の欠陥
発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発
生を抑えることができた。
【００１７】実施例２〜７
第三の誘電体層（第三保護層）を、ＳｉＯ２層とＳｉＣ
層をこの順に積層した層（実施例２）、ＳｉＣ層とＳｉ
Ｏ２層をこの順に積層した層（実施例３）、ＳｉＯ２層
とＳｉ層をこの順に積層した層（実施例４）、Ｓｉ層と
ＳｉＯ２層をこの順に積層した層（実施例５）、ＳｉＯ
２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順に積層した層（実施例
６）、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層とＳｉＯ２層をこの順に積層した
層（実施例７）に代えた点以外は、実施例１と同様にし
て光記録媒体を作成した。
層をこの順に積層した層（実施例２）、ＳｉＣ層とＳｉ
Ｏ２層をこの順に積層した層（実施例３）、ＳｉＯ２層
とＳｉ層をこの順に積層した層（実施例４）、Ｓｉ層と
ＳｉＯ２層をこの順に積層した層（実施例５）、ＳｉＯ
２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順に積層した層（実施例
６）、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層とＳｉＯ２層をこの順に積層した
層（実施例７）に代えた点以外は、実施例１と同様にし
て光記録媒体を作成した。
【００１８】実施例８
第二の誘電体層（上部保護層）をＳｉＯ２層に代え、第
三の誘電体層（第三保護層）をＳｉＣ層に代えた点以外
は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成した。
三の誘電体層（第三保護層）をＳｉＣ層に代えた点以外
は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成した。
【００１９】実施例９
第二の誘電体層（上部保護層）をＺｎＳ／ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２の積層に代えた点以外は、実施例１と同様にして光
記録媒体を作成した。
Ｏ２の積層に代えた点以外は、実施例１と同様にして光
記録媒体を作成した。
【００２０】実施例１０
実施例１〜９で作成した光記録媒体に対し、オンパルス
の幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔ
ｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせ
た部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定
数を１１．５ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の
定数を１／６とした記録方法で、最内周のＴｗに対し１
／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）
の部分まで記録を行った。この部分での記録線速度は約
６ｍ／ｓｅｃであった。更に、上記半径位置よりも外周
側では、複数のオンパルスの幅をＴｗに対してデューテ
ィが０．６となるように調整して記録を行った。その結
果、実施例１〜９の何れの光記録媒体についても、ジッ
タ特性、記録層の欠陥発生、反射層と第二保護層との間
での部分剥離問題の発生を抑えることができた。光記録
媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路
は、ＬＳＩなどにより前記の時定数に対応した信号を発
生する部分、この信号をＬＤ駆動用の大電流パルスとす
る部分、及びこれらの伝送回路部分で構成され、ＬＤは
この駆動電流によってパルス状の記録光を出射する。前
記の時定数は、予め光ディスクに蛇行溝やピットなどの
手段を用いて記録される。そして、例えばこの情報はピ
ックアップで読み取られ、ＬＳＩで予めメモリされてい
る情報との比較を行い、該当する光ディスクの記録光の
パルス条件を設定し、ＬＤ駆動の大電流パルスに変換す
る。
の幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔ
ｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせ
た部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定
数を１１．５ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の
定数を１／６とした記録方法で、最内周のＴｗに対し１
／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）
の部分まで記録を行った。この部分での記録線速度は約
６ｍ／ｓｅｃであった。更に、上記半径位置よりも外周
側では、複数のオンパルスの幅をＴｗに対してデューテ
ィが０．６となるように調整して記録を行った。その結
果、実施例１〜９の何れの光記録媒体についても、ジッ
タ特性、記録層の欠陥発生、反射層と第二保護層との間
での部分剥離問題の発生を抑えることができた。光記録
媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路
は、ＬＳＩなどにより前記の時定数に対応した信号を発
生する部分、この信号をＬＤ駆動用の大電流パルスとす
る部分、及びこれらの伝送回路部分で構成され、ＬＤは
この駆動電流によってパルス状の記録光を出射する。前
記の時定数は、予め光ディスクに蛇行溝やピットなどの
手段を用いて記録される。そして、例えばこの情報はピ
ックアップで読み取られ、ＬＳＩで予めメモリされてい
る情報との比較を行い、該当する光ディスクの記録光の
パルス条件を設定し、ＬＤ駆動の大電流パルスに変換す
る。
【００２１】実施例１１
実施例１で作成した光記録媒体に対し、複数のオンパル
スの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが０．５
となるように調整し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍
に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで
記録を行った。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅ
ｃであった。更に、上記半径位置よりも外周側では、オ
ンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに
対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部
分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を
８ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／
６とした記録方法で記録を行った。その結果、ジッタ特
性は実施例５の場合とほぼ同じであった。
スの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが０．５
となるように調整し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍
に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで
記録を行った。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅ
ｃであった。更に、上記半径位置よりも外周側では、オ
ンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに
対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部
分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を
８ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／
６とした記録方法で記録を行った。その結果、ジッタ特
性は実施例５の場合とほぼ同じであった。
【００２２】
【発明の効果】本発明１〜３によれば、ＳｂＴｅを主成
分とする記録層を用いているために、消去特性に優れ、
記録マークの記録時にレーザー光を照射した後、急冷す
ることさえ考慮すればよく、また、記録層の欠陥発生、
及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生
を抑えることができ、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録
半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安
定した記録マークを形成できる。本発明４によれば、内
周側でのパルス幅デューティ比を大きくできるので、Ｃ
ＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切って
ＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成で
きる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護
層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができ
る。本発明５によれば、オンパルスの幅を全て同じ時定
数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分と
を連続的に組み合わせたパルス幅は、図３中のｄＴｍｐ
ありの直線に示す幅になるため、低線速度側（内周側）
においてパルス幅が小さくなり過ぎ記録パワーが不足す
ることによってジッタ特性が悪化するｄＴｍｐなしの場
合に比較して、内周側でのパルス幅を大きくできるの
で、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に
区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マーク
が形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と
第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えること
ができる。本発明６によれば、ＣＡＶ記録又は記録媒体
の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合で
も、安定した記録マークが形成できる記録装置を提供で
きる。
分とする記録層を用いているために、消去特性に優れ、
記録マークの記録時にレーザー光を照射した後、急冷す
ることさえ考慮すればよく、また、記録層の欠陥発生、
及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生
を抑えることができ、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録
半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安
定した記録マークを形成できる。本発明４によれば、内
周側でのパルス幅デューティ比を大きくできるので、Ｃ
ＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切って
ＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成で
きる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護
層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができ
る。本発明５によれば、オンパルスの幅を全て同じ時定
数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分と
を連続的に組み合わせたパルス幅は、図３中のｄＴｍｐ
ありの直線に示す幅になるため、低線速度側（内周側）
においてパルス幅が小さくなり過ぎ記録パワーが不足す
ることによってジッタ特性が悪化するｄＴｍｐなしの場
合に比較して、内周側でのパルス幅を大きくできるの
で、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に
区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マーク
が形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と
第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えること
ができる。本発明６によれば、ＣＡＶ記録又は記録媒体
の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合で
も、安定した記録マークが形成できる記録装置を提供で
きる。
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す概念
図。
図。
【図２】本発明の記録方法の説明図。
【図３】ｄＴｍｐの部分の有無における実際のパルスデ
ューティ比を示す図。
ューティ比を示す図。
１ 基板
２ 第一の誘電体層（下部保護層）
３ 記録層
４ 第二の誘電体層（上部保護層）
５ 第三の誘電体層（第三保護層）
６ 金属反射層（反射放熱層）
７ 環境保護層
Ｔ 基準となるクロック時間
Ｔｗ ウィンドウ幅
Ｔｍｐ マルチパルスの時定数固定部分
ｄＴｍｐ マルチパルスのウィンドウ幅比例部分
ｄＴｅｒａ オフパルスの立ち上がり時定数の規定値
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｌ
５３４Ｎ
Ｂ４１Ｍ 5/26 7/0045 Ｚ
Ｇ１１Ｂ 7/0045 7/125 Ｃ
7/125 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
(72)発明者 和多田 篤行
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA32 FA01
FA12 FA14 FA24 FA25 FA27
FB04 FB05 FB06 FB07 FB09
FB10 FB12 FB17 FB19 FB20
FB21 FB23 FB29
5D029 HA06 JA01 KC02 LA14 LA15
LA17 LB01 LB11
5D090 AA01 BB05 CC01 DD01
5D119 AA22 AA23 AA24 AA26 AA31
BA01 BB04 DA02 HA08 HA27
HA47 HA60
5D789 AA22 AA23 AA24 AA26 AA31
BA01 BB04 DA02 HA08 HA27
HA47 HA60
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下
部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔ
ｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材
料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモル
ファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上
に、第二の誘電体層（上部保護層）、下記（ａ）〜
（ｄ）の何れかの層からなる第三の誘電体層（第三保護
層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有すること
を特徴とする光記録媒体。 （ａ）Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層 （ｂ）ＳｉＯ２層とＳｉＣ層をこの順又は逆順に積層し
た層 （ｃ）ＳｉＯ２層とＳｉ層をこの順又は逆順に積層した
層 （ｄ）ＳｉＯ２層とＳｉ−Ｃ−Ｏ層をこの順又は逆順に
積層した層 - 【請求項２】 基板上に、直接又は第一の誘電体層（下
部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔ
ｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材
料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモル
ファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上
にＳｉＯ ２、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、或いはＺｎＳ／ＺｎＳ
・ＳｉＯ２の積層からなる第二の誘電体層（上部保護
層）、ＳｉＣ、Ｓｉ、又はＳｉ−Ｃ−Ｏからなる第三の
誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）を
この順に有することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレー
ザー光の照射により形成されるアモルファス相と結晶相
の反射率差が３０％以上であることを特徴とする請求項
１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録マークを形成する際、レーザー光の
発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスか
らなる記録パルス列とし、内周から外周又は外周から内
周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν
＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録す
ることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記
録媒体の記録方法。 - 【請求項５】 次の（ｉ）（ii）の記録方法を、最大周
波数と最小周波数の中間の周波数において切り替えて用
いることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の記録
方法。 （ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定す
る部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分
とを連続的に組み合わせてなる記録方法 （ii）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対し
てデューティが一定となるように調整してなる記録方法 - 【請求項６】 請求項４又は５記載の光記録媒体の記録
方法を実現するためのレーザー光駆動回路を有し、更
に、前記の時定数に対応した信号を発生する手段と、こ
の信号を駆動回路に伝送する手段とを有することを特徴
とする光記録媒体の記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002115456A JP4070497B2 (ja) | 2001-12-17 | 2002-04-17 | 光記録媒体、その記録方法及び記録装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-383731 | 2001-12-17 | ||
| JP2001383731 | 2001-12-17 | ||
| JP2002115456A JP4070497B2 (ja) | 2001-12-17 | 2002-04-17 | 光記録媒体、その記録方法及び記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003248973A true JP2003248973A (ja) | 2003-09-05 |
| JP4070497B2 JP4070497B2 (ja) | 2008-04-02 |
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ID=28676792
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002115456A Expired - Fee Related JP4070497B2 (ja) | 2001-12-17 | 2002-04-17 | 光記録媒体、その記録方法及び記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4070497B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005044578A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005049333A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, spattering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| JP2009520372A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-21 | ユニバーシティ、オブ、サウサンプトン | 相変化メモリ材料、デバイスおよび方法 |
-
2002
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