JP2002250741A

JP2002250741A - 静電容量検出型センサ

Info

Publication number: JP2002250741A
Application number: JP2001049486A
Authority: JP
Inventors: Koichi Otaka; 剛一大高; Hirotoshi Eguchi; 裕俊江口
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-02-23
Filing date: 2001-02-23
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】任意方向を高出力で高精度に計測することが
容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セ
ンサを提供する。【解決手段】被感知体側に形成された感知子基板１
と、感知子基板１に回動可能に形成された感知子２と、
感知子２の凸形状部２ａに形成された感知子電極３と、
感知子基板１と一体的に形成された電極基板４と、電極
基板４上に形成された凹形状の検知部５と、検知部５に
形成された基板電極６と、感知子電極３と基板電極６の
組み合わせで形成する静電容量形成部７とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量検出型セ
ンサに関し、詳しくは、静電容量を検出して力センサ、
圧力センサ、加速度センサ、変位センサ、衝撃検出装
置、傾斜計等の計測をする静電容量検出型センサに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の静電容量検出型センサは、コンデ
ンサの間隔が変化すると静電容量が変化することを利用
して、微小変位を拡大して計測する等のいろいろな方法
が行なわれている。このような静電容量検出型センサ
は、静電容量形成部がダイヤフラム形状になっているの
で、計測する出力を大きくするためには、ダイヤフラム
形状の面積を大きくする必要があった。そのために、高
出力で計測するセンサの形状が大きく大型になってい
た。また、従来の静電容量検出型センサにおいては、静
電容量形成部は単数個であるのが一般的であった。その
ために、被検知体の変位方向を任意の方向に分解するた
めには、複数個のセンサが必要であった。然し、複数個
のセンサを用いる場合には、その取り付けの角度精度が
センサの角度分解能を決めてしまうので、精度の高い出
力を得るためには、センサの実装に困難な点があった。

【０００３】そこで、基準平面に対して所定の傾斜角を
有する複数の傾斜面により形成された凹部を備えた基板
と、この基板の各傾斜面に対向する傾斜面及び基準平面
と平行な平行面を有し、上記基板と所定の間隔を介して
配置された水平または垂直方向に移動可能である可動多
面構造体と、この可動多面構造体を支持手段で水平また
は垂直方向に可動可能に支持して、基板と可動多面構造
体の各傾斜面の間の静電容量の変化及び基板の基準平面
と可動多面構造体の平行面の間の基準面に対する垂直方
向の静電容量の変化を検出して、可動多面構造体が移動
する垂直軸方向、又は、水平軸方向の加速度を計測する
ことも公知である（特開平７−９８３２８号等の公報を
参照）。然し、この可動多面構造体へ力を伝達する手段
を有しておらず、加速度によって生じる慣性力により可
動多面構造体が変位するが、慣性力による変位は小さい
ので検出感度やＳ／Ｎを非常に大きくする必要があっ
た。更に、この可動多面構造体に回転モーメントが作用
した場合にはその回転方向を検出することも困難であっ
た。したがって、従来の静電容量を検出して計測する静
電容量検出型センサは、任意方向を高出力で高精度に計
測することが困難で汎用性も低く大型でコスト高にもな
ると言う不具合が生じていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の静電容量検出型
センサは、任意方向を高出力で高精度に計測することが
困難で汎用性も低く大型でコスト高にもなると言う問題
が発生していた。そこで本発明の課題は、このような問
題点を解決するものである。即ち、任意方向を高出力で
高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コ
ストの静電容量検出型センサを提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、静電容量を検出して計測
する静電容量検出型センサにおいて、被感知体側に形成
された感知子基板と、上記感知子基板に回動可能に形成
された感知子と、上記感知子の凸形状部に形成された感
知子電極と、上記感知子基板と一体的に形成された電極
基板と、上記電極基板上に形成された凹形状の検知部
と、上記検知部に形成された基板電極と、上記感知子電
極と上記基板電極の組み合わせで形成する静電容量形成
部とからなる静電容量検出型センサであることを最も主
要な特徴とする。請求項２に記載の発明は、請求項１に
記載の静電容量検出型センサにおいて、感知子基板は、
ガラスで形成されている静電容量検出型センサであるこ
とを主要な特徴とする。請求項３に記載の発明は、請求
項１に記載の静電容量検出型センサにおいて、感知子基
板は、シリコン素材で形成されている静電容量検出型セ
ンサであることを主要な特徴とする。請求項４に記載の
発明は、請求項１、２又は３に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、電極基板は、ガラスで形成されている静
電容量検出型センサであることを主要な特徴とする。

【０００６】請求項５に記載の発明は、請求項１、２又
は３に記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板
は、シリコン素材で形成されている静電容量検出型セン
サであることを主要な特徴とする。請求項６に記載の発
明は、請求項１、４又は５記載の静電容量検出型センサ
において、感知子基板は、誘電体材料で形成されている
静電容量検出型センサであることを主要な特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１、２、３又は６に記
載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板は、誘電
体材料で形成されている静電容量検出型センサであるこ
とを主要な特徴とする。請求項８に記載の発明は、請求
項１、２、３、４、５、６又は７に記載の静電容量検出
型センサにおいて、感知子基板と電極基板は、熱膨張係
数が同等又は近似の材料から形成されている静電容量検
出型センサであることを主要な特徴とする。請求項９に
記載の発明は、請求項８に記載の静電容量検出型センサ
において、シリコン素材で形成された感知子基板と誘電
体材料で形成された電極基板とからなる静電容量検出型
センサであることを主要な特徴とする。

【０００７】請求項１０に記載の発明は、請求項８に記
載の静電容量検出型センサにおいて、誘電体材料で形成
された感知子基板とシリコン素材で形成された電極基板
とからなる静電容量検出型センサであることを主要な特
徴とする。請求項１１に記載の発明は、請求項１、３、
４、５、７、８又は９に記載の静電容量検出型センサに
おいて、感知子基板は、面方位（100）のシリコンウエ
ハを素材として形成されている静電容量検出型センサで
あることを主要な特徴とする。請求項１２に記載の発明
は、請求項１１に記載の静電容量検出型センサにおい
て、感知子基板に形成された感知子は、シリコンの（11
1）面で形成されている静電容量検出型センサであるこ
とを主要な特徴とする。請求項１３に記載の発明は、請
求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９に記載の静
電容量検出型センサにおいて、感知子基板は、面方位
（110）のシリコンウエハを素材として形成されている
静電容量検出型センサであることを主要な特徴とする。
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の静電容
量検出型センサにおいて、感知子基板に形成された感知
子は、シリコンの（111）面で形成されている静電容量
検出型センサであることを主要な特徴とする。請求項１
５に記載の発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４に記載の
静電容量検出型センサにおいて、感知子は、被感知側に
形成された突起部とからなる静電容量検出型センサであ
ることを主要な特徴とする。請求項１６に記載の発明
は、請求項項１乃至１５の何れか一項に記載の静電容量
検出型センサにおいて、感知子は、回動を促進する回動
促進手段を介して感知子基板に形成されている静電容量
検出型センサであることを主要な特徴とする。

【０００８】請求項１７に記載の発明は、請求項１６に
記載の静電容量検出型センサにおいて、回動促進手段
は、感知子基板に形成されている感知子の周辺の薄肉厚
部からなる静電容量検出型センサであることを主要な特
徴とする。請求項１８に記載の発明は、請求項１６又は
１７に記載の静電容量検出型センサにおいて、回動促進
手段は、感知子基板に形成されている感知子の周辺の上
記感知子基板を貫通する貫通穴部からなる静電容量検出
型センサであることを主要な特徴とする。請求項１９に
記載の発明は、請求項１、２、３、５、６、８、１０、
１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７又は１８に
記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板は、面
方位（100）のシリコンウエハを素材として形成されて
いる静電容量検出型センサであることを主要な特徴とす
る。請求項２０に記載の発明は、請求項１９に記載の静
電容量検出型センサにおいて、電極基板に形成された検
知部は、シリコンの（111）面で形成されている静電容
量検出型センサであることを主要な特徴とする。請求項
２１に記載の発明は、請求項１、２、３、５、６、８、
１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７又は
１８に記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板
は、面方位（110）のシリコンウエハを素材として形成
されている静電容量検出型センサであることを主要な特
徴とする。

【０００９】請求項２２に記載の発明は、請求項２１に
記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板に形成
された検知部は、シリコンの（111）面で形成されてい
る静電容量検出型センサであることを主要な特徴とす
る。請求項２３に記載の発明は、請求項１乃至２２の何
れか一項に記載の静電容量検出型センサにおいて、静電
容量形成部を形成する感知子電極と基板電極は、少なく
とも一方が複数個からなる静電容量検出型センサである
ことを主要な特徴とする。請求項２４に記載の発明は、
請求項１乃至２３の何れか一項に記載の静電容量検出型
センサにおいて、単数個の感知子電極と、複数個の基板
電極とからなる静電容量検出型センサであることを主要
な特徴とする。請求項２５に記載の発明は、請求項１乃
至２３の何れか一項に記載の静電容量検出型センサにお
いて、複数個の感知子電極と、単数個の基板電極とから
なる静電容量検出型センサであることを主要な特徴とす
る。請求項２６に記載の発明は、請求項１乃至２５の何
れか一項に記載の静電容量検出型センサにおいて、複数
個の静電容量形成部とから静電容量検出型センサである
ことを主要な特徴とする。

【００１０】請求項２７に記載の発明は、請求項１乃至
２２の何れか一項又は請求項２４に記載の静電容量検出
型センサにおいて、２個の静電容量形成部が非対向する
位置に形成された静電容量検出型センサであることを主
要な特徴とする。請求項２８に記載の発明は、請求項１
乃至２２の何れか一項又は請求項２４に記載の静電容量
検出型センサにおいて、３個の静電容量形成部が非対向
する位置に形成された静電容量検出型センサであること
を主要な特徴とする。請求項２９に記載の発明は、請求
項１乃至２２の何れか一項又は請求項２４に記載の静電
容量検出型センサにおいて、４個の静電容量形成部が２
組が対向する位置に形成され、組同士は非対向する位置
に形成された静電容量検出型センサであることを主要な
特徴とする。請求項３０に記載の発明は、請求項１乃至
２２の何れか一項又は請求項２４に記載の静電容量検出
型センサにおいて、５個の静電容量形成部が非対向する
位置に形成された静電容量検出型センサであることを主
要な特徴とする。請求項３１に記載の発明は、請求項１
乃至２２の何れか一項又は請求項２４に記載の静電容量
検出型センサにおいて、複数個の静電容量形成部がお互
いに直行する位置に形成された静電容量検出型センサで
あることを主要な特徴とする。請求項３２に記載の発明
は、請求項１乃至３１の何れか一項に記載の静電容量検
出型センサにおいて、静電容量形成部は、誘電体液体で
充填されている静電容量検出型センサであることを主要
な特徴とする。請求項３３に記載の発明は、請求項１乃
至３１の何れか一項に記載の静電容量検出型センサにお
いて、静電容量形成部は、真空である静電容量検出型セ
ンサであることを主要な特徴とする。

【００１１】

【作用】上記のように構成された静電容量検出型センサ
は、請求項１においては、被感知体側に形成された感知
子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成
された感知子電極と感知子基板に一体的に形成された電
極基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基板
電極との組み合わせで静電容量形成部を形成するように
して、任意方向を高出力で高精度に計測することが容易
で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型センサ
を提供することができるようにする。請求項２において
は、被感知体側にガラスで形成された感知子基板に回動
可能に形成された感知子の凸形状部に形成された感知子
電極と感知子基板に一体的に形成された電極基板上に形
成された凹形状の検知部に形成された基板電極との組み
合わせで静電容量形成部を形成するようにして、感知子
基板が透明になり感知子の様子が外部から観察できてメ
ンテナンスにも優れ、任意方向を高出力で高精度に計測
することが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容
量検出型センサを提供することができるようにする。請
求項３においては、被感知体側にシリコン素材で形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成
された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成さ
れた基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成す
るようにして、ＬＳＩ製造技術が利用でき、任意方向を
高出力で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有
り更に小型で更に低コストの静電容量検出型センサを提
供することができるようにする。

【００１２】請求項４においては、被感知体側に形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的にガラ
スで形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部
に形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部
を形成するようにして、電極基板が透明になり感知子の
様子が外部から観察できてメンテナンスにも優れ、任意
方向を高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も
有り小型で低コストの静電容量検出型センサを提供する
ことができるようにする。請求項５においては、被感知
体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された感
知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に
一体的にシリコン素材で形成された電極基板上に形成さ
れた凹形状の検知部に形成された基板電極との組み合わ
せで静電容量形成部を形成するようにして、ＬＳＩ製造
技術が利用でき、任意方向を高出力で更に高精度に計測
することが容易で汎用性も有り更に小型で更に低コスト
の静電容量検出型センサを提供することができるように
する。請求項６においては、被感知体側に形成された感
知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形
成された感知子電極と感知子基板に一体的に誘電体材料
で形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を
形成するようにして、温度変化による出力変動が少なく
なり、任意方向を高出力で更に高精度に計測することが
容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セ
ンサを提供することができるようにする。

【００１３】請求項７においては、被感知体側に形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に誘電
体材料で形成された電極基板上に形成された凹形状の検
知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量形
成部を形成するようにして、温度変化による出力変動が
少なくなり、任意方向を高出力で更に高精度に計測する
ことが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検
出型センサを提供することができるようにする。請求項
８においては、被感知体側に形成された感知子基板に回
動可能に形成された感知子の凸形状部に形成された感知
子電極と感知子基板に一体的に形成された電極基板上に
形成された凹形状の検知部に形成された基板電極との組
み合わせで静電容量形成部を形成すると共に感知子基板
と電極基板は熱膨張係数が同等又は近似の材料から形成
されるようにして、温度変化による出力変動が少なくな
り、任意方向を高出力で更に高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セン
サを提供することができるようにする。請求項９におい
ては、被感知体側に形成された感知子基板に回動可能に
形成された感知子の凸形状部に形成された感知子電極と
感知子基板に一体的に形成された電極基板上に形成され
た凹形状の検知部に形成された基板電極との組み合わせ
で静電容量形成部を形成すると共にシリコン素材で形成
された感知子基板と誘電体材料で形成された電極基板は
熱膨張係数が同等又は近似の材料から形成されるように
して、温度変化による出力変動が少なくなり、任意方向
を高出力で更に高精度に計測することが容易で汎用性も
有り小型で低コストの静電容量検出型センサを提供する
ことができるようにする。請求項１０においては、被感
知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された
感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量
形成部を形成すると共に誘電体材料で形成された感知子
基板とシリコン素材で形成された電極基板は熱膨張係数
が同等又は近似の材料から形成されるようにして、温度
変化による出力変動が少なくなり、任意方向を高出力で
更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
低コストの静電容量検出型センサを提供することができ
るようにする。

【００１４】請求項１１においては、被感知体側に面方
位（100）のシリコンウエハを素材として形成された感
知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形
成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成された
電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基
板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成するよう
にして、感知子の形成に異方性エッチングが利用するこ
とにより、任意方向を高出力で更に高精度に計測するこ
とが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの静電容量
検出型センサを提供することができるようにする。請求
項１２においては、被感知体側に面方位（100）のシリ
コンウエハを素材として形成された感知子基板に回動可
能にシリコンの（111）面で形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成
された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成さ
れた基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成す
るようにして、感知子の形成に異方性エッチングが利用
することにより、任意方向を高出力で更に高精度に計測
することが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの静
電容量検出型センサを提供することができるようにす
る。

【００１５】請求項１３においては、被感知体側に面方
位（110）のシリコンウエハを素材として形成された感
知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形
成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成された
電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基
板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成するよう
にして、異方性エッチングが利用でき、任意方向を高出
力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
更に低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようにする。請求項１４においては、被感知体側
に面方位（110）のシリコンウエハを素材として形成さ
れた感知子基板に回動可能にシリコンの（111）面で形
成された感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感
知子基板に一体的に形成された電極基板上に形成された
凹形状の検知部に形成された基板電極との組み合わせで
静電容量形成部を形成するようにして、異方性エッチン
グが利用でき、任意方向を高出力で更に高精度に計測す
ることが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの静電
容量検出型センサを提供することができるようにする。
請求項１５においては、被感知体側に形成された感知子
基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成さ
れた感知子電極と感知子基板に一体的に形成された電極
基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基板電
極との組み合わせで静電容量形成部を形成すると共に感
知子は被感知側に形成された突起部とからなるようにし
て、凸形状部とバランスしてより小さい力で動き感度を
向上させ、任意方向を高出力で更に高精度に計測するこ
とが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出
型センサを提供することができるようにする。

【００１６】請求項１６においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形
成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成
された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成
すると共に感知子は回動を促進する回動促進手段を介し
て感知子基板に形成されるようにして、感知子がを移動
しやすくなり感度が向上して、任意方向を高出力で更に
高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コ
ストの静電容量検出型センサを提供することができるよ
うにする。請求項１７においては、被感知体側に形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成
された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成さ
れた基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成す
ると共に感知子は回動を促進する回動促進手段の感知子
基板に形成されている感知子の周辺の薄肉厚部を介して
感知子基板に形成されるようにして、簡単な構造で感知
子がを移動しやすくなり感度が向上して、任意方向を高
出力で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り
小型で低コストの静電容量検出型センサを提供すること
ができるようにする。請求項１８においては、被感知体
側に形成された感知子基板に回動可能に形成された感知
子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一
体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知
部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成
部を形成すると共に感知子は回動を促進する回動促進手
段の感知子基板に形成されている感知子の周辺の感知子
基板を貫通する貫通穴部を介して感知子基板に形成され
るようにして、簡単な構造で感知子がを移動しやすくな
り感度が向上して、任意方向を高出力で更に高精度に計
測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電
容量検出型センサを提供することができるようにする。

【００１７】請求項１９においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に面
方位（100）のシリコンウエハを素材として形成された
電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基
板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成するよう
にして、異方性エッチングにより形成され、任意方向を
高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小
型で更に低コストの静電容量検出型センサを提供するこ
とができるようにする。請求項２０においては、被感知
体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された感
知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に
一体的に面方位（100）のシリコンウエハを素材として
形成された電極基板上に形成された凹形状のシリコンの
（111）面で形成されている検知部に形成された基板電
極との組み合わせで静電容量形成部を形成するようにし
て、検知部は寸法精度が高くなり、異方性エッチングに
より形成され、基板電極の交差角度がシリコンの結晶面
で定まり、任意方向を高出力で更に高精度に計測するこ
とが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの静電容量
検出型センサを提供することができるようにする。請求
項２１においては、被感知体側に形成された感知子基板
に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成された
感知子電極と感知子基板に面方位（110）のシリコンウ
エハを素材として一体的に形成された電極基板上に形成
された凹形状の検知部に形成された基板電極との組み合
わせで静電容量形成部を形成するようにして、検知部の
形成に異方性エッチングが利用できて、任意方向を高出
力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
更に低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようにする。

【００１８】請求項２２においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に面方位（11
0）のシリコンウエハを素材として一体的に形成された
電極基板上に形成された凹形状のシリコンの（111）面
で形成されている検知部に形成された基板電極との組み
合わせで静電容量形成部を形成するようにして、検知部
の形成に異方性エッチングが利用できて、任意方向を高
出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型
で更に低コストの静電容量検出型センサを提供すること
ができるようにする。請求項２３においては、被感知体
側に形成された感知子基板に回動可能に形成された感知
子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一
体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知
部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成
部を形成すると共に静電容量形成部を形成する感知子電
極と基板電極は少なくとも一方が複数個からなるように
して、感知子が回転移動をした場合にその方向を検出す
ることができるようになり、任意方向を高出力で高精度
に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの
静電容量検出型センサを提供することができるようにす
る。請求項２４においては、被感知体側に形成された感
知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形
成された単数個の感知子電極と感知子基板に一体的に形
成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成
された複数個の基板電極との組み合わせで静電容量形成
部を形成するようにして、感知子電極を個別に形成する
プロセスが省けるので、任意方向を高出力で高精度に計
測することが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの
静電容量検出型センサを提供することができるようにす
る。

【００１９】請求項２５においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された複数個の感知子電極と感知子基板に一
体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知
部に形成された単数個の基板電極との組み合わせで静電
容量形成部を形成するようにして、基板電極を個別に形
成するプロセスが省けるので、任意方向を高出力で高精
度に計測することが容易で汎用性も有り小型で更に低コ
ストの静電容量検出型センサを提供することができるよ
うにする。請求項２６においては、被感知体側に形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成
された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成さ
れた基板電極との組み合わせで複数個の静電容量形成部
を形成するようにして、任意方向の移動方向と移動量を
高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小
型で低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようにする。請求項２７においては、被感知体側
に形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子
の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体
的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部
に形成された基板電極との組み合わせで２個の静電容量
形成部を非対向する位置に形成するようにして、感知子
の移動を２方向の移動量として検知できて、任意方向を
高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小
型で低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようにする。

【００２０】請求項２８においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形
成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成
された基板電極との組み合わせで３個の静電容量形成部
を非対向する位置に形成するようにして、感知子の移動
を３方向の移動量として検知できて、任意方向を高出力
で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低
コストの静電容量検出型センサを提供することができる
ようにする。請求項２９においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形
成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成
された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成
すると共に４個の静電容量形成部が２組が対向する位置
に形成され組同士は非対向する位置に形成されるように
して、感知子の移動を２方向移動量として検知すると
き、任意方向を更に高出力で高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セン
サを提供することができるようにする。請求項３０にお
いては、被感知体側に形成された感知子基板に回動可能
に形成された感知子の凸形状部に形成された感知子電極
と感知子基板に一体的に形成された電極基板上に形成さ
れた凹形状の検知部に形成された基板電極との組み合わ
せで５個の静電容量形成部を非対向する位置に形成する
ようにして、感知子の移動を５方向の移動量として検知
できて、任意方向を高出力で更に高精度に計測すること
が容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型
センサを提供することができるようにする。

【００２１】請求項３１においては、被感知体側に形成
された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形
状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形
成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成
された基板電極との組み合わせで複数個の静電容量形成
部をお互いに直行する位置に形成するようにして、感知
子の移動を方向別の移動量として検知するとき互いに独
立の移動量として検知でき、任意方向を高出力で更に高
精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コス
トの静電容量検出型センサを提供することができるよう
にする。請求項３２においては、被感知体側に形成され
た感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部
に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成さ
れた電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成され
た基板電極との組み合わせで誘電体液体で充填されてい
る静電容量形成部を形成するようにして、静電容量形成
分の誘電率が上がり出力が向上して、任意方向を更に高
出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型
で低コストの静電容量検出型センサを提供することがで
きるようにする。請求項３３においては、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで真空の静電容量形
成部を形成するようにして、電極間距離が狭まる時に中
にある気体の圧縮による抗力が発生しなくなるので周波
数特性が向上して、任意方向を更に高出力で更に高精度
に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの
静電容量検出型センサを提供することができるようにす
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１と図２において、静
電容量を検出して計測する静電容量検出型センサ０は、
被感知体（Ａ）が設置される被感知体側にガラス、シリ
コン素材、又は、その他の誘電体材料等で形成された感
知子基板１と、感知子基板１に回動可能に凸形状部２ａ
と対称的に被感知体（Ａ）が設置される被感知体側に形
成され外部より力を受け凸形状部２ａとバランスしてよ
り小さい力で動き感度を向上させる突起部２ｂとからな
る感知子２と、感知子２の凸形状部２ａに形成された感
知子電極３と、感知子基板１と一体的にガラス、シリコ
ン素材、又は、その他の誘電体材料等で形成された電極
基板４と、電極基板４上に形成された凹形状の検知部５
と、検知部５に形成された基板電極６と、感知子電極３
と基板電極６の組み合わせで形成する静電容量形成部７
とからなり、任意方向を高出力で高精度に計測すること
が容易で汎用性も有り小型で低コストである。感知子基
板１は凸形状部２ａの平面にそれぞれ感知子電極３の感
知子電極３ａ、感知子電極３ｂ、感知子電極３ｃ、感知
子電極３ｄ、感知子電極３ｅが形成され、電極基板４は
凹形状に形成された検知部５に基板電極６の基板電極６
ａ、基板電極６ｂ、基板電極６ｃ、基板電極６ｄ、基板
電極６ｅが形成され、図２に図示するように感知子基板
１を図示の矢印Ｂ方向に反転して、接合部９にて電極基
板４に一体的に形成されている。

【００２３】電極基板４に形成された凹形状の検知部５
に、感知子基板１に形成された凸形状の感知子２の凸形
状部２ａが入り込むように一体化される。その結果、検
知部５に静電容量形成部７の静電容量形成部７ａ、静電
容量形成部７ｂ、静電容量形成部７ｃ、静電容量形成部
７ｄ、静電容量形成部７ｅが形成されている。感知子電
極３の感知子電極３ａ、感知子電極３ｂ、感知子電極３
ｃ、感知子電極３ｄ、感知子電極３ｅは、感知子電極部
３ａ₁、感知子電極部３ｂ₂、感知子電極部３ｃ₁、感知
子電極部３ｄ₁、感知子電極部３ｅ₁によって、外部に取
り出すようになっている。感知子基板１は、ガラス、セ
ラミック、シリコンウエハの半導体材料等の種々な材料
を使用できる。感知子基板１にガラスを用いると、感知
子基板１が透明になり、感知子２の様子が外部から観
察できて、メンテナンス性にも優れている。感知子基板
１にシリコンウエハ用いると、ＬＳＩ製造技術が利用で
き、例えば、感知子基板１を面方位（110）のシリコン
ウエハを素材として形成すれば、異方性エッチングが利
用できるから、静電容量検出型センサ０を小型で高精
度、低コストで形成できる。

【００２４】感知子２の形成方法は、感知子基板１の種
類により種々選択可能である。感知子基板１がガラスの
場合には、ドライエッチングの手法により凸形状部２ａ
と突起部２ｂからなる感知子２を形成できる。また、感
知子基板１がシリコンウエハを用いた場合には、ドライ
エッチングの手法の他に、ＫＯＨ等のエッチング液を用
いた湿式の異方性エッチングの手法を用い、凸形状部２
ａと突起部２ｂからなる感知子２を形成できる。この手
法によれば、感知子２は、シリコンの（111）面で形成
されるので、寸法精度が高くなる。感知子２の回動促進
手段２ｃは、感知子２の周辺部の感知子基板１の周辺部
に形成された薄肉厚部２ｃ₁、又は、感知子２の周辺部
の感知子基板１に貫通穴を形成した貫通穴２ｃ₂によ
り、簡単な構造で感知子２を移動しやすくして、感度を
向上するようになっている。感知子電極３としては金属
材料が一般的に用いられる。感知子基板１上に凸形状部
２ａを形成した後に、スパッタ法、真空蒸着法等によ
り、金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィ、及び、エ
ッチング手法により所望の形状に形成する。

【００２５】感知子電極３として用いられる金属材料と
しては、Ａｌ、Ａｌ合金が多く用いられるが、Ｃｒ、Ｔ
ｉＮ、Ｗ、Ｗ合金等も用いることができる。金属薄膜の
他には不純物をドーピングして抵抗率を下げた多結晶シ
リコン薄膜も用いることができる。また、感知子基板１
がシリコンウエハの場合には、感知子基板１の電導型と
反対の電導型を示す不純物をドーピングすることにより
感知子電極３を形成することも可能である。電極基板４
は、ガラス、セラミック、シリコンウエハの半導体材料
等の種々の材料を使用できる。ガラスを用いると、電極
基板４が透明になり、感知子２の様子が外部から観察で
きて、メンテナンス性にも優れている。電極基板４は、
シリコンウエハを用いると、ＬＳＩ製造技術が利用で
き、静電容量検出型センサ０を小さく精度良く形成でき
る。検出部５の形成方法は、電極基板４の種類により種
々選択可能である。電極基板４がガラスの場合、ドライ
エッチングの手法により凹形状の検知部５を形成でき
る。また、シリコンウエハを用いた場合にはドライエッ
チングの手法の他に、ＫＯＨ等のエッチング液を用いた
湿式の異方性エッチングの手法を用い、凹形状の検知部
５を形成できる。

【００２６】この手法によれば、検知部５は、シリコン
の（111）面で形成されるので、寸法精度が高くなり、
静電容量検出型センサ０は高精度に計測することが可能
になる。基板電極６としては金属材料が一般的に用いら
れる。電極基板４上に凹形状の検知部５を形成した後
に、スパッタ法、真空蒸着法等により、金属薄膜を形成
し、フォトリソグラフィ、及び、エッチング手法により
所望の形状に形成する。基板電極６の金属材料として
は、Ａｌ、Ａｌ合金が多く用いられるが、Ｃｒ、Ｔｉ
Ｎ、Ｗ、Ｗ合金等も用いることができる。基板電極６
は、金属薄膜の他には不純物をドーピングして抵抗率を
下げた多結晶シリコン薄膜も用いることができる。ま
た、電極基板４がシリコンウエハの場合には、基板電極
６の電導型と反対の電導型を示す不純物をドーピングす
ることにより、基板電極６を形成することも可能であ
る。

【００２７】感知子基板１と電極基板４を接合部９で接
合して容量形成部７を形成する。静電容量形成部７の静
電容量形成部７ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成
部７ｃ、静電容量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅは、
対向して配置された感知子電極３の感知子電極３ａ、感
知子電極３ｂ、感知子電極３ｃ、感知子電極３ｄ、感知
子電極３ｅと基板電極６の基板電極６ａ、基板電極６
ｂ、基板電極６ｃ、基板電極６ｄ、基板電極６ｅの組み
合わせから形成される。静電容量検出型センサ０は、感
知子２の突起部２ｂが外部の被感知体（Ａ）の影響を受
け変動すると、静電容量形成部７の静電容量形成部７
ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成部７ｃ、静電容
量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅの当該静電容量の変
化を信号として検出するようになっている。検知部５に
おける対向した２つの感知子電極３の感知子電極３ａ、
感知子電極３ｂ、感知子電極３ｃ、感知子電極３ｄ、感
知子電極３ｅと基板電極６の基板電極６ａ、基板電極６
ｂ、基板電極６ｃ、基板電極６ｄ、基板電極６ｅの電極
面積と電極間距離が出力に影響する。対向した２つの感
知子電極３の感知子電極３ａ、感知子電極３ｂ、感知子
電極３ｃ、感知子電極３ｄ、感知子電極３ｅと基板電極
６の基板電極６ａ、基板電極６ｂ、基板電極６ｃ、基板
電極６ｄ、基板電極６ｅの電極面積が大きければ大きい
程その出力は大きくなり、対向した２つの感知子電極３
の感知子電極３ａ、感知子電極３ｂ、感知子電極３ｃ、
感知子電極３ｄ、感知子電極３ｅと基板電極６の基板電
極６ａ、基板電極６ｂ、基板電極６ｃ、基板電極６ｄ、
基板電極６ｅの電極間距離が小さければ小さい程その出
力は大きくなる。

【００２８】感知子基板１と電極基板４は、同一の材料
で形成するか、熱膨張係数の差が小さい材料同士、シリ
コン素材で形成された感知子基板１とその他の誘電体材
料で形成された電極基板４、又は、その他の誘電体材料
で形成された感知子基板１とシリコン素材で形成された
電極基板４等で形成するのが望ましい。熱膨張係数の差
が大きい場合、温度変化により静電容量形成部７の静電
容量形成部７ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成部
７ｃ、静電容量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅにおけ
る電極間距離が変動し、静電容量が変化するので出力変
動の原因となる。感知子基板１と電極基板４とを異なる
材料で形成する場合、出力変動に影響しない近似の材料
の熱膨張係数の差は、１０％以下、望ましくは５％以下
にすることにより、温度変化による出力変動が少なくな
り高精度に計測することができる。感知子基板１と電極
基板４との接合部９の接合方法は種々の方法を用いるこ
とができる。例えば、無機材料、有機材料の接着材を用
いることができる。接着剤を用いる場合、その熱膨張係
数が感知子基板１と電極基板４の熱膨張係数に近いこと
が望ましい。熱膨張係数が大きく違う場合、温度変化に
より、接合部分が剥離することがあり、信頼性に好まし
くない。好ましい熱膨張係数の差は２０％以内、更には
１０％以内であることが好適である。

【００２９】感知子基板１と電極基板４にシリコンウエ
ハを用いる場合にはその接合方法として共晶接合、水ガ
ラス接合、直接接合などの接合方法を用いることができ
る。また、感知子基板１と電極基板４とをパイレックス
（登録商標）ガラスとシリコンウエハとの組み合わせで
形成する場合には陽極接合の手法を用いることができ
る。図示しないが、感知子電極３、又は、基板電極６の
一方を単数個にすることにより、感知子電極３、又は、
基板電極６を個別に形成するプロセスが省くことにより
低コストになる。静電容量形成部７の静電容量形成部７
ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成部７ｃ、静電容
量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅを真空にすること
で、感知子２の移動により静電容量形成部７の静電容量
形成部７ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成部７
ｃ、静電容量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅの電極間
距離が狭まる時に中にある気体の圧縮により抗力が発生
しなくなるので周波数特性が向上して精度が向上するよ
うになっている。また、静電容量形成部７の静電容量形
成部７ａ、静電容量形成部７ｂ、静電容量形成部７ｃ、
静電容量形成部７ｄ、静電容量形成部７ｅに誘電体液体
８を充填させて、静電容量形成分の誘電率が上がり、出
力が向上するようになっている。更に、容量形成部７を
構成する感知子電極３、及び、又は、基板電極６を複数
の電極を有する構造にすることで、感知子２が回転移動
をした場合に、その方向を検出することができる。感知
子２が回転モーメントを受けて回転移動した場合、感知
子電極３と基板電極６の間隔は、回転の前方では広く、
後方では狭くなる。静電容量形成部７を構成する対向し
た電極が１組だった場合には、感知子２の回転移動量が
同じ場合に、方向を検出することができない。そこで、
静電容量形成部７を構成する対向した電極を複数の電極
から構成することで、回転移動方向の前方か後方かを静
電容量から判断することができるので、感知子２の回転
移動方向、すなわち、感知子２に作用する回転モーメン
トを検出することができる。感知子２に作用する回転モ
ーメントは、例えば、角速度を与えた場合の角速度セン
サや、モーメント力そのものを加えた場合のトルクセン
サ等がある。

【００３０】図３と図４において、静電容量を検出して
計測する静電容量検出型センサ１０は、被感知体（Ａ）
が設置される被感知体側にシリコン素材で形成された感
知子基板１１と、感知子基板１１に回動可能に凸形状部
１２ａと対象的に被感知体（Ａ）が設置される被感知体
側に形成され外部より力を受け凸形状部１２ａとバラン
スしてより小さい力で動き感度を向上させる突起部１２
ｂとからなる感知子１２と、感知子１２の凸形状部１２
ａに形成された感知子電極１３と、感知子基板１１とシ
リコン素材で形成された電極基板１４と、電極基板１４
上に形成された凹形状の検知部１５と、検知部１５に形
成された基板電極１６と、感知子電極１３と基板電極１
６の組み合わせで形成する静電容量形成部１７とからな
り、任意方向を高出力で高精度に計測することが容易で
汎用性も有り小型で低コストである。感知子基板１１は
感知子１２の凸形状部１２ａの平面にそれぞれ上ｋ感知
子電極１３が形成され、電極基板１４は凹形状に形成さ
れた検知部１５に基板電極１６が形成され、図４に図示
するように感知子基板１１を図示の矢印Ｃ方向に反転し
て、接合部１９にて電極基板１４に一体的に形成されて
いる。電極基板１４に形成された凹形状の検知部１５
に、感知子基板１１に形成された凸形状の感知子１２の
凸形状部１２ａが入り込むように一体化される。その結
果、検知部１５に静電容量形成部１７が形成される。感
知子電極１３は、感知子電極部１３ａによって、外部に
取り出すようになっている。感知子１２の回動促進手段
１２ｃは、感知子１２の周辺部の感知子基板１１の周辺
部に形成された薄肉厚部１２ｃ₁、又は、感知子１２の
周辺部の感知子基板１１に貫通穴を形成した貫通穴１２
ｃ₂により、簡単な構造で感知子１２を移動しやすくし
て、感度を向上するようになっている。

【００３１】以下、感知子電極１３、及び、電極基板１
４の形成法について説明する。（１）感知子基板１３は、面方位（100）のシリコンウ
エハを熱酸化し、表面に酸化膜を厚さ０．５ミクロンに
形成する。（２）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により表面の熱酸化膜を所定の寸
法に形成しエッチングマスクとする。この時に、エッチ
ングマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリコ
ンの結晶方向（100）方向に沿うように形成する。ま
た、上記エッチングマスクの各コーナーには異方性エッ
チングにおける形状制御のための補償パターンを形成し
ておく。（３）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
を濃度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエ
ッチングする。水酸化カリウム溶液でエッチングすると
シリコンのエッチング速度は面方位により異なり（11
1）面のエッチング速度がもっとも遅い。そのためエッ
チングが進行するとシリコンの（111）面で囲まれた凸
形状部１２ａがシリコンウエハ上に生成されて、感知子
１２が形成される。（４）上記手法で形成した感知子１２の表面にＢ（ボロ
ン）濃度の高い拡散材料を塗布し熱処理することによ
り、感知子１２表面の抵抗値を低下させ、感知子電極１
３を形成した。更に、熱酸化により表面に熱酸化膜を形
成し、電極保護膜として感知子電極１３が形成される。

【００３２】（５）電極基板１４は、面方位（100）の
シリコンウエハを熱酸化し、表面に酸化膜を厚さ０．５
ミクロンに形成する。（６）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により表面の熱酸化膜を所定の寸
法に形成しエッチングマスクとする。この時に、エッチ
ングマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリコ
ンの結晶方位（100）方向に沿うように形成する。（７）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
を濃度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエ
ッチングする。水酸化カリウム溶液でエッチングすると
シリコンのエッチング速度は面方位により異なり（11
1）面のエッチング速度が最も遅い。そのために、エッ
チングが進行するとシリコンの（111）面で囲まれた凹
形状がシリコンウエハ上に生成されて検知部１５が形成
される。（８）上記手法で形成した検知部１５の表面にＢ（ボロ
ン）濃度の高い拡散材料を塗布し熱処理することによ
り、電極基板１４表面の抵抗値を低下させ、基板電極１
６とした。さらに熱酸化により表面に熱酸化膜を形成
し、電極保護膜として電極基板１４を形成した。

【００３３】感知子電極１３と電極基板１４とを互いに
形成した凸部と凹部を位置合わせして、酸化膜を介した
直接接合法により接合部１９で接合して静電容量検出型
センサ１０が完成する。静電容量検出型センサ１０は、
感知子１２の凸形状部１２ａの全領域に感知子電極１３
が形成され、また凹形状の検知部１５の全領域に基板電
極１６が形成されているので、静電容量形成部１７の面
積が大きくなり出力が大きくなっている。更に、感知子
基板１１と電極基板１４は、面方位（100）のシリコン
ウエハに形成され異方性エッチングにより低コストで、
シリコンの（111）面で囲まれた凹形状がシリコンウエ
ハ上に生成されて検知部１５が形成されシリコンの（11
1）面で囲まれた凸形状部１２ａがシリコンウエハ上に
生成されて感知子１２が形成されるから交差角度がシリ
コンの結晶面で定まり高精度になっている。静電容量形
成部１７を真空にすることで、感知子１２の移動により
静電容量形成部７の電極間距離が狭まる時に中にある気
体の圧縮により抗力が発生しなくなるので周波数特性が
向上する。また、静電容量形成部１７に誘電体液体１８
を充填させて、静電容量形成分の誘電率が上がり、出力
が向上するようになっている。

【００３４】図５と図６において、静電容量を検出して
計測する静電容量検出型センサ２０は、被感知体（Ａ）
が設置される被感知体側にパイレックスガラスで形成さ
れた感知子基板２１と、感知子基板２１に回動可能に凸
形状部２２ａと対象的に被感知体（Ａ）が設置される被
感知体側に形成され外部より力を受け凸形状部２２ａと
バランスしてより小さい力で動き感度を向上させる突起
部２２ｂとからなる直方体形状の感知子２２と、直方体
形状の感知子２２の凸形状部２２ａに形成された感知子
電極２３と、感知子基板２１とシリコン素材で形成され
た電極基板２４と、電極基板２４上に形成された凹形状
の検知部２５と、検知部２５に形成された基板電極２６
と、感知子電極２３と基板電極２６の組み合わせで形成
する静電容量形成部２７とからなり、任意方向を高出力
で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低
コストである。感知子基板２１は直方体形状の感知子２
２の凸形状部２２ａの平面にそれぞれ感知子電極２３の
感知子電極２３ａ、感知子電極２３ｂ、感知子電極２３
ｃがそれぞれ互いに直交する様に形成されて、電極基板
２４は凹形状の直方体形状に形成された検知部２５に基
板電極２６の基板電極２６ａ、基板電極２６ｂ、基板電
極２６ｃが互いに直交する様に形成され、図６に図示す
るように感知子基板２１を図示の矢印Ｄ方向に反転し
て、接合部２９にて電極基板２４に一体的に形成されて
いる。

【００３５】電極基板２４に形成された凹形状の検知部
２５に、感知子基板２１に形成された凸形状の感知子２
２の凸形状部２２ａが入り込むように一体化され、基板
電極２６の基板電極２６ａ、基板電極２６ｂ、基板電極
２６ｃが互いに直交する様に、感知子電極２３の感知子
電極２３ａ、感知子電極２３ｂ、感知子電極２３ｃとそ
れぞれ相対する位置に形成されている。その結果、検知
部２５に静電容量形成部２７の静電容量形成部２７ａ、
静電容量形成部２７ｂ、静電容量形成部２７ｃが形成さ
れている。感知子電極２３の感知子電極２３ａ、感知子
電極２３ｂ、感知子電極２３ｃは、感知子電極部２３ａ
₁、感知子電極部２３ｂ₁、感知子電極部２３ｃ₁によっ
て、外部に取り出すようになっている。直方体形状の感
知子２２の回動促進手段２２ｃは、直方体形状の感知子
２２の周辺部の感知子基板２１の周辺部に形成された薄
肉厚部２２ｃ₁、又は、直方体形状の感知子２２の周辺
部の感知子基板２１に貫通穴を形成した貫通穴２２ｃ₂
により、簡単な構造で直方体形状の感知子２２を移動し
やすくして、感度を向上するようになっている。

【００３６】静電容量検出型センサ２０の感知子基板２
１はパイレックスガラスを、電極基板２４は面方位（10
0）のシリコンウエハを用いて形成する方法を以下に説
明する。（１）パイレックスガラスの表面にフォトマスク、感光
性レジスト材料を用いたフォトリソグラフィの手法によ
り所定の寸法にエッチングマスク形成する。（２）上記エッチングマスクを形成したパイレックスガ
ラスをエッチングガスＣＦ₄、Ｈ₂を用いたドライエッチ
ングの手法により垂直方向に異方性エッチングすると、
エッチングマスクが形成されていない部分はエッチング
され、感知子基板２１上に凸型で直方体形状の感知子２
２が形成される。（３）次に感知子基板２１の全面にスパッタ法により、
Ｃｒ薄膜を厚さ０.２ミクロン形成する。Ｃｒ薄膜上に
フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォトリソ
グラフィの手法により所定の感知子電極２３の寸法にエ
ッチングマスク形成する。ドライエッチングの手法によ
りＣｒをエッチングし、レジストを除去し表面にプラズ
マＣＶＤ法で酸化膜を形成し電極保護膜として感知子電
極２３の感知子電極２３ａ、感知子電極２３ｂ、感知子
電極２３ｃが形成される。（４）面方位（100）のシリコンウエハの表面にフォト
マスク、感光性レジスト材料を用いたフォトリソグラフ
ィの手法により所定の寸法にエッチングマスクを形成し
た。（５）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
をエッチングガスＳＦ₆、Ｏ₂を用いたドライエッチング
の手法により垂直方向に異方性エッチングすると、エッ
チングマスクが形成されていない部分はエッチングさ
れ、電極基板２４上に凹型で直方体形状の検知部２５が
形成される。（６）検知部２５を形成したシリコンウエハの表面に熱
酸化の手法で酸化膜を０.５ミクロン形成し、その上に
スパッタ法でＣｒ薄膜を厚さ０.２ミクロンＣｒ薄膜上
にフォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォトリ
ソグラフィの手法により所定の感知子電極２３の各寸法
にエッチングマスク形成する。ドライエッチングの手法
によりＣｒをエッチングし、レジストを除去し表面にプ
ラズマＣＶＤ法で酸化膜を形成し電極保護膜として基板
電極２６の基板電極２６ａ、基板電極２６ｂ、基板電極
２６ｃが互いに直交する様に形成される。

【００３７】感知子基板２１と電極基板２４とを互いに
形成した凸部と凹部を互いの電極が相対する様に位置合
わせして、酸化膜を介した陽極接合法により接合部２９
で接合して静電容量検出型センサ２０が完成する。した
がって、静電容量検出型センサ２０は、感知子２２の凸
形状部２２ａに形成された感知子電極２３の感知子電極
２３ａ、感知子電極２３ｂ、感知子電極２３ｃと凹形状
の検知部２５に形成された基板電極２６の基板電極２６
ａ、基板電極２６ｂ、基板電極２６ｃの間で互いに直交
するように静電容量形成部２７の３つの静電容量形成部
２７ａ、静電容量形成部２７ｂ、静電容量形成部２７ｃ
が形成されているので、感知子２２の任意方向の変位が
互いに直交して独立な３方向の変位に分解した出力を得
ることができる。静電容量形成部２７を真空にすること
で、感知子２２の移動により静電容量形成部２７の電極
間距離が狭まる時に中にある気体の圧縮により抗力が発
生しなくなるので周波数特性が向上する。また、静電容
量形成部２７に誘電体液体２８を充填させて、静電容量
形成分の誘電率が上がり、出力が向上するようになって
いる。

【００３８】図７と図８において、静電容量を検出して
計測する静電容量検出型センサ３０は、被感知体（Ａ）
が設置される被感知体側にシリコンウエハで形成された
感知子基板３１と、感知子基板３１に回動可能に凸形状
部３２ａと対象的に被感知体（Ａ）が設置される被感知
体側に形成され外部より力を受け凸形状部３２ａとバラ
ンスしてより小さい力で動き感度を向上させる突起部３
２ｂとからなる感知子３２と、感知子３２の凸形状部３
２ａに形成された感知子電極３３と、感知子基板３１と
シリコンウエハで形成された電極基板３４と、電極基板
３４上に形成された凹形状の検知部３５と、検知部３５
に形成された基板電極３６と、感知子電極３３と基板電
極３６の組み合わせで形成する静電容量形成部３７とか
らなり、任意方向を高出力で高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストである。感知子基板３
１は感知子３２の凸形状部３２ａの平面にそれぞれ感知
子電極３３の感知子電極３３ａ、感知子電極３３ｂ、感
知子電極３３ｃ、感知子電極３３ｄ、感知子電極３３ｅ
が形成されて、電極基板３４は凹形状に形成された検知
部３５に基板電極３６の基板電極３６ａ、基板電極３６
ｂ、基板電極３６ｃ、基板電極３６ｄ、基板電極３６ｅ
が形成され、図８に図示するように感知子基板３１を図
示の矢印Ｅ方向に反転して、接合部３９にて電極基板３
４に一体的に形成されている。

【００３９】電極基板３４に形成された凹形状の検知部
３５に、感知子基板３１に形成された凸形状の感知子３
２の凸形状部３２ａが入り込むように一体化される。そ
の結果、検知部３５に静電容量形成部３７の静電容量形
成部３７ａ、静電容量形成部３７ｂ、静電容量形成部３
７ｃ、静電容量形成部３７ｄ、静電容量形成部３７ｅが
形成されている。感知子電極３３の感知子電極３３ａ、
感知子電極３３ｂ、感知子電極３３ｃは、感知子電極３
３ｄ、感知子電極３３ｅは、感知子電極部３３ａ₁、感
知子電極部３３ｂ₁、感知子電極部３３ｃ₁、感知子電極
部３３ｄ₁、感知子電極部３３ｅ₁によって、外部に取り
出すようになっている。感知子３２の回動促進手段３２
ｃは、感知子３２の周辺部の感知子基板３１の周辺部に
形成された薄肉厚部３２ｃ₁、又は、感知子３２の周辺
部の感知子基板３１に貫通穴を形成した貫通穴３２ｃ₂
により、簡単な構造で感知子３２を移動しやすくして、
感度を向上するようになっている。

【００４０】静電容量検出型センサ３０の感知子基板３
１と電極基板３４としては、それぞれ面方位（100）の
シリコンウエハを用いて形成する方法を以下に説明す
る。（１）面方位（100）のシリコンウエハの上に熱ＣＶＤ
の手法により表面にＳｉ₃Ｎ₄膜を厚さ０．２ミクロンに
形成する。（２）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により、表面のＳｉ₃Ｎ₄膜を所定
の寸法に形成しエッチングマスクとする。この時にエッ
チングマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリ
コンの結晶方位（100）方向に沿うように形成する。ま
た、エッチングマスクの各コーナーには異方性エッチン
グにおける形状制御のための補償パターンを形成してお
く。（３）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
を濃度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエ
ッチングする。水酸化カリウム溶液でエッチングすると
シリコンのエッチング速度は面方位により異なり（11
1）面のエッチング速度がもっとも遅い。そのためエッ
チングが進行するとシリコンの（111）面で囲まれた上
記凸形状部３２ａがシリコンウエハ上に生成され感知子
３２が形成される。（４）上記手法で形成した感知子基板３１からＳｉ₃Ｎ₄
膜を除去し、感知子基板３１を熱酸化することで表面に
酸化膜０．２２ミクロン形成した。次に感知子基板３１
全面にスパッタ法により、Ｃｒ薄膜を厚さ０．２ミクロ
ン形成する。Ｃｒ薄膜上にフォトマスク、感光性レジス
ト材料を用いたフォトリソグラフィの手法により所定の
感知子電極３３の各寸法にエッチングマスク形成する。
ドライエッチングの手法によりＣｒをエッチングし、レ
ジストを除去し表面にプラズマＣＶＤ法で酸化膜を形成
し電極保護膜とした。

【００４１】（５）他の面方位（100）のシリコンウエ
ハの上に熱ＣＶＤの手法により表面にＳｉ３Ｎ４膜を厚
さ０．２ミクロンに形成する。（６）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により表面のＳｉ₃Ｎ₄膜を所定の
寸法に形成しエッチングマスクとする。この時にエッチ
ングマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリコ
ンの結晶方位（100）方向に沿うように形成する。（７）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
を濃度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエ
ッチングする。水酸化カリウム溶液でエッチングすると
シリコンのエッチング速度は面方位により異なり（11
1）面のエッチング速度がもっとも遅い。そのためエッ
チングが進行するとシリコンの（111）面で囲まれた凹
形状がシリコンウエハ上に生成されて検知部３５が形成
される。（８）上記手法で形成した電極基板３４からＳｉ₃Ｎ₄膜
を除去し、電極基板３４を熱酸化することで表面に酸化
膜０．２ミクロン形成した。次に電極基板３４全面にス
パッタ法により、Ｃｒ薄膜を厚さ０．２ミクロン形成す
る。Ｃｒ薄膜上にフォトマスク、感光性レジスト材料を
用いたフォトリソグラフィの手法により所定の基板電極
３６の各寸法にエッチングマスク形成する。

【００４２】ドライエッチングの手法によりＣｒをエッ
チングし、レジストを除去し表面にプラズマＣＶＤ法で
酸化膜を形成し電極保護膜として基板電極３６を形成し
た。感知子基板３１と電極基板３４とを互いに形成した
凸部と凹部を互いの電極が相対する様に位置合わせし
て、酸化膜を介した陽極接合法により接合部３９で接合
して、静電容量検出型センサ３０が完成する。静電容量
検出型センサ３０は、感知子３２の凸形状部３２ａに形
成された感知子電極３３の感知子電極３３ａ、感知子電
極３３ｂ、感知子電極３３ｃは、感知子電極３３ｄ、感
知子電極３３ｅと凹形状の検知部３５に形成された基板
電極３６の基板電極３６ａ、基板電極３６ｂ、基板電極
３６ｃ、基板電極３６ｄ、基板電極３６ｅの間で静電容
量形成部３７の５つの静電容量形成部３７ａ、静電容量
形成部３７ｂ、静電容量形成部３７ｃ、静電容量形成部
３７ｄ、静電容量形成部３７ｅが形成されているので、
感知子３２の任意方向の変位が、これら５つの静電容量
形成部３７ａ、静電容量形成部３７ｂ、静電容量形成部
３７ｃ、静電容量形成部３７ｄ、静電容量形成部３７ｅ
の静電容量変化として得られるのでより高精度な出力を
得ることができるようになった。静電容量形成部３７を
真空にすることで、感知子３２の移動により静電容量形
成部３７の電極間距離が狭まる時に中にある気体の圧縮
により抗力が発生しなくなるので周波数特性が向上す
る。また、静電容量形成部３７に誘電体液体３８を充填
させて、静電容量形成分の誘電率が上がり、出力が向上
するようになっている。

【００４３】図９と図１０において、静電容量を検出し
て計測する静電容量検出型センサ４０は、被感知体
（Ａ）が設置される被感知体側にシリコンウエハで形成
された感知子基板４１と、感知子基板４１に回動可能に
凸形状部４２ａと対象的に被感知体（Ａ）が設置される
被感知体側に形成され外部より力を受け凸形状部４２ａ
とバランスしてより小さい力で動き感度を向上させる突
起部４２ｂとからなる直方体形状の感知子４２と、立体
形状の感知子４２の凸形状部４２ａに形成された感知子
電極４３と、感知子基板４１とシリコンウエハで形成さ
れた電極基板４４と、電極基板４４上に形成された凹形
状の検知部４５と、検知部４５に形成された基板電極４
６と、感知子電極４３と基板電極４６の組み合わせで形
成する静電容量形成部４７とからなり、任意方向を高出
力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
低コストである。感知子基板４１は立体形状の感知子４
２の凸形状部４２ａに互いに交差する平面に感知子電極
４３が形成され、電極基板４４は凹形状に形成された検
知部４５に基板電極４６の基板電極４６ａ、基板電極４
６ｂ、基板電極４６ｃ、基板電極４６ｄ、基板電極４６
ｅが互いに交差する様に形成され、図１０に図示するよ
うに感知子基板４１を図示の矢印Ｆ方向に反転して、接
合部４９にて電極基板４４に一体的に形成されている。

【００４４】電極基板４４に形成された凹形状の検知部
４５に、感知子基板４１に形成された凸形状の感知子４
２の凸形状部４２ａが入り込むように一体化され、基板
電極４６の基板電極４６ａ、基板電極４６ｂ、基板電極
４６ｃ、基板電極４６ｄ、基板電極４６ｅが互いに交差
する様に、感知子電極４３に相対する位置に形成されて
いる。その結果、検知部４５に静電容量形成部４７の静
電容量形成部４７ａ、静電容量形成部４７ｂ、静電容量
形成部４７ｃ、静電容量形成部４７ｄ、静電容量形成部
４７ｅが互いに交差して形成されている。感知子電極４
３は、感知子電極部４３ａによって、外部に取り出すよ
うになっている。直方体形状の感知子４２の回動促進手
段４２ｃは、直方体形状の感知子４２の周辺部の感知子
基板４１の周辺部に形成された薄肉厚部４２ｃ₁、又
は、直方体形状の感知子４２の周辺部の感知子基板４１
に貫通穴を形成した貫通穴４２ｃ₂により、簡単な構造
で直方体形状の感知子４２を移動しやすくして、感度を
向上するようになっている。

【００４５】静電容量検出型センサ４０は、感知子基板
４１としては面方位（110）のシリコンウエハを用い
て、電極基板４４としては面方位（110）のシリコンウ
エハを用いて形成する方法を説明する。（１）感知子基板４１として面方位（110）のシリコン
ウエハを熱酸化し、表面に酸化膜を厚さ０．５ミクロン
に形成する。（２）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により表面の熱酸化膜を所定の寸
法に形成しエッチングマスクとする。この時にエッチン
グマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリコン
の結晶方向（110）方向に沿うように形成する。またエ
ッチングマスクの各コーナーには異方性エッチングにお
ける形状制御のための補償パターンを形成しておく。（３）エッチングマスクを形成したシリコンウエハを濃
度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエッチ
ングする。水酸化カリウム溶液でエッチングするとシリ
コンのエッチング速度は面方位により異なり（111）面
のエッチング速度がもっとも遅い。そのためエッチング
が進行するとシリコンの（111）面で囲まれた凸形状が
シリコンウエハ上に生成されて感知子４２が形成され
る。（４）上記手法で形成した感知子４２の表面にＢ（ボロ
ン）濃度の高い拡散材料を塗布し熱処理することによ
り、感知子４２表面の抵抗値を低下させ、感知子電極４
３を形成した。さらに熱酸化により表面に熱酸化膜を形
成し、電極保護膜として感知子電極４３を形成した。

【００４６】（５）他の面方位（110）のシリコンウエ
ハの上に熱ＣＶＤの手法により表面にＳｉ₃Ｎ₄膜を厚さ
０．２ミクロンに形成する。（６）フォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフォ
トリソグラフィの手法により表面のＳｉ₃Ｎ₄膜を所定の
寸法に形成しエッチングマスクとする。この時にエッチ
ングマスクの２辺はそれぞれシリコンウエハ上でシリコ
ンの結晶方位（100）方向に沿うように形成する。（７）上記エッチングマスクを形成したシリコンウエハ
を濃度５０wt％、温度８０℃の水酸化カリウム溶液でエ
ッチングする。水酸化カリウム溶液でエッチングすると
シリコンのエッチング速度は面方位により異なり（11
1）面のエッチング速度がもっとも遅い。そのためエッ
チングが進行するとシリコンの（111）面で囲まれた凹
形状がシリコンウエハ上に生成されて検知部４５が低コ
ストで形成される。（８）上記手法で形成した電極基板４４からＳｉ₃Ｎ₄膜
を除去し、基板を熱酸化することで表面に酸化膜０．２
ミクロン形成した。次に電極基板４４全面にスパッタ法
により、Ｃｒ薄膜を厚さ０.２ミクロン形成する。Ｃｒ
薄膜上にフォトマスク、感光性レジスト材料を用いたフ
ォトリソグラフィの手法により所定の基板電極４６の各
寸法にエッチングマスク形成する。

【００４７】ドライエッチングの手法によりＣｒをエッ
チングし、レジストを除去し表面にプラズマＣＶＤ法で
酸化膜を形成し電極保護膜として基板電極４６が形成さ
れる。感知子基板４１と電極基板４４とを互いに形成し
た凸部と凹部を互いの電極が相対する様に位置合わせし
て、酸化膜を介した陽極接合法により接合部４９で接合
して静電容量検出型センサ４０が完成する。したがっ
て、静電容量検出型センサ４０は、感知子４２の凸形状
部４２ａに形成された感知子電極４３を共通電極とし
て、凹形状の検知部４５における基板電極４６の５つの
分割した基板電極４６ａ、基板電極４６ｂ、基板電極４
６ｃ、基板電極４６ｄ、基板電極４６ｅとの間で、静電
容量形成部４７の５つの静電容量形成部４７ａ、静電容
量形成部４７ｂ、静電容量形成部４７ｃ、静電容量形成
部４７ｄ、期静電容量形成部４７ｅが互いに直交して形
成されているので、感知子４２の任意方向の変位がこれ
ら５つの静電容量形成部４７ａ、静電容量形成部４７
ｂ、静電容量形成部４７ｃ、静電容量形成部４７ｄ、上
ｌ期静電容量形成部４７ｅの静電容量変化として得られ
るのでより高精度な出力を得ることができるようになっ
た。静電容量形成部４７を真空にすることで、感知子４
２の移動により静電容量形成部４７の電極間距離が狭ま
る時に中にある気体の圧縮により抗力が発生しなくなる
ので周波数特性が向上する。また、静電容量形成部４７
に誘電体液体４８を充填させて、静電容量形成分の誘電
率が上がり、出力が向上するようになっている。

【００４８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項１の発明によれば、被感知体側に形
成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸
形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に
形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形
成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形
成するようにしたので、任意方向を高出力で高精度に計
測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電
容量検出型センサを提供することができるようになっ
た。請求項２の発明によれば、被感知体側にガラスで形
成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸
形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に
形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形
成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形
成するようにしたので、感知子基板が透明になり感知子
の様子が外部から観察できてメンテナンスにも優れ、任
意方向を高出力で高精度に計測することが容易で汎用性
も有り小型で低コストの静電容量検出型センサを提供す
ることができるようになった。

【００４９】請求項３の発明によれば、被感知体側にシ
リコン素材で形成された感知子基板に回動可能に形成さ
れた感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子
基板に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形
状の検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電
容量形成部を形成するようにしたので、ＬＳＩ製造技術
が利用でき、任意方向を高出力で更に高精度に計測する
ことが容易で汎用性も有り更に小型で更に低コストの静
電容量検出型センサを提供することができるようになっ
た。請求項４の発明によれば、被感知体側に形成された
感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に
形成された感知子電極と感知子基板に一体的にガラスで
形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形
成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形
成するようにしたので、電極基板が透明になり感知子の
様子が外部から観察できてメンテナンスにも優れ、任意
方向を高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も
有り小型で低コストの静電容量検出型センサを提供する
ことができるようになった。

【００５０】請求項５の発明によれば、被感知体側に形
成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸
形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に
シリコン素材で形成された電極基板上に形成された凹形
状の検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電
容量形成部を形成するようにしたので、ＬＳＩ製造技術
が利用でき、任意方向を高出力で更に高精度に計測する
ことが容易で汎用性も有り更に小型で更に低コストの静
電容量検出型センサを提供することができるようになっ
た。請求項６の発明によれば、被感知体側に形成された
感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に
形成された感知子電極と感知子基板に一体的に誘電体材
料で形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部
に形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部
を形成するようにしたので、温度変化による出力変動が
少なくなり、任意方向を高出力で更に高精度に計測する
ことが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検
出型センサを提供することができるようになった。請求
項７の発明によれば、被感知体側に形成された感知子基
板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成され
た感知子電極と感知子基板に一体的に誘電体材料で形成
された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成さ
れた基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成す
るようにしたので、温度変化による出力変動が少なくな
り、任意方向を高出力で更に高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セン
サを提供することができるようになった。請求項８の発
明によれば、被感知体側に形成された感知子基板に回動
可能に形成された感知子の凸形状部に形成された感知子
電極と感知子基板に一体的に形成された電極基板上に形
成された凹形状の検知部に形成された基板電極との組み
合わせで静電容量形成部を形成すると共に感知子基板と
電極基板は熱膨張係数が同等又は近似の材料から形成さ
れるようにしたので、温度変化による出力変動が少なく
なり、任意方向を高出力で更に高精度に計測することが
容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セ
ンサを提供することができるようになった。

【００５１】請求項９の発明によれば、被感知体側に形
成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸
形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に
形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形
成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形
成すると共にシリコン素材で形成された感知子基板と誘
電体材料で形成された電極基板は熱膨張係数が同等又は
近似の材料から形成されるようにしたので、温度変化に
よる出力変動が少なくなり、任意方向を高出力で更に高
精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コス
トの静電容量検出型センサを提供することができるよう
になった。請求項１０の発明によれば、被感知体側に形
成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸
形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に
形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に形
成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形
成すると共に誘電体材料で形成された感知子基板とシリ
コン素材で形成された電極基板は熱膨張係数が同等又は
近似の材料から形成されるようにしたので、温度変化に
よる出力変動が少なくなり、任意方向を高出力で更に高
精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コス
トの静電容量検出型センサを提供することができるよう
になった。

【００５２】請求項１１の発明によれば、被感知体側に
面方位（100）のシリコンウエハを素材として形成され
た感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部
に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成さ
れた電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成され
た基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成する
ようにしたので、感知子の形成に異方性エッチングが利
用することにより、任意方向を高出力で更に高精度に計
測することが容易で汎用性も有り小型で更に低コストの
静電容量検出型センサを提供することができるようにな
った。請求項１２の発明によれば、被感知体側に面方位
（100）のシリコンウエハを素材として形成された感知
子基板に回動可能にシリコンの（111）面で形成された
感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量
形成部を形成するようにしたので、感知子の形成に異方
性エッチングが利用することにより、任意方向を高出力
で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型
で更に低コストの静電容量検出型センサを提供すること
ができるようになった。

【００５３】請求項１３の発明によれば、被感知体側に
面方位（110）のシリコンウエハを素材として形成され
た感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部
に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に形成さ
れた電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成され
た基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成する
ようにしたので、異方性エッチングが利用でき、任意方
向を高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有
り小型で更に低コストの静電容量検出型センサを提供す
ることができるようになった。請求項１４の発明によれ
ば、被感知体側に面方位（110）のシリコンウエハを素
材として形成された感知子基板に回動可能にシリコンの
（111）面で形成された感知子の凸形状部に形成された
感知子電極と感知子基板に一体的に形成された電極基板
上に形成された凹形状の検知部に形成された基板電極と
の組み合わせで静電容量形成部を形成するようにしたの
で、異方性エッチングが利用でき、任意方向を高出力で
更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
更に低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようになった。請求項１５の発明によれば、被感
知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された
感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量
形成部を形成すると共に感知子は被感知側に形成された
突起部とからなるようにしたので、凸形状部とバランス
してより小さい力で動き感度を向上させ、任意方向を高
出力で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り
小型で低コストの静電容量検出型センサを提供すること
ができるようになった。

【００５４】請求項１６の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を
形成すると共に感知子は回動を促進する回動促進手段を
介して感知子基板に形成されるようにしたので、感知子
がを移動しやすくなり感度が向上して、任意方向を高出
力で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り小
型で低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようになった。請求項１７の発明によれば、被感
知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された
感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容量
形成部を形成すると共に感知子は回動を促進する回動促
進手段の感知子基板に形成されている感知子の周辺の薄
肉厚部を介して感知子基板に形成されるようにしたの
で、簡単な構造で感知子がを移動しやすくなり感度が向
上して、任意方向を高出力で更に高精度に計測すること
が容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型
センサを提供することができるようになった。

【００５５】請求項１８の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を
形成すると共に感知子は回動を促進する回動促進手段の
感知子基板に形成されている感知子の周辺の感知子基板
を貫通する貫通穴部を介して感知子基板に形成されるよ
うにしたので、簡単な構造で感知子がを移動しやすくな
り感度が向上して、任意方向を高出力で更に高精度に計
測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電
容量検出型センサを提供することができるようになっ
た。請求項１９の発明によれば、被感知体側に形成され
た感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状部
に形成された感知子電極と感知子基板に一体的に面方位
（100）のシリコンウエハを素材として形成された電極
基板上に形成された凹形状の検知部に形成された基板電
極との組み合わせで静電容量形成部を形成するようにし
たので、異方性エッチングにより形成され、任意方向を
高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小
型で更に低コストの静電容量検出型センサを提供するこ
とができるようになった。請求項２０の発明によれば、
被感知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成さ
れた感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子
基板に一体的に面方位（100）のシリコンウエハを素材
として形成された電極基板上に形成された凹形状のシリ
コンの（111）面で形成されている検知部に形成された
基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成するよ
うにしたので、検知部は寸法精度が高くなり、異方性エ
ッチングにより形成され、基板電極の交差角度がシリコ
ンの結晶面で定まり、任意方向を高出力で更に高精度に
計測することが容易で汎用性も有り小型で更に低コスト
の静電容量検出型センサを提供することができるように
なった。

【００５６】請求項２１の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に面方位
（110）のシリコンウエハを素材として一体的に形成さ
れた電極基板上に形成された凹形状の検知部に形成され
た基板電極との組み合わせで静電容量形成部を形成する
ようにしたので、検知部の形成に異方性エッチングが利
用できて、任意方向を高出力で高精度に計測することが
容易で汎用性も有り小型で更に低コストの静電容量検出
型センサを提供することができるようになった。請求項
２２の発明によれば、被感知体側に形成された感知子基
板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成され
た感知子電極と感知子基板に面方位（110）のシリコン
ウエハを素材として一体的に形成された電極基板上に形
成された凹形状のシリコンの（111）面で形成されてい
る検知部に形成された基板電極との組み合わせで静電容
量形成部を形成するようにしたので、検知部の形成に異
方性エッチングが利用できて、任意方向を高出力で高精
度に計測することが容易で汎用性も有り小型で更に低コ
ストの静電容量検出型センサを提供することができるよ
うになった。

【００５７】請求項２３の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を
形成すると共に静電容量形成部を形成する感知子電極と
基板電極は少なくとも一方が複数個からなるようにした
ので、感知子が回転移動をした場合にその方向を検出す
ることができるようになり、任意方向を高出力で高精度
に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コストの
静電容量検出型センサを提供することができるようにな
った。請求項２４の発明によれば、被感知体側に形成さ
れた感知子基板に回動可能に形成された感知子の凸形状
部に形成された単数個の感知子電極と感知子基板に一体
的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部
に形成された複数個の基板電極との組み合わせで静電容
量形成部を形成するようにしたので、感知子電極を個別
に形成するプロセスが省けるので、任意方向を高出力で
高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で更に
低コストの静電容量検出型センサを提供することができ
るようになった。

【００５８】請求項２５の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された複数個の感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された単数個の基板電極との組み合わせで
静電容量形成部を形成するようにしたので、基板電極を
個別に形成するプロセスが省けるので、任意方向を高出
力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型で
更に低コストの静電容量検出型センサを提供することが
できるようになった。請求項２６の発明によれば、被感
知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された
感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板
に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の
検知部に形成された基板電極との組み合わせで複数個の
静電容量形成部を形成するようにしたので、任意方向の
移動方向と移動量を高出力で高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セン
サを提供することができるようになった。

【００５９】請求項２７の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで２個の静電容量形
成部を非対向する位置に形成するようにしたので、感知
子の移動を２方向の移動量として検知できて、任意方向
を高出力で高精度に計測することが容易で汎用性も有り
小型で低コストの静電容量検出型センサを提供すること
ができるようになった。請求項２８の発明によれば、被
感知体側に形成された感知子基板に回動可能に形成され
た感知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基
板に一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状
の検知部に形成された基板電極との組み合わせで３個の
静電容量形成部を非対向する位置に形成するようにした
ので、感知子の移動を３方向の移動量として検知でき
て、任意方向を高出力で高精度に計測することが容易で
汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型センサを
提供することができるようになった。

【００６０】請求項２９の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで静電容量形成部を
形成すると共に４個の静電容量形成部が２組が対向する
位置に形成され組同士は非対向する位置に形成されるよ
うにしたので、感知子の移動を２方向移動量として検知
するとき、任意方向を更に高出力で高精度に計測するこ
とが容易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出
型センサを提供することができるようになった。請求項
３０の発明によれば、被感知体側に形成された感知子基
板に回動可能に形成された感知子の凸形状部に形成され
た感知子電極と感知子基板に一体的に形成された電極基
板上に形成された凹形状の検知部に形成された基板電極
との組み合わせで５個の静電容量形成部を非対向する位
置に形成するようにしたので、感知子の移動を５方向の
移動量として検知できて、任意方向を高出力で更に高精
度に計測することが容易で汎用性も有り小型で低コスト
の静電容量検出型センサを提供することができるように
なった。

【００６１】請求項３１の発明によれば、被感知体側に
形成された感知子基板に回動可能に形成された感知子の
凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に一体的
に形成された電極基板上に形成された凹形状の検知部に
形成された基板電極との組み合わせで複数個の静電容量
形成部をお互いに直行する位置に形成するようにしたの
で、感知子の移動を方向別の移動量として検知するとき
互いに独立の移動量として検知でき、任意方向を高出力
で更に高精度に計測することが容易で汎用性も有り小型
で低コストの静電容量検出型センサを提供することがで
きるようになった。請求項３２の発明によれば、被感知
体側に形成された感知子基板に回動可能に形成された感
知子の凸形状部に形成された感知子電極と感知子基板に
一体的に形成された電極基板上に形成された凹形状の検
知部に形成された基板電極との組み合わせで誘電体液体
で充填されている静電容量形成部を形成するようにした
ので、静電容量形成分の誘電率が上がり出力が向上し
て、任意方向を更に高出力で高精度に計測することが容
易で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型セン
サを提供することができるようになった。請求項３３の
発明によれば、被感知体側に形成された感知子基板に回
動可能に形成された感知子の凸形状部に形成された感知
子電極と感知子基板に一体的に形成された電極基板上に
形成された凹形状の検知部に形成された基板電極との組
み合わせで真空の静電容量形成部を形成するようにした
ので、電極間距離が狭まる時に中にある気体の圧縮によ
る抗力が発生しなくなるので周波数特性が向上して、任
意方向を更に高出力で更に高精度に計測することが容易
で汎用性も有り小型で低コストの静電容量検出型センサ
を提供することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示す静電容量検出
型センサの要部断面図である。

【図２】本発明の実施の形態の一例を示す静電容量検出
型センサの主要部の斜視図である（一方は他方を反転さ
せた状態を示している）。

【図３】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの要部断面図である。

【図４】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの主要部の斜視図である（一方は他方を反転させ
た状態を示している）。

【図５】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの要部断面図である。

【図６】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの主要部の斜視図である（一方は他方を反転させ
た状態を示している）。

【図７】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの要部断面図である。

【図８】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの主要部の斜視図である（一方は他方を反転させ
た状態を示している）。

【図９】本発明の他の実施の形態を示す静電容量検出型
センサの要部断面図である。

【図１０】本発明の他の実施の形態例を示す静電容量検
出型センサの主要部の斜視図である（一方は他方を反転
させた状態を示している）。

【符号の説明】

０静電容量検出型センサ１感知子基板２感知子、２ａ凸形状部、２ｂ突起部、２ｃ回
動促進手段、２ｃ₁ 薄肉厚部、２ｃ₂ 貫通穴部３感知子電極、３ａ感知子電極、３ａ₁ 感知子電
極部、３ｂ感知子電極、３ｂ₁ 感知子電極部、３ｃ
感知子電極、３ｃ₁ 感知子電極部、３ｄ感知子電
極、３ｄ₁ 感知子電極部、３ｅ感知子電極、３ｅ₁
感知子電極部４電極基板５検知部６基板電極、６ａ基板電極、６ｂ基板電極、６ｃ
基板電極、６ｄ基板電極、６ｅ基板電極７静電容量形成部、７ａ静電容量形成部、７ｂ静
電容量形成部、７ｃ静電容量形成部、７ｄ静電容量
形成部、７ｅ静電容量形成部８誘電体液体９接合部１０静電容量検出型センサ１１感知子基板１２感知子、１２ａ凸形状部、１２ｂ突起部、１
２ｃ回動促進手段、１２ｃ₁ 薄肉厚部、１２ｃ₂ 貫
通穴部１３感知子電極、１３ａ感知子電極部１４電極基板１５検知部１６基板電極１７静電容量形成部１８誘電体液体１９接合部２０静電容量検出型センサ２１感知子基板２２感知子、２２ａ凸形状部、２２ｂ突起部、２
２ｃ回動促進手段、２２ｃ₁ 薄肉厚部、２２ｃ₂ 貫
通穴部２３感知子電極、２３ａ感知子電極、２３ａ₁ 感
知子電極部、２３ｂ感知子電極、２３ｂ₁ 感知子電
極部、２３ｃ感知子電極、２３ｃ₁ 感知子電極部２４電極基板２５検知部２６基板電極、２６ａ基板電極、２６ｂ基板電
極、２６ｃ基板電極２７静電容量形成部、２７ａ静電容量形成部、２７
ｂ静電容量形成部、２７ｃ静電容量形成部２８誘電体液体２９接合部３０静電容量検出型センサ３１感知子基板３２感知子、３２ａ凸形状部、３２ｂ突起部、３
２ｃ回動促進手段、３２ｃ₁ 薄肉厚部、３２ｃ₂ 貫
通穴部３３感知子電極、３３ａ感知子電極、３３ａ₁ 感
知子電極部、３３ｂ感知子電極、３３ｂ₁ 感知子電
極部、３３ｃ感知子電極、３３ｃ₁ 感知子電極部、
３３ｄ感知子電極、３３ｄ₁ 感知子電極部、３３ｅ
感知子電極、３３ｅ₁ 感知子電極部３４電極基板３５検知部３６基板電極、３６ａ基板電極、３６ｂ基板電
極、３６ｃ基板電極、３６ｄ基板電極、３６ｅ基
板電極３７静電容量形成部、３７ａ静電容量形成部、３７
ｂ静電容量形成部、３７ｃ静電容量形成部、３７ｄ
静電容量形成部、３７ｅ静電容量形成部３８誘電体液体３９接合部４０静電容量検出型センサ４１感知子基板４２感知子、４２ａ凸形状部、４２ｂ突起部、４
２ｃ回動促進手段、４２ｃ₁ 薄肉厚部、４２ｃ₂ 貫
通穴部４３感知子電極、４３ａ感知子電極部、４４電極基板４５検知部４６基板電極、４６ａ基板電極、４６ｂ基板電
極、４６ｃ基板電極、４６ｄ基板電極、４６ｅ基
板電極４７静電容量形成部、４７ａ静電容量形成部、４７
ｂ静電容量形成部、４７ｃ静電容量形成部、４７ｄ
静電容量形成部、４７ｅ静電容量形成部４８誘電体液体４９接合部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC01 DD05 DD07 DD09 EE25 FF01 FF11 FF49 GG01 GG12 2F077 CC02 HH01 HH12 HH18 VV02 VV11 VV33 4M112 AA01 AA02 BA07 CA41 CA44 CA51 CA53 DA03 DA04 EA03 EA06 EA07 EA11 EA13 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】静電容量を検出して計測する静電容量検
出型センサにおいて、被感知体側に形成された感知子基
板と、上記感知子基板に回動可能に形成された感知子
と、上記感知子の凸形状部に形成された感知子電極と、
上記感知子基板と一体的に形成された電極基板と、上記
電極基板上に形成された凹形状の検知部と、上記検知部
に形成された基板電極と、上記感知子電極と上記基板電
極の組み合わせで形成する静電容量形成部とからなるこ
とを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２】請求項１に記載の静電容量検出型センサ
において、感知子基板は、ガラスで形成されていること
を特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項３】請求項１に記載の静電容量検出型センサ
において、感知子基板は、シリコン素材で形成されてい
ることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項４】請求項１、２又は３に記載の静電容量検
出型センサにおいて、電極基板は、ガラスで形成されて
いることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項５】請求項１、２又は３に記載の静電容量検
出型センサにおいて、電極基板は、シリコン素材で形成
されていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項６】請求項１、４又は５記載の静電容量検出
型センサにおいて、感知子基板は、誘電体材料で形成さ
れていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項７】請求項１、２、３又は６に記載の静電容
量検出型センサにおいて、電極基板は、誘電体材料で形
成されていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７に
記載の静電容量検出型センサにおいて、感知子基板と電
極基板は、熱膨張係数が同等又は近似の材料から形成さ
れていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項９】請求項８に記載の静電容量検出型センサ
において、シリコン素材で形成された感知子基板と誘電
体材料で形成された電極基板とからなることを特徴とす
る静電容量検出型センサ。
【請求項１０】請求項８に記載の静電容量検出型セン
サにおいて、誘電体材料で形成された感知子基板とシリ
コン素材で形成された電極基板とからなることを特徴と
する静電容量検出型センサ。
【請求項１１】請求項１、３、４、５、７、８又は９
に記載の静電容量検出型センサにおいて、感知子基板
は、面方位（100）のシリコンウエハを素材として形成
されていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項１２】請求項１１に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、感知子基板に形成された感知子は、シリ
コンの（111）面で形成されていることを特徴とする静
電容量検出型センサ。
【請求項１３】請求項１乃至９の何れか一項に記載の
静電容量検出型センサにおいて、感知子基板は、面方位
（110）のシリコンウエハを素材として形成されている
ことを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項１４】請求項１３に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、感知子基板に形成された感知子は、シリ
コンの（111）面で形成されていることを特徴とする静
電容量検出型センサ。
【請求項１５】請求項１乃至１４の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、感知子は、被感知側
に形成された突起部とからなることを特徴とする静電容
量検出型センサ。
【請求項１６】請求項項１乃至１５の何れか一項に記
載の静電容量検出型センサにおいて、感知子は、回動を
促進する回動促進手段を介して感知子基板に形成されて
いることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項１７】請求項１６に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、回動促進手段は、感知子基板に形成され
ている感知子の周辺の薄肉厚部からなることを特徴とす
る静電容量検出型センサ。
【請求項１８】請求項１６又は１７に記載の静電容量
検出型センサにおいて、回動促進手段は、感知子基板に
形成されている感知子の周辺の上記感知子基板を貫通す
る貫通穴部からなることを特徴とする静電容量検出型セ
ンサ。
【請求項１９】請求項１、２、３、５、６、８、１
０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７又は１
８に記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板
は、面方位（100）のシリコンウエハを素材として形成
されていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２０】請求項１９に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、電極基板に形成された検知部は、シリコ
ンの（111）面で形成されていることを特徴とする静電
容量検出型センサ。
【請求項２１】請求項１、２、３、５、６、８、１
０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７又は１
８に記載の静電容量検出型センサにおいて、電極基板
は、面方位（110）のシリコンウエハを素材として形成
されていることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２２】請求項２１に記載の静電容量検出型セ
ンサにおいて、電極基板に形成された検知部は、シリコ
ンの（111）面で形成されていることを特徴とする静電
容量検出型センサ。
【請求項２３】請求項１乃至２２の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、静電容量形成部を形
成する感知子電極と基板電極は、少なくとも一方が複数
個からなることを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２４】請求項１乃至２３の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、単数個の感知子電極
と、複数個の基板電極とからなることを特徴とする静電
容量検出型センサ。
【請求項２５】請求項１乃至２３の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、複数個の感知子電極
と、単数個の基板電極とからなることを特徴とする静電
容量検出型センサ。
【請求項２６】請求項１乃至２５の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、複数個の静電容量形
成部とからことを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２７】請求項１乃至２２の何れか一項又は請
求項２４に記載の静電容量検出型センサにおいて、２個
の静電容量形成部が非対向する位置に形成されたことを
特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２８】請求項１乃至２２の何れか一項又は請
求項２４に記載の静電容量検出型センサにおいて、３個
の静電容量形成部が非対向する位置に形成されたことを
特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項２９】請求項１乃至２２の何れか一項又は請
求項２４に記載の静電容量検出型センサにおいて、４個
の静電容量形成部が２組が対向する位置に形成され、組
同士は非対向する位置に形成されたことを特徴とする静
電容量検出型センサ。
【請求項３０】請求項１乃至２２の何れか一項又は請
求項２４に記載の静電容量検出型センサにおいて、５個
の静電容量形成部が非対向する位置に形成されたことを
特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項３１】請求項１乃至２２の何れか一項又は請
求項２４に記載の静電容量検出型センサにおいて、複数
個の静電容量形成部がお互いに直行する位置に形成され
たことを特徴とする静電容量検出型センサ。
【請求項３２】請求項１乃至３１の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、静電容量形成部は、
誘電体液体で充填されていることを特徴とする静電容量
検出型センサ。
【請求項３３】請求項１乃至３１の何れか一項に記載
の静電容量検出型センサにおいて、静電容量形成部は、
真空であることを特徴とする静電容量検出型センサ。