JP2002250664A - 圧力測定装置 - Google Patents

圧力測定装置

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JP2002250664A
JP2002250664A JP2001049092A JP2001049092A JP2002250664A JP 2002250664 A JP2002250664 A JP 2002250664A JP 2001049092 A JP2001049092 A JP 2001049092A JP 2001049092 A JP2001049092 A JP 2001049092A JP 2002250664 A JP2002250664 A JP 2002250664A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧力センサの静電容量を利用して被測定圧力
を求める圧力測定装置において、外来ノイズ等の影響を
受けることなく、高精度の測定結果を得ることができる
ようにすること。 【解決手段】 圧力センサにおける静電容量Csを用い
て、オペアンプOP11により積分回路31が形成され
る。前記積分回路31に供給される充電電流によって生
成される電圧値を、第1と第2の異なるレベルの基準電
圧値Vref1およびVref2と比較する比較回路が、オペア
ンプOP12,OP13およびコンパレータOP14,OP15
によって形成される。そして、前記比較回路において、
第1の基準電圧値との比較によって生成される第1比較
出力の発生タイミングから、第2の基準電圧値との比較
によって生成される第2比較出力の発生タイミングに至
る経過時間に基づいて、被測定圧力を求める演算がなさ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、圧力に応じて静
電容量が変化する圧力センサ、例えばダイヤフラムを用
いたセンサにおける静電容量を利用して、真空装置内等
の被測定圧力を求める圧力測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体あるいは液晶表示ディバイ
ス等の製造設備においては、真空装置内の圧力を測定す
るために、ダイヤフラム型真空計が利用されている。こ
のダイヤフラム型の真空センサ1は、図1に模式的に示
したように、気密容器11の中央部に金属薄膜等の可動
ダイヤフラム電極12が配置されている。また、気密容
器11の中央部に中央固定電極13が、さらに、気密容
器11の外周部に外周固定電極14が、それぞれ可動ダ
イヤフラム電極12に対向接近した状態で配置されてい
る。
【0003】そして、真空装置内部の圧力を測定するに
際しては、気密容器11内の気密空間Sが真空導入部1
5を介して真空装置内に連通される。この状態におい
て、真空装置内の圧力は、真空導入部15を経てダイヤ
フラム型真空計の気密空間Sに伝達され、その圧力に応
じて可動ダイヤフラム電極12が変位する。この可動ダ
イヤフラム電極12の変位作用により、前記中央固定電
極13と可動ダイヤフラム電極12との間に形成される
静電容量Cs(以下、センサキャパシタともいう)、お
よび外周固定電極14と可動ダイヤフラム電極12との
間に形成される静電容量Cr(以下、リファレンスキャ
パシタともいう)を利用して、真空装置内の圧力が求め
られる。
【0004】図3は、前記したダイヤフラム型真空計に
よって得られるセンサキャパシタCsおよびリファレン
スキャパシタCrを利用して、真空装置内の圧力を求め
る従来の圧力測定装置の回路構成を示したものである。
前記センサキャパシタCsおよびリファレンスキャパシ
タCrは、ダイオードD1 〜D4 により構成されるブリ
ッジ回路21の対向する接続交点に対してコンデンサC
1 およびC2 を介して接続される。このブリッジ回路2
1の他の一対の接続交点には、コンデンサC3およびC4
を介して、クロック発振回路22より数十KHzのク
ロック信号が供給されるように構成されている。
【0005】前記発振回路22の出力端子にはダイオー
ドD5 が接続されており、このダイオードD5 により得
られる半波整流出力は、抵抗R1 およびコンデンサC5
によって平滑され、レベルコントロール回路23に供給
されるように構成されている。そして、レベルコントロ
ール回路23より発振回路22にレベル制御信号が供給
され、この閉ループにより、発振回路22の出力レベル
(ピークレベル)が調整されるように作用する。これに
より、前記したダイオードブリッジ回路21に印加され
るクロック信号のレベルが、各ダイオードD1 〜D4 の
順方向電圧に満たない程度に調整され、ダイオードブリ
ッジ21回路において、直流閉回路が形成されるのを阻
止するようなされる。そして、高周波信号においての
み、ダイオードの一方向性伝達機能を利用するようにし
ている。
【0006】ここで、前記した真空計においては、被測
定雰囲気の真空度が上昇した場合(圧力が低下した場
合)においては、図1に示す中央固定電極13と可動ダ
イヤフラム電極12との間のギャップが開き、両者の間
に形成される前記センサキャパシタCsは小さくなる。
また、被測定雰囲気の真空度が低下した場合(圧力が上
昇した場合)においては、中央固定電極13と可動ダイ
ヤフラム電極12との間のギャップが狭まり、両者の間
に形成される前記センサキャパシタCsは大きくなる。
一方、外周固定電極14と可動ダイヤフラム電極12と
の間に形成されるリファレンスキャパシタCrは、被測
定雰囲気の真空度にはほとんど左右されない。
【0007】また、前記ブリッジ回路21における発振
回路22からのクロック信号の供給点の一方、すなわち
ダイオードD2,D3の接続点は、抵抗R2 およびコン
デンサC6 を介して基準電位点に接続されており、これ
により交流的にアース接続されている。また、前記抵抗
R2 とコンデンサC6 との接続点には、可変抵抗R3を
介して直流のバランス調整電位が印加されており、これ
により直流動作点が基準電位に定められている。
【0008】そこで、真空計における前記センサキャパ
シタCsおよびリファレンスキャパシタCrの容量値が
同一であるならば、ダイオードD1 〜D4 により構成さ
れる交流ブリッジ回路21は、バランス状態が保たれ、
ブリッジ回路21における基準電位に対向する出力点2
4、すなわちダイオードD1 とD4 の接続点は基準電位
となる。しかしながら、真空計に作用する圧力の変化に
より、センサキャパシタCsおよびリファレンスキャパ
シタCrの容量値のバランスが崩れた場合(差が発生し
た場合)には、前記出力点24に直流電圧が発生する。
【0009】この直流電圧は、高周波等の外来ノイズを
除去する抵抗R4 およびコンデンサC7 によるフィルタ
回路を介して、直流増幅器を構成するオペアンプOP1
の非反転入力端子に供給され、ここで所定のレベルに増
幅される。そして、前記オペアンプOP1 で増幅された
直流出力は、ゲイン調整機能を有するオペアンプOP2
を介して出力される。この時の出力レベルは0〜10
(V)程度のアナログ出力となる。このアナログ出力は
図示せぬコントローラ側に伝達され、測定結果が表示さ
れるようになされる。
【0010】一方、図3に示すように正負の動作電源間
には、2つのダイオードD6 ,D7および抵抗R5 の直
列回路が形成されており、ダイオードD7 と抵抗R5 と
の接続点の電位が、オペアンプOP3 に印加されるよう
に構成されている。この構成は温度補償を司るものであ
り、ダイオードD6 ,D7 の順方向電圧の温度依存性を
利用して温度情報を取得するように作用する。そして、
オペアンプOP3 の出力、すなわち温度補償情報は、オ
ペアンプOP1 の出力に重畳され、結果としてゲイン調
整機能を有するオペアンプOP2 からのアナログ出力の
温度補償がなされる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の構成による圧力測定装置において用いられる前記真
空計においては、被測定圧力の変化によって得られる前
記センサキャパシタCsの可変範囲は、10〜20pF
程度の範囲である。したがって前記したセンサキャパシ
タの可変範囲に基づいて、0〜10V程度のアナログ出
力に変換する関係で、以下に示すような種々の問題点を
抱えている。
【0012】その第1は、真空計によって得られる前記
したセンサキャパシタCsとリファレンスキャパシタC
rの差に基づいて、アナログ信号を出力するプロセスを
実行し、当該アナログ信号をコントローラ側に伝達して
測定値を求める構成になされるため、外来ノイズの影響
を受けやすいという問題が発生する。特にこの種の圧力
測定装置は、前記したように半導体等の製造設備におい
て好適に利用されており、当該製造設備における例えば
プラズマ処理装置等より発生する高周波(マイクロ波)
の影響を受けやすく、正確な圧力の計測が困難になるケ
ースも発生し得る。
【0013】また第2の問題点は、測定精度を向上させ
ることが困難である。すなわち、前記した真空計により
得られるセンサキャパシタCsの値は、被測定圧力には
比例せず、ノンリニアな関係となる。これは、ダイヤフ
ラム電極が圧力を受けてたわむことで、前記センサキャ
パシタCsが変化する現象を利用していることに起因す
る。このために、測定圧力がミニマムの状態とフルスケ
ールの状態の2点を採り、両者の間で補正を加える等の
対処が必要になるものの、前記2点を結ぶ全てのポイン
トにおいて、前記したノンリニアな特性を補正する回路
を形成することは、アナログ回路であるが故に極めて困
難である。
【0014】第3の問題点は、測定結果の応答速度が遅
い点にある。すなわち、前記したようにアナログ信号で
処理する回路構成を採用するために、ノイズ対策が必要
となり、交流ブリッジ回路によって生成した直流伝送系
に、前記したように抵抗R4およびコンデンサC7 より
なるフィルタ回路(積分回路)を挿入する等の対処が必
要となる。このために、測定結果の応答速度は10〜1
00msec程度となる。特に昨今における半導体製造
設備等においては、プロセス時間を短縮させるために、
瞬時に圧力を切り換えたいという要請が高まっており、
これに伴い圧力測定結果の応答速度をより短縮させるこ
とは重要な課題となる。
【0015】さらに第4の問題点は、交流ブリッジ回路
によって直流出力を生成するプロセス、および直流伝送
系を採用するために、多くの回路部品が必要になり、回
路構成の小型化および単純化が困難であり、また製造コ
ストの低減も不可能な状態に行き着いている。さらにま
た第5の問題点は、前記した真空計において2つのキャ
パシタCs,Crの値を生成する必要があるために、セ
ンサチップを簡素化することが困難である。すなわち、
センサチップにおける構成の単純化、および小型化を図
る意味での障害となっている。
【0016】この本発明は、前記したような問題点に着
目してなされたものであり、外来ノイズの影響を受ける
度合いを低減させると共に、測定精度の向上および応答
速度の改善等の技術的な課題を解決し得る圧力測定装置
を提供することを目的とするものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ためになされたこの発明にかかる圧力測定装置は、被測
定圧力に応じて静電容量が変化する圧力センサの前記静
電容量を利用し、被測定圧力値を求める圧力測定装置で
あって、前記圧力センサにおける静電容量を用いて構成
する積分回路と、前記積分回路に供給される充電電流に
よって生成される電圧値を、第1と第2の異なるレベル
の基準電圧値と比較する比較回路とが具備され、前記比
較回路において、第1の基準電圧値との比較によって生
成される第1比較出力の発生タイミングから、第2の基
準電圧値との比較によって生成される第2比較出力の発
生タイミングに至る経過時間に基づいて、被測定圧力を
求めるように構成される。
【0018】この場合、好ましくは前記第1比較出力の
発生タイミングから、第2比較出力の発生タイミングに
至る経過時間に基づいて被測定圧力を求める演算手段が
具備され、前記演算手段には、前記第1比較出力の発生
タイミングと第2比較出力の発生タイミングとの間にお
いて、基準クロック発生手段からもたらされる基準クロ
ック信号を通過させるゲート手段と、前記ゲート手段を
介してもたらされるクロック数をカウントアップするク
ロックカウンタが具備され、前記クロックカウンタによ
るカウントアップ値に基づいて、被測定圧力を演算する
ように構成される。
【0019】また、好ましくは前記比較回路よりもたら
される第2比較出力の発生後において、前記積分回路を
構成する圧力センサの静電容量における電荷を、初期状
態に設定する初期状態設定手段がさらに具備され、前記
圧力センサの静電容量における電荷が初期状態に設定さ
れた場合において、再び前記積分回路に充電電流を供給
して被測定圧力を求める動作が繰り返されるように構成
される。この場合、前記初期状態設定手段は、好ましく
は前記第2比較回路によって生成される比較出力を利用
し、当該比較出力の発生後において駆動されるように構
成される。
【0020】一方、好ましい実施の形態においては、前
記積分回路が、オペレーショナルアンプの反転入力端子
と出力端子との間に前記圧力センサにおける静電容量が
介在されると共に、オペレーショナルアンプの前記反転
入力端子に接続された抵抗を介して電圧源からの電流が
前記圧力センサにおける静電容量を充電する構成とされ
る。
【0021】また、好ましい実施の形態においては、前
記比較回路が、第1の基準電圧値との電圧比較を実行す
る第1のオペレーショナルアンプと、第2の基準電圧値
との電圧比較を実行する第2のオペレーショナルアンプ
とにより構成され、前記第1のオペレーショナルアンプ
の出力発生タイミングから、第2のオペレーショナルア
ンプの出力発生タイミングに至る間において、前記ゲー
ト手段をオープン状態に制御するように構成される。
【0022】この場合、好ましくは前記第1のオペレー
ショナルアンプの出力と第2のオペレーショナルアンプ
の出力を利用してオンオフ制御されるスイッチング素子
を含み、前記スイッチング素子の第1の動作状態におい
て積分回路を構成する前記静電容量への充電動作を実行
し、前記スイッチング素子の第2の動作状態において、
積分回路を構成する前記静電容量に対して逆極性に充電
する充電作用を実行するように構成される。
【0023】さらにこの場合、好ましくは前記第1のオ
ペレーショナルアンプの出力と第2のオペレーショナル
アンプの出力が、それぞれ時定数回路を介して前記スイ
ッチング素子のオンオフ制御を実行するように構成され
る。
【0024】一方、好ましくは前記比較回路の出力が、
前記ゲート手段に対してフォトカプラを介して伝達され
るように構成される。
【0025】さらに、好ましい実施の形態においては、
前記クロックカウンタが、第1と第2のカウンタにより
構成されると共に、前記ゲート手段のオープン動作時
に、第1と第2のカウンタに対して、前記基準クロック
発生手段からもたらされるクロック信号と、当該クロッ
ク信号をほぼ180度遅延させたクロック信号が、それ
ぞれ供給されるように構成し、前記第1と第2のカウン
タによるカウントアップ値に基づいて、被測定圧力を演
算するように構成される。
【0026】また、前記圧力センサの静電容量値と被測
定圧力との間のノンリニアな関係を補正するために、ク
ロックカウンタによるカウントアップ値に対応した補正
値を記述したテーブルが具備されることが望ましい。
【0027】また、少なくとも前記積分回路における温
度情報を取得する温度情報取得手段が具備され、前記ク
ロックカウンタによるカウントアップ値に対応する値を
前記温度情報により補正し、被測定圧力を演算するよう
に構成することも有効である。
【0028】さらに、前記比較回路において発生する第
1の基準電圧値との比較によって生成される第1比較出
力の発生タイミングから、前記クロックカウンタによる
クロックのカウントアップ開始に至る第1時間を取得す
ると共に、第2の基準電圧値との比較によって生成され
る第2比較出力の発生タイミングから、前記クロックカ
ウンタによるクロックのカウントアップ終了に至る第2
時間を取得する取得手段が具備され、前記クロックカウ
ンタによるカウントアップ値に対応する値を前記第1時
間と第2時間の差分により補正し、被測定圧力を演算す
るように構成することも有効である。
【0029】この場合、好ましい実施の形態において
は、前記第1時間および第2時間を、コンデンサへの充
電電圧に基づいて取得するように構成され、前記充電電
圧に基づくデジタル変換出力を利用して、前記第1時間
と第2時間の差分を求めるように構成される。
【0030】以上の構成によると、圧力センサにおける
静電容量が積分回路を構成し、当該積分回路に充電され
る充電電流によって生成される電圧値が、比較回路によ
って比較される。この場合、充電電流によって生成され
る電圧値をリニアに変化させることができ、この電圧値
は、比較回路において第1と第2の異なるレベルの基準
電圧値と比較される。そして、第1の基準電圧値との比
較によって生成される第1比較出力の発生タイミングか
ら、第2の基準電圧値との比較によって生成される第2
比較出力の発生タイミングに至る経過時間は、前記積分
回路を構成する静電容量の容量値の情報として引き出す
ことができる。
【0031】したがって、前記した第1比較出力の発生
タイミングと第2比較出力の発生タイミングとの間でオ
ープン制御されるゲート手段にクロック信号を与え、ゲ
ートオープン状態において出力されるクロック数をカウ
ントアップすることで、前記圧力センサにおける静電容
量値を把握することができる。
【0032】前記した作用を実現する後述する回路構成
は、その主要部のほとんどをデジタル処理によって実現
することができる。したがって、外来ノイズの影響を極
端に低減させることができ、また、真空計により得られ
る静電容量と被測定圧力のノンリニアな関係を容易に補
正することも可能となる。さらに測定結果の応答レスポ
ンスも向上させることができると共に、汎用のデジタル
IC等の組み合わせにより構成することができるので、
部品点数の低減および装置の小型化を図ることも可能と
なる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる圧力測定
装置の好ましい幾つかの例を、図に基づいて説明する。
まず図2は、この発明にかかる圧力測定装置において好
適に利用される真空センサの基本構成を示したものであ
る。この図2に示した真空センサ2は、図1に示した構
成と基本的には同一であり、図1に示した構成に比較す
ると、外周固定電極14が取り除かれている。したがっ
て、図2においては図1の構成に対応する部分を同一符
号で示しており、その詳細な説明は省略する。
【0034】図4は、図2に示した真空センサ2におけ
る中央固定電極13と、可動ダイヤフラム電極12との
間において得られるセンサキャパシタCsを利用して、
センサキャパシタCsに対応するパルス波形信号を生成
するセンサ回路の第1の実施の形態を示したものであ
る。図4に示すように、真空センサ2において得られる
センサキャパシタCsは、オペレーショナルアンプ(以
下、これをオペアンプと称する)OP11の反転入力端子
と、出力端子との間に介在されている。
【0035】このオペアンプOP11の反転入力端子に
は、抵抗R11の一端が接続されており、また、オペアン
プOP11の非反転入力端子は基準電位点(アース)に接
続されている。この構成によって、前記抵抗R11の他
端、すなわちB点からオペアンプOP11側を見た場合、
抵抗R11とセンサキャパシタCsとによる積分回路31
が形成されている。
【0036】前記積分回路31の入力端子であるB点
は、抵抗R12を介して第1の基準電位点Vref1(+10
V)に接続されており、またB点は、npn型トランジ
スタQ11のコレクタ・エミッタ間を介して、動作電源V
ss(−15V)に接続されている。前記トランジスタQ
11のベース電極は、抵抗を介して動作電源Vssに接続さ
れると共に、抵抗およびコンデンサの並列回路を介して
pnp型トランジスタQ12のコレクタに接続されてい
る。前記トランジスタQ12のエミッタは、前記基準電位
点Vref1に接続されており、また同トランジスタQ12の
ベースは、後述する第1および第2の比較回路からの制
御電圧を受けてスイッチング動作が行われるように構成
されている。
【0037】なお、これらトランジスタQ11およびQ12
は、第1および第2の比較回路からの制御信号を受け
て、前記センサキャパシタCsを含む積分回路31に対
して電荷を充電する動作と、センサキャパシタCsに充
電された電荷を放電し、さらに逆極性に充電して初期状
態に設定する初期状態設定手段を構成している。
【0038】前記オペアンプOP11の出力端子、すなわ
ちA点は、第1の比較回路を構成するオペアンプOP12
の反転入力端子に接続されると共に、第2の比較回路を
構成するオペアンプOP13の非反転入力端子に接続され
ている。前記オペアンプOP12の非反転入力端子には、
前記した第1の基準電位点Vref1より基準電圧が供給さ
れており、またオペアンプOP13の反転入力端子には、
第2の基準電位点Vref2(−10V)より基準電圧が供
給されている。
【0039】さらに、オペアンプOP12の出力は、互い
にダイオードを逆極性に接続した電圧リミッタを介し
て、同じく第1の比較回路を構成するコンパレータOP
14の反転入力端子に供給されるように構成されている。
また、同様にオペアンプOP13の出力は、互いにダイオ
ードを逆極性に接続した電圧リミッタを介して、同じく
第2の比較回路を構成するコンパレータOP15の非反転
入力端子に供給されるように構成されている。そして、
前記コンパレータOP14の非反転入力端子、およびコン
パレータOP15の反転入力端子は、アース接続されてい
る。さらに前記各コンパレータOP14,OP15の出力
は、オープンコレクタとなっている。
【0040】なお、この実施の形態にかかる第1および
第2の比較回路においては、それぞれ前段出力と後段入
力との間に、抵抗と小容量のコンデンサとのフィルタ回
路が挿入されており、これにより、比較回路が受けるノ
イズ等の影響が低減できるようになされている。
【0041】前記第1の比較回路を構成するコンパレー
タOP14のグランド端子には、フォトカプラを構成する
発光ダイオード(LED)D11が接続されており、ま
た、第2の比較回路を構成するコンパレータOP15のグ
ランド端子にも、フォトカプラを構成する発光ダイオー
ドD12が接続されており、これら各発光ダイオードD1
1,D12による光出力(パルス信号)は、後述するコン
トローラ回路に伝達される。
【0042】また、前記コンパレータOP14の出力端子
O1 は、プルアップ抵抗R13を介して動作電源Vcc(+
15V)が印加されると共に、抵抗R14およびダイオー
ドD13、並びに抵抗R15を介して前記トランジスタQ12
のベースに接続されている。なお、ここで前記ダイオー
ドD13と抵抗R15との接続点とアース間にはコンデンサ
C11が接続されており、抵抗R14とコンデンサC11とに
より時定数回路を構成している。
【0043】また同様に、前記コンパレータOP15の出
力端子O2 は、プルアップ抵抗R16を介して動作電源V
cc(+15V)が印加されると共に、抵抗R17およびダ
イオードD14、並びに抵抗R15を介して前記トランジス
タQ12のベースに接続されている。そして同様に、抵抗
R17とコンデンサC11とにより時定数回路を構成してい
る。
【0044】前記した回路構成において、前記トランジ
スタQ12がオフ状態とされた場合には、トランジスタQ
11もオフ状態とされる。したがって、前記したB点は前
記抵抗R12を介して第1の基準電位点Vref1側にプルア
ップされる。図5に示した特性Bの立上がり点、すなわ
ち符号aで示した立上がり点は、その状態を示すもので
ある。したがって、センサキャパシタCsには抵抗R11
を介して充電電流が流れ、この結果、オペアンプOP11
の出力端子の電位は、図5にAとして示すように+10
Vを超える状態から、−10Vの電位に向かってリニア
に降下するように作用する。この時の図5に示すAの傾
斜は、積分回路を構成する前記センサキャパシタCs
と、抵抗R11の積によって決定される。
【0045】ここで、A点の電位が+10Vを超える状
態(図5のg点からb点)においては、図4に示すオペ
アンプOP12の出力は負(−)出力となり、したがっ
て、これを受けるコンパレータOP14の出力端子とグラ
ンド端子間は開放状態となり、フォトカプラを構成する
発光ダイオードD11は、消灯状態になされる。この時、
コンパレータOP14の出力端子は、抵抗R13により動作
電源Vcc側にプルアップされる。したがって、このプル
アップされた電位はダイオードD13を介してトランジス
タQ12のベースに印加され、これによりトランジスタQ
12はオフ状態を継続し、これに基づいて、トランジスタ
Q11もオフ状態を継続する。
【0046】一方、前記A点の電位が+10Vを超える
状態においては、オペアンプOP13の出力は正(+)出
力となり、したがって、これを受けるコンパレータOP
15の出力端子とグランド端子間は開放状態となり、フォ
トカプラを構成する発光ダイオードD12は、消灯状態に
なされる。この時、コンパレータOP15の出力端子は抵
抗R16により、動作電源Vcc側にプルアップされてお
り、これによりダイオードD14は逆バイアス状態とな
り、トランジスタQ12のスイッチング動作には影響を与
えない。
【0047】続いて、A点の電位が降下して+10Vを
クロスした状態、すなわち図5に示すb点を経過した場
合においては、オペアンプOP12の出力は正(+)出力
となり、したがって、これを受けるコンパレータOP14
の出力端子とグランド端子間は短絡状態となる。したが
って、フォトカプラを構成する発光ダイオードD11は、
この瞬間において点灯状態になされる。この時、コンパ
レータOP14の出力は立下がるが、ダイオードD13は逆
バイアス状態となり、トランジスタQ12のスイッチング
動作には影響を与えない。
【0048】一方、この時、オペアンプOP13の出力は
正(+)出力を継続し、したがって、これを受けるコン
パレータOP15の出力端子とグランド端子間は開放され
たままであり、フォトカプラを構成する発光ダイオード
D12は、消灯状態を継続する。この時、コンパレータO
P15の出力は動作電源Vcc側にプルアップされたままで
あり、これにより、ダイオードD14は逆バイアス状態を
継続し、トランジスタQ12のスイッチング動作には影響
を与えない。
【0049】さらに、A点の電位が降下して−10Vを
クロスした状態、すなわち図5に示すc点を経過した場
合においては、オペアンプOP12の出力は正(+)出力
を継続し、したがって、これを受けるコンパレータOP
14の出力端子とグランド端子間は開放状態を継続する。
したがって、図5に示すようにコンパレータOP14の出
力端子O1 の電位は立下がった状態を継続し、フォトカ
プラを構成する発光ダイオードD11は、点灯状態を継続
する。この時、ダイオードD13は逆バイアス状態を継続
し、トランジスタQ12のスイッチング動作には影響を与
えない。
【0050】この時、オペアンプOP13の出力は負
(−)出力となり、したがって、これを受けるコンパレ
ータOP15の出力端子とグランド端子間は短絡状態とな
り、フォトカプラを構成する発光ダイオードD12は、点
灯状態になされる。この時、コンパレータOP15の出力
端子O2 の電位は立下がる。したがって、ダイオードD
14を介してトランジスタQ12のベースは負方向にバイア
スされる。
【0051】この場合、トランジスタQ12は抵抗R17と
コンデンサC11による時定数をもってオン状態になされ
る。すなわち、前記時定数の作用により、図5に示すd
点からe点までは、トランジスタQ12はオフ状態を継続
し、d点においてオン状態になされる。これに伴い、ト
ランジスタQ11もオン動作され、図5に示すように、前
記B点の電位は動作電源Vssに立下がる。この時、前記
時定数の作用による時間経過により、A点の電位は−1
0V以下に降下する。
【0052】前記トランジスタQ11のオン動作により、
前記B点にはほぼVss(−15V)が印加される。これ
により、積分回路31を構成する前記センサキャパシタ
Csは、電荷を放電すると共に、逆方向への充電作用が
なされる。すなわち、トランジスタQ11のオン動作によ
り、センサキャパシタCsの電荷は抵抗R11を介して放
電される。これにより、A点の電位は+10V方向にリ
ニアに上昇するように転ずる。
【0053】そして、A点の電位が−10Vをクロスし
た瞬間、すなわち図5に示すe点において、オペアンプ
OP13の出力は正(+)出力となり、したがって、これ
を受けるコンパレータOP15の出力端子とグランド端子
間は開放状態となり、フォトカプラを構成する発光ダイ
オードD12は、消灯状態になされる。この時、コンパレ
ータOP15の出力は、Vcc側にプルアップされるが、ダ
イオードD14は逆バイアス状態となり、トランジスタQ
12のスイッチング動作には影響を与えない。一方、オペ
アンプOP12の出力は負(−)出力を保ったままとな
り、状態は変化しない。
【0054】そして、積分回路31を構成する前記セン
サキャパシタCsが逆極性に充電されて、A点の電位が
上昇し、+10Vを超える図5に示すf点に至った場合
においては、オペアンプOP12の出力は負(−)出力と
なり、したがって、これを受けるコンパレータOP14の
出力端子とグランド端子間は開放状態となり、フォトカ
プラを構成する発光ダイオードD11は、この瞬間におい
て消灯状態になされる。
【0055】この時、コンパレータOP14の出力は、動
作電源Vcc側にプルアップされ、これによりダイオード
D13を介してトランジスタQ12のベースは正方向にバイ
アスされる。この場合、抵抗R14を介してコンデンサC
11を充電する時定数回路が働き、この時定数の遅れをも
ってa点においてトランジスタQ12がオフされ、これに
伴いトランジスタQ11もオフ状態になされる。この時、
前記時定数による時間経過により、A点の電位は+10
V以上に上昇する。これにより、積分回路31を構成す
る前記センサキャパシタCsへの逆極性の充電が完了
し、初期状態になされる。以下は、前記した説明のとお
り、A点の電位はリニアに降下する動作がなされ、これ
が継続して反復繰り返される。
【0056】前記した説明から明らかなとおり、積分回
路31を構成するセンサキャパシタCsには、第1の基
準電位Vref1(+10V)を若干超える範囲から第2の
基準電位Vref2(−10V)を若干下回る範囲におい
て、反復して逆極性に至る充放電が繰り返される。この
場合、積分回路31における前記A点の電位が、第1の
基準電位Vref1(+10V)をクロスする第1タイミン
グから、A点の電位が第2の基準電位Vref2(−10
V)をクロスする第2タイミングに至る時間は、積分回
路を構成するセンサキャパシタCsの容量値と、抵抗R
11の積に比例することになる。しかも、前記センサキャ
パシタCsは、初期状態の充電状態から放電され、さら
に逆極性に充電されるように作用する。
【0057】これにより、抵抗R11の抵抗値を“R”と
し、センサキャパシタCsの容量値を“Cs”とした場
合、図5に示すO1 の立下がりからO2 の立下がりに至
る時間は、“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”のパ
ラメータとして示すことができる。ここで、前記“R”
は、一定であり、したがってO1 の立下がりからO2の
立下がりに至る時間を計測することにより、センサキャ
パシタの容量値“Cs”に対応する値を求めることがで
きる。
【0058】なお、前記したセンサ回路では、抵抗R15
とコンデンサC11が構成する時定数の働きにより、B点
の電位が立下がった後、一定時間の経過後にB点の電位
が完全に安定してから前記した第1タイミングが訪れ
る。したがって、第1タイミングから第2タイミングに
至る期間では、積分回路31に常に安定した電流が流れ
る。すなわち、比較回路とスイッチング素子との間に時
定数回路を設けることにより、より高精度な計測が可能
になっている。
【0059】図6はフォトカプラを介して伝達される前
記O1 の立下がりと、O2 の立下がりの情報を受けて、
センサキャパシタの容量値“Cs”を演算するコントロ
ーラ回路の第1の実施の形態を示したものである。この
図6に示した実施の形態においては、フォトカプラにお
ける一対のフォトトランジスタPT1 ,PT2 から得ら
れる前記O1 およびO2 に対応する各出力が、RSフリ
ップフロップ35によって受けるように構成されてい
る。すなわちRSフリップフロップ35のセット端子S
に対して、前記O1 に対応する出力が印加され、また、
RSフリップフロップ35のリセット端子Rに対して、
前記O2 に対応する出力が印加されるように構成されて
いる。
【0060】このRSフリップフロップ35は、前記信
号O1 の立下がりによってセットされ、信号O2 の立下
がりによってリセットされる動作がなされる。これによ
り、フリップフロップ35のQ出力端子からは、図5に
示した“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”に対応す
る時間において、“Hi”が出力される。前記フリップ
フロップ35におけるQ出力は、さらに第1と第2のJ
Kフリップフロップ36,37におけるJ端子およびK
端子に供給される。
【0061】また、前記第1のJKフリップフロップ3
6のクロック入力端子CKには、クロック発生手段とし
ての水晶発振器38より100MHzのクロック信号が
供給されるように構成されている。また、水晶発振器3
8からのクロック信号は、2つのインバータにより構成
された位相遅延手段39を介して、第2のJKフリップ
フロップ37のクロック入力端子CKに供給されるよう
に構成されている。
【0062】なお、前記位相遅延手段39を構成する2
つのインバータは、水晶発振器38からの100MHz
のクロック信号の位相を、ほぼ180度遅延させるため
に利用されている。この構成により、後述するクロック
カウンタの機能を、実質的に200MHzのクロック信
号でカウントアップできるように機能させており、これ
により分解能をより向上させることができる。
【0063】前記第1と第2のJKフリップフロップ3
6,37は、J端子とK端子に同一信号が入力されるた
め、それぞれT型フリップフロップとして機能してお
り、前記フリップフロップ35のQ出力が“Hi”の場
合において、それぞれQ端子より発振器38からのクロ
ック信号を2分周した状態で出力する。そして、それぞ
れのフリップフロップ36,37のQ端子から出力され
るパルス信号は、第1および第2のカウンタ40,41
に供給される。
【0064】すなわち、前記フリップフロップ36,3
7は前記“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”に対応
する時間において、クロック発振器38からのクロック
信号を第1および第2のカウンタ40,41に与えるゲ
ート制御手段として利用されている。そして、第1およ
び第2のカウンタ40,41におけるカウント値は、1
チップマイコン42におけるI/Oポート43に入力さ
れ、マイコン42内において入力数が判定される。この
マイコン42内には複数のカウンタが内蔵されており、
カウント値の下位ビットはカウンタ40,41により、
上位ビットは内蔵のカウンタによりカウントする構成に
なっている。
【0065】一方、前記第1および第2のカウンタ4
0,41は、図5に示したO1 の立上がりのタイミング
によりクリアされ、再度図5に示したO1 の立下がりか
らO2の立下がりの期間において出力される前記第1お
よび第2のJKフリップフロップ36,37からのパル
ス数をカウントアップするように動作する。
【0066】なお、図4に示したセンサキャパシタCs
に対応する時間間隔パルスを生成するセンサ側回路にお
いては、特にセンサキャパシタCsおよびこのキャパシ
タCsと積分回路を構成する抵抗R11の温度依存性が問
題となる。そこで、これらの温度補償を行うために温度
センサの機能を備えたICが備えられている。この温度
補償用のICは、図6に符号44として示されている
が、これは前記図4に示したセンサ回路側に配置されて
いる。
【0067】前記温度補償用のIC44は、温度に対し
ほぼリニアに変化するアナログ出力を発生するものであ
り、このアナログ出力は、前記マイコン42に搭載され
ているA/Dコンバータ45に入力されるように構成さ
れている。そして、A/Dコンバータ45においてデジ
タル変換され、前記カウンタ値をマイコン内42内のC
PU46においてソフトウエアで処理することにより、
温度補償するように機能する。
【0068】さらに、図2に示した真空センサ2におい
ては、ダイヤフラム電極が圧力を受けてたわむことで、
前記センサキャパシタCsが変化し、このキャパシタC
sに基づいて圧力を求める関係で、センサキャパシタC
sの容量値は被測定圧力には比例せず、ノンリニアな関
係となる。そこで、マイコン内のEPROM47には、
前記したノンリニアな関係を是正するためのテーブルが
構築されている。
【0069】すなわち、測定圧力がミニマムの状態から
フルスケールに至る範囲を数十分割し、測定値に対応し
てEPROM47に構築されたテーブルを参照し、各ポ
イントにおいてテーブルに記述された補正値を利用して
補正することにより、ノンリニアな関係を是正するよう
になされている。このような操作は、この実施の形態の
ようなデジタル信号による処理構成においては、極めて
容易に成し得るものである。
【0070】以上のようにして、温度補償並びにノンリ
ニアな関係が是正された測定値は、マイコン42に接続
された例えば液晶ディスプレイ48によって圧力値とし
て表示することができる。また、符号49として示すよ
うにD/Aコンバータを用いてアナログ信号を出力する
こともできる。
【0071】以上の説明は、センサキャパシタCsに対
応する時間間隔パルスを生成するセンサ側回路(図4)
および前記時間間隔パルスを受けて被測定圧力を演算す
るコントローラ側の回路(図6)の好ましい組み合わせ
に基づいて、その作用を説明したが、続いてセンサ側回
路およびコントローラ側回路の他の好ましい例について
説明する。
【0072】図7はセンサ側回路の他の好ましい例を示
したものである。この回路は図4に示した回路の基本型
であるということができる。そして、図4の各部に相当
する各部は同一符号で示しており、したがって、その詳
細な説明は適宜省略する。この図7に示した回路構成に
おいては、第1の比較回路を、コンパレータOP14のみ
で構成しており、また第2の比較回路を、コンパレータ
OP15のみで構成している。
【0073】また、第1の比較回路を構成するコンパレ
ータOP14の反転入力端子が第1の基準電位点Vref1
(+10V)に接続されており、このコンパレータOP
14の反転入力端子と非反転入力端子との間には、電圧リ
ミッタとして機能するダイオードが順方向に接続されて
いる。一方、第2の比較回路を構成するコンパレータO
P15の反転入力端子が第2の基準電位点Vref2(−10
V)に接続されており、このコンパレータOP15の反転
入力端子と非反転入力端子との間には、同様に電圧リミ
ッタとして機能するダイオードが順方向に接続されてい
る。そして、積分回路を構成するオペアンプOP11の出
力端子、すなわちA点はそれぞれ抵抗を介して、各コン
パレータOP14,OP15の非反転入力端子に接続されて
いる。
【0074】この構成によると、図4に示した構成に比
較して第1と第2の比較回路の構成を簡素化することが
でき、この図7に示す構成においても実用上において十
分に利用することができる。換言すれば、図4に示した
構成においては、第1と第2の比較回路をそれぞれ2段
のコンパレータで構成しており、これによると、より安
定したコンパレータの機能を発揮することができる。
【0075】一方、図7に示した構成においては、初期
状態設定手段を構成するpnp型トランジスタQ12に代
えて、PチャンネルFETQ12が用いられている。そし
て、このFETQ12のゲートに接続されたコンデンサC
11は、抵抗R14またはR17と共に時定数回路を構成する
と共に、FETQ12のゲート電圧を保持する役割も果た
している。
【0076】次に図8は、センサ側回路のさらに他の好
ましい例を示したものである。なお、図8においては図
4に示した回路構成における各部に相当する部分を同一
符号で示しており、したがって、その詳細な説明は適宜
省略する。この図8に示した回路構成においては、第1
の比較回路を、コンパレータOP12と、pnp型トラン
ジスタをダーリントン接続したスイッチ回路51の2段
で構成している。また、第2の比較回路においても同様
に、コンパレータOP13と、pnp型トランジスタをダ
ーリントン接続したスイッチ回路52の2段で構成して
いる。
【0077】さらに、フォトカプラを構成する各発光ダ
イオードD11,D12のアノードは、スイッチ回路51,
52を構成する各トランジスタの共通接続コレクタに、
抵抗R14およびR17を介してそれぞれ接続されている。
また、各発光ダイオードD11,D12のカソードは、それ
ぞれ動作電源Vssに接続されている。
【0078】また、初期状態設定手段を構成するスイッ
チング素子Q12として、NチャンネルFETが用いられ
ている。そして、この実施の形態においてはNチャンネ
ルFETQ12のゲートと直列にコンデンサC15が接続さ
れており、このコンデンサC15は抵抗R14またはR17と
共に時定数回路を構成している。そして、前記コンデン
サC15に電荷がチャージされることにより、電池として
の役割を果たし、FETQ12のゲート電圧を保持するよ
うに作用する。
【0079】前記した図7および図8に示すセンサ側回
路の構成を利用した場合においても、すでに説明した図
5に示したタイミングチャートと同様の作用を得ること
ができる。したがって、コントローラ側においては、図
6に示した回路構成をそのまま利用することができる。
【0080】ところで、以上説明した図4、図7および
図8に示すセンサ側の回路構成は、共にフォトカプラを
構成する一対の発光ダイオードD11,D12に対して、独
立して点灯制御信号(図5に示す出力O1 ,O2 に相
当)を送出するように作用するが、この場合においては
センサ側回路とコントローラ側とを結ぶ発光ダイオード
D11,D12への信号供給線が少なくとも4本必要にな
る。また、必然的に2つのフォトカプラを利用すること
になる。
【0081】そこで、図9は1つのフォトカプラを用い
て、フォトカプラに対する信号供給線の数を少なくする
ことがきるセンサ側の回路構成を示している。なお、図
9においては図8に示した回路構成における各部に相当
する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳
細な説明は適宜省略する。この図9に示した回路構成に
おいては、第1の比較回路を構成するコンパレータOP
12の出力が、RSフリップフロップ55の反転セット端
子に供給されるように構成されている。また、第2の比
較回路を構成するコンパレータOP13の出力は、前記R
Sフリップフロップ55の反転リセット端子に供給され
るように構成されている。そして、フリップフロップ5
5のQ端子にフォトカプラを構成する1つの発光ダイオ
ードD21が接続されている。
【0082】この図9に示した構成によると、図5に示
す出力O1 の立下がりのタイミングによって、発光ダイ
オードD21が消灯され、また、出力O2 の立下がりのタ
イミングによって、発光ダイオードD21が点灯される。
すなわち、前記した“RCs(Vref1−Vref2)/Vre
f1”に相当する期間において、発光ダイオードD21が消
灯される。
【0083】一方、図9において、コンパレータOP12
の出力端子より、その比較出力が抵抗R21を介してイン
バータ54の入力に供給されるように構成されている。
前記インバータ54の入力端子とアース間にはコンデン
サC11が挿入されており、したがってインバータ54
は、抵抗R21とコンデンサC11とによる時定数回路を介
してスイッチ動作がなされる。前記インバータ54の出
力端は、RSフリップフロップ56の反転セット端子に
接続されている。また、RSフリップフロップ56の反
転リセット端子には、コンパレータOP13の比較出力が
抵抗を介して供給されるように構成されている。
【0084】前記RSフリップフロップ56は、コンパ
レータOP12の比較出力に基づいてセット状態とされ、
また、コンパレータOP13の比較出力に基づいてリセッ
ト状態とされる。フリップフロップ56の反転Q端子よ
り得られるセット・リセット出力は、コンデンサC15を
介してNチャンネルFETQ12のゲートに供給されるよ
うに構成されており、これによりFETQ12はオンまた
はオフ動作され、積分回路31を構成するセンサキャパ
シタCsへの充電動作および初期設定動作がなされるよ
うに作用する。
【0085】図9に示した構成によると、前記したよう
に1つの発光ダイオードD21により前記“RCs(Vre
f1−Vref2)/Vref1”の情報をコントローラ側に伝達
することができる。したがって、これを受けるコントロ
ーラ側においては、図6に示すRSフリップフロップ3
5を省略することができ、前記した第1および第2のフ
リップフロップ36,37に対して1つのフォトカプラ
を経由した伝達信号を供給することができる。
【0086】次に説明する図10は、コントローラ側回
路の他の好ましい例を示している。この構成において
は、図6に基づいて説明したコントローラ回路をより単
純化したものである。なお、図10においては図6に示
した回路構成における各部に相当する部分を同一符号で
示しており、したがって、その詳細な説明は適宜省略す
る。
【0087】この図10に示すコントローラ側回路にお
いては、水晶発振器38より供給される200MHzの
クロック信号は、1つのJKフリップフロップ36にお
けるJ端子およびK端子に供給される。このJKフリッ
プフロップ36はT型フリップフロップとして機能して
おり、フリップフロップ35からの立上がり信号を受け
た場合において、フリップフロップ36のQ端子より、
発振器38からのクロック信号が2分周した状態で出力
される。
【0088】そして、フリップフロップ36のQ端子か
ら出力されるパルス信号はカウンタ40に供給され、当
該カウンタ40におけるカウント値は、1チップマイコ
ン42におけるI/Oポート43に入力され、マイコン
42内において入力数が判定される。このマイコン42
内には16bitのカウンタが内蔵されており、カウン
ト値の下位ビットはカウンタ40により、上位ビットは
内蔵のカウンタによりカウントする構成になっている。
【0089】前記した図10に示す回路構成によると、
図6に示した回路構成に比較して簡素化することができ
る。なお、この構成によると、同じ測定分解能を得よう
とすると、図6に示した回路構成に比較して2倍の周波
数のクロック信号が必要になり、より高速な素子を用い
る必要があるが、実用上においては図10に示す回路構
成においても十分に機能させることができる。
【0090】ところで、図6および図10に示したコン
トロール回路では、T型フリップフロップとして機能す
るJKフリップフロップ36においては、前記O1 の立
下がりのタイミングから、前記O2 の立下がりに至る期
間において、水晶発振器38からもたらされるクロック
信号を、クロックカウンタ40に送り出すように作用す
るが、前記O1 の立下がりのタイミングと、水晶発振器
38からもたらされるクロック信号の立下がりタイミン
グとは、必ずしも同期はとれていない。
【0091】したがって、実際には図11に示したよう
に、前記O1 の立下がりのタイミングt1以降におい
て、水晶発振器38からもたらされるクロック信号が初
めて立下がった時点t2より、クロックカウンタ40は
カウントアップを開始することになる。したがって、そ
のt1からt2の間はクロックカウンタ40は実質的に
機能せず、分解能を低下させる要因になる。同様にクロ
ック信号が立下がった時点t3から前記O2 の立下がり
のタイミングt4の間は、クロックカウンタ40は実質
的に機能せず、分解能を低下させる要因になる。
【0092】図6および図10に示したコントロール回
路において、この要因によって決まる誤差δは、以下の
数式1によって表される。
【0093】
【数1】
【0094】ここで、fは等価クロックアップ周波数で
あり、図6の例においても図10の例においても200
MHzである。前記数式1に、f=200MHz、R=
30MΩ、Cs=10pF、Vref1=+10V、Vref2
=−10Vを代入すると、δ=1/60000となり、
高い測定精度が得られることが判る。したがって、図6
および図10に示したコントロール回路は、実用上にお
いて十分に利用することができるが、測定精度を向上さ
せようとすると必然的に高いクロック周波数が必要にな
る。高いクロック周波数を得ることができる水晶発振器
は一般に温度安定性が悪く、消費電力が大きく、高価で
ある。
【0095】図12は、コントロール回路のさらに他の
好ましい例を示している。この構成によると、図6およ
び図10に示したコントロール回路よりも、低いクロッ
ク周波数で高い測定精度を得ることが期待できる。な
お、図12においては、図6に示した回路構成におけ
る。各部に相当する部分を同一符号で示している。図1
2に示す構成では、図13に示すように、前記O1 の立
下がりのタイミングt1′から前記クロック信号の立下
がりのタイミングt2′までの第1時間T1′および前
記前記O2 の立下がりのタイミングt3′から前記クロ
ック信号の立下がりのタイミングt4′までの第2時間
T2′を、それぞれアナログ的に計測してクロックカウ
ンタにより得られるカウントアップ値を補正する機能を
備えている。
【0096】図12に示す構成においては、フォトカプ
ラにおける一対のフォトトランジスタPT1 ,PT2 か
ら得られる前記O1 およびO2 に対応する各出力が、そ
れぞれ立下がりエッジ検出回路62および63を介して
RSフリップフロップ60および61のセット端子Sに
入力されるように構成されている。また水晶発振器28
より、12.8MHzのクロック信号が立下がりエッジ
検出回路64を介してRSフリップフロップ60および
61のリセット端子Rに入力されるように構成されてい
る。
【0097】立下がりエッジ検出回路62,63および
64は、入力信号の立下がりエッジを検出し、エッジ検
出回路を構成する抵抗とコンデンサの時定数によって決
まる短パルス幅(この例では6nsec)の“Low”
パルスを発生させるように機能する。すなわち、RSフ
リップフロップ60は、前記第1時間T1′においての
みQ出力端子から“Hi”が出力され、同様にRSフリ
ップフロップ61は、前記第2時間T2′においてのみ
Q出力端子から“Hi”が出力されるように動作する。
【0098】そして、第1のフリップフロップ60にお
けるQ端子は、インバータ65を介してNANDゲート
67の一方の入力端子に接続され、また、第2のフリッ
プフロップ61におけるQ端子は、同じくインバータ6
6を介してNANDゲート67の他方の入力端子に接続
されている。したがって、NANDゲート67の出力
(図12のD点)の電位は、図13に示すように、前記
第1時間T1′および前記第2時間T2′においてのみ
“Hi”となる。
【0099】さらに、NANDゲート67とアース間に
は抵抗R25、ダイオードD25、およびコンデンサC25が
直列接続接続されており、前記ダイオードD25およびコ
ンデンサC25の接続点は、オペアンプOP21の非反転入
力端子に接続されている。したがって前記ゲート67が
開いた場合においては、抵抗R25を介してコンデンサC
25に対する充電動作がなされる。この時の時定数は抵抗
R25とコンデンサC25との値によって決定される。
【0100】一方、前記オペアンプOP21は、電圧フォ
ロアを構成しておりインピーダンス変換器として機能す
る。すなわち、前記コンデンサC25に充電された電圧値
は、オペアンプOP21の出力端に移され、この電圧値は
マイコン42内に搭載されたA/Dコンバータ45によ
ってデジタル変換される。また、前記した第1および第
2のフリップフロップ60,61のQ出力端子より得ら
れる制御パルスは、前記マイコン42におけるI/Oポ
ートによって取り込まれ、さらにI/OポートからはF
ET68を介して、前記ダイオードD25とコンデンサC
25の接続点に、リセット信号が加えられるように構成さ
れている。
【0101】さらに、RSフリップフロップ60,61
のQ出力端子は、それぞれ立下がりエッジ検出回路69
および70を介してRSフリップフロップ35のセット
端子Sおよびリセット端子Rに接続されている。立下が
りエッジ検出回路69および70は、エッジ検出回路6
2,63および64と同様に、入力信号の立下がりエッ
ジを検出し、エッジ検出回路を構成する抵抗とコンデン
サの時定数によって決まるパルス幅(この例では20n
sec)の“Low”パルスを発生させるように機能す
る。立下がりエッジ検出回路69および70にはダイオ
ードが付加されているため、エッジ検出回路の入力の
“Hi”時間が極めて短くても立下がりエッジを検出す
ることができる。
【0102】フリップフロップ35のQ出力端子から
は、カウントアップ動作を行う時間のみ“Hi”となる
ゲート制御信号が出力される。このゲート制御信号は、
NANDゲート71の一方入力端子に入力される。ま
た、他方の入力端子には、前述した立下がりエッジ検出
回路64を介して水晶発振器38が出力したクロック信
号が入力されるように構成されている。さらにNAND
ゲート71の出力は、マインコ42に内蔵されたクロッ
クカウンタ40に入力され、ゲートが開いた状態では、
クロック数をカウントアップするよう動作する構成にな
っている。
【0103】前記した構成において、図13に示すよう
に第1のフリップフロップ60は、O1 の立下がりt
1′によってセットされ、また発振器38からのクロッ
クの立下がりt2′によってリセットされる。したがっ
て、このt1′からt2′に至る第1時間T1′におい
て、前記コンデンサC25は抵抗R25を介して充電され
る。この時に充電された電圧値はオペアンプOP21によ
ってA/Dコンバータ45に供給され、デジタル変換さ
れる。
【0104】これにより、前記T1′に対応する値がマ
イコン42に取り込まれる。さらにEPROM47に記
憶されたテーブルに基づき、補間法を用いてCPU46
で演算を行うことにより、T1′が求められる。そし
て、この後にFET68を介してコンデンサC25に充電
された電荷はリセットされる。
【0105】また、第2のフリップフロップ61は、図
13に示すように、O2 の立下がりt3′によってセッ
トされ、また発振器38からのクロックの立下がりt
4′によってリセットされる。したがって、このt3′
からt4′に至る時間T2′において、前記コンデンサ
C25は抵抗R25を介して再び充電される。この時に充電
された電圧値はオペアンプOP21によってA/Dコンバ
ータ45に供給され、デジタル変換される。これによ
り、前記T2′に対応する値がマイコン42に取り込ま
れる。さらにEPROM47に記憶されたテーブルに基
づき、補間法を用いてCPU46で演算を行うことによ
り、T2′が求められる。
【0106】前記マイコン42内においては、すでに取
得したT1′に対応する値からT2′に対応する値を減
算する操作が実行される。そして、“T1′−T2′”
に対応する値(負である場合もある)を、クロックカウ
ンタ40によってカウントアップされた値に加えること
により、図13に示す“RCs(Vref1−Vref2)/V
ref1”に対応する値を演算することができる。
【0107】以上の説明で明らかなように、この図12
に示した回路構成によると、前記した第1時間T1′お
よび第2時間T2′をアナログデータで取得し、クロッ
クカウンタによってカウントアップされた値に補正を加
える演算処理がなされるため、クロックの周波数が低く
ても、きわめて高い精度で測定値を求めることが可能に
なる。
【0108】以上は、真空計として図2に示したように
中央固定電極13のみが具備され、この中央固定電極1
3と可動ダイヤフラム電極12との間に形成される静電
容量(センサキャパシタ)Csを利用して圧力を測定す
る測定装置について説明したが、図1に示したように中
央固定電極13に加えて外周固定電極14も備え、この
外周固定電極14と可動ダイヤフラム電極12との間に
形成される静電容量(リファレンスキャパシタ)Crも
利用して、前記したようなデジタル処理により圧力を求
めるように構成することもできる。
【0109】このように、センサキャパシタCsとリフ
ァレンスキャパシタCrを併用することにより、真空計
におけるセンサキャパシタCsの温度依存性を、リファ
レンスキャパシタCrの温度依存性を利用して相殺また
は低減させることができ、より好ましい測定結果を期待
することができる。
【0110】図14は、センサキャパシタCsとリファ
レンスキャパシタCrとを独立に測定することができる
センサ回路の一例を示している。なお、図14に示した
回路構成の主要部、すなわちセンサキャパシタCsに基
づいて、前記した“RCs(Vref1−Vref2)/Vref
1”に対応した時間情報を抽出する点においては、図4
に示した回路構成と同一であり、したがって対応する部
分を同一符号で示し、その説明は適宜省略する。
【0111】この図14に示す回路構成においては、積
分回路31の入力点であるB点は、PチャンネルFET
Q12のオン動作によって第1の基準電圧Vref1(+10
V)にプルアップされ、オフ動作によって抵抗R30を介
して第2の基準電圧Vref2(−10V)にプルダウンさ
れるように作用する。
【0112】また、リファレンスキャパシタCrの一端
は、センサキャパシタCsの一端、すなわちオペアンプ
OP11の反転入力端子において接続されており、リファ
レンスキャパシタCrの他端、すなわちC点にはPチャ
ンネルFETQ25を介して、第1の基準電位点Vref1に
接続され、第1の基準電圧が印加できるように構成され
ている。また、前記C点は抵抗R31を介して第2の基準
電位点Vref2に接続され第2の基準電圧が印加できるよ
うに構成されている。したがって、前記C点は、FET
Q25のオン動作によって第1の基準電圧(+10V)に
プルアップされ、オフ動作によって抵抗R31を介して第
2の基準電圧(−10V)にプルダウンされるように作
用する。
【0113】そして、前記FETQ25はRSフリップフ
ロップ81によってオン・オフ駆動され、また、FET
Q12はRSフリップフロップ82によってオン・オフ駆
動されるように構成されている。前者のフリップフロッ
プ81の反転セット端子には、第2比較回路を構成する
コンパレータOP15におけるプルアップ抵抗R16からの
信号が、インバータ83を介して供給されるように構成
されており、また、後者のフリップフロップ82の反転
セット端子には、同じくコンパレータOP15におけるプ
ルアップ抵抗R16からの信号が、抵抗R32およびコンデ
ンサC30よりなる時定数回路(遅延回路)を介して供給
されるように構成されている。
【0114】さらに、前者のフリップフロップ81の反
転リセット端子には、第1比較回路を構成するオペアン
プOP12の出力信号が供給されるように構成されてお
り、また、後者のフリップフロップ82の反転リセット
端子には、同じくオペアンプOP12における出力信号
が、抵抗R33およびコンデンサC31よりなる時定数回路
(遅延回路)を介して供給されるように構成されてい
る。
【0115】図15は前記した構成のセンサ側回路が駆
動された場合の各部の信号波形を示している。ここで、
積分回路を構成するセンサキャパシタCsへの充電動作
により、前記した“RCs(Vref1−Vref2)/Vref
1”に対応する時間情報を得ることは、図5に示した場
合と同一である。すなわち、FETQ12のオン動作によ
ってB点は、aに示すタイミングにおいて立上がり、こ
れにより、A点はリニアに−10Vに向かって降下す
る。この時、FETQ25はオンになされており、したが
ってC点にはVref1(+10V)が印加されている。し
たがって、この時、リファレンスキャパシタCrには、
C点が正(+)となるように電荷が充電されている。
【0116】そして、図15に示すd点に至った場合に
おいてFETQ12はオフ制御され、これにより、B点は
第2の基準電圧Vref2にプルダウンされる。これによ
り、センサキャパシタCsは放電を開始するが、前記A
点が第2の基準電圧Vref2(−10V)をクロスした時
点eから、わずかに遅れたj点において、FETQ25が
オフ制御される。したがってC点には第2の基準電圧V
ref2(−10V)が印加される。
【0117】前記FETQ12はオフ制御される直前にお
いては、前記リファレンスキャパシタCrには、すでに
C点が正(+)となるように第1の基準電圧Vref1によ
って充電されており、その充電電圧は+10Vとなって
いる。一方、前記したようにFETQ12がオフ制御され
た場合においては、C点に第2の基準電圧Vref2(−1
0V)が印加されるため、リファレンスキャパシタCr
には瞬間的に逆極性の電荷が充電される。このためにA
点とC点間におけるセンサキャパシタCsとリファレン
スキャパシタCrとの直列回路において電荷が瞬時に移
動し、これに基づく電流がC点を介して瞬間的にVref2
(−10V)に向かって流れる。
【0118】要するに、リファレンスキャパシタCrが
逆極性に充電されるに必要な電荷量が、センサキャパシ
タCsに充電されている電荷量からが引き抜かれること
になり、A点の電位は図14のj点に示すように、瞬時
にして+10V側にシフトされる。続いて、B点はVre
f2(−10V)にプルダウンされているため、センサキ
ャパシタCsは抵抗R11を介して−10V方向に充電さ
れる。これによりA点はリニアに+10Vに向かって上
昇する。
【0119】そして、A点の電位が+10Vをクロスす
る瞬間kにおいて、第1の比較回路を構成するオペアン
プOP12およびコンパレータOP14が反転し、前記O1
が“Hi”出力となる。ここで、前記したeからkに至
る時間は、センサキャパシタCsとリファレンスキャパ
シタCrとの差に対応したものとなり、これは“R(C
s−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”として表す
ことができる。
【0120】一方、A点の電位が+10Vをクロスして
から、わずかに遅れた時点であるm点において、FET
Q12がオン動作される。これにより、リファレンスキャ
パシタCrには、第1の基準電圧Vref1(+10V)が
印加され、C点が正(+)となる充電動作が瞬時に行わ
れる。したがって、図15に示すようにA点は瞬時に−
10V方向にシフトされる。このために、第1の比較回
路を構成するオペアンプOP12およびコンパレータOP
14が再び反転し、前記O1 が“Low”となる。
【0121】前記センサキャパシタCsは、抵抗R11を
介して、引き続き第2の基準電圧Vref2(−10V)に
充電されるため、A点はリニアに+10V方向に上昇す
る。これにより、センサキャパシタCsは初期状態にな
され、再び前記した動作が繰り返される。
【0122】図16は、図14に示したセンサ側回路に
よってもたらされる信号O1 およびO2 を受けて、前記
“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”および“R(C
s−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”の情報か
ら、圧力を求めるコニトローラ側の回路構成を示してい
る。なお、図16に示した回路構成の主要部は、基本的
には図6に示した回路構成と同じであり、したがって対
応する部分を同一符号で示しており、その説明は適宜省
略する。
【0123】この図16に示す回路構成においては、フ
ォトカプラにおけるフォトトランジスタPT1 の出力
は、インバータ90を介してRSフリップフロップとし
て機能するJKフリップフロップ92の反転クリア端子
に供給される。また、フォトカプラにおけるフォトトラ
ンジスタPT2 の出力は、インバータ91を介して前記
フリップフロップ92のクロック入力端子に供給され
る。すなわち、このフリップフロップ92は、図15に
示す信号O2 の立上がりによってセットされ、信号O1
の立上がりによってリセットされるように作用する。
【0124】したがって、フリップフロップ92におい
ては、前記した“R(Cs−Cr)×(Vref1−Vref
2)/Vref1”に対応した時間情報を生成することがで
きる。一方、フリップフロップ35は図6に基づいて説
明したように、前記信号O1 の立下がりによってセット
され、信号O2 の立下がりによってリセットされる動作
がなされ、これにより、“RCs(Vref1−Vref2)/
Vref1”に対応する時間情報を生成している。
【0125】一方、図16に示す実施の形態において
は、フリップフロップ35の反転Q端子の出力と、フリ
ップフロップ92の反転Q端子の出力が、NANDゲー
ト93に供給されるように構成されている。ここで、前
記2つのフリップフロップ35,92の出力は反転出力
となっており、かつこれらが互いにNANDゲート93
に加わるので、NANDゲート93は実質的にORゲー
トとして機能する。
【0126】そして、ゲート93からもたらされる前記
時間情報“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”および
“R(Cs−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”
は、フリップフロップ36,37に供給され、図6に基
づいて説明したように、クロック発振器38からのクロ
ック信号を第1および第2のカウンタ40,41に与え
るゲート制御手段として利用される。
【0127】ここで、図16に示すように前記フリップ
フロップ35のQ端子の出力と、フリップフロップ92
のQ端子の出力がマイコン42内に取り込まれており、
これによりマイコン42内においては、前記時間情報
“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”および“R(C
s−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”の到来タイ
ミングを把握するようになされている。
【0128】したがって、前記時間情報“RCs(Vre
f1−Vref2)/Vref1”に対応したカウントアップ値を
マイコン42におけるI/Oポート43に入力し、マイ
コン42内において入力数を判定した後、カウンタ4
0,41はクリアされる。続いて、前記時間情報“R
(Cs−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”に対応
したカウントアップ値をマイコン42におけるI/Oポ
ート43に入力し、マイコン42内において入力数を判
定した後、カウンタ40,41はクリアされる。
【0129】一方、前記マイコン42においては、前記
“RCs(Vref1−Vref2)/Vref1”および“R(C
s−Cr)×(Vref1−Vref2)/Vref1”に対応する
それぞれのカウントアップ値を利用して被測定圧力を演
算する。この場合、被測定圧力は“Cs”と“Cr”の
比として求めることができる。そして、真空センサにお
いて取得される“Cs”と“Cr”は、ほぼ同一の温度
依存性を有しており、したがって、前記した2つの値の
比(割り算)を求めることで、前記した温度依存性を相
殺または低減させた状態の測定結果を得ることができ
る。
【0130】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
かかる圧力測定装置によると、圧力センサにおける静電
容量を時間情報に置き換える手段、並びに前記時間情報
に基づいて被測定圧力を演算する手段において、その主
要な操作をすべてデジタル処理によって実行することが
できるので、従来の圧力測定装置に比較すると、外来ノ
イズ等の影響を極端に低減させることができ、測定精度
を遥かに向上させることが可能となる。
【0131】加えて、真空計により得られる静電容量と
被測定圧力のノンリニアな関係を、テーブル形式に構築
された補正値を利用して精度よく補正することが可能で
あり、相乗的に測定精度を向上させることに寄与でき
る。さらに、圧力センサにおける静電容量を時間情報に
置き換える手段、並びに前記時間情報に基づいて被測定
圧力を演算する手段は高速度で反復繰り返して駆動する
ことができるので、測定結果の応答レスポンスも向上さ
せることができると共に、これらの回路構成は1チップ
マイコンを含む汎用の集積回路により構成することがで
きるので、部品点数の低減および装置の小型化を図るこ
とも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来において主に使用されている真空計の構成
を示した模式図である。
【図2】本発明において好適に使用し得る真空計の構成
を示した模式図である。
【図3】従来の圧力測定装置の回路構成の一例を示した
結線図である。
【図4】本発明にかかる圧力測定装置におけるセンサ回
路の第1の例を示した結線図である。
【図5】図4に示す回路構成によってなされる駆動動作
を説明するタイミングチャートである。
【図6】図4に示すセンサ回路からの信号を受けて、被
測定圧力を演算するコントローラ側回路の第1の例を示
した結線図である。
【図7】センサ回路の第2の例を示した結線図である。
【図8】同じく第3の例を示した結線図である。
【図9】同じく第4の例を示した結線図である。
【図10】コントローラ側回路の第2の例を示した結線
図である。
【図11】図6および図10に示す回路構成によってな
される駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図12】コントローラ側回路の第3の例を示した結線
図である。
【図13】図13に示すコントローラ側回路における作
用を説明するタイミングチャートである。
【図14】図1に示す真空計を利用した場合の本発明に
かかる圧力測定装置におけるセンサ回路の例を示した結
線図である。
【図15】図13に示す回路構成によってなされる駆動
動作を説明するタイミングチャートである。
【図16】図14に示すセンサ回路からの信号を受け
て、被測定圧力を演算するコントローラ側回路の例を示
した結線図である。
【符号の説明】
1,2 真空センサ 11 気密容器 12 可動ダイヤフラム電極 13 中央固定電極 14 外周固定電極 31 積分回路 36,37 フリップフロップ(ゲート手段) 38 水晶発振器(基準クロック発生手
段) 40,41 クロックカウンタ 42 マイコン 43 I/Oポート 44 温度補償用IC 45 A/Dコンバータ 46 CPU 47 EPROM 48 液晶ディスプレイ Cs センサキャパシタ Cr リファレンスキャパシタ D11,D12,D21 発光ダイオード(フォトカプラ) OP11 オペアンプ OP12,OP13 オペアンプ OP14,OP15 コンパレータ PT1 ,PT2 フォトトランジスタ(フォトカプ
ラ) Q11,Q12 トランジスタ(初期状態設定手段) R11 積分用抵抗 S 気密空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F055 AA11 BB08 CC02 DD01 EE25 FF12 FF17 GG37

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定圧力に応じて静電容量が変化する
    圧力センサの前記静電容量を利用し、被測定圧力値を求
    める圧力測定装置であって、 前記圧力センサにおける静電容量を用いて構成する積分
    回路と、前記積分回路に供給される充電電流によって生
    成される電圧値を、第1と第2の異なるレベルの基準電
    圧値と比較する比較回路とが具備され、前記比較回路に
    おいて、第1の基準電圧値との比較によって生成される
    第1比較出力の発生タイミングから、第2の基準電圧値
    との比較によって生成される第2比較出力の発生タイミ
    ングに至る経過時間に基づいて、被測定圧力を求めるよ
    うに構成した圧力測定装置。
  2. 【請求項2】 前記第1比較出力の発生タイミングか
    ら、第2比較出力の発生タイミングに至る経過時間に基
    づいて被測定圧力を求める演算手段が具備され、前記演
    算手段には、前記第1比較出力の発生タイミングと第2
    比較出力の発生タイミングとの間において、基準クロッ
    ク発生手段からもたらされる基準クロック信号を通過さ
    せるゲート手段と、前記ゲート手段を介してもたらされ
    るクロック数をカウントアップするクロックカウンタが
    具備され、前記クロックカウンタによるカウントアップ
    値に基づいて、被測定圧力を演算するように構成した請
    求項1に記載の圧力測定装置。
  3. 【請求項3】 前記比較回路よりもたらされる第2比較
    出力の発生後において、前記積分回路を構成する圧力セ
    ンサの静電容量における電荷を、初期状態に設定する初
    期状態設定手段がさらに具備され、前記圧力センサの静
    電容量における電荷が初期状態に設定された場合におい
    て、再び前記積分回路に充電電流を供給して被測定圧力
    を求める動作が繰り返されるように構成した請求項1ま
    たは請求項2に記載の圧力測定装置。
  4. 【請求項4】 前記初期状態設定手段は、前記第2比較
    回路によって生成される比較出力を利用し、当該比較出
    力の発生後において駆動されるように構成した請求項3
    に記載の圧力測定装置。
  5. 【請求項5】 前記積分回路が、オペレーショナルアン
    プの反転入力端子と出力端子との間に前記圧力センサに
    おける静電容量が介在されると共に、オペレーショナル
    アンプの前記反転入力端子に接続された抵抗を介して電
    圧源からの電流が前記圧力センサにおける静電容量を充
    電する構成とされた請求項1に記載の圧力測定装置。
  6. 【請求項6】 前記比較回路が、第1の基準電圧値との
    電圧比較を実行する第1のオペレーショナルアンプと、
    第2の基準電圧値との電圧比較を実行する第2のオペレ
    ーショナルアンプとにより構成され、前記第1のオペレ
    ーショナルアンプの出力発生タイミングから、第2のオ
    ペレーショナルアンプの出力発生タイミングに至る間に
    おいて、前記ゲート手段をオープン状態に制御するよう
    に構成した請求項2に記載の圧力測定装置。
  7. 【請求項7】 前記第1のオペレーショナルアンプの出
    力と第2のオペレーショナルアンプの出力を利用してオ
    ンオフ制御されるスイッチング素子を含み、前記スイッ
    チング素子の第1の動作状態において積分回路を構成す
    る前記静電容量への充電動作を実行し、前記スイッチン
    グ素子の第2の動作状態において、積分回路を構成する
    前記静電容量に対して逆極性に充電する充電作用を実行
    するように構成した請求項6に記載の圧力測定装置。
  8. 【請求項8】 前記第1のオペレーショナルアンプの出
    力と第2のオペレーショナルアンプの出力が、それぞれ
    時定数回路を介して前記スイッチング素子のオンオフ制
    御を実行するように構成した請求項7に記載の圧力測定
    装置。
  9. 【請求項9】 前記比較回路の出力が、前記ゲート手段
    に対してフォトカプラを介して伝達されるように構成し
    た請求項2または請求項6に記載の圧力測定装置。
  10. 【請求項10】 前記クロックカウンタが、第1と第2
    のカウンタにより構成されると共に、前記ゲート手段の
    オープン動作時に、第1と第2のカウンタに対して、前
    記基準クロック発生手段からもたらされるクロック信号
    と、当該クロック信号をほぼ180度遅延させたクロッ
    ク信号が、それぞれ供給されるように構成し、前記第1
    と第2のカウンタによるカウントアップ値に基づいて、
    被測定圧力を演算するように構成した請求項2に記載の
    圧力測定装置。
  11. 【請求項11】 前記圧力センサの静電容量値と被測定
    圧力との間のノンリニアな関係を補正するために、クロ
    ックカウンタによるカウントアップ値に対応した補正値
    を記述したテーブルが具備された請求項2または請求項
    10に記載の圧力測定装置。
  12. 【請求項12】 少なくとも前記積分回路における温度
    情報を取得する温度情報取得手段が具備され、前記クロ
    ックカウンタによるカウントアップ値に対応する値を前
    記温度情報により補正し、被測定圧力を演算するように
    構成した請求項2または請求項10に記載の圧力測定装
    置。
  13. 【請求項13】 前記比較回路において発生する第1の
    基準電圧値との比較によって生成される第1比較出力の
    発生タイミングから、前記クロックカウンタによるクロ
    ックのカウントアップ開始に至る第1時間を取得すると
    共に、第2の基準電圧値との比較によって生成される第
    2比較出力の発生タイミングから、前記クロックカウン
    タによるクロックのカウントアップ終了に至る第2時間
    を取得する取得手段が具備され、前記クロックカウンタ
    によるカウントアップ値に対応する値を前記第1時間と
    第2時間の差分により補正し、被測定圧力を演算するよ
    うに構成した請求項2または請求項10に記載の圧力測
    定装置。
  14. 【請求項14】 前記第1時間および第2時間を、コン
    デンサへの充電電圧に基づいて取得するように構成さ
    れ、前記充電電圧に基づくデジタル変換出力を利用し
    て、前記第1時間と第2時間の差分を求めるように構成
    した請求項13に記載の圧力測定装置。
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