JP2002247836A - 電力変換器のノイズ低減装置 - Google Patents
電力変換器のノイズ低減装置Info
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- JP2002247836A JP2002247836A JP2001043823A JP2001043823A JP2002247836A JP 2002247836 A JP2002247836 A JP 2002247836A JP 2001043823 A JP2001043823 A JP 2001043823A JP 2001043823 A JP2001043823 A JP 2001043823A JP 2002247836 A JP2002247836 A JP 2002247836A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズ低減装置の電流供給回路にて用いる電
流増幅素子の容量を低減し、小型かつ低コストにノイズ
を低減できるようにする。 【解決手段】 交流電源１に接続された整流器２とその
直流出力に接続されたインバータ３よりなる電力変換装
置から接地Ｇへ流れる漏洩電流を検出する電流検出回路
５と、これと逆相の電流を供給する電流供給回路６の電
流増幅器ＦＥＴ1，ＦＥＴ2 と電流検出回路５の出力５
ｂとの間にハイパスフィルタ７を設けることにより、高
調波成分のノイズ電流を補償できるようにする。これに
より、補償電流の実効値が減少し、少容量のＭＯＳＦＥ
Ｔで済ますことが可能となる。
流増幅素子の容量を低減し、小型かつ低コストにノイズ
を低減できるようにする。 【解決手段】 交流電源１に接続された整流器２とその
直流出力に接続されたインバータ３よりなる電力変換装
置から接地Ｇへ流れる漏洩電流を検出する電流検出回路
５と、これと逆相の電流を供給する電流供給回路６の電
流増幅器ＦＥＴ1，ＦＥＴ2 と電流検出回路５の出力５
ｂとの間にハイパスフィルタ７を設けることにより、高
調波成分のノイズ電流を補償できるようにする。これに
より、補償電流の実効値が減少し、少容量のＭＯＳＦＥ
Ｔで済ますことが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スイッチング素
子を構成要素とするインバータ等の電力変換器における
ノイズ低減装置に関する。
子を構成要素とするインバータ等の電力変換器における
ノイズ低減装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に従来例を示す。同図に示されるよ
うに、交流電源１には整流器２の入力が、この整流器２
の出力には電流検出器５の入力を介してコンデンサＣ0
が、このコンデンサＣ0 には半導体スイッチング素子Ｑ
1 〜Ｑ6 からなるインバータ３が、このインバータ３の
出力にはモータ４がそれぞれ接続されて構成され、交流
電源１にはコンデンサＣ2 とＣ3 の直列回路が接続され
ている。また、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜
型電界効果トランジスタ）ＦＥＴ１と、Ｐチャンネルの
ＦＥＴ３とは直列接続されてコンデンサＣ0 と並列に、
電流検出器５の出力はＦＥＴ１とＦＥＴ３のゲートとソ
ースに、ＦＥＴ１とＦＥＴ３ソースはコンデンサＣ1 を
介して接地Ｇに、コンデンサＣ2 とＣ3 の接続点も接地
Ｇにそれぞれ接続されている。
うに、交流電源１には整流器２の入力が、この整流器２
の出力には電流検出器５の入力を介してコンデンサＣ0
が、このコンデンサＣ0 には半導体スイッチング素子Ｑ
1 〜Ｑ6 からなるインバータ３が、このインバータ３の
出力にはモータ４がそれぞれ接続されて構成され、交流
電源１にはコンデンサＣ2 とＣ3 の直列回路が接続され
ている。また、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜
型電界効果トランジスタ）ＦＥＴ１と、Ｐチャンネルの
ＦＥＴ３とは直列接続されてコンデンサＣ0 と並列に、
電流検出器５の出力はＦＥＴ１とＦＥＴ３のゲートとソ
ースに、ＦＥＴ１とＦＥＴ３ソースはコンデンサＣ1 を
介して接地Ｇに、コンデンサＣ2 とＣ3 の接続点も接地
Ｇにそれぞれ接続されている。
【０００３】図６の動作について説明する。３相インバ
ータ回路３のスイッチＱ1 〜Ｑ6 は、ＰＷＭ（パルス幅
変調）パルスでオン，オフ制御され、モータ４はインバ
ータ回路３の出力電圧により駆動される。ここで、モー
タ４と接地Ｇとの間には静電容量Ｃがあり、このため、
インバータ回路３からパルス的に電圧が印加される毎
に、コンデンサ（Ｃ）を通って漏洩電流ｉc （Ｃ・ｄｖ
／ｄｔ）が流れる。電流検出器５はモータ４と図示され
ないコンデンサＣを流れる漏洩電流ｉC を検出し、ＦＥ
Ｔ１とＦＥＴ３を駆動する。
ータ回路３のスイッチＱ1 〜Ｑ6 は、ＰＷＭ（パルス幅
変調）パルスでオン，オフ制御され、モータ４はインバ
ータ回路３の出力電圧により駆動される。ここで、モー
タ４と接地Ｇとの間には静電容量Ｃがあり、このため、
インバータ回路３からパルス的に電圧が印加される毎
に、コンデンサ（Ｃ）を通って漏洩電流ｉc （Ｃ・ｄｖ
／ｄｔ）が流れる。電流検出器５はモータ４と図示され
ないコンデンサＣを流れる漏洩電流ｉC を検出し、ＦＥ
Ｔ１とＦＥＴ３を駆動する。
【０００４】いま、電流検出器５の出力電圧ｖG1がＦＥ
Ｔ１とＦＥＴ３のゲートに印加されると、この電圧ｖG1
に応じた電流ｉC1がＦＥＴ１とＦＥＴ３を流れる。その
動作波形を図７（ａ）に示す。例えば、漏洩電流ｉC が
図６の矢印の向きに流れるとき、電流検出器５の１次巻
線５ａにはｉC ’が流れ、電流検出器５の２次巻線５ｂ
には電圧ｖG1が発生する。すると、ＦＥＴ３がオンし、
コンデンサＣ1 を介してｉC1が流れる。この結果、漏洩
電流ｉC のほとんどがｉC1側に流れ、ｉE （＝ｉC −ｉ
C1）は低減され、ノイズ電圧（雑音端子電圧）も低減さ
れる。なお、漏洩電流ｉC の向きが反対の場合は、電流
検出器５の２次巻線５ｂに発生する電圧ｖG1も反対とな
ってＦＥＴ１がオンし、コンデンサＣ1 を介して反対向
きのｉC1が流れる。この場合も、漏洩電流ｉC のほとん
どがｉC1側に流れるため、ｉE （＝ｉC −ｉC1）は低減
され、ノイズ電圧（雑音端子電圧）も低減される。
Ｔ１とＦＥＴ３のゲートに印加されると、この電圧ｖG1
に応じた電流ｉC1がＦＥＴ１とＦＥＴ３を流れる。その
動作波形を図７（ａ）に示す。例えば、漏洩電流ｉC が
図６の矢印の向きに流れるとき、電流検出器５の１次巻
線５ａにはｉC ’が流れ、電流検出器５の２次巻線５ｂ
には電圧ｖG1が発生する。すると、ＦＥＴ３がオンし、
コンデンサＣ1 を介してｉC1が流れる。この結果、漏洩
電流ｉC のほとんどがｉC1側に流れ、ｉE （＝ｉC −ｉ
C1）は低減され、ノイズ電圧（雑音端子電圧）も低減さ
れる。なお、漏洩電流ｉC の向きが反対の場合は、電流
検出器５の２次巻線５ｂに発生する電圧ｖG1も反対とな
ってＦＥＴ１がオンし、コンデンサＣ1 を介して反対向
きのｉC1が流れる。この場合も、漏洩電流ｉC のほとん
どがｉC1側に流れるため、ｉE （＝ｉC −ｉC1）は低減
され、ノイズ電圧（雑音端子電圧）も低減される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６の回路で電流供給
回路を構成するＦＥＴ１とＦＥＴ３はプッシュプルの構
成なので、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴとＰチャンネルＭ
ＯＳＦＥＴのコンプリメンタリ（相補）回路であること
が要求される。ところが、モータ容量が大きくなりモー
タ浮遊容量を介して流れる漏洩電流が増加すると、ノイ
ズ低減装置で使用するＭＯＳＦＥＴでの発生損失も大き
くなるため、許容損失の大きなＭＯＳＦＥＴを使用する
必要がある。しかし、市販されているＰチャンネルＭＯ
ＳＦＥＴには許容損失の大きなものは少なく、そのため
コンプリメンタリなプッシュプル回路を構成できないと
いう問題がある。
回路を構成するＦＥＴ１とＦＥＴ３はプッシュプルの構
成なので、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴとＰチャンネルＭ
ＯＳＦＥＴのコンプリメンタリ（相補）回路であること
が要求される。ところが、モータ容量が大きくなりモー
タ浮遊容量を介して流れる漏洩電流が増加すると、ノイ
ズ低減装置で使用するＭＯＳＦＥＴでの発生損失も大き
くなるため、許容損失の大きなＭＯＳＦＥＴを使用する
必要がある。しかし、市販されているＰチャンネルＭＯ
ＳＦＥＴには許容損失の大きなものは少なく、そのため
コンプリメンタリなプッシュプル回路を構成できないと
いう問題がある。
【０００６】さらに、入力電圧がＡＣ４００Ｖの場合に
は、直流回路電圧が８００Ｖ程度になるため、Ｎチャン
ネルＭＯＳＦＥＴとＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの耐圧も
１０００Ｖクラスの耐圧の素子が必要となるが、市販さ
れているＰチャンネルＭＯＳＦＥＴは６００Ｖクラスの
ものしかなく、そのためコンプリメンタリなプッシュプ
ル回路を構成できないという問題もある。したがって、
この発明の課題は、ノイズ低減装置の電流供給回路で使
用する電流増幅素子の容量を低減すること、大容量で容
量系列の豊富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで構成し
得るようにすることにある。
は、直流回路電圧が８００Ｖ程度になるため、Ｎチャン
ネルＭＯＳＦＥＴとＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの耐圧も
１０００Ｖクラスの耐圧の素子が必要となるが、市販さ
れているＰチャンネルＭＯＳＦＥＴは６００Ｖクラスの
ものしかなく、そのためコンプリメンタリなプッシュプ
ル回路を構成できないという問題もある。したがって、
この発明の課題は、ノイズ低減装置の電流供給回路で使
用する電流増幅素子の容量を低減すること、大容量で容
量系列の豊富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで構成し
得るようにすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、電流検出器の出力をハイ
パスフィルタを介してＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、
高調波成分のノイズ電流を補償する構成とする。つま
り、ノイズ電流は、１５０ｋＨｚ〜３０ＭＨｚの高調波
電流が規格（例えば、ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ．１１，２
２）によって規制されている。したがって、請求項１の
構成にすれば、ハイパスフィルタによりＭＯＳＦＥＴが
数１０ｋＨｚレベルの低周波領域では動作しないように
なり、１５０ｋＨｚ以上の高調波領域のノイズ電流のみ
を補償できる。したがって、補償電流の電流実効値が減
少し、小容量のＭＯＳＦＥＴが適用できる。この場合、
１５０ｋＨｚ以上の高調波領域のノイズが低減でき、ノ
イズ規格を満足している。
るため、請求項１の発明では、電流検出器の出力をハイ
パスフィルタを介してＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、
高調波成分のノイズ電流を補償する構成とする。つま
り、ノイズ電流は、１５０ｋＨｚ〜３０ＭＨｚの高調波
電流が規格（例えば、ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ．１１，２
２）によって規制されている。したがって、請求項１の
構成にすれば、ハイパスフィルタによりＭＯＳＦＥＴが
数１０ｋＨｚレベルの低周波領域では動作しないように
なり、１５０ｋＨｚ以上の高調波領域のノイズ電流のみ
を補償できる。したがって、補償電流の電流実効値が減
少し、小容量のＭＯＳＦＥＴが適用できる。この場合、
１５０ｋＨｚ以上の高調波領域のノイズが低減でき、ノ
イズ規格を満足している。
【０００８】請求項２，３の発明では、電流検出器を絶
縁された２つの出力端子を持ったものに替える、また
は、電流検出器の入力（巻線）を出力の一方として利用
し、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで直列回路を構成
し、各ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートを電流検出器
の出力に接続する。市販されているＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴは、耐圧が１０Ｖから１０００Ｖクラス，電流は
１Ａクラスから１０Ａクラスまでと豊富にある。したが
って、入力電圧２００Ｖから４００Ｖの変換装置につい
ても、ノイズ低減回路を提供することが可能となる。ま
た、大容量の変換装置に対してもＭＯＳＦＥＴの電流規
格を大きくするだけで、装置を構成することができる。
縁された２つの出力端子を持ったものに替える、また
は、電流検出器の入力（巻線）を出力の一方として利用
し、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで直列回路を構成
し、各ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートを電流検出器
の出力に接続する。市販されているＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴは、耐圧が１０Ｖから１０００Ｖクラス，電流は
１Ａクラスから１０Ａクラスまでと豊富にある。したが
って、入力電圧２００Ｖから４００Ｖの変換装置につい
ても、ノイズ低減回路を提供することが可能となる。ま
た、大容量の変換装置に対してもＭＯＳＦＥＴの電流規
格を大きくするだけで、装置を構成することができる。
【０００９】さらに、請求項２，３の発明に対し、請求
項１の発明のようにハイパスフィルタを設けることによ
り、ＭＯＳＦＥＴの電流が低減可能となるため、さらに
大容量の変換装置に対してもノイズ低減回路を提供可能
となる。
項１の発明のようにハイパスフィルタを設けることによ
り、ＭＯＳＦＥＴの電流が低減可能となるため、さらに
大容量の変換装置に対してもノイズ低減回路を提供可能
となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１の実施の形
態を示す回路図である。図６との相違点は、電流検出器
５の２次巻線５ｂとＦＥＴ１，ＦＥＴ３のゲート・ソー
ス間に、コンデンサＣ2 と抵抗Ｒ2 からなるハイパスフ
ィルタ７を接続した点が特徴である。このような回路に
しても図６の場合と同様に動作する。相違は図７（ｂ）
に示すようにＦＥＴ１，ＦＥＴ３がハイパスフィルタ７
により、数１０ｋＨｚ以下の低周波電流に対しては動作
しないようになることである。したがって、このような
構成により、ＦＥＴ１とＦＥＴ３が１５０ｋＨｚ以上の
高周波ノイズ電流のみしか補償しないため、電流容量の
小さなＭＯＳＦＥＴで済むことになる。なお、この場合
も１５０ｋＨｚ以上の高周波領域のノイズが低減できる
ため、ノイズ規格は満足する。
態を示す回路図である。図６との相違点は、電流検出器
５の２次巻線５ｂとＦＥＴ１，ＦＥＴ３のゲート・ソー
ス間に、コンデンサＣ2 と抵抗Ｒ2 からなるハイパスフ
ィルタ７を接続した点が特徴である。このような回路に
しても図６の場合と同様に動作する。相違は図７（ｂ）
に示すようにＦＥＴ１，ＦＥＴ３がハイパスフィルタ７
により、数１０ｋＨｚ以下の低周波電流に対しては動作
しないようになることである。したがって、このような
構成により、ＦＥＴ１とＦＥＴ３が１５０ｋＨｚ以上の
高周波ノイズ電流のみしか補償しないため、電流容量の
小さなＭＯＳＦＥＴで済むことになる。なお、この場合
も１５０ｋＨｚ以上の高周波領域のノイズが低減できる
ため、ノイズ規格は満足する。
【００１１】図２はこの発明の第２の実施の形態を示す
回路図である。図６との相違点は、電流供給回路６で使
用するＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとしてのＦＥＴ３に代
えてＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴであるＦＥＴ２を使用
したこと、また、このＦＥＴ２のゲートを整流回路２の
直流出力に接続された電流検出器５の１次巻線５ａ側に
接続した点にある。この回路では、ＦＥＴ３を電流検出
器５の出力電圧ｖG1で駆動していたものが電流検出器５
の１次巻線電圧ｖ2 でＦＥＴ２を駆動するだけで、動作
上は図６の回路と変わらない。その結果、容量系列の豊
富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴが使用できることにな
る。
回路図である。図６との相違点は、電流供給回路６で使
用するＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとしてのＦＥＴ３に代
えてＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴであるＦＥＴ２を使用
したこと、また、このＦＥＴ２のゲートを整流回路２の
直流出力に接続された電流検出器５の１次巻線５ａ側に
接続した点にある。この回路では、ＦＥＴ３を電流検出
器５の出力電圧ｖG1で駆動していたものが電流検出器５
の１次巻線電圧ｖ2 でＦＥＴ２を駆動するだけで、動作
上は図６の回路と変わらない。その結果、容量系列の豊
富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴが使用できることにな
る。
【００１２】図３はこの発明の第３の実施の形態を示す
回路図である。これは、図６に示すものに対し、Ｐチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴとしてのＦＥＴ３に代えてＮチャン
ネルのＭＯＳＦＥＴであるＦＥＴ２を使用したこと、ま
た、電流検出器５の二次巻線を５ｂ，５ｃの２つとし、
これらをＦＥＴ１とＦＥＴ２のゲートにそれぞれ接続し
た点が特徴である。この回路では、ＦＥＴ３を電流検出
器５の出力電圧ｖG1で駆動していたものが電流検出器５
の２次巻線電圧ｖG2でＦＥＴ２を駆動するだけで、動作
上は図６の回路と変わらない。その結果、容量系列の豊
富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴが使用できることにな
る。
回路図である。これは、図６に示すものに対し、Ｐチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴとしてのＦＥＴ３に代えてＮチャン
ネルのＭＯＳＦＥＴであるＦＥＴ２を使用したこと、ま
た、電流検出器５の二次巻線を５ｂ，５ｃの２つとし、
これらをＦＥＴ１とＦＥＴ２のゲートにそれぞれ接続し
た点が特徴である。この回路では、ＦＥＴ３を電流検出
器５の出力電圧ｖG1で駆動していたものが電流検出器５
の２次巻線電圧ｖG2でＦＥＴ２を駆動するだけで、動作
上は図６の回路と変わらない。その結果、容量系列の豊
富なＮチャンネルＭＯＳＦＥＴが使用できることにな
る。
【００１３】図４はこの発明の第４の実施の形態を示す
回路図である。これは、図２の変形例を示すもので、Ｆ
ＥＴ１のゲートと電流検出器５の出力との間、およびＦ
ＥＴ２のゲートと整流回路２の直流出力側との間にそれ
ぞれハイパスフィルタ７１，７２を挿入して構成され
る。同様に、この発明の第５の実施の形態を示す図５は
図３の変形例を示し、電流検出器５の出力５ｂ，５ｃと
ＦＥＴ１，ＦＥＴ２の各ゲート間にそれぞれハイパスフ
ィルタ７１，７２を挿入して構成される。
回路図である。これは、図２の変形例を示すもので、Ｆ
ＥＴ１のゲートと電流検出器５の出力との間、およびＦ
ＥＴ２のゲートと整流回路２の直流出力側との間にそれ
ぞれハイパスフィルタ７１，７２を挿入して構成され
る。同様に、この発明の第５の実施の形態を示す図５は
図３の変形例を示し、電流検出器５の出力５ｂ，５ｃと
ＦＥＴ１，ＦＥＴ２の各ゲート間にそれぞれハイパスフ
ィルタ７１，７２を挿入して構成される。
【００１４】図４，図５のようにしても、その動作は図
２，図３の場合と同様であり、違いはハイパスフィルタ
７１，７２により、ＦＥＴ１とＦＥＴ２が数十ｋＨｚ以
下の低周波電流に対しては動作しないようになることで
ある。したがって、このような構成により、ＦＥＴ１と
ＦＥＴ３が１５０ｋＨｚ以上の高周波ノイズ電流のみし
か補償しないため、電流容量の小さなＭＯＳＦＥＴで済
むことになる。なお、この場合も１５０ｋＨｚ以上の高
周波領域のノイズが低減できるため、ノイズ規格を満足
することになる。
２，図３の場合と同様であり、違いはハイパスフィルタ
７１，７２により、ＦＥＴ１とＦＥＴ２が数十ｋＨｚ以
下の低周波電流に対しては動作しないようになることで
ある。したがって、このような構成により、ＦＥＴ１と
ＦＥＴ３が１５０ｋＨｚ以上の高周波ノイズ電流のみし
か補償しないため、電流容量の小さなＭＯＳＦＥＴで済
むことになる。なお、この場合も１５０ｋＨｚ以上の高
周波領域のノイズが低減できるため、ノイズ規格を満足
することになる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、電流増幅素子
として容量の小さな素子を使用できるため、より大容量
の装置までノイズ電流を低減することができる。また、
同容量の装置に適用した場合は、発生損失が低減すると
ともに装置の変換効率が上昇し装置の小型化が可能とな
る。請求項２，３の発明によれば、従来装置に対して電
流増幅素子として容量系列の豊富なＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴを用いるようにしているので、電流増幅素子での
発生損失が大きくなった場合は、それに応じたＮチャン
ネルＭＯＳＦＥＴと交換するだけで対応可能となる利点
が得られる。また、入力電圧が例えば４００Ｖの装置に
対しても、１０００ＶクラスのＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔが使用できるので、安全なノイズ低減装置が提供可能
となる。さらに、請求項４，５の発明によれば、Ｎチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴの電流容量を低減できるため、より
大容量の装置にまで適用することができる。また、同容
量の装置に適用した場合は、発生損失が低減するととも
に装置の変換効率が上昇し装置の小型化が可能となる。
として容量の小さな素子を使用できるため、より大容量
の装置までノイズ電流を低減することができる。また、
同容量の装置に適用した場合は、発生損失が低減すると
ともに装置の変換効率が上昇し装置の小型化が可能とな
る。請求項２，３の発明によれば、従来装置に対して電
流増幅素子として容量系列の豊富なＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴを用いるようにしているので、電流増幅素子での
発生損失が大きくなった場合は、それに応じたＮチャン
ネルＭＯＳＦＥＴと交換するだけで対応可能となる利点
が得られる。また、入力電圧が例えば４００Ｖの装置に
対しても、１０００ＶクラスのＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔが使用できるので、安全なノイズ低減装置が提供可能
となる。さらに、請求項４，５の発明によれば、Ｎチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴの電流容量を低減できるため、より
大容量の装置にまで適用することができる。また、同容
量の装置に適用した場合は、発生損失が低減するととも
に装置の変換効率が上昇し装置の小型化が可能となる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図２】この発明の第２の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図３】この発明の第３の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図４】この発明の第４の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図５】この発明の第５の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図６】従来例を示す回路図である。
【図７】この発明および従来例の動作説明図である。
１…交流電源、２…整流回路、３…インバータ回路、４
…モータ、５…電流検出器、６…電流供給回路、５ｂ，
５ｃ…トランス二次巻線、ＦＥＴ１，ＴＥＴ２，ＴＥＴ
３…ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジス
タ）、Ｑ1 〜Ｑ6…スイッチング素子、Ｃ0 〜Ｃ3 …コ
ンデンサ。
…モータ、５…電流検出器、６…電流供給回路、５ｂ，
５ｃ…トランス二次巻線、ＦＥＴ１，ＴＥＴ２，ＴＥＴ
３…ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジス
タ）、Ｑ1 〜Ｑ6…スイッチング素子、Ｃ0 〜Ｃ3 …コ
ンデンサ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H006 AA07 BB01 CA01 CA02 CB01 CB08 CC02 DC02 5H007 AA01 BB06 CA01 CA02 CB02 CB05 CB12 DC02 EA02 5H576 BB03 BB05 CC05 DD02 EE11 GG04 GG05 HA03 HB02 JJ26 LL22 LL24 5H740 AA01 BA11 BA12 BB05 BB09 BB10 BC01 BC02 JA01 JB02 NN03
Claims (5)
- 【請求項１】 交流電源に接続された整流回路の直流出
力側に平滑回路とインバータ回路とを接続してなる電力
変換器より接地に流れる漏洩電流を低減する電力変換器
のノイズ低減装置において、 前記交流電源と平滑回路との間に前記漏洩電流を検出す
る電流検出手段を接続するとともに、前記平滑回路の出
力間にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴとＰチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴとの直列回路を接続し、このＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴとＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの各ゲート端子を接
続した端子に前記電流検出手段の出力をハイパスフィル
タを介して接続したことを特徴とする電力変換器のノイ
ズ低減装置。 - 【請求項２】 交流電源に接続された整流回路の直流出
力側に平滑回路とインバータ回路とを接続してなる電力
変換器より接地に流れる漏洩電流を低減する電力変換器
のノイズ低減装置において、 前記交流電源と平滑回路との間に前記漏洩電流を検出す
る電流検出手段を接続するとともに、前記平滑回路の出
力間に第１のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴと第２のＮチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴとの直列回路を接続し、この第１の
ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートを前記電流検出手段
の出力に、また、前記第２のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
のゲートを前記整流回路の直流出力の一端にそれぞれ接
続したことを特徴とする電力変換器のノイズ低減装置。 - 【請求項３】 交流電源に接続された整流回路の直流出
力側に平滑回路とインバータ回路とを接続してなる電力
変換器より接地に流れる漏洩電流を低減する電力変換器
のノイズ低減装置において、 前記交流電源と平滑回路との間に前記漏洩電流を検出す
る電流検出手段を接続するとともに、前記平滑回路の出
力間に第１のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴと第２のＮチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴとの直列回路を接続し、前記電流検
出手段に絶縁された２つの出力端子を形成し、この各出
力端子にそれぞれ前記第１のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
と第２のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの各ゲートを接続し
たことを特徴とする電力変換器のノイズ低減装置。 - 【請求項４】 前記電流検出手段と前記第１のＮチャン
ネルＭＯＳＦＥＴと第２のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの
各ゲートとの間に、それぞれハイパスフィルタを挿入し
たことを特徴とする請求項２に記載の電力変換器のノイ
ズ低減装置。 - 【請求項５】 前記電流検出手段と前記第１のＮチャン
ネルＭＯＳＦＥＴとの間、および前記整流回路の直流出
力の一端と前記第２のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲー
トとの間に、それぞれハイパスフィルタを挿入したこと
を特徴とする請求項３に記載の電力変換器のノイズ低減
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043823A JP2002247836A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 電力変換器のノイズ低減装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043823A JP2002247836A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 電力変換器のノイズ低減装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002247836A true JP2002247836A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18905929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001043823A Pending JP2002247836A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 電力変換器のノイズ低減装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002247836A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101459347B1 (ko) | 2007-05-15 | 2014-11-10 | 삼성전자주식회사 | 전원 공급 장치, 이를 구비한 전자 기기, 및 전원 공급방법 |
| KR101496627B1 (ko) | 2012-01-27 | 2015-02-26 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 전력 변환 회로 |
| KR101979452B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2019-05-16 | 엘지전자 주식회사 | Emi 노이즈 저감을 위한 액티브 노이즈 필터 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043823A patent/JP2002247836A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101459347B1 (ko) | 2007-05-15 | 2014-11-10 | 삼성전자주식회사 | 전원 공급 장치, 이를 구비한 전자 기기, 및 전원 공급방법 |
| KR101496627B1 (ko) | 2012-01-27 | 2015-02-26 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 전력 변환 회로 |
| KR101979452B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2019-05-16 | 엘지전자 주식회사 | Emi 노이즈 저감을 위한 액티브 노이즈 필터 |
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