JP2002246545A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 折れ曲がり部を１つ以上備えた拡散抵抗素子
の拡散工程におけるマスク合わせ精度のずれに起因する
抵抗値のばらつきを低減することができる半導体装置を
提供することを課題とする。 【構成】 ４つの折り曲げ部を有するとともに、両端近
傍が互いに相反する向きに伸びるストライプ状の平面形
状を有する不純物拡散領域１１と、コンタクト窓１２，
１７により、不純物拡散領域１１の両端部に露出する電
流引出し端子とを有する半導体抵抗素子１０を備えるよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に平面形状がストライプ形状である拡散抵抗等の
半導体抵抗素子を備えた半導体装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路において、拡散抵
抗の拡散工程において発生する抵抗値のばらつきを低減
する工夫がなされるようになってきた。まずはじめに半
導体集積回路に形成される拡散抵抗について簡単に説明
する。拡散抵抗をRとすると、拡散抵抗は、一般に次式
で現される。 R＝Rc+ρ×L/W+ρ×n/2・・・（1）

【０００３】式（1）においてRｃは接続用金属配線と拡
散抵抗とのコンタクト部での抵抗、ρは拡散抵抗の比抵
抗、Lは拡散抵抗の抵抗長、Wは拡散抵抗の抵抗幅、nは
抵抗の折り曲げ部の数、即ち折り曲げ回数を示してい
る。

【０００４】拡散抵抗は、Ｐ型基板上に成長させたＮ型
エピタキシャル層中にＰ型不純物をマスクを用いて拡散
することにより導入して形成される。Ｎ型エピタキシャ
ル層上には絶縁膜等が設けられ、この絶縁膜に設けられ
たコンタクト窓を通じて拡散抵抗と、絶縁膜上に配置さ
れる接続用金属配線とを電気的に接続する。このコンタ
クト窓内に露出した拡散抵抗の領域が電流引出し端子と
なる。一般に拡散抵抗において誤差を生ずる原因のひと
つとして、Ｐ型不純物拡散用のマスクとコンタクト窓形
成用マスクとの間に生じるマスクずれがある。

【０００５】図５は従来の半導体装置の平面図であり、
図において、Ｐ型不純物拡散領域７１は平面形状がスト
ライプ形状を有しているとともに、２つの折れ曲がり部
を有しており、その両端近傍が互いに同じ方向に向かっ
て伸びている。Ｐ型不純物拡散領域７１の近傍上には、
この領域を覆うように絶縁膜（図示せず）が設けられて
おり、Ｐ型不純物拡散領域７１の両端上にそれぞれコン
タクト窓７２、７５が設けられている。半導体抵抗素子
７０はＰ型不純物拡散領域７１と、このＰ型不純物拡散
領域７１上のコンタクト窓７２、７５により露出する電
流引出し端子として機能する領域とにより構成される。
絶縁膜上の接続用金属配線７３，７６はこれらのコンタ
クト窓を介してＰ型不純物拡散領域７１と接続されてい
る。コンタクト窓７４、７７は本来設計した位置からマ
スクの位置がずれた場合に形成されるコンタクト窓を示
す。

【０００６】図５に示した半導体装置について、上記式
（1）より抵抗値を求めると、設計通りに形成された場
合の半導体抵抗素子７０の抵抗値R70は、 R70=Rc+ρ×(L71+L72+L73)/W70+ρ×2/2 であるが、Ｐ型不純物拡散用のマスクとコンタクト窓形
成用マスクとの間のマスクずれの発生により、コンタク
ト窓を形成する位置が破線のように、Ｐ型不純物拡散領
域７１の端部の伸びる方向と逆方向にΔＬ７だけずれ
て、半導体装置のコンタクト窓がコンタクト窓７４、７
７となった場合の抵抗値R70’は、 R70’=Rc+ρ×(L71+L72+L73+△L7+△L7)/W70+ρ×2/2 となり設計値とずれてしまう。△L7+△L7がL71+L72+L73
の2％であるとすると、Rcおよびρ×2/2はコンタクト窓
のずれに影響されず一定であるからR71’のR70に対する
ずれは、△L7+△L7のL71+L72+L73に対する割合である2
％に比例して、2％となる。このように折れ曲がり部を
有することで抵抗は、その設計値からずれを生じること
がある。

【０００７】このため、抵抗値の精度が要求される場合
は例えば図6に示す半導体装置のように、折れ曲がり部
のない半導体抵抗素子を形成すれば良い。図６におい
て、Ｐ型不純物拡散領域８１は折れ曲がり部のないスト
ライプ形状を有している。Ｐ型不純物拡散領域８１の近
傍上には、この領域を覆うように絶縁膜等（図示せず）
が設けられており、この絶縁膜のＰ型不純物拡散領域８
１の両端上にそれぞれコンタクト窓８２、８５が設けら
れている。半導体抵抗素子８０はＰ型不純物拡散領域８
１と、このＰ型不純物拡散領域８１上のコンタクト窓８
２、８５より露出する電流引出し端子として機能する領
域とにより構成される。絶縁膜上の接続用金属配線８
３，８６はこれらのコンタクト窓を介してＰ型不純物拡
散領域８１と接続されている。コンタクト窓８４、８７
は本来設計した位置からマスクの位置がずれた場合に形
成されるコンタクト窓を示す。

【０００８】この抵抗パターンの設計上の抵抗値R80は R80＝Rc+ρ×L81/W80+ρ×0/2０ すなわち、 R80＝Rc+ρ×L81/Ｗ80 となる。Ｐ型不純物拡散用のマスクとコンタクト窓形成
用マスクとの間のマスクずれの発生により、コンタクト
窓を形成する位置が破線のように、Ｐ型不純物拡散領域
７１の伸びる方向に沿ってΔＬ８だけずれて、コンタク
ト窓が破線84、87のようにずれた場合の抵抗値R80’は R80’=Rc+ρ×(L81+△L8−△L8)/W80+ρ×0/2 すなわち、 R80’=Rc+ρ×L81/W80 となり、設計上の抵抗値と同じになる。このように折れ
曲がり部がなければ、抵抗の設計値からのずれをなくす
ことができる。

【０００９】しかしながら、半導体抵抗素子８０のよう
な折れ曲がり部のない半導体抵抗素子は、集積回路のチ
ップサイズの制約から実現できない場合が多い、即ち抵
抗値の大きい抵抗素子が必要な場合、全ての抵抗を直線
上に形成することは不可能に近い。

【００１０】一方、相対比が要求される二つの抵抗パタ
ーンとしては、例えば図7のような抵抗素子がある。図
７において、Ｐ型不純物拡散領域９１はストライプ形状
を有しているとともに、２つの折れ曲がり部を有し、そ
れぞれの端部は互いに相反する方向に伸びている。ま
た、Ｐ型不純物拡散領域１０１はストライプ形状を有し
ているとともに、２つの折れ曲がり部を有し、それぞれ
の端部は互いに相反する方向に伸びている。Ｐ型不純物
拡散領域９１とＰ型不純物拡散領域１０１とは、その端
部の伸びる方向が互いに相反する方向となっている。Ｐ
型不純物拡散領域９１、１０１の近傍上には、これらの
領域を覆うように絶縁膜等（図示せず）が設けられてお
り、この絶縁膜のＰ型不純物拡散領域９１、１０１の両
端上にそれぞれコンタクト窓９２、９５、１０２、及び
１０５が設けられている。半導体抵抗素子９０はＰ型不
純物拡散領域９１とこのＰ型不純物拡散領域９１上のコ
ンタクト窓９２、９５により露出する電流引出し端子と
して機能する領域とにより構成される。また半導体抵抗
素子１００はＰ型不純物拡散領域１０１と、このＰ型不
純物拡散領域１０１上のコンタクト窓１０２、１０５よ
り露出する電流引出し端子として機能する領域とにより
構成される。絶縁膜上の接続用金属配線９３，９６はこ
れらのコンタクト窓を介してＰ型不純物拡散領域９１と
接続されている。絶縁膜上の接続用金属配線１０３，１
０６はこれらのコンタクト窓を介してＰ型不純物拡散領
域１０１と接続されている。コンタクト窓９４、９７、
１０４、及び１０７は本来設計した位置からマスクの位
置がずれた場合に形成されるコンタクト窓を示す。

【００１１】上記式（1）より設計上の第1、第2の半導
体抵抗素子９０、１００の抵抗値R90，R100を求める
と、それぞれ R90＝Rc+ρ×(L91+L92+L93)/W90+ρ×2/2 R100＝Rc+ρ×(L101+L102+L103)/W100+ρ×2/2 となり、R90とR100の抵抗値の比Rrは

【数１】 となる。

【００１２】次にコンタクト窓が９４、９７、１０４、
１０７のようにずれた場合の第１、第２の抵抗値R9
0’、R100’は、それぞれ R90’＝Rc+ρ×(L91+L92+L93+△L9+△L9)/W90+ρ×2/2 R100’＝Rc+ρ×(L101+L102+L103+△L10+△L10)/Ｗ100+
ρ×2/2 となり、この場合のR90，RlOOの抵抗比Rr’は

【数２】 となる。ここでRr，Rr’について考える。Rc及びρ×2/
2は、コンタクト窓の位置ずれに影響されず、また全体
の抵抗値に比べ小さいので無視すると Rr=ρ×(L91+L92+L93)/W90/ρ×(L101+L102+L103)/Ｗ10
0 Rr’=ρ×(L91+L92+L93+△L9+△L9)/Ｗ90/ρ×(L101+L1
02+L103+△L10+△L10)/Ｗ100 となり、いまW90とW100が等しいとすると Ｒr=(L91+L92+L93)/(Ｌ101+L102+L103) Rr’=(L91+L92+L93+△L9+△L9)/(L101+L102+L103+△L10
+△L10) ここで△L9，△L10は等しく(L91+L92+L93)の2％とし、
またRr=2とすると

【００１３】

【数３】 即ち Rr’＝(2+0.04×2)/(１−0.04×2) ＝2.08/0.92 ＝2.26 となり、抵抗比のずれは約１３％となる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体抵抗素子を備えた半導体装置においては、拡散製
造工程におけるマスク合わせ精度により、マスクの位置
あわせのずれが起こり、抵抗値精度のばらつきや、相対
精度の必要な複数の拡散抵抗間の抵抗比のずれが発生す
るという問題点を有していた。

【００１５】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたものであり、折れ曲がり部を１つ以上備え
た半導体抵抗素子のマスク合わせ精度のずれに起因する
抵抗値のばらつきを低減することのできる半導体装置を
提供すること、及び相対精度の必要な抵抗の抵抗比のず
れを低減することのできる半導体装置を提供することを
目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、２の整数倍の折り曲げ部を有するとともに、両端
近傍が互いに相反する向きに伸びるストライプ状の平面
形状を有し、その両端部にそれぞれ電流引出し端子を有
する半導体抵抗素子を備えるようにしたものである。

【００１７】また、この発明に係る半導体装置は、２の
整数倍の折り曲げ部を有するとともに、両端近傍が互い
に相反する向きに伸びるストライプ状の平面形状を有
し、その両端部にそれぞれ電流引出し端子を有する半導
体抵抗素子を、複数備えており、上記複数の半導体抵抗
素子の両端近傍が伸びる方向が互いに平行であるように
したものである。

【００１８】また、この発明に係る半導体装置は、両端
近傍が互いに同じ向きに伸びるストライプ状の平面形状
を有し、その両端部にそれぞれ電流引出し端子を有する
半導体抵抗素子を、複数備えており、上記複数の半導体
抵抗素子の両端部の伸びる方向がすべて同じ方向である
ようにしたものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図1は本発明の実
施の形態１に係る半導体装置の構成を示す平面図であ
り、図において、Ｐ型不純物を拡散して形成したＰ型不
純物拡散領域１１は幅がW10のストライプ形状を有して
おり、４つの折れ曲がり部を有しており、両端近傍が互
いに相反する方向に向かって伸びている。L11〜L15はＰ
型不純物拡散領域１１の各折れ曲がり部間の長さを示し
ている。Ｐ型不純物拡散領域１１の近傍上には、この領
域を覆うように絶縁膜等（図示せず）が設けられてお
り、Ｐ型不純物拡散領域１１の両端上にそれぞれコンタ
クト窓１２、１５が設けられている。半導体抵抗素子１
０はＰ型不純物拡散領域１１と、このＰ型不純物拡散領
域１１上の、コンタクト窓１２、１５により露出する電
流引出し端子として機能する領域とにより構成される。
絶縁膜上の接続用金属配線１３，１６はこれらのコンタ
クト窓を介してＰ型不純物拡散領域１１と接続されてい
る。コンタクト窓１４、１７は本来設計した位置からマ
スクの位置がＰ型不純物拡散領域１１の両端部の伸びる
方向に沿って同一方向にずれた場合に形成されるコンタ
クト窓を示す。

【００２０】この半導体抵抗素子が設計通りに形成され
た場合の抵抗値を、従来の技術において説明した式
（１）より求めると、半導体抵抗素子１０の抵抗値RlO
は R10=Rc+ρ×(Lll+L12+L13+L14+L15)/W10+ρ×4/2 であるが、コンタクト窓が破線１４、１７のようにずれ
た場合の抵抗値RlO’は R10’=Rc+ρ×(Lll+L12+L13+L14+L15+△Ll-△Ll)/W10 +ρ×4/2 ＝Rc+ρ×(Lll+L12+L13+L14+L15)/W10 +ρ×4/2 となり、RlOの抵抗値と等しくなり、コンタクト窓のず
れによる抵抗値のずれはなくなる。

【００２１】以上のように本実施の形態１によれば、半
導体抵抗素子１０が４つの折り曲げ部を有しているとと
もに、両端近傍が互いに相反する向きに伸びる、ストラ
イプ状の平面形状を有するようにしたから、折り曲げ部
を設けることによって設計の自由度を保ちつつ、電流引
き出し端子を形成するためのコンタクト窓の位置が、両
端部の伸びる方向のうちのいずれかの方向へずれた場合
においても、そのずれによる抵抗値の変化を半導体抵抗
素子の両端において相殺することにより、半導体抵抗素
子の抵抗値のずれをなくして、抵抗値のばらつきのない
半導体装置を提供できる効果がある。

【００２２】実施の形態２．本実施の形態２に係る半導
体装置は、上記実施の形態１において説明した半導体装
置において、半導体抵抗素子の折れ曲がり数を２とした
ものである。図２は本発明の実施の形態２に係る半導体
装置の構成を示す平面図であり、図において、Ｐ型不純
物を拡散して形成したＰ型不純物拡散領域２１は幅がW2
0のストライプ形状を有しており、２つの折れ曲がり部
を有しており、両端近傍が互いに相反する方向に向かっ
て伸びている。L21〜L23はＰ型不純物拡散領域２１の各
折れ曲がり部までの長さを示している。Ｐ型不純物拡散
領域２１の近傍上には、この領域を覆うように絶縁膜等
（図示せず）が設けられており、Ｐ型不純物拡散領域２
１の両端上にそれぞれコンタクト窓２２、２５が設けら
れている。半導体抵抗素子２０はＰ型不純物拡散領域２
１と、このＰ型不純物拡散領域２１上の、コンタクト窓
２２、２５により露出する電流引出し端子として機能す
る領域とにより構成される。絶縁膜上の接続用金属配線
２３，２６はこれらのコンタクト窓を介してＰ型不純物
拡散領域２１と接続されている。コンタクト窓２４、２
７は本来設計した位置からマスクの位置がＰ型不純物拡
散領域２１の両端部の伸びる方向に沿って同一方向にず
れた場合に形成されるコンタクト窓を示す。

【００２３】この半導体抵抗素子が設計通りに形成され
た場合の抵抗値を、従来の技術において説明した式
（１）より求めると、半導体抵抗素子２０の抵抗値R20
はR20＝Rc+ρ×(L21+L22+L23)/Ｗ20+ρ×2/2であるが、
コンタクト値が破線24、27のようにずれた場合の抵抗値
R20’は R20’＝Rc+ρ×(L21+L22+L23+△L2−△L2)/Ｗ20 +ρ×2/2 ＝Rc+ρ×(L21+L22+L23)/Ｗ20+ρ×2/2 となり、R20の抵抗値と等しくなりコンタクト窓のずれ
による抵抗値のずれはなくなる。

【００２４】以上のように本実施の形態２によれば、半
導体抵抗素子が２つの折り曲げ部を有しているととも
に、両端近傍が互いに相反する向きに伸びる、ストライ
プ状の平面形状を有するようにしたから、上記実施の形
態１と同様の効果を奏する。なお、上記実施の形態１及
び２においては、半導体抵抗素子の折れ曲がり数が４ま
たは２である場合について説明したが、本発明において
は、この折れ曲がり数は２ｎ（ｎは１以上の整数）個で
あれば、いくつであってもよく、このような場合におい
ても上記実施の形態１及び２と同様の効果を奏する。

【００２５】実施の形態３．本実施の形態３に係る半導
体装置は、上記実施の形態１において説明した半導体抵
抗素子を備えた半導体装置において、この半導体抵抗素
子に対して相対精度を必要とする第２の半導体抵抗素子
を追加して設けるようにしたものである。

【００２６】図３は本発明の実施の形態３に係る半導体
装置の構成を示す平面図であり、図において、Ｐ型不純
物を拡散して形成したＰ型不純物拡散領域３１は幅がW3
0のストライプ形状を有しており、４つの折れ曲がり部
を有しており、両端近傍が互いに相反する方向に向かっ
て伸びている。L31〜L35はＰ型不純物拡散領域３１の各
折れ曲がり部までの長さを示している。Ｐ型不純物を拡
散して形成したＰ型不純物拡散領域４１は幅がW40のス
トライプ形状を有しており、４つの折れ曲がり部を有し
ており、両端近傍が互いに相反する方向に向かって伸び
ている。L41〜L45はＰ型不純物拡散領域４１の各折れ曲
がり部までの長さを示している。Ｐ型不純物拡散領域３
１及びＰ型不純物拡散領域４１の両端近傍部が伸びる方
向は、互いに平行となる方向となっている。Ｐ型不純物
拡散領域３１及び４１の近傍上には、これらの領域を覆
うように絶縁膜等（図示せず）が設けられており、Ｐ型
不純物拡散領域３１の両端上にそれぞれコンタクト窓３
２、３５が設けられており、Ｐ型不純物拡散領域４１の
両端上にそれぞれコンタクト窓４２、４５が設けられて
いる。第１の半導体抵抗素子３０はＰ型不純物拡散領域
３１と、このＰ型不純物拡散領域３１上の、コンタクト
窓３２、３５により露出する電流引出し端子として機能
する領域とにより構成される。第２の半導体抵抗素子４
０はＰ型不純物拡散領域４１と、このＰ型不純物拡散領
域４１上の、コンタクト窓４２、４５により露出する電
流引出し端子として機能する領域とにより構成される。
絶縁膜上の接続用金属配線３３，３６，４３，及び４６
はこれらのコンタクト窓を介してＰ型不純物拡散領域３
１，４１と接続されている。コンタクト窓３４、３７，
４４，及び４７は本来設計した位置からマスクの位置が
Ｐ型不純物拡散領域３１，４１の両端部の伸びる方向に
沿ってずれた場合に形成されるコンタクト窓を示す。

【００２７】この半導体抵抗素子が設計通りに形成され
た場合の抵抗値を、従来の技術において説明した式
（１）より、第１、第２の半導体抵抗素子３０、４０そ
れぞれの抵抗値R30，R40を求めると、 R30＝Rc+ρ×(L31+L32+L33+L34+L35)/W30+ρ×4/2 R40＝Rc+ρ×(L41+L42+L43+L44+L45)/W40+ρ×4/2 となり、R30とR40の抵抗値の比Rr3は、

【００２８】

【数４】 となる。次にコンタクト窓がコンタクト窓３４、３７、
４４、４７として示すように、予め設計した位置からず
れた場合の第１、第２の抵抗値R30’、R40’はそれぞれ R30’＝Rc+ρ×(L31+L32+L33+L34+L35+△L3-△L3)/W30+
ρ×4/2 R40’＝Rc+ρ×(L41+L42+L43+L44+L45+△L4-△L4)/W40+
ρ×4/2 この場合のR30’，R40’の抵抗比Rr3’は

【数５】 ここでRr3，Rr’3に付いて考える。Rc及びρ×4/2はコ
ンタクト窓のずれに影響されず、また、全体の抵抗値に
比べ小さいので無視すると

【数６】 いまW30とW40とが等しいとすると Rr3＝(L31+L32+L33+L34+L35) /(L41+L42+L43+L44+L45) Rr3’＝(L31+L32+L33+L34+L35+△L3−△L3) /(L41+L42+L43+L44+L45+△L4−△L4) ＝(L31+L32+L33+L34+L35) /(L41+L42+L43+L44+L45) となり、Rr3とRr3’とが等しくなりコンタクト窓のずれ
による半導体抵抗素子３０と半導体抵抗素子４０の抵抗
比のずれをなくすことができる。

【００２９】以上のように、本実施の形態３によれば、
それぞれが４つの折り曲げ部を有しているとともに、両
端近傍が互いに相反する向きに伸びる、ストライプ状の
平面形状を有しており、両者の抵抗素子の両端近傍が伸
びる方向が互いに平行である第１、第２の半導体抵抗素
子３０、４０を備えるようにしたから、折り曲げ部を有
することで設計の自由度を高くすることができるととも
に、コンタクト窓のずれによる２つの抵抗間の抵抗比の
ずれをなくすことができ、相対精度の高い２つの半導体
抵抗素子を備えた半導体装置を提供できる効果がある。

【００３０】なお、上記実施の形態３においては、半導
体抵抗素子の折れ曲がり数が４である場合について説明
したが、本発明においては、この折れ曲がり数は２ｎ
（ｎは１以上の整数）個であれば、いくつであってもよ
く、このような場合においても上記実施の形態３と同様
の効果を奏する。

【００３１】実施の形態４．図４は本発明の第４の実施
例における半導体装置の構成を示す平面図である。図に
おいて、Ｐ型不純物を拡散して形成したＰ型不純物拡散
領域５１は幅がW50のストライプ形状を有しており、２
つの折れ曲がり部を有しており、両端近傍が互いに同じ
方向に向かって伸びている。L51〜L53はＰ型不純物拡散
領域５１の各折れ曲がり部までの長さを示している。Ｐ
型不純物を拡散して形成したＰ型不純物拡散領域６１は
幅がW60のストライプ形状を有しており、２つの折れ曲
がり部を有しており、両端近傍が互いに同じ方向に向か
って伸びている。L61〜L63はＰ型不純物拡散領域６１の
各折れ曲がり部までの長さを示している。Ｐ型不純物拡
散領域５１及びＰ型不純物拡散領域６１の両端近傍部が
伸びる方向は、互いに同一の方向となっている。Ｐ型不
純物拡散領域５１とＰ型不純物拡散領域６１との近傍上
には、これらの領域を覆うように絶縁膜等（図示せず）
が設けられており、Ｐ型不純物拡散領域５１の両端上に
それぞれコンタクト窓５２、５５が設けられており、Ｐ
型不純物拡散領域６１の両端上にそれぞれコンタクト窓
６２、６５が設けられている。第１の半導体抵抗素子５
０はＰ型不純物拡散領域５１と、このＰ型不純物拡散領
域５１上の、コンタクト窓５２、５５により露出する電
流引出し端子として機能する領域とにより構成される。
第２の半導体抵抗素子６０はＰ型不純物拡散領域６１
と、このＰ型不純物拡散領域６１上の、コンタクト窓６
２、６５により露出する電流引出し端子として機能する
領域とにより構成される。絶縁膜上の接続用金属配線５
３，５６，６３，及び６６はこれらのコンタクト窓を介
してＰ型不純物拡散領域５１，６１と接続されている。
コンタクト窓５４、５７，６４，及び６７は本来設計し
た位置からマスクの位置が、Ｐ型不純物拡散領域５１，
６１の両端部の伸びる方向に沿ってずれた場合に形成さ
れるコンタクト窓を示す。

【００３２】この半導体抵抗素子が設計通りに形成され
た場合の抵抗値を、従来の技術において説明した式
（１）より、第１、第２の半導体抵抗素子５０、６０そ
れぞれの抵抗値R50，R60をそれぞれ求めると R50＝Rc+ρ×(L51+L52+L53)/W50+ρ×2/2 R60＝Rc+ρ×(L61+L62+L63)/W60+ρ×2/2 となり、R50とR60の抵抗値の比Rr4は

【数７】 となる。次にコンタクト窓がコンタクト窓５４、５７、
６４、及び６７に示すようにずれた場合の第1、第2の抵
抗値R50’、R60’はそれぞれ R50’＝Rc+ρ×(L51+L52+L53-△L5-△L5)/W50+ρ×2/2 R60’＝Rc+ρ×(L61+L62+L63-△L6-△L6)/W60+ρ×2/2 となる。この場合のR50，R60の抵抗比Rr4’は

【数８】 となる。ここでRr4，Rr4’に付いて考える。Rc及びp×2
/2はコンタクト窓のずれに影響されず、また、全体の抵
抗値に比べ小さいので無視すると Rr4＝ρ×(L51+L52+L53)/W50/ρ×(L61+L62+L63)/W60 Rr4’＝ρ×(L51+L52+L53−△L5−△L5)/W50/ρ×(L61+
L62+L63−△L6−△L6)/W100 いまW50とW60が等しいとすると、 Rr4＝(L51+L52+L53)/(L61+L62+L63) Rr4’＝(L51+L52+L53-△L5-△L5)/(L61+L62+L63-△L6-
△L6)

【００３３】ここで通常コンタクト窓は同一のマスクを
用いて形成されるため、そのマスクのずれ幅である△L5
と△L6とは等しく、その値が(L51+L52+L53)の2％である
とし、またRr4＝2とすると

【数９】 となり、即ち、 Rr4’＝(2-2×0．02×2)/(1-2×0．02×2) ＝1.92/0.92 ＝2.087 となり、抵抗比のずれは約4.4％となり、上記従来の技
術において図７を用いて説明した半導体装置の抵抗素子
間の抵抗比に比べて抵抗比のずれを約1/3に減少させる
ことができる。

【００３４】以上のように、本実施の形態４によれば、
両端近傍が互いに同じ向きに伸びるストライプ状の平面
形状を有する２つの半導体抵抗素子５０，６０を、その
両端部の伸びる方向がすべて同じ方向となるようにした
ので、折り曲げ部を有することで設計の自由度を高くす
ることができるとともに、コンタクト窓のずれによる２
つの抵抗間の抵抗比のずれを減少させることができ、相
対精度の高い２つの半導体抵抗素子５０，６０を備えた
半導体装置を提供できる効果がある。

【００３５】なお、上記実施の形態４においては、両端
部の伸びる方向が同一方向である２つの半導体抵抗素子
を用いた場合について説明したが、本発明においては両
端部が伸びる方向が同一方向である３つ以上の半導体抵
抗素子を用いる場合においても適用できるものであり、
このような場合においても上記実施の形態４と同様の効
果を奏する。

【００３６】また、上記実施の形態４においては、折れ
曲がり部が２つの場合について説明したが、本発明にお
いては折れ曲がり部は２ｎ（ｎは１以上の整数）個であ
ればよく、このような場合においても上記実施の形態４
と同様の効果を奏する。

【００３７】なお、上記各実施の形態１〜４において
は、半導体抵抗素子がＰ型不純物を拡散させた拡散抵抗
である場合について説明したが、本発明は、半導体抵抗
素子がイオン注入抵抗や、ピンチ抵抗等の抵抗である場
合や、不純物がＮ型不純物である抵抗である場合におい
ても適用できるものであり、このような場合においても
上記各実施の形態１〜４と同様の効果を奏する。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、２の
整数倍の折り曲げ部を有するとともに、両端近傍が互い
に相反する向きに伸びるストライプ状の平面形状を有
し、その両端部にそれぞれ電流引出し端子を有する半導
体抵抗素子を備えるようにしたから、折れ曲がり部を１
つ以上備えた半導体抵抗素子のマスク合わせ精度のずれ
に起因する抵抗値のばらつきを低減できる半導体装置を
提供できる効果がある。

【００３９】また、この発明によれば、２の整数倍の折
り曲げ部を有するとともに、両端近傍が互いに相反する
向きに伸びるストライプ状の平面形状を有し、その両端
部にそれぞれ電流引出し端子を有する半導体抵抗素子
を、複数備えており、上記複数の半導体抵抗素子の両端
近傍が伸びる方向が互いに平行であるようにしたから、
折れ曲がり部を１つ以上備えた半導体抵抗素子のマスク
合わせ精度のずれに起因する抵抗比のずれを低減でき、
相対精度の高い半導体抵抗素子を備えた半導体装置を提
供できる効果がある。

【００４０】また、この発明によれば、両端近傍が互い
に同じ向きに伸びるストライプ状の平面形状を有し、そ
の両端部にそれぞれ電流引出し端子を有する半導体抵抗
素子を、複数備えており、上記複数の半導体抵抗素子の
両端部の伸びる方向がすべて同じ方向であるようにした
から、折れ曲がり部を１つ以上備えた半導体抵抗素子の
マスク合わせ精度のずれに起因する抵抗比のずれを低減
でき、相対精度の高い半導体抵抗素子を備えた半導体装
置を提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成
を示す平面図である。

【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成
を示す平面図である。

【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成
を示す平面図である。

【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構成
を示す平面図である。

【図５】従来の半導体装置の構成を示す平面図である。

【図６】従来の半導体装置の他の構成を示す平面図であ
る。

【図７】従来の半導体装置の他の構成を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９
０、１００ 半導体抵抗素子 １１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９
１，１０１ Ｐ型不純物拡散領域 １２、１５、２２、２５、３２、３５、４２、４５、５
２、５５、６２、６５、７２、７５、８２、８５、９
２、９５、１０２、１０５ コンタクト窓 １３、１６、２３、２６、３３、３６、４３、４６、５
３、５６、６３、６６、７３、７６、８３、８６、９
３、９６、１０３、１０６ 接続用金属配線 １４、１７、２４、２７、３４、３７、４４、４７、５
４、５７、６４、６７、７４、７７、８４、８７、９
４、９７、１０４、１０７ 位置がずれた場合のコンタ
クト窓

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２の整数倍の折り曲げ部を有するととも
   に、両端近傍が互いに相反する向きに伸びるストライプ
   状の平面形状を有し、その両端部にそれぞれ電流引出し
   端子を有する半導体抵抗素子を備えていることを特徴と
   する半導体装置。
2. 【請求項２】 ２の整数倍の折り曲げ部を有するととも
   に、両端近傍が互いに相反する向きに伸びるストライプ
   状の平面形状を有し、その両端部にそれぞれ電流引出し
   端子を有する半導体抵抗素子を、複数備えており、 上記複数の半導体抵抗素子の両端近傍が伸びる方向が互
   いに平行であることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 両端近傍が互いに同じ向きに伸びるスト
   ライプ状の平面形状を有し、その両端部にそれぞれ電流
   引出し端子を有する半導体抵抗素子を、複数備えてお
   り、 上記複数の半導体抵抗素子の両端部の伸びる方向がすべ
   て同じ方向であることを特徴とする半導体装置。