JP2002246532A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

リードフレーム及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単層の金属板から多列構成のランド、特に３
列以上のランドを有するリードフレームを小型に且つ容
易に得られるようにする。 【解決手段】 リードフレーム１０は、フレーム枠部１
１と、フレーム枠部１１と内側インナリード部１４Ａと
の間に配置され、フレーム枠部１１から内側に延びると
共にダイパッド部１３の下面側に凸部１４ａを有する複
数の外側インナリード部１４Ｂとを備えている。ダイパ
ッド部１３と内側インナリード部１４Ａとの支持部分は
切断されて除去されることにより、内側インナリード部
１４Ａとダイパッド部１３とが絶縁されている。フレー
ム枠部１１と複数の内側インナリード部１４Ａ及び外側
インナリード部１４Ｂとがそれらの底面をリード保持材
としての粘着性テープ材２０により保持されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージの底面
に行列状に配置されて露出する外部端子である複数のラ
ンドを有するランドグリッドアレイ(land grid array:
ＬＧＡ)用のリードフレーム及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び高機能化に
対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く
要求されるようになってきている。これに伴って、半導
体チップとリードとをモールド樹脂材により一体に封止
してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急
速に進展しており、小型化及び薄型化を図りながら、さ
らなる多ピン化が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に用い
るリードフレームについて図面を参照しながら説明す
る。
【０００４】図１２は従来のリードフレームの平面構成
を示している。図１２に示すリードフレーム１００は、
方形のパッケーッジの四方の側面から外部ピンが外側に
延びる構成を採るＱＦＰ(quad flat package）用のリー
ドフレームである。図１２に示すように、リードフレー
ム１００は、フレーム枠部１０１と、該フレーム枠部１
０１の中央部に配置された方形状のダイパッド部１０２
と、一端がダイパッド部１０２の一辺と間隔をおいて対
向するインナリード部１０３と、一端がインナリード部
１０３の他端と接続され、他端がフレーム枠部１０１と
接続されたアウタリード部１０４とを有している。アウ
タリード部１０４は、封止用樹脂の樹脂止めとなるタイ
バー部１０５により互いに連結されており、ダイパッド
部１０２は、その４隅が吊りピン１０６によってタイバ
ー部１０５に支持されている。
【０００５】また、破線１０９は、封止用樹脂材により
封止される封止領域を示している。
【０００６】ここでは、リードフレーム１００の１つの
装置分のみを示したが、通常は図１２に示すパターンが
複数個配列されて構成される。
【０００７】図１３はリードフレーム１００を用いた樹
脂封止型半導体装置の断面構成を示している。図１３に
おいて、図１２に示す構成部材と同一の構成部材には同
一の符号を付している。
【０００８】図１３に示すように、ダイパッド１０２の
上には半導体素子１０７が接着材又は半田材等により固
着され、半導体素子１０７とインナリード部１０３とは
金属細線１０８により電気的に接続されている。また、
ダイパッド部１０２、その上に固着された半導体素子１
０７、金属細線１０８及びインナリード部１０３は封止
用樹脂材１０９Ａにより、ダイパッド部１０２の底面側
を含めて一体に封止されている。封止用樹脂材１０９Ａ
の側面から素子保持面と平行な方向に延びるアウタリー
ド部１０４は、素子保持面と反対側の方向に屈曲（ベン
ディング）されて表面実装を可能としている。
【０００９】ところで、前記従来のリードフレームは、
半導体素子１０７が高集積化され、外部電極の数が増え
て、さらに多ピン構成となった場合に、インナリード部
１０２及びアウタリード部１０３の幅寸法に限界があ
り、今以上の多ピン構成に対応するには、リードの本数
が増えるため、リードフレーム１００自体の外形寸法が
大きくなってしまい、小型化及び薄型化に逆行してしま
う。また、リードの幅を小さくすると、今度はリードフ
レームの加工が困難となる。
【００１０】そこで、最近、面実装型の半導体装置とし
て、底面にボール電極やランド電極を設けた配線基板
（キャリア）における底面と反対側の面上に半導体素子
を保持し、半導体素子とこれら電極とが電気的に接続さ
れたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型又はランドグリ
ッドアレイ（ＬＧＡ）型の半導体装置が開発されてい
る。
【００１１】ＢＧＡ型及びＬＧＡ型の半導体装置は、そ
の底面をマザー基板と対向させて実装し、底面から露出
したボール又はランドの外部電極を直接にマザー基板の
電極と接続する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＧＡ
型又はＬＧＡ型の半導体装置は、セラミック材や樹脂材
からなる積層された多層の配線基板を用いるため、製造
工程も複雑となり、極めて高価となるという問題があ
る。
【００１３】また、図１２及び図１３に示した従来の樹
脂封止型半導体装置の製造方法を、ＢＧＡ型又はＬＧＡ
型の半導体装置の製造方法に流用しようとしても、外部
端子となる複数のランドを加工前にフレーム枠と接続し
ておく連結支持部を設ける必要から、３列以上のランド
を設けようとすると、小型化は不可能であるという問題
がある。
【００１４】その上、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、ＢＧＡ型又はＬＧＡ型等の面実装型の半導体
装置と比べて基板への実装時の精度が低くなる。例え
ば、図１２に示すビーム形状のアウタリード部１０４
は、封止用樹脂材１０９Ａの側面から外側に直線状に延
びるため、アウタリード部１０４の先端部の底面の位置
が少なくとも封止用樹脂材１０９Ａの底面の位置にまで
ベンディングする必要があり、このときのベンディング
工程において、アウタリード部１０４のベンディングの
程度にばらつきが生じるからである。
【００１５】本発明は、前記従来の問題を解決し、単層
の金属板から多列構成のランド、特に３列以上のランド
を有するリードフレームを小型に且つ容易に得られるよ
うにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、フレーム枠部とダイパッド部との間に複
数のランドを行列状に配置し、配置した複数のランドと
フレーム枠部とを、リード保持材によってフレーム枠部
の少なくとも一方の面側から保持する構成とする。
【００１７】具体的には、本発明に係る第１のリードフ
レームは、フレーム枠部と、該フレーム枠部の内側に配
置され、その上面に半導体素子を保持するダイパッド部
と、ダイパッド部の周辺部に配置され、ダイパッド部の
下面側に凸部を有する複数の内側インナリード部とを備
え、フレーム枠部と複数の内側インナリード部とは、そ
の上面又は下面をリード保持材により保持されている。
【００１８】第１のリードフレームによると、ダイパッ
ド部の周辺部に配置され、且つ、ダイパッド部の下面側
に外部端子（ランド）となる凸部を有する複数の内側イ
ンナリード部は、フレーム枠部とその上面又は下面をリ
ード保持材により保持されているため、内側インナリー
ド部がフレーム枠部に支持される必要がない。従って、
該内側インナリード部とフレーム枠部とを連結する連結
支持部（サポート部）を設けなくても済むため、例えば
３列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間
に設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げること
がないので、単層の金属板から多列構成のランドを有す
るリードフレームを小型に且つ容易に得ることができ
る。
【００１９】第１のリードフレームにおいて、複数の内
側インナリード部の少なくとも一部は、各凸部が互いに
絶縁されており、絶縁された各凸部の周辺部には、その
先端部が凸部の頂面を超えない程度に下面と垂直な方向
に延びる突起部（かえり）が形成されていることが好ま
しい。すなわち、リードフレームの製造工程の前工程に
おいて、例えば、内側インナリード部がダイパッド部か
ら延びる連結支持部により支持されており、該連結支持
部を後工程においてスタンパ（金型パンチ）等によりせ
ん断（切断）加工する際に生じるかえり（ｂｕｒｒ）の
先端部が凸部の頂面を超えない程度に形成されている
と、封止用樹脂材により樹脂封止する際に凸部の頂面の
みを確実に露出することができるため、リーク電流を防
止でき、その結果、本半導体装置の誤動作を防止するこ
とができる。
【００２０】第１のリードフレームは、フレーム枠部と
内側インナリード部との間に配置され、フレーム枠部か
ら内側に延びると共にダイパッド部の下面側に凸部を有
する複数の外側インナリード部をさらに備えていること
が好ましい。このようにすると、多列構成のランドを有
するリードフレームを確実に形成できる。
【００２１】本発明に係る第２のリードフレームは、フ
レーム枠部と、該フレーム枠部の内側に配置され、その
上面に半導体素子を保持するダイパッド部と、フレーム
枠部とダイパッド部との間に配置されたインナリード部
とを備え、フレーム枠部とインナリード部とは、その上
面又は下面をリード保持材により保持されており、イン
ナリード部は、ダイパッド部の下面側に設けられ互いに
間隔をおいてなる複数の凸部を有し、複数の凸部の少な
くとも一部は隣接する凸部同士が互いに絶縁され、その
残部は隣接する凸部同士が連結支持部により支持されて
いる。
【００２２】第２のリードフレームによると、フレーム
枠部とインナリード部との上面又は下面はリード保持材
により保持されており、インナリード部は、ダイパッド
部の下面側に設けられ互いに間隔をおいてなる複数のラ
ンドとなる凸部を有し、該複数の凸部の少なくとも一部
は隣接する凸部同士が互いに絶縁され、その残部は隣接
する凸部同士が連結支持部により支持されている。この
ため、ランドとなる互いに絶縁された凸部同士がフレー
ム枠部に支持される必要がなくなる。従って、絶縁され
た凸部を含むインナリード部とフレーム枠部とを連結す
る連結支持部（サポート部）を設けなくても済むため、
例えば３列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部
との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げ
ることがないので、単層の金属板から多列構成のランド
を有するリードフレームを小型に且つ容易に得ることが
できる。
【００２３】第２のリードフレームにおいて、絶縁され
た各凸部の周辺部には、その先端部が凸部の頂面を超え
ない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成され
ていることが好ましい。
【００２４】第２のリードフレームにおいて、ダイパッ
ド部がその下面に凹部を有していることが好ましい。こ
のようにすると、封止樹脂部の底面から半導体素子まで
の距離が長くなるため、封止樹脂部の内部に水分等が侵
入しにくくなる。また、半導体素子の底面側にも樹脂材
がより厚く充填されるので、半導体素子が樹脂材の上方
から受ける応力が低減される。
【００２５】本発明に係る第３のリードフレームは、フ
レーム枠部と、フレーム枠部の内側に配置され、その上
面に半導体素子を保持するダイパッド部と、フレーム枠
部とダイパッド部との間に配置された複数のランド部及
び該複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するイ
ンナリード部とを備え、フレーム枠部とランド部とは、
その上面又は下面をリード保持材により保持されてお
り、インナリード部は、互いに隣接する一のランド部同
士の間に他のランド部同士を接続すると共に上面が一の
ランド部の頂面の高さと同等で且つ下面が一のランド部
同士の下面よりも高くなるように設けられ、ランド部に
おけるインナリード部が延びる方向に対して垂直な方向
の断面形状は、インナリード部の側面と対向する上部が
小さい断面凸字状である。
【００２６】第３のリードフレームによると、一のラン
ド部同士の間に他のランド部同士を接続するインナリー
ド部を設ける場合であっても、該ランド部が上面側に凸
部を有するため、インナリード部がランド部の側面同士
の間隔が下部よりも大きい上部の側方領域に位置するの
で、ランド部を小さくしたり、インナリード部の径を小
さくすることなく、ランド部間に確実にインナリード部
を設けることができる。
【００２７】本発明に係る第１のリードフレームの製造
方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレ
ーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持される
ダイパッド部と、該ダイパッド部の周縁部と接続された
複数の内側インナリード部と、フレーム枠部と接続され
た複数の外側インナリード部とを一体に形成する第１の
工程と、複数の内側インナリード部のダイパッド部から
それぞれ間隔をおいた部分、及び複数の外側インナリー
ド部のフレーム枠部からそれぞれ間隔をおいた部分で且
つダイパッド部の素子保持面側と反対側の面に凸部を形
成する第２の工程と、少なくとも複数の内側インナリー
ド部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面
と反対の面側にリード保持材を設けることにより、複数
の内側インナリード部及びフレーム枠部をリード保持材
により保持する第３の工程と、複数の内側インナリード
部の少なくとも一部における凸部とダイパッド部との間
の領域を除去することにより、複数の内側インナリード
部とダイパッド部とを選択的に絶縁する第４の工程とを
備えている。
【００２８】第１のリードフレームの製造方法による
と、複数の内側インナリード部及び外側インナリード部
におけるダイパッド部の素子保持面と反対側の面にそれ
ぞれ凸部を形成し、少なくとも複数の内側インナリード
部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と
反対の面側にリード保持材を設けるため、この後に、複
数の内側インナリード部の少なくとも一部の凸部とダイ
パッド部との間の領域を除去することにより、複数の内
側インナリード部とダイパッド部とをせん断加工やエッ
チング加工等により選択的に絶縁したとしても、内側イ
ンナリード部がフレーム枠部から脱離する虞がない。従
って、内側インナリード部とフレーム枠部とを連結して
支持する連結支持部（サポート部）を設けなくても済む
ため、例えば３列以上のランドをフレーム枠部とダイパ
ッド部との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化
を妨げることがないので、単層の金属板から多列構成の
ランドを有するリードフレームを小型に且つ容易に得る
ことができる。
【００２９】第１のリードフレームの製造方法におい
て、第２の工程が、複数の内側インナリード部の凸部形
成領域とダイパッド部との間の領域、及び複数の外側イ
ンナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との間の領
域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチン
グを行なうことにより、凸部を形成する工程を含むこと
が好ましい。このようにすると、ランドとなる凸部を確
実に且つ微細に形成することができる。
【００３０】第１のリードフレームの製造方法におい
て、第２の工程が、複数の内側インナリード部の凸部形
成領域とダイパッド部との間の領域、及び複数の外側イ
ンナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との間の領
域における素子保持面側と反対側の面を押圧することに
より、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。この
ようにすると、ランドとなる凸部を確実に且つ容易に形
成することができる。
【００３１】第１のリードフレームの製造方法におい
て、第４の工程が、凸部とダイパッド部との間の領域を
切断手段を用いて切断することにより、凸部とダイパッ
ド部とを絶縁する工程を含むことが好ましい。このよう
にすると、凸部とダイパッド部との間の領域を容易に且
つ確実に絶縁することができるので、互いに絶縁された
凸部からなるランドを確実に形成することができる。
【００３２】本発明に係る第２のリードフレームの製造
方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレ
ーム枠部の内側から延びる第１の連結支持部により支持
されると共に第２の連結支持部により互いに連結された
複数のインナリード部及びダイパッド部とを一体に形成
する第１の工程と、複数のインナリード部におけるダイ
パッド部の素子保持面側と反対側の面にそれぞれ間隔を
おくように凸部を形成する第２の工程と、複数のインナ
リード部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保
持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、
インナリード部及びフレーム枠部をリード保持材により
保持する第３の工程と、複数のインナリード部における
第２の連結支持部の少なくとも一部の、互いに隣接する
凸部同士の間又は互いに隣接する凸部とダイパッド部と
の間の領域を除去することにより、複数のインナリード
部を選択的に絶縁する第４の工程とを備えている。
【００３３】第２のリードフレームの製造方法による
と、複数のインナリード部におけるダイパッド部の素子
保持面と反対側の面にそれぞれ間隔をおくように凸部を
形成し、複数のインナリード部及びフレーム枠部の素子
保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材
を設けるため、この後に、複数のインナリード部におけ
る第２の連結支持部の少なくとも一部の互いに隣接する
凸部同士の間又は互いに隣接する凸部とダイパッド部と
の間の領域を除去することにより、複数のインナリード
部とダイパッド部とをせん断加工やエッチング加工等に
より選択的に絶縁したとしても、インナリード部及びダ
イパッド部がフレーム枠部から脱離する虞がない。従っ
て、インナリード部及びダイパッド部とフレーム枠部と
を連結して支持する連結支持部（サポート部）を設けな
くても済むため、例えば３列以上のランドをフレーム枠
部とダイパッド部との間に設けたとしても、フレーム枠
部の小型化を妨げることがないので、単層の金属板から
多列構成のランドを有するリードフレームを小型に且つ
容易に得ることができる。
【００３４】第２のリードフレームの製造方法におい
て、第２の工程が、第２の連結支持部の凸部形成領域同
士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領域に
おける素子保持面側と反対側の面に対してエッチングを
行なうことにより、凸部を形成する工程を含むことが好
ましい。
【００３５】第２のリードフレームの製造方法におい
て、第２の工程が、第２の連結支持部の凸部形成領域同
士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領域に
おける素子保持面側と反対側の面を押圧することによ
り、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。
【００３６】第２のリードフレームの製造方法におい
て、第４の工程が、第２の連結支持部の凸部同士の間又
は凸部とダイパッド部との間の領域を切断手段を用いて
切断することにより、凸部同士又は凸部とダイパッド部
とを絶縁する工程を含むことが好ましい。
【００３７】第１及び第２のリードフレームの製造方法
において、切断手段が凸部及びダイパッド部の上面に対
してほぼ平行な切断面を有していることが好ましい。こ
のようにすると、凸部等の周辺部にかえりが生じなく
る。さらに、このような打ち抜きにより切断すると切断
くずが生じるが、該切断くずをリード保持材に保持させ
ることにより、切断くずの製造工程に対する影響を及ぼ
さないようにすることができる。
【００３８】本発明に係る第３のリードフレームの製造
方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレ
ーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持される
と共に互いに間隔をおいて連結された複数のランド部及
び該複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するイ
ンナリード部と、素子保持面を有するダイパッド部とを
一体に形成する第１の工程と、複数のランド部及びフレ
ーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側
にリード保持材を設けることにより、ランド部及びフレ
ーム枠部をリード保持材により保持する第２の工程と、
複数の連結支持部における互いに隣接するランド部同士
間の領域のうちの少なくとも一部を除去することによ
り、複数のランド部を選択的に絶縁する第３の工程とを
備えている。
【００３９】第３のリードフレームの製造方法による
と、ランド部及びフレーム枠部の上面又は下面をリード
保持材により保持しているため、複数のランド部だけで
なく、複数のランド部のうちの一部を電気的に接続する
インナリード部を有するリードフレームであっても、ラ
ンド部及びインナリード部がフレーム枠部から脱離する
虞がないので、単層の金属板から多列構成のランドを有
するリードフレームを小型に且つ容易に得ることができ
る。
【００４０】第３のリードフレームの製造方法におい
て、第１の工程が、互いに隣接するランド部同士及びそ
の間に位置する連結支持部における素子保持面側であっ
て、ランド部同士における連結支持部と並行する中央部
部分及びその間の連結支持部をマスクして、ランド部の
素子保持面側に対してその厚さのほぼ２分の１をエッチ
ングすることにより、ランド部同士の間に連結支持部か
らインナリード部を形成する工程と、複数のランド部の
素子保持面側と反対側の面をマスクして、ランド部の素
子保持面側と反対側の面に対して、ランド部同士及びイ
ンナリード部がそれぞれ分離するようにエッチングする
工程とを含むことが好ましい。
【００４１】このようにすると、各ランド部の断面形状
が、ダイパッド部の素子保持面側に凸字状となり、互い
に隣接するランド部同士の間には、上面がランドの上面
の高さと同等で且つ底面がランド部の底面よりも高くな
るインナリード部が形成されるため、本発明の第３のリ
ードフレームを確実に形成することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】図１は本発明の第１の実施形態に係るリー
ドフレームであって、内側インナリード部の絶縁加工前
の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの１
つ分のダイパッド部を含む部分の底面構成を示してい
る。
【００４４】図１に示すように、リードフレーム１０
は、フレーム枠部１１と、該フレーム枠部１１の内側に
連結支持部としてのサポートリード部１２により四隅が
支持され、その上面（図１の裏面側）に半導体素子を保
持するダイパッド部１３と、それぞれがダイパッド部１
３の周辺部に支持され、ダイパッド部１３の底面に凸部
１４ａを有する複数の内側インナリード部１４Ａと、フ
レーム枠部１１と内側インナリード部１４Ａとの間に配
置され、フレーム枠部１１から内側に延びると共に、底
面側に凸部１４ａを有する複数の外側インナリード部１
４Ｂとを備えている。ここで、ダイパッド部１３の底面
の中央部分には凹部１３ａが形成されている。
【００４５】本実施形態に係るリードフレーム１０は、
フレーム枠部１１と複数の内側インナリード部１４Ａ及
び外側インナリード部１４Ｂとがそれらの底面をリード
保持材としての粘着性テープ材２０により保持されてい
ることを特徴とする。
【００４６】図２は図１に示すリードフレーム１０にお
ける絶縁加工後の底面構成を示している。図２に示すよ
うに、ダイパッド部１３と内側インナリード部１４Ａと
の支持部分は切断されて除去されることにより、内側イ
ンナリード部１４Ａとダイパッド部１３とが絶縁されて
いる。
【００４７】内側インナリード部１４Ａ及び外側インナ
リード部１４Ｂにおける各凸部１４ａは、それらの頂面
のみが封止用樹脂材からそれぞれ露出するように半導体
素子（図示せず）と一体に封止されることにより、外部
端子であるランドとなる。
【００４８】このように、第１の実施形態によると、フ
レーム枠部１１と内側インナリード部１４Ａとが各底面
を粘着性テープ材２０により保持されているため、内側
インナリード部１４Ａとダイパッド部１３とを絶縁（孤
立化）する加工を施したとしても、内側インナリード部
１４Ａがフレーム枠部１１から脱離する虞がない。従っ
て、内側インナリード部１４Ａに、フレーム枠部１１に
よって支持される連結支持部を設けなくても済むため、
例えば３列以上のランドをフレーム枠部１１とダイパッ
ド部１３との間に設けたとしても、フレーム枠部１１の
小型化を妨げることがなくなる。その結果、従来のよう
にセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することによ
り実現された、外側部からダイパッド部までのランドの
列数が３列以上のＬＧＡ型の半導体装置を、単層の金属
板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確
実に実現することができるようになる。
【００４９】なお、第１の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム１０の底面側に全面にわ
たって貼付したが、これに限られない。すなわち、絶縁
（孤立化）された複数の内側リードフレーム１４Ａがダ
イパッド部１３又はフレーム枠部１１に保持されればよ
く、上面であっても底面であってよい。但し、上面に貼
付する場合は、半導体素子のダイボンディング工程及び
ワイヤボンディング工程において妨げにならない領域に
貼付する必要がある。
【００５０】また、絶縁された内側リードフレーム１４
Ａを保持するリード保持材に粘着性テープ材２０を用い
たが、代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜
を用いてもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。
【００５１】以下、前記のように構成されたリードフレ
ームの製造方法の概略を図面に基づいて説明する。
【００５２】図３（ａ）〜図３（ｄ）は本発明の第１の
実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断
面構成を示している。
【００５３】まず、図３（ａ）に示すように、銅（Ｃ
ｕ）を主成分とする合金又は鉄（Ｆｅ）及びニッケル
（Ｎｉ）の合金からなるリードフレーム形成用の板状の
金属部材から、フレーム枠部（図示せず）と、該フレー
ム枠部内に位置するダイパッド部１３と、該ダイパッド
部１３の周縁部と接続された内側インナリード部１４Ａ
と、フレーム枠部と接続された外側インナリード部１４
Ｂとを、例えば、スタンピング又はエッチングにより一
体成形してリードフレーム１０を形成する。
【００５４】続いて、内側インナリード部１４Ａ及び外
側インナリード部１４Ｂの底面における凸部形成領域以
外の領域に対して凹部１４ｂを形成することにより、ラ
ンドとなる凸部１４ａを形成する。具体的には、リード
フレーム１０の底面側であって、ダイパッド部１３と内
側インナリード部１４Ａとの間の領域、及び内側インナ
リード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂとの間の領
域に対して、金型によるプレス又はハーフエッチングを
行なって凹部１４ｂを形成することにより、内側インナ
リード部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂに凸部１
４ａをそれぞれ形成する。
【００５５】次に、図３（ｂ）に示すように、例えば、
内側インナリード部１４Ａ、外側インナリード部１４Ｂ
及びフレーム枠部の底面側に粘着性テープ材２０を貼付
する。
【００５６】次に、図３（ｃ）に示すように、切断手段
しての切断用ポンチ２１を用いて、リードフレーム１０
における各凹部１４ｂの上方、すなわち、ダイパッド部
１３と内側インナリード部１４Ａとの間の領域、及び内
側インナリード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂと
の間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部１３と凸部１４
ａとの間の領域、及び内側インナリード部１４Ａと外側
インナリード部１４Ｂとの間の領域を除去することによ
り、図３（ｄ）に示すように、ダイパッド部１３と内側
インナリード部１４Ａとを絶縁（孤立化）する。ここ
で、必ずしもすべての凸部１４ａを絶縁する必要はな
く、所望の凸部１４ａを孤立化すればよい。
【００５７】本実施形態のように、凸部１４ａの絶縁工
程において、切断用ポンチ２１を用いると、図３（ｄ）
に示すように、絶縁された各凸部１４ａの周辺部に、か
えり（突起部）１４ｃが形成されてしまうが、かえり１
４ｃの先端部が凸部１４ａの頂面を超えない程度に、か
えり１４ｃの発生を抑えることが好ましい。このように
すると、封止用樹脂材により樹脂封止する際に、凸部１
４ａの頂面のみを確実に露出させることができるので、
実装時のリーク電流を防止することができる。
【００５８】なお、凸部１４ａの絶縁化処理、すなわち
孤立化処理は、スタンピングではなく、エッチングによ
り行なってもよい。
【００５９】（第１の実施形態に係る製造方法の一変形
例）以下、第１の実施形態に係るリードフレームの製造
方法の一変形例を説明する。
【００６０】図４（ａ）〜図４（ｄ）は本発明の第１の
実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断
面構成を示している。図４（ａ）〜図４（ｄ）におい
て、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示す構成部材と同一の構
成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略す
る。
【００６１】図４（ｃ）に示すように、本変形例におい
ては、リードフレーム１０の上面に対してほぼ平行な切
断面を持つ切断用ポンチ２２を用いることを特徴とす
る。
【００６２】切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持
つ切断用ポンチ２２を用いると、図４（ｄ）に示すよう
に、ダイパッド部１３、内側インナリード部１４Ａ及び
外側インナリード部１４Ｂの各切断面にかえり（突起
部）を生じないように切断することができる。
【００６３】代わりに、リードフレーム１０から分離し
た切断くず１４ｄが発生するが、該切断くず１４ｄは粘
着性テープ材２０上に落下するため、粘着性テープ材２
０を剥がす前に、粘着性テープ材２０の粘着力が生じる
程度に加熱すると、切断くず１４ｄを粘着性テープ材２
０に粘着させることができる。このため、切断くず１４
ｄの散乱を防止できるので、切断くず１４ｄが製造プロ
セスに悪影響を与えないようにすることができる。
【００６４】なお、切断面にかえりが生じない切断手段
として、切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持つ切
断用ポンチ２２以外にも、切断対象面に対して凹面を持
つ形状のポンチであっても良い。
【００６５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００６６】図５（ａ）及び図５（ｂ）は本発明の第２
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、
（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のＶｂ−Ｖｂ
線における断面構成を拡大して示している。図５（ａ）
及び図５（ｂ）において、図２及び図３に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明
を省略する。
【００６７】図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第２の実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置４０は、図２に示す
第１の実施形態に係るリードフレーム１０と同様の構成
のリードフレームを用いており、さらに、内側インナリ
ード部１４Ａと外側インナリード部１４Ｂを共に２列と
する４列構成としている。
【００６８】図５（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導
体装置４０は、リードフレーム１０のダイパッド部１３
上に銀ペースト材４１により固着され保持された半導体
素子（半導体チップ）４２と、該半導体素子４２の外部
端子（図示せず）と内側インナリード部１４Ａ及び外側
インナリード部１４Ｂとを電気的に接続する金（Ａｕ）
からなるワイヤ（金属細線）４３と、封止樹脂部４４と
から構成されている。
【００６９】封止樹脂部４４は、例えば熱硬化性樹脂材
からなり、内側インナリード部１４Ａの各凸部１４ａ及
び外側インナリード部１４Ｂの各凸部１４ａの頂面並び
にダイパッド部１３の底面をそれぞれ露出するように、
半導体素子４２、ダイパッド部１３、内側インナリード
部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂを封止してい
る。
【００７０】また、絶縁された各凸部１４ａの周辺部に
は、各凸部１４ａの絶縁（孤立化）加工時に切断用ポン
チによるかえり（突起部）１４ｃが形成されており、こ
のかえり１４ｃの先端部は、凸部１４ａの頂面を超えな
い程度に抑えられている。
【００７１】以下、前記のように構成された樹脂封止型
半導体装置４０の製造方法について説明する。
【００７２】まず、第１の実施形態に示したような、孤
立したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きのリ
ードフレーム１０を用意する。１つのリードフレーム１
０に複数のダイパッド部１３が形成されているとする。
【００７３】次に、ダイボンディング工程において、リ
ードフレーム１０の各ダイパッド部１３の上面に複数の
半導体素子４２をそれぞれ銀ペースト材４１により固着
する。
【００７４】次に、ワイヤボンディング工程において、
ワイヤ４３により、各半導体素子４２の外部端子と内側
インナリード部１４Ａ及び外側インナリード部１４Ｂと
をそれぞれ電気的に接続する。
【００７５】次に、封止工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム１０の素子保持面（上面）側に貼付さ
れている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材
を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、各
凸部１４ａの頂面及び各ダイパッド部１３の底面を露出
するように、複数の半導体素子４２、複数のダイパッド
部１３、複数の内側インナリード部１４Ａ及び複数の外
側インナリード部１４Ｂを封止用樹脂材により一括に封
止して、封止樹脂部４４を形成する。
【００７６】ここで、粘着性テープ材の溶解には、一例
として、粘着性テープ材にポリイミドを用いる場合に
は、溶剤として、１０５℃〜１１０℃程度に加熱した濃
度が約５０％の水酸化ナトリウム水溶液又はヒドラジン
とエチレンジアミンとの混合液等を用いるとよい。
【００７７】次に、分割工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム１０の素子保持面と反対側の面（底
面）に設けられている場合には、該底面側に設けられた
粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去
する。続いて、複数の半導体素子４２が固着され、一括
に封止されたリードフレーム１０及び封止樹脂部４４
を、複数の半導体素子４２のうちの少なくとも１つが含
まれるように、例えばダイシングブレードを用いて切断
することにより、チップ状に分割する。
【００７８】以上の工程により、図５（ａ）及び図５
（ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置を得る。
【００７９】本発明に係るリードフレーム１０は、底面
に凹部１３ａが設けられているため、封止樹脂部４４に
おける半導体素子４２の下側部分の厚さが大きくなるの
で、半導体素子４２が封止樹脂部４４の上方から受ける
応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、その結
果、半導体素子４２が受ける応力が低減する。さらに、
ダイパッド部１３における封止樹脂部４４の底面から侵
入する水分の侵入経路が長くなるため、耐湿性にも優れ
るようになり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。
【００８０】なお、内側インナリード部１４Ａ及び外側
インナリード部１４Ｂの上面を銀（Ａｇ）によりめっき
し、該インナリード部１４Ａ、１４Ｂ及びダイバッド部
１３の底面を、スズ（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）又はスズ
（Ｓｎ）及びビスマス（Ｂｉ）含む合金（はんだ）によ
りめっきすると、ワイヤボンディング工程及び実装基板
への実装工程において電気的な接続が確実となる。
【００８１】また、リードフレーム１０が銅合金からな
る場合には、めっき材として、ニッケル（Ｎｉ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）を含む合金を用いると、
インナリード部１４Ａ、１４Ｂの上面及び底面、並びに
ダイバッド部１３の底面に対して１種類の合金によりめ
っきすることができる。
【００８２】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００８３】図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第３
の実施形態に係るリードフレームであって、（ａ）はラ
ンドの絶縁（孤立化）加工前の複数のダイパッド部が設
けられたリードフレームの１つ分のダイパッド部を含む
部分の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIｂ−VIｂ線
における断面構成を示している。
【００８４】図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、
リードフレーム３０は、フレーム枠部３１と、該フレー
ム枠部３１の内側に配置され、その上面に半導体素子を
保持するダイパッド部３３と、該ダイパッド部３３の周
辺部にそれぞれ３列に配置され、素子保持面と反対側の
面（底面）にランドとなる凸部を有する複数のインナリ
ード部３４とを備えている。
【００８５】複数のインナリード部３４のうち、一部は
フレーム枠部３１から延びる第１の連結支持部としての
枠部連結支持部３２Ａにより支持されている。残部のイ
ンナリード部３４同士及びダイパッド部３３と隣接する
インナリード部３４は、第２の連結支持部としてのラン
ド連結支持部３２Ｂにより支持されている。
【００８６】各凸部は、ランド連結支持部３２Ｂの凸部
同士の間又は該凸部とダイパッド部３３との間の領域の
底面に対してハーフエッチング処理又はプレス処理を行
なうことにより形成される。
【００８７】ダイパッド部３３の底面の中央部分には凹
部３３ａが形成されている。また、インナリード部３４
の周辺部に、封止用樹脂材により封止される領域である
封止領域４４Ａを破線で表わしている本実施形態に係る
リードフレーム３０は、フレーム枠部３１と複数のイン
ナリード部３４とがそれらの底面をリード保持材として
の粘着性テープ材２０により保持されていることを特徴
とする。
【００８８】図７（ａ）及び図７（ｂ）は図６（ａ）及
び図６（ｂ）に示すリードフレーム３０におけるランド
の絶縁（孤立化）加工後の底面構成を示している。図７
（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、各ランド連結支持
部３２Ｂが切断又はエッチングにより除去されることに
より、インナリード部３４同士又は該インナリード部３
４とダイパッド部３３とが絶縁されている。
【００８９】このように、第３の実施形態によると、フ
レーム枠部３１とインナリード部３４とが各底面を粘着
性テープ材２０により保持されているため、インナリー
ド部３４同士及びダイパッド部３３を電気的に絶縁す
る、すなわち孤立化する加工を施したとしても、インナ
リード部３４及びダイパッド部３３がフレーム枠部３１
から脱離する虞がない。従って、すべてのインナリード
部３４Ａ及びダイパッド部３３に、フレーム枠部３１に
よって支持される連結支持部を設けなくても済むため、
例えば３列以上のランドをフレーム枠部３１とダイパッ
ド部３３との間に設けたとしても、フレーム枠部３１の
小型化を妨げることがなくなる。その結果、従来のよう
にセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することによ
り実現された、外側部からダイパッド部までのランドの
列数が３列以上のＬＧＡ型の半導体装置を、単層の金属
板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確
実に実現することができるようになる。
【００９０】なお、第３の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム３０の底面側に貼付した
が、これに限られない。具体的には、絶縁された、すな
わち孤立化された複数のリードフレーム３４及びダイパ
ッド部３３がフレーム枠部３１に保持されればよく、上
面であっても底面であってよい。但し、上面に貼付する
場合は、半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤ
ボンディング工程時に妨げにならない領域に貼付する必
要がある。
【００９１】また、絶縁されたリードフレーム３４を保
持するリード保持材に粘着性テープ材２０を用いたが、
代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜を用い
てもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。
【００９２】第３の実施形態においても、ランドの絶縁
（孤立化）処理には切断用ポンチによる打ち抜き加工を
行なってもよく、エッチングを行なってもよい。例え
ば、打ち抜き加工を行なった場合には、第１の実施形態
と同様に、絶縁された各インナリード部３４の周辺部
に、かえり（突起部）が形成されてしまうが、かえりの
先端部が凸部の頂面を超えない程度に、かえりの発生を
抑える必要がある。
【００９３】また、必ずしもすべてのインナリード部３
４を絶縁する必要はない。例えば、ダイパッド部３３上
に保持する半導体素子（チップ）の寸法がダイパッド部
３３よりも大きく、ダイパッド部３３の周辺部にはみ出
すような場合には、該半導体素子の周縁部により覆われ
るインナリード部３４をダイパッド部３３と接続したま
まにしておくことが好ましい。このようにすると、ダイ
パッド部３４の放熱面積及び熱容量が大きくなるので、
樹脂封止型半導体装置の放熱性が向上する。
【００９４】（第３の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第３の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。
【００９５】図８（ａ）及び図８（ｂ）は第３の実施形
態の一変形例に係るリードフレームであって、（ａ）は
ランドの絶縁（孤立化）加工後の複数のダイパッド部が
設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド部を含
む部分の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIIIｂ−VI
IIｂ線における断面構成を示している。図８（ａ）及び
図８（ｂ）において、図７（ａ）及び（ｂ）に示す構成
部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより
説明を省略する。
【００９６】本変形例は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に
示すように、各ランド連結支持部３２Ｂのみならず、フ
レーム枠部３１とリードフレーム部３４との間の枠部連
結支持部３２Ａも切断又はエッチングにより除去されて
いる。
【００９７】このように枠部連結支持部３２Ａをも除去
すると、図８（ｂ）に示すように、封止領域４４Ａの側
面からリードフレーム３０が露出しなくなるため、半導
体装置における実装時の側面からのリーク電流を防止す
ることができる。
【００９８】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００９９】図９（ａ）〜図９（ｄ）は本発明の第４の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、（ａ）
は平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示し、（ｃ）は
右側面の構成を示し、（ｄ）は底面構成を示している。
図９（ａ）〜図９（ｄ）において、図７に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明
を省略する。
【０１００】図９（ａ）〜図９（ｄ）に示す第４の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置６０は、図７に示す第
３の実施形態に係るリードフレーム３０と同様の構成の
リードフレームを用いており、さらにインナリード部３
４を４列構成としている。
【０１０１】樹脂封止型半導体装置６０は、リードフレ
ームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保
持された半導体素子（半導体チップ）と、該半導体素子
の外部端子とインナリード部３４とを電気的に接続する
金（Ａｕ）からなるワイヤ（金属細線）と、封止樹脂部
４４とから構成されている。
【０１０２】封止樹脂部４４は、例えば熱硬化性樹脂材
からなり、インナリード部３１の各凸部の頂面並びにダ
イパッド部３３の底面をそれぞれ露出するように、半導
体素子、ダイパッド部３３及びインナリード部３４を封
止している。
【０１０３】以下、前記のように構成された樹脂封止型
半導体装置６０の製造方法について説明する。
【０１０４】まず、第２の実施形態に示したような、孤
立化したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きの
リードフレーム３０を用意する。ここでも、１つのリー
ドフレーム３０に複数のダイパッド部３３が形成されて
いるとする。
【０１０５】次に、ダイボンディング工程において、リ
ードフレーム３０の各ダイパッド部３３の上面に複数の
半導体素子をそれぞれ銀ペースト材により固着する。
【０１０６】次に、ワイヤボンディング工程において、
ワイヤにより、各半導体素子の外部端子とインナリード
部３４とをそれぞれ電気的に接続する。
【０１０７】次に、封止工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム３０の素子保持面（上面）側に貼付さ
れている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材
を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、リ
ードフレーム部３４の各凸部の頂面及び各ダイパッド部
３３の底面を露出するように、複数の半導体素子、複数
のダイパッド部３３、複数のインナリード部３４を封止
用樹脂材により一括に封止して、封止樹脂部４４を形成
する。
【０１０８】次に、分割工程において、粘着性テープ材
がリードフレーム３０の底面側に設けられている場合に
は、該底面に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又
は化学的に溶解して除去する。続いて、複数の半導体素
子が固着され、一括に封止されたリードフレーム３０及
び封止樹脂部４４を、複数の半導体素子のうちの少なく
とも１つが含まれるように、例えばダイシングブレード
を用いて切断することにより、チップ状に分割する。
【０１０９】以上の工程により、図９（ａ）〜図９
（ｄ）に示す樹脂封止型半導体装置を得る。
【０１１０】本発明に係るリードフレーム３０において
も、底面に凹部３３ａが設けられているため、封止樹脂
部４４における半導体素子の下側部分の厚さが大きくな
るので、半導体素子が封止樹脂部４４の上方から受ける
応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、その結
果、半導体素子が受ける応力が低減する。さらに、ダイ
パッド部３３における封止樹脂部４４の底面から侵入す
る水分の侵入経路が長くなるため、耐湿性に優れるよう
になり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。
【０１１１】（第４の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第４の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。
【０１１２】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は本発明の第
４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、
（ａ）平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示し、
（ｃ）は右側面の構成を示し、（ｄ）は底面構成を示し
ている。図１０（ａ）〜図１０（ｄ）において、図９
（ａ）〜図９（ｄ）に示す構成部材と同一の構成部材に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１１３】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）に示す変形例
に係る樹脂封止型半導体装置６１は、図８に示す第３の
実施形態の一変形例に係るリードフレーム３０と同様の
構成のリードフレームを用いており、さらにインナリー
ド部３４を４列構成としている。
【０１１４】樹脂封止型半導体装置６１は、リードフレ
ームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保
持された半導体素子（半導体チップ）と、該半導体素子
の外部端子とインナリード部３４とを電気的に接続する
金（Ａｕ）からなるワイヤ（金属細線）と、封止樹脂部
４４とから構成されている。
【０１１５】封止樹脂部４４は、インナリード部３１の
各凸部の頂面並びにダイパッド部３３の底面をそれぞれ
露出するように、半導体素子、ダイパッド部３３及びイ
ンナリード部３４を封止している。
【０１１６】本変形例に係る樹脂封止型半導体装置６１
は、図１０（ｂ）の正面図及び図１０（ｃ）の右側面図
に示すように、側面封止樹脂部４４の各側面からリード
フレーム３０が露出しない。この構成により、該半導体
装置における実装時の側面からのリーク電流を防止する
ことができる。
【０１１７】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１１８】図１１（ａ）は本発明の第５の実施形態に
係るリードフレームであって、ランド部と該ランド部同
士を接続するインナリード部を有し、ランド部同士の絶
縁加工後のリードフレームの４分の１を含む部分の平面
構成を示している。
【０１１９】図１に示すように、第５の実施形態に係る
リードフレーム７０は、フレーム枠部７１と、該フレー
ム枠部７１の内側に連結支持部としてのサポートリード
部７２により隅部が支持され、その上面に半導体素子を
保持するダイパッド部７３と、フレーム枠部７１とダイ
パッド部７３との間に配置された複数のランド部７５と
を備えている。ここで、ダイパッド部７３の上面の中央
部分には凸部７３ａが形成されている。
【０１２０】複数ランド部７５のうちの一部はフレーム
枠部７１から延びる連結支持部７４Ａに支持されてお
り、残部はスタンピング等により絶縁（孤立）されてい
る。
【０１２１】また、複数のランド部７５のうちの一部
は、連結支持部７４Ａから形成されたインナリード部７
４Ｂにより電気的に接続されている。
【０１２２】第５の実施形態に係るリードフレーム７０
は、これまでの実施形態と同様に、フレーム枠部７１と
複数のランド部７５とがそれらの底面（図１１の裏面
側）をリード保持材としての粘着性テープ材２０により
保持され、絶縁されたランド部７５がリードフレーム７
０から脱離しないことを第１の特徴とする。
【０１２３】また、ランド部７５と該ランド部７５の間
に位置するインナリード部７４Ｂとの断面形状を第２の
特徴とする。
【０１２４】通常、ランド部７５同士は電気的に孤立さ
せて用いるが、半導体素子の仕様によっては、一のラン
ド部７５と他のランド部７５とを同電位にするために、
インナリード部７４Ｂを設けたい場合がある。しかしな
がら、ランド部７５間の間隔が小さい場合には、インナ
リード部７４Ｂを配置するスペースを確保することが困
難となる。その場合には、例えば、各ランド部７５の径
を小さくしたり、インナリード部７４Ｂの径を小さくし
たりする必要が生じるが、このようにすると、ランド部
７５は実装基板との電気的な接触面積が減り、また、イ
ンナリード部７４Ｂは電気抵抗が増大する。
【０１２５】そこで、第５の実施形態においては、図１
１（ｂ）の断面図に示すように、インナリード部７４Ｂ
は、互いに隣接するランド部７５同士の間に上面がラン
ド部７５の頂面の高さと同等で且つ下面がランド部７５
の下面よりも高くなるように設けている。
【０１２６】一方、ランド部７５におけるインナリード
部７４Ｂが延びる方向に対して垂直な方向の断面形状
は、インナリード部７４Ｂの側面と対向する上部が小さ
い断面凸字状である。
【０１２７】これにより、ランド間距離ｄ１を小さくし
ながら、ランド部７５の頂部とインナリード部７４Ｂと
の間の距離であるリード間距離ｄ２をインナリード部７
４Ｂの両側に確実に確保することができる。なお、ラン
ド間距離ｄ１とリード間距離ｄ２とは同等であってもよ
い。
【０１２８】以上説明したように、インナリード部７４
Ｂは、ランド部７５の側面同士の間隔が下部よりも大き
い上部の側方領域に位置するため、ランド部７５の径を
小さくしたり、インナリード部７４Ｂ自体の径を小さく
することなく、ランド部７５の間にインナリード部７４
Ｂを設けることができるようになる。
【０１２９】次に、第５の実施形態に係るリードフレー
ムの製造方法を説明する。
【０１３０】まず、銅を主成分とする合金又は鉄及びニ
ッケルの合金からなるリードフレーム形成用の板状の金
属部材から、フレーム枠部７１と、該フレーム枠部７１
の内側に位置するダイパッド部７３と、該ダイパッド部
７３の周縁部又はフレーム枠部７１と接続された連結支
持部７４Ａとを、例えば、スタンピング又はエッチング
により一体成形してリードフレーム７０を形成する。
【０１３１】次に、連結支持部７４Ａから、ランド部７
５とインナリード部７４Ｂとをリードフレーム７０の両
面からのハーフエッチングにより形成する。
【０１３２】すなわち、互いに隣接するランド部７５同
士及びその間に位置する連結支持部７４Ａにおける素子
保持面（上面）側であって、ランド部７５同士における
連結支持部７４Ａと並行する中央部部分及びその間の連
結支持部７４Ａをマスクして、ランド部７５の素子保持
面側に対してリードフレーム７０の厚さのほぼ２分の１
をエッチングすることにより、ランド部７５同士の間に
連結支持部７４Ａからなるインナリード部７４Ｂを形成
する。
【０１３３】次に、ランド部７５における素子保持面側
と反対側の面（底面側）をマスクして、ランド部７５の
素子保持面側と反対側の面に対して、ランド部７５同士
及びインナリード部７４Ｂがそれぞれ分離し、ランド部
７５の周囲における上面側及び底面側が貫通するまでエ
ッチングする。これにより、互いに隣接するランド部７
５同士の側面とインナリード部７４Ｂの側面及び底面と
に囲まれた断面Ｙ字状の空隙が形成される。なお、ここ
での上面側と底面側とのハーフエッチングの順序は問わ
れない。
【０１３４】次に、複数のランド部７５及びフレーム枠
部７１の底面側に粘着性テープ材２０を貼付して、複数
のランド部７５及びフレーム枠部７１をテープ粘着性テ
ープ材により保持する。
【０１３５】次に、連結支持部７４Ａの少なくとも一部
の、連結支持部７４Ａが延びる方向に隣接するランド部
７５同士の間及びランド部７５とダイパッド部７３との
間の領域を、図３（ｃ）又は、図４（ｃ）に示したよう
な切断用ポンチにより機械的に切断するか、又はエッチ
ングにより化学的に除去することにより、複数のランド
部７５又はインナリード部７４Ｂを選択的に絶縁する。
【０１３６】なお、第５の実施形態においては、粘着性
テープ材２０をリードフレーム７０の底面側に全面にわ
たって貼付したが、これに限られない。すなわち、絶縁
（孤立化）された複数のランド７５がダイパッド部７３
又はフレーム枠部７１に保持されればよく、上面であっ
ても底面であってよい。但し、上面に貼付する場合は、
半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤボンディ
ング工程において妨げにならない領域に貼付する必要が
ある。
【０１３７】また、リード保持材として粘着性テープ材
２０を用いたが、これの代わりに、例えばアルミニウム
からなる金属薄膜を用いてもよく、その絶縁性及び導電
性は問われない。
【０１３８】さらに、第５の実施形態に係るリードフレ
ーム７０を用いた樹脂封止型半導体装置を得るには、第
２の実施形態に係る製造方法と同様に、ダイボンディン
グ工程、ワイヤボンディング工程、封止工程及び分割工
程を順次行なえばよい。
【０１３９】
【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びその製
造方法によると、複数のインナリード部がフレーム枠部
とその上面又は下面をリード保持材により保持されてい
るため、インナリード部がフレーム枠部に支持される必
要がない。従って、インナリード部とフレーム枠部とを
連結する連結支持部を設けなくても済むため、例えば３
列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間に
設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げることが
ないので、単層の金属板から多列構成のランドを有する
リードフレームを小型に且つ容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
を示し、内側インナリード部の絶縁加工前の複数のダイ
パッド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパ
ッド部を含む部分を示す底面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
を示し、内側インナリード部の絶縁加工後の複数のダイ
パッド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパ
ッド部を含む部分を示す底面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
の製造方法を示す工程順の部分的な構成断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の一変形例に係るリー
ドフレームの製造方法を示す工程順の部分的な構成断面
図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＶｂ−Ｖｂ線における構成断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム
を示し、（ａ）はランドの絶縁加工前の複数のダイパッ
ド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド
部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVI
ｂ−VIｂ線における構成断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム
を示し、（ａ）はランドの絶縁加工後の複数のダイパッ
ド部が設けられたリードフレームの１つ分のダイパッド
部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVI
Iｂ−VIIｂ線における構成断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の一変形例に係るリー
ドフレームを示し、（ａ）はランドの絶縁加工後の複数
のダイパッド部が設けられたリードフレームの１つ分の
ダイパッド部を含む部分を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のVIIIｂ−VIIIｂ線における構成断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図
であり、（ｃ）は右側面図であり、（ｄ）は底面図であ
る。
【図１０】本発明の第４の実施形態の一変形例に係る樹
脂封止型半導体装置を示し、（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は右側面図であり、
（ｄ）は底面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係るリードフレー
ムを示し、（ａ）はランド部同士の絶縁加工後のリード
フレームの部分平面図であり、（ｂ）は（ａ）のXI−XI
線における構成断面図である。
【図１２】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す構成断面
図である。
【符号の説明】
１０ リードフレーム １１ フレーム枠部 １２ サポートリード部（連結支持部） １３ ダイパッド部 １３ａ 凹部 １４Ａ 内側インナリード部 １４Ｂ 外側インナリード部 １４ａ 凸部（外部端子、ランド） １４ｂ 凹部 １４ｃ かえり（突起部） １４ｄ 切断くず ２０ 粘着性テープ材（リード保持材） ２１ 切断用ポンチ（切断手段） ２２ 切断用ポンチ（切断手段） ３０ リードフレーム ３１ フレーム枠部 ３２Ａ 枠部連結支持部（第１の連結支持部） ３５Ｂ ランド連結支持部（第２の連結支持部） ３３ ダイパッド部 ３３ａ 凹部 ３４ インナリード部 ４０ 樹脂封止型半導体装置 ４１ 銀ペースト材 ４２ 半導体素子（半導体チップ） ４３ ワイヤ（金属細線） ４４Ａ 封止領域 ４４ 封止樹脂部 ６０ 樹脂封止型半導体装置 ６１ 樹脂封止型半導体装置 ７０ リードフレーム ７１ フレーム枠部 ７２ サポートリード部 ７３ ダイパッド部 ７３ａ 凸部 ７４Ａ 連結支持部 ７４Ｂ インナリード部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小賀 彰 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福田 敏行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AB04 CC02 CC07 DF01

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレーム枠部と、 前記フレーム枠部の内側に配置され、その上面に半導体
    素子を保持するダイパッド部と、 前記ダイパッド部の周辺部に配置され、前記ダイパッド
    部の下面側に凸部を有する複数の内側インナリード部と
    を備え、 前記フレーム枠部と前記複数の内側インナリード部と
    は、その上面又は下面をリード保持材により保持されて
    いることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 前記複数の内側インナリード部の少なく
    とも一部は、各凸部が互いに絶縁されており、絶縁され
    た各凸部の周辺部には、その先端部が前記凸部の頂面を
    超えない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成
    されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフ
    レーム。
  3. 【請求項３】 前記フレーム枠部と前記内側インナリー
    ド部との間に配置され、前記フレーム枠部から内側に延
    びると共に前記ダイパッド部の下面側に凸部を有する複
    数の外側インナリード部をさらに備えていることを特徴
    とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 フレーム枠部と、 前記フレーム枠部の内側に配置され、その上面に半導体
    素子を保持するダイパッド部と、 前記フレーム枠部と前記ダイパッド部との間に配置され
    たインナリード部とを備え、 前記フレーム枠部と前記インナリード部とは、その上面
    又は下面をリード保持材により保持されており、 前記インナリード部は、前記ダイパッド部の下面側に設
    けられ互いに間隔をおいてなる複数の凸部を有し、 前記複数の凸部の少なくとも一部は隣接する凸部同士が
    互いに絶縁され、その残部は隣接する凸部同士が連結支
    持部により支持されていることを特徴とするリードフレ
    ーム。
  5. 【請求項５】 絶縁された前記各凸部の周辺部には、そ
    の先端部が前記凸部の頂面を超えない程度に下面と垂直
    な方向に延びる突起部が形成されていることを特徴とす
    る請求項４に記載のリードフレーム。
  6. 【請求項６】 前記ダイパッド部はその下面に凹部を有
    していることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれ
    か１項に記載のリードフレーム。
  7. 【請求項７】 フレーム枠部と、 前記フレーム枠部の内側に配置され、その上面に半導体
    素子を保持するダイパッド部と、 前記フレーム枠部と前記ダイパッド部との間に配置され
    た複数のランド部及び該複数のランド部のうちの一部を
    電気的に接続するインナリード部とを備え、 前記フレーム枠部と前記ランド部とは、その上面又は下
    面をリード保持材により保持されており、 前記インナリード部は、互いに隣接する一のランド部同
    士の間に他のランド部同士を接続すると共に上面が前記
    一のランド部の頂面の高さと同等で且つ下面が前記一の
    ランド部同士の下面よりも高くなるように設けられ、 前記ランド部における前記インナリード部が延びる方向
    に対して垂直な方向の断面形状は、前記インナリード部
    の側面と対向する上部が小さい断面凸字状であることを
    特徴とするリードフレーム。
  8. 【請求項８】 板状の金属部材から、フレーム枠部と、
    該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持
    されるダイパッド部と、該ダイパッド部の周縁部と接続
    された複数の内側インナリード部と、前記フレーム枠部
    と接続された複数の外側インナリード部とを一体に形成
    する第１の工程と、 前記複数の内側インナリード部の前記ダイパッド部から
    それぞれ間隔をおいた部分、及び前記複数の外側インナ
    リード部の前記フレーム枠部からそれぞれ間隔をおいた
    部分で且つ前記ダイパッド部の素子保持面側と反対側の
    面に凸部を形成する第２の工程と、 少なくとも前記複数の内側インナリード部及び前記フレ
    ーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側
    にリード保持材を設けることにより、前記複数の内側イ
    ンナリード部及びフレーム枠部を前記リード保持材によ
    り保持する第３の工程と、 前記複数の内側インナリード部の少なくとも一部の前記
    凸部と前記ダイパッド部との間の領域を除去することに
    より、前記複数の内側インナリード部と前記ダイパッド
    部とを選択的に絶縁する第４の工程とを備えていること
    を特徴とするリードフレームの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第２の工程は、前記複数の内側イン
    ナリード部の凸部形成領域と前記ダイパッド部との間の
    領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成領
    域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持面
    側と反対側の面に対してエッチングを行なうことによ
    り、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請
    求項８に記載のリードフレームの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第２の工程は、前記複数の内側イ
    ンナリード部の凸部形成領域と前記ダイパッド部との間
    の領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成
    領域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持
    面側と反対側の面を押圧することにより、前記凸部を形
    成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載のリ
    ードフレームの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第４の工程は、前記凸部と前記ダ
    イパッド部との間の領域を切断手段を用いて切断するこ
    とにより、前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁する工
    程を含むことを特徴とする請求項８〜１０のうちのいず
    れか１項に記載のリードフレームの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパ
    ッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有しているこ
    とを特徴とする請求項１１に記載のリードフレームの製
    造方法。
  13. 【請求項１３】 板状の金属部材から、フレーム枠部
    と、該フレーム枠部の内側から延びる第１の連結支持部
    により支持されると共に第２の連結支持部により互いに
    連結された複数のインナリード部及びダイパッド部とを
    一体に形成する第１の工程と、 前記複数のインナリード部における前記ダイパッド部の
    素子保持面側と反対側の面にそれぞれ間隔をおくように
    凸部を形成する第２の工程と、 前記複数のインナリード部及び前記フレーム枠部の素子
    保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材
    を設けることにより、前記インナリード部及びフレーム
    枠部を前記リード保持材により保持する第３の工程と、 前記複数のインナリード部における前記第２の連結支持
    部の少なくとも一部の、互いに隣接する前記凸部同士の
    間又は互いに隣接する前記凸部とダイパッド部との間の
    領域を除去することにより、前記複数のインナリード部
    を選択的に絶縁する第４の工程とを備えていることを特
    徴とするリードフレームの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダ
    イパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側
    の面に対してエッチングを行なうことにより、前記凸部
    を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記
    載のリードフレームの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第２の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダ
    イパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側
    の面を押圧することにより、前記凸部を形成する工程を
    含むことを特徴とする請求項１３に記載のリードフレー
    ムの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第４の工程は、前記第２の連結支
    持部の凸部同士の間又は前記凸部と前記ダイパッド部と
    の間の領域を切断手段を用いて切断することにより、前
    記凸部同士又は前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁す
    る工程を含むことを特徴とする請求項１３〜１５のうち
    のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパ
    ッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有しているこ
    とを特徴とする請求項１６に記載のリードフレームの製
    造方法。
  18. 【請求項１８】 板状の金属部材から、フレーム枠部
    と、該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により
    支持されると共に互いに間隔をおいて連結された複数の
    ランド部及び該複数のランド部のうちの一部を電気的に
    接続するインナリード部と、素子保持面を有するダイパ
    ッド部とを一体に形成する第１の工程と、 前記複数のランド部及び前記フレーム枠部の素子保持面
    側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設け
    ることにより、前記ランド部及びフレーム枠部を前記リ
    ード保持材により保持する第２の工程と、 前記連結支持部における互いに隣接するランド部同士間
    の領域の少なくとも一部を除去することにより、前記複
    数のランド部を選択的に絶縁する第３の工程とを備えて
    いることを特徴とするリードフレームの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記第１の工程は、 互いに隣接するランド部同士及びその間に位置する連結
    支持部における素子保持面側であって、前記ランド部同
    士における前記連結支持部と並行する中央部部分及びそ
    の間の前記連結支持部をマスクして、前記ランド部の素
    子保持面側に対してその厚さのほぼ２分の１をエッチン
    グすることにより、前記ランド部同士の間に前記連結支
    持部からインナリード部を形成する工程と、 前記複数のランド部の素子保持面側と反対側の面をマス
    クして、前記ランド部の素子保持面側と反対側の面に対
    して、前記ランド部同士及び前記インナリード部がそれ
    ぞれ分離するようにエッチングする工程とを含むことを
    特徴とする請求項１８に記載のリードフレームの製造方
    法。
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