JP2002246265A

JP2002246265A - 積層型複合デバイス及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002246265A
Application number: JP2001037542A
Authority: JP
Inventors: Hideki Yoshikawa; 秀樹吉川; Takuji Umemoto; 卓史梅本; Hitoshi Hirano; 均平野
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2001-02-14
Filing date: 2001-02-14
Publication date: 2002-08-30

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性体セラミック層と誘電体セラミック層２
の積層構造を有する積層型複合デバイスにおいて、焼成
工程で生じる割れや剥離の問題を解決する。【解決手段】本発明に係る積層型複合デバイスにおい
ては、３層構造からなる複合セラミック層３の表面層が
誘電体セラミック層２と同一の組成を有しており、該表
面層が誘電体セラミック層２との接合面を形成してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機等の電
子機器に装備される各種電子回路を構成するための積層
型複合デバイス及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機等の小型の電子機器に
おいては、小型化に対する要求が益々厳しくなってお
り、この様な状況において、機器を構成する複数の回路
素子を１チップの積層型複合デバイスに集積化して、該
積層型複合デバイスをメイン基板上に実装することが行
なわれている。

【０００３】積層型複合デバイスは、図６及び図７に示
す如く複数のセラミック層(１)(２)の積層構造を有し、
各セラミック層の表面には、インダクタやコンデンサを
構成する複数の回路素子パターン(11)(21)が形成されて
いる。これらの回路素子パターン(11)(21)は、セラミッ
ク層(１)(２)上に形成された導体パターン(13)(23)や、
セラミック層(１)(２)を貫通して形成された導通路(バ
イアホール(12)(22))を介して互いに接続され、これに
よってフィルター等の電子回路を構成している。

【０００４】又、上述の如き積層型複合デバイスにおい
て、インダクタを構成するパターン(Ｌパターン)のイン
ダクタンスを増大させるべく、Ｌパターンは磁性体セラ
ミック層(１)上に形成し、コンデンサを構成するパター
ン(Ｃパターン)の容量を増大させるべく、Ｃパターンは
誘電体セラミック層(２)上に形成することが提案されて
いる(特開昭60-106114号、特開平6-333743号等)。

【０００５】この様な積層型複合デバイスは、一般に次
の様にして作製されている。即ち、磁性体グリーンシー
トの表面にＬパターンを形成してなる磁性体基板を必要
枚数だけ積層して、インダクタ積層体を得ると共に、誘
電体グリーンシートの表面にＣパターンを形成してなる
誘電体基板を必要枚数だけ積層して、コンデンサ積層体
を得る。そして、両積層体を互いに重ね合わせた状態
で、両積層体に焼成を施して、複数枚の基板が一体化し
た焼結積層体を得る。最後に、焼結積層体の表面に必要
に応じて複数の電子部品を搭載し、１チップ化された積
層型複合デバイスを完成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層型複合デバイスにおいては、磁性体グリーンシート
からなる複数枚の磁性体基板と誘電体グリーンシートか
らなる複数枚の誘電体基板とを積層して焼成する工程
で、磁性体グリーンシートの収縮率と誘電体グリーンシ
ートの収縮率とは大きく異なるため、図８に示す如く、
収縮率の差によって焼成後の磁性体セラミック層(１)及
び誘電体セラミック層(２)が湾曲して、各セラミック層
(１)(２)に大きな撓みが生じ、場合によっては割れＫが
発生する問題があった。又、図９(ａ)(ｂ)は、図８の一
部Ａについて焼成前と焼成後の状態を拡大して示したも
のである。焼成前の状態では、図９(ａ)の如く互いに重
なるセラミック層(１)(２)の接合部にて、対応する回路
素子パターン(11)(21)とバイアホール(12)(22)が合致し
ているが、焼成後の状態では、図９(ｂ)の如く、対応す
る回路素子パターン(11)(21)とバイアホール(12)(22)の
間にずれや剥離が生じることとなり、歩留まりが低下す
る問題があった。

【０００７】本発明の目的は、焼成工程で生じていた割
れや剥離の問題を解決して、歩留まりを向上させること
が出来る積層型複合デバイスの構造、並びにその製造方
法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る積層型複合デ
バイスは、互いに組成の異なる第１のセラミック層と第
２のセラミック層の積層構造を有し、各セラミック層の
表面には１或いは複数の回路素子パターンが形成され
て、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している。
該積層型複合デバイスにおいて、第１のセラミック層
は、主体となる組成を有する中間層と、中間層の両側に
配置されて第２のセラミック層と同じ組成を有する一対
の表面層からなる３層構造を有している。

【０００９】上記本発明の積層型複合デバイスにおいて
は、第１のセラミック層が、主体となる組成の中間層
と、第２のセラミック層と同じ組成を有する２つの表面
層から構成されているので、第1のセラミック層の焼成
時の層全体としての収縮率は、中間層を構成する組成の
収縮率と、表面層を構成する組成(第２のセラミック層
の組成)の収縮率の中間的な値となり、主体となる組成
から層全体が構成されている従来の第１のセラミック層
と比べて、第２のセラミック層の収縮率との差が縮まる
こととなる。又、本発明の第１のセラミック層と第２の
セラミック層との接合部では、同じ組成の層どうしが接
合されるので、該接合部に収縮率の差は生じない。従っ
て、上記本発明の積層型複合デバイスの製造において、
焼成工程によって第１のセラミック層と第２のセラミッ
ク層の積層構造を形成する場合、第１のセラミック層と
第２のセラミック層の間に大きな収縮率の差が生じるこ
とはなく、これによって、各セラミック層の撓みが緩和
される。この結果、セラミック層の割れやセラミック層
間の剥離が防止される。

【００１０】具体的構成において、前記第１のセラミッ
ク層の中間層は磁性体であり、前記第２のセラミック層
は誘電体である。該具体的構成によれば、第１のセラミ
ック層の表面にはインダクタパターン(Ｌパターン)が形
成され、第２のセラミック層の表面にはコンデンサパタ
ーン(Ｃパターン)が形成される。これによって、積層型
複合デバイスの小型化が可能となる。或いは、前記第１
のセラミック層の中間層は誘電体であり、前記第２のセ
ラミック層は磁性体である。この場合、第１のセラミッ
ク層の表面にはコンデンサパターン(Ｃパターン)が形成
され、第２のセラミック層の表面にはインダクタパター
ン(Ｌパターン)が形成される。

【００１１】本発明に係る積層型複合デバイスの製造方
法は、第１のセラミック層となる第１のグリーンシート
と、第２のセラミック層となる第２のグリーンシートと
を作製するシート作製工程と、必要枚数の第１のグリー
ンシートと第２のグリーンシートの表面にそれぞれ１或
いは複数の回路素子パターンを形成するパターン形成工
程と、１或いは複数の回路素子パターンが形成された第
１のグリーンシートと第２のグリーンシートを重ね合わ
せて、複数層からなる積層体を作製する積層体作製工程
と、前記積層体を焼成する焼成工程とを有している。前
記シート作製工程において、第１のグリーンシートは、
主体となる組成を有する中間層と、中間層の両側に配置
されて第２のグリーンシートと同じ組成を有する一対の
表面層とからなる３層構造に形成する。

【００１２】上記本発明の積層型複合デバイスの製造方
法によれば、焼成工程を経て、３層構造を有する第１の
グリーンシートが、３層構造を有する第１のセラミック
層となり、第２のグリーンシートが第２のセラミック層
となって、両セラミック層の積層構造を有する本発明の
積層型複合デバイスが得られる。焼成工程においては、
第１のグリーンシートが、主体となる組成の中間層と、
第２のグリーンシートと同じ組成を有する２つの表面層
から構成されているので、第１のグリーンシートの全体
としての収縮率は、中間層を構成する組成の収縮率と、
表面層を構成する組成(第２のグリーンシートの組成)の
収縮率の中間的な値となり、主体となる組成からシート
全体が構成されている従来の第１のグリーンシートと比
べて、第２のグリーンシートの収縮率との差が縮まるこ
ととなる。又、本発明の第１のグリーンシートと第２の
グリーンシートとの接合部では、同じ組成の層どうしが
接合されるので、該接合部に収縮率の差は生じない。従
って、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの
間に大きな収縮率の差が生じることはなく、これによっ
て、焼成による各セラミック層の撓みが緩和される。こ
の結果、セラミック層の割れやセラミック層間の剥離が
防止される。

【００１３】具体的には、中間層となる中間グリーンシ
ートの両側に第２のグリーンシートを重ね合わせ、この
状態で各シートに低温焼成を施すことによって前記第１
のグリーンシートを作製する。尚、低温焼成に代えて、
乾燥を施すことによって前記第１のグリーンシートを作
製することも可能である。これによって、中間グリーン
シートと第２のグリーンシートの接合界面で、両グリー
ンシートの粒子が相互に拡散して、接合界面の密着が強
固なものとなる。

【００１４】或いは、第２のグリーンシートの材料とな
るスラリーを帯状に成形しつつ、該帯状のスラリーの表
面に中間層の材料となるスラリーを帯状に成形すると共
に、該帯状のスラリーの表面に第２のグリーンシートの
材料となるスラリーを帯状に成形することによって、前
記第１のグリーンシートを作製する。これによって、中
間層の材料となるスラリーと第２のグリーンシートの材
料となるスラリーの接合界面で、両スラリーの粒子が相
互に拡散して、接合界面の密着が強固なものとなる。

【００１５】

【発明の効果】本発明に係る積層型複合デバイス及びそ
の製造方法によれば、焼成工程におけるセラミック層の
撓みが緩和され、これによって割れや剥離の問題が解決
され、製造の歩留まりが向上する。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面に沿って具体的に説明する。本発明に係る積層
型複合デバイスは、図１に示す如く、複数の誘電体セラ
ミック層(２)からなる上半の積層部Ｌ１と、複数の複合
セラミック層(３)からなる下半の積層部Ｌ２を有してい
る。複合セラミック層(３)は、磁性体セラミック材料か
らなる中間層(30)と、中間層の両側に配置されて誘電体
セラミック材料からなる一対の表面層(31)(31)の３層構
造を有している。

【００１７】図２に示す如く、各誘電体セラミック層
(２)の表面には、Ｃパターンを主体として複数の回路素
子パターン(21)が形成され、各複合セラミック層(３)の
表面には、Ｌパターンを主体として複数の回路素子パタ
ーン(37)が形成されている。又、所定のセラミック層に
は、同層若しくは下層のセラミック層の回路素子パター
ンとの電気的導通を図るべく、導体パターン(23)(39)や
バイアホール(22)(38)が形成されている。

【００１８】磁性体セラミック層(３)の中間層(30)を形
成するための磁性体セラミック材料としては、例えばＮ
ｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
ト、六方晶系フェライトなど、インダクタ用途として使
用される材料が用いられる。又、焼成温度を低下させる
べく、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスを添加してもよ
い。ここで、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトに特に制限
はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すること
が出来る。例えば、ＮｉＯの含有量は１５〜２５モル
％、ＣｕＯの含有量は５〜１５モル％、ＺｎＯの含有量
は２０〜３０モル％であることが好ましい。又、Ｎｉ−
Ｚｎ系フェライトに特に制限はなく、目的に応じて種々
の組成のものを選択することが出来る。例えば、ＮｉＯ
の含有量は１０〜２５モル％、ＺｎＯの含有量は１５〜
４５モル％であることが好ましい。大きな電気抵抗を有
するＮｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた場合は、図３に示
すバイアホール(38)と中間層(30)の接触部(６)におい
て、バイアホール(38)を流れる電流が中間層(30)へ漏洩
することを防ぐことが出来る。更に、誘電体セラミック
層(２)の材料としては、例えば酸化バリウム、酸化アル
ミニウム、シリカを主成分とする低誘電率材料、酸化チ
タン系誘電体材料、ガラスセラミックス等を用いること
が出来る。又、焼成温度を低下させるべく、ホウケイ酸
ガラス等を用いてもよい。

【００１９】上記本発明の積層型複合デバイスの製造工
程においては、先ず、誘電体セラミック層(２)となる誘
電体グリーンシートを、従来と同様にドクターブレード
法等を用いて作製すると共に、３層構造の複合セラミッ
ク層(３)となる複合グリーンシートを作製する。

【００２０】図４(ａ)(ｂ)(ｃ)は、３層構造の複合セラ
ミック層(３)となる複合グリーンシート(36)の製造工程
を表わしている。先ず、図４(ａ)に示す様に、キャリア
フィルム(４)上に配備されたキャスティングヘッド(５)
の内部に誘電体スラリー(33)を供給する。そして、上記
キャリアフィルム(４)を一定速度で搬送することによっ
て、キャスティングヘッド(５)から吐出される誘電体ス
ラリー(33)がキャリアフィルム(４)上に一定の厚さで塗
布され、誘電体グリーンシート(35)が作製される。次
に、該誘電体グリーンシート(35)上に図４(ｂ)に示す様
に、磁性体スラリー(32)が一定の厚さで塗布され、磁性
体グリーンシート(34)が作製される。更に、該磁性体グ
リーンシート(34)上に、図４(ｃ)に示す様に、誘電体ス
ラリー(35)が一定の厚さで塗布され、誘電体グリーンシ
ート(35)が作製される。そして、キャリアフィルム(４)
を取り外し、各グリーンシート(35)(34)(35)が重ね合わ
された状態で、２００℃前後での低温焼成を施す。尚、
低温焼成に代えて乾燥を施してもよい。この結果、３枚
のグリーンシート(35)(34)(35)の接合界面では、磁性体
グリーンシート(34)中の磁性体粒子が誘電体グリーンシ
ート(35)中に拡散すると共に、誘電体グリーンシート(3
5)中の誘電体粒子が磁性体グリーンシート(34)中へ拡散
し、３枚のグリーンシート(35)(34)(35)が一体化された
複合グリーンシート(36)が得られる。

【００２１】尚、磁性体スラリー(32)は次の様にして製
造することが出来る。先ず、フェライト原料粉末、例え
ばＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３等の各種粉末を
所定量だけ秤量し、原材料を得る。そして、アルミナ製
ポット及びボールを用いたボールミルによって、原材料
の混合・粉砕を行なう。その後、仮焼成を施して、得ら
れた仮焼成粉を再度ボールミルによって粉砕する。この
様にして得られた混合粉体にバインダーを加え、ボール
ミルによって湿式混合を行ない、その後、乾燥、分級の
工程を経て得られる粉末に、溶剤(ＩＰＡ)を混合して、
磁性体スラリー(32)を得る。

【００２２】又、図５は、複合グリーンシート(36)の他
の製造工程を表わしている。図５に示す様に、キャリア
フィルム(４)上に配置された第１〜第３の３つのキャス
ティングヘッド(5a)(5b)(5c)の内、中間に位置する第２
のキャスティングヘッド(5b)の内部に磁性体スラリー(3
2)を、その前後に位置する第1及び第３のキャスティン
グヘッド(5a)(5c)の内部に誘電体スラリー(33)を供給す
る。上記キャリアフィルム(４)を一定速度で搬送するこ
とによって、先ず、第1のキャスティングヘッド(5a)か
ら吐出される誘電体スラリー(33)がキャリアフィルム
(４)上に一定厚さで塗布され、次にその表面に、第２の
キャスティングヘッド(5b)から吐出される磁性体スラリ
ー(32)が一定厚さで塗布される。更にその表面に、第３
のキャスティングヘッド(5c)から吐出される誘電体スラ
リー(33)が一定厚さで塗布される。これによって各スラ
リー(32)(33)(32)の層が重ね合わされて、３層構造の複
合グリーンシート(36)が得られる。この様にして得られ
た複合グリーンシート(36)においては、各グリーンシー
ト(35)(34)(35)がスラリーの状態で積層されているた
め、接合界面では、磁性体グリーンシート(34)中の磁性
体粒子が誘電体グリーンシート(35)中へ拡散すると共
に、誘電体グリーンシート(35)中の誘電体粒子が磁性体
グリーンシート(34)中へ拡散し、組成が厚さ方向へ連続
的に変化した一体の複合グリーンシート(36)が得られる
ことになる。

【００２３】尚、キャリアフィルム(４)上の複合グリー
ンシート(36)に加熱を施せば、上述の拡散作用を助勢す
ることが出来、この結果、拡散に要する時間を短縮する
ことが出来る。

【００２４】次に、必要枚数の複合グリーンシート及び
誘電体グリーンシートの表面にそれぞれ、複数の回路素
子パターンを銀によって印刷して、複数枚の基板を作製
し、これらを積層して積層体を得る。その後、前記積層
体に対して、８００℃〜１０００℃での高温焼成を施し
て、一体化された焼結積層体を得る。最後に、該焼結積
層体の表面に、必要に応じて複数の電子部品を搭載し、
１チップ化された積層型複合デバイスを完成する。

【００２５】上述の本発明に係る積層型複合デバイスに
よれば、複合セラミック層(３)が、磁性体セラミック材
料からなる中間層と、誘電体セラミック層(２)と同じ組
成を有する２つの表面層(31)(31)から構成されているの
で、複合セラミック層(３)の焼成時の層全体としての収
縮率は、磁性体セラミック材料からなる中間層(30)の収
縮率と、誘電体セラミック層(２)と同じ組成を有する表
面層(31)(31)の収縮率の中間的な値となり、磁性体セラ
ミック材料によって層全体が構成されている従来の磁性
体セラミック層と比べて、誘電体セラミック層(２)の収
縮率との差が縮まることとなる。又、本発明の複合セラ
ミック層(３)と誘電体セラミック層(２)との接合部で
は、誘電体セラミック材料からなる同じ組成の層どうし
が接合されるので、該接合部に収縮率の差は生じない。
従って、上記本発明に係る積層型複合デバイスの製造に
おいて、焼成工程によって複合セラミック層(３)と誘電
体セラミック層(２)の積層構造を形成する場合、複合セ
ラミック層(３)と誘電体セラミック層(２)の間に大きな
収縮率の差が生じることはなく、これによって、複合セ
ラミック層(３)や誘電体セラミック層(２)の撓みが従来
よりも小さなものとなって、セラミック層(２)(３)の割
れや剥離の発生を抑制することが出来る。この結果、従
来よりも高い歩留まりが得られる。

【００２６】更に、複合セラミック層(３)は、両側の表
面層(31)を除く大部分の領域が磁性体セラミック材料で
形成されているので、磁性体としての機能を失っておら
ず、その表面にＬパターンを配置することによって大き
なインダクタンスを得ることが出来る。従って、積層数
が増加して積層型複合デバイスが大型化することはな
い。更に又、複合セラミック層(３)は、中間層(30)とな
る１枚の磁性体グリーンシートと、表面層(31)(31)とな
る２枚の誘電体グリーンシートとを用いて形成すること
が出来、該誘電体グリーンシートとしては、誘電体セラ
ミック層(２)の材料として用いる誘電体グリーンシート
を流用することが出来るので、本発明に係る積層型複合
デバイスの製造に用いるグリーンシートとしては、磁性
体グリーンシートと誘電体グリーンシートの２種類を用
意すればよい。従って、従来の積層型複合デバイスと比
較して、グリーンシートの製造工程が複雑となることは
ない。

【００２７】尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に
限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の
変形が可能である。例えば、複合セラミック層(３)の作
製方法は、上記の方法に限定されるものではなく、例え
ばスパッタ法、蒸着法、メッキ法等を用いて、組成が厚
さ方向に変化した薄膜を形成する方法を採用することも
可能である。又、誘電体セラミック層(２)についても、
作製方法は上記の実施例に限定されるものではなく、例
えばスパッタ法、蒸着法、メッキ法等を用いて作製する
ことも可能である。更に又、複合セラミック層の製造工
程における低温焼成工程は省略可能であって、この場合
は、高温焼成工程によって、複合セラミック層が形成さ
れることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層型複合デバイスの斜視図であ
る。

【図２】該積層型複合デバイスの分解斜視図である。

【図３】該積層型複合デバイスを構成する複合セラミッ
ク層の断面図である。

【図４】該複合セラミック層の作製方法を説明する工程
図である。

【図５】該複合セラミック層の他の作製方法を説明する
工程図である。

【図６】従来の積層型複合デバイスの斜視図である。

【図７】該積層型複合デバイスの分解斜視図である。

【図８】該積層型複合デバイスにおける問題を説明する
図である。

【図９】図８のＡ部の拡大図である。

【符号の説明】

(１) 磁性体セラミック層 (２) 誘電体セラミック層 (３) 複合セラミック層 (30) 中間層 (31) 表面層 (21) 回路素子パターン (22) バイアホール (37) 回路素子パターン (38) バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ (72)発明者平野均大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E070 AA05 CB02 5E082 AA01 AB03 BB01 DD07 EE04 EE23 EE35 FF05 FG26 FG42 LL02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに組成の異なる第１のセラミック層
と第２のセラミック層の積層構造を有し、各セラミック
層の表面には１或いは複数の回路素子パターンが形成さ
れて、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している
積層型複合デバイスにおいて、第１のセラミック層は、
主体となる組成を有する中間層と、中間層の両側に配置
されて第２のセラミック層と同じ組成を有する一対の表
面層からなる３層構造を有していることを特徴とする積
層型複合デバイス。
【請求項２】前記第１のセラミック層の中間層は磁性
体であり、前記第２のセラミック層は誘電体である請求
項１に記載の積層型複合デバイス。
【請求項３】前記第1のセラミック層の中間層は誘電
体であり、前記第２のセラミック層は磁性体である請求
項１に記載の積層型複合デバイス。
【請求項４】互いに組成の異なる第1のセラミック層
と第２のセラミック層の積層構造を有する積層型複合デ
バイスにおいて第１のセラミック層の原材料となるグリ
ーンシートであって、主体となる組成を有する中間層
と、中間層の両側に配置されて第２のセラミック層とな
るグリーンシートと同じ組成を有する一対の表面層から
なる３層構造を有しているグリーンシート。
【請求項５】互いに組成の異なる第１のセラミック層
と第２のセラミック層の積層構造を有し、各セラミック
層の表面には１或いは複数の回路素子パターンが形成さ
れて、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している
積層型複合デバイスの製造方法において、第１のセラミック層となる第1のグリーンシートと、第
２のセラミック層となる第２のグリーンシートとを作製
するシート作製工程と、必要枚数の第1のグリーンシートと第２のグリーンシー
トの表面にそれぞれ１或いは複数の回路素子パターンを
形成するパターン形成工程と、１或いは複数の回路素子パターンが形成された第1のグ
リーンシートと第２のグリーンシートを重ね合わせて、
複数層からなる積層体を作製する積層体作製工程と、前記積層体を焼成する焼成工程とを有し、前記シート作
製工程において、前記第1のグリーンシートは、主体と
なる組成を有する中間層と、中間層の両側に配置されて
第２のグリーンシートと同じ組成を有する一対の表面層
とからなる３層構造に形成することを特徴とする積層型
複合デバイスの製造方法。
【請求項６】中間層となる中間グリーンシートの両側
に第２のグリーンシートを重ね合わせ、この状態で各シ
ートに乾燥又は低温焼成を施すことによって前記第１の
グリーンシートを作製する請求項５に記載の積層型複合
デバイスの製造方法。
【請求項７】第２のグリーンシートの材料となるスラ
リーを帯状に成形しつつ、該帯状のスラリーの表面に中
間層の材料となるスラリーを帯状に成形すると共に、該
帯状のスラリーの表面に第２のグリーンシートの材料と
なるスラリーを帯状に成形することによって、前記第１
のグリーンシートを作製する請求項５に記載の積層型複
合デバイスの製造方法。