JP2002243971A - フォトニッククリスタルファイバの接続方法及びその接続構造体並びにその接続構造体の構成部材 - Google Patents
フォトニッククリスタルファイバの接続方法及びその接続構造体並びにその接続構造体の構成部材Info
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- JP2002243971A JP2002243971A JP2001041749A JP2001041749A JP2002243971A JP 2002243971 A JP2002243971 A JP 2002243971A JP 2001041749 A JP2001041749 A JP 2001041749A JP 2001041749 A JP2001041749 A JP 2001041749A JP 2002243971 A JP2002243971 A JP 2002243971A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モードフィールド径が相対的に小さいフォト
ニッククリスタルファイバを、モードフィールド径が相
対的に大きい被接続光ファイバに低接続損失で接続する
方法を提供する。 【解決手段】 フォトニッククリスタルファイバ１０
を、そのフォトニッククリスタルファイバ１０のモード
フィールド径ｄ1よりも大きいモードフィールド径ｄ2を
有する被接続光ファイバ２０に接続する方法において、
フォトニッククリスタルファイバ１０のモードフィール
ド径ｄ1と被接続光ファイバ２０のモードフィールド径
ｄ2との中間のモードフィールド径ｄ3を有するバッファ
光ファイバ３０の一端３３にフォトニッククリスタルフ
ァイバ１０の接続端１４を接続する一方、バッファ光フ
ァイバ３０の他端３４に被接続光ファイバ２０の接続端
２３を接続する。
ニッククリスタルファイバを、モードフィールド径が相
対的に大きい被接続光ファイバに低接続損失で接続する
方法を提供する。 【解決手段】 フォトニッククリスタルファイバ１０
を、そのフォトニッククリスタルファイバ１０のモード
フィールド径ｄ1よりも大きいモードフィールド径ｄ2を
有する被接続光ファイバ２０に接続する方法において、
フォトニッククリスタルファイバ１０のモードフィール
ド径ｄ1と被接続光ファイバ２０のモードフィールド径
ｄ2との中間のモードフィールド径ｄ3を有するバッファ
光ファイバ３０の一端３３にフォトニッククリスタルフ
ァイバ１０の接続端１４を接続する一方、バッファ光フ
ァイバ３０の他端３４に被接続光ファイバ２０の接続端
２３を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトニッククリ
スタルファイバ（以下「ＰＣ（photonic crystal）フ
ァイバ」と称する）の接続方法及びその接続構造体並び
にその接続構造体の構成部材に関する。
スタルファイバ（以下「ＰＣ（photonic crystal）フ
ァイバ」と称する）の接続方法及びその接続構造体並び
にその接続構造体の構成部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】モードフィールド径ｄl，ｄs（以下「Ｍ
ＦＤ」と称する）が大小異なる一対の光ファイバｆ1，
ｆ2を接続する場合、両ファイバｆ1，ｆ2を単純に融着
接続すると、図８に示すように、接続部ｃで光の放射が
起こり、それによって多大の接続損失を生じてしまうこ
ととなる。これに対して、融着接続時の加熱時間を長く
設定したり、加熱温度を高く設定したり、或いは接続部
ｃを追加加熱したりすることにより、図９（ａ）に示す
ように、接続部ｃにおける両ファイバｆ1，ｆ2の各コア
にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド側に拡
散させてそれぞれのＭＦＤを拡大し、それらの大小差を
縮小して接続損失の低減を図るようにした光ファイバの
接続方法がある。同様に、ＭＦＤが小さい方の光ファイ
バｆ2の接続端を予め加熱することにより、図９（ｂ）
に示すように、コアにドープされたゲルマニウム（Ｇ
ｅ）をクラッド側に拡散させてＭＦＤを拡大し、それを
ＭＦＤが大きい方の光ファイバｆ1の接続端に接続する
ようにした光ファイバの接続方法もある。
ＦＤ」と称する）が大小異なる一対の光ファイバｆ1，
ｆ2を接続する場合、両ファイバｆ1，ｆ2を単純に融着
接続すると、図８に示すように、接続部ｃで光の放射が
起こり、それによって多大の接続損失を生じてしまうこ
ととなる。これに対して、融着接続時の加熱時間を長く
設定したり、加熱温度を高く設定したり、或いは接続部
ｃを追加加熱したりすることにより、図９（ａ）に示す
ように、接続部ｃにおける両ファイバｆ1，ｆ2の各コア
にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド側に拡
散させてそれぞれのＭＦＤを拡大し、それらの大小差を
縮小して接続損失の低減を図るようにした光ファイバの
接続方法がある。同様に、ＭＦＤが小さい方の光ファイ
バｆ2の接続端を予め加熱することにより、図９（ｂ）
に示すように、コアにドープされたゲルマニウム（Ｇ
ｅ）をクラッド側に拡散させてＭＦＤを拡大し、それを
ＭＦＤが大きい方の光ファイバｆ1の接続端に接続する
ようにした光ファイバの接続方法もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、大き
な波長分散を発現する光ファイバとして、ＰＣファイバ
が注目を集めつつある。このＰＣファイバは、ファイバ
中心を長手方向に延びる中実又は中空のコアと、そのコ
アを覆うように設けられそのコアに沿って延びる多数の
細孔を有するクラッドとを備えており、このクラッドが
二次元的に屈折率が周期的に変動したフォトニッククリ
スタル構造を構成するものである。
な波長分散を発現する光ファイバとして、ＰＣファイバ
が注目を集めつつある。このＰＣファイバは、ファイバ
中心を長手方向に延びる中実又は中空のコアと、そのコ
アを覆うように設けられそのコアに沿って延びる多数の
細孔を有するクラッドとを備えており、このクラッドが
二次元的に屈折率が周期的に変動したフォトニッククリ
スタル構造を構成するものである。
【０００４】そして、かかるＰＣファイバのＭＦＤが３
〜５μｍ程度のものを、ＭＦＤが約１０μｍ程度の光フ
ァイバに接続するような場合、上記に示したような接続
方法によっては接続損失を低く抑えることができないと
いう問題がある。すなわち、コアにゲルマニウム（Ｇ
ｅ）等がドープされていないＰＣファイバは、コア及び
クラッドが共に石英（ＳｉＯ2）のみで構成されること
となるものの、クラッドが多数の細孔を有するためにコ
アよりも等価的に屈折率が低くなり、それによって全反
射現象によりコアで光を伝搬するものであると共に、ク
ラッドのフォトニッククリスタル構造による効果によっ
てコアで光を伝搬するものであり、従って、基本的にゲ
ルマニウム（Ｇｅ）等を拡散させるということができ
ず、また、ＭＦＤを拡大させるべくこのＰＣファイバの
接続端を長時間加熱したり高温度加熱したりすると、ク
ラッドの多数の細孔が封止されて接続端が石英塊とな
り、そこから光が散逸して却って大きな接続損失を生じ
てしまうこととなる。そして、コアにゲルマニウム（Ｇ
ｅ）等がドープされたＰＣファイバでは、コアの周囲に
多数の細孔を有するため、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の拡
散が円滑に営まれないこととなる。
〜５μｍ程度のものを、ＭＦＤが約１０μｍ程度の光フ
ァイバに接続するような場合、上記に示したような接続
方法によっては接続損失を低く抑えることができないと
いう問題がある。すなわち、コアにゲルマニウム（Ｇ
ｅ）等がドープされていないＰＣファイバは、コア及び
クラッドが共に石英（ＳｉＯ2）のみで構成されること
となるものの、クラッドが多数の細孔を有するためにコ
アよりも等価的に屈折率が低くなり、それによって全反
射現象によりコアで光を伝搬するものであると共に、ク
ラッドのフォトニッククリスタル構造による効果によっ
てコアで光を伝搬するものであり、従って、基本的にゲ
ルマニウム（Ｇｅ）等を拡散させるということができ
ず、また、ＭＦＤを拡大させるべくこのＰＣファイバの
接続端を長時間加熱したり高温度加熱したりすると、ク
ラッドの多数の細孔が封止されて接続端が石英塊とな
り、そこから光が散逸して却って大きな接続損失を生じ
てしまうこととなる。そして、コアにゲルマニウム（Ｇ
ｅ）等がドープされたＰＣファイバでは、コアの周囲に
多数の細孔を有するため、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の拡
散が円滑に営まれないこととなる。
【０００５】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、ＭＦＤが相対的に小
さいＰＣファイバを、ＭＦＤが相対的に大きい被接続光
ファイバに低接続損失で接続する方法及びＰＣファイバ
の接続構造体並びのかかる接続構造体を形成する構成部
材を提供することにある。
であり、その目的とするところは、ＭＦＤが相対的に小
さいＰＣファイバを、ＭＦＤが相対的に大きい被接続光
ファイバに低接続損失で接続する方法及びＰＣファイバ
の接続構造体並びのかかる接続構造体を形成する構成部
材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＰＣファイバ
のＭＦＤと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間の又はＰ
ＣファイバのＭＦＤに等しいＭＦＤを有するバッファ光
ファイバを介設してＰＣファイバを被接続光ファイバに
接続するようにしたものである。
のＭＦＤと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間の又はＰ
ＣファイバのＭＦＤに等しいＭＦＤを有するバッファ光
ファイバを介設してＰＣファイバを被接続光ファイバに
接続するようにしたものである。
【０００７】具体的には、本出願の発明は、ＰＣファイ
バと、該ＰＣファイバのＭＦＤよりも大きいＭＦＤを有
する被接続光ファイバとを接続する方法であって、上記
ＰＣファイバのＭＦＤと上記被接続光ファイバのＭＦＤ
との中間のＭＦＤを有するバッファ光ファイバの一端に
上記フォトニッククリスタルファイバの接続端を接続す
る一方、該バッファ光ファイバの他端に上記被接続光フ
ァイバの接続端を接続することを特徴とする。
バと、該ＰＣファイバのＭＦＤよりも大きいＭＦＤを有
する被接続光ファイバとを接続する方法であって、上記
ＰＣファイバのＭＦＤと上記被接続光ファイバのＭＦＤ
との中間のＭＦＤを有するバッファ光ファイバの一端に
上記フォトニッククリスタルファイバの接続端を接続す
る一方、該バッファ光ファイバの他端に上記被接続光フ
ァイバの接続端を接続することを特徴とする。
【０００８】ＭＦＤが相対的に小さいＰＣファイバとＭ
ＦＤが相対的に大きい被接続光ファイバとを直接接続し
た場合、それらの差が大きいと、その接続部において多
大の光が放射により散逸して大きな接続損失を生じるこ
ととなるが、上記の接続方法によれば、接続部が２カ所
設けられることとなるものの、上記のようにＰＣファイ
バと被接続光ファイバとを直接接続した場合に比べてト
ータルの接続損失は低く抑えられることとなる。この理
由については明らかではないが、ＰＣファイバと被接続
光ファイバとの間にＭＦＤがそれらのものの中間の寸法
であるバッファ光ファイバを介設することにより、各接
続部でファイバ間のＭＦＤの差が小さくなり、それによ
って光の放射による散逸が著しく抑制されるためではな
いかと推測される。
ＦＤが相対的に大きい被接続光ファイバとを直接接続し
た場合、それらの差が大きいと、その接続部において多
大の光が放射により散逸して大きな接続損失を生じるこ
ととなるが、上記の接続方法によれば、接続部が２カ所
設けられることとなるものの、上記のようにＰＣファイ
バと被接続光ファイバとを直接接続した場合に比べてト
ータルの接続損失は低く抑えられることとなる。この理
由については明らかではないが、ＰＣファイバと被接続
光ファイバとの間にＭＦＤがそれらのものの中間の寸法
であるバッファ光ファイバを介設することにより、各接
続部でファイバ間のＭＦＤの差が小さくなり、それによ
って光の放射による散逸が著しく抑制されるためではな
いかと推測される。
【０００９】また、このような接続損失の低減を図るた
めには、通常大きな接続損失を生じるＰＣファイバの接
続部における接続損失の低減させることが有効であり、
そのためにはＰＣファイバのＭＦＤとバッファ光ファイ
バのＭＦＤとを近いものとすることが好ましい。
めには、通常大きな接続損失を生じるＰＣファイバの接
続部における接続損失の低減させることが有効であり、
そのためにはＰＣファイバのＭＦＤとバッファ光ファイ
バのＭＦＤとを近いものとすることが好ましい。
【００１０】そして、このような接続方法によって、Ｐ
Ｃファイバと被接続光ファイバとの間にＰＣファイバの
ＭＦＤと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間のＭＦＤを
有するバッファ光ファイバが介設されたＰＣファイバ接
続構造体が構成されることとなる。
Ｃファイバと被接続光ファイバとの間にＰＣファイバの
ＭＦＤと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間のＭＦＤを
有するバッファ光ファイバが介設されたＰＣファイバ接
続構造体が構成されることとなる。
【００１１】また、かかるＰＣファイバ接続構造体を形
成するためには、ＰＣファイバと、そのＰＣファイバの
接続端に一端が接続され、ＰＣファイバのＭＦＤより大
きいＭＦＤを有するバッファ光ファイバと、からなる構
成部材を用いればよい。
成するためには、ＰＣファイバと、そのＰＣファイバの
接続端に一端が接続され、ＰＣファイバのＭＦＤより大
きいＭＦＤを有するバッファ光ファイバと、からなる構
成部材を用いればよい。
【００１２】ここで、ＰＣファイバは、ファイバ中心を
長手方向に延びる中実又は中空のコアと、そのコアを覆
うように設けられコアに沿って延びる多数の細孔を有す
るクラッドとを備えたものであれば、特に限定されるも
のではない。
長手方向に延びる中実又は中空のコアと、そのコアを覆
うように設けられコアに沿って延びる多数の細孔を有す
るクラッドとを備えたものであれば、特に限定されるも
のではない。
【００１３】ＰＣファイバと接続される被接続光ファイ
バ及びバッファ光ファイバは、特に限定されるものでは
なく、１．３μｍ零分散波長ファイバ、１．５５μｍ分
散シフトファイバ、ノンゼロ分散シフトファイバ、分散
補償ファイバ、希土類元素ドープファイバ、偏波面保存
ファイバ等のコアとそのコアを覆うように設けられた中
実のクラッドとを備えた光ファイバの他、ＰＣファイバ
であってもよい。
バ及びバッファ光ファイバは、特に限定されるものでは
なく、１．３μｍ零分散波長ファイバ、１．５５μｍ分
散シフトファイバ、ノンゼロ分散シフトファイバ、分散
補償ファイバ、希土類元素ドープファイバ、偏波面保存
ファイバ等のコアとそのコアを覆うように設けられた中
実のクラッドとを備えた光ファイバの他、ＰＣファイバ
であってもよい。
【００１４】ＰＣファイバとバッファ光ファイバとの接
続は、低温度加熱による融着により行ってもよく、ま
た、コネクタを用いた突き合わせにより行ってもよい。
同様に、バッファ光ファイバと被接続光ファイバとの接
続は、加熱による融着により行ってもよく、また、コネ
クタを用いた突き合わせにより行ってもよい。
続は、低温度加熱による融着により行ってもよく、ま
た、コネクタを用いた突き合わせにより行ってもよい。
同様に、バッファ光ファイバと被接続光ファイバとの接
続は、加熱による融着により行ってもよく、また、コネ
クタを用いた突き合わせにより行ってもよい。
【００１５】ところで、バッファ光ファイバがＰＣファ
イバでないクラッドが中実である構成の場合には、バッ
ファ光ファイバのＭＦＤがＰＣファイバのＭＦＤと同一
であってもよい。
イバでないクラッドが中実である構成の場合には、バッ
ファ光ファイバのＭＦＤがＰＣファイバのＭＦＤと同一
であってもよい。
【００１６】そこで、本出願の他の発明は、ＰＣファイ
バと、該ＰＣファイバのＭＦＤよりも大きいＭＦＤを有
する被接続光ファイバとを接続する方法であって、ファ
イバ中心をなすコアと該コアを覆うように設けられた中
実のクラッドとを備え且つ上記ＰＣファイバのＭＦＤと
同一又はそれと上記被接続光ファイバのＭＦＤとの中間
のＭＦＤを有するバッファ光ファイバの一端に上記ＰＣ
ファイバの接続端を接続する一方、該バッファ光ファイ
バの他端に上記被接続光ファイバの接続端を接続するこ
とを特徴とする。
バと、該ＰＣファイバのＭＦＤよりも大きいＭＦＤを有
する被接続光ファイバとを接続する方法であって、ファ
イバ中心をなすコアと該コアを覆うように設けられた中
実のクラッドとを備え且つ上記ＰＣファイバのＭＦＤと
同一又はそれと上記被接続光ファイバのＭＦＤとの中間
のＭＦＤを有するバッファ光ファイバの一端に上記ＰＣ
ファイバの接続端を接続する一方、該バッファ光ファイ
バの他端に上記被接続光ファイバの接続端を接続するこ
とを特徴とする。
【００１７】上記の接続方法によれば、本出願の発明同
様に、接続損失は低く抑えられることとなる。
様に、接続損失は低く抑えられることとなる。
【００１８】また、このような接続損失の低減を図るた
めには、通常大きな接続損失を生じるＰＣファイバの接
続部における接続損失の低減させることが有効であり、
そのためにはＰＣファイバのＭＦＤとバッファ光ファイ
バのＭＦＤとを近いものとすることが好ましく、両者を
等しくすることが最も好ましい。
めには、通常大きな接続損失を生じるＰＣファイバの接
続部における接続損失の低減させることが有効であり、
そのためにはＰＣファイバのＭＦＤとバッファ光ファイ
バのＭＦＤとを近いものとすることが好ましく、両者を
等しくすることが最も好ましい。
【００１９】さらに、バッファ光ファイバのコアにゲル
マニウム（Ｇｅ）等の屈折率調整成分がドープされてい
る場合には、被接続光ファイバとの接続端となるバッフ
ァ光ファイバの他端に、その屈折率調整成分を中実のク
ラッドに拡散させる加熱処理を施すことが好ましい。こ
のようにすれば、バッファ光ファイバの他端においてコ
アにドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）等の屈折率調整
成分が中実のクラッドに拡散することとなるので、バッ
ファ光ファイバの他端のＭＦＤが拡大して被接続光ファ
イバのＭＦＤとの差が縮小し、それによって光の放射に
よる散逸が少なくなり、それらの接続部における接続損
失が低く抑えられることとなる。ここで、かかる加熱処
理は、被接続光ファイバとの接続前に施してもよく、ま
た、被接続光ファイバと接続させながら施してもよく、
さらに、被接続光ファイバとの接続後に施してもよい。
マニウム（Ｇｅ）等の屈折率調整成分がドープされてい
る場合には、被接続光ファイバとの接続端となるバッフ
ァ光ファイバの他端に、その屈折率調整成分を中実のク
ラッドに拡散させる加熱処理を施すことが好ましい。こ
のようにすれば、バッファ光ファイバの他端においてコ
アにドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）等の屈折率調整
成分が中実のクラッドに拡散することとなるので、バッ
ファ光ファイバの他端のＭＦＤが拡大して被接続光ファ
イバのＭＦＤとの差が縮小し、それによって光の放射に
よる散逸が少なくなり、それらの接続部における接続損
失が低く抑えられることとなる。ここで、かかる加熱処
理は、被接続光ファイバとの接続前に施してもよく、ま
た、被接続光ファイバと接続させながら施してもよく、
さらに、被接続光ファイバとの接続後に施してもよい。
【００２０】そして、以上のような接続方法によって、
ＰＣファイバと被接続光ファイバとの間に、ファイバ中
心をなすコアとそのコアを覆うように設けられた中実の
クラッドとを備え且つＰＣファイバのＭＦＤと同一又は
それと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間のＭＦＤを有
するバッファ光ファイバが介設されたＰＣファイバ接続
構造体が構成されることとなる。
ＰＣファイバと被接続光ファイバとの間に、ファイバ中
心をなすコアとそのコアを覆うように設けられた中実の
クラッドとを備え且つＰＣファイバのＭＦＤと同一又は
それと被接続光ファイバのＭＦＤとの中間のＭＦＤを有
するバッファ光ファイバが介設されたＰＣファイバ接続
構造体が構成されることとなる。
【００２１】また、かかるＰＣファイバ接続構造体を形
成するためには、ＰＣファイバと、そのＰＣファイバの
接続端に一端が接続され、ファイバ中心をなすコアと該
コアを覆うように設けられた中実のクラッドとを備え且
つＰＣファイバのＭＦＤと同一又はそれより大きいＭＦ
Ｄを有するバッファ光ファイバと、からなる構成部材を
用いればよい。
成するためには、ＰＣファイバと、そのＰＣファイバの
接続端に一端が接続され、ファイバ中心をなすコアと該
コアを覆うように設けられた中実のクラッドとを備え且
つＰＣファイバのＭＦＤと同一又はそれより大きいＭＦ
Ｄを有するバッファ光ファイバと、からなる構成部材を
用いればよい。
【００２２】さらに、この構成部材においても、バッフ
ァ光ファイバのコアにゲルマニウム（Ｇｅ）等の屈折率
調整成分がドープされている場合には、バッファ光ファ
イバの他端でその屈折率調整成分がクラッドに拡散して
いる構成であることが好ましい。
ァ光ファイバのコアにゲルマニウム（Ｇｅ）等の屈折率
調整成分がドープされている場合には、バッファ光ファ
イバの他端でその屈折率調整成分がクラッドに拡散して
いる構成であることが好ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本出願の発明又は
本出願の他の発明によれば、ＭＦＤが相対的に小さいＰ
ＣファイバとＭＦＤが相対的に大きい被接続光ファイバ
との間にＭＦＤがそれらのものの中間の寸法であるバッ
ファ光ファイバを介設することにより、接続部が２カ所
設けられることとなるものの、ＰＣファイバと被接続光
ファイバとを直接接続した場合に比べてトータルの接続
損失を低く抑えることができる。
本出願の他の発明によれば、ＭＦＤが相対的に小さいＰ
ＣファイバとＭＦＤが相対的に大きい被接続光ファイバ
との間にＭＦＤがそれらのものの中間の寸法であるバッ
ファ光ファイバを介設することにより、接続部が２カ所
設けられることとなるものの、ＰＣファイバと被接続光
ファイバとを直接接続した場合に比べてトータルの接続
損失を低く抑えることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るＰ
Ｃファイバの接続方法を図面に基づいて詳細に説明す
る。
Ｃファイバの接続方法を図面に基づいて詳細に説明す
る。
【００２５】（各ファイバの構成）図１は、ＰＣファイ
バ１０を示す。このＰＣファイバ１０は、石英（ＳｉＯ
2）製であり、ファイバ中心を長手方向に延びる中実の
コア１１と、そのコア１１を覆うように設けられコア１
１に沿って延びる多数の細孔を有するクラッド１２と、
そのクラッド１２を覆うように設けられた被覆部１３と
を備えている。そして、このクラッド１２が二次元的に
屈折率が周期的に変動したフォトニッククリスタル構造
を構成し、信号光は、そのフォトニッククリスタル構造
で囲われたコア１１に閉じこめられて伝搬されることと
なる。このＰＣファイバ１０のファイバ径は１２５μｍ
で、ＭＦＤ（ｄ1）はコア径よりやや大きく約３μｍで
ある。
バ１０を示す。このＰＣファイバ１０は、石英（ＳｉＯ
2）製であり、ファイバ中心を長手方向に延びる中実の
コア１１と、そのコア１１を覆うように設けられコア１
１に沿って延びる多数の細孔を有するクラッド１２と、
そのクラッド１２を覆うように設けられた被覆部１３と
を備えている。そして、このクラッド１２が二次元的に
屈折率が周期的に変動したフォトニッククリスタル構造
を構成し、信号光は、そのフォトニッククリスタル構造
で囲われたコア１１に閉じこめられて伝搬されることと
なる。このＰＣファイバ１０のファイバ径は１２５μｍ
で、ＭＦＤ（ｄ1）はコア径よりやや大きく約３μｍで
ある。
【００２６】図２は、被接続光ファイバ２０を示す。こ
の被接続光ファイバ２０は、ファイバ中心を長手方向に
延びるゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた石英（Ｓｉ
Ｏ2）製のコア２１と、そのコア２１を覆うように設け
られた石英（ＳｉＯ2）製のクラッド２２とを備えてい
る。そして、信号光は、屈折率の高いコア２１に閉じこ
められて伝搬されることとなる。この被接続光ファイバ
２０のファイバ径は１２５μｍで、ＭＦＤ（ｄ2）はコ
ア径よりやや大きく約１０μｍである。
の被接続光ファイバ２０は、ファイバ中心を長手方向に
延びるゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた石英（Ｓｉ
Ｏ2）製のコア２１と、そのコア２１を覆うように設け
られた石英（ＳｉＯ2）製のクラッド２２とを備えてい
る。そして、信号光は、屈折率の高いコア２１に閉じこ
められて伝搬されることとなる。この被接続光ファイバ
２０のファイバ径は１２５μｍで、ＭＦＤ（ｄ2）はコ
ア径よりやや大きく約１０μｍである。
【００２７】図３は、バッファ光ファイバ３０を示す。
このバッファ光ファイバ３０は、ＭＦＤ（ｄ3）が約３
μｍである点を除いては被接続光ファイバ２０と同一構
成であり、また、機能も同一である。
このバッファ光ファイバ３０は、ＭＦＤ（ｄ3）が約３
μｍである点を除いては被接続光ファイバ２０と同一構
成であり、また、機能も同一である。
【００２８】（ファイバの接続方法）まず、図４に示す
ように、ＰＣファイバ１０の接続端１４にバッファ光フ
ァイバ３０の一端３３を接続する。このとき、両ファイ
バ１０，３０のコア１１，３１が一致して重なるように
する。また、この接続は、ＰＣファイバ１０の多孔部１
２が熱によって潰れない程度の温度でＰＣファイバ１０
の接続端１４及びバッファ光ファイバ３０の一端３３を
加熱溶融させて行うようにする。このＰＣファイバ１０
とバッファ光ファイバ３０との接続体は、後述のＰＣフ
ァイバ１０の接続構造体を形成するための構成部材とな
るものである。
ように、ＰＣファイバ１０の接続端１４にバッファ光フ
ァイバ３０の一端３３を接続する。このとき、両ファイ
バ１０，３０のコア１１，３１が一致して重なるように
する。また、この接続は、ＰＣファイバ１０の多孔部１
２が熱によって潰れない程度の温度でＰＣファイバ１０
の接続端１４及びバッファ光ファイバ３０の一端３３を
加熱溶融させて行うようにする。このＰＣファイバ１０
とバッファ光ファイバ３０との接続体は、後述のＰＣフ
ァイバ１０の接続構造体を形成するための構成部材とな
るものである。
【００２９】次に、図５に示すように、バッファ光ファ
イバ３０の他端３４に被接続光ファイバ２０の接続端２
３を接続する。このとき、両ファイバ２０，３０の中心
軸が一致するようにする。また、この接続は、バッファ
光ファイバ３０の他端３４及び被接続光ファイバ２０の
接続端２３を加熱溶融させて行うようにする。さらに、
これらのファイバ２０，３０の接続部を追加加熱するこ
とにより、両ファイバ２０，３０のコア２１，３１にド
ープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２２，３２
に拡散させ、それによって両ファイバ２０，３０のＭＦ
Ｄをそれらがほぼ同一となるように拡大させる。
イバ３０の他端３４に被接続光ファイバ２０の接続端２
３を接続する。このとき、両ファイバ２０，３０の中心
軸が一致するようにする。また、この接続は、バッファ
光ファイバ３０の他端３４及び被接続光ファイバ２０の
接続端２３を加熱溶融させて行うようにする。さらに、
これらのファイバ２０，３０の接続部を追加加熱するこ
とにより、両ファイバ２０，３０のコア２１，３１にド
ープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２２，３２
に拡散させ、それによって両ファイバ２０，３０のＭＦ
Ｄをそれらがほぼ同一となるように拡大させる。
【００３０】以上のようにして、ＰＣファイバ１０と被
接続光ファイバ２０との間にＰＣファイバ１０のＭＦＤ
（ｄ1）と同一の寸法のＭＦＤ（ｄ3）を有するバッファ
光ファイバ３０が介設されたＰＣファイバ１０の接続構
造体が構成されることとなる。
接続光ファイバ２０との間にＰＣファイバ１０のＭＦＤ
（ｄ1）と同一の寸法のＭＦＤ（ｄ3）を有するバッファ
光ファイバ３０が介設されたＰＣファイバ１０の接続構
造体が構成されることとなる。
【００３１】なお、バッファ光ファイバ３０は伝送損失
を生じることとなるため、その長さが制限されることと
なる。すなわち、バッファ光ファイバ３０を用いずにＰ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０とを直接接続し
た場合の接続損失をＡ（ｄＢ）、バッファ光ファイバ３
０を用いた場合の接続損失をＢ（ｄＢ）とすると、（Ａ
−Ｂ）（ｄＢ）がバッファ光ファイバ３０を用いること
により低減できた接続損失となり、そして、バッファ光
ファイバ３０の伝送損失をＣ（ｄＢ／ｋｍ）としたと
き、バッファ光ファイバ３０の長さが（Ａ−Ｂ）／Ｃ
（ｋｍ）よりも長くなると、低減した接続損失がバッフ
ァ光ファイバ３０の伝送損失によって相殺されてしまう
こととなる。しかしながら、実際には、ＰＣファイバ１
０及び被接続光ファイバ２０のそれぞれとの接続の作業
性等を考慮してもバッファ光ファイバ３０の長さは１ｍ
程度あれば十分であり、バッファ光ファイバ３０の伝送
損失を概ね０．００１ｄＢ以下であると考えることがで
きることから、バッファ光ファイバ３０の伝送損失は事
実上無視できるものである。
を生じることとなるため、その長さが制限されることと
なる。すなわち、バッファ光ファイバ３０を用いずにＰ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０とを直接接続し
た場合の接続損失をＡ（ｄＢ）、バッファ光ファイバ３
０を用いた場合の接続損失をＢ（ｄＢ）とすると、（Ａ
−Ｂ）（ｄＢ）がバッファ光ファイバ３０を用いること
により低減できた接続損失となり、そして、バッファ光
ファイバ３０の伝送損失をＣ（ｄＢ／ｋｍ）としたと
き、バッファ光ファイバ３０の長さが（Ａ−Ｂ）／Ｃ
（ｋｍ）よりも長くなると、低減した接続損失がバッフ
ァ光ファイバ３０の伝送損失によって相殺されてしまう
こととなる。しかしながら、実際には、ＰＣファイバ１
０及び被接続光ファイバ２０のそれぞれとの接続の作業
性等を考慮してもバッファ光ファイバ３０の長さは１ｍ
程度あれば十分であり、バッファ光ファイバ３０の伝送
損失を概ね０．００１ｄＢ以下であると考えることがで
きることから、バッファ光ファイバ３０の伝送損失は事
実上無視できるものである。
【００３２】（作用・効果）上記のＰＣファイバ１０の
接続方法によれば、ＭＦＤ（ｄ1）が相対的に小さいＰ
Ｃファイバ１０とＭＦＤ（ｄ2）が相対的に大きい被接
続光ファイバ２０との間にＭＦＤ（ｄ2）がそれらのも
のの中間の寸法であるバッファ光ファイバ３０を介設す
ることにより、接続部が２カ所設けられることとなるも
のの、ＰＣファイバ１０と被接続光ファイバ２０とを直
接接続した場合に比べてトータルの接続損失は低く抑え
られることとなる。
接続方法によれば、ＭＦＤ（ｄ1）が相対的に小さいＰ
Ｃファイバ１０とＭＦＤ（ｄ2）が相対的に大きい被接
続光ファイバ２０との間にＭＦＤ（ｄ2）がそれらのも
のの中間の寸法であるバッファ光ファイバ３０を介設す
ることにより、接続部が２カ所設けられることとなるも
のの、ＰＣファイバ１０と被接続光ファイバ２０とを直
接接続した場合に比べてトータルの接続損失は低く抑え
られることとなる。
【００３３】また、ＰＣファイバ１０のＭＦＤ（ｄ1）
とバッファ光ファイバ３０のＭＦＤ（ｄ3）とが同一と
なるようにしているので、大きな接続損失を生じるＰＣ
ファイバ１０の接続部における接続損失の低減されるこ
ととなり、上記の接続損失低減の効果は著しく高いもの
となる。
とバッファ光ファイバ３０のＭＦＤ（ｄ3）とが同一と
なるようにしているので、大きな接続損失を生じるＰＣ
ファイバ１０の接続部における接続損失の低減されるこ
ととなり、上記の接続損失低減の効果は著しく高いもの
となる。
【００３４】さらに、バッファ光ファイバ３０と被接続
光ファイバ２０との接続後に、その接続部を追加加熱す
る処理が施されているので、両ファイバ２０，３０のコ
ア２１，３１にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）がク
ラッド２２，３２に拡散され、バッファ光ファイバ３０
の他端３４及び被接続光ファイバ２０の接続端２３のそ
れぞれのＭＦＤがそれらがほぼ同一となるように拡大
し、それによって光の放射による散逸が少なくなり、そ
れらの接続部における接続損失が低く抑えられることと
なる。
光ファイバ２０との接続後に、その接続部を追加加熱す
る処理が施されているので、両ファイバ２０，３０のコ
ア２１，３１にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）がク
ラッド２２，３２に拡散され、バッファ光ファイバ３０
の他端３４及び被接続光ファイバ２０の接続端２３のそ
れぞれのＭＦＤがそれらがほぼ同一となるように拡大
し、それによって光の放射による散逸が少なくなり、そ
れらの接続部における接続損失が低く抑えられることと
なる。
【００３５】（その他の実施形態）上記実施形態では、
中実コアのＰＣファイバ１０としたが、特にこれに限定
されるものではなく、中空コアのものであってもよい。
中実コアのＰＣファイバ１０としたが、特にこれに限定
されるものではなく、中空コアのものであってもよい。
【００３６】また、上記実施形態では、ＰＣファイバ１
０のコア１１を石英（ＳｉＯ2）製としたが、特にこれ
に限定されるものではなく、ゲルマニウム（Ｇｅ）等が
ドープされた石英（ＳｉＯ2）製としてもよい。
０のコア１１を石英（ＳｉＯ2）製としたが、特にこれ
に限定されるものではなく、ゲルマニウム（Ｇｅ）等が
ドープされた石英（ＳｉＯ2）製としてもよい。
【００３７】また、上記実施形態では、被接続光ファイ
バ２０及びバッファ光ファイバ３０を、コア２１，３１
とそのコア２１，３１を覆うように設けられたクラッド
２２，３２とを備えたものとしたが、特にこれに限定さ
れるものではなく、少なくともいずれか一方をＰＣファ
イバとしてもよい。
バ２０及びバッファ光ファイバ３０を、コア２１，３１
とそのコア２１，３１を覆うように設けられたクラッド
２２，３２とを備えたものとしたが、特にこれに限定さ
れるものではなく、少なくともいずれか一方をＰＣファ
イバとしてもよい。
【００３８】また、上記実施形態では、ＰＣファイバ１
０とバッファ光ファイバ３０とを低温度加熱による融着
により接続したが、特にこれに限定されるものではな
く、コネクタを用いた突き合わせにより接続してもよ
い。
０とバッファ光ファイバ３０とを低温度加熱による融着
により接続したが、特にこれに限定されるものではな
く、コネクタを用いた突き合わせにより接続してもよ
い。
【００３９】また、上記実施形態では、バッファ光ファ
イバ３０と被接続光ファイバ２０とを加熱による融着に
より接続したが、特にこれに限定されるものではなく、
コネクタを用いた突き合わせにより接続してもよい。
イバ３０と被接続光ファイバ２０とを加熱による融着に
より接続したが、特にこれに限定されるものではなく、
コネクタを用いた突き合わせにより接続してもよい。
【００４０】また、上記実施形態では、バッファ光ファ
イバ３０及び被接続光ファイバ２０のコア２１，３１に
ドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２２，３
２に拡散させるために、両ファイバ２０，３０の接続後
にその接続部を追加加熱する処理を行ったが、特にこれ
に限定されるものではなく、融着による接続時に加熱温
度を高く設定したり、加熱時間を長く設定するようにし
てもよい。
イバ３０及び被接続光ファイバ２０のコア２１，３１に
ドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２２，３
２に拡散させるために、両ファイバ２０，３０の接続後
にその接続部を追加加熱する処理を行ったが、特にこれ
に限定されるものではなく、融着による接続時に加熱温
度を高く設定したり、加熱時間を長く設定するようにし
てもよい。
【００４１】また、上記実施形態では、バッファ光ファ
イバ３０及び被接続光ファイバ２０双方のコア２１，３
１にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２
２，３２に拡散させたが、特にこれに限定されるもので
はなく、接続前のバッファ光ファイバ３０の他端３４の
みを加熱してコア３１にドープされたゲルマニウム（Ｇ
ｅ）をクラッド３２に拡散させ、図６に示すように、そ
れを融着やコネクタによる突き合わせにより被接続光フ
ァイバ２０の接続端２３に接続するようにしてもよい。
イバ３０及び被接続光ファイバ２０双方のコア２１，３
１にドープされたゲルマニウム（Ｇｅ）をクラッド２
２，３２に拡散させたが、特にこれに限定されるもので
はなく、接続前のバッファ光ファイバ３０の他端３４の
みを加熱してコア３１にドープされたゲルマニウム（Ｇ
ｅ）をクラッド３２に拡散させ、図６に示すように、そ
れを融着やコネクタによる突き合わせにより被接続光フ
ァイバ２０の接続端２３に接続するようにしてもよい。
【００４２】
【実施例】ファイバ外径１００μｍ、クラッドの細孔の
直径１．２８μｍ、細孔が形成する三角格子のピッチ
２．１６μｍ、ＭＦＤ（ｄ1）約３μｍであるＰＣファ
イバ１０と、ＭＦＤ（ｄ2）１０．８μｍであるシング
ルモードの被接続光ファイバ２０（１．３μｍ零分散波
長シングルモードファイバ）と、を以下に示す３つの接
続例の方法で接続し、被接続光ファイバ２０側から波長
１．５５μｍの光を入射して各接続例の接続損失を計測
した。なお、接続部が２カ所生じるもの（接続例２及び
３）については、それぞれの接続部での接続損失を計測
し、それらの和を総接続損失とした。
直径１．２８μｍ、細孔が形成する三角格子のピッチ
２．１６μｍ、ＭＦＤ（ｄ1）約３μｍであるＰＣファ
イバ１０と、ＭＦＤ（ｄ2）１０．８μｍであるシング
ルモードの被接続光ファイバ２０（１．３μｍ零分散波
長シングルモードファイバ）と、を以下に示す３つの接
続例の方法で接続し、被接続光ファイバ２０側から波長
１．５５μｍの光を入射して各接続例の接続損失を計測
した。なお、接続部が２カ所生じるもの（接続例２及び
３）については、それぞれの接続部での接続損失を計測
し、それらの和を総接続損失とした。
【００４３】（接続例）−接続例１− ＰＣファイバ１０の接続端１４及び被接続光ファイバ２
０の接続端２３を加熱溶融させ、図７（ａ）に示すよう
に、それらを中心軸が一致するように突き合わせて接続
したものを接続例１とした。このとき、ＰＣファイバ１
０の接続端１４が溶融して細孔が潰れることがないよう
に加熱温度を低く設定した。
０の接続端２３を加熱溶融させ、図７（ａ）に示すよう
に、それらを中心軸が一致するように突き合わせて接続
したものを接続例１とした。このとき、ＰＣファイバ１
０の接続端１４が溶融して細孔が潰れることがないよう
に加熱温度を低く設定した。
【００４４】−接続例２− ＭＦＤ（ｄ3）４．９μｍである長さ１ｍの分散補償フ
ァイバをバッファ光ファイバ３０として準備した。そし
て、図７（ｂ）に示すように、ＰＣファイバ１０の接続
端１４及びバッファ光ファイバ３０の一端３３を加熱溶
融させ、それらを中心軸が一致するように突き合わせて
接続すると共に、そのバッファ光ファイバ３０の他端３
４及び被接続光ファイバ２０の接続端２３を加熱溶融さ
せ、それらを中心軸が一致するように突き合わせて接続
したものを接続例２とした。このとき、ＰＣファイバ１
０のバッファ光ファイバ３０への接続条件は接続例１と
同一とした。
ァイバをバッファ光ファイバ３０として準備した。そし
て、図７（ｂ）に示すように、ＰＣファイバ１０の接続
端１４及びバッファ光ファイバ３０の一端３３を加熱溶
融させ、それらを中心軸が一致するように突き合わせて
接続すると共に、そのバッファ光ファイバ３０の他端３
４及び被接続光ファイバ２０の接続端２３を加熱溶融さ
せ、それらを中心軸が一致するように突き合わせて接続
したものを接続例２とした。このとき、ＰＣファイバ１
０のバッファ光ファイバ３０への接続条件は接続例１と
同一とした。
【００４５】−接続例３− 接続例２の接続損失を計測した後、バッファ光ファイバ
３０と被接続光ファイバ２０との接続部を追加加熱し、
それぞれのコア２１，３１にドープされたゲルマニウム
（Ｇｅ）をクラッド２２，３２に拡散させて、図７
（ｃ）に示すように、両者のＭＦＤ径がほぼ同一となる
ようにしたものを接続例３とした。
３０と被接続光ファイバ２０との接続部を追加加熱し、
それぞれのコア２１，３１にドープされたゲルマニウム
（Ｇｅ）をクラッド２２，３２に拡散させて、図７
（ｃ）に示すように、両者のＭＦＤ径がほぼ同一となる
ようにしたものを接続例３とした。
【００４６】（計測結果）
【００４７】
【表１】
【００４８】計測結果を表１に示す。
【００４９】同表によれば、接続例２及び３は、接続例
１よりも接続損失が非常に低いことが分かる。また、Ｐ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０との接続部の接
続損失が５．４７ｄＢ（接続例１）であるのに対し、Ｐ
Ｃファイバ１０のＭＦＤ（ｄ 1）に近い寸法のＭＦＤ
（ｄ3）を有するバッファ光ファイバ３０と被接続光フ
ァイバ２０との接続部における接続損失が１．２２ｄＢ
（接続例２）であることから、接続損失はＰＣファイバ
１０の接続部において大きくなることが分かる。さら
に、接続例１の接続損失が５．４７ｄＢであるのに対
し、ＰＣファイバ１０とバッファ光ファイバ３０との接
続部の接続損失が２．０１ｄＢ（接続例２及び３）であ
ることから、特にこのＰＣファイバ１０とバッファ光フ
ァイバ３０との接続部において接続損失の低減が図られ
ていることが分かる。接続例１では、ＰＣファイバ１０
のＭＦＤ（ｄ1）と被接続光ファイバ２０のＭＦＤ
（ｄ2）との差が非常に大きいために、接続部において
多大の光が放射により散逸して大きな接続損失を生じた
ものであると考えられる。これに対し、接続例２及び３
では、接続部が２カ所設けられることとなるものの、Ｐ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０との間にＭＦＤ
（ｄ3）がそれらのものの中間の寸法であるバッファ光
ファイバ３０が介設されていることにより、各接続部で
ファイバ間のＭＦＤの差が小さくなり、それによって光
の放射による散逸が著しく抑制され（特にＰＣファイバ
１０とバッファ光ファイバ３０との接続部において）、
接続例１に比べてトータルの接続損失は低く抑えられた
ものであると考えられる。
１よりも接続損失が非常に低いことが分かる。また、Ｐ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０との接続部の接
続損失が５．４７ｄＢ（接続例１）であるのに対し、Ｐ
Ｃファイバ１０のＭＦＤ（ｄ 1）に近い寸法のＭＦＤ
（ｄ3）を有するバッファ光ファイバ３０と被接続光フ
ァイバ２０との接続部における接続損失が１．２２ｄＢ
（接続例２）であることから、接続損失はＰＣファイバ
１０の接続部において大きくなることが分かる。さら
に、接続例１の接続損失が５．４７ｄＢであるのに対
し、ＰＣファイバ１０とバッファ光ファイバ３０との接
続部の接続損失が２．０１ｄＢ（接続例２及び３）であ
ることから、特にこのＰＣファイバ１０とバッファ光フ
ァイバ３０との接続部において接続損失の低減が図られ
ていることが分かる。接続例１では、ＰＣファイバ１０
のＭＦＤ（ｄ1）と被接続光ファイバ２０のＭＦＤ
（ｄ2）との差が非常に大きいために、接続部において
多大の光が放射により散逸して大きな接続損失を生じた
ものであると考えられる。これに対し、接続例２及び３
では、接続部が２カ所設けられることとなるものの、Ｐ
Ｃファイバ１０と被接続光ファイバ２０との間にＭＦＤ
（ｄ3）がそれらのものの中間の寸法であるバッファ光
ファイバ３０が介設されていることにより、各接続部で
ファイバ間のＭＦＤの差が小さくなり、それによって光
の放射による散逸が著しく抑制され（特にＰＣファイバ
１０とバッファ光ファイバ３０との接続部において）、
接続例１に比べてトータルの接続損失は低く抑えられた
ものであると考えられる。
【００５０】また、接続例３は、接続例２よりも接続損
失が低いことが分かる。接続例２では、バッファ光ファ
イバ３０と被接続光ファイバ２０との接続部でＭＦＤの
差が大きいために、光が放射により散逸して相対的に大
きな接続損失を生じたものであると考えられる。これに
対し、接続例３では、接続部におけるバッファ光ファイ
バ３０のＭＦＤと被接続光ファイバ２０のＭＦＤとの差
が小さくなっているために、光の放射による散逸が抑止
されて接続損失が低くなったものであると考えられる。
失が低いことが分かる。接続例２では、バッファ光ファ
イバ３０と被接続光ファイバ２０との接続部でＭＦＤの
差が大きいために、光が放射により散逸して相対的に大
きな接続損失を生じたものであると考えられる。これに
対し、接続例３では、接続部におけるバッファ光ファイ
バ３０のＭＦＤと被接続光ファイバ２０のＭＦＤとの差
が小さくなっているために、光の放射による散逸が抑止
されて接続損失が低くなったものであると考えられる。
【図１】本発明の実施形態におけるフォトニッククリス
タルファイバの斜視図である。
タルファイバの斜視図である。
【図２】本発明の実施形態における光ファイバの斜視図
である。
である。
【図３】本発明の実施形態におけるバッファ光ファイバ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】本発明の実施形態におけるフォトニッククリス
タルファイバの接続構造体を形成するための構成部材の
側面図である。
タルファイバの接続構造体を形成するための構成部材の
側面図である。
【図５】本発明の実施形態におけるフォトニッククリス
タルファイバの接続構造体の側面図である。
タルファイバの接続構造体の側面図である。
【図６】本発明の他の実施形態におけるフォトニックク
リスタルファイバの接続構造体の側面図である。
リスタルファイバの接続構造体の側面図である。
【図７】実施例におけるフォトニッククリスタルファイ
バの接続構造体の側面図である。
バの接続構造体の側面図である。
【図８】従来例におけるフォトニッククリスタルファイ
バの接続構造体の側面図である。
バの接続構造体の側面図である。
【図９】光ファイバの接続構造体の側面図である。
１０ フォトニッククリスタルファイバ １１，２１，３１ コア １２，２２，３２ クラッド １３ 被覆部 １４ フォトニッククリスタルファイバ接続端 ２０ 被接続光ファイバ ２３ 被接続光ファイバ接続端 ３０ バッファ光ファイバ ３３ バッファ光ファイバ一端 ３４ バッファ光ファイバ他端 ｃ 接続部 ｄl，ｄs，ｄ1〜ｄ3 モードフィールド径 ｆ1，ｆ2 光ファイバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山取 真也 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 中沢 正隆 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 久保田 寛和 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 川西 悟基 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H036 JA00 MA12 MA14 MA17 2H050 AB05Z AB52Z AC34 AC64 AC82 AC83
Claims (7)
- 【請求項１】 フォトニッククリスタルファイバを、該
フォトニッククリスタルファイバのモードフィールド径
よりも大きいモードフィールド径を有する被接続光ファ
イバに接続する方法であって、 上記フォトニッククリスタルファイバのモードフィール
ド径と上記被接続光ファイバのモードフィールド径との
中間のモードフィールド径を有するバッファ光ファイバ
の一端に上記フォトニッククリスタルファイバの接続端
を接続する一方、該バッファ光ファイバの他端に上記被
接続光ファイバの接続端を接続することを特徴とするフ
ォトニッククリスタルファイバの接続方法。 - 【請求項２】 フォトニッククリスタルファイバを、該
フォトニッククリスタルファイバのモードフィールド径
よりも大きいモードフィールド径を有する被接続光ファ
イバに接続する方法であって、 ファイバ中心をなすコアと該コアを覆うように設けられ
た中実のクラッドとを備え且つ上記フォトニッククリス
タルファイバのモードフィールド径と同一又はそれと上
記被接続光ファイバのモードフィールド径との中間のモ
ードフィールド径を有するバッファ光ファイバの一端に
上記フォトニッククリスタルファイバの接続端を接続す
る一方、該バッファ光ファイバの他端に上記被接続光フ
ァイバの接続端を接続することを特徴とするフォトニッ
ククリスタルファイバの接続方法。 - 【請求項３】 上記バッファ光ファイバの他端に、上記
コアにドープされた屈折率調整成分を上記中実のクラッ
ドに拡散させる加熱処理を施すことを特徴とする請求項
２に記載のフォトニッククリスタルファイバの接続方
法。 - 【請求項４】 フォトニッククリスタルファイバと、 上記フォトニッククリスタルファイバのモードフィール
ド径よりも大きいモードフィールド径を有する被接続光
ファイバと、 上記フォトニッククリスタルファイバの接続端に一端が
接続される一方、上記被接続光ファイバの接続端に他端
が接続され、ファイバ中心をなすコアと該コアを覆うよ
うに設けられた中実のクラッドとを備え且つ該フォトニ
ッククリスタルファイバのモードフィールド径と同一又
はそれと該被接続光ファイバのモードフィールド径との
中間のモードフィールド径を有するバッファ光ファイバ
と、を備えたことを特徴とするフォトニッククリスタル
ファイバの接続構造体。 - 【請求項５】 上記バッファ光ファイバは、上記コアに
屈折率調整成分がドープされており、該バッファ光ファ
イバの他端において該コアにドープされた屈折率調整成
分が上記中実のクラッドに拡散していることを特徴とす
る請求項４に記載のフォトニッククリスタルファイバの
接続構造体。 - 【請求項６】 フォトニッククリスタルファイバと、 上記フォトニッククリスタルファイバの接続端に一端が
接続され、ファイバ中心をなすコアと該コアを覆うよう
に設けられた中実のクラッドとを備え且つ上記フォトニ
ッククリスタルファイバのモードフィールド径と同一又
はそれより大きいモードフィールド径を有するバッファ
光ファイバと、からなることを特徴とするフォトニック
クリスタルファイバの接続構造体の構成部材。 - 【請求項７】 上記バッファ光ファイバは、上記コアに
屈折率調整成分がドープされており、該バッファ光ファ
イバの他端において該コアにドープされた屈折率調整成
分が上記中実のクラッドに拡散していることを特徴とす
る請求項６に記載のフォトニッククリスタルファイバの
接続構造体の構成部材。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041749A JP3701875B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | フォトニッククリスタルファイバの接続方法及びその接続構造体並びにその接続構造体の構成部材 |
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|---|---|---|---|
| JP2001041749A JP3701875B2 (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | フォトニッククリスタルファイバの接続方法及びその接続構造体並びにその接続構造体の構成部材 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (8)
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