JP2002237473A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2002237473A JP2002237473A JP2001033617A JP2001033617A JP2002237473A JP 2002237473 A JP2002237473 A JP 2002237473A JP 2001033617 A JP2001033617 A JP 2001033617A JP 2001033617 A JP2001033617 A JP 2001033617A JP 2002237473 A JP2002237473 A JP 2002237473A
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- Japan
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- teg
- semiconductor device
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、半導体素子領域の特性モニターとして
使用するＴＥＧには金属の測定用電極を用いていた。Ｔ
ＥＧはウエファの収率を低下させないためダイシングス
トリート上に設けるので、ダイシング時にこの金属電極
によるブレードの目詰まりや、金属片の飛散等で、半導
体素子の特性および品質の低下や、歩留まりの低下など
の問題があった。 【解決手段】 ＴＥＧの測定用電極にポリシリコンを使
用することにより、ダイシング時のブレードの目詰まり
や金属片の飛散をなくし、半導体素子の特性および品質
の向上と歩留まりの低下を抑制する半導体装置の製造方
法を提供する。
使用するＴＥＧには金属の測定用電極を用いていた。Ｔ
ＥＧはウエファの収率を低下させないためダイシングス
トリート上に設けるので、ダイシング時にこの金属電極
によるブレードの目詰まりや、金属片の飛散等で、半導
体素子の特性および品質の低下や、歩留まりの低下など
の問題があった。 【解決手段】 ＴＥＧの測定用電極にポリシリコンを使
用することにより、ダイシング時のブレードの目詰まり
や金属片の飛散をなくし、半導体素子の特性および品質
の向上と歩留まりの低下を抑制する半導体装置の製造方
法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、ダイシング時の歩留まりおよび品質を向上す
る半導体装置の製造方法に関する。
法に関し、ダイシング時の歩留まりおよび品質を向上す
る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では半導体素子領
域形成と同時に、ダイシングストリートにＴＥＧを作り
込んでいる。このＴＥＧは例えば拡散抵抗やコンタクト
抵抗または不純物拡散における表面濃度等、各種製造工
程をモニターするために、実際の素子領域と同時に形成
されるものであり、ＴＥＧを測定することにより、ウエ
ファの特性をモニターしている。
域形成と同時に、ダイシングストリートにＴＥＧを作り
込んでいる。このＴＥＧは例えば拡散抵抗やコンタクト
抵抗または不純物拡散における表面濃度等、各種製造工
程をモニターするために、実際の素子領域と同時に形成
されるものであり、ＴＥＧを測定することにより、ウエ
ファの特性をモニターしている。
【０００３】図２にＴＥＧの一例としてＤＳＡ（Drain
Source Area）抵抗モニタを示す。
Source Area）抵抗モニタを示す。
【０００４】図２（Ａ）はウエファの上面図であり、半
導体素子領域１１形成と同時にウエファ１２のダイシン
グストリート１３上にも不純物を拡散してＴＥＧ１４を
形成する。
導体素子領域１１形成と同時にウエファ１２のダイシン
グストリート１３上にも不純物を拡散してＴＥＧ１４を
形成する。
【０００５】ダイシングストリート１３上を使用するの
は、ウエファの収率を低下させないためである。
は、ウエファの収率を低下させないためである。
【０００６】図２（Ｂ）は、ＴＥＧ１４の断面図を示
す。ＤＳＡ抵抗測定用のため、チャネル層１５およびＤ
ＳＡ層１６を形成する不純物を半導体素子領域１１と同
条件で拡散してＴＥＧ１４を形成する。つまりＴＥＧ１
４は、実際の半導体素子１１領域と同じ不純物拡散にお
ける表面濃度を有するため、ＴＥＧ１４を測定すれば半
導体素子領域１１の測定ができる。
す。ＤＳＡ抵抗測定用のため、チャネル層１５およびＤ
ＳＡ層１６を形成する不純物を半導体素子領域１１と同
条件で拡散してＴＥＧ１４を形成する。つまりＴＥＧ１
４は、実際の半導体素子１１領域と同じ不純物拡散にお
ける表面濃度を有するため、ＴＥＧ１４を測定すれば半
導体素子領域１１の測定ができる。
【０００７】図２（Ｃ）はＴＥＧ１４の上面図であり、
入力電極１７およびＧＮＤ電極１８部分に、アルミニウ
ム等の金属をスパッタ後、所望の形状にエッチングして
形成し、測定用の針を立てて測定する。
入力電極１７およびＧＮＤ電極１８部分に、アルミニウ
ム等の金属をスパッタ後、所望の形状にエッチングして
形成し、測定用の針を立てて測定する。
【０００８】測定終了後にはダイシングストリート１３
に沿って半導体素子を切断し、個々に分離する。
に沿って半導体素子を切断し、個々に分離する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ウエファの特性をモニ
ターするＴＥＧの測定用電極にはいずれも金属電極が用
いられているが、ＴＥＧはウエファの収率を避けるため
にダイシングストリート上に設けられており、素子領域
形成後、組立の際にダイシングされる。
ターするＴＥＧの測定用電極にはいずれも金属電極が用
いられているが、ＴＥＧはウエファの収率を避けるため
にダイシングストリート上に設けられており、素子領域
形成後、組立の際にダイシングされる。
【００１０】しかし、測定用電極に金属電極が用いられ
ているために金属によるブレードの目詰まりが起こり、
このためウエファへのチッピングが発生したり、金属片
が本パターンに飛散するなどして製品の特性および品質
を悪化させたり、歩留まりの低下につながるなど問題と
なっていた。
ているために金属によるブレードの目詰まりが起こり、
このためウエファへのチッピングが発生したり、金属片
が本パターンに飛散するなどして製品の特性および品質
を悪化させたり、歩留まりの低下につながるなど問題と
なっていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題に
鑑みてなされ、ダイシングストリート上に形成するＴＥ
Ｇの測定用電極に半導体材料を用いることを特徴とし、
従来金属を用いていたＴＥＧの測定用電極にポリシリコ
ンを使用することにより、ダイシング時のブレードの悪
化や金属片の飛散を防ぎ、半導体素子の特性および品質
の向上と、歩留まりの低下を抑制するものである。
鑑みてなされ、ダイシングストリート上に形成するＴＥ
Ｇの測定用電極に半導体材料を用いることを特徴とし、
従来金属を用いていたＴＥＧの測定用電極にポリシリコ
ンを使用することにより、ダイシング時のブレードの悪
化や金属片の飛散を防ぎ、半導体素子の特性および品質
の向上と、歩留まりの低下を抑制するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１はＴＥＧの一つの例であるＤＳＡ抵抗
モニタを示す。
モニタを示す。
【００１４】図１（Ａ）はウエファの上面図であり、半
導体素子領域１形成と同時にウエファ２のダイシングス
トリート３上にも不純物を拡散してＴＥＧ４を形成す
る。
導体素子領域１形成と同時にウエファ２のダイシングス
トリート３上にも不純物を拡散してＴＥＧ４を形成す
る。
【００１５】ダイシングストリート３上を使用するの
は、ウエファの収率を低下させないためである。
は、ウエファの収率を低下させないためである。
【００１６】図１（Ｂ）は、ＴＥＧ４の断面図を示す。
ＤＳＡ抵抗測定用のため、チャネル層５およびＤＳＡ層
６を形成する不純物を半導体素子領域１と同条件で拡散
してＴＥＧ４を形成する。つまりＴＥＧ４は、実際の半
導体素子領域１と同じ不純物拡散における表面濃度を有
するため、ＴＥＧ４を測定すれば半導体素子領域１の測
定ができる。
ＤＳＡ抵抗測定用のため、チャネル層５およびＤＳＡ層
６を形成する不純物を半導体素子領域１と同条件で拡散
してＴＥＧ４を形成する。つまりＴＥＧ４は、実際の半
導体素子領域１と同じ不純物拡散における表面濃度を有
するため、ＴＥＧ４を測定すれば半導体素子領域１の測
定ができる。
【００１７】図１（Ｃ）はＴＥＧ４の上面図であり、入
力電極７およびＧＮＤ電極８部分に、不純物をドープし
たポリシリコンを堆積後、所望の形状にエッチングして
形成し、測定用の針を立てて測定する。
力電極７およびＧＮＤ電極８部分に、不純物をドープし
たポリシリコンを堆積後、所望の形状にエッチングして
形成し、測定用の針を立てて測定する。
【００１８】測定終了後にはダイシングストリート３に
沿って半導体素子を切断し、個々に分離する。
沿って半導体素子を切断し、個々に分離する。
【００１９】なお、本発明の実施の形態ではＤＳＡ抵抗
モニタを説明したが、他にもポリシリコンのコンタクト
抵抗モニタ、ＤＳＡコンタクト抵抗モニタ、ゲート酸化
膜絶縁耐量モニタ等、各種ＴＥＧに関しても同様に実施
できる。
モニタを説明したが、他にもポリシリコンのコンタクト
抵抗モニタ、ＤＳＡコンタクト抵抗モニタ、ゲート酸化
膜絶縁耐量モニタ等、各種ＴＥＧに関しても同様に実施
できる。
【００２０】本発明の特徴はＴＥＧの測定用電極をポリ
シリコンで形成することにある。測定が終了後、ウエフ
ァをダイシングして半導体素子を個々に分離するが、Ｔ
ＥＧの測定用電極はポリシリコンのため、金属の飛散が
起こらず、ブレードの目詰まりも防げる。
シリコンで形成することにある。測定が終了後、ウエフ
ァをダイシングして半導体素子を個々に分離するが、Ｔ
ＥＧの測定用電極はポリシリコンのため、金属の飛散が
起こらず、ブレードの目詰まりも防げる。
【００２１】これにより半導体素子の特性および品質の
低下を防ぎ、歩留まりの低下を大幅に抑制できる。
低下を防ぎ、歩留まりの低下を大幅に抑制できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明に依れば、ＴＥＧの測定用電極に
ポリシリコンを用いることにより、ダイシング時に金属
の飛散や、ブレードの目詰まりを防げる。これによりチ
ッピングや飛散した金属片による、半導体素子の特性お
よび品質の低下を防ぎ、歩留まりの低下を大幅に抑制す
ることができる。
ポリシリコンを用いることにより、ダイシング時に金属
の飛散や、ブレードの目詰まりを防げる。これによりチ
ッピングや飛散した金属片による、半導体素子の特性お
よび品質の低下を防ぎ、歩留まりの低下を大幅に抑制す
ることができる。
【００２３】また、コスト的にも測定用電極に金属を使
用する場合に比べて低減できる利点を有する。
用する場合に比べて低減できる利点を有する。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の上面図および断面図である
の上面図および断面図である
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
上面図および断面図である。
上面図および断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイシングストリート上に形成するＴＥ
Ｇの測定用電極に半導体材料を用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体材料はポリシリコンであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001033617A JP2002237473A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001033617A JP2002237473A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237473A true JP2002237473A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18897342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001033617A Pending JP2002237473A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237473A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006137074A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Tohcello Co Ltd | 多層二軸延伸フィルム |
| JP2015046455A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
| JP2015144211A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-09 JP JP2001033617A patent/JP2002237473A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006137074A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Tohcello Co Ltd | 多層二軸延伸フィルム |
| JP2015046455A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
| JP2015144211A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102014223787B4 (de) | 2014-01-31 | 2022-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
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