JP2002236894A - 非接触通信式半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多指向性又は無指向性のアンテナを備え、小
型にしてこれまで適用が困難であった微小な空間に適用
可能な非接触通信式半導体装置を提供する。 【解決手段】 球形のＩＣ１の外周部を当該ＩＣ１の直
径と同等又はこれよりも厚い絶縁層４にて覆い、当該絶
縁層４の表面にアンテナパターン２を形成する。アンテ
ナパターン２は、巻線をもって構成することもできる
し、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチ
ングやレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより
構成することもできる。アンテナパターン２とＩＣ１の
表面に形成された回路パターンとは、スルーホール５を
介して接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、比較的微弱な信号
を取り扱う無線通信用のアンテナを備え、リーダライタ
からの電力の受給とリーダライタとの間の信号の送受信
とを無線によって行う非接触通信式の半導体装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、カード形、タグ形又はコイン
形などに形成された基体にＩＣチップを搭載してなる半
導体装置が知られている。この種の半導体装置は、豊富
な情報量と高いセキュリティ性能を備えていることか
ら、交通、流通及び情報通信等の各分野で普及が進んで
いる。

【０００３】中でも、近年開発された非接触通信式の半
導体装置は、基体に外部端子を設けず、リーダライタか
らＩＣチップへの電力の受給と、リーダライタとＩＣチ
ップとの間の信号の送受信とを無線通信用のアンテナを
利用して非接触で行うので、接触式の半導体装置のよう
に外部端子の損壊ということが本質的になく、保存等の
取り扱いが容易で長期間の使用に耐え、リーダライタの
メンテナンスも容易になるという特徴を有する。またこ
れに加えて、データの改ざんが行われにくく一層セキュ
リティ性能に優れるという特徴を有しており、今後より
広範囲な分野への普及が予想されている。

【０００４】従来の非接触通信式半導体装置において
は、ＩＣとして、回路形成面が平面状に形成されたＩＣ
チップ、即ち、薄板状に形成されたシリコンウエハの片
面に演算素子や記憶素子を含む所要の回路パターンが集
積化されたＩＣチップが用いられている。また、前記無
線通信用のアンテナとしては、導線を巻回してなる巻線
コイルや導体膜をエッチングしてなる平面コイルが用い
られている。これらのアンテナは、基体に設けられるの
が一般的であったが、近年においては、ＩＣチップに直
接平面コイルをパターン形成したものや、ＩＣチップを
コアとしてその周面に巻線コイルを巻回したものも提案
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコンウ
エハの片面に所要の回路パターンが集積化された薄板状
のＩＣチップは、抗折力が小さいために、基体にアンテ
ナが備えられるものは勿論のこと、ＩＣチップ自体にア
ンテナが備えられたものについても単独では非接触通信
式半導体装置として使用することができず、ＩＣチップ
を基体に搭載する必要がある。このため、従来の非接触
通信式半導体装置は、構造が複雑でコスト高になり、か
つ平面形状が大型化するという不都合がある。

【０００６】また、従来の非接触通信式半導体装置は、
基体がカード形、タグ形又はコイン形などに形成され、
かつ当該非接触式半導体装置に搭載されるアンテナが基
体の表裏方向に指向性を有するように構成されているの
で、利用分野が自ずと制限され、例えば、当該非接触通
信式半導体装置を流体中に投入して、その流量や流速を
測定するといった利用を図ることができない。

【０００７】本発明は、かかる従来技術の不備を解決す
るためになされたものであって、その課題とするところ
は、小型かつ安価に製造でき、しかもこれまで適用が困
難であった分野への適用が可能な非接触通信式半導体装
置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するため、第１に、立体的な回路形成面を有するＩ
Ｃと、当該ＩＣの表面に立体的にパターン形成された無
線通信用のアンテナとを備えるという構成にした。

【０００９】前記立体的な回路形成面を有するＩＣと
は、ウエハプロセスによって製造されるＩＣとは異な
り、特殊な方法で生成されたシリコン基の表面にプロセ
ス技術を応用して所要の素子及び配線が形成されたもの
であって、輪郭表面が２以上の平面を含んで構成され、
その２以上の平面に回路が形成されたもの、及び、輪郭
表面が例えば球状、粒状、皿状、ヘモグロビン形状、テ
トラポッド形状、細長或いは扁平的回転楕円体、正四面
体包摂形状、ドーナツ状、米粒状、ひょうたん型、印
型、たわら形状などの曲面で構成され、当該曲面に回路
が形成されたものの双方を含む。

【００１０】前記非接触通信式半導体装置において、前
記ＩＣとアンテナとの間には、必要に応じて絶縁層を設
けることができ、当該絶縁層の厚さを調整することによ
って、当該絶縁層の表面に形成されるアンテナのサイ
ズ、即ち周波数特性を調整することができる。

【００１１】本発明は、前記の課題を解決するため、第
２に、立体的な回路形成面を有するＩＣと、当該ＩＣの
外周部に付設され、前記回路形成面に立体的に形成され
た回路の入出力端子と電気的に接続された無線通信用の
アンテナとを備え、当該アンテナとして、２つの導電性
中空半球体からなり、これら２つの導電性中空半球体の
周縁部が所定のスリットを介して対向に配置されたもの
を用いるという構成にした。

【００１２】本発明は、前記の課題を解決するため、第
３に、立体的な回路形成面を有するＩＣと、当該ＩＣの
外周部に付設され、前記回路形成面に立体的に形成され
た回路の入出力端子と電気的に接続された無線通信用の
アンテナとを備え、当該アンテナとして、一部にスリッ
トを有する導電性中空球体からなるものを用いるという
構成にした。

【００１３】これらの第２及び第３の課題解決手段に係
るアンテナは、高周波特性に優れるので、小型にして大
きな通信距離を得ることができる。また、要求される通
信距離が小さい場合には、巻線コイルからなるアンテナ
を用いることも可能である。

【００１４】前記アンテナとして、ＩＣの表面にエッチ
ングやレーザビーム加工等の微細加工技術を応用してパ
ターン形成されたものや巻線コイルを用いる場合、その
アンテナパターンは、ループ型又はダイポール型或いは
これらの組み合わせなど、任意の形状に形成することが
できる。また、そのアンテナパターンは、多指向性又は
無指向性を有することが好ましく、少なくとも３方向以
上の特定の多方向に対して高い感度を有するように形成
されることが好ましい。

【００１５】立体的な回路形成面を有するＩＣ、例えば
球状のＩＣは、板状のＩＣチップに比べて格段に抗折力
（破壊強度）が大きい。また、かかるＩＣの表面に無線
通信用のアンテナをパターン形成するか、あるいは、か
かるＩＣの外周部に無線通信用のアンテナを付設する
と、アンテナを搭載するための基体を必要としないので
基体を必須の構成要素とする従来の非接触通信式半導体
装置に比べてその平面形状を格段に小型化できると共
に、３方向以上の特定の多方向に対して高い感度を有す
る多指向性のアンテナ又は無指向性のアンテナを形成す
ることができる。したがって、ＩＣ及びアンテナのみを
もって実用的な非接触通信式の半導体装置を構成するこ
とができ、小型かつ粒状であることから、例えば流体中
に投入して、その流量や流速を測定するといった利用を
も図ることができ、この種の非接触通信式半導体装置の
用途を拡大することができる。また、ＩＣの表面に無線
通信用のアンテナをパターン形成するか、あるいは、Ｉ
Ｃの外周部に無線通信用のアンテナを付設するだけで所
望の非接触通信式半導体装置を得ることができるので、
基体を備えた非接触通信式半導体装置に比べて安価に製
造することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】〈第１実施形態例〉本発明に係る
非接触通信式半導体装置の第１実施形態例を、図１乃至
図３に基づいて説明する。図１は第１実施形態例に係る
非接触通信式半導体装置の斜視図、図２はアンテナを構
成する導線の断面図、図３は第１実施形態例に係る非接
触通信式半導体装置の利用例とリーダライタの構成例と
を示す概念説明図である。図１から明らかなように、本
例の非接触通信式半導体装置１１は、立方形に形成され
たＩＣ１のＡ面とその対向面であるＡ′面とにアンテナ
パターン２が形成され、Ａ面及びＡ′面と直交するＣ面
にアンテナの両端３が配置されている。ＩＣ１のＡ面及
びＡ′面に形成されるアンテナパターン２は、いずれも
電流ｉに関して同一方向に巻回されており、アンテナパ
ターン２に電流ｉが供給されたとき、各アンテナパター
ン２からＡ面及びＡ′面に垂直で同一向きの磁界Ｈが発
生する。なお、図ではアンテナパターン２が１本の線で
表示されているが、コイル状に所定回数ターンさせるこ
とも勿論可能である。

【００１７】ＩＣ１は、前記したように外形が立方形に
形成されており、当該立方形を構成する６平面のうちの
少なくとも２平面以上に所要の回路パターン（図示省
略）が形成されていて、Ｃ面のアンテナ両端３と対応す
る部分に入出力部を有している。このＩＣ１は、立方体
に形成されたシリコン基の表面にプロセス技術を応用し
て所要の素子及び配線を形成することにより作成され
る。

【００１８】アンテナパターン２は、ＩＣ１の周囲に導
線を巻回することによって構成することもできるし、Ｉ
Ｃ１の表面に絶縁層（図示省略）を介して形成された導
体膜に例えばエッチング加工やレーザビーム加工等の微
細加工を施すことにより構成することもできる。アンテ
ナパターン２が導線にて形成される場合、ＩＣ１のＣ面
のアンテナ両端３と対応する部分には、パッド部が設け
られ、当該パッド部にアンテナ２の両端が接続される。
これに対して、アンテナパターン２が導体膜を微細加工
することによって形成される場合には、かかるパッド部
は不要である。

【００１９】アンテナパターン２を導線にて形成する場
合、当該導線としては、図２（ａ）に示すように、銅や
アルミニウムなどの良導電性金属材料からなる心線２ａ
の周囲を樹脂などの絶縁層２ｂで被覆された線材から成
るもの、或いは図２（ｂ）に示すように、心線２ａの周
囲に金やハンダなどの接合用金属層２ｃが被覆され、か
つ当該接合用金属層２ｃの周囲に絶縁層２ｂが被覆され
た線材から成るものを用いることもできる。線材の直径
は、必要に応じて適宜選択できるが、巻線時の断線防止
及びアンテナ装置の小型化の要請から、２０μｍ〜１０
０μｍのものが特に好適である。また、導線からなるア
ンテナパターン２とＩＣパッド部との接続法法として
は、ワイヤボンディング、ハンダ付け、超音波融着、異
方性導電体接続等によって行うことができる。

【００２０】本例の非接触通信式半導体装置１１は、立
方形のＩＣ１の表面に無線通信用のアンテナ２をパター
ン形成するか、巻線コイルを巻回したので、従来のよう
にアンテナを搭載するための基体を必要とせず、基体を
必須の構成要素とする従来の非接触通信式半導体装置に
比べてその平面形状を格段に小型化できる。したがっ
て、ＩＣ１及びアンテナ２のみをもって実用的な非接触
通信式の半導体装置を構成することができ、小型かつ粒
状であることから、図３に示すように、管体２１内を流
れる流体２２に投入して、リーダライタ２３にてその流
量や流速を測定するといった利用を図ることができる。

【００２１】即ち、リーダライタ２３には、非接触通信
式半導体装置１１に備えられたアンテナ２と電磁結合可
能なコイル２４が備えられていて、このコイル２４は、
管体２１の外周に巻回されている。本構成のリーダライ
タ２３によると、流体２２と共に管体２１内を流れてき
た非接触通信式半導体装置１１がコイル２４に接近し、
非接触通信式半導体装置１１に備えられたアンテナ２と
コイル２４とが電磁結合した段階でリーダライタ２３よ
り非接触通信式半導体装置１１に電源が供給され、非接
触通信式半導体装置１１はその電源を利用して所要の演
算を行い、所要の信号をリーダライタ２３に送信する。
リーダライタ２３によるこの信号の受信レベルは、アン
テナ２とコイル２４との相対位置によって変化するか
ら、受信レベルの変化をリーダライタ２３に接続された
ホストコンピュータによって検出することによって、管
体２１内を流れる流体２２の流速、ひいては流量を演算
によって求めることができる。

【００２２】さらに、前記構成の非接触通信式半導体装
置は、ＩＣの表面に無線通信用のアンテナをパターン形
成するか、巻線コイルを巻回するだけで所望の非接触通
信式半導体装置を得ることができるので、基体を備えた
非接触通信式半導体装置に比べて安価に製造することが
できる。

【００２３】〈第２実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第２実施形態例を、図４に基づいて説
明する。図４は第２実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の斜視図である。図４から明らかなように、本例
の非接触通信式半導体装置１２は、立方形に形成された
ＩＣ１のＡ面及びＡ′面並びにこれらの各面と直交する
Ｂ面及びＢ′面にアンテナパターン２が形成され、Ａ
面、Ａ′面、Ｂ面及びＢ′面と直交するＣ面にアンテナ
の両端３が配置されている。ＩＣ１のＡ面及びＡ′面に
形成されるアンテナパターン２は、いずれも電流ｉに関
して同一方向に巻回されており、アンテナパターン２に
電流ｉが供給されたとき、各アンテナパターン２からＡ
面及びＡ′面に垂直で同一向きの磁界Ｈ１を発生する。
また、ＩＣ１のＢ面及びＢ′面に形成されるアンテナパ
ターン２も、電流ｉに関して同一方向に巻回されてお
り、アンテナパターン２に電流ｉが供給されたとき、各
アンテナパターン２からＢ面及びＢ′面に垂直で同一向
きの磁界Ｈ２が発生する。その他の事項については第１
実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１１と同じで
あるので、重複を避けるために説明を省略する。

【００２４】本例の非接触通信式半導体装置１２は、第
１実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１１と同様
の効果を奏するほか、ＩＣ１のＡ面及びＡ′面とＢ面及
びＢ′面とにアンテナパターン２を形成したので、Ａ面
及びＡ′面に垂直な方向並びにＢ面及びＢ′面に垂直な
方向の２方向に高い感度を有する多指向性のアンテナ装
置を備えた非接触通信式半導体装置を得ることができ
る。

【００２５】〈第３実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第３実施形態例を、図５に基づいて説
明する。図５は第３実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の斜視図である。図５から明らかなように、本例
の非接触通信式半導体装置１３は、立方形に形成された
ＩＣ１のＡ面及びＡ′面、Ｂ面及びＢ′面並びにＣ面及
びＣ′面にそれぞれアンテナパターン２が形成され、Ｃ
面にアンテナの両端３が配置されている。ＩＣ１のＡ面
及びＡ′面に形成されるアンテナパターン２は、いずれ
も電流ｉに関して同一方向に巻回されており、アンテナ
パターン２に電流ｉが供給されたとき、各アンテナパタ
ーン２からＡ面及びＡ′面に垂直で同一向きの磁界Ｈ１
を発生する。また、ＩＣ１のＢ面及びＢ′面に形成され
るアンテナパターン２も、電流ｉに関して同一方向に巻
回されており、アンテナパターン２に電流ｉが供給され
たとき、各アンテナパターン２からＢ面及びＢ′面に垂
直で同一向きの磁界Ｈ２が発生する。さらに、ＩＣ１の
Ｃ面及びＣ′面に形成されるアンテナパターン２も、電
流ｉに関して同一方向に巻回されており、アンテナパタ
ーン２に電流ｉが供給されたとき、各アンテナパターン
２からＣ面及びＣ′面に垂直で同一向きの磁界Ｈ３が発
生する。その他の事項については第１実施形態例に係る
非接触通信式半導体装置１１と同じであるので、重複を
避けるために説明を省略する。

【００２６】本例の非接触通信式半導体装置装置１３
は、第１実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１１
と同様の効果を奏するほか、ＩＣ１のＡ面及びＡ′面、
Ｂ面及びＢ′面並びにＣ面及びＣ′面にアンテナパター
ン２を形成したので、Ａ面及びＡ′面に垂直な方向、Ｂ
面及びＢ′面に垂直な方向並びにＣ面及びＣ′面に垂直
な方向の３方向に高い感度を有する多指向性のアンテナ
装置を備えた非接触通信式半導体装置を得ることができ
る。

【００２７】〈第４実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第４実施形態例を、図６に基づいて説
明する。図６は第４実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の斜視図である。

【００２８】図６から明らかなように、本例の非接触通
信式半導体装置１４は、立方形に形成されたＩＣ１の３
方向の周面に連続的にアンテナパターン２を形成し、い
ずれか１つの面、図の例ではＣ面にアンテナの両端３を
配置したことを特徴とする。アンテナパターン２は、図
２に例示したような導線を巻回することによって形成す
ることができる。本例の非接触通信式半導体装置１４
は、アンテナパターン２に電流ｉが供給されたとき、Ｉ
Ｃ１の各周面に巻回された各コイルから、互いに直交す
る方向に３つの磁界Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が発生する。その
他の事項については第１実施形態例に係る非接触通信式
半導体装置１１と同じであるので、重複を避けるために
説明を省略する。

【００２９】本例の非接触通信式半導体装置１４は、第
３実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１３と同様
の効果を奏する。

【００３０】〈第５実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第５実施形態例を、図７に基づいて説
明する。図７は第５実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の斜視図である。図７から明らかなように、本例
の非接触通信式半導体装置１５は、ＩＣ１として、輪郭
が球形に形成されたＩＣを用い、その表面にアンテナパ
ターン２を形成したことを特徴とする。アンテナパター
ン２は、巻線をもって構成することもできるし、ＩＣ１
の表面に絶縁層（図示省略）を介して形成された導体膜
に例えばエッチング加工やレーザビーム加工等の微細加
工を施すことにより構成することもできる。図７（ａ）
はＩＣ１の表面に沿ってアンテナ２を野球のボールの縫
い目形状に形成した例を示し、図７（ｂ）はＩＣ１の表
面に複数個の渦巻き型のコイルを分散した例を示す。い
ずれの場合にも、２方向以上の多方向に高い感度を有す
る多指向性のアンテナを備えた非接触通信式半導体装置
とすることができる。その他の事項については第１実施
形態例に係る非接触通信式半導体装置１１と同じである
ので、重複を避けるために説明を省略する。

【００３１】本例の非接触通信式半導体装置１５も、第
１乃至第４実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１
１，１２，１３，１４と同様の効果を奏する。

【００３２】〈第６実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第６実施形態例を、図８に基づいて説
明する。図８は第６実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の断面図である。図８から明らかなように、本例
の非接触通信式半導体装置１６は、球形のＩＣ１の外周
部を当該ＩＣ１の直径と同等又はこれよりも厚い絶縁層
４にて覆い、当該絶縁層４の表面にアンテナパターン２
を形成したことを特徴とする。アンテナパターン２は、
巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面
に形成された導体膜に例えばエッチング加工やレーザビ
ーム加工等の微細加工を施すことにより構成することも
できる。アンテナパターン２とＩＣ１の表面に形成され
た回路パターン９の入出力部９ａとは、スルーホール５
を介して接続される。その他の事項については第１実施
形態例に係る非接触通信式半導体装置１１と同じである
ので、重複を避けるために説明を省略する。

【００３３】本例の非接触通信式半導体装置１６は、第
５実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１５と同様
の効果を有するほか、球形のＩＣ１の外周部を当該ＩＣ
１の直径と同等又はこれよりも厚い絶縁層４にて覆い、
当該絶縁層４の表面にアンテナパターン２を形成したの
で、ＩＣ１の表面又はその近傍にアンテナパターン２を
形成する場合に比べてアンテナパターン２のサイズを大
型化することができ、高周波特性に優れたアンテナを備
えた非接触通信式半導体装置とすることができる。

【００３４】〈第７実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第７実施形態例を、図９に基づいて説
明する。図９は第７実施形態例に係る非接触通信式半導
体装置の断面図である。

【００３５】図９から明らかなように、本例の非接触通
信式半導体装置１７は、球形のＩＣ１の外周部を当該Ｉ
Ｃ１の直径と同等又はこれよりも厚い絶縁層４にて覆
い、当該絶縁層４の外面に２つの導電性中空半球体２
ａ，２ｂからなるアンテナ２を被着したことを特徴とす
る。前記２つの導電性中空半球体２ａ，２ｂの相対向す
る周縁部の間には所定の間隙６が設けられ、各導電性中
空半球体２ａ，２ｂとＩＣ１の表面に形成された回路パ
ターンとは、スルーホール５を介して接続される。その
他の事項については第６実施形態例に係る非接触通信式
半導体装置１６と同じであるので、重複を避けるために
説明を省略する。

【００３６】本例の非接触通信式半導体装置１７は、第
６実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１６と同様
の効果を有するほか、２つの導電性中空半球体２ａ，２
ｂからなるアンテナ２を用いたので、パターン形成され
たアンテナ又は巻線からなるアンテナを用いる場合に比
べて、より高周波特性に優れたアンテナを備えた非接触
通信式半導体装置とすることができる。

【００３７】〈第８実施形態例〉本発明に係る非接触通
信式半導体装置の第８実施形態例を、図１０に基づいて
説明する。図１０は第８実施形態例に係る非接触通信式
半導体装置の断面図である。

【００３８】図１０から明らかなように、本例の非接触
通信式半導体装置１８は、アンテナ２として、一部にス
リット８を有する導電性中空球体からなるものを用い、
当該アンテナ２内に球形のＩＣ１を収納して、前記アン
テナ２の内面の２点とＩＣ１の表面に形成された回路パ
ターンとを導体７で接続したことを特徴とする。その他
の事項については第６実施形態例に係る非接触通信式半
導体装置１６と同じであるので、重複を避けるために説
明を省略する。

【００３９】本例の非接触通信式半導体装置１８も、第
７実施形態例に係る非接触通信式半導体装置１７と同様
の効果を有する。

【００４０】なお、前記各実施形態例においては、立方
形のＩＣ１又は球形のＩＣ１を用いたが、ＩＣ１の形状
についてはこれに限定されるものではなく、立体的な回
路形成面を有するＩＣであれば、例えば球状、粒状、皿
状、ヘモグロビン形状、テトラポッド形状、細長或いは
扁平的回転楕円体、正四面体包摂形状、ドーナツ状、米
粒状、ひょうたん型、印型、たわら形状など、任意の輪
郭を有するものを用いることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の非接触通
信式半導体装置は、立体的な回路形成面を有するＩＣを
用い、当該ＩＣの表面に無線通信用のアンテナをパター
ン形成するか、前記ＩＣの外周部に当該ＩＣの回路形成
面に形成された回路の入出力端子と電気的に接続された
無線通信用のアンテナを付設したので、アンテナを搭載
するための基体を必要とせず、基体を必須の構成要素と
する従来の非接触通信式半導体装置に比べてその平面形
状を格段に小型化できると共に、３方向以上の特定の多
方向に対して高い感度を有する多指向性のアンテナ又は
無指向性のアンテナを形成することができる。したがっ
て、ＩＣ及びアンテナのみをもって実用的な非接触通信
式の半導体装置を構成することができ、小型かつ粒状で
あることから、例えば流体中に投入してその流量や流速
を測定するなど、従来非接触通信式半導体装置の適用が
困難であった分野への応用が可能になる。また、基体を
有しないことから、構造が簡単であり、基体を備えた非
接触通信式半導体装置に比べて安価に製造することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の斜視図である。

【図２】アンテナを構成する導線の断面図である。

【図３】第１実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の利用例とリーダライタの構成例とを示す概念説明図で
ある。

【図４】第２実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の斜視図である。

【図５】第３実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の斜視図である。

【図６】第４実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の斜視図である。

【図７】第５実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の斜視図である。

【図８】第６実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の断面図である。

【図９】第７実施形態例に係る非接触通信式半導体装置
の断面図である。

【図１０】第８実施形態例に係る非接触通信式半導体装
置の断面図である。

【符号の説明】

１ ＩＣ ２ アンテナ ３ アンテナ両端 ４ 絶縁層 ５ スルーホール ６ 間隙 ７ 導体 ８ スリット １１〜１８ 非接触通信式半導体装置

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 立体的な回路形成面を有するＩＣと、当
   該ＩＣの表面に立体的にパターン形成された無線通信用
   のアンテナとを備えたことを特徴とする非接触通信式半
   導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の非接触通信式半導体装
   置において、前記ＩＣとして、輪郭表面が曲面で構成さ
   れたものを用いることを特徴とする非接触通信式半導体
   装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の非接触通信式半導体装
   置において、前記ＩＣが球形であることを特徴とする非
   接触通信式半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の非接触通信式半導体装
   置において、前記ＩＣとアンテナとの間に絶縁層を設け
   たことを特徴とする非接触通信式半導体装置。
5. 【請求項５】 立体的な回路形成面を有するＩＣと、当
   該ＩＣの外周部に付設され、前記回路形成面に立体的に
   形成された回路の入出力端子と電気的に接続された無線
   通信用のアンテナとを備え、当該アンテナとして、２つ
   の導電性中空半球体からなり、これら２つの導電性中空
   半球体の周縁部が所定のスリットを介して対向に配置さ
   れたものを用いたことを特徴とする非接触通信式半導体
   装置。
6. 【請求項６】 立体的な回路形成面を有するＩＣと、当
   該ＩＣの外周部に付設され、前記回路形成面に立体的に
   形成された回路の入出力端子と電気的に接続された無線
   通信用のアンテナとを備え、当該アンテナとして、一部
   にスリットを有する導電性中空球体からなるものを用い
   たことを特徴とする非接触通信式半導体装置。