【特許請求の範囲】
【請求項１】（ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物を少なくとも一種含有する感放射線性レジスト組成物。
【請求項２】（ａ）成分が一般式（Ｉ）叉は（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の感放射線性レジスト組成物。
【化１】
Ｒ1及びＲ2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は１価の有機基を表す。または、Ｒ1とＲ2とが結合して、ヘテロ原子、多重結合、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−を含有してもよい単環または多環の環構造を形成してもよい。
Ｒ3及びＲ4は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ’は、置換していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換していてもよいアリール基、置換していてもよいアラルキル基、叉は置換していてもよいカンファー基を表す。
Ｘは、水素ラジカル供与性基を有する１価の有機基を表す。また、Ｘは、Ｒ1或いはＲ2と結合して単環または多環の環構造を形成してもよい。
一般式（Ｉ）におけるＹ1は、Ｒ’ＳＯ3−、Ｒ’ＣＯＯ−、又はハロゲン原子を表す。
一般式（II）におけるＹ2 -は、非求核アニオンを表す。
Ｒａ及びＲｂは、置換してもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換していてもよいアリール基、叉は置換してもよいアラルキル基を表す。また、Ｒａ及びＲｂが結合して環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4、Ｒａ、Ｒｂ、Ｘ、Ｙ1、Ｙ2 -のいずれかの位置で連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）または（II）の構造を２つ有することもできる。
【請求項３】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により、分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種、及び、
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項４】（Ｃ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有することを特徴とする請求項２に記載のポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項５】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種
（Ｂ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、及び、
（Ｄ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項６】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種、
（Ｄ）アルカリ現像液に可溶な樹脂、及び、
（Ｅ）酸架橋剤、
を含有することを特徴とするネガ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
[Claims]
1. A radiation-sensitive resist composition comprising (a) at least one compound having at least one carbonyl group and decomposing upon irradiation with actinic rays with the transfer of intramolecular hydrogen radicals to generate an acid.
2. The radiation-sensitive resist composition according to claim 1, wherein the component (a) is a compound represented by the general formula (I) or (II).
Embedded image
R 3 and R 4 may be the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
R ′ represents a linear, branched, or cyclic alkyl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, an aralkyl group which may be substituted, or a camphor group which may be substituted.
X represents a monovalent organic group having a hydrogen radical donating group. X may combine with R 1 or R 2 to form a monocyclic or polycyclic ring structure.
Y 1 in the general formula (I) represents R′SO 3 —, R′COO—, or a halogen atom.
Y 2 in the general formula (II) - represents a non-nucleophilic anion.
Ra and Rb represent a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Ra and Rb may combine to form a ring.
R 1 to R 4 , Ra, Rb, X, Y 1 , and Y 2 — may be bonded via a linking group at any position to have two structures of the general formula (I) or (II). .
(A) at least one compound which has at least one carbonyl group, decomposes upon irradiation with an actinic ray together with intramolecular hydrogen radical transfer to generate an acid, and
(B) A positive-type radiation-sensitive resist composition comprising a resin having a group which is decomposed by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer.
4. A low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less which has a group decomposable by an acid and whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid. The positive-type radiation-sensitive resist composition according to claim 2, wherein
5. A compound having at least one carbonyl group (A), which decomposes upon irradiation with actinic rays with intramolecular hydrogen radical transfer to generate an acid, and (B) a group decomposable by an acid. Having a molecular weight of 3000 or less, wherein the dissolution rate in an alkali developer is increased by the action of an acid, and
(D) A positive-type radiation-sensitive resist composition comprising a resin which is insoluble in water and soluble in an alkali developing solution.
(A) at least one compound which has at least one carbonyl group, decomposes upon irradiation with actinic rays together with intramolecular hydrogen radical transfer to generate an acid,
(D) a resin soluble in an alkali developer, and
(E) an acid crosslinking agent,
A negative-type radiation-sensitive resist composition comprising:
7. A resist film is formed by radiation-sensitive composition according to claim 1, a pattern forming method characterized by the resist film to exposure and development.