JP2002221795A5

JP2002221795A5 -

Info

Publication number: JP2002221795A5
Application number: JP2001017237A
Authority: JP
Filing date: 2001-01-25
Publication date: 2006-01-19
Anticipated expiration: 2021-01-25

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる樹脂
を含有するポジ型レジスト組成物において、
（Ｂ）の樹脂が少なくとも（Ｂ１）と（Ｂ２）の２種の樹脂の混合物からなり、そのそれぞれの分散度Ｍｗ／Ｍｎを（Ｂ１Ｍ）及び（Ｂ２Ｍ）としたときに、９．９≧（Ｂ１Ｍ）／（Ｂ２Ｍ）≧１．３を満たすことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２】（Ｂ１）又は（Ｂ２）のうち少なくとも一方の樹脂が下記一般式（IV）及び（Ｖ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】

上記一般式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。
【請求項３】（Ｂ１）及び（Ｂ２）の両方の樹脂が下記一般式（IV）及び（Ｖ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】

上記一般式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。 [Claims]
(A) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) a positive resist composition containing a resin which is insoluble or hardly soluble in alkali, decomposes under the action of an acid, and increases solubility in an alkali developer;
When the resin (B) is composed of a mixture of at least two resins (B1) and (B2), and their respective dispersities Mw / Mn are (B1M) and (B2M), 9.9 ≧ ( (B1M) / (B2M) ≧ 1.3. A positive photoresist composition.
2. The positive electrode according to claim 1, wherein at least one of the resins (B1) and (B2) contains a repeating unit represented by the following general formulas (IV) and (V). -Type photoresist composition.
Embedded image

In the above general formula, L represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Z represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Further, Z and L may combine to form a 5- or 6-membered ring.
3. The positive resin according to claim 1, wherein both the resin (B1) and the resin (B2) contain repeating units represented by the following general formulas (IV) and (V). -Type photoresist composition.
Embedded image

In the above general formula, L represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Z represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Further, Z and L may combine to form a 5- or 6-membered ring.
4. A pattern forming method, comprising: forming a resist film from the positive photoresist composition according to claim 1; and exposing and developing the resist film.