JP2002090988A5

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Publication number: JP2002090988A5
Application number: JP2000283823A
Authority: JP
Filing date: 2000-09-19
Publication date: 2006-01-12
Anticipated expiration: 2020-09-19

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる樹脂、及び
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により、少なくとも１つ以上の、フッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】（Ｄ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する分子量３０００以下の化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】（Ｆ）含窒素塩基性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】（Ｇ）フッ素系またはシリコン系界面活性剤をさらに含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】（Ｂ）成分が、下記式（Ｉ）〜（III）のいずれかの式で表される構造を有する、少なくとも１つ以上の、フッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物であることを特微とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化１】

（上記式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃₇は、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−Ｓ−Ｒ₃₈基を表す。ここでＲ₃₈は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。Ｘ^-はフッ素原子を含有する基の少なくとも１つ以上で置換された芳香族スルホン酸のアニオン。）
【請求項６】式（Ｉ）〜（III）におけるＸ^-が、少なくとも１つ以上のパーフルオロアルキル基で置換された芳香族スルホン酸アニオンであることを特微とする請求項５に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が、下記一般式（IV）及び（Ｖ）で表される繰り返し構造単位を含む樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】

（上記一般式（IV）中、Ｌは、水素原子、置換されていてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。）
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。 [Claims]
1. A resin containing (A) a resin which decomposes under the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, and (B) at least one or more fluorine atoms by irradiation with actinic rays or radiation. A positive resist composition comprising a compound generating an aromatic sulfonic acid substituted with a group.
2. The positive resist composition according to claim 1, further comprising (D) a compound having a molecular weight of 3000 or less, which is decomposed by the action of an acid and increases the solubility in an alkali developing solution. .
3. The positive resist composition according to claim 1, further comprising (F) a nitrogen-containing basic compound.
4. The positive resist composition according to claim 1, further comprising (G) a fluorine-based or silicon-based surfactant.
5. An aromatic compound wherein the component (B) has a structure represented by any one of the following formulas (I) to (III) and is substituted by at least one or more fluorine-containing groups. The positive resist composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the positive resist composition is a compound that generates an aromatic sulfonic acid.
Embedded image

(In the above formula, R ₁ To R ₃₇ represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, hydroxy group, a halogen atom or -S-R ₃₈ group,. Here, R ₃₈ represents a linear, branched, or cyclic alkyl group or an aryl group. X ⁻ is an anion of an aromatic sulfonic acid substituted with at least one or more fluorine-containing groups. )
6. The method according to claim 5, wherein X ⁻ in formulas (I) to (III) is an aromatic sulfonate anion substituted with at least one or more perfluoroalkyl groups. Positive resist composition.
7. The resin (A) having a group which is decomposed by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer contains a repeating structural unit represented by the following general formulas (IV) and (V). The positive resist composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the composition is a resin.
Embedded image

(In the above general formula (IV), L represents a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, or an optionally substituted aralkyl group.
Z represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aralkyl group which may be substituted. Z and L may combine to form a 5- or 6-membered ring. )
8. A pattern forming method comprising: forming a resist film from the positive resist composition according to claim 1; and exposing and developing the resist film.