JP2002234042A

JP2002234042A - 溶液製膜方法

Info

Publication number: JP2002234042A
Application number: JP2001031765A
Authority: JP
Inventors: Shosuke Fujii; 正輔藤井; Koji Takahashi; 公司高橋; Tadahiro Tsujimoto; 忠宏辻本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-02-08
Filing date: 2001-02-08
Publication date: 2002-08-20

Abstract

(57)【要約】【課題】平滑性及び透明性が良好で、また、厚み
精度が良好なフィルムを製造することができる溶液性膜
方法を提供することを目的とする。【解決手段】流延ダイより流延バンド上にドープを流
延してフィルムを製造する方法において、中心線平均粗
さが０．００５μｍ以下であり、かつ、最も厚い個所の
厚みと最も薄い個所の厚みとの差が０．０６ｍｍ以下で
ある流延バンドを用いた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、厚み精度が良好
で、平滑性、透明性が良好なフィルムを製造することが
できる溶液製膜方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置に用いられる偏光板の偏光
板保護膜としては、透明性がよく、機械的強度が大き
く、温度の変化及び熱にともなう寸法変動が小さい（寸
法安定性がよい）ので、セルロースエステルフィルムが
用いられている．このセルロースエステルフィルムは、
溶液製膜方法で製造されており、例えば、図１に示すよ
うな製膜装置で製造されている。

【０００３】図１において、１０はドープを支持体上に
流延する流延工程、２０は流延工程１０で形成されたフ
ィルムをテンターで延伸する延伸乾燥工程、３０は延伸
されたフィルムを乾燥させる乾燥工程である。流延工程
１０は、流延ダイ１１が設けられており、この流延ダイ
１１から下方に設けられた流延バンド１２に、セルロー
スエステルを溶媒に溶解したドープが流延される。延伸
乾燥工程２０は、テンター２１が設けられフィルムを巾
方向に延伸させるとともに乾燥させるようになってい
る。乾燥工程３０は、搬送ロール３１が設けられ、乾燥
風３２により搬送ロール３１で搬送中のフィルムを乾燥
させるものである。４０は完成したフィルムを巻き取る
巻取り部である。

【０００４】そして、前記流延バンド１２の表面は、フ
ィルム表面の平滑性、フィルムの透明性等を確保するた
めに、鏡面仕上げがなされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
流延バンドを用いた溶液製膜方法で製造されたフィルム
は、平滑性及び透明性が十分でない場合があり、より改
良されることが要望されていた。また、フィルムの厚み
精度が十分でない場合があった。

【０００６】本発明は以上の問題点を解決し、平滑性及
び透明性が良好で、また、厚み精度が良好なフィルムを
製造することができる溶液性膜方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成するために、流延バンドの鏡面性、すなわち中
心平均粗さと平滑性及び透明性とに関して鋭意研究し、
良好な平滑性及び透明性を得ることができる中心線平均
粗さの範囲を見出した。

【０００８】また、本発明者は、フィルムの厚み精度が
悪くなる原因について鋭意研究し、その原因を見出し
た。すなわち、流延バンドは、全体が均一な厚みではな
く、厚い個所と薄い個所が存在するものであり、このよ
うに流延バンドに厚みの差があると、流延ダイと流延バ
ンドとのクリアランスが変動し、このクリアランスの変
動がフィルムの厚み精度に悪影響を与えるものであるこ
とを見出した。そして、さらに鋭意研究し、流延バンド
の最も厚い個所の厚みと最も薄い個所の厚みとの差を所
定の範囲内にすることにより、フィルムの厚み精度を確
保できることを見出し、本発明を完成させたものであ
る。

【０００９】また、フィルムの厚み差が引き起こす搬送
工程等におけるシワや巻ズレ、又は貼合ムラと、厚み差
との関係について検討し、厚み差の許容範囲を見出し本
発明を完成させたものである。、

【００１０】本発明は、以上の知見に基づきなされたも
ので、フィルム表面の平滑性及びフィルムの透明性を確
保するために一定以上の超鏡面仕上げの流延バンドを使
用するとともに、フィルムの厚み精度を確保するため
に、一定範囲内の厚み精度を持つ流延バンドを使用する
ものである。

【００１１】すなわち、本発明による溶液製膜方法は、
流延ダイより流延バンド上にドープを流延してフィルム
を製造する方法において、中心線平均粗さが０．００１
μｍ以上かつ０．００５μｍ以下である流延バンドを用
いたことを特徴として構成されている。

【００１２】また、本発明による溶液製膜方法は、流延
ダイより流延バンド上にドープを流延してフィルムを製
造する方法において、最も厚い個所の厚みと最も薄い個
所の厚みとの差が０．０６ｍｍ以下である流延バンドを
用いたことを特徴として構成されている。

【００１３】さらに、本発明による溶液製膜方法は、流
延ダイより流延バンド上にドープを流延してフィルムを
製造する方法において、流延バンド１回転分の製品フィ
ルムの任意の２点の厚み差が４μｍ以下であることを特
徴として構成されている。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明においては、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が以上かつ０．００５μｍ以下の流延バンド
を使用し、好ましくは０．００３μｍ以下であり、ま
た、０．００１μｍ以上であることが好ましい。中心性
平均粗さ（Ｒａ）が０．００５μｍを超えると、製造し
たフィルム表面の平滑性及びフィルムの透明性を良好に
することができない。

【００１５】流延バンドの表面の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）が０．００５μｍ以下の超鏡面仕上げとするには、
例えば、ベルンドルフ社『Ｃｐｏｌｉｓｈ』を用いて
研磨する。

【００１６】本発明においては、最も厚い個所の厚みと
最も薄い個所の厚みとの差（以下、「流延バンド厚み差」
という）が０．０６ｍｍ以下の流延バンドを使用し、好
ましくは０．０５ｍｍ以下、より好ましくは０．０２ｍ
ｍ以下の流延バンドを使用する。流延バンド厚み差が
０．０６ｍｍを超えると、流延ダイと流延バンドとのク
リアランスの変動が大きく、製造されたフィルムの厚み
精度が悪くなる。

【００１７】例えば、図２に示す流延バンドの部分断面
図において、流延バンド１２は長手方向（図中、左右方
向）に厚みが異なっており、この異なる厚みの中で最も
厚い個所ａの厚みｔ_Maxと、最も薄い個所ｂの厚みｔ_min
との厚み差ｔ（ｔ_Max−ｔ_min）が０．０６ｍｍ以下であ
る。なお、この例では、説明のため長手方向に一部につ
いて最も厚い個所と最も薄い個所を採用しているが、本
発明においては、長手方向に全域及び巾方向の全域にお
いて最も厚い個所と最も薄い個所を採用するものであ
る。

【００１８】流延バンドは、狭幅バンド（１５００ｍｍ
未満）と広幅バンド（１５００ｍｍ以上、２０００ｍｍ
未満）とがあり、狭幅バンドの場合は、厚みｔ（ｍｍ）
が、１−０．０６５≦ｔ≦１＋０．０６５であることが
好ましく、広幅バンドの場合は、厚みｔ（ｍｍ）が、
１．６−０．１５≦ｔ≦１．６＋０．０５であることが
好ましい。

【００１９】また、流延バンド１回転での流延バンド位
置の巾方向変位が３ｍｍ以下であることが好ましく、
１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。流延バンド
の巾方向の変位が大きいと、流延バンドが蛇行した際、
流延エッジ部の位置が変化して流延バンド面への剥ぎ残
りや、汚れの付着を引き起こすことがあり、これらの汚
れが成長すると、剥離不良となり、安定流延ができなく
なることがある。

【００２０】また、本発明の溶液製膜方法においては、
流延バンド１回転分の製品フィルムの任意の２点の厚み
差が４μｍ以下であることを要し、好ましくは２μｍ以
下である。厚み差が４μｍを超えると、フィルムの搬送
工程や巻取り工程で、シワや巻ズレが生ずることがあ
る。また、偏光板加工時の貼合ムラにより偏光板の性能
が低下したり、ハードコート、反射防止膜、光学機能性
膜等の塗工の際、塗工ムラが生ずることがある。

【００２１】本発明の溶液製膜法方法に用いるドープの
素材ポリマーとしては、セルロースアシレートが用いら
れる。セルロースアシレートの詳細について、以下に記
載する。好ましいセルロースアシレートは、セルロース
の水酸基への置換度が下記式〜の全てを満足するも
のである。２．６≦Ａ＋Ｂ≦３．０２．０≦Ａ≦３．００≦Ｂ≦０．８１．９＜Ａ−Ｂ

【００２２】ここで、式中Ａ及びＢはセルロースの水酸
基に置換されているアシル基の置換基を表し、Ａはアセ
チル基の置換度、またＢは炭素原子数３〜５のアシル基
の置換度である。セルロースには１グルコース単位に３
個の水酸基があり、上記の数字はその水酸基３．０に対
する置換度を表すもので、最大の置換度が３．０であ
る。セルローストリアセテートは一般にＡの置換度が
２．６以上３．０以下であり（この場合、置換されなか
った水酸基が最大０．４もある）、Ｂ＝０の場合がセル
ローストリアセテートである。本発明の溶液製膜方法の
ドープに用いるセルロースアシレートは、アシル基が全
部アセチル基のセルローストリアセテート、及びアセチ
ル基が２．０以上で、炭素原子数が３〜５のアシル基が
０．８以下、置換されなかった水酸基が０．４以下のも
のが好ましく、置換度２．６〜３．０のセルローストリ
アセテートが特に好ましい。なお、置換度は、セルロー
スの水酸基に置換する酢酸及び炭素原子数３〜５の脂肪
酸の結合度を測定し、計算によって得られる。測定方法
としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施す
ることが出来る。

【００２３】アセチル基の他の炭素原子数３〜５のアシ
ル基はプロピオニル基（Ｃ_２Ｈ_５ＣＯ−）、ブチリル基
（Ｃ_３Ｈ_７ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−）、バレリル基
（Ｃ_４Ｈ_９ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅ
ｒｔ−）で、これらのうちｎ−置換のものがフィルムに
した時の機械的強さ、溶解し易さ等から好ましく、特に
ｎ−プロピオニル基が好ましい。また、アセチル基の置
換度が低いと機械的強さ、耐湿熱性が低下する。炭素原
子数３〜５のアシル基の置換度が高いと有機溶媒への溶
解性は向上するが、それぞれの置換度が前記の範囲であ
れば良好な物性を示す。

【００２４】セルロースアシレートの重合度（粘度平
均）は２００〜７００が好ましく、特に２５０〜５５０
のものが好ましい。粘度平均重合度（ＤＰ）は、オスト
ワルド粘度計で求めることができ、測定されたセルロー
スアシレートの固有粘度［η］から下記式により求めら
れる。ＤＰ＝［η］／Ｋｍ(式中、Ｋｍは定数６×１０^−４)

【００２５】セルロースアシレート原料のセルロースと
しては、綿花リンターや木材パルプなどがあるが、何れ
の原料セルロースから得られるセルロースアシレートで
も使用でき、また、これらを混合して使用してもよい。

【００２６】セルロースアシレートを溶解する有機溶媒
の例には、炭化水素（例：ベンゼン、トルエン）、ハロ
ゲン化炭化水素（例：メチレンクロライド、クロロベン
ゼン）、アルコール（例：メタノール、エタノール、ジ
エチレングリコール）、ケトン（例：アセトン）、エス
テル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル）及
びエーテル（例：テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ）などがあげられる。

【００２７】炭素原子数１〜７のハロゲン化炭化水素が
好ましく用いられ、メチレンクロライドが最も好ましく
用いられる。セルロースアシレートの溶解性、支持体か
らの剥ぎ取り性、フィルムの機械強度等、光学特性等の
物性の観点から、メチレンクロライドの他に炭素原子数
１〜５のアルコールを一種、ないし数種類混合すること
が好ましい。アルコールの含有量は、溶媒全体に対し２
〜２５質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好まし
い。アルコールの具体例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタ
ノール等があげられるが、メタノール、エタノール、ｎ
−ブタノール、あるいはこれらの混合物が好ましく用い
られる。

【００２８】また、酢酸メチル、ケトン類及びアルコー
ルからなり、その溶媒比率が酢酸メチルが２０〜９０質
量％、ケトン類が５〜６０質量％、アルコールが５〜３
０質量％である溶媒を用いることが好ましい。

【００２９】最近、環境に対する影響を最小限に抑える
ため、メチレンクロライドを用いない溶媒組成も提案さ
れている。この目的に対しては、炭素原子数が３〜１２
のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子
数が３〜１２のエステルが好ましく、これらを適宜混合
して用いる。これらのエーテル、ケトン及びエステル
は、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトン及
びエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及び
−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有
機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコ
ール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素
原子数は、いずれかの官能基を有する化合物の規定範囲
内であればよい。

【００３０】炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例に
は、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメ
トキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソ
ラン、テトラヒドロフラン、アニソール及びフェネトー
ルがあげられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例
には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン及びメチルシクロヘキサノンがあげられる。炭
素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホル
メート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メ
チルアセテート、エチルアセテート及びペンチルアセテ
ートがあげられる。二種類以上の官能基を有する有機溶
媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メト
キシエタノール及び２−ブトキシエタノールがあげられ
る。

【００３１】本発明の溶液製膜方法に用いるドープに
は、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例
えば、可塑剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤、微粒子粉
体、離型剤、光学特性調整剤、フッ素系界面活性剤）を
加えることができる。またその添加する時期はドープ作
製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製
工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を
加えて行ってもよい。

【００３２】前記可塑剤としては、リン酸エステル又は
カルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例
には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）及びトリ
クレジルフォスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニ
ルフォスフェート、オクチルジフェニルフォスフェー
ト、ジフェニルビフェニルフォスフェート、トリオクチ
ルフォスフェート、トリブチルフォスフェート等があげ
られる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステ
ル及びクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エス
テルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチ
ルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢ
Ｐ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフ
タレート（ＤＰＰ）及びジエチルヘキシルフタレート
（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、
Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）及びＯ
−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン
酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチルが
含まれる。

【００３３】その他のカルボン酸エステルの例には、オ
レイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシ
ン酸ジブチル、トリメチルトリメリテート等のトリメリ
ット酸エステルが含まれる。グリコール酸エステルの例
としては、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリ
ルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレ
ート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタ
リルブチルグリコレートなどがある。

【００３４】以上に例示した可塑剤の中でも、トリフェ
ニルフォスフェート、ビフェニルジフェニルフォスフェ
ート、トリクレジルフォスフェート、クレジルジフェニ
ルフォスフェート、トリブチルフォスフェート、ジメチ
ルフタレート、ジエチルフタレート、ジブチルフタレー
ト、ジオクチルフタレート、ジエチルヘキシルフタレー
ト、トリアセチン、エチルフタリルエチルグリコレー
ト、トリメチルトリメリテートらを用いることが好まし
い。特にトリフェニルフォスフェート、ビフェニルジフ
ェニルフォスフェート、ジエチルフタレート、エチルフ
タリルエチルグリコレート、トリメチルトリメリテート
が好ましい。

【００３５】以上のような可塑剤は１種でもよいし２種
以上併用してもよい。可塑剤の添加量は、セルロースア
シレートに対して０．１〜２０質量％が好ましく、５〜
１５質量％がより好ましい。添加量が０．１質量％未満
では添加効果を十分に発揮することができず、添加量が
２０質量％を超えると、フィルム表面にブリードアウト
する場合がある。

【００３６】その他、本発明においてはその光学的異方
性を小さくする可塑剤として、特開平１１−１２４４４
５号記載の（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、特
開平１１−２４６７０４号記載のグリセロールエステル
類、特開２０００−６３５６０号記載のジグリセロール
エステル類、特開平１１−９２５７４号記載のクエン酸
エステル類、特開平１１−９０９４６号記載の置換フェ
ニルリン酸エステル類などが好ましく用いられる。

【００３７】前記紫外線吸収剤は、目的に応じ任意の種
類のものを選択することができ、サリチル酸エステル
系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾ
エート系、シアノアクリレート系、ニッケル錯塩系等の
吸収剤を用いることができるが、ベンゾフェノン系、ベ
ンゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系が好まし
い。ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例として、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−
アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メト
キシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−
メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−
４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキ
シベンゾフェノン等をあげることができる。ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤としては、２（２’−ヒドロキ
シ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）
−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキ
シ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−
ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒド
ロキシ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾト
リアゾール等をあげることができる。サリチル酸エステ
ル系としては、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフ
ェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサ
リシレート等をあげることができる。これら例示した紫
外線吸収剤の中でも、特に２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，
４’−メトキシベンゾフェノン、２（２’−ヒドロキシ
−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−
５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ
−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ
−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒ
ドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−５−クロルベンゾトリアゾールが特に好ましい。

【００３８】紫外線吸収剤は、吸収波長の異なる複数の
吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮
断効果を得ることができるので好ましい。液晶用紫外線
吸収剤は、液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ
以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ、液晶表示性の観点
から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないもの
が好ましい。例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、
ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化
合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系
化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられる。特に
好ましい紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール系化合物
やベンゾフェノン系化合物である。中でも、ベンゾトリ
アゾール系化合物は、セルロースエステルに対する不要
な着色が少ないことから、好ましい。

【００３９】また、紫外線吸収剤については、特開昭６
０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５
−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２
７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２
３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、
同７−１１０５５号、、同７−１１０５６号、同８−２
９６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２
０４１７３号の各公報に記載がある。

【００４０】紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシ
レートに対し０．００１〜５質量％が好ましく、０．０
１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量
％未満では添加効果を十分に発揮することができず、添
加量が５質量％を超えると、フィルム表面へ紫外線吸収
剤がブリードアウトする場合がある。

【００４１】また、紫外線吸収剤はセルロースアシレー
ト溶解時に同時に添加しても良いし、溶解後のドープに
添加しても良い。特にスタティックミキサ等を用い、流
延直前にドープに紫外線吸収剤溶液を添加する形態が、
分光吸収特性を容易に調整することができ、好ましい。

【００４２】前記微粒子粉体としては、シリカ、カオリ
ン、タルク、ケイソウ土、石英、炭酸カルシウム、硫酸
バリウム、酸化チタン、アルミナなどを目的に応じ、任
意に用いることができる。これら微粒子粉体はドープに
添加する前に、高速ミキサー、ボールミル、アトライタ
ー、超音波分散機等、任意の手段でバインダー溶液中に
分散を行うことが好ましい。バインダーとしてはセルロ
ースアシレートが好ましい。紫外線吸収剤等、他の添加
物と共に分散を行うことも好ましい。分散溶媒は任意で
あるが、ドープ溶媒と近い組成であることが好ましい。

【００４３】微粒子粉体の数平均粒径は０．０１〜１０
０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍが特に好ましい。
上記の分散液はセルロースアシレート溶解工程に同時に
添加しても良いし、任意の工程でドープに添加できる
が、紫外線吸収剤同様スタティックミキサ等を用い、流
延直前に添加する形態が好ましい。

【００４４】微粒子粉体の含有量は、セルロースアシレ
ートに対して０．００１〜５質量％であることが好まし
く、０．０１〜１質量％であることがより好ましい。添
加量が０．００１質量％未満では添加効果を十分に発揮
することができず、添加量が５質量％を超えると、外観
面状が悪くなる場合がある。

【００４５】前記離型剤としては、界面活性剤が有効で
あり、リン酸系、スルフォン酸系、カルボン酸系、ノニ
オン系、カチオン系など特に限定されない。これらは、
例えば特開昭６１−２４３８３７号などに記載されてい
る。離型剤の添加量は、セルロースアシレートに対して
０．００１〜２質量％が好ましく、０．０１〜１質量％
がより好ましい。添加量が０．００１質量％未満であれ
ば添加効果を十分に発揮することができず、添加量が２
質量％を超えると、析出したり、不溶解物を生じたりす
ることがある。

【００４６】ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキ
シエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレ
ン、ポリグリシジルやソルビタンをノニオン性親水性基
とする界面活性剤であり、具体的には、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニールエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプ
ロピレングリコール、多価アルコール脂肪酸部分エステ
ル、ポリオキシエチレン多価アルコール脂肪酸部分エス
テル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリグリセ
リン脂肪酸エステル、脂肪酸ジエタノールアミド、トリ
エタノールアミン脂肪酸部分エステルを挙げることがで
きる。

【００４７】アニオン系界面活性剤としてはカルボン酸
塩、硫酸塩、スルフォン酸塩、リン酸エステル塩であ
り、代表的なものとしては脂肪酸塩、アルキルベンゼン
スルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフォン酸塩、
アルキルスルフォン酸塩、α−オレフィンスルフォン酸
塩、ジアルキルスルフォコハク酸塩、α−スルフォン化
脂肪酸塩、Ｎ−メチルーＮオレイルタウリン、石油スル
フォン酸塩、アルキル硫酸塩、硫酸化油脂、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン
アルキルフェニールエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレ
ンスチレン化フェニールエーテル硫酸塩、アルキルリン
酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、
ナフタレンスルフォン酸塩ホルムアルデヒド縮合物など
である。

【００４８】カチオン系界面活性剤としてはアミン塩、
４級アンモニウム塩、ピリジュム塩などを挙げることが
でき、第一〜第３脂肪アミン塩、第４級アンモニウム塩
（テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルベンジ
ルアンモニウム塩、アルキルピリジウム塩、アルキルイ
ミダゾリウム塩など）を挙げることが出来る。両性系界
面活性剤としてはカルボキシベタイン、スルフォベタイ
ンなどであり、Ｎ−トリアルキル−Ｎ−カルボキシメチ
ルアンモニウムベタイン、Ｎ−トリアルキル−Ｎ−スル
フォアルキレンアンモニウムベタインなどである。

【００４９】前記フッ素系界面活性剤を添加することに
より、帯電防止効果を発揮することができる。フッ素系
界面活性剤の添加量は、セルロースアシレートに対して
０．００２〜２質量％が好ましく、０．０１〜０．５質
量％がより好ましい。添加量が０．００２質量％未満で
あれば添加効果を十分に発揮することができず、添加量
が２質量％を超えると、析出したり、不溶解物を生じた
りすることがある。

【００５０】本発明においては、レターデーション上昇
剤（光学特性調整剤）を添加することができる。レター
デーション上昇剤を添加することにより、光学異方性を
コントロールすることができる。レターデーション上昇
剤は、セルロースアシレートフイルムのレターデーショ
ンを調整するため、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を使用することが好ましい。芳香族化合物
は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．
０１〜２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセレート１００質量部に対して、０．０５
〜１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
〜１０質量部の範囲で使用することがさらに好ましい。
二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香族化
合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、芳香
族性ヘテロ環を含む。

【００５１】芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環または７員環であることが好まし
く、５員環または６員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，
５−トリアジン環が含まれる。

【００５２】本発明においては、着色剤を添加すること
ができる。着色剤を添加することにより、感光材料支持
体等に用いる場合、ライトパイピングを防止することが
できる。着色剤の添加量は、セルロースアシレートに対
する重量割合で１０〜１０００ｐｐｍが好ましく、５０
〜５００ｐｐｍが更に好ましい。

【００５３】また、本発明におけるドープには、ルシウ
ム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属の塩などの熱
安定剤、帯電防止剤、難燃剤、滑剤、油剤などを、必要
に応じて適宜添加することができる。

【００５４】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムの光学特性について記す。まず、フィルムの面内のレ
ターデーション（Ｒｅ）について記すと、その測定法は
エリプソメーター（偏光解析計ＡＥＰ−１００：島津製
作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍにおける
面内の縦横の屈折率差にフィルム膜厚さを乗じたもので
あり、下記の式で求められる。Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄｎｘ：横方向の屈折率ｎｙ：縦方向の屈折率

【００５５】小さいほど、面内方向の光学異方性がない
ことを示すが０〜３００ｎｍの範囲で用途に応じて用い
られる。又、フィルムの厚さ方向のレターデーション
（Ｒｔｈ）も重要であり、波長６３２．８ｎｍにおける
厚さ方向の複屈折にフィルム膜厚さを乗じたものであ
り、下記の式で求められる。Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄｎｘ：横方向の屈折率ｎｙ：縦方向の屈折率ｎｚ：厚さ方向の屈折率

【００５６】厚さ方向の屈折率が小さいほど、厚さ方向
の光学異方性がないことを示すが、その使用用途によっ
て好ましい範囲は定まる。一般には、本発明のセルロー
スアシレートフィルムのＲｔｈは１００μｍ当たり、０
ｎｍ〜６００ｎｍであり、さらのは０ｎｍ〜４００ｎｍ
で用いられる。

【００５７】本発明による溶液製膜方法は、各種フィル
ムの製膜に適用することができ、例えば、光学補償シー
ト、偏光板用保護膜、ＡＲ、ＬＲ、ＡＧ膜用支持体フィ
ルム等の光学用途フィルム、写真感光材料用支持体フィ
ルム等の製膜に適用することができ、特に、外観面状に
高品質が要求される光学補償シート、偏光板用保護膜等
に好適である。

【００５８】本発明の溶液製膜方法で製造されたフィル
ムを光学補償シートとして用いる場合、フイルムそのも
のを光学補償シートとして用いることができる。なお、
フイルムそのものを光学補償シートとして用いる場合
は、偏光素子（後述）の透過軸と、フイルムからなる光
学補償シートの遅相軸とを実質的に平行または垂直にな
るように配置することが好ましい。このような偏光素子
と光学補償シートとの配置については、特開平１０−４
８４２０号公報に記載がある。液晶表示装置は、二枚の
電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側
に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏
光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置
した構成を有している。

【００５９】また、支持体の上に液晶（特にディスコテ
ィック液晶性分子）を含む光学的異方性層を設けた光学
補償シートも提案されている（特開平３−９３２５号、
同６−１４８４２９号、同８−５０２０６号、同９−２
６５７２号の各公報記載）。本発明の溶液製膜方法で製
造されたセルロースアシレートフイルムは、そのような
光学補償シートの支持体としても用いることができる。

【００６０】光学的異方性層は、負の一軸性を有し傾斜
配向したディスコティック液晶性分子を含む層であるこ
とが好ましい。ディスコティック液晶性分子の円盤面と
支持体面とのなす角は、光学的異方性層の深さ方向にお
いて変化している（ハイブリッド配向している）ことが
好ましい。ディスコティック液晶性分子の光軸は、円盤
面の法線方向に存在する。ディスコティック液晶性分子
は、光軸方向の屈折率よりも円盤面方向の屈折率が大き
な複屈折性を有する。ディスコティック液晶性分子は、
支持体表面に対して実質的に水平に配向させてもよい。

【００６１】本発明の溶液製膜方法で製造されたセルロ
ースアシレートフイルムは、ＶＡモードの液晶セルを有
するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体とし
て特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる
光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小
となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存
在しないことが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に用いる
光学補償シートの光学的性質は、光学的異方性層の光学
的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支
持体との配置により決定される。ＶＡ型液晶表示装置に
光学補償シートを二枚使用する場合は、光学補償シート
の面内レターデーションを、−５ｎｍ〜５ｎｍの範囲内
にすることが好ましい。従って、二枚の光学補償シート
のそれぞれの面内レターデーションの絶対値は、０〜５
とすることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に光学補償
シートを一枚使用する場合は、光学補償シートの面内レ
ターデーションを、−１０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にす
ることが好ましい。

【００６２】また、本発明の溶液製膜方法で製造された
セルロースアシレートフイルムは、ＯＣＢモードの液晶
セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモー
ドの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償
シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液
晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学
補償シートには、レターデーションの絶対値が最小とな
る方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在し
ないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨ
ＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性
質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性
質および光学的異方性層と支持体との配置により決定さ
れる。

【００６３】さらに、本発明の溶液製膜方法により製造
されたセルロースアシレートフイルムは、ＡＳＭ（Ａｘ
ｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃＡｌｉｇｎｅｄＭｉ
ｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液
晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用
いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位
置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの
特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと
同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表
示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）外の論文（Ｋｕｍ
ｅｅｔａｌ．，ＳＩＤ９８Ｄｉｇｅｓｔ１０８９
（１９９８））に記載がある。セルロースアシレートフ
イルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表
示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。
ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置について
は、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に
用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５
号、同６−１４８４２９号、同８−５０２０６号、同９
−２６５７２号の各公報に記載されている。

【００６４】前記液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の
基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶
を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む
透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さら
にガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極
層の接着に用いる）アンダーコート層を設けてもよい。
これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの
基板は、一般に８０〜５００μｍの厚さを有する。

【００６５】前記偏光素子の偏光膜には、ヨウ素系偏光
膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光
膜がある。いずれの偏光膜も、一般にポリビニルアルコ
ール系フイルムを用いて製造する。偏光板の保護膜は、
２５〜３５０μｍの厚さを有することが好ましく、５０
〜２００μｍの厚さを有することがさらに好ましい。液
晶表示装置には、表面処理膜を設けてもよい。表面処理
膜の機能には、ハードコート、防曇処理、防眩処理およ
び反射防止処理が含まれる。

【００６６】

【実施例】本発明による溶液製膜方法の実施例について
説明する。図１に示した製膜装置（バンド流延方式）を
用い、セルローストリアセテートフィルムを製造した。

【００６７】＜ドープの調製＞（微粒子分散液の調製）シリカ(日本アエロジル株式会社製，『アエロジルＲ９７２』)２．００重量％セルロースアセテート（置換度２．８）２．００重量％トリフェニルフォスフェート０．１６重量％ビフェニルジフェニルフォスフェート０．０８重量％メチレンクロライド８８．１０重量％メタノール７．６６重量％なる溶液を調製し、アトライターにて体積平均粒径０．
５μｍになるよう分散を行った。ここで体積平均粒径
は、堀場製作所製，『粒度分布測定装置ＬＡ９２０』
で測定した値を用いた。

【００６８】（原料ドープの調製）セルロースアセテート（置換度２．８）８９．３重量％トリフェニルフォスフェート７．１重量％ビフェニルジフェニルフォスフェート３．６重量％なる固形分１００重量部に対し、上記微粒子分散液を６．５重量部添加し、さらに、ジクロロメタン９２重量％メタノール８重量％なる混合溶媒を適宜添加、攪拌溶解し原料ドープを調製
した。原料ドープの固形分濃度は１８．５重量％であっ
た。この原料ドープを濾紙（東洋濾紙株式会社製，『♯
６３』）にて濾過した後、さらに焼結金属フィルム（日
本精線株式会社製，『０６Ｎ』、公称孔径１０μｍ）で
濾過し、さらにメッシュフィルム（日本ボール株式会社
製，『ＲＭ』、公称孔径４５μｍ）で濾過した。

【００６９】（紫外線吸収剤溶液の調製）２（２’−ヒロロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−５−クロルベンゾトリアゾール）５．８３重量％２（２’−ヒロロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル−５−クロルベンゾトリアゾール）１１．６６重量％セルロースアセテート（酢化度：６０．８％）１．４８重量％トリフェニルフォスフェート０．１２重量％ビフェニルジフェニルフォスフェート０．０６重量％メチレンクロライド７４．３８重量％メタノール６．４７重量％

【００７０】上記処方で紫外線吸収剤溶液を調製し、富
士写真フイルム株式会社製，『アストロポア１０μｍフ
ィルタ』にて濾過した。

【００７１】（流延ドープの調製）上記原料ドープに対
し、スタティックミキサーを用い、上記紫外線吸収剤溶
液を、原料ドープ中の固形分に対し紫外線吸収剤量が
１．０４重量％になるよう調製しつつ、原料ドープの配
管経路において添加、混合し、流延ドープを調整した。
この流延ドープを図１に示すような製膜装置を用いて流
延し、自己支持性を持つまで熱風乾燥し、フィルムとし
て剥離した。

【００７２】流延バンドとしては、ステンレススチール
からなり、幅２ｍ、長さ５６ｍ（面積１１２ｍ^２）から
なるものを用いた。この流延バンドの中心線平均粗さ
（Ｒａ）は、０．００２μｍであり、流延バンド厚み差
は、０．０２ｍｍであった。中心線平均粗さ（Ｒａ）の
測定は、ＪＩＳＢ０６０１に規定によった。単位は、
［μｍ］である。また、バンド１回転分のフィルムの厚
味を巾方向及び流延方向に測定したところ、厚味差は２
μｍ以下であった。

【００７３】製膜の条件は以下の通りである。製膜速度：３０ｍ／分フィルム（ベース）厚み：８０μｍ流延バンド１回転当たりのバンド位置の巾方向変化は２
ｍｍであった。

【００７４】［実施例２］図１に示した製膜装置（バン
ド流延方式）を用い、３層構成のセルローストリアセテ
ートフィルムを製造した。

【００７５】＜内層のセルローストリアセテートフィル
ム用ドープの調整＞攪拌羽根を有するステンレス性溶解
タンクに、下記の溶媒混合溶液によく攪拌しつつ、セル
ローストリアセテート粉体（平均サイズ２ｍｍ）を徐々
に添加し、仕込んだ。添加後、室温（２５℃）にて３時
間，２５℃にて放置し、セルローストリアセテートを膨
潤させた。なお、溶媒である酢酸メチルとシクロペンタ
ノン、アセトン、メタノール及びエタノールは、すべて
その含水率が０．２質量％以下のものを利用した。セルローストリアセテート２０質量部（置換度２．８３、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ）酢酸メチル４３質量部シクロペンタン１０質量部アセトン５質量部メタノール５質量部エタノール５質量部可塑剤Ａ（ジペンタエリスリトールヘキサアセテート）６質量部可塑剤Ｂ（トリフェニルフォスフェート）６質量部微粒子（シリカ（粒径２０ｎｍ））０．１質量部紫外線吸収剤ａ０．１質量部（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５− ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン）紫外線吸収剤ｂ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾール）紫外線吸収剤ｃ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾールＣ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）₂ ０．０５質量部

【００７６】なお、後述する冷却溶解法で得られたこの
溶液の粘度は１６０Ｐａ・Ｓ（４５℃）であった。

【００７７】＜セルローストリアセテート溶液の冷却溶
解＞上述したセルローストリアセテート溶液をスクリュ
ー押し出し機で送液して、−７０℃で３分間となるよう
に冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８
０℃の冷媒（３Ｍ社製，『フロリナート』）を用いて実
施した。次に、冷却により得られた溶液はステンレス製
の容器に移送し、５０℃で２時間攪拌した。そして、絶
対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）製，
『＃６３』）で濾過した。

【００７８】＜外層のセルローストリアセテートフィル
ム用ドープの調整＞上述した内層のセルローストリアセ
テートフィルム用ドープにおいて、セルローストリアセ
テートを１９質量部、酢酸メチルを４４質量部に変更し
た他は、同様に仕込んだ。なお、冷却溶解法で得られた
この溶液の粘度は１１０Ｐａ・Ｓ（４５℃）であった。

【００７９】＜セルローストリアセテートフィルムの作
製＞上述したドープを三層共流延ダイを用い、内層用ド
ープが内側に、外層用ドープが両外側になるように配置
して、流延バンド上に同時に吐出させて重層流延した
後、流延膜を流延バンドから剥ぎ取り、乾燥して三層構
造のセルローストリアセテートフィルム積層体（内層の
厚さ：８０μｍ、各表面層の厚さ：２μｍ）を作製し
た。流延バンドは、実施例１と同一のものを使用した。
また、流延バンド１回転当たりのバンド位置の巾方向変
化は２ｍｍであった。乾燥は７０℃で３分、１３０℃で
５分した後、ガラス板からフィルムを剥ぎ取り、そして
１６０℃，３０分で段階的に乾燥して溶剤を蒸発させセ
ルローストリアセテートフィルムを得た。また、バンド
１回転分のフィルムの厚味を巾方向及び流延方向に測定
したところ、厚味差は２μｍ以下であった。

【００８０】［外観面状の評価］実施例１、２で製膜さ
れたセルローストリアセテートフィルムの平滑性、透明
性及び厚み精度を評価したところ、いずれも極めて良好
であった。

【００８１】［偏光板の作成方法および評価方法］偏光
板サンプルは、ポリビニルアルコールを延伸してヨウ素
を吸着させた偏光素子の両面に、ポリビニルアルコール
系接着剤により実施例１、２で製膜されたセルロースト
リアセテートフィルムを貼合し作製した。この偏光板サ
ンプルを６０℃，９０％ＲＨの雰囲気下で５００時間暴
露した。いずれの実施例においても偏光度は９９．６％
以上であり、十分な耐久性が認められた。

【００８２】なお、偏光度は、分光光度計により可視領
域における並行透過率Ｙｐ、直行透過率Ｙｃを求め、次
式に基づき偏光度Ｐを決定した。Ｐ＝√（（Ｙｐ−Ｙｃ）／（Ｙｐ＋Ｙｃ））

【００８３】

【発明の効果】本発明は、以上のように流延バンドの中
心線平均粗さを所定の値以下とすることにより、平滑性
及び透明性の良好なフィルムを製造することができる。
また、流延バンド厚み差を所定の値以下にすることによ
り、厚み精度の良好なフィルムを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】溶液製膜方法に用いる溶液製膜装置の概略摸
式図である。

【図２】流延バンドの部分側面図である。

【符号の説明】

１０…流延工程１１…流延ダイ１２…流延バンド２０…延伸工程３０…乾燥工程４０…巻取り部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 9:00 9:00 Ｃ０８Ｌ 1:12 Ｃ０８Ｌ 1:12 (72)発明者辻本忠宏神奈川県南足柄市中沼210番地富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 4F071 AA09 AD02 AE04 AE05 AE10 AE22 AH12 AH19 BA02 BB02 BC01 BC02 BC12 4F202 AA01 AB07 AB10 AB11 AB14 AC05 AG01 AG03 AH73 AR13 CA07 CB02 CB26 CK11 4F205 AA01 AB07 AB10 AB11 AB14 AC05 AG01 AG03 AH73 AR13 GA07 GB02 GB26 GC07 GF02 GN28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】流延ダイより流延バンド上にドープを流
延してフィルムを製造する方法において、中心線平均粗
さが０．００５μｍ以下である流延バンドを用いたこと
を特徴とする溶液製膜方法。
【請求項２】流延ダイより流延バンド上にドープを流
延してフィルムを製造する方法において、最も厚い個所
の厚みと最も薄い個所の厚みとの差が０．０６ｍｍ以下
である流延バンドを用いたことを特徴とする溶液製膜方
法。
【請求項３】流延ダイより流延バンド上にドープを流
延してフィルムを製造する方法において、流延バンド１
回転分の製品フィルムの任意の２点の厚み差が４μｍ以
下であることを特徴とする溶液製膜方法。
【請求項４】中心線平均粗さが０．００１μｍ以上で
ある流延バンドを用いた請求項１記載の溶液製膜方法。
【請求項５】前記流延バンドの１回転でのバンド位置
の巾方向変位が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求
項１、２、３又は４記載の溶液製膜方法。
【請求項６】前記ドープが、セルローストリアセテー
トであることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５
記載の溶液製膜方法。
【請求項７】前記流延ダイより流延バンド上にドープ
を流延する際、２種類以上のセルロースアシレート溶液
からなるドープを共流延することを特徴とする請求項
１、２、３、４又は５記載の溶液製膜方法。
【請求項８】前記ドープがセルロースアシレート溶液
であって、その溶媒が酢酸メチル、ケトン類及びアルコ
ールからなり、その溶媒比率が酢酸メチルが２０〜９０
質量％、ケトン類が５〜６０質量％、アルコールが５〜
３０質量％である請求項１、２、３、４、５又は７記載
の溶液製膜方法。
【請求項９】前記ドープがセルロースアシレート溶液
であり、かつ、少なくとも一種の可塑剤をセルロースア
シレートに対して０．１〜２０質量％含有していること
を特徴とする請求項１、２、３、４、５、７又は８記載
の溶液製膜方法。
【請求項１０】前記ドープがセルロースアシレート溶
液であり、かつ、少なくとも一種の紫外線吸収剤をセル
ロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有し
ていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、
７、８又は９記載の溶液製膜方法。
【請求項１１】前記ドープがセルロースアシレート溶
液であり、かつ、少なくとも一種の微粒子粉体をセルロ
ースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有して
いることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、７、
８、９又は１０記載の溶液製膜方法。
【請求項１２】前記ドープがセルロースアシレート溶
液であり、かつ、少なくとも一種の離型剤をセルロース
アシレートに対して０．００１〜２質量％含有している
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、７、８、
９、１０又は１１記載の溶液製膜方法。
【請求項１３】前記ドープがセルロースアシレート溶
液であり、かつ、少なくとも一種のフッ素系界面活性剤
をセルロースアシレートに対して０．００２〜２質量％
含有していることを特徴とする請求項１、２、３、４、
５、７、８、９、１０、１１又は１２記載の溶液製膜方
法。
【請求項１４】前記請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２又は１３記載の溶液製膜
方法で製造されたフィルムからなる偏光板用保護膜。