JP2002079534A

JP2002079534A - 溶液製膜方法

Info

Publication number: JP2002079534A
Application number: JP2001054429A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Tsujimoto; 忠宏辻本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-07-07
Filing date: 2001-02-28
Publication date: 2002-03-19

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、溶液製膜法で必然的に
発生する製品化できない部分を有効利用してコストを低
下させ、かつ品質のよいフィルムを安定して提供できる
手段を提供する。【解決手段】上記課題は、ポリマーを溶剤に溶解して
ポリマー溶液とし、該ポリマー溶液を流延してフィルム
を製造する方法において、製造されたフィルムから製品
フィルムを取得し、残余を前記ポリマー溶液の調製に使
用されるポリマーの一部として使用することを特徴とす
る溶液製膜方法によって解決される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、写真感光材料の支
持体などに使用されるポリマーフィルムを溶液製膜法に
より製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常、溶液製膜法では、ダイにより流延
製膜したフィルムの端部はネックイン等の影響により均
一の厚みに成形することが困難である。従って必要な均
一厚さのフィルムとするためには厚みの不均一なフィル
ム端部を切除する必要がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】すなわち、フィルム製
品は通常製品部分以外が廃棄物となる。特に、製品端部
の切除部分は定常的に発生し、量的にも問題である。こ
れらを有効に活用しなければ原料費が増加する。さらに
は資源の有効利用の観点からも問題である。

【０００４】フィルム端部の切除率を小さくすると製品
フィルムの厚味の品質を低下させる恐れがあると同時
に、例えば、ロールとして巻きずれを発生したり、巻き
シワを発生させたりする。また、切除率を大きくしすぎ
ると製品の得率が低下し、生産性の低下をまねく。

【０００５】本発明の目的は、溶液製膜法で必然的に発
生する製品化できない部分を有効利用してコストを低下
させ、かつ品質のよいフィルムを安定して提供できる手
段を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するべくなされたものであり、ポリマーを溶剤に溶解
してポリマー溶液とし、該ポリマー溶液を流延してフィ
ルムを製造する方法において、製造されたフィルムから
製品フィルムを取得し、残余を前記ポリマー溶液の調製
に使用されるポリマーの一部として使用することを特徴
とする溶液製膜方法によってかかる目的を達成したもの
である。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の溶液製膜法方法に用いる
ポリマー溶液の素材ポリマーとしては、セルロースアシ
レートが用いられる。セルロースアシレートの詳細につ
いて、以下に記載する。好ましいセルロースアシレート
は、セルロースの水酸基への置換度が下記式〜のす
べてを満足するものである。２．６≦Ａ＋Ｂ≦３．０２．０≦Ａ≦３．００≦Ｂ≦０．８１．９＜Ａ−Ｂ

【０００８】ここで、式中Ａ及びＢはセルロースの水酸
基に置換されているアシル基の置換基を表し、Ａはアセ
チル基の置換度、またＢは炭素原子数３〜５のアシル基
の置換度である。セルロースには１グルコース単位に３
個の水酸基があり、上記の数字はその水酸基３．０に対
する置換度を表すもので、最大の置換度が３．０であ
る。セルローストリアセテートは一般にＡの置換度が
２．６以上３．０以下であり（この場合、置換されなか
った水酸基が最大０．４もある）、Ｂ＝０の場合がセル
ローストリアセテートである。本発明の溶液製膜方法の
ポリマー溶液に用いるセルロースアシレートは、アシル
基が全部アセチル基のセルローストリアセテート、及び
アセチル基が２．０以上で、炭素原子数が３〜５のアシ
ル基が０．８以下、置換されなかった水酸基が０．４以
下のものが好ましく、置換度２．６〜３．０のセルロー
ストリアセテートが特に好ましい。なお、置換度は、セ
ルロースの水酸基に置換する酢酸及び炭素原子数３〜５
の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって得られる。測
定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて
実施することができる。

【０００９】アセチル基の他の炭素原子数３〜５のアシ
ル基はプロピオニル基（Ｃ_２Ｈ_５ＣＯ−）、ブチリル基
（Ｃ_３Ｈ_７ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−）、バレリル基
（Ｃ_４Ｈ_９ＣＯ−）（ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅ
ｒｔ−）で、これらのうちｎ−置換のものがフィルムに
した時の機械的強さ、溶解し易さ等から好ましく、特に
ｎ−プロピオニル基が好ましい。また、アセチル基の置
換度が低いと機械的強さ、耐湿熱性が低下する。炭素原
子数３〜５のアシル基の置換度が高いと有機溶剤への溶
解性は向上するが、それぞれの置換度が前記の範囲であ
れば良好な物性を示す。

【００１０】セルロースアシレートの重合度（粘度平
均）は２００〜７００が好ましく、特に２５０〜５５０
のものが好ましい。粘度平均重合度（ＤＰ）は、オスト
ワルド粘度計で求めることができ、測定されたセルロー
スアシレートの固有粘度［η］から下記式により求めら
れる。ＤＰ＝［η］／Ｋｍ（式中、Ｋｍは定数６×１０^−４）

【００１１】セルロースアシレート原料のセルロースと
しては、綿花リンターや木材パルプなどがあるが、何れ
の原料セルロースから得られるセルロースアシレートで
も使用でき、また、これらを混合して使用してもよい。

【００１２】セルロースアシレートを溶解する有機溶剤
の例には、炭化水素（例：ベンゼン、トルエン）、ハロ
ゲン化炭化水素（例：メチレンクロライド、クロロベン
ゼン）、アルコール（例：メタノール、エタノール、ジ
エチレングリコール）、ケトン（例：アセトン）、エス
テル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル）及
びエーテル（例：テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ）などがあげられる。

【００１３】炭素原子数１〜７のハロゲン化炭化水素が
好ましく用いられ、メチレンクロライドが最も好ましく
用いられる。セルロースアシレートの溶解性、支持体か
らの剥ぎ取り性、フィルムの機械強度等、光学特性等の
物性の観点から、メチレンクロライドの他に炭素原子数
１〜５のアルコールを一種、ないし数種類混合すること
が好ましい。アルコールの含有量は、溶剤全体に対し２
〜２５質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好まし
い。アルコールの具体例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタ
ノール等があげられるが、メタノール、エタノール、ｎ
−ブタノール、あるいはこれらの混合物が好ましく用い
られる。

【００１４】また、酢酸メチル、ケトン類及びアルコー
ルからなり、その溶剤比率が酢酸メチルが２０〜９０質
量％、ケトン類が５〜６０質量％、アルコールが５〜３
０質量％である溶剤を用いることが好ましい。

【００１５】最近、環境に対する影響を最小限に抑える
ため、メチレンクロライドを用いない溶媒組成も提案さ
れている。この目的に対しては、炭素原子数が３〜１２
のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子
数が３〜１２のエステルが好ましく、これらを適宜混合
して用いる。これらのエーテル、ケトン及びエステル
は、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトン及
びエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及び
−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有
機溶剤として用いることができる。有機溶剤は、アルコ
ール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。
二種類以上の官能基を有する有機溶剤の場合、その炭素
原子数は、いずれかの官能基を有する化合物の規定範囲
内であればよい。

【００１６】炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例に
は、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメ
トキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソ
ラン、テトラヒドロフラン、アニソール及びフェネトー
ルがあげられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例
には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン及びメチルシクロヘキサノンがあげられる。炭
素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホル
メート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メ
チルアセテート、エチルアセテート及びペンチルアセテ
ートがあげられる。二種類以上の官能基を有する有機溶
剤の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メト
キシエタノール及び２−ブトキシエタノールがあげられ
る。

【００１７】常温で容易に溶解し得ない系と、不溶解物
の多くなる系では、溶解時に冷却又は加熱あるいは両者
を組み合わせて用いると、良好なポリマー溶液が調製で
きる。冷却溶解法は、ポリマー中に溶剤を急速かつ有効
に浸透せしめることにより溶解が促進される。有効な温
度条件は−１００〜−１０℃であり、冷却後室温〜２０
０℃に加熱することによってさらに良好な溶解性のポリ
マー溶液が得られる。

【００１８】本発明においては、以上のようなポリマー
溶液を流延してフィルムを製造する方法において、製造
されたフィルムから製品フィルムを取得し、残余を前記
ポリマー溶液の調製に使用されるポリマーの一部として
使用するものである。

【００１９】流延したフィルムの端部の切除は、フィル
ム内の揮発成分量が乾量基準で８０質量％以下になって
から行うことが好ましく、５０質量％以下になってから
行うことがより好ましい。揮発成分量が乾量基準で８０
質量％を超えると、フィルム剛性が低下するためにカッ
ターブロワーやクラッシャーによる粉砕が効率よくでき
ない。また、乾燥に伴ってカールが生じて風送工程での
搬送不良を生じさせることがある。

【００２０】また、製品端部は通常連続的に切断され常
時排出されるので、これを空気圧により連続的に輸送
し、カッターブロワー又はクラッシャーにて粉砕してフ
ィルムチップとする。このフィルムチップをポリマー溶
液の原料として全量又は一部を溶解工程に投入すること
により、いわゆる屑フィルムの保管、処理を簡略化する
ことで資源も有効に活用することになる。

【００２１】全量を再生原料として投入すると保管スペ
ース及び処理工程が全く不要で最も効率的であるが、部
分的に貯蔵しつつ再生原料として利用しても効果が得ら
れる。製品フィルムに対して２〜２５質量％に当たる製
品以外の部分を原料として用いることがこのましい。２
質量％未満であると、端部の厚味の均一でない部分も製
品になるために望ましくない。あるいは、耳部の切除を
連続的に安定して行うことが困難となる。例えば、切除
された耳部の巾が極端に狭くなると、風送工程に導入す
る前に切断するなどの不都合が生ずる。また、２５質量
％を超えると、十分な製品巾を確保することができず、
生産効率が低下し問題である。

【００２２】前記フィルムチップは、平均アスペクト比
（√（フィルム片を形成する面のうち最大の面積）／フ
ィルム厚さ）が５〜２０００であることが好ましく、５
０〜１０００であることがより好ましい。平均アスペク
ト比が５未満であると、溶解工程においてままこが発生
し、均一に分散させることが困難になり、また、平均ア
スペクト比が２０００を超えると、チップ同士が接着し
て溶解が困難となる。

【００２３】また、フィルムチップは、ポリマー溶液の
原料として使用する際の水分含有率が０．５％以下であ
ることが好ましく、０．３％以下であることがより好ま
しい。水分含有率が０．５％を超えると、ポリマー溶液
に白濁を生じたり、ポリマー溶液をフィルム化した場合
のフィルムの光学的性質が変化することがあり問題とな
る。

【００２４】ポリマー溶液は、分散又は混合溶解タンク
において原料ポリマー、フィルムチップを溶解して調製
されるが、この分散又は混合溶解タンク内の酸素濃度は
１０％以下であることが好ましく、５％以下であること
がより好ましい。酸素濃度が１０％を超えると、静電気
などにより着火の危険が生ずる。

【００２５】本発明の方法が適用される溶液製膜装置の
一例を図１に示す。この装置は、ポリマー溶液を調製す
る溶解タンク１、該ポリマー溶液をフィルム状に押し出
す流延ダイ２、流延されたフィルムを支持して固化させ
る流延バンド３、流延バンド３から剥ぎ取られたフィル
ムを巾収縮を抑制しながら、又は横方向に延伸しながら
乾燥するテンター搬送機４、テンター４から排出される
フィルムの両側端を切り取るカッター５、切り取られた
両側端を空気搬送するブロワ６と搬送ダクト７、搬送さ
れてきた両側端を細断するクラッシャー８、この細断フ
ィルムを捕集するサイクロン９、サイクロン９で捕集さ
れた細断フィルムを溶解タンク１に送り込むフィーダー
１０よりなっている。

【００２６】溶解タンクには、ポリマー、溶剤、可塑剤
等を投入する投入口１１がそれぞれ設けられ、さらに内
部を攪拌する攪拌機１２が付設されている。溶解タンク
１と流延ダイ２の間にはポリマー溶液を送るポンプ１３
が設けられている。

【００２７】本発明の溶液製膜方法に用いるポリマー溶
液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤
（例えば、可塑剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤、微粒子
粉体、離型剤、光学特性調整剤、フッ素系界面活性剤）
を加えることができる。またその添加する時期はポリマ
ー溶液作製工程において何れでも添加しても良いが、ポ
リマー溶液調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し
調製する工程を加えて行ってもよい。

【００２８】前記可塑剤としては、リン酸エステル又は
カルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例
には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）及びトリ
クレジルフォスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニ
ルフォスフェート、オクチルジフェニルフォスフェー
ト、ジフェニルビフェニルフォスフェート、トリオクチ
ルフォスフェート、トリブチルフォスフェート等があげ
られる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステ
ル及びクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エス
テルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチ
ルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢ
Ｐ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフ
タレート（ＤＰＰ）及びジエチルヘキシルフタレート
（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、
Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）及びＯ
−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン
酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチルが
含まれる。

【００２９】その他のカルボン酸エステルの例には、オ
レイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシ
ン酸ジブチル、トリメチルトリメリテート等のトリメリ
ット酸エステルが含まれる。グリコール酸エステルの例
としては、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリ
ルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレ
ート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタ
リルブチルグリコレートなどがある。

【００３０】以上に例示した可塑剤の中でも、トリフェ
ニルフォスフェート、ビフェニルジフェニルフォスフェ
ート、トリクレジルフォスフェート、クレジルジフェニ
ルフォスフェート、トリブチルフォスフェート、ジメチ
ルフタレート、ジエチルフタレート、ジブチルフタレー
ト、ジオクチルフタレート、ジエチルヘキシルフタレー
ト、トリアセチン、エチルフタリルエチルグリコレー
ト、トリメチルトリメリテートらを用いることが好まし
い。特にトリフェニルフォスフェート、ビフェニルジフ
ェニルフォスフェート、ジエチルフタレート、エチルフ
タリルエチルグリコレート、トリメチルトリメリテート
が好ましい。

【００３１】以上のような可塑剤は１種でもよいし２種
以上併用してもよい。可塑剤の添加量は、セルロースア
シレートに対して０．１〜２０質量％が好ましく、５〜
１５質量％がより好ましい。添加量が０．１質量％未満
では添加効果を十分に発揮することができず、添加量が
２０質量％を超えると、フィルム表面にブリードアウト
する場合がある。

【００３２】その他、本発明においてはその光学的異方
性を小さくする可塑剤として、特開平１１−１２４４４
５号記載の(シ゛)ペンタエリスリトールエステル類、特開
平１１−２４６７０４号記載のグリセロールエステル
類、特開２０００−６３５６０号記載のジグリセロール
エステル類、特開平１１−９２５７４号記載のクエン酸
エステル類、特開平１１−９０９４６号記載の置換フェ
ニルリン酸エステル類などが好ましく用いられる。

【００３３】前記紫外線吸収剤は、目的に応じ任意の種
類のものを選択することができ、サリチル酸エステル
系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾ
エート系、シアノアクリレート系、ニッケル錯塩系等の
吸収剤を用いることができるが、ベンゾフェノン系、ベ
ンゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系が好まし
い。ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例として、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−
アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メト
キシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−
メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−
４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−
４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキ
シベンゾフェノン等をあげることができる。ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤としては、２（２’−ヒドロキ
シ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）
−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキ
シ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−
ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒド
ロキシ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾト
リアゾール等をあげることができる。サリチル酸エステ
ル系としては、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフ
ェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサ
リシレート等をあげることができる。これら例示した紫
外線吸収剤の中でも、特に２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，
４’−メトキシベンゾフェノン、２（２’−ヒドロキシ
−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−
５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ
−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ
−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒ
ドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−５−クロルベンゾトリアゾールが特に好ましい。

【００３４】紫外線吸収剤は、吸収波長の異なる複数の
吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮
断効果を得ることができるので好ましい。液晶用紫外線
吸収剤は、液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ
以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ、液晶表示性の観点
から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないもの
が好ましい。例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、
ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化
合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系
化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられる。特に
好ましい紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール系化合物
やベンゾフェノン系化合物である。中でも、ベンゾトリ
アゾール系化合物は、セルロースエステルに対する不要
な着色が少ないことから、好ましい。

【００３５】また、紫外線吸収剤については、特開昭６
０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５
−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２
７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２
３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、
同７−１１０５５号、同７−１１０５６号、同８−２９
６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２０
４１７３号の各公報に記載がある。

【００３６】紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシ
レートに対し０．００１〜５質量％が好ましく、０．０
１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量
％未満では添加効果を十分に発揮することができず、添
加量が５質量％を超えると、フィルム表面へ紫外線吸収
剤がブリードアウトする場合がある。

【００３７】また、紫外線吸収剤はセルロースアシレー
ト溶解時に同時に添加しても良いし、溶解後のポリマー
溶液に添加しても良い。特にスタティックミキサ等を用
い、流延直前にポリマー溶液に紫外線吸収剤溶液を添加
する形態が、分光吸収特性を容易に調整することができ
るので好ましい。

【００３８】前記劣化防止剤は、セルローストリアセテ
ート等が劣化、分解するのを防止することができる。劣
化防止剤としては、ブチルアミン、ヒンダードアミン化
合物（特開平８−３２５５３７号公報）、グアニジン化
合物（特開平５−２７１４７１号公報）、ベンゾトリア
ゾール系ＵＶ吸収剤（特開平６−２３５８１９号公
報）、ベンゾフェノン系ＵＶ吸収剤（特開平６−１１８
２３３号公報）などの化合物がある。

【００３９】このうち、ヒンダードアミン化合物の例と
しては、ｔ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、トリ
ベンジルアミン等がある。また、グアニジン誘導体とし
て、下記式（１ａ）、（１ｂ）で示される化合物等があ
る。

【００４０】

【化１】

【００４１】劣化防止剤の添加量は、０．００１〜５％
が好ましく、０．０１〜１％がより好ましい。添加量が
０．００１％未満であると添加効果が少なく、添加量が
５％を超えると、原料コストが上昇して不利である。

【００４２】前記微粒子粉体としては、シリカ、カオリ
ン、タルク、ケイソウ土、石英、炭酸カルシウム、硫酸
バリウム、酸化チタン、アルミナなどを目的に応じ、任
意に用いることができる。これら微粒子粉体はポリマー
溶液に添加する前に、高速ミキサー、ボールミル、アト
ライター、超音波分散機等、任意の手段でバインダー溶
液中に分散を行うことが好ましい。バインダーとしては
セルロースアシレートが好ましい。紫外線吸収剤等、他
の添加物と共に分散を行うことも好ましい。分散溶媒は
任意であるが、ポリマー溶液溶媒と近い組成であること
が好ましい。

【００４３】微粒子粉体の数平均粒径は０．０１〜１０
０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍが特に好ましい。
上記の分散液はセルロースアシレート溶解工程に同時に
添加しても良いし、任意の工程でポリマー溶液に添加で
きるが、紫外線吸収剤同様スタティックミキサ等を用
い、流延直前に添加する形態が好ましい。

【００４４】微粒子粉体の含有量は、セルロースアシレ
ートに対して０．００１〜５質量％であることが好まし
く、０．０１〜１質量％であることがより好ましい。添
加量が０．００１質量％未満では添加効果を十分に発揮
することができず、添加量が５質量％を超えると、外観
面状が悪くなる場合がある。

【００４５】前記離型剤としては、界面活性剤が有効で
あり、リン酸系、スルフォン酸系、カルボン酸系、ノニ
オン系、カチオン系など特に限定されない。これらは、
例えば特開昭６１−２４３８３７号などに記載されてい
る。離型剤の添加量は、セルロースアシレートに対して
０．００１〜２質量％が好ましく、０．０１〜１質量％
がより好ましい。添加量が０．００１質量％未満であれ
ば添加効果を十分に発揮することができず、添加量が２
質量％を超えると、析出したり、不溶解物を生じたりす
ることがある。

【００４６】ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキ
シエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレ
ン、ポリグリシジルやソルビタンをノニオン性親水性基
とする界面活性剤であり、具体的には、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニールエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプ
ロピレングリコール、多価アルコール脂肪酸部分エステ
ル、ポリオキシエチレン多価アルコール脂肪酸部分エス
テル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリグリセ
リン脂肪酸エステル、脂肪酸ジエタノールアミド、トリ
エタノールアミン脂肪酸部分エステルを挙げることがで
きる。

【００４７】アニオン系界面活性剤としてはカルボン酸
塩、硫酸塩、スルフォン酸塩、リン酸エステル塩であ
り、代表的なものとしては脂肪酸塩、アルキルベンゼン
スルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフォン酸塩、
アルキルスルフォン酸塩、α−オレフィンスルフォン酸
塩、ジアルキルスルフォコハク酸塩、α−スルフォン化
脂肪酸塩、Ｎ−メチルーＮオレイルタウリン、石油スル
フォン酸塩、アルキル硫酸塩、硫酸化油脂、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン
アルキルフェニールエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレ
ンスチレン化フェニールエーテル硫酸塩、アルキルリン
酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、
ナフタレンスルフォン酸塩ホルムアルデヒド縮合物など
である。

【００４８】カチオン系界面活性剤としてはアミン塩、
４級アンモニウム塩、ピリジュム塩などを挙げることが
でき、第一〜第３脂肪アミン塩、第４級アンモニウム塩
（テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルベンジ
ルアンモニウム塩、アルキルピリジウム塩、アルキルイ
ミダゾリウム塩など）を挙げることができる。両性系界
面活性剤としてはカルボキシベタイン、スルフォベタイ
ンなどであり、Ｎ−トリアルキル−Ｎ−カルボキシメチ
ルアンモニウムベタイン、Ｎ−トリアルキル−Ｎ−スル
フォアルキレンアンモニウムベタインなどである。

【００４９】前記フッ素系界面活性剤を添加することに
より、帯電防止効果を発揮することができる。フッ素系
界面活性剤の添加量は、セルロースアシレートに対して
０．００２〜２質量％が好ましく、０．０１〜０．５質
量％がより好ましい。添加量が０．００２質量％未満で
あれば添加効果を十分に発揮することができず、添加量
が２質量％を超えると、析出したり、不溶解物を生じた
りすることがある。

【００５０】本発明においては、レターデーション上昇
剤（光学特性調整剤）を添加することができる。レター
デーション上昇剤を添加することにより、光学異方性を
コントロールすることができる。レターデーション上昇
剤は、セルロースアシレートフイルムのレターデーショ
ンを調整するため、少なくとも二つの芳香族環を有する
芳香族化合物を使用することが好ましい。芳香族化合物
は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．
０１〜２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセレート１００質量部に対して、０．０５
〜１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
〜１０質量部の範囲で使用することがさらに好ましい。
二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香族化
合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、芳香
族性ヘテロ環を含む。

【００５１】芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環又は７員環であることが好まし
く、５員環又は６員環であることがさらに好ましい。芳
香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。ヘ
テロ原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が
好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテロ環
の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキ
サゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソ
チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザ
ン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダ
ジン環、ピリミジン環、ピラジン環及び１，３，５−ト
リアジン環が含まれる。

【００５２】本発明においては、着色剤を添加すること
ができる。着色剤を添加することにより、感光材料支持
体等に用いる場合、ライトパイピングを防止することが
できる。着色剤の添加量は、セルロースアシレートに対
する質量割合で１０〜１０００ｐｐｍが好ましく、５０
〜５００ｐｐｍが更に好ましい。

【００５３】また、本発明におけるポリマー溶液には、
ルシウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属の塩な
どの熱安定剤、帯電防止剤、難燃剤、滑剤、油剤など
を、必要に応じて適宜添加することができる。

【００５４】本発明の溶液製膜方法により製造されるフ
ィルムの光学特性について記す。まず、フィルムの面内
のレターデーション（Ｒｅ）について記すと、その測定
法はエリプソメーター（偏光解析計ＡＥＰ−１００：島
津製作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍにお
ける面内の縦横の屈折率差にフィルム膜厚さを乗じたも
のであり、下記の式で求められる。Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄｎｘ：横方向の屈折率ｎｙ：縦方向の屈折率

【００５５】レターデーション（Ｒｅ）は、小さいほど
面内方向の光学異方性がないことを示し、０〜３００ｎ
ｍの範囲で用途に応じて用いられる。また、フィルムの
厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）も重要であり、
波長６３２．８ｎｍにおける厚さ方向の複屈折にフィル
ム膜厚さを乗じたものであり、下記の式で求められる。Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄｎｘ：横方向の屈折率ｎｙ：縦方向の屈折率ｎｚ：厚さ方向の屈折率

【００５６】厚さ方向の屈折率が小さいほど、厚さ方向
の光学異方性がないことを示すが、その使用用途によっ
て好ましい範囲は定まる。一般には、本発明により製造
されたセルロースアシレートフィルムのＲｔｈは１００
μｍ当たり、０ｎｍ〜６００ｎｍであり、さらには０ｎ
ｍ〜４００ｎｍで用いられる。

【００５７】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムは、例えば、偏光板保護膜、光学補償シート、ＡＲ、
ＬＲ、ＡＧ膜用支持体フィルム等の光学用途フィルム、
写真感光材料用支持体フィルムとしても利用することが
できる。

【００５８】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムを光学補償シートに利用する場合、フイルムそのもの
を光学補償シートとして用いることができる。なお、フ
イルムそのものを光学補償シートとして用いる場合は、
偏光板の透過軸と、光学補償シートの遅相軸とを実質的
に平行又は垂直になるように配置することが好ましい。
このような偏光板と光学補償シートとの配置について
は、特開平１０−４８４２０号公報に記載がある。液晶
表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる
液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光板、及び該
液晶セルと該偏光板との間に少なくとも一枚の光学補償
シートを配置した構成を有している。

【００５９】液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板
の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封
入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明
な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガ
スバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の
接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けて
もよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液
晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有す
る。

【００６０】光学補償シートは複屈折性を有し、液晶表
示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を
改善したりする目的で用いられる。本発明によるセルロ
ースアシレートフィルムそのものを、光学補償シートと
して用いることができる。さらに反射防止層、防眩性
層、λ／４層や２軸延伸セルロースアシレートフィルム
として機能を付与してもよい。また、液晶表示装置の視
野角を改良するため、本技術のセルロースアシレートフ
ィルムと、それとは（正／負の関係が）逆の複屈折を示
すフィルムを重ねて光学補償シートとして用いてもよ
い。

【００６１】また、支持体の上に液晶性化合物（特にデ
ィスコティック液晶性分子）を含む光学的異方性層を設
けた光学補償シートも提案されている（特開平３−９３
２５号、同６−１４８４２９号、同８−５０２０６号、
同９−２６５７２号の各公報記載）。本発明の溶液製膜
方法で製造されるフィルムそのような光学補償シートの
支持体としても用いることができる。

【００６２】前記偏光板の偏光素子には、ヨウ素系偏光
膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光
膜がある。いずれの偏光素子も、一般にポリビニルアル
コール系フィルムを用いて製造する。偏光板の保護膜
は、２５〜３５０μｍの厚さを有することが好ましく、
４０〜２００μｍの厚さを有することがさらに好まし
い。液晶表示装置には、表面処理膜を設けてもよい。表
面処理膜の機能には、ハードコート、防曇処理、防眩処
理及び反射防止処理が含まれる。

【００６３】前記光学的異方性層は、負の一軸性を有し
傾斜配向したディスコティック液晶性分子を含む層であ
ることが好ましい。ディスコティック液晶性分子を含む
層が、円盤面と支持体面とのなす角が光学的異方性層の
深さ方向において変化したハイブリッド配向していても
構わないし、円盤面が支持体面と平行なホメオトロピッ
ク配向、円盤面が支持体面と垂直なホモジニアス配向、
又は、円盤面が光学的異方性層の深さ方向でねじれてい
るツイスト配向を取っていても構わない。また、これら
の配向が混在した配向（例えば、ハイブリッド配向＋ツ
イスト配向）していても構わない。そのなかでもハイブ
リッド配向していることが好ましい。ディスコティック
液晶性分子ひとつひとつの光軸は、円盤面の法線方向に
存在する。しかし、ディスコティック液晶性分子がハイ
ブリッド配向している層全体としては、光軸は存在しな
い。

【００６４】本発明の溶液製膜方法により製造されるフ
ィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることが
できる。ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）、Ｉ
ＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬ
Ｃ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏ
ｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙＢｅｎ
ｄ）、ＳＴＮ（ＳｕｐｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａ
ｔｉｃ）、ＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌｌｙＡｌｉｇｎｅ
ｄ）及びＨＡＮ（ＨｙｂｒｉｄＡｌｉｇｎｅｄＮｅｍ
ａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されてい
る。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも
提案されている。セルロースアシレートフィルムは、い
ずれの表示モードの液晶表示装置においても有効であ
る。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表
示装置においても有効である。

【００６５】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムをＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置
の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモ
ードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古く
から良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光
学補償シートについては、特開平３−９３２５号、同６
−１４８４２９号、同８−５０２０６号、同９−２６５
７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）
他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．
３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６
８）に記載がある。ＴＮ型液晶表示装置については、特
開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特
許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。

【００６６】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムをＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示
装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一
般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液
晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒
状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ
（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲
にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シート
については、特開２０００−１０５３１６号公報に記載
がある。

【００６７】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムをＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置
の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＶＡ型
液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデー
ションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面
内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＶＡ型
液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質は、
光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質及び
光学的異方性層と支持体との配置により決定される。Ｖ
Ａ型液晶表示装置に光学補償シートを二枚使用する場合
は、光学補償シートの面内レターデーションを、−５ｎ
ｍ〜５ｎｍの範囲内にすることが好ましい。従って、二
枚の光学補償シートのそれぞれの面内レターデーション
の絶対値は、０〜５とすることが好ましい。ＶＡ型液晶
表示装置に光学補償シートを一枚使用する場合は、光学
補償シートの面内レターデーションを、−１０ｎｍ〜１
０ｎｍの範囲内にすることが好ましい。

【００６８】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムを、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表
示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ
型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いて
もよい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表
示装置に用いる光学補償シートには、レターデーション
の絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも
法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶
表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補
償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性
質、支持体の光学的性質及び光学的異方性層と支持体と
の配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるい
はＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについ
ては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。ま
た、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３
７）に記載がある。

【００６９】本発明の溶液製膜方法で製造されるフィル
ムをＡＳＭ（ＡｘｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃＡｌ
ｉｇｎｅｄＭｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを
有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体
として用いてもよい。ＡＳＭモードの液晶セルは、セル
の厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持され
ているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの
液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳ
Ｍ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）外の論
文（Ｋｕｍｅｅｔａｌ．，ＳＩＤ９８Ｄｉｇｅｓｔ
１０８９（１９９８））に記載がある。

【００７０】

【実施例】［実施例１］流延ベースの幅が１５００ｍｍ
フィルム端部切除幅を両端部をそれぞれ１５ｍｍずつ切
除し風送ブロワにより連続的に風送し、カッターブロワ
により裁断しチップ化して再生原料とした。

【００７１】［実施例２］流延ベースの幅が１５００ｍ
ｍフィルム端部切除幅を両端部をそれぞれ１８０ｍｍず
つ切除し風送ブロワにより連続的に風送し、クラッシャ
ーにより粉砕しチップ化して再生原料とした。

【００７２】［比較例１］流延ベースの幅が１５００ｍ
ｍフィルム端部切除幅を両端部をそれぞれ５ｍｍずつ切
除し風送ブロワにより連続的に風送し、カッターブロワ
により裁断しチップ化して再生原料とした。

【００７３】［比較例２］流延ベースの幅が１５００ｍ
ｍフィルム端部切除幅を両端部をそれぞれ２００ｍｍず
つ切除し風送ブロワにより連続的に風送しクラッシャー
により裁断、粉砕しチップ化して再生原料とした。

【００７４】［実施例３］酢酸メチル８０、エタノール
１５、ブタノール５の混合溶剤に酢化度５９．２％のセ
ルロースアセテート１７、トリフェニルフォスフェート
３を分散したのち、−７０℃に冷却し、しかるのちに１
２０℃まで加熱して得た固形分濃度２０質量％のドープ
を支持体上に流延した。フィルム残留溶剤の量が６５質
量％になるまで乾燥した。流延ベースの幅が１５００ｍ
ｍでフィルム端部切除幅を両端部をそれぞれ５０ｍｍず
つ切除し風送ブロワにより連続的に風送しクラッシャー
により粉砕しチップ化して再生原料とした。

【００７５】［比較例３］同様に乾燥したフィルムをフ
ィルム残留溶剤の量が８０質量％になるまで乾燥した。
流延ベースの幅が１５００ｍｍでフィルム端部切除幅を
両端部をそれぞれ５０ｍｍずつ切除し風送ブロワにより
連続的に風送しクラッシャーにより粉砕しチップ化して
再生原料とした。

【００７６】［実施例４］実施例１と同様のドープ組成
をコア層として乾膜７８μｍ相当とし、その両面表層に
実施例１のドープにマット剤としてシリカ粒子を１％分
散添加したものを乾膜１μｍ相当ずつ共流延により付与
した。共流延の方式はマルチマニホールド方式により外
層部分のフィルム幅を１４５０ｍｍ、コア部分のフィル
ム幅を１５００ｍｍとなるように流延し、残留揮発分が
乾量基準で６５質量％まで乾燥し、実施例１と同様に耳
部をそれぞれ２５ｍｍずつ切除し風送し、粉砕して再生
原料とした。

【００７７】［比較例４］フィルム耳部の切除するさい
のフィルムの揮発分を９０質量％とした以外は、実施例
４と同じ条件で耳部を風送し、再生原料とした。

【００７８】［評価結果］

【００７９】

【表１】

【００８０】＜偏光板の作製＞延伸したポリビニルアル
コールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製し、
ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実施例及び比
較例で作製したセルローストリアセテートフィルム試料
を、その遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように両
側に貼り付けた。

【００８１】この偏光板サンプルを８０℃、９０％ＲＨ
の雰囲気下で５００時間暴露した。いずれの実施例にお
いても偏光度は９９．６６％以上であり、十分な耐久性
が認められた。

【００８２】なお、偏光度は、分光光度計により可視領
域における並行透過率Ｙｐ、直行透過率Ｙｃを求め、次
式に基づき偏光度Ｐを決定した。Ｐ＝√（（Ｙｐ−Ｙｃ）／（Ｙｐ＋Ｙｃ））

【００８３】＜光学補償フィルムの作製＞延伸したポリ
ビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜
を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実
施例及び比較例で作製したセルローストリアセテートフ
ィルム試料を、その遅相軸が偏光膜の透過軸と平行にな
るように方側に貼り付けた。さらに、実施例のセルロー
ストリアセテートフィルムにケン化処理を行い、ポリビ
ニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼
り付けた。

【００８４】さらに、光学補償シート（富士写真フイル
ム（株）製，『ＷＶフィルム』）を同偏光板のセルロー
スアセテートフィルム側に遅相軸が互いに平行となるよ
うに、粘着剤を介して貼り合わせた。このようにして光
学補償膜を貼合した偏光板を作製した。

【００８５】上記のように作製した偏光板１組をＴＦＴ
（薄膜トランジスター）方式の液晶表示装置に実装した
結果、良好な視野角及び紺とコントラストを達成するこ
とができた。

【００８６】［実施例５］＜セルローストリアセテート溶液の作製＞攪拌羽根を有
するステンレス性溶解タンクに、下記の溶媒混合溶液に
よく攪拌しつつ、セルローストリアセテート粉体（平均
サイズ２ｍｍ）を徐々に添加し、仕込んだ。添加後、室
温（２５℃）にて３時間，２５℃にて放置し、セルロー
ストリアセテートを膨潤させた。なお、溶媒である酢酸
メチルとシクロペンタノン、アセトン、メタノール及び
エタノールは、すべてその含水率が０．２質量％以下の
ものを利用した。

【００８７】セルローストリアセテート１６質量部（置換度２．８３、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ）酢酸メチル５３質量部シクロペンタン１０質量部アセトン５質量部メタノール５質量部エタノール５質量部可塑剤Ａ（ジペンタエリスリトールヘキサアセテート）３質量部可塑剤Ｂ（トリフェニルフォスフェート）３質量部微粒子粉体（シリカ（粒径２０ｎｍ））０．１質量部紫外線吸収剤ａ０．１質量部（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５− ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン）紫外線吸収剤ｂ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾール）紫外線吸収剤ｃ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾールＣ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂ ０．０５質量部

【００８８】なお、後述する冷却溶解法で得られたこの
溶液の粘度は１６０Ｐａ・Ｓ（４５℃）であった。

【００８９】＜セルローストリアセテート溶液の冷却溶
解＞上述したセルローストリアセテート溶液をスクリュ
ー押し出し機で送液して、−７０℃で３分間となるよう
に冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８
０℃の冷媒（３Ｍ社製，『フロリナート』）を用いて実
施した。そして、冷却により得られた溶液は、静止型混
合器を設置した熱交換器により１２０℃まで温度を上昇
させ、３分間保持した後冷却し５０℃としてステンレス
製の容器に移送し、５０℃で２時間撹拌し脱泡を行っ
た。このように調製したセルローストリアセテート溶液
を、絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）
製，『＃６３』）で濾過し、さらに、絶対濾過精度０．
００２５ｍｍの濾紙（ポール社製，『ＦＨ０２５』）
にて濾過した。

【００９０】＜セルローストリアセテートフィルムの作
製及び切除＞上記を鏡面仕上げを施した金属ドラム支持
体上に、フィルムの平均厚さが４０μｍになるように流
延し、フィルム残留溶剤が６０質量％になるまで乾燥し
て剥ぎ取った。次に、テンターにより搬送しつつ乾燥
し、揮発分が５％の状態で両端を４５ｍｍ巾で切除し
た。切除した両端部を風送し、カッターブロワ及びクラ
ッシャーにより粉砕しフィルムチップを得た。この切除
した両端部は、製品フィルム対し、７質量％である。ま
た、このフィルムチップのクラッシャー出口での平均ア
スペクト比が２５０になるようにした。また、フィルム
チップの水分含有率は０．３％であった。このフィルム
チップを、酸素濃度が６％に保たれた分散・混合溶解タ
ンクに投入した。

【００９１】この時、４５ｍｍ巾で切除した両端部の風
送は、極めて良好に行うことができた。また、フィルム
チップは、分散・混合溶解タンクにおいて、均一に分散
されていた。

【００９２】＜偏光板ａの作製＞延伸したポリビニルア
ルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光素子を作製
し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記セル
ローストリアセテートフィルムを、その遅相軸が偏光素
子の透過軸と平行になるように両側に貼り付けた。

【００９３】この偏光板ａを８０℃、９０ＲＨの雰囲気
下で５００時間暴露し、上述した方法で偏光度を測定し
た。偏光度は９９．６％以上であり、十分な耐久性が認
められた。

【００９４】＜偏光板ｂの作製＞延伸したポリビニルア
ルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光素子を作製
し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記セル
ローストリアセテートフィルムを、その遅相軸が偏光膜
の透過軸と平行になるように片側に貼り付けるととも
に、上記セルローストリアセテートフィルムにケン化処
理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏
光膜の反対側に貼り付けた。さらに、光学補償シート
（富士写真フイルム（株）製，『ＷＶフィルム』）をセ
ルローストリアセテートフィルム側に、その遅相軸が互
いに平行になるように粘着剤を用いて貼り付け、光学補
償シートを貼合した偏光板を作製した。

【００９５】この偏光板ｂを８０℃、９０ＲＨの雰囲気
下で５００時間暴露し、上述した方法で偏光度を測定し
た。偏光度は９９．５％以上であり、十分な耐久性が認
められた。

【００９６】＜液晶表示装置での評価＞上記偏光板ａ及
び偏光板ｂをＴＦＴ（薄膜トランジスター）方式の液晶
表示装置に実装した。その結果、良好な視野角及びコン
トラストを得ることができた。

【００９７】［比較例５］実施例５と同一のセルロース
トリアセテート溶液を用い、同一の製造条件でセルロー
ストリアセテートフィルムを製造した。但し、両端部の
切除の巾を４５ｍｍから６０ｍｍに変更し、また、フィ
ルムチップのクラッシャー出口での平均アスペクト比を
２５０から２２００に変更し、水分含水率を０．６％に
した。

【００９８】この時、６０ｍｍ巾で切除した両端部の風
送は良好であった。また、フィルムチップを分散・混合
溶解タンクに投入したところ、チップ同士が接着した状
態となり、溶解することができなかった。

【００９９】［実施例６］＜内層用セルローストリアセテート溶液の作製＞攪拌羽
根を有するステンレス性溶解タンクに、下記の溶剤混合
溶液によく攪拌しつつ、セルローストリアセテート粉体
（平均サイズ２ｍｍ）を徐々に添加して仕込んだ。添加
後、室温（２５℃）にて３時間放置し、セルローストリ
アセテートを膨潤させた。なお、溶剤である酢酸メチル
とシクロペンタノン、アセトン、メタノール及びエタノ
ールは、すべてその含水率が０．２質量％以下のものを
利用した。

【０１００】セルローストリアセテート１６質量部（置換度２．８３、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ）酢酸メチル５３質量部シクロペンタン１０質量部アセトン５質量部メタノール５質量部エタノール５質量部可塑剤Ａ（ジペンタエリスリトールヘキサアセテート）３質量部可塑剤Ｂ（トリフェニルフォスフェート）３質量部微粒子粉体（シリカ（粒径２０ｎｍ））０．１質量部紫外線吸収剤ａ０．１質量部（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５− ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン）紫外線吸収剤ｂ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾール）紫外線吸収剤ｃ０．１質量部（２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）− ５−クロルベンゾトリアゾールＣ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂ ０．０５質量部

【０１０１】なお、冷却溶解法で得られたこの溶液の粘
度は６０Ｐａ・Ｓ（４５℃）であった。

【０１０２】＜セルローストリアセテート溶液の冷却溶
解＞上述したセルローストリアセテート溶液をスクリュ
ー押し出し機で送液して、−７０℃で３分間となるよう
に冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８
０℃の冷媒（３Ｍ社製，『フロリナート』）を用いて実
施した。そして、冷却により得られた溶液は静止型混合
器を設置した熱交換器により１２０℃まで温度を上昇さ
せ、３分間保持した後、冷却し５０℃としてステンレス
製の容器に移送し、５０℃で２時間撹拌し脱泡を行っ
た。このセルローストリアセテート溶液を絶対濾過精度
０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）製，『＃６３』）
で濾過し、さらに、絶対濾過精度０．００２５ｍｍの濾
紙（ポール社製，『ＦＨ０２５』）で濾過した。

【０１０３】＜外層用セルローストリアセテート溶液の
調整＞上述した内層用セルローストリアセテート溶液に
おいて、セルローストリアセテートを１９質量部、酢酸
メチルを４４質量部に変更した他は、同様に仕込んだ。
なお、冷却溶解法で得られたこの溶液の粘度は２５Ｐａ
・Ｓ（４５℃）であった。

【０１０４】＜セルローストリアセテート溶液の冷却溶
解＞上述したセルローストリアセテート溶液をスクリュ
ー押し出し機で送液して、−７０℃で３分間となるよう
に冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８
０℃の冷媒（３Ｍ社製，『フロリナート』）を用いて実
施した。そして、冷却により得られた溶液は静止型混合
器を設置した熱交換器により１２０℃まで温度を上昇さ
せ、３分間保持した後、冷却し５０℃としてステンレス
製の容器に移送し、５０℃で２時間撹拌し脱泡を行っ
た。このセルローストリアセテート溶液を絶対濾過精度
０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）製，『＃６３』）
で濾過し、さらに、絶対濾過精度０．００２５ｍｍの濾
紙（ポール社製，『ＦＨ０２５』）で濾過した。

【０１０５】＜セルローストリアセテートフィルムの作
製＞上述したセルローストリアセテート溶液を三層共流
延ダイを用い、内層用セルローストリアセテート溶液が
内側に、外層用セルローストリアセテート溶液が両外側
になるように配置して、金属ならなる流延支持体上に同
時に吐出させて重層流延した後、流延膜を流延支持体か
ら剥ぎ取り、乾燥して三層構造のセルローストリアセテ
ートフィルム積層体（内層の厚さ：８０μｍ、各表面層
の厚さ：２μｍ）を作製した。

【０１０６】流延支持体から剥ぎ取ったフィルムは、テ
ンターにより搬送しつつ乾燥させ、１００℃で３分、１
３０℃で５分乾燥させた後、１５０℃で１０分で段階的
に乾燥させて溶剤を蒸発させてセルローストリアセテー
トフィルムを得た。

【０１０７】また、この時、テンターにより搬送しつ
つ、揮発分が５％の状態で両端を３０ｍｍ巾で切除し
た。切除した両端部を風送し、カッターブロワ及びクラ
ッシャーにより粉砕し、クラッシャー出口での平均アス
ペクト比が１２５であるフィルムチップを得た。また、
フィルムチップの水分含水率は０．３％であった。そし
て、このフィルムチップを、酸素濃度が６％に保たれた
分散・混合溶解タンクに投入した。

【０１０８】この時、３０ｍｍ巾で切除した両端部の風
送は、極めて良好に行うことができた。また、フィルム
チップは、分散・混合溶解タンクにおいて、均一に分散
されていた。

【０１０９】＜偏光板ｃの作製＞延伸したポリビニルア
ルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光素子を作製
し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記セル
ローストリアセテートフィルムを、その遅相軸が偏光素
子の透過軸と平行になるように両側に貼り付けた。この
偏光板ｃを８０℃、９０ＲＨの雰囲気下で５００時間暴
露し、上述した方法で偏光度を測定した。偏光度は９
９．６％以上であり、十分な耐久性が認められた。

【０１１０】＜偏光板ｄの作製＞延伸したポリビニルア
ルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光素子を作製
し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記セル
ローストリアセテートフィルムを、その遅相軸が偏光素
子の透過軸と平行になるように片側に貼り付けるととも
に、上記セルローストリアセテートフィルムにケン化処
理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏
光素子の反対側に貼り付けた。さらに、光学補償シート
（富士写真フイルム（株）製，『ＷＶフィルム』）をセ
ルローストリアセテートフィルム側に、その遅相軸が互
いに平行になるように粘着剤を用いて貼り付け、光学補
償シートを貼合した偏光板を作製した。

【０１１１】この偏光板ｄを８０℃、９０ＲＨの雰囲気
下で５００時間暴露し、上述した方法で偏光度を測定し
た。偏光度は９９．６％以上であり、十分な耐久性が認
められた。

【０１１２】＜液晶表示装置での評価＞上記偏光板ｃ及
び偏光板ｄをＴＦＴ（薄膜トランジスター）方式の液晶
表示装置に実装した。その結果、良好な視野角及びコン
トラストを得ることができた。

【０１１３】

【発明の効果】本発明により、溶液製膜法において必然
的に発生するフィルムの非製品化部分を有効利用してフ
ィルムの製造コストを下げるとともに製品フィルムの品
質を安定して良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法が適用された溶液製膜装置の一
例の構成を示す図である。

【符号の説明】

１…溶解タンク２…流延ダイ３…流延バンド４…テンター５…カッター６…ブロワ７…搬送ダクト８…クラッシャー９…サイクロン１０…フィーダー１１…投入口１２…攪拌機１３…ポンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 1/10 Ｃ０８Ｌ 1/10 Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０２Ｂ 5/30 // Ｂ２９Ｋ 1:00 Ｂ２９Ｋ 1:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BB33 BC09 4F205 AA01 AB07 AB10 AB11 AB14 AC05 AG01 AG03 AH73 GA07 GB02 GB26 GC07 GE22 GF01 GW23 GW45 4J002 AB021 DJ008 DJ018 DJ038 DJ048 EE037 EH127 EH146 ET007 EU177 EW046 FD018 FD026 FD057 FD169 FD319 HA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリマーを溶剤に溶解してポリマー溶液
とし、該ポリマー溶液を流延してフィルムを製造する方
法において、製造されたフィルムから製品フィルムを取
得し、残余を前記ポリマー溶液の調製に使用されるポリ
マーの一部として使用することを特徴とする溶液製膜方
法
【請求項２】溶剤が酢酸メチル又はアセトンを主とす
るものであり、ポリマーと該溶剤を−１００〜−１０℃
に冷却し、この両者を混合状態で加熱してポリマー溶液
とすることを特徴とする請求項１記載の溶液製膜方法
【請求項３】前記ポリマー溶液がセルロースアシレー
ト溶液である請求項１又は２記載の溶液製膜方法。
【請求項４】前記セルロースアシレート溶液が、少な
くとも一種の可塑剤をセルロースアシレートに対して
０．１〜２０質量％含有している請求項３記載の溶液製
膜方法。
【請求項５】前記セルロースアシレート溶液が、少な
くとも一種の紫外線吸収剤をセルロースアシレートに対
して０．００１〜５質量％含有している請求項３又は４
記載の溶液製膜方法。
【請求項６】前記セルロースアシレート溶液が、少な
くとも一種の微粒子粉体をセルロースアシレートに対し
て０．００１〜５質量％含有している請求項３、４又は
５記載の溶液製膜方法。
【請求項７】前記セルロースアシレート溶液が、少な
くとも一種の離型剤をセルロースアシレートに対して
０．００１〜２質量％含有している請求項３、４、５又
は６記載の溶液製膜方法。
【請求項８】前記セルロースアシレート溶液が、少な
くとも一種のフッ素系界面活性剤をセルロースアシレー
トに対して０．００２〜２質量％含有している請求項
３、４、５、６又は７記載の溶液製膜方法。
【請求項９】前記製品フィルムに対して２〜２５質量
％に当たる製品以外の部分を、ポリマー溶液の調製にお
ける溶解工程に供給し、原料の一部として再利用する請
求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の溶液製膜
方法。
【請求項１０】前記フィルム製造工程で連続的に発生
するフィルム端部の切除部分を空気圧で輸送し、粉砕し
た後溶解工程に供給し、原料の一部として再利用する請
求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の溶液
製膜方法。
【請求項１１】前記製品フィルム以外の残余のフィル
ムを粉砕してフィルムチップとし、このフィルムチップ
の平均アスペクト比（√（フィルム片を形成する面のう
ち最大の面積）／フィルム厚さ）が５〜２０００である
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０記
載の溶液製膜方法。
【請求項１２】前記製品フィルム以外の残余のフィル
ムの水分含有量が０．５％以下である請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１記載の溶液
製膜方法。
【請求項１３】前記ポリマー溶液の調製工程におい
て、分散又は混合溶解タンク内の酸素濃度が１０％以下
である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１
０、１１又は１２記載の溶液製膜方法。
【請求項１４】前記ポリマー溶液を流延してフィルム
を製造する際、２種類以上のセルロースアシレート溶液
を共流延する請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２又は１３記載の溶液製膜方法。
【請求項１５】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の溶液製
膜方法により作製されたフィルムを用いることを特徴と
する偏光板保護膜。
【請求項１６】請求項１５記載の偏光板保護膜を用い
ることを特徴とする偏光板。