JP2002233842A - 光学素子、該光学素子を有する露光装置、洗浄装置及び光学素子の洗浄方法 - Google Patents
光学素子、該光学素子を有する露光装置、洗浄装置及び光学素子の洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、汚染を防止した上で製造される光
学素子、当該光学素子を有する露光装置、汚染を防止す
ることができる洗浄装置及び光学素子の洗浄方法を提供
する。 【解決手段】 本発明の例示的一態様としての洗浄装置
は、第１の容器と、前記第１の容器内に置かれた紫外線
を照射する照射部と、前記第１の容器の内部に配置され
且つ前記照射部が外部に位置するように構成された、被
洗浄物を格納して前記照射部からの前記紫外線の前記被
洗浄物への照射を可能にし且つ前記第１の容器とは異な
る雰囲気を維持可能な第２の容器とを有することを特徴
とする。
学素子、当該光学素子を有する露光装置、汚染を防止す
ることができる洗浄装置及び光学素子の洗浄方法を提供
する。 【解決手段】 本発明の例示的一態様としての洗浄装置
は、第１の容器と、前記第１の容器内に置かれた紫外線
を照射する照射部と、前記第１の容器の内部に配置され
且つ前記照射部が外部に位置するように構成された、被
洗浄物を格納して前記照射部からの前記紫外線の前記被
洗浄物への照射を可能にし且つ前記第１の容器とは異な
る雰囲気を維持可能な第２の容器とを有することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レンズ、ミラーな
どの光学素子の洗浄方法及び装置、並びに、当該洗浄さ
れた光学素子を有する露光装置にも係る。但し、本発明
の洗浄方法及び装置によって洗浄される光学素子の用途
は露光装置に限定されず、写真製版、投影検査、映写
機、プロジェクタなどの光学機器に広く適用することが
できる。また、本発明の洗浄装置は光学素子の洗浄に限
定されず、食器、半導体、ガラスの洗浄やレジスト剥離
にも使用することができる。
どの光学素子の洗浄方法及び装置、並びに、当該洗浄さ
れた光学素子を有する露光装置にも係る。但し、本発明
の洗浄方法及び装置によって洗浄される光学素子の用途
は露光装置に限定されず、写真製版、投影検査、映写
機、プロジェクタなどの光学機器に広く適用することが
できる。また、本発明の洗浄装置は光学素子の洗浄に限
定されず、食器、半導体、ガラスの洗浄やレジスト剥離
にも使用することができる。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ工程は、マスクパターンを
単結晶基板やガラス基板などの被処理体上に塗布した感
光性物質（レジスト）に露光装置を使用して転写する工
程であり、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レ
ジスト除去の工程を含む。このうち露光では、解像度、
重ね合わせ精度、スループットの３つのパラメータが重
要である。解像度は正確に転写できる最小寸法、重ね合
わせ精度は被処理体にパターンを幾つか重ね合わせる際
の精度、スループットは単位時間当たり処理される枚数
である。
単結晶基板やガラス基板などの被処理体上に塗布した感
光性物質（レジスト）に露光装置を使用して転写する工
程であり、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レ
ジスト除去の工程を含む。このうち露光では、解像度、
重ね合わせ精度、スループットの３つのパラメータが重
要である。解像度は正確に転写できる最小寸法、重ね合
わせ精度は被処理体にパターンを幾つか重ね合わせる際
の精度、スループットは単位時間当たり処理される枚数
である。
【０００３】より高い解像度を得るために、近年、水銀
ランプよりも波長の短い光を照射可能なエキシマレーザ
ーを光源として使用することが提案されている。しか
し、光の吸収、散乱及び干渉は短波長光ほど顕著であ
り、光源からの光の短波長化に伴って、レンズやミラー
などの光学素子に付着している有機物質などの汚染物質
の影響はますます無視できなくなっている。汚染物質
は、露光光の吸収、散乱及び／又は干渉、光学素子の光
学的特性（透過、反射、分光特性など）の低下、及び、
光学素子のレーザー耐性の低下をもたらす。この結果、
解像度やスループットが低下したり、光学素子が破壊し
たり、その性能が低下したりする。このため、従来技術
は、光学素子を予め洗浄してから露光装置に取り付けて
使用することを提案している。
ランプよりも波長の短い光を照射可能なエキシマレーザ
ーを光源として使用することが提案されている。しか
し、光の吸収、散乱及び干渉は短波長光ほど顕著であ
り、光源からの光の短波長化に伴って、レンズやミラー
などの光学素子に付着している有機物質などの汚染物質
の影響はますます無視できなくなっている。汚染物質
は、露光光の吸収、散乱及び／又は干渉、光学素子の光
学的特性（透過、反射、分光特性など）の低下、及び、
光学素子のレーザー耐性の低下をもたらす。この結果、
解像度やスループットが低下したり、光学素子が破壊し
たり、その性能が低下したりする。このため、従来技術
は、光学素子を予め洗浄してから露光装置に取り付けて
使用することを提案している。
【０００４】光学素子の洗浄方法としては、プラズマや
低波長光、中性洗剤、有機・無機溶剤の使用が既に従来
提案されているが、より高い洗浄能力と光学素子の破損
防止のために光化学反応を利用する紫外線/オゾンを用
いる光洗浄法が近年注目されている。
低波長光、中性洗剤、有機・無機溶剤の使用が既に従来
提案されているが、より高い洗浄能力と光学素子の破損
防止のために光化学反応を利用する紫外線/オゾンを用
いる光洗浄法が近年注目されている。
【０００５】光洗浄法は、光学素子の表面に付着した有
機物を、光学素子に紫外光を照射することによって分解
する。光洗浄法は、典型的に、酸素を含む雰囲気中に洗
浄される光学素子を収納し、紫外線ランプによって光学
素子に紫外線を照射して光学素子を洗浄する。紫外光は
酸素ガス中で活性酸素を生成し、光学素子の表面に付着
した有機物質を活性化する。活性酸素と酸素分子からオ
ゾンが生成され、オゾンは紫外光を受けると励起状態の
活性酸素に変化し、有機物を分解及び揮発する。
機物を、光学素子に紫外光を照射することによって分解
する。光洗浄法は、典型的に、酸素を含む雰囲気中に洗
浄される光学素子を収納し、紫外線ランプによって光学
素子に紫外線を照射して光学素子を洗浄する。紫外光は
酸素ガス中で活性酸素を生成し、光学素子の表面に付着
した有機物質を活性化する。活性酸素と酸素分子からオ
ゾンが生成され、オゾンは紫外光を受けると励起状態の
活性酸素に変化し、有機物を分解及び揮発する。
【０００６】しかし、洗浄後の光学素子を空気中に放置
すると、紫外光照射で洗浄されて活性化された直後の光
学素子表面の未結合手が汚染物質を吸着し、光学素子が
再汚染される。再汚染された光学素子は洗浄前の光学素
子と同様の問題を生じる。このため、特許公開公報平成
１１年第２２１５３６号は、洗浄後の光学素子の再汚染
を低減する洗浄方法を提案している。かかる方法は光洗
浄処理の終了の際に光学素子を窒素雰囲気下に所定の時
間放置する後処理工程を有する。かかる後処理工程によ
り、光学素子の表面の未結合手が窒素を吸着することに
よって減少し、光学素子鏡面が不活性化され、汚染物質
の吸収確率が減少する。
すると、紫外光照射で洗浄されて活性化された直後の光
学素子表面の未結合手が汚染物質を吸着し、光学素子が
再汚染される。再汚染された光学素子は洗浄前の光学素
子と同様の問題を生じる。このため、特許公開公報平成
１１年第２２１５３６号は、洗浄後の光学素子の再汚染
を低減する洗浄方法を提案している。かかる方法は光洗
浄処理の終了の際に光学素子を窒素雰囲気下に所定の時
間放置する後処理工程を有する。かかる後処理工程によ
り、光学素子の表面の未結合手が窒素を吸着することに
よって減少し、光学素子鏡面が不活性化され、汚染物質
の吸収確率が減少する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】さて、同公報の方法に
よれば、光学素子は有機物（例えば、洗浄装置の雰囲気
を外界と遮断するシール材や紫外光ランプを保持するた
めのゴム部材など）と同一の雰囲気下に置かれる。この
結果、紫外光がこれらの有機物を分解し、雰囲気内に脱
ガス化した新たな汚染物質を発生させ、光学素子を再汚
染していた。
よれば、光学素子は有機物（例えば、洗浄装置の雰囲気
を外界と遮断するシール材や紫外光ランプを保持するた
めのゴム部材など）と同一の雰囲気下に置かれる。この
結果、紫外光がこれらの有機物を分解し、雰囲気内に脱
ガス化した新たな汚染物質を発生させ、光学素子を再汚
染していた。
【０００８】本発明の目的は、この種の汚染を防止した
上で製造される光学素子、当該光学素子を有する露光装
置、この種の汚染を防止することができる洗浄装置及び
光学素子の洗浄方法をすることにある。
上で製造される光学素子、当該光学素子を有する露光装
置、この種の汚染を防止することができる洗浄装置及び
光学素子の洗浄方法をすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の例示的一態様としての光学素子は、容器外
とは独立した雰囲気にした容器内に置かれ且つ前記容器
外の光源からの紫外線を照射されることにより洗浄され
たことを特徴とする。かかる光学素子は、容器外とは異
なる雰囲気を有する容器内で洗浄されるため汚染が少な
い。また、かかる光学素子は、前記容器は有機物を含む
シール材を用いていないもの、前記容器内に酸素を含む
ガスを満たして前記紫外線照射が成されたもの、前記光
源と前記容器とを囲む容器内に窒素などの不活性ガスを
満たして前記紫外線照射が成されたもの、材料に蛍石又
は石英を用い且つ２００ｎｍ以下の波長光で使用される
もの、前記紫外線は波長３００ｎｍ以下の光を含むも
の、前記紫外光を低圧水銀ランプによって形成したもの
がある。
に、本発明の例示的一態様としての光学素子は、容器外
とは独立した雰囲気にした容器内に置かれ且つ前記容器
外の光源からの紫外線を照射されることにより洗浄され
たことを特徴とする。かかる光学素子は、容器外とは異
なる雰囲気を有する容器内で洗浄されるため汚染が少な
い。また、かかる光学素子は、前記容器は有機物を含む
シール材を用いていないもの、前記容器内に酸素を含む
ガスを満たして前記紫外線照射が成されたもの、前記光
源と前記容器とを囲む容器内に窒素などの不活性ガスを
満たして前記紫外線照射が成されたもの、材料に蛍石又
は石英を用い且つ２００ｎｍ以下の波長光で使用される
もの、前記紫外線は波長３００ｎｍ以下の光を含むも
の、前記紫外光を低圧水銀ランプによって形成したもの
がある。
【００１０】また、本発明の別の例示的一態様としての
光学系は、上記の光学素子のいずれかを一又は複数個有
する光学系である。かかる光学系は上記光学素子を有
し、汚染が少なく高品質な光学系である。
光学系は、上記の光学素子のいずれかを一又は複数個有
する光学系である。かかる光学系は上記光学素子を有
し、汚染が少なく高品質な光学系である。
【００１１】また、本発明の別の例示的一態様としての
露光装置は、上記の光学系のいずれか一つを有する露光
装置である。
露光装置は、上記の光学系のいずれか一つを有する露光
装置である。
【００１２】また、本発明の別の例示的一態様としての
洗浄装置は、第１の容器と、前記第１の容器内に置かれ
た紫外線を照射する照射部と、前記第１の容器の内部に
配置され且つ前記照射部が外部に位置するように構成さ
れた、被洗浄物を格納して前記照射部からの前記紫外線
の前記被洗浄物への照射を可能にし且つ前記第１の容器
とは異なる雰囲気を維持可能な第２の容器とを有するこ
とを特徴とする。かかる洗浄装置は、第１の容器の内部
に、第１の容器のシール材などを含まない狭い空間であ
って、第１の容器と異なる雰囲気を維持することができ
る第２の容器を有し、第２の容器内で被洗浄物の洗浄を
行う。このため、第１の容器内の有機物から発生する汚
染物質により第２の容器の内部は汚染されない。
洗浄装置は、第１の容器と、前記第１の容器内に置かれ
た紫外線を照射する照射部と、前記第１の容器の内部に
配置され且つ前記照射部が外部に位置するように構成さ
れた、被洗浄物を格納して前記照射部からの前記紫外線
の前記被洗浄物への照射を可能にし且つ前記第１の容器
とは異なる雰囲気を維持可能な第２の容器とを有するこ
とを特徴とする。かかる洗浄装置は、第１の容器の内部
に、第１の容器のシール材などを含まない狭い空間であ
って、第１の容器と異なる雰囲気を維持することができ
る第２の容器を有し、第２の容器内で被洗浄物の洗浄を
行う。このため、第１の容器内の有機物から発生する汚
染物質により第２の容器の内部は汚染されない。
【００１３】また、本発明の別の例示的一態様としての
洗浄装置用の容器は、内部に被洗浄物を格納し、外部と
は異なる雰囲気を維持可能な筐体と、当該筐体に取り付
けられ、前記外部からの紫外線の前記被洗浄体への照射
を可能にするガラス窓とを有することを特徴とする。か
かる洗浄装置用の容器は上記洗浄装置の第２の容器に相
当する。
洗浄装置用の容器は、内部に被洗浄物を格納し、外部と
は異なる雰囲気を維持可能な筐体と、当該筐体に取り付
けられ、前記外部からの紫外線の前記被洗浄体への照射
を可能にするガラス窓とを有することを特徴とする。か
かる洗浄装置用の容器は上記洗浄装置の第２の容器に相
当する。
【００１４】本発明の洗浄装置並びに洗浄装置用の容器
の他の態様は、前記被洗浄物は透過型光学素子であるも
のや、前記被洗浄物は材料に石英又は蛍石を用い且つ２
００ｎｍ以下の波長の光領域で使用される光学素子であ
るものである。
の他の態様は、前記被洗浄物は透過型光学素子であるも
のや、前記被洗浄物は材料に石英又は蛍石を用い且つ２
００ｎｍ以下の波長の光領域で使用される光学素子であ
るものである。
【００１５】更に、本発明の別の例示的一態様としての
洗浄方法は、第１の容器の内部に配置されて当該第１の
容器の雰囲気とは異なる雰囲気を維持可能な第２の容器
に被洗浄物を収納する工程と、前記第２の容器内に洗浄
用ガスを導入する工程と、前記第１の容器内だが前記第
２の容器外にある光源からの紫外線を前記被処理体に照
射する工程とを有することを特徴とする。かかる洗浄方
法も上述の洗浄装置と同様の作用を奏する。また、本洗
浄方法の被洗浄物（例えば、光学素子）を組み込んだ製
品（例えば、露光装置）の製造方法として機能する。
洗浄方法は、第１の容器の内部に配置されて当該第１の
容器の雰囲気とは異なる雰囲気を維持可能な第２の容器
に被洗浄物を収納する工程と、前記第２の容器内に洗浄
用ガスを導入する工程と、前記第１の容器内だが前記第
２の容器外にある光源からの紫外線を前記被処理体に照
射する工程とを有することを特徴とする。かかる洗浄方
法も上述の洗浄装置と同様の作用を奏する。また、本洗
浄方法の被洗浄物（例えば、光学素子）を組み込んだ製
品（例えば、露光装置）の製造方法として機能する。
【００１６】本発明の露光装置の別の例示的一態様は、
上記の洗浄方法により洗浄された光学素子を有する光学
系を含む露光装置であり、例えば、この露光装置のこの
光学系は、波長２００ｎｍ以下の光束に使用されるもの
である。
上記の洗浄方法により洗浄された光学素子を有する光学
系を含む露光装置であり、例えば、この露光装置のこの
光学系は、波長２００ｎｍ以下の光束に使用されるもの
である。
【００１７】また、本発明の別の例示的一態としてのデ
バイス製造方法は、上記の露光装置のいずれか一つによ
りデバイスパターンで感光体を露光する工程と、当該露
光した感光体を現像する工程とを含むデバイス製造方法
である。
バイス製造方法は、上記の露光装置のいずれか一つによ
りデバイスパターンで感光体を露光する工程と、当該露
光した感光体を現像する工程とを含むデバイス製造方法
である。
【００１８】本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下
添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって
明らかにされるであろう。
添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって
明らかにされるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
例示的一態様としての洗浄装置５００を説明する。な
お、各図において同一の参照符号は同一部材を示し、重
複説明は省略する。ここで、図１は、本発明の洗浄装置
５００の概略断面図である。本発明の洗浄装置５００
は、第１の容器６００と、紫外光ランプ６１０と、第２
の容器７００と、ガス導入機構５２０とを有する。
例示的一態様としての洗浄装置５００を説明する。な
お、各図において同一の参照符号は同一部材を示し、重
複説明は省略する。ここで、図１は、本発明の洗浄装置
５００の概略断面図である。本発明の洗浄装置５００
は、第１の容器６００と、紫外光ランプ６１０と、第２
の容器７００と、ガス導入機構５２０とを有する。
【００２０】第１の容器６００は密閉した雰囲気を形成
し、気密性に優れたステンレス又はアルミニウム製の容
器である。第１の容器６００は、内部に紫外光ランプ６
１０と第２の容器７００とを有する。
し、気密性に優れたステンレス又はアルミニウム製の容
器である。第１の容器６００は、内部に紫外光ランプ６
１０と第２の容器７００とを有する。
【００２１】紫外光ランプ６１０は、例えば、波長１８
４.９ｎｍや波長２５３.７ｎｍの紫外線を発生する低圧
水銀ランプから構成される。紫外光は、可視光よりも強
いエネルギーを有して、酸素と併用されることで後述す
るように光洗浄効果を果たす。波長１８４.９ｎｍの紫
外線は酸素ガス中で活性酸素を生成し、活性酸素は光学
素子Ｌに付着した有機物を活性化する。また、紫外線は
活性酸素や酸素分子からオゾンを生成する。波長２５
３.７ｎｍの紫外線は、オゾンから励起状態の活性酸素
を生成し、励起状態の活性酸素は、活性化された有機物
を分解及び揮発させる。
４.９ｎｍや波長２５３.７ｎｍの紫外線を発生する低圧
水銀ランプから構成される。紫外光は、可視光よりも強
いエネルギーを有して、酸素と併用されることで後述す
るように光洗浄効果を果たす。波長１８４.９ｎｍの紫
外線は酸素ガス中で活性酸素を生成し、活性酸素は光学
素子Ｌに付着した有機物を活性化する。また、紫外線は
活性酸素や酸素分子からオゾンを生成する。波長２５
３.７ｎｍの紫外線は、オゾンから励起状態の活性酸素
を生成し、励起状態の活性酸素は、活性化された有機物
を分解及び揮発させる。
【００２２】紫外光ランプ６１０は、ＸＥ2、ＡｒＦ、
ＫｒＦエキシマレーザー光源又はエキシマランプ、Ｆ2
レーザー、高調波レーザー等のＣＷレーザーやパルスレ
ーザーなどからなるレーザー発振装置と、光量やビーム
形状を整形するのに必要な光学系（例えば、レーザー光
を整形するビーム整形光学系と、ズームレンズなどの光
量調整光学系）から構成されてもよい。また、レーザー
を使用する場合に、必要があれば、後述する支持台７２
０の下にレーザートラップを設けてもよい。
ＫｒＦエキシマレーザー光源又はエキシマランプ、Ｆ2
レーザー、高調波レーザー等のＣＷレーザーやパルスレ
ーザーなどからなるレーザー発振装置と、光量やビーム
形状を整形するのに必要な光学系（例えば、レーザー光
を整形するビーム整形光学系と、ズームレンズなどの光
量調整光学系）から構成されてもよい。また、レーザー
を使用する場合に、必要があれば、後述する支持台７２
０の下にレーザートラップを設けてもよい。
【００２３】紫外光ランプ６１０は、第１の容器６００
の上部に設けられる。また、紫外光ランプ６１０は電源
５０５と電気的に接続されている。紫外光ランプ６１０
は、必要があれば、電源５０５のオンオフを制御するこ
とによって点灯と消灯が制御される。この結果、洗浄と
無関係な時間には紫外光ランプ６１０は消灯され、ラン
プの寿命の短縮を防止することができる。
の上部に設けられる。また、紫外光ランプ６１０は電源
５０５と電気的に接続されている。紫外光ランプ６１０
は、必要があれば、電源５０５のオンオフを制御するこ
とによって点灯と消灯が制御される。この結果、洗浄と
無関係な時間には紫外光ランプ６１０は消灯され、ラン
プの寿命の短縮を防止することができる。
【００２４】第２の容器７００は、第１の容器６００内
に配置され、別雰囲気を形成する容器である。第２の容
器７００は、被洗浄物である光学素子Ｌを収納して洗浄
を行う洗浄空間を画定する。光学素子Ｌは、例えば、レ
ンズ、プリズム及びミラー等を含み、予めアルコールや
アセトン等の有機溶剤でパーティクルが除去されている
ことが好ましい。エキシマレーザーを使用する露光装置
に使用可能なレンズの材料は、例えば、合成石英ガラス
や弗化カルシウム（蛍石）である。
に配置され、別雰囲気を形成する容器である。第２の容
器７００は、被洗浄物である光学素子Ｌを収納して洗浄
を行う洗浄空間を画定する。光学素子Ｌは、例えば、レ
ンズ、プリズム及びミラー等を含み、予めアルコールや
アセトン等の有機溶剤でパーティクルが除去されている
ことが好ましい。エキシマレーザーを使用する露光装置
に使用可能なレンズの材料は、例えば、合成石英ガラス
や弗化カルシウム（蛍石）である。
【００２５】通常、洗浄を終了した光学素子Ｌは、図示
しない金属製の保持具と一体化された後に後述する露光
装置１に組み込まれる。しかし、保持具と光学素子Ｌを
別々に洗浄すると洗浄の効率が悪くなり、また、光学素
子Ｌを保持具とを一体化させる工程で光学素子Ｌに汚染
物質が付着する可能性もある。このため、必要があれ
ば、光学素子Ｌは保持具と一体的に洗浄されてもよい。
しない金属製の保持具と一体化された後に後述する露光
装置１に組み込まれる。しかし、保持具と光学素子Ｌを
別々に洗浄すると洗浄の効率が悪くなり、また、光学素
子Ｌを保持具とを一体化させる工程で光学素子Ｌに汚染
物質が付着する可能性もある。このため、必要があれ
ば、光学素子Ｌは保持具と一体的に洗浄されてもよい。
【００２６】第２の容器７００は第１の容器６００とは
異なる雰囲気を維持することができる。第２の容器７０
０は、有機系材料を使用しないガラス、ステンレス、ア
ルミニウム等から構成される。これにより、第２の容器
７００は、紫外光ランプ６１０から紫外光が照射されて
も内部の雰囲気に汚染物質を生成しない。また、第１の
容器６００内で紫外線照射に伴う汚染物質が発生して
も、第２の容器７００は第１の容器６００とは別の雰囲
気を維持することができるので、第２の容器７００の内
部の雰囲気は汚染されない。より詳細には、後述する供
給管５５０より第２の容器７００にはガス（例えば、酸
素及び窒素）が供給され、第２の容器７００内圧力＞第
１の容器６００内圧力となる。従って、第１の容器６０
０内の汚染物が第２の容器７００内には入りえない。
異なる雰囲気を維持することができる。第２の容器７０
０は、有機系材料を使用しないガラス、ステンレス、ア
ルミニウム等から構成される。これにより、第２の容器
７００は、紫外光ランプ６１０から紫外光が照射されて
も内部の雰囲気に汚染物質を生成しない。また、第１の
容器６００内で紫外線照射に伴う汚染物質が発生して
も、第２の容器７００は第１の容器６００とは別の雰囲
気を維持することができるので、第２の容器７００の内
部の雰囲気は汚染されない。より詳細には、後述する供
給管５５０より第２の容器７００にはガス（例えば、酸
素及び窒素）が供給され、第２の容器７００内圧力＞第
１の容器６００内圧力となる。従って、第１の容器６０
０内の汚染物が第２の容器７００内には入りえない。
【００２７】第２の容器７００は、紫外光ランプ６１０
からの紫外光を透過し、例えば、合成石英ガラス又は蛍
石製の窓７１０を有する。窓７１０は、紫外光ランプ６
１０からの紫外光が光学素子Ｌに照射されるように、第
２の容器７００の上部に設けられる。窓７１０は、光源
６１０にエキシマレーザーが使用される場合には、選択
的に、その両表面にはエキシマレーザー光用反射防止膜
が形成される。
からの紫外光を透過し、例えば、合成石英ガラス又は蛍
石製の窓７１０を有する。窓７１０は、紫外光ランプ６
１０からの紫外光が光学素子Ｌに照射されるように、第
２の容器７００の上部に設けられる。窓７１０は、光源
６１０にエキシマレーザーが使用される場合には、選択
的に、その両表面にはエキシマレーザー光用反射防止膜
が形成される。
【００２８】第２の容器７００は、被洗浄物を支持する
支持台（又はホルダ）７２０を更に収納する。支持台７
２０は、例えば、被洗浄物より小さい直径の開口を有し
て、かかる開口の周縁部で光学素子Ｌを支持する。支持
台７２０は所定の高さを有する。これにより、洗浄装置
５００は光学素子Ｌの上下面を効果的に洗浄することが
できる。紫外光が光学素子Ｌの表面に照射されると、光
化学反応が生じて光学素子Ｌに付着している有機物が分
解され、洗浄される。光学素子Ｌと支持台７２０との接
触部には紫外線が直接あたらないが、励起状態の活性酸
素の回り込みによってある程度の洗浄効果を期待するこ
とができる。
支持台（又はホルダ）７２０を更に収納する。支持台７
２０は、例えば、被洗浄物より小さい直径の開口を有し
て、かかる開口の周縁部で光学素子Ｌを支持する。支持
台７２０は所定の高さを有する。これにより、洗浄装置
５００は光学素子Ｌの上下面を効果的に洗浄することが
できる。紫外光が光学素子Ｌの表面に照射されると、光
化学反応が生じて光学素子Ｌに付着している有機物が分
解され、洗浄される。光学素子Ｌと支持台７２０との接
触部には紫外線が直接あたらないが、励起状態の活性酸
素の回り込みによってある程度の洗浄効果を期待するこ
とができる。
【００２９】ガス導入機構５２０は、酸素ボンベ５２
２、窒素ボンベ５２４、開閉弁（又はバルブ）５３０、
５３５及び５４０、例えば、ステンレス製のガス供給管
５５０とを有する。ガス導入機構５２０は、ガス供給管
５５０に接続され、例えば、石英パイプ製の図示しない
ガス供給ノズルを介して第２の容器７００に接続され
る。また、ガス導入機構５２０は、酸素及び窒素の流量
を制御する図示しないマスフローコントローラ、導入さ
れる酸素及び窒素に含まれるパーティクル及び有機物を
除去するフィルターを更に有する。代替的に、ガス導入
機構５２０は、酸素及び窒素の代わりに空気を第２の容
器７００に供給する。
２、窒素ボンベ５２４、開閉弁（又はバルブ）５３０、
５３５及び５４０、例えば、ステンレス製のガス供給管
５５０とを有する。ガス導入機構５２０は、ガス供給管
５５０に接続され、例えば、石英パイプ製の図示しない
ガス供給ノズルを介して第２の容器７００に接続され
る。また、ガス導入機構５２０は、酸素及び窒素の流量
を制御する図示しないマスフローコントローラ、導入さ
れる酸素及び窒素に含まれるパーティクル及び有機物を
除去するフィルターを更に有する。代替的に、ガス導入
機構５２０は、酸素及び窒素の代わりに空気を第２の容
器７００に供給する。
【００３０】酸素は、１９０ｎｍ〜２４０ｎｍにヘルツ
ベルグ（Ｈｅｒｚｂｅｒｇ）吸収帯を有し、紫外線と反
応してオゾンや酸素ラジカルを発生する。オゾン及び酸
素ラジカルは、有機物などの汚染物質の酸化分解、即
ち、洗浄を加速する。ガス導入機構５２０は、酸素の代
わりにオゾンを導入してもよい。
ベルグ（Ｈｅｒｚｂｅｒｇ）吸収帯を有し、紫外線と反
応してオゾンや酸素ラジカルを発生する。オゾン及び酸
素ラジカルは、有機物などの汚染物質の酸化分解、即
ち、洗浄を加速する。ガス導入機構５２０は、酸素の代
わりにオゾンを導入してもよい。
【００３１】窒素ボンベ５２４は、第２の容器７００の
内部に清浄な窒素を供給する。窒素は、洗浄後の光学素
子Ｌの表面の未結合手に吸着することによって光学素子
Ｌの再汚染を防止する。窒素は、例えば、室温かつ低い
湿度で導入される。
内部に清浄な窒素を供給する。窒素は、洗浄後の光学素
子Ｌの表面の未結合手に吸着することによって光学素子
Ｌの再汚染を防止する。窒素は、例えば、室温かつ低い
湿度で導入される。
【００３２】バルブ５３０は供給管５５０上の任意の位
置に設けられ、窒素ボンベ５２４から第２の容器７００
へのガス供給の開閉を行う。また、バルブ５４０は供給
管５５０上の任意の位置に設けられ、酸素ボンベ５２２
から第２の容器７００へのガス供給の開閉を行う。バル
ブ５３５は供給管５５０上の任意の場所に設けられ、窒
素ボンベ５２４及び酸素ボンベ５２２から第２の容器７
００へのガス供給の開閉を共通して行う。
置に設けられ、窒素ボンベ５２４から第２の容器７００
へのガス供給の開閉を行う。また、バルブ５４０は供給
管５５０上の任意の位置に設けられ、酸素ボンベ５２２
から第２の容器７００へのガス供給の開閉を行う。バル
ブ５３５は供給管５５０上の任意の場所に設けられ、窒
素ボンベ５２４及び酸素ボンベ５２２から第２の容器７
００へのガス供給の開閉を共通して行う。
【００３３】第１の容器６００には、例えば、ステンレ
ス製のガス排気管５５５を有するガス排気機構が接続さ
れる。ガス排気機構は、ガス排気管５５５に接続された
図示しないオゾン分解フィルター有する。オゾン分解フ
ィルターはガス排気管５５５を介し外部に排出されるオ
ゾンを分解するためのものである。
ス製のガス排気管５５５を有するガス排気機構が接続さ
れる。ガス排気機構は、ガス排気管５５５に接続された
図示しないオゾン分解フィルター有する。オゾン分解フ
ィルターはガス排気管５５５を介し外部に排出されるオ
ゾンを分解するためのものである。
【００３４】以下、図４を参照して、洗浄装置５００を
使用した具体的な洗浄方法について説明する。ここで、
図４は、図１に示す洗浄装置５００を使用した洗浄方法
を示すフローチャートである。
使用した具体的な洗浄方法について説明する。ここで、
図４は、図１に示す洗浄装置５００を使用した洗浄方法
を示すフローチャートである。
【００３５】まず、表面をアルコールやアセトン等の有
機溶剤による拭き上げた光学素子Ｌを被洗浄物を支持台
７１０に載置してセットし（ステップ１００２）、第２
の容器７００に窓７１０をのせ、第１の容器６００を閉
じる（ステップ１００４）。
機溶剤による拭き上げた光学素子Ｌを被洗浄物を支持台
７１０に載置してセットし（ステップ１００２）、第２
の容器７００に窓７１０をのせ、第１の容器６００を閉
じる（ステップ１００４）。
【００３６】次いで、バルブ５３５及びバルブ５４０を
開口して、流量制御された酸素を供給管５５０を介して
第２の容器７００に導入し（ステップ１００６）、これ
により、予め存在した第２の容器７００内の雰囲気は隙
間から容器６００へ排気され、更に第１の容器６００乃
至は排気管５５５を通して、排気される。次に、ステッ
プ１００６と同時又は若干遅れて紫外光ランプ６１０を
点灯させる（ステップ１００８）。紫外光ランプ６１０
より照射される紫外線は第２の容器７００の窓７１０を
透過して、光学素子Ｌの光洗浄処理を行う。紫外光によ
って酸素はオゾンに変化する。
開口して、流量制御された酸素を供給管５５０を介して
第２の容器７００に導入し（ステップ１００６）、これ
により、予め存在した第２の容器７００内の雰囲気は隙
間から容器６００へ排気され、更に第１の容器６００乃
至は排気管５５５を通して、排気される。次に、ステッ
プ１００６と同時又は若干遅れて紫外光ランプ６１０を
点灯させる（ステップ１００８）。紫外光ランプ６１０
より照射される紫外線は第２の容器７００の窓７１０を
透過して、光学素子Ｌの光洗浄処理を行う。紫外光によ
って酸素はオゾンに変化する。
【００３７】紫外線照射に伴って第１の容器内で有機物
の脱ガス化が発生しても、第２の容器７００は第１の容
器とは異なる雰囲気を維持しているため、光学素子Ｌは
発生した有機物ガスによって汚染されない。また、本洗
浄方法では、光学素子Ｌが有機物系の材料を一切使用し
ない第２の容器７００内に載置されるため、第２の容器
７００内に紫外線照射に伴う有機物ガスの発生を防止す
ることができる。
の脱ガス化が発生しても、第２の容器７００は第１の容
器とは異なる雰囲気を維持しているため、光学素子Ｌは
発生した有機物ガスによって汚染されない。また、本洗
浄方法では、光学素子Ｌが有機物系の材料を一切使用し
ない第２の容器７００内に載置されるため、第２の容器
７００内に紫外線照射に伴う有機物ガスの発生を防止す
ることができる。
【００３８】光学素子Ｌに十分な量の紫外線を照射させ
ると共に、ステップ１００８で所定時間（例えば、１０
分間）が経過したら、バルブ５４０と閉じて酸素の供給
を停止する。これと同時に、バルブ５３０を開いて窒素
ガスを第１の容器６００及び第２の容器７００に供給す
る（ステップ１０１０）。窒素の供給に伴い、オゾンや
活性酸素は排気管５５５から排気される。これにより、
第１の容器６００及び第２の容器７００には窒素含有雰
囲気が形成される。なお、このとき供給される窒素はパ
ーティクル及び有機物が排除された清浄な窒素である。
ると共に、ステップ１００８で所定時間（例えば、１０
分間）が経過したら、バルブ５４０と閉じて酸素の供給
を停止する。これと同時に、バルブ５３０を開いて窒素
ガスを第１の容器６００及び第２の容器７００に供給す
る（ステップ１０１０）。窒素の供給に伴い、オゾンや
活性酸素は排気管５５５から排気される。これにより、
第１の容器６００及び第２の容器７００には窒素含有雰
囲気が形成される。なお、このとき供給される窒素はパ
ーティクル及び有機物が排除された清浄な窒素である。
【００３９】ステップ１０１０から所定の時間が経過し
たら、バルブ５３０及び５３５を閉じ窒素の供給を停止
し、紫外光ランプ６１０を消灯する。このとき、第１の
容器及１００及び第２の容器７００は窒素雰囲気下にあ
り、光学素子Ｌはしばらく窒素ガス雰囲気中に放置され
る。光学素子Ｌを窒素ガス中に放置することによって、
光学素子Ｌの表面の未結合手が窒素を吸着して減少す
る。これにより、光学素子Ｌ表面が不活性化され、汚染
物質の吸収確率が減少する。その後、所定の時間が経過
した時点で、光学素子Ｌを洗浄装置５００より取り出す
（ステップ１０１２）。
たら、バルブ５３０及び５３５を閉じ窒素の供給を停止
し、紫外光ランプ６１０を消灯する。このとき、第１の
容器及１００及び第２の容器７００は窒素雰囲気下にあ
り、光学素子Ｌはしばらく窒素ガス雰囲気中に放置され
る。光学素子Ｌを窒素ガス中に放置することによって、
光学素子Ｌの表面の未結合手が窒素を吸着して減少す
る。これにより、光学素子Ｌ表面が不活性化され、汚染
物質の吸収確率が減少する。その後、所定の時間が経過
した時点で、光学素子Ｌを洗浄装置５００より取り出す
（ステップ１０１２）。
【００４０】
【実施例】実施例１ 本実施例１では、被洗浄物（光学素子）として表面を研
磨し有機溶剤でパーティクルを除去した厚さ１ｍｍの平
板上の石英基板を洗浄装置５００により洗浄した。ま
た、比較のため、同種の石英基板に対し、洗浄装置５０
０の石英窓ガラス７１０を除去し紫外光ランプ６１０紫
外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲気下とした洗浄
装置の２種類で洗浄実験を行った。
磨し有機溶剤でパーティクルを除去した厚さ１ｍｍの平
板上の石英基板を洗浄装置５００により洗浄した。ま
た、比較のため、同種の石英基板に対し、洗浄装置５０
０の石英窓ガラス７１０を除去し紫外光ランプ６１０紫
外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲気下とした洗浄
装置の２種類で洗浄実験を行った。
【００４１】実施例１における洗浄装置５００を用いて
洗浄した石英基板を基板Ａとし、また、石英窓ガラス７
１０を除去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲
気下とした洗浄装置を用いて洗浄した石英基板を基板Ｂ
とする。基板Ａ及びＢを波長１９３ｎｍで分光測定した
ところ、基板Ａの透過率は９０．７１パーセント、反射
率は９.２０パーセントであった。また、基板Ｂの透過
率は９０.５３パーセント、反射率は９.１８パーセント
であった。厚さ１ｍｍの平面状の石英基板の理論的な透
過率は、内部損失を考慮すると９０.７５パーセント、
一方反射率は９.２０パーセントである。この値と基板
Ａ、Ｂの上記実験値とを比較すると、基板Ａの方がより
理想透過率に近い値を示した。 実施例２ 実施例２では、実施例１で洗浄した石英基板に反射防止
膜をコーティングしたものを、洗浄装置５００により洗
浄した。この反射防止膜は、波長１９５ｎｍ近辺の波長
に対して有効な反射防止膜である。また、比較のため、
同種の石英基板に対し、洗浄装置５００の石英窓ガラス
７１０を除去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰
囲気下とした状態で洗浄実験を行なった。
洗浄した石英基板を基板Ａとし、また、石英窓ガラス７
１０を除去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲
気下とした洗浄装置を用いて洗浄した石英基板を基板Ｂ
とする。基板Ａ及びＢを波長１９３ｎｍで分光測定した
ところ、基板Ａの透過率は９０．７１パーセント、反射
率は９.２０パーセントであった。また、基板Ｂの透過
率は９０.５３パーセント、反射率は９.１８パーセント
であった。厚さ１ｍｍの平面状の石英基板の理論的な透
過率は、内部損失を考慮すると９０.７５パーセント、
一方反射率は９.２０パーセントである。この値と基板
Ａ、Ｂの上記実験値とを比較すると、基板Ａの方がより
理想透過率に近い値を示した。 実施例２ 実施例２では、実施例１で洗浄した石英基板に反射防止
膜をコーティングしたものを、洗浄装置５００により洗
浄した。この反射防止膜は、波長１９５ｎｍ近辺の波長
に対して有効な反射防止膜である。また、比較のため、
同種の石英基板に対し、洗浄装置５００の石英窓ガラス
７１０を除去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰
囲気下とした状態で洗浄実験を行なった。
【００４２】実施例２における洗浄装置５００により洗
浄した石英基板を基板Ｃとし、また、石英窓ガラスを除
去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲気下とし
た洗浄装置により洗浄した石英基板を基板Ｄとした。基
板Ｃ及び基板Ｄを波長１９３ｎｍで分光計測した。洗浄
後の基板Ｃ、Ｄの透過率を図２に示す。ここで、図２
は、洗浄後の光学素子Ｌの透過率を示した図である。基
板Ｃの方が基板Ｄより高い透過率を示している。また、
反射防止皮膜をコーティングした基板ＣとＤの透過率の
差は０.４パーセント程度であり、この値はコーティン
グを施さない基板ＡとＢの透過率の差０.２パーセント
の約２倍であることが理解されるであろう。
浄した石英基板を基板Ｃとし、また、石英窓ガラスを除
去し紫外光ランプ６１０と被洗浄物が同一雰囲気下とし
た洗浄装置により洗浄した石英基板を基板Ｄとした。基
板Ｃ及び基板Ｄを波長１９３ｎｍで分光計測した。洗浄
後の基板Ｃ、Ｄの透過率を図２に示す。ここで、図２
は、洗浄後の光学素子Ｌの透過率を示した図である。基
板Ｃの方が基板Ｄより高い透過率を示している。また、
反射防止皮膜をコーティングした基板ＣとＤの透過率の
差は０.４パーセント程度であり、この値はコーティン
グを施さない基板ＡとＢの透過率の差０.２パーセント
の約２倍であることが理解されるであろう。
【００４３】このように、紫外光ランプ６１０と別雰囲
気で洗浄する本発明の洗浄装置５００は、良好な光学素
子Ｌを得られることが容易に理解できる。また、基板表
面に反射防止皮膜をコーティングすることでより良好な
光学素子Ｌを得ることができる。
気で洗浄する本発明の洗浄装置５００は、良好な光学素
子Ｌを得られることが容易に理解できる。また、基板表
面に反射防止皮膜をコーティングすることでより良好な
光学素子Ｌを得ることができる。
【００４４】以下、本発明の例示的一態様としての露光
装置１を説明する。かかる露光装置１に使用されるレン
ズ及びミラーを含む光学素子は、上述した洗浄装置５０
０によって洗浄されているものとする。また、光学素子
のうちレンズは表面に反射防止皮膜をコーティングして
いる。ここで、図３は、照明装置１００を有する露光装
置１の単純化された光路図である。
装置１を説明する。かかる露光装置１に使用されるレン
ズ及びミラーを含む光学素子は、上述した洗浄装置５０
０によって洗浄されているものとする。また、光学素子
のうちレンズは表面に反射防止皮膜をコーティングして
いる。ここで、図３は、照明装置１００を有する露光装
置１の単純化された光路図である。
【００４５】露光装置１は、図３に示すように、照明装
置１００と、マスク２００と、投影光学系３００とを有
する。露光装置１００は、マスク２００に形成されたデ
バイスパターンをウェハＷ上に露光する投影露光装置で
ある。半導体デバイス製造プロセスにおいては、このよ
うなデバイスパターンで露光されたウェハを現像し、エ
ッチングを行なう。
置１００と、マスク２００と、投影光学系３００とを有
する。露光装置１００は、マスク２００に形成されたデ
バイスパターンをウェハＷ上に露光する投影露光装置で
ある。半導体デバイス製造プロセスにおいては、このよ
うなデバイスパターンで露光されたウェハを現像し、エ
ッチングを行なう。
【００４６】照明装置１００は、転写用パターンが形成
されたマスク１１０を照明する。ランプユニット１０６
は照明光を発生する発光管や楕円鏡やレンズを含む系
で、レンズ系１２０と協働して、ハエの目レンズ１３０
を照明する。ハエの目レンズ１３０からの光はレンズ系
１６０、折り曲げミラー１６２、視野絞り１６４、レン
ズ系１６８を介して、マスク２００を照明する。
されたマスク１１０を照明する。ランプユニット１０６
は照明光を発生する発光管や楕円鏡やレンズを含む系
で、レンズ系１２０と協働して、ハエの目レンズ１３０
を照明する。ハエの目レンズ１３０からの光はレンズ系
１６０、折り曲げミラー１６２、視野絞り１６４、レン
ズ系１６８を介して、マスク２００を照明する。
【００４７】ランプは、例えば、一般に５００Ｗ以上の
出力の超高圧水銀ランプ、キセノンランプなどを使用す
る。光源はランプに限定されず、ランプは、波長約１５
７ｎｍのＦ２エキシマレーザー、波長約１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザーや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザーなどのレーザーに置換されてもよい。レー
ザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を
所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレ
ントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒ
ーレント化光学系を使用することが好ましい。
出力の超高圧水銀ランプ、キセノンランプなどを使用す
る。光源はランプに限定されず、ランプは、波長約１５
７ｎｍのＦ２エキシマレーザー、波長約１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザーや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザーなどのレーザーに置換されてもよい。レー
ザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を
所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレ
ントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒ
ーレント化光学系を使用することが好ましい。
【００４８】洗浄装置５００は光学素子Ｌを高品質に洗
浄するので、かかる光学素子Ｌを用いた露光装置1は所
望の光学特性が得られる。なお、本発明の露光装置は洗
浄装置５００で洗浄された光学素子Ｌを使用する点を除
いて、当業界周知のいかなる技術をも適用可能であり、
本実施例の記載に限定されるものではない。
浄するので、かかる光学素子Ｌを用いた露光装置1は所
望の光学特性が得られる。なお、本発明の露光装置は洗
浄装置５００で洗浄された光学素子Ｌを使用する点を除
いて、当業界周知のいかなる技術をも適用可能であり、
本実施例の記載に限定されるものではない。
【００４９】
【発明の効果】本発明の洗浄装置及び方法は、第１の容
器よりも清浄な雰囲気を有する第２の容器内で被洗浄物
を高品質に洗浄する。また、かかる洗浄装置及び方法で
洗浄された光学素子を有する光学系は良好な光学特性を
有し、当該光学系を有する露光装置は、高品質の露光を
行なうことができる。
器よりも清浄な雰囲気を有する第２の容器内で被洗浄物
を高品質に洗浄する。また、かかる洗浄装置及び方法で
洗浄された光学素子を有する光学系は良好な光学特性を
有し、当該光学系を有する露光装置は、高品質の露光を
行なうことができる。
【図１】 本発明の洗浄装置の概略断面図である。
【図２】 洗浄後の光学素子の透過率を示したグラフで
ある。
ある。
【図３】 照明装置を有する露光装置の単純化された光
路図である。
路図である。
【図４】 図１に示す洗浄装置を使用した洗浄方法を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１ 露光装置 １００ 照明装置 ５００ 洗浄装置 ５０５ 電源 ５２０ 洗浄用ガス部 ５３０ バルブ ５４０ バルブ ５５０ アルミニウム管 ６００ 第１の容器 ６１０ 紫外光ランプ ７００ 第２の容器 ７１０ 石英窓ガラス ７２０ 支持台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 実 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鈴木 康之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金沢 秀宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA46 AB01 BC01 CD11 CD31
Claims (17)
- 【請求項１】 容器外とは独立した雰囲気にした容器内
に置かれ且つ前記容器外の光源からの紫外線を照射され
ることにより洗浄されたことを特徴とする光学素子。 - 【請求項２】 前記容器は有機物を含むシール材を用い
ていないものであることを特徴とする請求項１記載の光
学素子。 - 【請求項３】 前記容器内に酸素を含むガスを満たして
前記紫外線照射が成されたことを特徴とする請求項１又
は２記載の光学素子。 - 【請求項４】 前記光源と前記容器とを含む容器内に窒
素などの不活性ガスを満たし前記紫外線照射が成された
ことを特徴とする請求項３記載の光学素子。 - 【請求項５】 ２００ｎｍ以下の波長域で使用される蛍
石及び石英の材料からなることを特徴とする請求項１乃
至３記載の光学素子。 - 【請求項６】 前記紫外線は波長３００ｎｍ以下の光を
含むことを特徴とする請求項１乃至５記載の光学素子。 - 【請求項７】 前記紫外光を低圧水銀ランプから発せら
れることを特徴とする請求項６記載の光学素子。 - 【請求項８】 請求項７記載の光学素子を一又は複数個
有することを特徴とする光学系。 - 【請求項９】 請求項８記載の光学系を有することを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１０】 第１の容器と、 前記第１の容器内に置かれた紫外線を照射する照射部
と、 前記第１の容器の内部に配置され且つ前記照射部が外部
に位置するように構成された、被洗浄物を格納して前記
照射部からの前記紫外線の前記被洗浄物への照射を可能
にし且つ前記第１の容器とは異なる雰囲気を維持可能な
第２の容器とを有することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項１１】 内部に被洗浄物を格納し、外部とは異
なる雰囲気を維持可能な筐体と、 当該筐体に取り付けられ、前記外部からの紫外線の前記
被洗浄物への照射を可能にするガラス窓とを有すること
を特徴とする洗浄装置用の容器。 - 【請求項１２】 前記被洗浄物は透過型光学素子である
ことを特徴とする請求項１０記載の洗浄装置又は請求項
１１記載の洗浄装置用の容器。 - 【請求項１３】 前記被洗浄物は材料に石英もしくは蛍
石を用い且つ２００ｎｍ以下の波長領域で使用される光
学素子であることを特徴とする請求項１０記載の洗浄装
置又は請求項１１記載の洗浄装置用の容器。 - 【請求項１４】 第１の容器の内部に配置されて当該第
１の容器の雰囲気とは異なる雰囲気を維持可能な第２の
容器に被洗浄物を収納する工程と、 前記第２の容器内に洗浄用ガスを導入する工程と、 前記第１の容器内だが前記第２の容器外にある光源から
の紫外線を前記被洗浄物に照射する工程とを有すること
を特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の洗浄方法により洗浄
された前記光学素子を有する光学系を含む露光装置。 - 【請求項１６】 前記光学系は、波長２００ｎｍ以下の
光の波長領域で使用されることを特徴とする請求項１５
記載の露光装置。 - 【請求項１７】 請求項９、請求項１５又は請求項１６
記載の露光装置によりデバイスパターンで感光体を露光
する工程と、当該露光した感光体を現像する工程とを含
むデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001035113A JP3619157B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 光学素子、該光学素子を有する露光装置、洗浄装置及び光学素子の洗浄方法 |
| EP02251000A EP1230989A3 (en) | 2001-02-13 | 2002-02-13 | Optical element for use in exposure apparatus and method for rinsing said optical element |
| US10/075,552 US20020148981A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-02-13 | Optical element for use in exposure apparatus and rinsing method therefor |
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|---|---|---|---|
| JP2001035113A JP3619157B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 光学素子、該光学素子を有する露光装置、洗浄装置及び光学素子の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002233842A true JP2002233842A (ja) | 2002-08-20 |
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1230989A3 (ja) |
| JP (1) | JP3619157B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011158680A1 (ja) * | 2010-06-14 | 2011-12-22 | ウシオ電機株式会社 | 人工歯根の有機汚染物除去装置 |
| JP2012000119A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Ushio Inc | 人工歯根の有機汚染物除去装置 |
| KR20140028020A (ko) * | 2011-04-26 | 2014-03-07 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 검사전 및 검사후 오염방지를 위한 마스크, 웨이퍼 및 광학적 표면의 사전세정 및 사후세정 |
| JP2015119127A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3413131B2 (ja) * | 1999-10-04 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 光学装置及びデバイス製造方法 |
| JP4006226B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法、光学素子、露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| US7789965B2 (en) * | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
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|---|---|---|---|---|
| US5024968A (en) * | 1988-07-08 | 1991-06-18 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
| JPH02225399A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-09-07 | Fujitsu Ltd | エピタキシャル成長方法および成長装置 |
| US4989031A (en) * | 1990-01-29 | 1991-01-29 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2727481B2 (ja) * | 1992-02-07 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法 |
| US5430303A (en) * | 1992-07-01 | 1995-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| AU7552498A (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-30 | Nikon Corporation | Optical device, method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same |
| JPH11224839A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Canon Inc | 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法 |
| US6015644A (en) * | 1998-02-20 | 2000-01-18 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication using a variable transmission aperture |
| DE19830438A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-13 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
| JP3671389B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2005-07-13 | 三菱電機株式会社 | 基板処理方法および装置 |
| JP2000294530A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| US6571057B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-05-27 | Nikon Corporation | Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices |
| JP2002074652A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001035113A patent/JP3619157B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-13 US US10/075,552 patent/US20020148981A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-13 EP EP02251000A patent/EP1230989A3/en not_active Withdrawn
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| WO2011158680A1 (ja) * | 2010-06-14 | 2011-12-22 | ウシオ電機株式会社 | 人工歯根の有機汚染物除去装置 |
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| KR20140028020A (ko) * | 2011-04-26 | 2014-03-07 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 검사전 및 검사후 오염방지를 위한 마스크, 웨이퍼 및 광학적 표면의 사전세정 및 사후세정 |
| JP2014519400A (ja) * | 2011-04-26 | 2014-08-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 検査前後の汚染回避のためのマスク、ウェーハおよび光学面の事前清浄および後清浄 |
| KR102005122B1 (ko) | 2011-04-26 | 2019-07-29 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 검사전 및 검사후 오염방지를 위한 마스크, 웨이퍼 및 광학적 표면의 사전세정 및 사후세정 |
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|---|---|
| EP1230989A2 (en) | 2002-08-14 |
| US20020148981A1 (en) | 2002-10-17 |
| JP3619157B2 (ja) | 2005-02-09 |
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