KR20140028020A - 검사전 및 검사후 오염방지를 위한 마스크, 웨이퍼 및 광학적 표면의 사전세정 및 사후세정 - Google Patents
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Abstract
중요 표면(critical surface) 상의 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 방법 및 장비가 개시된다. 상기 중요 표면 상의 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 방법 및 장비는 검사 시스템의 통합된 구성요소일 수 있으며, 상기 세정 공정은 광자 유도 오염을 크게 감소시킬 수 있는 상기 검사 공정 이전에 적용될 수 있다 (사전 세정(pre-cleaning)이라 칭할 수 있다). 또한, 본 개시에 따른 상기 세정 공정은 또한 상기 검사 공정의 완료 시에 적용될 수 있다(사후 세정(post-cleaning)이라 칭할 수 있다).
Description
본 출원은 2011년 4월 26일에 출원된 미국 가출원 번호 61/479,036의 U.S.C §19(e) 35 하에서의 이익을 주장한다. 상기 미국 가출원 번호 61/479,036은 그 전부가 본 명세서에 참조로서 포함된다.
본 개시는 일반적으로 마스크와 웨이퍼의 검사 분야, 특히 검사 중 오염의 방지 또는 최소화에 관한 것이다.
마스크 검사 또는 중요(critical) 광학 구성요소 (예를 들면, 레티클, 또는 웨이퍼 등) 검사는 제작된 마스크들 또는 주요 광학 구성요소들의 정확도(correctness)를 체크하는 단계이다. 어떤 검사 시스템들은 350 nm 이하의 파장, 180~450 nm 파장 범위의 광대역 심자외선(deep ultraviolet, DUV), 또는 협대역 또는 광대역 200 nm 미만에서 1 nm에 이르기까지의 파장을 이용할 수 있다(예를 들면, EUV(13.5 nm), 또는 전자빔(e-beam) 시스템 등 포함).
그러한 검사 시스템들에 의해 이용되는 고에너지 광자(photon)들은 오염 화합물들과 상호작용하거나, 또는 중요 표면(critical surface)들 상에 흡착된 탄화수소들의 광자 유도 해리(photon-induced dissociation)에 의해 상호작용할 수 있다. 표면들 상에 광자 유도된 오염은 (산 및 염기를 포함하는) 유기, 무기 화합물들 또는 금속 화합물들로부터 발생한다. 이는 검사되고 있는 광학 요소들, 중요 표면들 또는 중요 구성요소들 상에 원치 않는 얇은 오염 박막들이 성장하는 결과를 초래할 수 있다. 즉, 검사되고 있는 중요 표면들은 검사 공정 중 오염될 수 있다.
방사(radiation)가 없을 때, 마스크 또는 웨이퍼는 오염될 수 있다. 오염은 패키징, 보관, 주변환경, 취급(handling), 운반에서 비롯될 수 있고, 또한 로딩(loading) 공정에서 비롯될 수도 있다. 마스크, 웨이퍼 또는 광학 요소 기판 상의 오염의 축적물(buildup)은 통상적으로 대략 수 개의(a few) 단일층(monolayer)이다. 오염의 성장 및 오염율은 주로 검사될 마스크 또는 광학 요소 상에 존재하는 오염물질의 초기 양에 의존한다. 표면 상에 어떤 오염이 있는 상태에서, 광학 요소가 이온화 방사(ionizing radiation)에 노출되는 경우 광자 유도된 오염이 쉽게 발생한다. 실험 데이터는 거울 온도(mirror temperature)의 매우 완만한 상승이 흡착질(adsorbate)의 평형 농도를 급격히 감소시키며, 따라서 탄소 성장률을 감소시킬 수 있다는 것을 보여주고 있다. 많은 경우에, 광자 유도 공정들로부터 초래된 박막들은 쉽게 제거될 수 없으며, 특정 파장 및 방사(radiation)가 제거하도록 요구할 수 있다. 또한, 마스크 또는 웨이퍼의 광자 유도 손상은 수 개의 원자층들의 오염 증착(contamination deposition) 후에 발생할 수 있다.
따라서, 중요 표면 상의 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 방법 및 장비가 필요하다.
본 개시는 검사 시료(inspection specimen) 세정 시스템을 목적으로 한다. 시스템은 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하도록 구성된 광원을 포함할 수 있다. 시스템은 또한 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 혼합물을 제공하도록 구성된 가스 소스(gas source)를 포함할 수 있다. 광자들은 가스들의 혼합물과 조합하여 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위한 반응성 자유 라디칼(reactive free radical)들을 형성할 수 있다.
본 개시의 또 다른 실시예는 또한 검사 시료의 표면 상에 오염을 감소시키는 방법을 목적으로 한다. 방법은 검사 공정 이전에 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하는 단계; 및 검사 공정 이전에 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 혼합물을 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 광자들은 가스들의 혼합물과 조합하여 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위한 반응성 자유 라디칼(reactive free radical)들을 형성할 수 있다.
본 개시의 추가적인 실시예는 또한 검사 시료를 검사하는 방법을 목적으로 한다. 검사 방법은 검사 시료를 검사하기 이전에 검사 시료의 표면을 사전 세정(pre-cleaning)하는 단계를 포함할 수 있다. 사전 세정 공정은, 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하는 단계 및 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 혼합물을 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 광자들은 가스들의 혼합물과 조합하여 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위한 반응성 자유 라디칼(reactive free radical)들을 형성할 수 있다. 검사 방법은 또한 검사 시료의 표면을 사전 세정하는 단계 완료시 검사 시료를 검사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기의 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명은 모두 단지 예시적이고 설명을 위한 것이며, 반드시 본 개시를 제한하지는 않는다는 것을 이해해야 할 것이다. 본 명세서에 포함되고 그 일부를 구성하는 첨부도면은 본 개시의 주제를 도시한 것이다. 상세한 설명과 도면들은 함께 본 개시의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 개시의 많은 장점들이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련된 자에게 더 잘 이해될 수 있다:
도 1은 검사 시료의 표면 상에 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 시스템을 묘사한 도면이다; 및
도 2는 본 개시에 따는 검사 시료의 표면 상에 오염을 감소시키는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 1은 검사 시료의 표면 상에 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 시스템을 묘사한 도면이다; 및
도 2는 본 개시에 따는 검사 시료의 표면 상에 오염을 감소시키는 방법을 도시한 흐름도이다.
첨부된 도면에 도시되어 있는 개시된 주제에 대하여 상세하게 설명할 것이다.
본 개시는 중요 표면(critical surface) 상에 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 방법 및 장비를 목적으로 한다. 중요 표면 상에 오염을 방지하거나 또는 최소화하는 장비는 검사 시스템의 통합된 구성요소일 수 있으며, 또한 세정 공정은 광자 유도된 오염을 크게 감소시킬 수 있는 검사 공정 이전에 적용될 수 있다(사전 세정(pre-cleaning)으로 지칭될 수 있음)는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 개시에 따른 세정 공정은 또한 검사 공정 이후에 적용될 수도 있다(사후 세정(post-cleaning)으로 지칭될 수 있음)는 것도 알 수 있을 것이다.
도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 세정 시스템(100)을 묘사한 도면이 나타나 있다. 도면에 묘사된 바와 같이, 오염 화합물(102)은 검사 시료(104)의 표면 상에 있을 수 있다. 본 개시에서 사용된 "검사 시료"는 웨이퍼들, 마스크들, 레티클, 태양전지, 광학 구성요소들 및 기타 다른 유형의 광택있게 연마된 판들(polished plates) 등을 포함할 수 있다. 따라서, 세정 시스템(100)의 목적은 검사 공정 이전에 검사 시료(104)의 표면 상에 있는 오염 화합물들(102)을 세정하는 것이다. 그러한 사전 세정 공정은 전자빔(e-beam) 시스템들, 자외선 레이저 광, 램프들, 및 레이저로 생성된 플라즈마를 포함하는 플라즈마 소스들 등을 이용하여 검사하기 때문에 검사 시료(104)에 대한 오염을 방지하거나 또는 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 세정 시스템(100)은 오염물들의 결합 에너지에 해당하거나 또는 그보다 약간 큰 광자 에너지를 제공하도록 구성된 광원(106)을 이용할 수 있다. 또한, 광원(106)에 의해 제공되는 광자 에너지는 오염둘들(102)을 해리시키기 위해서 가스 혼합물(108)과 조합하여 이용될 수 있다.
예를 들면, 광원(106)은 검사 시료(104)의 표면에 극자외선(extreme ultraviolet, EUV), 진공 자외선(vacuum ultraviolet, VUV), 심자외선(deep ultraviolet, DUV), 자외선(ultraviolet, UV), 가시광, 또는 적외선(infrared, IR) 등을 제공할 수 있다. EUV, VUV 또는 DUV 광자들은 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 또는 다른 가스들과 조합하여 오염 화합물들(102)을 해리시키기 위해 반응성 자유 라디칼들을 형성할 수 있다. 오염 화합물들(102)이 다수의 오염된 종들을 포함하는 경우, 가스들의 혼합물들을 사용하는 것이 세정될 필요가 있는 서로 다른 오염된 종들을 표적화(targeting)하는 데 도움이 될 수 있다. 광해리(photodissociation)를 유도하기 위한 적절한 가스(또는 가스들의 조합)를 선택함으로써 특정 오염물들을 표적화할 수 있다. 또한, 다수의 파장들 또는 EUV, VUV, DUV, UV, 가시광, 또는 IR 등의 조합들이 단일 가스 또는 가스들의 혼합물로부터 표적 자유 라디칼들을 생성시키기 위해 사용될 수 있다. 이런 방식으로, 광원(106)에 의해 제공되는 다양한 유형의 광자들이 다양한 유형의 가스들과 조합되어 오염 화합물들(102)과 반응할 수 있는 자유 라디칼들을 효과적으로 전달할 수 있으며, 따라서 검사 시료(104)의 표면을 세정할 수 있다.
예를 들면, O3를 도입하고 가스를 가시광 파장에 노출시키면 탄소에 대한 매우 높은 세정 효율을 제공할 수 있고; 2~20 ppm H2O를 갖는 정제된 O2는 파장 355 nm 및 266 nm에 대한 탄소 오염을 세정하는데 유용할 수 있으며; 또한, 1000 ppm O2와 2 ppm H2O의 혼합물들은 193 nm 파장에 대한 탄소 오염에 잘 작용할 수 있다. 그러나, 이러한 가스 혼합물들은 단지 예시적인 것임을 이해해야 할 것이다. 다양한 다른 혼합물들 및/또는 광원들에 대한 노출이 본 개시의 범위 및 기술사상을 벗어나지 않고 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 가스 소스(110)는 세정 공정을 위한 불활성 가스들 또는 이온화된 가스들의 혼합물을 제공하기 위해 사용된다. 가스 소스(110)는 가스 정화 모듈(114)에 필요한 가스를 제공하도록 구성된 가스 입력 모듈(112)(예를 들면, 컨센트레이터(concentrator), 발생기(generator), 또는 보관 장치 등)을 포함할 수 있다. 가스 정화 모듈(114)은 가스 입력 모듈(112)에 의해 제공되는 가스에 존재할 수 있는 어떤 오염물들이든지 정제 및 제거하기 위해 종래의 어떤 가스 정화 기법들이든지 이용할 수 있다. 예를 들면, 가스 정화 모듈(114)은 필요시 O2 뿐만 아니라 유기물들, 산, 염기 및 H2O를 정제할 수 있다. 다음에, 정제된 가스(108)는 상기한 바와 같은 세정 목적들을 위해서 검사 시료(104)의 표면을 향해 갈 수 있다. 선택적으로, 가스 이온화기(116)는 정제된 가스(108)가 검사 시료(104)의 표면에 도달하기 전에 정제된 가스(108)를 이온화하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 본 개시에 따른 세정 공정을 위해, 정제된 O2 또는 깨끗한 건조 공기(clean dry air, CDA)가 가스(108)로 사용될 수 있으며, 또한 파장 185 nm, 254 nm 및 365 nm를 갖는 Hg-Xe 램프가 광원(106)으로 사용될 수 있다. CDA는 또한 질소 및/또는 다른 유형의 가스와 혼합될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 특정 파장들은 단지 예시적인 것임을 이해해야 할 것이다. 다른 유형의 광원들 및 가스들이 본 개시의 범위 및 기술사상을 벗어나지 않고 사용될 수 있다.
예를 들면, 여기된 또는 여기된 준안정(metastable) 상태에 있는 산소 분자는 표면을 세정하기 위해 유기 및 다른 오염물들과 반응할 수 있다. 산소 원자 O(3P) 및 O(1D)는 고반응성이고, 또한 표면 상에서 유기 오염물들과 상호작용하여 CO 및 CO2를 형성할 수 있으며, 따라서 오염된 표면을 세정할 수 있다. O3도 또한 오염된 표면들과 반응할 수 있으며, 따라서 표면을 세정할 수 있다. 또한, 5.43 EV(λ=243 nm)의 BDE를 초과하는 에너지를 갖는 UV를 흡수하는 O2 분자들은 해리되어 산소 원자를 형성할 수 있다. O2 해리 에너지(dissociation energy)는 오직 243 nm만을 필요로 하기때문에, 243 nm 와 175 nm 사이의 영역은, O2 + hν<243 → O(3P) + O(3P)로 표현되는 바와 같은, O2의 해리를 야기시킬 것이다.
다른 예들에서, 175 nm 미만의 파장을 갖는 UV의 흡수는, O2 + hν<175 → O(3P) + O(1D)로 표현되는 바와 같이, 하나의 바닥 상태 O 원자와 하나의 O(1D) 원자를 생성시킬 수 있다. 또한, O2 가스 및 Hg-Xe 램프는 또한, O2 + hν<243 → O(3P) + O(3P) (즉, 산소 해리) 및 O(3P) + O2 → O3 (즉, 오존 형성)에 따라, 세정 공정을 위해 사용될 수 있으며, UV 발생 오존 세정 공정은 오존을 제거하기 위해 이용될 수 있다: 3C +2O3 → 3CO2 (또는 CO).
O3의 다른 광해리(photodissociation) 및 광이탈(photodetachment)이 또한 이용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, 오존(O3)에서 O-O2 결합은 해리를 위해서 단지 1.1 eV를 필요로 한다. 이는 이 결합을 깨기 위한 λ=1122 nm의 파장에 대응한다. 이 파장은 스펙트럼의 근적외선 영역에 있다. 따라서, 간단한 열화학에 따라, 가시광이면 오존에 있는 이 결합을 깨는데 충분한 에너지일 것이다. 약 1 eV의 작은 결합 에너지(O2-O)에도 불구하고, 해리 교차부(dissociation cross section)는 300 nm (4 eV 광자들) 근처 및 미만에서 가파르게 상승한다. 가시광 및 300 nm 미만의 파장들은 Hg-Xe 램프에 존재한다. 이 과정은 주로 홀겹 산소 분자(singlet molecular oxygen) 및 여기된 산소 원자 O(1D)를 우세하게 생성한다: O3 + hν>1.1eV → O2 + O(1D).
또한, CO2 스노우 세정(snow cleaning) 및/또는 플라즈마 세정과 같은 세정 공정들이 이용될 수 있다. CO2 스노우 세정은 마이크론 및 서브마이크론(submicron) 입자들 및 탄화 수소 기반 오염을 제거할 수 있다. 세정 공정은 구멍(orifice)을 통과하는 액체 또는 기체 이산화탄소의 팽창에 근거한다. 이 팽창은 작은 드라이아이스(dry ice) 입자들의 핵형성(nucleation) 및 고속의 가스 캐리어 스트림(gas carrier stream)을 야기시킨다. 오염된 표면과 충돌시, 드라이아이스 매개체는 운동량 전달(momentum transfer)에 의해 입자들을 -마이크론 및 서브마이크론 입자들조차- 제거하며, 또한 일시적 용매(transient solvent) 또는 동결 할단(freeze fracture) 메커니즘을 통해 탄화수소들을 제거한다. 고속의 가스는 오염물들을 원하는 방향으로 날려 보낸다. 따라서, CO2 스노우 세정은 초기 또는 최종 세정에 이용될 수 있으며, 또한 많은 중요도가 높은(critical) 및 중요도가 낮은(noncritical) 세정 응용기기들(cleaning applications)에 이용될 수 있다. H2 또는 He 플라즈마 세정과 같은 플라즈마 세정이 또한 이용될 수 있으며, H2 또는 He은 열 텅스텐 필라멘트(hot tungsten filament), RF 발생(RF generation), 또는 DC 또는 AC 전기 방전 소스(electrical discharge source)에 의해서 발생될 수 있다.
도 2는 검사 시료의 표면을 세정하는 방법(200)에 의해 수행되는 단계들을 도시한 흐름도를 보여 준다. 단계(202)는 세정될 검사 시료의 표면을 직접 대향하는 광원을 제공할 수 있다. 단계(204)는 가스의 혼합물을 검사 시료의 표면을 향해 전달할 수 있다. 광원에 의해 제공되는 광자들은 검사 시료의 표면에 전달된 가스의 혼합물과 조합되어 검사 시료의 표면 상의 오염물들을 해리시키기 위해 반응성 자유 라디칼들을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 공정(206)은 단계들(202, 204) 완료시 시작될 수 있다.
상기 단계(204)는 가스 입력 모듈로부터 오는 가스를 정제하기 위한 단계들을 더 포함할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 정제된 가스는 검사 시료의 표면을 향해 전달되기 전에 이온화될 수 있다.
상기 예들은 검사 공정 이전에 검사 시료를 세정하기 위해 본 개시에 따른 방법 및 시스템을 이용하는 것을 예시하고 있지만, 본 개시에 따른 방법 및 시스템은 또한 검사 공정의 완료 시에 검사 시료를 세정(즉, 시료를 사후 세정)하기 위해 이용될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 즉, 상기 특정 응용 및 본 개시에 따른 방법 및 시스템을 적용하는 경우들은 본 개시의 범위 및 기술사상을 벗어나지 않고 변형될 수 있다. 또한, 본 개시에 따른 사전 세정 및 사후 세정 공정은 세정될 필요가 있는 동일한 또는 서로 다른 유형의 오염된 종들(species)을 표적화(target)하기 위해 이용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
개시된 방법들은 단일의 생산 장치 및/또는 다수의 생산 장치들을 통해 명령어들의 집합들(sets of instructions)로서 구현될 수 있다. 또한, 개시된 방법에 있어서 단계들의 특정한 순서 또는 계층구조(hierarchy)는 예시적인 접근 방법의 예들이라는 것을 이해해야 할 것이다. 설계 선호도(preferences)에 따라, 방법에 있어서 단계들의 특정한 순서 또는 계층구조는 본 개시의 범위 내에서 재배치될 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 첨부된 방법 청구항들은 예시적인 순서로 다양한 단계들의 요소들을 제공하지만, 반드시 제공된 상기 특정한 순서 또는 계층구조에 제한되는 것을 의미하는 것은 아니다.
본 개시의 시스템 및 방법, 및 이에 수반되는 많은 장점들이 상기 설명에 의해 이해되었을 것이라 생각되며, 개시된 주제를 벗어나지 않고 또는 본 개시의 주요 장점들을 희생하지 않고 상기 구성요소들의 형태, 구성 및 배열에 있어서 다양한 변경이 이루어질 수 있음은 명백할 것이다. 상기한 형태는 단지 설명을 위한 것이다.
Claims (20)
- 검사 시료(inspection specimen) 세정 시스템에 있어서,
상기 검사 시료의 표면을 향해 광자(photon)들을 제공하도록 구성된 광원; 및
상기 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 혼합물을 제공하도록 구성된 가스 소스
를 포함하며, 상기 광자들은 상기 가스들의 혼합물과 조합되어, 상기 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기(dissociate) 위해 반응성 자유 라디칼(reactive free radical)들을 형성하는, 검사 시료 세정 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 광원은, 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 광원, 진공 자외선(vacuum ultraviolet, VUV) 광원, 심자외선(deep ultraviolet, DUV) 광원, 자외선(ultraviolet, UV) 광원, 가시 광원 또는 적외선(infrared, IR) 광원 중 적어도 하나인, 검사 시료 세정 시스템. - 제 1 항에 있어서, 상기 가스 소스는,
가스 형태의 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 중 적어도 하나를 포함하는 상기 가스들의 혼합물을 제공하도록 구성된, 가스 입력 모듈; 및
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 정제하도록 구성된, 가스 정화 모듈
을 더 포함하는, 검사 시료 세정 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 이온화하도록 구성된 가스 이온화기(gas ionizer)를 더 포함하는, 검사 시료 세정 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 검사 시료 세정 시스템은 검사 시스템의 통합된 구성요소이며, 상기 세정 시스템은 검사 공정 이전에 사용되는, 검사 시료 세정 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 검사 시료 세정 시스템은 검사 시스템의 통합된 구성요소이며, 상기 세정 시스템은 검사 공정의 완료 이전에 그리고 완료 시에 사용되는, 검사 시료 세정 시스템. - 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법에 있어서,
검사 공정 이전에 상기 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하는 단계; 및
상기 검사 공정 이전에 상기 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 혼합물을 제공하는 단계
를 포함하며, 상기 광자들은 상기 가스들의 혼합물과 조합되어, 상기 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기(dissociate) 위해 반응성 자유 라디칼(reactive free radical)들을 형성하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 광자들은, 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 광자들, 진공 자외선(vacuum ultraviolet, VUV) 광자들, 심자외선(deep ultraviolet, DUV) 광자들, 자외선(ultraviolet, UV) 광자들, 가시광 광자들 또는 적외선(infrared, IR) 광자들 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물은 가스 형태의 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 정제하는 단계를 더 포함하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 이온화하는 단계를 더 포함하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 검사 공정의 완료 시에 상기 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 제 2 혼합물을 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 광자들은 상기 가스들의 제 2 혼합물과 조합되어 상기 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위해 반응성 자유 라디칼들을 형성하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 가스들의 제 2 혼합물은 가스 형태의 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료의 표면 상의 오염을 감소시키는 방법. - 검사 시료를 검사하기 위한 방법에 있어서,
상기 검사 시료를 검사하기 이전에 상기 검사 시료의 표면을 사전 세정(pre-cleaning)하는 단계 ― 상기 사전 세정하는 단계는,
상기 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하는 단계, 및
상기 검사 시료의 표면을 향해 불활성 가스들 또는 이온화된 가스들의 혼합물을 제공하는 단계
를 더 포함하며, 상기 광자들은 상기 가스들의 혼합물과 조합되어 상기 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위해 반응성 자유 라디칼들을 형성함 ― ; 및
상기 검사 시료의 표면을 사전 세정하는 단계의 완료 시에 상기 검사 시료를 검사하는 단계
를 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 광자들은, 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 광자들, 진공 자외선(vacuum ultraviolet, VUV) 광자들, 심자외선(deep ultraviolet, DUV) 광자들 또는 적외선(infrared, IR) 광자들 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물은 가스 형태의 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 정제하는 단계를 더 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 가스들의 혼합물을 상기 검사 시료의 표면 쪽으로 지향시키기 이전에 상기 가스들의 혼합물을 이온화하는 단계를 더 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 검사 시료를 검사하는 단계의 완료시 상기 검사 시료의 표면을 사후 세정(post-cleaning)하는 단계를 더 포함하며, 상기 사후 세정하는 단계는,
상기 검사 시료의 표면을 향해 광자들을 제공하는 단계; 및
상기 검사 시료의 표면을 향해 가스들의 제 2 혼합물을 제공하는 단계
를 더 포함하고, 상기 광자들은 상기 가스들의 제 2 혼합물과 조합되어 상기 검사 시료의 표면 상의 오염 화합물들을 해리시키기 위해 반응성 자유 라디칼들을 형성하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 가스들의 제 2 혼합물은 가스 형태의 H2, N2, He, Ar, Xe, H2O, O2, O3, CO2 중 적어도 하나를 포함하는, 검사 시료를 검사하기 위한 방법.
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