JP2002229483A - アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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-
- H—ELECTRICITY
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力の少ないアクティブマトリックス
駆動型有機ＬＥＤ表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥ
Ｄ表示装置は、基板上に、少なくともスイッチング用薄
膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
された画素電極、画素を形成する少なくとも１層の有機
発光層を有する有機ＬＥＤ層および対向電極から構成さ
れる有機ＬＥＤ素子とを有する有機ＬＥＤ表示装置であ
って、前記電流供給線の幅が、信号線もしくは走査線の
幅よりも広いこと、または、前記電流供給線の厚さが、
信号線もしくは走査線の厚さよりも厚いことを特徴とす
る。
駆動型有機ＬＥＤ表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥ
Ｄ表示装置は、基板上に、少なくともスイッチング用薄
膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
された画素電極、画素を形成する少なくとも１層の有機
発光層を有する有機ＬＥＤ層および対向電極から構成さ
れる有機ＬＥＤ素子とを有する有機ＬＥＤ表示装置であ
って、前記電流供給線の幅が、信号線もしくは走査線の
幅よりも広いこと、または、前記電流供給線の厚さが、
信号線もしくは走査線の厚さよりも厚いことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
を利用したアクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表
示装置に関するものである。
を利用したアクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＬＥＤ表示装置においては、
単純マトリックス駆動法で動画表示を行う技術が知られ
ている（特開平２−３７３８５号公報等に開示）。しか
し、上記の駆動方法では、各走査線に対して順次駆動を
行うので、走査線数が数百本と多い場合には、必要とさ
れる瞬間輝度が数十万〜数百万ｃｄ／ｍ2にも達してし
まい、下記のような問題が生じる。 （１）駆動電圧が高くなり、配線での電圧降下が大きく
なる。 （２）高輝度側の発光効率が低い領域での駆動を強いら
れる為、消費電力が大きくなる。
単純マトリックス駆動法で動画表示を行う技術が知られ
ている（特開平２−３７３８５号公報等に開示）。しか
し、上記の駆動方法では、各走査線に対して順次駆動を
行うので、走査線数が数百本と多い場合には、必要とさ
れる瞬間輝度が数十万〜数百万ｃｄ／ｍ2にも達してし
まい、下記のような問題が生じる。 （１）駆動電圧が高くなり、配線での電圧降下が大きく
なる。 （２）高輝度側の発光効率が低い領域での駆動を強いら
れる為、消費電力が大きくなる。
【０００３】そこで、上記の問題を解決する為、薄膜ト
ランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動を行う有
機ＬＥＤ表示装置が開発されている（特開平７−１１１
３４１号公報、特開平７―１２２３６０号公報、特開平
７―１２２３６１号公報、特開平７―１５３５７６号公
報、特開平８―２４１０４７号公報、特開平８―２２７
２７６号公報および「ＩＤＷ‘９９」第１７７項等に開
示）。このようなアクティブマトリクス駆動を行う有機
ＬＥＤ表示装置は、単純マトリックス駆動に比べて、低
電圧駆動が可能であり、発光効率の高い領域での駆動が
できるので、消費電力を大幅に低減できるなどの極めて
優れた特徴がある。
ランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動を行う有
機ＬＥＤ表示装置が開発されている（特開平７−１１１
３４１号公報、特開平７―１２２３６０号公報、特開平
７―１２２３６１号公報、特開平７―１５３５７６号公
報、特開平８―２４１０４７号公報、特開平８―２２７
２７６号公報および「ＩＤＷ‘９９」第１７７項等に開
示）。このようなアクティブマトリクス駆動を行う有機
ＬＥＤ表示装置は、単純マトリックス駆動に比べて、低
電圧駆動が可能であり、発光効率の高い領域での駆動が
できるので、消費電力を大幅に低減できるなどの極めて
優れた特徴がある。
【０００４】また、画素の開口率を向上する目的で、薄
膜トランジスタ上にも絶縁膜を介し、有機ＬＥＤ素子部
を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機Ｌ
ＥＤ表示装置も提案されている（特開平１０−１８９２
５２号公報等に開示）。一方、有機層のパターン化の方
法としては、マスク蒸着法（特開平８−２２７２７６号
公報に開示）、インクジェット法（特開平１０−１２３
７７号公報に開示）、転写法（特開平１０−２０８８８
１号公報、特開平１１−２６０５４９号公報に開示）、
印刷法（特開平１１−２７３８５９号公報に開示）等が
提案されている。
膜トランジスタ上にも絶縁膜を介し、有機ＬＥＤ素子部
を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機Ｌ
ＥＤ表示装置も提案されている（特開平１０−１８９２
５２号公報等に開示）。一方、有機層のパターン化の方
法としては、マスク蒸着法（特開平８−２２７２７６号
公報に開示）、インクジェット法（特開平１０−１２３
７７号公報に開示）、転写法（特開平１０−２０８８８
１号公報、特開平１１−２６０５４９号公報に開示）、
印刷法（特開平１１−２７３８５９号公報に開示）等が
提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機ＬＥＤ表
示装置は、通常、作動の安定性等から電流駆動型の発光
制御が行われる場合が多いので、電圧駆動型の液晶表示
装置の場合とは異なり、各画素に電流を供給するための
電流供給線が別途必要になる。また、有機ＬＥＤ表示装
置は電流駆動型の発光素子であるため、この電流供給線
に大電流を流す必要があり、電流供給線での電圧降下に
伴う消費電力の上昇が、非常に深刻な問題となる。
示装置は、通常、作動の安定性等から電流駆動型の発光
制御が行われる場合が多いので、電圧駆動型の液晶表示
装置の場合とは異なり、各画素に電流を供給するための
電流供給線が別途必要になる。また、有機ＬＥＤ表示装
置は電流駆動型の発光素子であるため、この電流供給線
に大電流を流す必要があり、電流供給線での電圧降下に
伴う消費電力の上昇が、非常に深刻な問題となる。
【０００６】また、従来より、高精細の有機ＬＥＤ表示
装置の場合には１本の電流供給線を細くするとともに、
画素数の多い表示装置の場合には１本の電流供給線に流
す電流を大きくする必要があり、前記の電圧降下は特に
深刻な問題となる。電流供給線での抵抗を減らす方法と
しては、電流供給線の高さを高くする方法もある。ま
た、有機ＬＥＤ表示装置の場合に必要とされるスイッチ
ング用薄膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジス
タ、信号線、走査線、コンデンサおよび電流供給線によ
る開口率の低下も問題となる。
装置の場合には１本の電流供給線を細くするとともに、
画素数の多い表示装置の場合には１本の電流供給線に流
す電流を大きくする必要があり、前記の電圧降下は特に
深刻な問題となる。電流供給線での抵抗を減らす方法と
しては、電流供給線の高さを高くする方法もある。ま
た、有機ＬＥＤ表示装置の場合に必要とされるスイッチ
ング用薄膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジス
タ、信号線、走査線、コンデンサおよび電流供給線によ
る開口率の低下も問題となる。
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、消費電力の少ないアクティブマトリックス
駆動型有機ＬＥＤ表示装置を提供することを目的とす
る。
ものであり、消費電力の少ないアクティブマトリックス
駆動型有機ＬＥＤ表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ、電流
制御用薄膜トランジスタ、信号線、走査線、電流供給線
およびコンデンサと、前記電流制御用薄膜トランジスタ
を介して前記電流供給線に接続された画素電極、画素を
形成する少なくとも１層の有機発光層を有する有機ＬＥ
Ｄ層および対向電極から構成される有機ＬＥＤ素子とを
有する有機ＬＥＤ表示装置であって、前記電流供給線の
幅が、信号線もしくは走査線の幅よりも広いこと、また
は、前記電流供給線の厚さが、信号線もしくは走査線の
厚さよりも厚いことを特徴とするアクティブマトリック
ス駆動型有機ＬＥＤ表示装置が提供される。
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ、電流
制御用薄膜トランジスタ、信号線、走査線、電流供給線
およびコンデンサと、前記電流制御用薄膜トランジスタ
を介して前記電流供給線に接続された画素電極、画素を
形成する少なくとも１層の有機発光層を有する有機ＬＥ
Ｄ層および対向電極から構成される有機ＬＥＤ素子とを
有する有機ＬＥＤ表示装置であって、前記電流供給線の
幅が、信号線もしくは走査線の幅よりも広いこと、また
は、前記電流供給線の厚さが、信号線もしくは走査線の
厚さよりも厚いことを特徴とするアクティブマトリック
ス駆動型有機ＬＥＤ表示装置が提供される。
【０００９】本発明により、電流供給線の抵抗を下げる
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。また、好ましくは、電流
供給線の幅を広げることで電流供給線での抵抗を減らす
ことにより、電流供給線の高さを高くすることによって
生じる可能性がある断線を完全に防止することができ
る。
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。また、好ましくは、電流
供給線の幅を広げることで電流供給線での抵抗を減らす
ことにより、電流供給線の高さを高くすることによって
生じる可能性がある断線を完全に防止することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を実施例に基づいて説明するが、本発明は
これらの実施の形態によって限定されない。
の実施の形態を実施例に基づいて説明するが、本発明は
これらの実施の形態によって限定されない。
【００１１】図１および図２を参照しながら、本発明の
アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置の基
本構成を説明する。図１は本発明の有機ＬＥＤ表示装置
における画素駆動回路を示し、図２は図１に示した回路
を備えた本発明の表示装置における一断面を示す。図１
において、１画素の駆動回路は、各ＬＥＤ素子１０、す
なわち、赤色，緑色または青色の各発光画素となる各有
機ＬＥＤ層８を有する各ＬＥＤ素子２５，２６，２７、
信号線２１、走査線２０、電流供給線２２、コンデンサ
２３、スイッチング用および電流制御用の各薄膜トラン
ジスタ２および３から主に構成される。
アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置の基
本構成を説明する。図１は本発明の有機ＬＥＤ表示装置
における画素駆動回路を示し、図２は図１に示した回路
を備えた本発明の表示装置における一断面を示す。図１
において、１画素の駆動回路は、各ＬＥＤ素子１０、す
なわち、赤色，緑色または青色の各発光画素となる各有
機ＬＥＤ層８を有する各ＬＥＤ素子２５，２６，２７、
信号線２１、走査線２０、電流供給線２２、コンデンサ
２３、スイッチング用および電流制御用の各薄膜トラン
ジスタ２および３から主に構成される。
【００１２】スイッチング用薄膜トランジスタ２は、信
号線２１および走査線２０に接続され、走査線２０の信
号によりオンオフされる。電流制御用薄膜トランジスタ
３は、コンデンサ２３、電流供給線２２および前記ＬＥ
Ｄ素子１０の１つに接続され、コンデンサ２３の電圧に
より電流供給線２２から各有機ＬＥＤ素子１０に電流を
供給するように構成されている。コンデンサ２３は、ス
イッチング用薄膜トランジスタ２および電流供給線２２
に接続され、スイッチング用薄膜トランジスタ２がオン
時に信号線２１からの信号により充電され、スイッチン
グ用薄膜トランジスタ２がオフ時には電圧を維持するよ
う構成されている。
号線２１および走査線２０に接続され、走査線２０の信
号によりオンオフされる。電流制御用薄膜トランジスタ
３は、コンデンサ２３、電流供給線２２および前記ＬＥ
Ｄ素子１０の１つに接続され、コンデンサ２３の電圧に
より電流供給線２２から各有機ＬＥＤ素子１０に電流を
供給するように構成されている。コンデンサ２３は、ス
イッチング用薄膜トランジスタ２および電流供給線２２
に接続され、スイッチング用薄膜トランジスタ２がオン
時に信号線２１からの信号により充電され、スイッチン
グ用薄膜トランジスタ２がオフ時には電圧を維持するよ
う構成されている。
【００１３】なお、コンデンサ２３は、スイッチング用
薄膜トランジスタ２と走査線２０、もしくは、接地間に
接続されていてもよく、信号線２１からスイッチング用
薄膜トランジスタ２を介してコンデンサ２３に入力され
る信号は、アナログ信号でも、デジタル信号でもよい。
また、ここでは、１画素を、２つの薄膜トランジスタ
２，３を用いて駆動しているが、薄膜トランジスタ２，
３の電気的特性のバラツキに伴う、有機ＬＥＤ素子１０
の輝度のバラツキを抑制するため、１画素内に２つ以上
の薄膜トランジスタを配置してもよい。
薄膜トランジスタ２と走査線２０、もしくは、接地間に
接続されていてもよく、信号線２１からスイッチング用
薄膜トランジスタ２を介してコンデンサ２３に入力され
る信号は、アナログ信号でも、デジタル信号でもよい。
また、ここでは、１画素を、２つの薄膜トランジスタ
２，３を用いて駆動しているが、薄膜トランジスタ２，
３の電気的特性のバラツキに伴う、有機ＬＥＤ素子１０
の輝度のバラツキを抑制するため、１画素内に２つ以上
の薄膜トランジスタを配置してもよい。
【００１４】また、このアクティブマトリックス駆動型
有機ＬＥＤ表示装置は、信号線２１と走査線２０に信号
パルスを入力することにより前記薄膜トランジスタ２を
スイッチ動作させることで、前記薄膜トランジスタ２に
電気的に結合している単位画素中の有機ＬＥＤ素子１０
が発光または発光停止して、動画及び静止画の画像表示
を行う。
有機ＬＥＤ表示装置は、信号線２１と走査線２０に信号
パルスを入力することにより前記薄膜トランジスタ２を
スイッチ動作させることで、前記薄膜トランジスタ２に
電気的に結合している単位画素中の有機ＬＥＤ素子１０
が発光または発光停止して、動画及び静止画の画像表示
を行う。
【００１５】図２に示すように、本発明のアクティブマ
トリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置は、基板１あるい
はデバイスの絶縁膜１７上に形成される前記デバイスお
よび接続配線を薄膜として順次積層してなる。基板１あ
るいは絶縁膜１７上には、電流制御用薄膜トランジスタ
３、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜５、平坦化膜６が順次
積層され、この上に、画素電極７、有機ＬＥＤ層８およ
び対向電極９からなるＬＥＤ素子１０が積層される。画
素電極７はコンタクトホール１２を介して電流制御用薄
膜トランジスタ３に接続されている。さらに、ＬＥＤ素
子１０上には、偏光板１６および封止膜（あるいは封止
基板）１９が積層される。
トリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置は、基板１あるい
はデバイスの絶縁膜１７上に形成される前記デバイスお
よび接続配線を薄膜として順次積層してなる。基板１あ
るいは絶縁膜１７上には、電流制御用薄膜トランジスタ
３、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜５、平坦化膜６が順次
積層され、この上に、画素電極７、有機ＬＥＤ層８およ
び対向電極９からなるＬＥＤ素子１０が積層される。画
素電極７はコンタクトホール１２を介して電流制御用薄
膜トランジスタ３に接続されている。さらに、ＬＥＤ素
子１０上には、偏光板１６および封止膜（あるいは封止
基板）１９が積層される。
【００１６】以下に、上記の有機ＬＥＤ表示装置の積層
構造における各部材の構成及び形成方法について説明す
る。本発明で使用される基板１としては、特に限定され
るものではなく、例えば、ガラス，石英等の無機材料，
ポリエチレンテレフタレート等のプラスティックあるい
はアルミナ等のセラミックスからなる絶縁性基板や、ア
ルミニウム，鉄等の金属基板にＳｉＯ2 ，有機絶縁材料
等の絶縁物をコートした基板や、アルミニウム等の金属
基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基
板が挙げられる。低温プロセスで形成したポリシリコン
ＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成する場合には、
５００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない
基板が好ましい。また、高温プロセスで形成したポリシ
リコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成する場合
には、１０００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが
生じない基板が好ましい。
構造における各部材の構成及び形成方法について説明す
る。本発明で使用される基板１としては、特に限定され
るものではなく、例えば、ガラス，石英等の無機材料，
ポリエチレンテレフタレート等のプラスティックあるい
はアルミナ等のセラミックスからなる絶縁性基板や、ア
ルミニウム，鉄等の金属基板にＳｉＯ2 ，有機絶縁材料
等の絶縁物をコートした基板や、アルミニウム等の金属
基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基
板が挙げられる。低温プロセスで形成したポリシリコン
ＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成する場合には、
５００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない
基板が好ましい。また、高温プロセスで形成したポリシ
リコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成する場合
には、１０００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが
生じない基板が好ましい。
【００１７】本発明で使用されるスイッチング用薄膜ト
ランジスタ２、電流制御用薄膜トランジスタ３等の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）は、特に限定されるものではな
く、従来の薄膜トランジスタを用いることが可能であ
る。前記の薄膜トランジスタは、公知の材料、構造、及
び、成膜方法を用いて形成することが可能である。例え
ば、薄膜トランジスタの活性層の材料としては、非晶質
シリコン，多結晶シリコン，微結晶シリコン，セレン化
カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオ
リゴマー，ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半
導体材料を使用することができる。
ランジスタ２、電流制御用薄膜トランジスタ３等の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）は、特に限定されるものではな
く、従来の薄膜トランジスタを用いることが可能であ
る。前記の薄膜トランジスタは、公知の材料、構造、及
び、成膜方法を用いて形成することが可能である。例え
ば、薄膜トランジスタの活性層の材料としては、非晶質
シリコン，多結晶シリコン，微結晶シリコン，セレン化
カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオ
リゴマー，ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半
導体材料を使用することができる。
【００１８】薄膜トランジスタの構造としては、例え
ば、スタガ型，逆スタガ型，トップゲート型，コプレー
ナ型を使用することができる。また、シングルゲート構
造、ダブルゲート構造及びゲート電極を３つ以上有する
マルチゲート構造であってもよい。
ば、スタガ型，逆スタガ型，トップゲート型，コプレー
ナ型を使用することができる。また、シングルゲート構
造、ダブルゲート構造及びゲート電極を３つ以上有する
マルチゲート構造であってもよい。
【００１９】なお、本発明では、１画素を駆動するため
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ２およ
び電流制御用薄膜トランジスタ３の両者が必要である
が、１画素を３つの薄膜トランジスタにより駆動しても
よいし、４つの薄膜トランジスタにより駆動してもよい
（いずれもＩＤＷ‘９９、１７７項に記載）。また、５
つ以上の薄膜トランジスタで駆動してもよい。
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ２およ
び電流制御用薄膜トランジスタ３の両者が必要である
が、１画素を３つの薄膜トランジスタにより駆動しても
よいし、４つの薄膜トランジスタにより駆動してもよい
（いずれもＩＤＷ‘９９、１７７項に記載）。また、５
つ以上の薄膜トランジスタで駆動してもよい。
【００２０】薄膜トランジスタの活性層の成膜方法とし
ては、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ
法により積層し、イオンドーピングする方法や、ＳｉＨ
4 ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコ
ンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを
結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法や、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用
いたＬＰＣＶＤ法、または、ＳｉＨ4 ガスを用いたＰＥ
ＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシ
マレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファ
スシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン
ドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プ
ロセス）が挙げられる。
ては、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ
法により積層し、イオンドーピングする方法や、ＳｉＨ
4 ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコ
ンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを
結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法や、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用
いたＬＰＣＶＤ法、または、ＳｉＨ4 ガスを用いたＰＥ
ＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシ
マレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファ
スシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン
ドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プ
ロセス）が挙げられる。
【００２１】また、減圧ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法に
よりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化し
てゲート絶縁膜４を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコ
ンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が用
いることもできる。
よりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化し
てゲート絶縁膜４を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコ
ンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が用
いることもできる。
【００２２】本発明で使用されるゲート絶縁膜４として
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことができる。ゲート絶縁膜４の製造方法としては、Ｐ
ＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 、ポ
リシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ2 が挙げられ
る。また、フォトリソグラフィー法によるパターン化で
製造することも可能である。
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことができる。ゲート絶縁膜４の製造方法としては、Ｐ
ＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 、ポ
リシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ2 が挙げられ
る。また、フォトリソグラフィー法によるパターン化で
製造することも可能である。
【００２３】本発明の走査線２０、信号線２１、電流供
給線２２には、従来の導電性材料を使用することがで
き、特に限定されるものではない。これらの導電性材料
としては、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。
給線２２には、従来の導電性材料を使用することがで
き、特に限定されるものではない。これらの導電性材料
としては、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。
【００２４】本発明で使用される層間絶縁膜５として
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことが可能であり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド
等の樹脂材料、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料
やカーボンブラック等の無機材料をポリイミド等の樹脂
に分散した物、ＳｉＯ2 、ＮｉX ＺｎY Ｆｅ2 Ｏ4 等の
無機絶縁材料や感光性材料が挙げられる。また、これら
の材料を、ＣＶＤ、真空蒸着等のドライプロセス、スピ
ンコート等のウエットプロセスにより形成することが可
能であり。また、フォトリソグラフィー法によりパター
ン化を行うことも可能である。
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことが可能であり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド
等の樹脂材料、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料
やカーボンブラック等の無機材料をポリイミド等の樹脂
に分散した物、ＳｉＯ2 、ＮｉX ＺｎY Ｆｅ2 Ｏ4 等の
無機絶縁材料や感光性材料が挙げられる。また、これら
の材料を、ＣＶＤ、真空蒸着等のドライプロセス、スピ
ンコート等のウエットプロセスにより形成することが可
能であり。また、フォトリソグラフィー法によりパター
ン化を行うことも可能である。
【００２５】本発明で使用される平坦化膜６としては、
特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉＯ2 、スピ
ンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2
Ｏ5）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ4 等の無機材料、アクリル
樹脂、レジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有
機材料等が挙げられる。
特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉＯ2 、スピ
ンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2
Ｏ5）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ4 等の無機材料、アクリル
樹脂、レジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有
機材料等が挙げられる。
【００２６】平坦化膜６は、これらの材料を、ＣＶＤ，
真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエッ
トプロセスを使用して形成することが可能である。ま
た、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うこ
とも可能である。しかし、平坦化膜６の膜厚は、少なく
とも薄膜トランジスタ２，３の膜厚より厚くすることが
好ましい。
真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエッ
トプロセスを使用して形成することが可能である。ま
た、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うこ
とも可能である。しかし、平坦化膜６の膜厚は、少なく
とも薄膜トランジスタ２，３の膜厚より厚くすることが
好ましい。
【００２７】本発明で使用されるコンデンサ２３として
は、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜とし
て用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ等をコンデンサ２３の誘
電体層として用いることができる。コンデンサ２３の一
方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲート電
極１３に電気的に接続されている必要があるが、他方の
電極は、電流供給線２２または信号線２１に接続されて
いてもよいし、コンデンサ用電極線２４（図７および図
８）に電気的に接続されていてもよい。コンデンサ２３
の電極を透明電極で形成することにより、透明画素電極
７と基板１との間にコンデンサ２３をおいても開口率を
減少させることがなくコンデンサ２３を配置できる。
は、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜とし
て用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ等をコンデンサ２３の誘
電体層として用いることができる。コンデンサ２３の一
方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲート電
極１３に電気的に接続されている必要があるが、他方の
電極は、電流供給線２２または信号線２１に接続されて
いてもよいし、コンデンサ用電極線２４（図７および図
８）に電気的に接続されていてもよい。コンデンサ２３
の電極を透明電極で形成することにより、透明画素電極
７と基板１との間にコンデンサ２３をおいても開口率を
減少させることがなくコンデンサ２３を配置できる。
【００２８】本発明で使用されるコンタクトホール１２
は、平坦化膜６または絶縁膜１７に設けられる。コンタ
クトホール１２には、従来の導電性材料を使用すること
ができ、特に限定されるものではない。前記コンタクト
ホール１２の形成方法としては、特に限定されるもので
はなく、例えば、平坦化膜として感光性材料を用い、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール１２を開
口する方法や、平坦化膜上に感光性材料をフォトリソグ
ラフィー法によりパターン化して、エッチングを行うこ
とによりコンタクトホール１２を開口する方法や、レー
ザー照射によりコンタクトホール１２を開口する方法が
挙げられる。
は、平坦化膜６または絶縁膜１７に設けられる。コンタ
クトホール１２には、従来の導電性材料を使用すること
ができ、特に限定されるものではない。前記コンタクト
ホール１２の形成方法としては、特に限定されるもので
はなく、例えば、平坦化膜として感光性材料を用い、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール１２を開
口する方法や、平坦化膜上に感光性材料をフォトリソグ
ラフィー法によりパターン化して、エッチングを行うこ
とによりコンタクトホール１２を開口する方法や、レー
ザー照射によりコンタクトホール１２を開口する方法が
挙げられる。
【００２９】コンタクトホール１２の形状は、特に限定
されるものではないが、例えば、コンタクトホール１２
の断面形状を、基板１側より画素側で開口部が広くなる
形状とすることにより、断線を起すことなくコンタクト
ホール１２内に接続配線を効果的に形成することが可能
となる。コンタクトホール１２の数は１つでもよいし、
複数個でもよい。
されるものではないが、例えば、コンタクトホール１２
の断面形状を、基板１側より画素側で開口部が広くなる
形状とすることにより、断線を起すことなくコンタクト
ホール１２内に接続配線を効果的に形成することが可能
となる。コンタクトホール１２の数は１つでもよいし、
複数個でもよい。
【００３０】コンタクトホール１２が形成される開口位
置は、特に限定されないが、基板１側から発光を取り出
す場合には、開口率を大きくする必要性からコンタクト
ホール１２の数は少ない方が好ましく、薄膜トランジス
タ上、もしくは、薄膜トランジスタ近傍に設けることが
好ましい。しかし、基板１と反対側から発光を取り出す
場合には、開口率がコンタクトホール１２に依存しない
ので、画素電極７に均一に電流が流れ込むようにコンタ
クトホール１２を開口することが好ましい。
置は、特に限定されないが、基板１側から発光を取り出
す場合には、開口率を大きくする必要性からコンタクト
ホール１２の数は少ない方が好ましく、薄膜トランジス
タ上、もしくは、薄膜トランジスタ近傍に設けることが
好ましい。しかし、基板１と反対側から発光を取り出す
場合には、開口率がコンタクトホール１２に依存しない
ので、画素電極７に均一に電流が流れ込むようにコンタ
クトホール１２を開口することが好ましい。
【００３１】本発明で使用される有機ＬＥＤ素子１０
は、画素電極７、少なくとも１層の有機発光層を有する
有機ＬＥＤ層８および対向電極９から構成されている。
は、画素電極７、少なくとも１層の有機発光層を有する
有機ＬＥＤ層８および対向電極９から構成されている。
【００３２】有機ＬＥＤ層８は、特に限定されるもので
はないが、有機発光層の単層構造、あるいは、電荷輸送
層と有機発光層の多層構造であってもよく、例えば下記
の構成が挙げられる。 有機発光層 正孔輸送層／有機発光層 有機発光層／電子輸送層 正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 バッファー層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
はないが、有機発光層の単層構造、あるいは、電荷輸送
層と有機発光層の多層構造であってもよく、例えば下記
の構成が挙げられる。 有機発光層 正孔輸送層／有機発光層 有機発光層／電子輸送層 正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 バッファー層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
【００３３】ここで、上記有機発光層は、１層であって
もよいし、多層構造であってもよい。また、有機発光層
に使用できる発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料が使用可能であるが、特に限定されるものでは
ない。有機発光層に使用できる発光材料としては、例え
ば、低分子発光材料（例えば、４，４’−ビス（２，
２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）
等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−２−
［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）
フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジア
ゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェ
ニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾ
ール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−ビス
（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン
化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン
誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、
ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性
有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノ
リナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機
金属化合物等）、高分子発光材料（例えば、ポリ（２−
デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰＰ、ポ
リ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルア
ンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−
１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ
3+）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５
−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−
ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサ
ルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ
−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）
−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（Ｃ
Ｎ−ＰＰＶ）、（ポリ（９，９−ジオクチルフルオレ
ン））（ＰＤＡＦ）等）、高分子発光材料の前駆体（例
えば、PPV 前駆体、PNV 前駆体あるいはPPP 前駆体等）
等が挙げられる。
もよいし、多層構造であってもよい。また、有機発光層
に使用できる発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料が使用可能であるが、特に限定されるものでは
ない。有機発光層に使用できる発光材料としては、例え
ば、低分子発光材料（例えば、４，４’−ビス（２，
２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）
等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−２−
［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）
フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジア
ゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェ
ニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾ
ール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−ビス
（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン
化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン
誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、
ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性
有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノ
リナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機
金属化合物等）、高分子発光材料（例えば、ポリ（２−
デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰＰ、ポ
リ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルア
ンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−
１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ
3+）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５
−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−
ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサ
ルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ
−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）
−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（Ｃ
Ｎ−ＰＰＶ）、（ポリ（９，９−ジオクチルフルオレ
ン））（ＰＤＡＦ）等）、高分子発光材料の前駆体（例
えば、PPV 前駆体、PNV 前駆体あるいはPPP 前駆体等）
等が挙げられる。
【００３４】また、上記有機発光層は、前記した発光材
料のみから構成されてもよいし、正孔輸送材料、電子輸
送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、または、
発光性のドーパントが含有されていてもよい、これら
が、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されて
いてもよい。
料のみから構成されてもよいし、正孔輸送材料、電子輸
送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、または、
発光性のドーパントが含有されていてもよい、これら
が、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されて
いてもよい。
【００３５】ここで、電荷輸送層は、１層であってもよ
いし、多層構造であってもよい。また、電荷輸送層に使
用できる電荷輸送材料としては、有機LED 用、有機光導
電体用の公知の電荷輸送材料が使用可能であるが、特に
限定されるものではない。
いし、多層構造であってもよい。また、電荷輸送層に使
用できる電荷輸送材料としては、有機LED 用、有機光導
電体用の公知の電荷輸送材料が使用可能であるが、特に
限定されるものではない。
【００３６】上記の電荷輸送材料としては、正孔輸送材
料（例えば、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合
物、N,N ’‐ビス‐（３‐メチルフェニル）‐N,N ’‐
ビス‐（フェニル）‐ベンジジン（ＴＰＤ）、N,N ’‐
ジ（ナフタレン‐１‐イル）‐N,N ’‐ジフェニル‐ベ
ンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン
化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、
３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレ
ンサルフォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフ
ェニルアミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポ
リ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮ
Ｖ）等の高分子材料前駆体等）、電子輸送材料（例え
ば、無機ｎ型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、ト
リアゾ−ル誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベ
ンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノ
ン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体
などの低分子材料、ポリ［オキサジアゾール［（Ｐｏｌ
ｙ−ＯＸＺ）などの高分子材料等）が挙げられる。
料（例えば、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合
物、N,N ’‐ビス‐（３‐メチルフェニル）‐N,N ’‐
ビス‐（フェニル）‐ベンジジン（ＴＰＤ）、N,N ’‐
ジ（ナフタレン‐１‐イル）‐N,N ’‐ジフェニル‐ベ
ンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン
化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、
３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレ
ンサルフォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフ
ェニルアミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポ
リ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮ
Ｖ）等の高分子材料前駆体等）、電子輸送材料（例え
ば、無機ｎ型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、ト
リアゾ−ル誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベ
ンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノ
ン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体
などの低分子材料、ポリ［オキサジアゾール［（Ｐｏｌ
ｙ−ＯＸＺ）などの高分子材料等）が挙げられる。
【００３７】また、上記電荷輸送層は、前記した電荷輸
送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有し
てもよいし、前記電荷輸送材料が高分子材料中、また
は、無機材料中に分散されていてもよい。また、これら
の材料は、スピンコ−ティング法、ディッピング法、ド
クターブレード法、等の塗布法、インクジェット法、印
刷法等のウエットプロセス、もしくは、真空蒸着法、レ
ーザー転写法等のドライプロセスで形成することができ
るが、大面積化、生産性および作製速度等を考慮する
と、印刷法またはレーザー転写法が好ましい。
送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有し
てもよいし、前記電荷輸送材料が高分子材料中、また
は、無機材料中に分散されていてもよい。また、これら
の材料は、スピンコ−ティング法、ディッピング法、ド
クターブレード法、等の塗布法、インクジェット法、印
刷法等のウエットプロセス、もしくは、真空蒸着法、レ
ーザー転写法等のドライプロセスで形成することができ
るが、大面積化、生産性および作製速度等を考慮する
と、印刷法またはレーザー転写法が好ましい。
【００３８】本発明の画素電極７としては、従来の電極
材料を用いることが可能であり、対向電極９と対で、陽
極または陰極として用いることができる。上記の陽極と
して用いる場合は、仕事関数が高い金属（Ａｕ、Ｐｔ、
Ｎｉ等）、もしくは、透明電極（ＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ、
ＳｎＯ2 等）を電極材料に用いることができる。上記の
陰極として用いる場合は、仕事関数の低い金属を少なく
とも含有するもの（Ｃａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合
金、Ｌｉ：Ａｌ合金）、もしくは、薄膜の絶縁層と金属
電極を組み合わせたもの（ＬｉＦ／Ａｌ等）を電極材料
に用いることができる。
材料を用いることが可能であり、対向電極９と対で、陽
極または陰極として用いることができる。上記の陽極と
して用いる場合は、仕事関数が高い金属（Ａｕ、Ｐｔ、
Ｎｉ等）、もしくは、透明電極（ＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ、
ＳｎＯ2 等）を電極材料に用いることができる。上記の
陰極として用いる場合は、仕事関数の低い金属を少なく
とも含有するもの（Ｃａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合
金、Ｌｉ：Ａｌ合金）、もしくは、薄膜の絶縁層と金属
電極を組み合わせたもの（ＬｉＦ／Ａｌ等）を電極材料
に用いることができる。
【００３９】画素電極７側から発光を取り出す場合に
は、画素電極７として透明電極を用いることが好まし
い。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定され
るものではない。また、画素電極７は、前記の材料を用
いて、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくはレー
ザー転写法で形成することが可能であるが、特に限定さ
れるものではない。また、フォトリソグラフィー法によ
りパターン化を行うことも可能である。
は、画素電極７として透明電極を用いることが好まし
い。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定され
るものではない。また、画素電極７は、前記の材料を用
いて、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくはレー
ザー転写法で形成することが可能であるが、特に限定さ
れるものではない。また、フォトリソグラフィー法によ
りパターン化を行うことも可能である。
【００４０】本発明の対向電極９としては、従来の電極
材料を用いることが可能であり、画素電極７と対で、陽
極または陰極として用いることができる。つまり、対向
電極９を陽極として用いた場合は、画素電極７は陰極と
なり、対向電極９を陰極として用いた場合には、画素電
極７は陽極となる。対向電極９側から発光を取り出す場
合には、対向電極９として透明電極を用いることが好ま
しい。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定さ
れるものではない。また、対向電極９は、前記の材料を
用いて、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、レーザー転
写法またはＤ．Ｃ．リアクティブスパッタ法で形成する
ことが可能であるが、特に限定されるものではない。し
かし、有機ＬＥＤ層８への熱的ダメージを考慮すると、
抵抗加熱蒸着法、レーザー転写法またはＤ．Ｃ．リアク
ティブスパッタ法が好ましい。
材料を用いることが可能であり、画素電極７と対で、陽
極または陰極として用いることができる。つまり、対向
電極９を陽極として用いた場合は、画素電極７は陰極と
なり、対向電極９を陰極として用いた場合には、画素電
極７は陽極となる。対向電極９側から発光を取り出す場
合には、対向電極９として透明電極を用いることが好ま
しい。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定さ
れるものではない。また、対向電極９は、前記の材料を
用いて、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、レーザー転
写法またはＤ．Ｃ．リアクティブスパッタ法で形成する
ことが可能であるが、特に限定されるものではない。し
かし、有機ＬＥＤ層８への熱的ダメージを考慮すると、
抵抗加熱蒸着法、レーザー転写法またはＤ．Ｃ．リアク
ティブスパッタ法が好ましい。
【００４１】前記のように、対向電極９が透明電極であ
れば、対向電極９側から発光を効率よく取り出すことが
可能となり、かつ、対向電極９側から発光を取り出すこ
とで、開口率を考慮することなく、スイッチング用薄膜
トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号線、
走査線、電流供給線、コンデンサを基板上に配置するこ
とが可能となる。さらに、画素電極７を反射電極とする
ことにより、発光を効率よく取り出すことが可能とな
る。
れば、対向電極９側から発光を効率よく取り出すことが
可能となり、かつ、対向電極９側から発光を取り出すこ
とで、開口率を考慮することなく、スイッチング用薄膜
トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号線、
走査線、電流供給線、コンデンサを基板上に配置するこ
とが可能となる。さらに、画素電極７を反射電極とする
ことにより、発光を効率よく取り出すことが可能とな
る。
【００４２】本発明の絶縁膜１７は、画素電極７のエッ
ジでの電界集中による素子の劣化を防止する目的で設け
られる。絶縁膜１７の材料としては、従来の材料を用い
ることが可能であり、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2 Ｏ5 ）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ
4 等の無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料、ブラッ
クマトリックス材料等の有機材料等を使用することがで
きるが、特に限定されるものではない。上記絶縁膜１７
は、前記の材料を用いて、ＣＶＤ、真空蒸着等のドライ
プロセス、スピンコート等のウエットプロセスにより形
成することが可能である。また、フォトリソグラフィー
法によりパターン化を行うことも可能である。
ジでの電界集中による素子の劣化を防止する目的で設け
られる。絶縁膜１７の材料としては、従来の材料を用い
ることが可能であり、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2 Ｏ5 ）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ
4 等の無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料、ブラッ
クマトリックス材料等の有機材料等を使用することがで
きるが、特に限定されるものではない。上記絶縁膜１７
は、前記の材料を用いて、ＣＶＤ、真空蒸着等のドライ
プロセス、スピンコート等のウエットプロセスにより形
成することが可能である。また、フォトリソグラフィー
法によりパターン化を行うことも可能である。
【００４３】本発明で用いることができる偏光板１６と
しては、従来の直線偏向板と1/4 λ板を組み合わせたも
のであればよい。これにより、コントラストを向上させ
ることが可能である。
しては、従来の直線偏向板と1/4 λ板を組み合わせたも
のであればよい。これにより、コントラストを向上させ
ることが可能である。
【００４４】封止膜または封止基板１９は、従来の素子
封止用の材料と従来の封止方法を用いて形成することが
可能であるが、特に限定されるものではない。例えば、
窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属
等で封止する方法や、不活性ガス中に酸化バリウム等の
吸湿剤等を混入する方法が使用できる。また、対向電極
９上に樹脂を直接スピンコートで、もしくは、樹脂を貼
り合わせて封止膜１９としてもよい。これにより、外部
からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止できるの
で、寿命の向上を図ることができる。
封止用の材料と従来の封止方法を用いて形成することが
可能であるが、特に限定されるものではない。例えば、
窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属
等で封止する方法や、不活性ガス中に酸化バリウム等の
吸湿剤等を混入する方法が使用できる。また、対向電極
９上に樹脂を直接スピンコートで、もしくは、樹脂を貼
り合わせて封止膜１９としてもよい。これにより、外部
からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止できるの
で、寿命の向上を図ることができる。
【００４５】図３から図１０を参照しながら、本発明の
アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置の実
施の形態１〜５で説明するが、本発明はこれらの実施の
形態に限定されない。これらの実施の形態では、それぞ
れの有機ＬＥＤ表示装置の積層構造が、各部材の位置関
係を透視的に示す説明図と、この説明図における一部の
断面図で示されるため、図示ができない部材があること
を付言する。なお、以下の実施の形態１〜４で説明する
有機ＬＥＤ表示装置は、有機ＬＥＤ素子１０が前記した
赤色、緑色、青色のＬＥＤ素子２５，２６，２６のいず
れか１つである。
アクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置の実
施の形態１〜５で説明するが、本発明はこれらの実施の
形態に限定されない。これらの実施の形態では、それぞ
れの有機ＬＥＤ表示装置の積層構造が、各部材の位置関
係を透視的に示す説明図と、この説明図における一部の
断面図で示されるため、図示ができない部材があること
を付言する。なお、以下の実施の形態１〜４で説明する
有機ＬＥＤ表示装置は、有機ＬＥＤ素子１０が前記した
赤色、緑色、青色のＬＥＤ素子２５，２６，２６のいず
れか１つである。
【００４６】〔実施の形態１〕図３は実施の形態１にお
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置１００
を平面的にみた透視説明図であり、図４は図３のＡ−
Ａ’断面図である。有機ＬＥＤ表示装置１００における
１画素の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、信
号線２１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する電流供
給線２２と、信号線２１および走査線２０に接続された
スイッチング用薄膜トランジスタ２と、コンデンサ２３
と、コンデンサ２３と電流供給線２２と有機ＬＥＤ素子
１０に接続された電流制御用薄膜トランジスタ３とから
構成されている。コンデンサ２３は、スイッチング用薄
膜トランジスタ２および電流供給線２２に接続され、電
流供給線２２と基板１との間に設けられている。実施の
形態１では、有機ＬＥＤ素子が、赤，緑，青に発光させ
るそれぞれの有機ＬＥＤ層８を有し、これらの各有機Ｌ
ＥＤ層８に電流を供給するそれぞれの電流供給線２２の
幅は、赤＞青＞緑の関係になる。電流供給線２２と信号
線２１と走査線２０とは、互いに立体的に配置されてい
る。また、画素電極７が透明電極であり、対向電極９が
反射電極である。
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置１００
を平面的にみた透視説明図であり、図４は図３のＡ−
Ａ’断面図である。有機ＬＥＤ表示装置１００における
１画素の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、信
号線２１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する電流供
給線２２と、信号線２１および走査線２０に接続された
スイッチング用薄膜トランジスタ２と、コンデンサ２３
と、コンデンサ２３と電流供給線２２と有機ＬＥＤ素子
１０に接続された電流制御用薄膜トランジスタ３とから
構成されている。コンデンサ２３は、スイッチング用薄
膜トランジスタ２および電流供給線２２に接続され、電
流供給線２２と基板１との間に設けられている。実施の
形態１では、有機ＬＥＤ素子が、赤，緑，青に発光させ
るそれぞれの有機ＬＥＤ層８を有し、これらの各有機Ｌ
ＥＤ層８に電流を供給するそれぞれの電流供給線２２の
幅は、赤＞青＞緑の関係になる。電流供給線２２と信号
線２１と走査線２０とは、互いに立体的に配置されてい
る。また、画素電極７が透明電極であり、対向電極９が
反射電極である。
【００４７】有機ＬＥＤ表示装置１００は、以下のよう
に製造することができる。
に製造することができる。
【００４８】ガラス基板１上に、Ｓｉ2 Ｈ6 の分解によ
るＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を
成膜し、その後、エキシマレーザアニールにより、α−
Ｓｉを多結晶化した。次いで、チャンネル部およびソー
ス・ドレイン部からなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング
加工した。ゲート絶縁膜４として、ＳｉＯ2 を５０ｎｍ
形成した後、ゲート電極１３としてＡｌをスパッタリン
グで成膜した。
るＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を
成膜し、その後、エキシマレーザアニールにより、α−
Ｓｉを多結晶化した。次いで、チャンネル部およびソー
ス・ドレイン部からなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング
加工した。ゲート絶縁膜４として、ＳｉＯ2 を５０ｎｍ
形成した後、ゲート電極１３としてＡｌをスパッタリン
グで成膜した。
【００４９】次いで、ゲート電極１３をパターニングす
ると同時に、信号線２１と電流供給線２２のパターニン
グを行った。コンデンサ２３の下部電極を加工した後、
ゲート電極１３の側面を陽極酸化し、オフセット部を形
成した。その後、ソース・ドレイン部にイオンドーピン
グ法によりＰを高濃度にドープした。走査線２０を形成
した後、ソース、ドレインメタル、コンデンサ２３の上
部電極を形成し、低温プロセスにてＰｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴを形成した。
ると同時に、信号線２１と電流供給線２２のパターニン
グを行った。コンデンサ２３の下部電極を加工した後、
ゲート電極１３の側面を陽極酸化し、オフセット部を形
成した。その後、ソース・ドレイン部にイオンドーピン
グ法によりＰを高濃度にドープした。走査線２０を形成
した後、ソース、ドレインメタル、コンデンサ２３の上
部電極を形成し、低温プロセスにてＰｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴを形成した。
【００５０】ここで、信号線２１および走査線２０の各
幅は４μｍである。所望の輝度を得るために必要な電流
値は、赤色ＬＥＤ素子２５が最も大きく、次いで、青色
ＬＥＤ素子２７、緑色ＬＥＤ素子２６の順であるため、
赤色ＬＥＤ素子２５に接続される電流供給線２２の幅を
青色および緑色の発光素子のよりも広い幅である２０μ
ｍとし、次いで、青色ＬＥＤ素子２７に接続される電流
供給線２２の幅を１６μｍとし、緑色ＬＥＤ素子２６に
接続される電流供給線２２の幅を１４μｍとしてそれぞ
れを形成した。
幅は４μｍである。所望の輝度を得るために必要な電流
値は、赤色ＬＥＤ素子２５が最も大きく、次いで、青色
ＬＥＤ素子２７、緑色ＬＥＤ素子２６の順であるため、
赤色ＬＥＤ素子２５に接続される電流供給線２２の幅を
青色および緑色の発光素子のよりも広い幅である２０μ
ｍとし、次いで、青色ＬＥＤ素子２７に接続される電流
供給線２２の幅を１６μｍとし、緑色ＬＥＤ素子２６に
接続される電流供給線２２の幅を１４μｍとしてそれぞ
れを形成した。
【００５１】次いで、平坦化膜６としてＳｉＯ2 を膜厚
３μｍで形成した。次に、この平坦化膜６上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール１２（図示しない）の部分が貫けたパターンを形成
した後、エッチングを行うことでコンタクトホール１２
を開口し、レジストを洗い流した。次に、スパッタ法に
よりＡｌを４μｍ成膜し、研磨することにより、ゲート
絶縁膜４上に形成されたＡｌを除去すると同時に、ゲー
ト絶縁膜４と前記コンタクトホール１２中の接続配線を
同時に平坦化した。
３μｍで形成した。次に、この平坦化膜６上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール１２（図示しない）の部分が貫けたパターンを形成
した後、エッチングを行うことでコンタクトホール１２
を開口し、レジストを洗い流した。次に、スパッタ法に
よりＡｌを４μｍ成膜し、研磨することにより、ゲート
絶縁膜４上に形成されたＡｌを除去すると同時に、ゲー
ト絶縁膜４と前記コンタクトホール１２中の接続配線を
同時に平坦化した。
【００５２】次いで、前記の平坦化された膜上に前記コ
ンタクトホール１２を介してドレイン電極と電気的に接
続させるための画素電極となるＩＴＯをスパッタ法によ
り膜厚１５０ｎｍになるように成膜した。ここで、スパ
ッタ時における基板１の温度を３００℃とした。その
後、エッチングにより画素電極７とした。成膜された透
明電極は、面抵抗が＜１０Ω／□、透過率が＞８７％
（５５０ｎｍ）、平坦性が±２％であった。次いで、フ
ォトリソグラフィー法により画素電極７を所定の形状に
パターン化した。
ンタクトホール１２を介してドレイン電極と電気的に接
続させるための画素電極となるＩＴＯをスパッタ法によ
り膜厚１５０ｎｍになるように成膜した。ここで、スパ
ッタ時における基板１の温度を３００℃とした。その
後、エッチングにより画素電極７とした。成膜された透
明電極は、面抵抗が＜１０Ω／□、透過率が＞８７％
（５５０ｎｍ）、平坦性が±２％であった。次いで、フ
ォトリソグラフィー法により画素電極７を所定の形状に
パターン化した。
【００５３】次に、絶縁膜としてＳｉＯ2 を膜厚２００
ｎｍで形成した。その上にレジストを塗布し、所定の形
状にパターン化した。次に、ドライエッチにより画素間
にテーパー状にＳｉＯ2 をエッチングし、絶縁膜を画素
間に形成した。これにより画素電極７のエッジ部での電
界集中による素子の劣化を防止することができ、かつ、
テーパー状にすることにより、印刷法で有機ＬＥＤ層８
を形成した場合にも、印刷機の転写基板１が基板１にほ
ぼ完全に密着するので、有機ＬＥＤ層８の転写されない
部分を生ずるのを防止できる。
ｎｍで形成した。その上にレジストを塗布し、所定の形
状にパターン化した。次に、ドライエッチにより画素間
にテーパー状にＳｉＯ2 をエッチングし、絶縁膜を画素
間に形成した。これにより画素電極７のエッジ部での電
界集中による素子の劣化を防止することができ、かつ、
テーパー状にすることにより、印刷法で有機ＬＥＤ層８
を形成した場合にも、印刷機の転写基板１が基板１にほ
ぼ完全に密着するので、有機ＬＥＤ層８の転写されない
部分を生ずるのを防止できる。
【００５４】次に、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液を用い、ス
ピンコート法により前記ＩＴＯ上に膜厚５０ｎｍの正孔
輸送層を形成した。青色発光材料としてのＰＤＡＦ１ｇ
と、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリコ
ーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのトリメチル
ベンゼン溶媒に溶かし、青色発光層形成用塗液とした。
次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記青色発光層形成
用塗液を正孔輸送層上に転写して青色発光層を形成し
た。また、緑色発光材料としてのＰｒｅ−ＰＰＶ１ｇ
と、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリコ
ーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのメタノー
ル：エチレングリコール（７：３）混合溶媒に溶かし、
緑色発光層形成用塗液とした。
ピンコート法により前記ＩＴＯ上に膜厚５０ｎｍの正孔
輸送層を形成した。青色発光材料としてのＰＤＡＦ１ｇ
と、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリコ
ーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのトリメチル
ベンゼン溶媒に溶かし、青色発光層形成用塗液とした。
次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記青色発光層形成
用塗液を正孔輸送層上に転写して青色発光層を形成し
た。また、緑色発光材料としてのＰｒｅ−ＰＰＶ１ｇ
と、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリコ
ーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのメタノー
ル：エチレングリコール（７：３）混合溶媒に溶かし、
緑色発光層形成用塗液とした。
【００５５】次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記緑
色発光層形成用塗液を正孔輸送層上に転写して緑色発光
層を形成した。赤色発光材料としてのＭＥＨ−ＰＰＶ１
ｇと、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリ
コーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのトリメチ
ルベンゼン溶媒に溶かし、赤色発光層形成用塗液とし
た。次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記赤色発光層
形成用塗液を正孔輸送層上に転写して赤色発光層を形成
した。ここで転写基板としては、ＡＰＲ（ショアＡ硬度
５５）を用い、印圧を０．１ｍｍとした。ここで、印
刷装置Ｂは、アニロックスロールとして、３００線／ｉ
ｎｃｈのものを用いた。
色発光層形成用塗液を正孔輸送層上に転写して緑色発光
層を形成した。赤色発光材料としてのＭＥＨ−ＰＰＶ１
ｇと、レベリング剤としてのＫＦ９６Ｌ−１（信越シリ
コーン社製）０．０００１ｇとを１００ｍｌのトリメチ
ルベンゼン溶媒に溶かし、赤色発光層形成用塗液とし
た。次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記赤色発光層
形成用塗液を正孔輸送層上に転写して赤色発光層を形成
した。ここで転写基板としては、ＡＰＲ（ショアＡ硬度
５５）を用い、印圧を０．１ｍｍとした。ここで、印
刷装置Ｂは、アニロックスロールとして、３００線／ｉ
ｎｃｈのものを用いた。
【００５６】次に、窒素雰囲気下で１２０℃、２時間の
アニールを行った後、セシウムを膜厚５０ｎｍで、さら
にその上に、銀を膜厚２００ｎｍでそれぞれ真空蒸着法
によりマスク蒸着して対向電極９とした。次いで、基板
１上にコントラストを向上させる目的で、偏光板１６を
貼り合わせ、窒素ガス中で封止用ガラス基板を、ＵＶ硬
化型樹脂を用いて前記基板１に貼り合わせた。以上の様
にして作製した有機ＬＥＤ表示装置１００の電流供給線
２２に外部から電流供給電源を接続し、信号線２１に外
部から映像信号を、走査線２０に走査信号を印加した。
その結果、全画素から、発光ムラのない発光が観測され
た。
アニールを行った後、セシウムを膜厚５０ｎｍで、さら
にその上に、銀を膜厚２００ｎｍでそれぞれ真空蒸着法
によりマスク蒸着して対向電極９とした。次いで、基板
１上にコントラストを向上させる目的で、偏光板１６を
貼り合わせ、窒素ガス中で封止用ガラス基板を、ＵＶ硬
化型樹脂を用いて前記基板１に貼り合わせた。以上の様
にして作製した有機ＬＥＤ表示装置１００の電流供給線
２２に外部から電流供給電源を接続し、信号線２１に外
部から映像信号を、走査線２０に走査信号を印加した。
その結果、全画素から、発光ムラのない発光が観測され
た。
【００５７】〔実施の形態２〕信号線２１と走査線２０
と電流供給線２２の幅を同じ幅（４μｍ）とし、走査線
２０の厚さを３００ｎｍとし、信号線２１と電流供給線
２２の厚さを８００ｎｍとしたこと以外は、実施の形態
１と同様にして、有機ＬＥＤ表示装置１００を作製し
た。以上の様にして作製した有機ＬＥＤ表示装置１００
の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接続し、信
号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に走査信号
を印加した。その結果、全画素から、発光ムラのない発
光が観測された。
と電流供給線２２の幅を同じ幅（４μｍ）とし、走査線
２０の厚さを３００ｎｍとし、信号線２１と電流供給線
２２の厚さを８００ｎｍとしたこと以外は、実施の形態
１と同様にして、有機ＬＥＤ表示装置１００を作製し
た。以上の様にして作製した有機ＬＥＤ表示装置１００
の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接続し、信
号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に走査信号
を印加した。その結果、全画素から、発光ムラのない発
光が観測された。
【００５８】〔実施の形態３〕図５は実施の形態３にお
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置２００
を平面的にみた説明図であり、図６は図５のＡ−Ａ’断
面図である。有機ＬＥＤ表示装置２００における１画素
の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、信号線２
１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する電流供給線２
２と、信号線２１および走査線２０に接続されたスイッ
チング用薄膜トランジスタ２と、コンデンサ２３と、コ
ンデンサ２３と電流供給線２２と有機ＬＥＤ素子１０に
接続された電流制御用薄膜トランジスタ３とから構成さ
れている。コンデンサ２３は、前記スイッチング用薄膜
トランジスタ２および電流供給線２２に接続され、電流
供給線２２と基板１との間に設けられている。実施の形
態２では、電流供給線２２と信号線２１と走査線２０と
は、互いに立体的に配置されている。また、対向電極９
が透明電極であり、画素電極７が反射電極である。
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置２００
を平面的にみた説明図であり、図６は図５のＡ−Ａ’断
面図である。有機ＬＥＤ表示装置２００における１画素
の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、信号線２
１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する電流供給線２
２と、信号線２１および走査線２０に接続されたスイッ
チング用薄膜トランジスタ２と、コンデンサ２３と、コ
ンデンサ２３と電流供給線２２と有機ＬＥＤ素子１０に
接続された電流制御用薄膜トランジスタ３とから構成さ
れている。コンデンサ２３は、前記スイッチング用薄膜
トランジスタ２および電流供給線２２に接続され、電流
供給線２２と基板１との間に設けられている。実施の形
態２では、電流供給線２２と信号線２１と走査線２０と
は、互いに立体的に配置されている。また、対向電極９
が透明電極であり、画素電極７が反射電極である。
【００５９】有機ＬＥＤ表示装置２００は、以下のよう
に製造することができる。
に製造することができる。
【００６０】基板１として膜厚：２．０ｍｍのアルミナ
基板を用いた。この基板１上に、ＳｉＨ4 の分解による
ＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を成
膜し、その後、固層成長法により、α−Ｓｉを多結晶化
した。次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部からな
るＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工し、ゲート絶縁膜
４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸化して膜厚１
００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。この後、ゲート電極１
３としてＡｌをスパッタリングで成膜した。次いで、ゲ
ート電極１３をパターニングすると同時に、信号線２１
と電流供給線２２をパターニングした。また、コンデン
サ２３の下部電極を加工した。
基板を用いた。この基板１上に、ＳｉＨ4 の分解による
ＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を成
膜し、その後、固層成長法により、α−Ｓｉを多結晶化
した。次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部からな
るＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工し、ゲート絶縁膜
４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸化して膜厚１
００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。この後、ゲート電極１
３としてＡｌをスパッタリングで成膜した。次いで、ゲ
ート電極１３をパターニングすると同時に、信号線２１
と電流供給線２２をパターニングした。また、コンデン
サ２３の下部電極を加工した。
【００６１】次いで、ゲート電極１３の側面を陽極酸化
してオフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線２０を形成した後、ソース、コンデ
ンサ２３の上部電極を形成し、高温プロセスでＰｏｌｙ
−Ｓｉ ＴＦＴを形成した。ここで、信号線２１および
走査線２０の幅は、４μｍであり、各色のＬＥＤ素子２
５，２６，２７に接続される各電流供給線２２の幅は２
０μｍであった。
してオフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線２０を形成した後、ソース、コンデ
ンサ２３の上部電極を形成し、高温プロセスでＰｏｌｙ
−Ｓｉ ＴＦＴを形成した。ここで、信号線２１および
走査線２０の幅は、４μｍであり、各色のＬＥＤ素子２
５，２６，２７に接続される各電流供給線２２の幅は２
０μｍであった。
【００６２】次いで、平坦化膜６としてＳｉＯ2 を膜厚
３μｍで形成した。次に、この平坦化膜６上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール１２の部分を貫通するパターンを形成した後、エッ
チングを行って基板１側より画素側で開口部が広い形状
をもつコンタクトホール１２（図示しない）を画素の中
央部近傍に開口した。これにより、画素に均等に電流を
供給することができる。
３μｍで形成した。次に、この平坦化膜６上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール１２の部分を貫通するパターンを形成した後、エッ
チングを行って基板１側より画素側で開口部が広い形状
をもつコンタクトホール１２（図示しない）を画素の中
央部近傍に開口した。これにより、画素に均等に電流を
供給することができる。
【００６３】次に、スパッタ法により、平坦化膜６上に
Ａｌを膜厚３μｍで成膜した。次に、これを４μｍの厚
み分だけ研磨することで平坦化膜６とコンタクトホール
１２を含めて平坦化した。次に、画素電極７として銀を
抵抗蒸着法により膜厚１００ｎｍで成膜し、その上にフ
ッ化リチウムを抵抗加熱蒸着法により膜厚１ｎｍで成膜
し、レーザーでパターン化した。
Ａｌを膜厚３μｍで成膜した。次に、これを４μｍの厚
み分だけ研磨することで平坦化膜６とコンタクトホール
１２を含めて平坦化した。次に、画素電極７として銀を
抵抗蒸着法により膜厚１００ｎｍで成膜し、その上にフ
ッ化リチウムを抵抗加熱蒸着法により膜厚１ｎｍで成膜
し、レーザーでパターン化した。
【００６４】次に、絶縁膜としてＳｉＯ2 を膜厚２００
ｎｍで形成し、次いで、表面を研磨することで、画素電
極７間にのみ絶縁膜を残し、かつ前記絶縁膜と画素電極
７とを同時に平坦化した。これにより画素電極７のエッ
ジ部における電界集中による素子の劣化を防止すること
ができ、かつ、転写法により有機ＬＥＤ層８を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板１に密着するの
で、有機ＬＥＤ層８が転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
ｎｍで形成し、次いで、表面を研磨することで、画素電
極７間にのみ絶縁膜を残し、かつ前記絶縁膜と画素電極
７とを同時に平坦化した。これにより画素電極７のエッ
ジ部における電界集中による素子の劣化を防止すること
ができ、かつ、転写法により有機ＬＥＤ層８を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板１に密着するの
で、有機ＬＥＤ層８が転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
【００６５】この上に、Ａｌｑ3 を抵抗加熱蒸着法によ
り５０ｎｍの膜厚になるように成膜し、電子輸送層とし
た。次に、赤色発光画素の部分だけ開口した金属マスク
を基板１に密着させ、Ａｌｑ3 とＤＣＭ2 を抵抗加熱蒸
着法により共蒸着することで膜厚が３０ｎｍになるよう
に赤色有機ＬＥＤ層８を成膜した。次に、緑色発光素子
の部分だけ開口してある金属マスクを基板１に密着させ
てＡｌｑ3 を抵抗加熱蒸着法により膜厚が３０ｎｍにな
るように蒸着させて緑色有機ＬＥＤ層８を成膜した。
り５０ｎｍの膜厚になるように成膜し、電子輸送層とし
た。次に、赤色発光画素の部分だけ開口した金属マスク
を基板１に密着させ、Ａｌｑ3 とＤＣＭ2 を抵抗加熱蒸
着法により共蒸着することで膜厚が３０ｎｍになるよう
に赤色有機ＬＥＤ層８を成膜した。次に、緑色発光素子
の部分だけ開口してある金属マスクを基板１に密着させ
てＡｌｑ3 を抵抗加熱蒸着法により膜厚が３０ｎｍにな
るように蒸着させて緑色有機ＬＥＤ層８を成膜した。
【００６６】次に、青色発光画素の部分だけ開口してあ
る金属マスクを基板１に密着させ、ＤＰＶＢｉを抵抗加
熱蒸着法により膜厚が３０ｎｍになるように蒸着させて
青色有機ＬＥＤ層８を成膜した。次に、赤色、緑色およ
び青色の各有機ＬＥＤ層８が形成されている上に、抵抗
加熱蒸着法により正孔輸送層としてＮＰＤを膜厚４０ｎ
ｍで蒸着した。
る金属マスクを基板１に密着させ、ＤＰＶＢｉを抵抗加
熱蒸着法により膜厚が３０ｎｍになるように蒸着させて
青色有機ＬＥＤ層８を成膜した。次に、赤色、緑色およ
び青色の各有機ＬＥＤ層８が形成されている上に、抵抗
加熱蒸着法により正孔輸送層としてＮＰＤを膜厚４０ｎ
ｍで蒸着した。
【００６７】次に、正孔輸送層転写基板のベースフィル
ムとして膜厚０．１ｍｍのポリエチレンテレフタレート
フィルムを用い、レーザー光を熱に変換する層としてカ
ーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を、前記フ
ィルム上に膜厚５μｍでコーティングした後、室温硬化
させる。次に、ポリαメチルスチレン膜を膜厚１μｍで
コーティングして熱伝播および剥離層を形成した後、そ
の上に正孔注入層としてＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液をマイ
クログラビアコーターを用いて膜厚が６０ｎｍになるよ
うに成膜した。次いで、この基板を１×１０-3Ｔｏｒｒ
の真空下で、８０℃、１時間のベークを行った。
ムとして膜厚０．１ｍｍのポリエチレンテレフタレート
フィルムを用い、レーザー光を熱に変換する層としてカ
ーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を、前記フ
ィルム上に膜厚５μｍでコーティングした後、室温硬化
させる。次に、ポリαメチルスチレン膜を膜厚１μｍで
コーティングして熱伝播および剥離層を形成した後、そ
の上に正孔注入層としてＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液をマイ
クログラビアコーターを用いて膜厚が６０ｎｍになるよ
うに成膜した。次いで、この基板を１×１０-3Ｔｏｒｒ
の真空下で、８０℃、１時間のベークを行った。
【００６８】次に、有機ＬＥＤ層８が形成された基板１
に、正孔注入層転写基板を貼り付け、１３ＷのＹＡＧレ
ーザーで所望の位置を走査することにより、有機ＬＥＤ
層８が形成された基板１上に正孔輸送層転写基板の正孔
輸送層のパターン転写を行った。次に、この基板を８０
℃で５分間のベークを行った後、対向電極９として、Ｉ
ＤＩＸＯを全面に１５０ｎｍの膜厚になるようにスパッ
タ法により室温で成膜し、透明電極からなる対向電極９
を形成した。ここで、成膜した透明電極は、面抵抗が＜
３０Ω／□、透過率が＞８０％（５５０ｎｍ）、平坦性
が±２％であった。この対向電極９上の全体に、エポキ
シ樹脂を膜厚が１μｍになるようにスピンコートして偏
光板１６とし、この上に封止膜１９を設けた。
に、正孔注入層転写基板を貼り付け、１３ＷのＹＡＧレ
ーザーで所望の位置を走査することにより、有機ＬＥＤ
層８が形成された基板１上に正孔輸送層転写基板の正孔
輸送層のパターン転写を行った。次に、この基板を８０
℃で５分間のベークを行った後、対向電極９として、Ｉ
ＤＩＸＯを全面に１５０ｎｍの膜厚になるようにスパッ
タ法により室温で成膜し、透明電極からなる対向電極９
を形成した。ここで、成膜した透明電極は、面抵抗が＜
３０Ω／□、透過率が＞８０％（５５０ｎｍ）、平坦性
が±２％であった。この対向電極９上の全体に、エポキ
シ樹脂を膜厚が１μｍになるようにスピンコートして偏
光板１６とし、この上に封止膜１９を設けた。
【００６９】以上の様にして作製した有機ＬＥＤ表示装
置２００の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接
続し、信号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
置２００の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接
続し、信号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
【００７０】〔実施の形態４〕図７は実施の形態４にお
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置３００
を平面的にみた説明図である。また、図７のＡ−Ａ’断
面は、前記の図２に示す。有機ＬＥＤ表示装置３００に
おける１画素の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０
と、信号線２１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する
電流供給線２２と、信号線２１および走査線２０に接続
されたスイッチング用薄膜トランジスタ２と、スイッチ
ング用薄膜トランジスタ２と画素電極７と基板１との間
に設けられたコンデンサ２３と、コンデンサ２３と電流
供給線２２と有機ＬＥＤ素子１０に接続された電流制御
用薄膜トランジスタ３とから構成されている。実施の形
態３では、コンデンサ２３が、電流供給線２２および画
素電極７と互いに立体的に配置される。コンデンサ２３
の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲー
ト電極１３に電気的に接続され、他方の電極は、コンデ
ンサ用電極線２４に接続されている。電流供給線２２と
信号線２１と走査線２０とは、互いに立体的に配置され
ている。また、対向電極９が透明電極であり、画素電極
７が反射電極である。
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置３００
を平面的にみた説明図である。また、図７のＡ−Ａ’断
面は、前記の図２に示す。有機ＬＥＤ表示装置３００に
おける１画素の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０
と、信号線２１と走査線２０の幅よりも広い幅を有する
電流供給線２２と、信号線２１および走査線２０に接続
されたスイッチング用薄膜トランジスタ２と、スイッチ
ング用薄膜トランジスタ２と画素電極７と基板１との間
に設けられたコンデンサ２３と、コンデンサ２３と電流
供給線２２と有機ＬＥＤ素子１０に接続された電流制御
用薄膜トランジスタ３とから構成されている。実施の形
態３では、コンデンサ２３が、電流供給線２２および画
素電極７と互いに立体的に配置される。コンデンサ２３
の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲー
ト電極１３に電気的に接続され、他方の電極は、コンデ
ンサ用電極線２４に接続されている。電流供給線２２と
信号線２１と走査線２０とは、互いに立体的に配置され
ている。また、対向電極９が透明電極であり、画素電極
７が反射電極である。
【００７１】有機ＬＥＤ表示装置３００は、以下のよう
に製造することができる。
に製造することができる。
【００７２】基板１として膜厚２．０ｍｍのＡｌ基板を
用いた。次に、このＡｌ基板の両面をＳｉＯ2 からなる
絶縁膜を膜厚１μｍとなるように成膜した。ここで、Ａ
ｌ基板は、最終的に電流供給線２２として使用される。
この基板１上に、ＳｉＨ4 の分解によるＬＰ−ＣＤＶ法
により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を成膜し、その後、
固層成長法によりα−Ｓｉを多結晶化した。
用いた。次に、このＡｌ基板の両面をＳｉＯ2 からなる
絶縁膜を膜厚１μｍとなるように成膜した。ここで、Ａ
ｌ基板は、最終的に電流供給線２２として使用される。
この基板１上に、ＳｉＨ4 の分解によるＬＰ−ＣＤＶ法
により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓｉ膜を成膜し、その後、
固層成長法によりα−Ｓｉを多結晶化した。
【００７３】次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部
からなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工し、ゲート
絶縁膜４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸化して
膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。この後、ゲート
電極１３としてＡｌをスパッタリングで成膜した。そし
て、ゲート電極１３をパターニングすると同時に、信号
線２１をパターニングした。また、コンデンサ２３の下
部電極を加工した。
からなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工し、ゲート
絶縁膜４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸化して
膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。この後、ゲート
電極１３としてＡｌをスパッタリングで成膜した。そし
て、ゲート電極１３をパターニングすると同時に、信号
線２１をパターニングした。また、コンデンサ２３の下
部電極を加工した。
【００７４】次いで、ゲート電極１３の側面を陽極酸化
し、オフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線電極２０を形成した。さらに、ソー
ス、コンデンサ２３の上部電極を形成し、高温プロセス
にてＰｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴを形成した。ここで、信号
線２１、走査線２０の幅は、４μｍであり、各色のＬＥ
Ｄ素子１０に接続される電流供給線２２の幅は、それぞ
れ２０μｍであった。
し、オフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線電極２０を形成した。さらに、ソー
ス、コンデンサ２３の上部電極を形成し、高温プロセス
にてＰｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴを形成した。ここで、信号
線２１、走査線２０の幅は、４μｍであり、各色のＬＥ
Ｄ素子１０に接続される電流供給線２２の幅は、それぞ
れ２０μｍであった。
【００７５】次に、フォトリソグラフィー法によりＡｌ
基板に達するコンタクトホール１２を開口した。次い
で、コンタクトホール１２内にＡｌを成膜した。この
後、平坦化膜６としてＳｉＯ2 を膜厚３μｍで膜を形成
した。次に、この平坦化膜６上にレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール１２の部
分が貫通したパターンを形成した後、エッチングを行う
ことで、基板１側より画素側で開口部が広い形状をもつ
コンタクトホール１２を画素の略中央部に開口した。こ
れにより、画素に均等に電流を供給することができる。
基板に達するコンタクトホール１２を開口した。次い
で、コンタクトホール１２内にＡｌを成膜した。この
後、平坦化膜６としてＳｉＯ2 を膜厚３μｍで膜を形成
した。次に、この平坦化膜６上にレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール１２の部
分が貫通したパターンを形成した後、エッチングを行う
ことで、基板１側より画素側で開口部が広い形状をもつ
コンタクトホール１２を画素の略中央部に開口した。こ
れにより、画素に均等に電流を供給することができる。
【００７６】次に、この絶縁膜上に、スパッタ法により
Ａｌを膜厚３μｍで成膜した。次に、これを４μｍの厚
み分研磨することで前記絶縁膜とコンタクトホール１２
を含めて平坦化した。次に、画素電極７として銀を抵抗
蒸着法により１００ｎｍ成膜し、レーザーでパターン化
した後、絶縁膜１７として、ＳｉＯ2 を膜厚２００ｎｍ
に形成した。次に、表面を研磨することで、画素電極７
間にのみ絶縁膜を残し、かつ、前記絶縁膜と画素電極７
とを同時に平坦化した。これにより画素電極７のエッジ
部での電界集中による素子の劣化を防止することが可能
となり、かつ、転写法により有機ＬＥＤ層８を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板１に密着するの
で、有機ＬＥＤ層８の転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
Ａｌを膜厚３μｍで成膜した。次に、これを４μｍの厚
み分研磨することで前記絶縁膜とコンタクトホール１２
を含めて平坦化した。次に、画素電極７として銀を抵抗
蒸着法により１００ｎｍ成膜し、レーザーでパターン化
した後、絶縁膜１７として、ＳｉＯ2 を膜厚２００ｎｍ
に形成した。次に、表面を研磨することで、画素電極７
間にのみ絶縁膜を残し、かつ、前記絶縁膜と画素電極７
とを同時に平坦化した。これにより画素電極７のエッジ
部での電界集中による素子の劣化を防止することが可能
となり、かつ、転写法により有機ＬＥＤ層８を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板１に密着するの
で、有機ＬＥＤ層８の転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
【００７７】次に、赤色発光層転写基板として、ベース
フィルムとして膜厚０．１ｍｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱
に変換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エ
ポキシ樹脂を５μｍの膜厚コーティングして室温硬化し
た。次に、熱伝播および剥離層として、ポリαメチルス
チレン膜を膜厚１μｍにコーティングして形成した。最
初に、この基板１上に、正孔輸送層としてＰＥＤＴ／Ｐ
ＳＳ水溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が
６０ｎｍになるようにしたものを成膜し、８０℃で１０
分間ベークした。
フィルムとして膜厚０．１ｍｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱
に変換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エ
ポキシ樹脂を５μｍの膜厚コーティングして室温硬化し
た。次に、熱伝播および剥離層として、ポリαメチルス
チレン膜を膜厚１μｍにコーティングして形成した。最
初に、この基板１上に、正孔輸送層としてＰＥＤＴ／Ｐ
ＳＳ水溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が
６０ｎｍになるようにしたものを成膜し、８０℃で１０
分間ベークした。
【００７８】次に、赤色有機ＬＥＤ層８としてＣＮ−Ｐ
ＰＶ溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が６
０ｎｍになるように成膜した後、８０℃で１０分間ベー
クした。 次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウ
ムを膜厚３０ｎｍに成膜した。次に、緑色発光層転写基
板として、ベースフィルムとして０．１ｍｍ膜厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い、このフィルム
にレーザー光を熱に変換する層としてカーボン粒子を混
合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚５μｍにコーティン
グして室温硬化した。次に熱伝播および剥離層として、
ポリαメチルスチレン膜を膜厚１μｍにコーティングし
て形成した。
ＰＶ溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が６
０ｎｍになるように成膜した後、８０℃で１０分間ベー
クした。 次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウ
ムを膜厚３０ｎｍに成膜した。次に、緑色発光層転写基
板として、ベースフィルムとして０．１ｍｍ膜厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い、このフィルム
にレーザー光を熱に変換する層としてカーボン粒子を混
合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚５μｍにコーティン
グして室温硬化した。次に熱伝播および剥離層として、
ポリαメチルスチレン膜を膜厚１μｍにコーティングし
て形成した。
【００７９】まず、この基板１上に、正孔輸送層として
ＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液をマイクログラビアコーターを
用いて膜厚が６０ｎｍになるようにしたものを成膜し、
８０℃で１０分間ベークした。次に、青色有機ＬＥＤ層
８としてＰｒｅ−ＰＰＶ溶液をマイクログラビアコータ
ーを用いて膜厚が６０ｎｍになるように成膜した後、１
２０℃で３時間ベークしてＰｒｅ−ＰＰＶをＰＰＶに変
換した。次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウム
を膜厚３０ｎｍに成膜した。
ＰＥＤＴ／ＰＳＳ水溶液をマイクログラビアコーターを
用いて膜厚が６０ｎｍになるようにしたものを成膜し、
８０℃で１０分間ベークした。次に、青色有機ＬＥＤ層
８としてＰｒｅ−ＰＰＶ溶液をマイクログラビアコータ
ーを用いて膜厚が６０ｎｍになるように成膜した後、１
２０℃で３時間ベークしてＰｒｅ−ＰＰＶをＰＰＶに変
換した。次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウム
を膜厚３０ｎｍに成膜した。
【００８０】次に、青色発光層転写基板として、ベース
フィルムとして０．１ｍｍ膜厚のポリエレテレフタレー
トフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱に変
換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキ
シ樹脂を膜厚５μｍにコーティングして室温硬化した。
次に熱伝播および剥離層として、ポリαメチルスチレン
膜を1 μｍの膜厚にコーティングして形成した。
フィルムとして０．１ｍｍ膜厚のポリエレテレフタレー
トフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱に変
換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキ
シ樹脂を膜厚５μｍにコーティングして室温硬化した。
次に熱伝播および剥離層として、ポリαメチルスチレン
膜を1 μｍの膜厚にコーティングして形成した。
【００８１】まず、この基板１上に、マイクログラビア
コーターを用いて正孔輸送層としてＰＥＤＴ／ＰＳＳ水
溶液を膜厚６０ｎｍになるように成膜し、８０℃で１０
分間ベークした。次に、赤色有機ＬＥＤ層８としてマイ
クログラビアコーターを用いてＰＤＦ溶液を膜厚が６０
ｎｍになるように成膜した後、８０℃で１０分間ベーク
した後、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウムを膜厚
３０ｎｍに成膜した。
コーターを用いて正孔輸送層としてＰＥＤＴ／ＰＳＳ水
溶液を膜厚６０ｎｍになるように成膜し、８０℃で１０
分間ベークした。次に、赤色有機ＬＥＤ層８としてマイ
クログラビアコーターを用いてＰＤＦ溶液を膜厚が６０
ｎｍになるように成膜した後、８０℃で１０分間ベーク
した後、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウムを膜厚
３０ｎｍに成膜した。
【００８２】次に、薄膜トランジスタが形成された基板
１に、赤色発光層転写基板を貼り付け、１３ＷのＹＡＧ
レーザーで所望の位置を走査することで、赤色ＬＥＤ素
子２５を基板１上にパターン転写を行った。次に、赤色
発光層転写基板を剥がし、緑色発光層転写基板を貼り付
け、前記と同様の工程により、緑色ＬＥＤ素子２６を基
板１上にパターン転写を行った。次に、緑色発光層転写
基板を剥がし、青色発光層転写基板を貼り付け、前記と
同様の工程により、青色ＬＥＤ素子２７を基板１上にパ
ターン転写を行った。なお、上記の転写工程は、窒素雰
囲気下で行った。
１に、赤色発光層転写基板を貼り付け、１３ＷのＹＡＧ
レーザーで所望の位置を走査することで、赤色ＬＥＤ素
子２５を基板１上にパターン転写を行った。次に、赤色
発光層転写基板を剥がし、緑色発光層転写基板を貼り付
け、前記と同様の工程により、緑色ＬＥＤ素子２６を基
板１上にパターン転写を行った。次に、緑色発光層転写
基板を剥がし、青色発光層転写基板を貼り付け、前記と
同様の工程により、青色ＬＥＤ素子２７を基板１上にパ
ターン転写を行った。なお、上記の転写工程は、窒素雰
囲気下で行った。
【００８３】次に、この基板１を８０℃で５分間ベーク
を行った後、対向電極９として、ＩＤＩＸＯを全面に１
５０ｎｍの膜厚になるようにスパッタ法により室温で成
膜し、透明電極からなる対向電極９を形成した。ここ
で、成膜した透明電極は、面抵抗が＜３０Ω／□、透過
率が＞８０％（５５０ｎｍ）、平坦性が±２％であっ
た。この対向電極９上全体にエポキシ樹脂を膜厚が１μ
ｍになるようにスピンコートして偏光板１６とし、この
上に封止膜１９を設けた。
を行った後、対向電極９として、ＩＤＩＸＯを全面に１
５０ｎｍの膜厚になるようにスパッタ法により室温で成
膜し、透明電極からなる対向電極９を形成した。ここ
で、成膜した透明電極は、面抵抗が＜３０Ω／□、透過
率が＞８０％（５５０ｎｍ）、平坦性が±２％であっ
た。この対向電極９上全体にエポキシ樹脂を膜厚が１μ
ｍになるようにスピンコートして偏光板１６とし、この
上に封止膜１９を設けた。
【００８４】以上の様にして作製した有機ＬＥＤ表示装
置３００の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接
続し、信号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
置３００の電流供給線２２に外部から電流供給電源を接
続し、信号線２１に外部から映像信号を、走査線２０に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
【００８５】〔実施の形態５〕図８は実施の形態５にお
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置４００
を平面的にみた説明図であり、図９は図８のＡ−Ａ’断
面図である。有機ＬＥＤ表示装置４００における１画素
の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、電流供給
線２２と、信号線２１と前記走査線２０に接続されたス
イッチング用薄膜トランジスタ２と、スイッチング用薄
膜トランジスタ２および電流供給線２２に接続されたコ
ンデンサ２３と、コンデンサ２３と電流供給線２２と各
有機ＬＥＤ素子１０（２５，２６，２７）に接続された
電流制御用薄膜トランジスタ３とから構成されている。
ける画素駆動回路部分を含む有機ＬＥＤ表示装置４００
を平面的にみた説明図であり、図９は図８のＡ−Ａ’断
面図である。有機ＬＥＤ表示装置４００における１画素
の駆動回路は、信号線２１と、走査線２０と、電流供給
線２２と、信号線２１と前記走査線２０に接続されたス
イッチング用薄膜トランジスタ２と、スイッチング用薄
膜トランジスタ２および電流供給線２２に接続されたコ
ンデンサ２３と、コンデンサ２３と電流供給線２２と各
有機ＬＥＤ素子１０（２５，２６，２７）に接続された
電流制御用薄膜トランジスタ３とから構成されている。
【００８６】この有機ＬＥＤ表示装置４００では、基板
１と逆側から発光を取り出すことが可能である。実施の
形態４では、コンデンサ２３が、電流供給線２２および
画素電極７と互いに立体的に配置される。コンデンサ２
３の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲ
ート電極１３に電気的に接続され、他方の電極は、コン
デンサ用電極線２４に接続されている。また、電流供給
線２２は、信号線２１と走査線２０とに対して立体的に
配置されている。なお、有機ＬＥＤ表示装置４００の製
造方法は、実施の形態３と共通するので説明を省略す
る。
１と逆側から発光を取り出すことが可能である。実施の
形態４では、コンデンサ２３が、電流供給線２２および
画素電極７と互いに立体的に配置される。コンデンサ２
３の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ３のゲ
ート電極１３に電気的に接続され、他方の電極は、コン
デンサ用電極線２４に接続されている。また、電流供給
線２２は、信号線２１と走査線２０とに対して立体的に
配置されている。なお、有機ＬＥＤ表示装置４００の製
造方法は、実施の形態３と共通するので説明を省略す
る。
【００８７】図１０は本発明の有機ＬＥＤ表示装置にお
ける画素駆動回路の他の実施の形態を示す。この回路
は、図１の等価回路であるため、説明を省略する。
ける画素駆動回路の他の実施の形態を示す。この回路
は、図１の等価回路であるため、説明を省略する。
【００８８】
【発明の効果】本発明では、電流供給線の抵抗を下げる
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。
【００８９】有機ＬＥＤ素子が赤、緑および青に発光さ
せるそれぞれの有機発光層を有し、前記各有機発光層に
電流を供給するそれぞれの電流供給線の幅は、少なくと
も１つが他と異なる。すなわち、各色の発光画素に所望
の輝度を与えるには、各色の発光画素に供給する電流量
が異なるため、それぞれの画素に電流を供給する電流供
給線の幅を最小に最適化することが可能となり、開口率
の減少を抑えることが可能となる。
せるそれぞれの有機発光層を有し、前記各有機発光層に
電流を供給するそれぞれの電流供給線の幅は、少なくと
も１つが他と異なる。すなわち、各色の発光画素に所望
の輝度を与えるには、各色の発光画素に供給する電流量
が異なるため、それぞれの画素に電流を供給する電流供
給線の幅を最小に最適化することが可能となり、開口率
の減少を抑えることが可能となる。
【００９０】コンデンサが、電流供給線または画素電極
と互いに立体的に配置されたことにより、コンデンサに
よる開口率の低下を低減することが可能となる。電流供
給線と信号線と走査線とが互いに立体的に配置されたの
で、電流供給線での電圧降下を激減することが可能とな
る。
と互いに立体的に配置されたことにより、コンデンサに
よる開口率の低下を低減することが可能となる。電流供
給線と信号線と走査線とが互いに立体的に配置されたの
で、電流供給線での電圧降下を激減することが可能とな
る。
【００９１】画素電極と対向電極は、これらのうちの一
方が透明電極であり、他方が反射電極であるので、画素
電極側から発光を効率よく取り出すことが可能となる。
方が透明電極であり、他方が反射電極であるので、画素
電極側から発光を効率よく取り出すことが可能となる。
【図１】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機Ｌ
ＥＤ表示装置の画素駆動回路図である。
ＥＤ表示装置の画素駆動回路図である。
【図２】図１に示した回路を備えた本発明の有機ＬＥＤ
表示装置の一断面を示す断面図である。
表示装置の一断面を示す断面図である。
【図３】実施の形態１における画素駆動回路部分を含む
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図４】図３のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】実施の形態３における画素駆動回路部分を含む
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】実施の形態４における画素駆動回路部分を含む
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図８】実施の形態５における画素駆動回路部分を含む
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
有機ＬＥＤ表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図９】図８のＡ−Ａ’断面図である。
【図１０】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機
ＬＥＤ表示装置における画素駆動回路の他の実施の形態
を示す回路図である。
ＬＥＤ表示装置における画素駆動回路の他の実施の形態
を示す回路図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ スイッチング用薄膜トランジスタ ３ 電流制御用薄膜トランジスタ ４ ゲート絶縁膜 ５ 層間絶縁膜 ６ 平坦化膜 ７ 画素電極 ８ 有機ＬＥＤ層 ９ 対向電極 １０ 有機ＬＥＤ素子 １２ コンタクトホール １３ ゲート １６ 偏光板 １７ 絶縁膜 １９ 封止基板（封止膜） ２０ 走査線 ２１ 信号線 ２２ 電流供給線 ２３ コンデンサ ２４ コンデンサ用電極線 ２５ 赤色ＬＥＤ素子 ２６ 緑色ＬＥＤ素子 ２７ 青色ＬＥＤ素子
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、少なくともスイッチング用薄
膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
された画素電極、画素を形成する少なくとも１層の有機
発光層を有する有機ＬＥＤ層および対向電極から構成さ
れる有機ＬＥＤ素子とを有する有機ＬＥＤ表示装置であ
って、前記電流供給線の幅が、信号線もしくは走査線の
幅よりも広いことを特徴とするアクティブマトリックス
駆動型有機ＬＥＤ表示装置。 - 【請求項２】 基板上に、少なくともスイッチング用薄
膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
された画素電極、画素を形成する少なくとも１層の有機
発光層を有する有機ＬＥＤ層および対向電極から構成さ
れる有機ＬＥＤ素子とを有する有機ＬＥＤ表示装置であ
って、前記電流供給線の厚さが、信号線もしくは走査線
の厚さよりも厚いことを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動型有機ＬＥＤ表示装置。 - 【請求項３】 有機ＬＥＤ素子が赤、緑および青に発光
させるそれぞれの有機発光層を有し、前記各有機発光層
に電流を供給するそれぞれの電流供給線の幅は、少なく
とも１つが他と異なることを特徴とする請求項１または
２に記載の表示装置。 - 【請求項４】 コンデンサが、電流供給線または画素電
極と互いに立体的に配置された請求項１から３のいずれ
か１つに記載の表示装置。 - 【請求項５】 電流供給線と信号線と走査線とが互いに
立体的に配置された請求項１から４のいずれか１つに記
載の表示装置。 - 【請求項６】 画素電極と対向電極は、これらのうちの
一方が透明電極であり、他方が反射電極である請求項１
から５のいずれか１つに記載の表示装置。
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