JP2002229483A - アクティブマトリックス駆動型有機led表示装置 - Google Patents

アクティブマトリックス駆動型有機led表示装置

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JP2002229483A
JP2002229483A JP2001028528A JP2001028528A JP2002229483A JP 2002229483 A JP2002229483 A JP 2002229483A JP 2001028528 A JP2001028528 A JP 2001028528A JP 2001028528 A JP2001028528 A JP 2001028528A JP 2002229483 A JP2002229483 A JP 2002229483A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力の少ないアクティブマトリックス
駆動型有機LED表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリックス駆動型有機LE
D表示装置は、基板上に、少なくともスイッチング用薄
膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
された画素電極、画素を形成する少なくとも1層の有機
発光層を有する有機LED層および対向電極から構成さ
れる有機LED素子とを有する有機LED表示装置であ
って、前記電流供給線の幅が、信号線もしくは走査線の
幅よりも広いこと、または、前記電流供給線の厚さが、
信号線もしくは走査線の厚さよりも厚いことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
を利用したアクティブマトリックス駆動型有機LED表
示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、有機LED表示装置においては、
単純マトリックス駆動法で動画表示を行う技術が知られ
ている(特開平2−37385号公報等に開示)。しか
し、上記の駆動方法では、各走査線に対して順次駆動を
行うので、走査線数が数百本と多い場合には、必要とさ
れる瞬間輝度が数十万〜数百万cd/m2にも達してし
まい、下記のような問題が生じる。 (1)駆動電圧が高くなり、配線での電圧降下が大きく
なる。 (2)高輝度側の発光効率が低い領域での駆動を強いら
れる為、消費電力が大きくなる。
【0003】そこで、上記の問題を解決する為、薄膜ト
ランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動を行う有
機LED表示装置が開発されている(特開平7−111
341号公報、特開平7―122360号公報、特開平
7―122361号公報、特開平7―153576号公
報、特開平8―241047号公報、特開平8―227
276号公報および「IDW‘99」第177項等に開
示)。このようなアクティブマトリクス駆動を行う有機
LED表示装置は、単純マトリックス駆動に比べて、低
電圧駆動が可能であり、発光効率の高い領域での駆動が
できるので、消費電力を大幅に低減できるなどの極めて
優れた特徴がある。
【0004】また、画素の開口率を向上する目的で、薄
膜トランジスタ上にも絶縁膜を介し、有機LED素子部
を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機L
ED表示装置も提案されている(特開平10−1892
52号公報等に開示)。一方、有機層のパターン化の方
法としては、マスク蒸着法(特開平8−227276号
公報に開示)、インクジェット法(特開平10−123
77号公報に開示)、転写法(特開平10−20888
1号公報、特開平11−260549号公報に開示)、
印刷法(特開平11−273859号公報に開示)等が
提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機LED表
示装置は、通常、作動の安定性等から電流駆動型の発光
制御が行われる場合が多いので、電圧駆動型の液晶表示
装置の場合とは異なり、各画素に電流を供給するための
電流供給線が別途必要になる。また、有機LED表示装
置は電流駆動型の発光素子であるため、この電流供給線
に大電流を流す必要があり、電流供給線での電圧降下に
伴う消費電力の上昇が、非常に深刻な問題となる。
【0006】また、従来より、高精細の有機LED表示
装置の場合には1本の電流供給線を細くするとともに、
画素数の多い表示装置の場合には1本の電流供給線に流
す電流を大きくする必要があり、前記の電圧降下は特に
深刻な問題となる。電流供給線での抵抗を減らす方法と
しては、電流供給線の高さを高くする方法もある。ま
た、有機LED表示装置の場合に必要とされるスイッチ
ング用薄膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジス
タ、信号線、走査線、コンデンサおよび電流供給線によ
る開口率の低下も問題となる。
【0007】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、消費電力の少ないアクティブマトリックス
駆動型有機LED表示装置を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ、電流
制御用薄膜トランジスタ、信号線、走査線、電流供給線
およびコンデンサと、前記電流制御用薄膜トランジスタ
を介して前記電流供給線に接続された画素電極、画素を
形成する少なくとも1層の有機発光層を有する有機LE
D層および対向電極から構成される有機LED素子とを
有する有機LED表示装置であって、前記電流供給線の
幅が、信号線もしくは走査線の幅よりも広いこと、また
は、前記電流供給線の厚さが、信号線もしくは走査線の
厚さよりも厚いことを特徴とするアクティブマトリック
ス駆動型有機LED表示装置が提供される。
【0009】本発明により、電流供給線の抵抗を下げる
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。また、好ましくは、電流
供給線の幅を広げることで電流供給線での抵抗を減らす
ことにより、電流供給線の高さを高くすることによって
生じる可能性がある断線を完全に防止することができ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を実施例に基づいて説明するが、本発明は
これらの実施の形態によって限定されない。
【0011】図1および図2を参照しながら、本発明の
アクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の基
本構成を説明する。図1は本発明の有機LED表示装置
における画素駆動回路を示し、図2は図1に示した回路
を備えた本発明の表示装置における一断面を示す。図1
において、1画素の駆動回路は、各LED素子10、す
なわち、赤色,緑色または青色の各発光画素となる各有
機LED層8を有する各LED素子25,26,27、
信号線21、走査線20、電流供給線22、コンデンサ
23、スイッチング用および電流制御用の各薄膜トラン
ジスタ2および3から主に構成される。
【0012】スイッチング用薄膜トランジスタ2は、信
号線21および走査線20に接続され、走査線20の信
号によりオンオフされる。電流制御用薄膜トランジスタ
3は、コンデンサ23、電流供給線22および前記LE
D素子10の1つに接続され、コンデンサ23の電圧に
より電流供給線22から各有機LED素子10に電流を
供給するように構成されている。コンデンサ23は、ス
イッチング用薄膜トランジスタ2および電流供給線22
に接続され、スイッチング用薄膜トランジスタ2がオン
時に信号線21からの信号により充電され、スイッチン
グ用薄膜トランジスタ2がオフ時には電圧を維持するよ
う構成されている。
【0013】なお、コンデンサ23は、スイッチング用
薄膜トランジスタ2と走査線20、もしくは、接地間に
接続されていてもよく、信号線21からスイッチング用
薄膜トランジスタ2を介してコンデンサ23に入力され
る信号は、アナログ信号でも、デジタル信号でもよい。
また、ここでは、1画素を、2つの薄膜トランジスタ
2,3を用いて駆動しているが、薄膜トランジスタ2,
3の電気的特性のバラツキに伴う、有機LED素子10
の輝度のバラツキを抑制するため、1画素内に2つ以上
の薄膜トランジスタを配置してもよい。
【0014】また、このアクティブマトリックス駆動型
有機LED表示装置は、信号線21と走査線20に信号
パルスを入力することにより前記薄膜トランジスタ2を
スイッチ動作させることで、前記薄膜トランジスタ2に
電気的に結合している単位画素中の有機LED素子10
が発光または発光停止して、動画及び静止画の画像表示
を行う。
【0015】図2に示すように、本発明のアクティブマ
トリックス駆動型有機LED表示装置は、基板1あるい
はデバイスの絶縁膜17上に形成される前記デバイスお
よび接続配線を薄膜として順次積層してなる。基板1あ
るいは絶縁膜17上には、電流制御用薄膜トランジスタ
3、ゲート絶縁膜4、層間絶縁膜5、平坦化膜6が順次
積層され、この上に、画素電極7、有機LED層8およ
び対向電極9からなるLED素子10が積層される。画
素電極7はコンタクトホール12を介して電流制御用薄
膜トランジスタ3に接続されている。さらに、LED素
子10上には、偏光板16および封止膜(あるいは封止
基板)19が積層される。
【0016】以下に、上記の有機LED表示装置の積層
構造における各部材の構成及び形成方法について説明す
る。本発明で使用される基板1としては、特に限定され
るものではなく、例えば、ガラス,石英等の無機材料,
ポリエチレンテレフタレート等のプラスティックあるい
はアルミナ等のセラミックスからなる絶縁性基板や、ア
ルミニウム,鉄等の金属基板にSiO2 ,有機絶縁材料
等の絶縁物をコートした基板や、アルミニウム等の金属
基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基
板が挙げられる。低温プロセスで形成したポリシリコン
TFTを用いた薄膜トランジスタを形成する場合には、
500℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない
基板が好ましい。また、高温プロセスで形成したポリシ
リコンTFTを用いた薄膜トランジスタを形成する場合
には、1000℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが
生じない基板が好ましい。
【0017】本発明で使用されるスイッチング用薄膜ト
ランジスタ2、電流制御用薄膜トランジスタ3等の薄膜
トランジスタ(TFT)は、特に限定されるものではな
く、従来の薄膜トランジスタを用いることが可能であ
る。前記の薄膜トランジスタは、公知の材料、構造、及
び、成膜方法を用いて形成することが可能である。例え
ば、薄膜トランジスタの活性層の材料としては、非晶質
シリコン,多結晶シリコン,微結晶シリコン,セレン化
カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオ
リゴマー,ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半
導体材料を使用することができる。
【0018】薄膜トランジスタの構造としては、例え
ば、スタガ型,逆スタガ型,トップゲート型,コプレー
ナ型を使用することができる。また、シングルゲート構
造、ダブルゲート構造及びゲート電極を3つ以上有する
マルチゲート構造であってもよい。
【0019】なお、本発明では、1画素を駆動するため
に、少なくともスイッチング用薄膜トランジスタ2およ
び電流制御用薄膜トランジスタ3の両者が必要である
が、1画素を3つの薄膜トランジスタにより駆動しても
よいし、4つの薄膜トランジスタにより駆動してもよい
(いずれもIDW‘99、177項に記載)。また、5
つ以上の薄膜トランジスタで駆動してもよい。
【0020】薄膜トランジスタの活性層の成膜方法とし
ては、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD
法により積層し、イオンドーピングする方法や、SiH
4 ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコ
ンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを
結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法や、Si2 6 ガスを用
いたLPCVD法、または、SiH4 ガスを用いたPE
CVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシ
マレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファ
スシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン
ドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プ
ロセス)が挙げられる。
【0021】また、減圧CVD法またはLPCVD法に
よりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化し
てゲート絶縁膜4を形成し、その上に、n+ポリシリコ
ンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が用
いることもできる。
【0022】本発明で使用されるゲート絶縁膜4として
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことができる。ゲート絶縁膜4の製造方法としては、P
ECVD、LPCVD法により形成されたSiO2 、ポ
リシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2 が挙げられ
る。また、フォトリソグラフィー法によるパターン化で
製造することも可能である。
【0023】本発明の走査線20、信号線21、電流供
給線22には、従来の導電性材料を使用することがで
き、特に限定されるものではない。これらの導電性材料
としては、Ta、Al、Cu等が挙げられる。
【0024】本発明で使用される層間絶縁膜5として
は、特に限定されるものではなく、従来の材料を用いる
ことが可能であり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド
等の樹脂材料、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料
やカーボンブラック等の無機材料をポリイミド等の樹脂
に分散した物、SiO2 、NiX ZnY Fe2 4 等の
無機絶縁材料や感光性材料が挙げられる。また、これら
の材料を、CVD、真空蒸着等のドライプロセス、スピ
ンコート等のウエットプロセスにより形成することが可
能であり。また、フォトリソグラフィー法によりパター
ン化を行うことも可能である。
【0025】本発明で使用される平坦化膜6としては、
特に限定されるものではなく、例えば、SiO2 、スピ
ンオンガラス、SiN(Si3 4 )、TaO(Ta2
5)、NiX NYFe2 4 等の無機材料、アクリル
樹脂、レジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有
機材料等が挙げられる。
【0026】平坦化膜6は、これらの材料を、CVD,
真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエッ
トプロセスを使用して形成することが可能である。ま
た、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うこ
とも可能である。しかし、平坦化膜6の膜厚は、少なく
とも薄膜トランジスタ2,3の膜厚より厚くすることが
好ましい。
【0027】本発明で使用されるコンデンサ23として
は、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜とし
て用いられるSiO2 、SiN等をコンデンサ23の誘
電体層として用いることができる。コンデンサ23の一
方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ3のゲート電
極13に電気的に接続されている必要があるが、他方の
電極は、電流供給線22または信号線21に接続されて
いてもよいし、コンデンサ用電極線24(図7および図
8)に電気的に接続されていてもよい。コンデンサ23
の電極を透明電極で形成することにより、透明画素電極
7と基板1との間にコンデンサ23をおいても開口率を
減少させることがなくコンデンサ23を配置できる。
【0028】本発明で使用されるコンタクトホール12
は、平坦化膜6または絶縁膜17に設けられる。コンタ
クトホール12には、従来の導電性材料を使用すること
ができ、特に限定されるものではない。前記コンタクト
ホール12の形成方法としては、特に限定されるもので
はなく、例えば、平坦化膜として感光性材料を用い、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール12を開
口する方法や、平坦化膜上に感光性材料をフォトリソグ
ラフィー法によりパターン化して、エッチングを行うこ
とによりコンタクトホール12を開口する方法や、レー
ザー照射によりコンタクトホール12を開口する方法が
挙げられる。
【0029】コンタクトホール12の形状は、特に限定
されるものではないが、例えば、コンタクトホール12
の断面形状を、基板1側より画素側で開口部が広くなる
形状とすることにより、断線を起すことなくコンタクト
ホール12内に接続配線を効果的に形成することが可能
となる。コンタクトホール12の数は1つでもよいし、
複数個でもよい。
【0030】コンタクトホール12が形成される開口位
置は、特に限定されないが、基板1側から発光を取り出
す場合には、開口率を大きくする必要性からコンタクト
ホール12の数は少ない方が好ましく、薄膜トランジス
タ上、もしくは、薄膜トランジスタ近傍に設けることが
好ましい。しかし、基板1と反対側から発光を取り出す
場合には、開口率がコンタクトホール12に依存しない
ので、画素電極7に均一に電流が流れ込むようにコンタ
クトホール12を開口することが好ましい。
【0031】本発明で使用される有機LED素子10
は、画素電極7、少なくとも1層の有機発光層を有する
有機LED層8および対向電極9から構成されている。
【0032】有機LED層8は、特に限定されるもので
はないが、有機発光層の単層構造、あるいは、電荷輸送
層と有機発光層の多層構造であってもよく、例えば下記
の構成が挙げられる。 有機発光層 正孔輸送層/有機発光層 有機発光層/電子輸送層 正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層 正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層 バッファー層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
【0033】ここで、上記有機発光層は、1層であって
もよいし、多層構造であってもよい。また、有機発光層
に使用できる発光材料としては、有機LED用の公知の
発光材料が使用可能であるが、特に限定されるものでは
ない。有機発光層に使用できる発光材料としては、例え
ば、低分子発光材料(例えば、4,4’−ビス(2,
2’−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)
等の芳香族ジメチリデェン化合物、5−メチル−2−
[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)
フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジア
ゾール化合物、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェ
ニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾ
ール(TAZ)等のトリアゾ−ル誘導体、1,4−ビス
(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン
化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン
誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、
ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性
有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、(8−ヒドロキシキノ
リナト)アルミニウム錯体(Alq3)等の蛍光性有機
金属化合物等)、高分子発光材料(例えば、ポリ(2−
デシルオキシ−1,4−フェニレン)DO−PPP、ポ
リ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルア
ンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−
1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PPP−NEt
3+)、ポリ[2−(2’−エチルヘキシルオキシ)−5
−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−
PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサ
ルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS
−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)
−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](C
N−PPV)、(ポリ(9,9−ジオクチルフルオレ
ン))(PDAF)等)、高分子発光材料の前駆体(例
えば、PPV 前駆体、PNV 前駆体あるいはPPP 前駆体等)
等が挙げられる。
【0034】また、上記有機発光層は、前記した発光材
料のみから構成されてもよいし、正孔輸送材料、電子輸
送材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)、または、
発光性のドーパントが含有されていてもよい、これら
が、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されて
いてもよい。
【0035】ここで、電荷輸送層は、1層であってもよ
いし、多層構造であってもよい。また、電荷輸送層に使
用できる電荷輸送材料としては、有機LED 用、有機光導
電体用の公知の電荷輸送材料が使用可能であるが、特に
限定されるものではない。
【0036】上記の電荷輸送材料としては、正孔輸送材
料(例えば、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合
物、N,N ’‐ビス‐(3‐メチルフェニル)‐N,N ’‐
ビス‐(フェニル)‐ベンジジン(TPD)、N,N ’‐
ジ(ナフタレン‐1‐イル)‐N,N ’‐ジフェニル‐ベ
ンジジン(NPD)等の芳香族第三級アミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン
化合物等の低分子材料、ポリアニリン(PANI)、
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレ
ンサルフォネイト(PEDT/PSS)、ポリ[トリフ
ェニルアミン誘導体](Poly−TPD)、ポリビニ
ルカルバゾール(PVCz)等の高分子材料、ポリ(p
−フェニレンビニレン)前駆体(Pre−PPV)、ポ
リ(p−ナフタレンビニレン)前駆体(Pre−PN
V)等の高分子材料前駆体等)、電子輸送材料(例え
ば、無機n型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、ト
リアゾ−ル誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベ
ンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノ
ン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体
などの低分子材料、ポリ[オキサジアゾール[(Pol
y−OXZ)などの高分子材料等)が挙げられる。
【0037】また、上記電荷輸送層は、前記した電荷輸
送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有し
てもよいし、前記電荷輸送材料が高分子材料中、また
は、無機材料中に分散されていてもよい。また、これら
の材料は、スピンコ−ティング法、ディッピング法、ド
クターブレード法、等の塗布法、インクジェット法、印
刷法等のウエットプロセス、もしくは、真空蒸着法、レ
ーザー転写法等のドライプロセスで形成することができ
るが、大面積化、生産性および作製速度等を考慮する
と、印刷法またはレーザー転写法が好ましい。
【0038】本発明の画素電極7としては、従来の電極
材料を用いることが可能であり、対向電極9と対で、陽
極または陰極として用いることができる。上記の陽極と
して用いる場合は、仕事関数が高い金属(Au、Pt、
Ni等)、もしくは、透明電極(ITO、IDIXO、
SnO2 等)を電極材料に用いることができる。上記の
陰極として用いる場合は、仕事関数の低い金属を少なく
とも含有するもの(Ca、Ce、Al、Mg:Ag合
金、Li:Al合金)、もしくは、薄膜の絶縁層と金属
電極を組み合わせたもの(LiF/Al等)を電極材料
に用いることができる。
【0039】画素電極7側から発光を取り出す場合に
は、画素電極7として透明電極を用いることが好まし
い。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定され
るものではない。また、画素電極7は、前記の材料を用
いて、EB、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくはレー
ザー転写法で形成することが可能であるが、特に限定さ
れるものではない。また、フォトリソグラフィー法によ
りパターン化を行うことも可能である。
【0040】本発明の対向電極9としては、従来の電極
材料を用いることが可能であり、画素電極7と対で、陽
極または陰極として用いることができる。つまり、対向
電極9を陽極として用いた場合は、画素電極7は陰極と
なり、対向電極9を陰極として用いた場合には、画素電
極7は陽極となる。対向電極9側から発光を取り出す場
合には、対向電極9として透明電極を用いることが好ま
しい。しかし、この透明電極の電極材料は、特に限定さ
れるものではない。また、対向電極9は、前記の材料を
用いて、EB、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、レーザー転
写法またはD.C.リアクティブスパッタ法で形成する
ことが可能であるが、特に限定されるものではない。し
かし、有機LED層8への熱的ダメージを考慮すると、
抵抗加熱蒸着法、レーザー転写法またはD.C.リアク
ティブスパッタ法が好ましい。
【0041】前記のように、対向電極9が透明電極であ
れば、対向電極9側から発光を効率よく取り出すことが
可能となり、かつ、対向電極9側から発光を取り出すこ
とで、開口率を考慮することなく、スイッチング用薄膜
トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号線、
走査線、電流供給線、コンデンサを基板上に配置するこ
とが可能となる。さらに、画素電極7を反射電極とする
ことにより、発光を効率よく取り出すことが可能とな
る。
【0042】本発明の絶縁膜17は、画素電極7のエッ
ジでの電界集中による素子の劣化を防止する目的で設け
られる。絶縁膜17の材料としては、従来の材料を用い
ることが可能であり、例えば、SiO2 、SiN(Si
3 4 )、TaO(Ta2 5 )、NiX NYFe2
4 等の無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料、ブラッ
クマトリックス材料等の有機材料等を使用することがで
きるが、特に限定されるものではない。上記絶縁膜17
は、前記の材料を用いて、CVD、真空蒸着等のドライ
プロセス、スピンコート等のウエットプロセスにより形
成することが可能である。また、フォトリソグラフィー
法によりパターン化を行うことも可能である。
【0043】本発明で用いることができる偏光板16と
しては、従来の直線偏向板と1/4 λ板を組み合わせたも
のであればよい。これにより、コントラストを向上させ
ることが可能である。
【0044】封止膜または封止基板19は、従来の素子
封止用の材料と従来の封止方法を用いて形成することが
可能であるが、特に限定されるものではない。例えば、
窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属
等で封止する方法や、不活性ガス中に酸化バリウム等の
吸湿剤等を混入する方法が使用できる。また、対向電極
9上に樹脂を直接スピンコートで、もしくは、樹脂を貼
り合わせて封止膜19としてもよい。これにより、外部
からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止できるの
で、寿命の向上を図ることができる。
【0045】図3から図10を参照しながら、本発明の
アクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の実
施の形態1〜5で説明するが、本発明はこれらの実施の
形態に限定されない。これらの実施の形態では、それぞ
れの有機LED表示装置の積層構造が、各部材の位置関
係を透視的に示す説明図と、この説明図における一部の
断面図で示されるため、図示ができない部材があること
を付言する。なお、以下の実施の形態1〜4で説明する
有機LED表示装置は、有機LED素子10が前記した
赤色、緑色、青色のLED素子25,26,26のいず
れか1つである。
【0046】〔実施の形態1〕図3は実施の形態1にお
ける画素駆動回路部分を含む有機LED表示装置100
を平面的にみた透視説明図であり、図4は図3のA−
A’断面図である。有機LED表示装置100における
1画素の駆動回路は、信号線21と、走査線20と、信
号線21と走査線20の幅よりも広い幅を有する電流供
給線22と、信号線21および走査線20に接続された
スイッチング用薄膜トランジスタ2と、コンデンサ23
と、コンデンサ23と電流供給線22と有機LED素子
10に接続された電流制御用薄膜トランジスタ3とから
構成されている。コンデンサ23は、スイッチング用薄
膜トランジスタ2および電流供給線22に接続され、電
流供給線22と基板1との間に設けられている。実施の
形態1では、有機LED素子が、赤,緑,青に発光させ
るそれぞれの有機LED層8を有し、これらの各有機L
ED層8に電流を供給するそれぞれの電流供給線22の
幅は、赤>青>緑の関係になる。電流供給線22と信号
線21と走査線20とは、互いに立体的に配置されてい
る。また、画素電極7が透明電極であり、対向電極9が
反射電極である。
【0047】有機LED表示装置100は、以下のよう
に製造することができる。
【0048】ガラス基板1上に、Si2 6 の分解によ
るLP−CDV法により、膜厚50nmのα−Si膜を
成膜し、その後、エキシマレーザアニールにより、α−
Siを多結晶化した。次いで、チャンネル部およびソー
ス・ドレイン部からなるPoly−Si膜をエッチング
加工した。ゲート絶縁膜4として、SiO2 を50nm
形成した後、ゲート電極13としてAlをスパッタリン
グで成膜した。
【0049】次いで、ゲート電極13をパターニングす
ると同時に、信号線21と電流供給線22のパターニン
グを行った。コンデンサ23の下部電極を加工した後、
ゲート電極13の側面を陽極酸化し、オフセット部を形
成した。その後、ソース・ドレイン部にイオンドーピン
グ法によりPを高濃度にドープした。走査線20を形成
した後、ソース、ドレインメタル、コンデンサ23の上
部電極を形成し、低温プロセスにてPoly−Si T
FTを形成した。
【0050】ここで、信号線21および走査線20の各
幅は4μmである。所望の輝度を得るために必要な電流
値は、赤色LED素子25が最も大きく、次いで、青色
LED素子27、緑色LED素子26の順であるため、
赤色LED素子25に接続される電流供給線22の幅を
青色および緑色の発光素子のよりも広い幅である20μ
mとし、次いで、青色LED素子27に接続される電流
供給線22の幅を16μmとし、緑色LED素子26に
接続される電流供給線22の幅を14μmとしてそれぞ
れを形成した。
【0051】次いで、平坦化膜6としてSiO2 を膜厚
3μmで形成した。次に、この平坦化膜6上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール12(図示しない)の部分が貫けたパターンを形成
した後、エッチングを行うことでコンタクトホール12
を開口し、レジストを洗い流した。次に、スパッタ法に
よりAlを4μm成膜し、研磨することにより、ゲート
絶縁膜4上に形成されたAlを除去すると同時に、ゲー
ト絶縁膜4と前記コンタクトホール12中の接続配線を
同時に平坦化した。
【0052】次いで、前記の平坦化された膜上に前記コ
ンタクトホール12を介してドレイン電極と電気的に接
続させるための画素電極となるITOをスパッタ法によ
り膜厚150nmになるように成膜した。ここで、スパ
ッタ時における基板1の温度を300℃とした。その
後、エッチングにより画素電極7とした。成膜された透
明電極は、面抵抗が<10Ω/□、透過率が>87%
(550nm)、平坦性が±2%であった。次いで、フ
ォトリソグラフィー法により画素電極7を所定の形状に
パターン化した。
【0053】次に、絶縁膜としてSiO2 を膜厚200
nmで形成した。その上にレジストを塗布し、所定の形
状にパターン化した。次に、ドライエッチにより画素間
にテーパー状にSiO2 をエッチングし、絶縁膜を画素
間に形成した。これにより画素電極7のエッジ部での電
界集中による素子の劣化を防止することができ、かつ、
テーパー状にすることにより、印刷法で有機LED層8
を形成した場合にも、印刷機の転写基板1が基板1にほ
ぼ完全に密着するので、有機LED層8の転写されない
部分を生ずるのを防止できる。
【0054】次に、PEDT/PSS水溶液を用い、ス
ピンコート法により前記ITO上に膜厚50nmの正孔
輸送層を形成した。青色発光材料としてのPDAF1g
と、レベリング剤としてのKF96L−1(信越シリコ
ーン社製)0.0001gとを100mlのトリメチル
ベンゼン溶媒に溶かし、青色発光層形成用塗液とした。
次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記青色発光層形成
用塗液を正孔輸送層上に転写して青色発光層を形成し
た。また、緑色発光材料としてのPre−PPV1g
と、レベリング剤としてのKF96L−1(信越シリコ
ーン社製)0.0001gとを100mlのメタノー
ル:エチレングリコール(7:3)混合溶媒に溶かし、
緑色発光層形成用塗液とした。
【0055】次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記緑
色発光層形成用塗液を正孔輸送層上に転写して緑色発光
層を形成した。赤色発光材料としてのMEH−PPV1
gと、レベリング剤としてのKF96L−1(信越シリ
コーン社製)0.0001gとを100mlのトリメチ
ルベンゼン溶媒に溶かし、赤色発光層形成用塗液とし
た。次に、市販の凸版印刷機を用いて、上記赤色発光層
形成用塗液を正孔輸送層上に転写して赤色発光層を形成
した。ここで転写基板としては、APR(ショアA硬度
55)を用い、印圧を0.1mmとした。ここで、印
刷装置Bは、アニロックスロールとして、300線/i
nchのものを用いた。
【0056】次に、窒素雰囲気下で120℃、2時間の
アニールを行った後、セシウムを膜厚50nmで、さら
にその上に、銀を膜厚200nmでそれぞれ真空蒸着法
によりマスク蒸着して対向電極9とした。次いで、基板
1上にコントラストを向上させる目的で、偏光板16を
貼り合わせ、窒素ガス中で封止用ガラス基板を、UV硬
化型樹脂を用いて前記基板1に貼り合わせた。以上の様
にして作製した有機LED表示装置100の電流供給線
22に外部から電流供給電源を接続し、信号線21に外
部から映像信号を、走査線20に走査信号を印加した。
その結果、全画素から、発光ムラのない発光が観測され
た。
【0057】〔実施の形態2〕信号線21と走査線20
と電流供給線22の幅を同じ幅(4μm)とし、走査線
20の厚さを300nmとし、信号線21と電流供給線
22の厚さを800nmとしたこと以外は、実施の形態
1と同様にして、有機LED表示装置100を作製し
た。以上の様にして作製した有機LED表示装置100
の電流供給線22に外部から電流供給電源を接続し、信
号線21に外部から映像信号を、走査線20に走査信号
を印加した。その結果、全画素から、発光ムラのない発
光が観測された。
【0058】〔実施の形態3〕図5は実施の形態3にお
ける画素駆動回路部分を含む有機LED表示装置200
を平面的にみた説明図であり、図6は図5のA−A’断
面図である。有機LED表示装置200における1画素
の駆動回路は、信号線21と、走査線20と、信号線2
1と走査線20の幅よりも広い幅を有する電流供給線2
2と、信号線21および走査線20に接続されたスイッ
チング用薄膜トランジスタ2と、コンデンサ23と、コ
ンデンサ23と電流供給線22と有機LED素子10に
接続された電流制御用薄膜トランジスタ3とから構成さ
れている。コンデンサ23は、前記スイッチング用薄膜
トランジスタ2および電流供給線22に接続され、電流
供給線22と基板1との間に設けられている。実施の形
態2では、電流供給線22と信号線21と走査線20と
は、互いに立体的に配置されている。また、対向電極9
が透明電極であり、画素電極7が反射電極である。
【0059】有機LED表示装置200は、以下のよう
に製造することができる。
【0060】基板1として膜厚:2.0mmのアルミナ
基板を用いた。この基板1上に、SiH4 の分解による
LP−CDV法により、膜厚50nmのα−Si膜を成
膜し、その後、固層成長法により、α−Siを多結晶化
した。次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部からな
るPoly−Si膜をエッチング加工し、ゲート絶縁膜
4としてp−Siを1000℃以上で熱酸化して膜厚1
00nmのSiO2 を形成した。この後、ゲート電極1
3としてAlをスパッタリングで成膜した。次いで、ゲ
ート電極13をパターニングすると同時に、信号線21
と電流供給線22をパターニングした。また、コンデン
サ23の下部電極を加工した。
【0061】次いで、ゲート電極13の側面を陽極酸化
してオフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線20を形成した後、ソース、コンデ
ンサ23の上部電極を形成し、高温プロセスでPoly
−Si TFTを形成した。ここで、信号線21および
走査線20の幅は、4μmであり、各色のLED素子2
5,26,27に接続される各電流供給線22の幅は2
0μmであった。
【0062】次いで、平坦化膜6としてSiO2 を膜厚
3μmで形成した。次に、この平坦化膜6上にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホ
ール12の部分を貫通するパターンを形成した後、エッ
チングを行って基板1側より画素側で開口部が広い形状
をもつコンタクトホール12(図示しない)を画素の中
央部近傍に開口した。これにより、画素に均等に電流を
供給することができる。
【0063】次に、スパッタ法により、平坦化膜6上に
Alを膜厚3μmで成膜した。次に、これを4μmの厚
み分だけ研磨することで平坦化膜6とコンタクトホール
12を含めて平坦化した。次に、画素電極7として銀を
抵抗蒸着法により膜厚100nmで成膜し、その上にフ
ッ化リチウムを抵抗加熱蒸着法により膜厚1nmで成膜
し、レーザーでパターン化した。
【0064】次に、絶縁膜としてSiO2 を膜厚200
nmで形成し、次いで、表面を研磨することで、画素電
極7間にのみ絶縁膜を残し、かつ前記絶縁膜と画素電極
7とを同時に平坦化した。これにより画素電極7のエッ
ジ部における電界集中による素子の劣化を防止すること
ができ、かつ、転写法により有機LED層8を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板1に密着するの
で、有機LED層8が転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
【0065】この上に、Alq3 を抵抗加熱蒸着法によ
り50nmの膜厚になるように成膜し、電子輸送層とし
た。次に、赤色発光画素の部分だけ開口した金属マスク
を基板1に密着させ、Alq3 とDCM2 を抵抗加熱蒸
着法により共蒸着することで膜厚が30nmになるよう
に赤色有機LED層8を成膜した。次に、緑色発光素子
の部分だけ開口してある金属マスクを基板1に密着させ
てAlq3 を抵抗加熱蒸着法により膜厚が30nmにな
るように蒸着させて緑色有機LED層8を成膜した。
【0066】次に、青色発光画素の部分だけ開口してあ
る金属マスクを基板1に密着させ、DPVBiを抵抗加
熱蒸着法により膜厚が30nmになるように蒸着させて
青色有機LED層8を成膜した。次に、赤色、緑色およ
び青色の各有機LED層8が形成されている上に、抵抗
加熱蒸着法により正孔輸送層としてNPDを膜厚40n
mで蒸着した。
【0067】次に、正孔輸送層転写基板のベースフィル
ムとして膜厚0.1mmのポリエチレンテレフタレート
フィルムを用い、レーザー光を熱に変換する層としてカ
ーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を、前記フ
ィルム上に膜厚5μmでコーティングした後、室温硬化
させる。次に、ポリαメチルスチレン膜を膜厚1μmで
コーティングして熱伝播および剥離層を形成した後、そ
の上に正孔注入層としてPEDT/PSS水溶液をマイ
クログラビアコーターを用いて膜厚が60nmになるよ
うに成膜した。次いで、この基板を1×10-3Torr
の真空下で、80℃、1時間のベークを行った。
【0068】次に、有機LED層8が形成された基板1
に、正孔注入層転写基板を貼り付け、13WのYAGレ
ーザーで所望の位置を走査することにより、有機LED
層8が形成された基板1上に正孔輸送層転写基板の正孔
輸送層のパターン転写を行った。次に、この基板を80
℃で5分間のベークを行った後、対向電極9として、I
DIXOを全面に150nmの膜厚になるようにスパッ
タ法により室温で成膜し、透明電極からなる対向電極9
を形成した。ここで、成膜した透明電極は、面抵抗が<
30Ω/□、透過率が>80%(550nm)、平坦性
が±2%であった。この対向電極9上の全体に、エポキ
シ樹脂を膜厚が1μmになるようにスピンコートして偏
光板16とし、この上に封止膜19を設けた。
【0069】以上の様にして作製した有機LED表示装
置200の電流供給線22に外部から電流供給電源を接
続し、信号線21に外部から映像信号を、走査線20に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
【0070】〔実施の形態4〕図7は実施の形態4にお
ける画素駆動回路部分を含む有機LED表示装置300
を平面的にみた説明図である。また、図7のA−A’断
面は、前記の図2に示す。有機LED表示装置300に
おける1画素の駆動回路は、信号線21と、走査線20
と、信号線21と走査線20の幅よりも広い幅を有する
電流供給線22と、信号線21および走査線20に接続
されたスイッチング用薄膜トランジスタ2と、スイッチ
ング用薄膜トランジスタ2と画素電極7と基板1との間
に設けられたコンデンサ23と、コンデンサ23と電流
供給線22と有機LED素子10に接続された電流制御
用薄膜トランジスタ3とから構成されている。実施の形
態3では、コンデンサ23が、電流供給線22および画
素電極7と互いに立体的に配置される。コンデンサ23
の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ3のゲー
ト電極13に電気的に接続され、他方の電極は、コンデ
ンサ用電極線24に接続されている。電流供給線22と
信号線21と走査線20とは、互いに立体的に配置され
ている。また、対向電極9が透明電極であり、画素電極
7が反射電極である。
【0071】有機LED表示装置300は、以下のよう
に製造することができる。
【0072】基板1として膜厚2.0mmのAl基板を
用いた。次に、このAl基板の両面をSiO2 からなる
絶縁膜を膜厚1μmとなるように成膜した。ここで、A
l基板は、最終的に電流供給線22として使用される。
この基板1上に、SiH4 の分解によるLP−CDV法
により、膜厚50nmのα−Si膜を成膜し、その後、
固層成長法によりα−Siを多結晶化した。
【0073】次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部
からなるPoly−Si膜をエッチング加工し、ゲート
絶縁膜4としてp−Siを1000℃以上で熱酸化して
膜厚100nmのSiO2 を形成した。この後、ゲート
電極13としてAlをスパッタリングで成膜した。そし
て、ゲート電極13をパターニングすると同時に、信号
線21をパターニングした。また、コンデンサ23の下
部電極を加工した。
【0074】次いで、ゲート電極13の側面を陽極酸化
し、オフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン
部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープし
た。次いで、走査線電極20を形成した。さらに、ソー
ス、コンデンサ23の上部電極を形成し、高温プロセス
にてPoly−Si TFTを形成した。ここで、信号
線21、走査線20の幅は、4μmであり、各色のLE
D素子10に接続される電流供給線22の幅は、それぞ
れ20μmであった。
【0075】次に、フォトリソグラフィー法によりAl
基板に達するコンタクトホール12を開口した。次い
で、コンタクトホール12内にAlを成膜した。この
後、平坦化膜6としてSiO2 を膜厚3μmで膜を形成
した。次に、この平坦化膜6上にレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィー法によりコンタクトホール12の部
分が貫通したパターンを形成した後、エッチングを行う
ことで、基板1側より画素側で開口部が広い形状をもつ
コンタクトホール12を画素の略中央部に開口した。こ
れにより、画素に均等に電流を供給することができる。
【0076】次に、この絶縁膜上に、スパッタ法により
Alを膜厚3μmで成膜した。次に、これを4μmの厚
み分研磨することで前記絶縁膜とコンタクトホール12
を含めて平坦化した。次に、画素電極7として銀を抵抗
蒸着法により100nm成膜し、レーザーでパターン化
した後、絶縁膜17として、SiO2 を膜厚200nm
に形成した。次に、表面を研磨することで、画素電極7
間にのみ絶縁膜を残し、かつ、前記絶縁膜と画素電極7
とを同時に平坦化した。これにより画素電極7のエッジ
部での電界集中による素子の劣化を防止することが可能
となり、かつ、転写法により有機LED層8を形成した
場合にも、ベースフィルムが完全に基板1に密着するの
で、有機LED層8の転写されない部分が生ずるのを防
止できる。
【0077】次に、赤色発光層転写基板として、ベース
フィルムとして膜厚0.1mmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱
に変換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エ
ポキシ樹脂を5μmの膜厚コーティングして室温硬化し
た。次に、熱伝播および剥離層として、ポリαメチルス
チレン膜を膜厚1μmにコーティングして形成した。最
初に、この基板1上に、正孔輸送層としてPEDT/P
SS水溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が
60nmになるようにしたものを成膜し、80℃で10
分間ベークした。
【0078】次に、赤色有機LED層8としてCN−P
PV溶液をマイクログラビアコーターを用いて膜厚が6
0nmになるように成膜した後、80℃で10分間ベー
クした。 次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウ
ムを膜厚30nmに成膜した。次に、緑色発光層転写基
板として、ベースフィルムとして0.1mm膜厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い、このフィルム
にレーザー光を熱に変換する層としてカーボン粒子を混
合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚5μmにコーティン
グして室温硬化した。次に熱伝播および剥離層として、
ポリαメチルスチレン膜を膜厚1μmにコーティングし
て形成した。
【0079】まず、この基板1上に、正孔輸送層として
PEDT/PSS水溶液をマイクログラビアコーターを
用いて膜厚が60nmになるようにしたものを成膜し、
80℃で10分間ベークした。次に、青色有機LED層
8としてPre−PPV溶液をマイクログラビアコータ
ーを用いて膜厚が60nmになるように成膜した後、1
20℃で3時間ベークしてPre−PPVをPPVに変
換した。次に、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウム
を膜厚30nmに成膜した。
【0080】次に、青色発光層転写基板として、ベース
フィルムとして0.1mm膜厚のポリエレテレフタレー
トフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱に変
換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキ
シ樹脂を膜厚5μmにコーティングして室温硬化した。
次に熱伝播および剥離層として、ポリαメチルスチレン
膜を1 μmの膜厚にコーティングして形成した。
【0081】まず、この基板1上に、マイクログラビア
コーターを用いて正孔輸送層としてPEDT/PSS水
溶液を膜厚60nmになるように成膜し、80℃で10
分間ベークした。次に、赤色有機LED層8としてマイ
クログラビアコーターを用いてPDF溶液を膜厚が60
nmになるように成膜した後、80℃で10分間ベーク
した後、巻き取り式蒸着装置を用いてカルシウムを膜厚
30nmに成膜した。
【0082】次に、薄膜トランジスタが形成された基板
1に、赤色発光層転写基板を貼り付け、13WのYAG
レーザーで所望の位置を走査することで、赤色LED素
子25を基板1上にパターン転写を行った。次に、赤色
発光層転写基板を剥がし、緑色発光層転写基板を貼り付
け、前記と同様の工程により、緑色LED素子26を基
板1上にパターン転写を行った。次に、緑色発光層転写
基板を剥がし、青色発光層転写基板を貼り付け、前記と
同様の工程により、青色LED素子27を基板1上にパ
ターン転写を行った。なお、上記の転写工程は、窒素雰
囲気下で行った。
【0083】次に、この基板1を80℃で5分間ベーク
を行った後、対向電極9として、IDIXOを全面に1
50nmの膜厚になるようにスパッタ法により室温で成
膜し、透明電極からなる対向電極9を形成した。ここ
で、成膜した透明電極は、面抵抗が<30Ω/□、透過
率が>80%(550nm)、平坦性が±2%であっ
た。この対向電極9上全体にエポキシ樹脂を膜厚が1μ
mになるようにスピンコートして偏光板16とし、この
上に封止膜19を設けた。
【0084】以上の様にして作製した有機LED表示装
置300の電流供給線22に外部から電流供給電源を接
続し、信号線21に外部から映像信号を、走査線20に
走査信号を印加した。その結果、全画素から、発光ムラ
のない発光が観測された。
【0085】〔実施の形態5〕図8は実施の形態5にお
ける画素駆動回路部分を含む有機LED表示装置400
を平面的にみた説明図であり、図9は図8のA−A’断
面図である。有機LED表示装置400における1画素
の駆動回路は、信号線21と、走査線20と、電流供給
線22と、信号線21と前記走査線20に接続されたス
イッチング用薄膜トランジスタ2と、スイッチング用薄
膜トランジスタ2および電流供給線22に接続されたコ
ンデンサ23と、コンデンサ23と電流供給線22と各
有機LED素子10(25,26,27)に接続された
電流制御用薄膜トランジスタ3とから構成されている。
【0086】この有機LED表示装置400では、基板
1と逆側から発光を取り出すことが可能である。実施の
形態4では、コンデンサ23が、電流供給線22および
画素電極7と互いに立体的に配置される。コンデンサ2
3の一方の電極は、電流制御用薄膜トランジスタ3のゲ
ート電極13に電気的に接続され、他方の電極は、コン
デンサ用電極線24に接続されている。また、電流供給
線22は、信号線21と走査線20とに対して立体的に
配置されている。なお、有機LED表示装置400の製
造方法は、実施の形態3と共通するので説明を省略す
る。
【0087】図10は本発明の有機LED表示装置にお
ける画素駆動回路の他の実施の形態を示す。この回路
は、図1の等価回路であるため、説明を省略する。
【0088】
【発明の効果】本発明では、電流供給線の抵抗を下げる
ことができるので、高精細の表示装置および画素数の多
い表示装置の場合でも、電圧降下に伴う消費電力の上昇
を抑制することが可能となる。
【0089】有機LED素子が赤、緑および青に発光さ
せるそれぞれの有機発光層を有し、前記各有機発光層に
電流を供給するそれぞれの電流供給線の幅は、少なくと
も1つが他と異なる。すなわち、各色の発光画素に所望
の輝度を与えるには、各色の発光画素に供給する電流量
が異なるため、それぞれの画素に電流を供給する電流供
給線の幅を最小に最適化することが可能となり、開口率
の減少を抑えることが可能となる。
【0090】コンデンサが、電流供給線または画素電極
と互いに立体的に配置されたことにより、コンデンサに
よる開口率の低下を低減することが可能となる。電流供
給線と信号線と走査線とが互いに立体的に配置されたの
で、電流供給線での電圧降下を激減することが可能とな
る。
【0091】画素電極と対向電極は、これらのうちの一
方が透明電極であり、他方が反射電極であるので、画素
電極側から発光を効率よく取り出すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機L
ED表示装置の画素駆動回路図である。
【図2】図1に示した回路を備えた本発明の有機LED
表示装置の一断面を示す断面図である。
【図3】実施の形態1における画素駆動回路部分を含む
有機LED表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図4】図3のA−A’断面図である。
【図5】実施の形態3における画素駆動回路部分を含む
有機LED表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図6】図5のA−A’断面図である。
【図7】実施の形態4における画素駆動回路部分を含む
有機LED表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図8】実施の形態5における画素駆動回路部分を含む
有機LED表示装置の一部を平面的にみた透視説明図で
ある。
【図9】図8のA−A’断面図である。
【図10】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機
LED表示装置における画素駆動回路の他の実施の形態
を示す回路図である。
【符号の説明】 1 基板 2 スイッチング用薄膜トランジスタ 3 電流制御用薄膜トランジスタ 4 ゲート絶縁膜 5 層間絶縁膜 6 平坦化膜 7 画素電極 8 有機LED層 9 対向電極 10 有機LED素子 12 コンタクトホール 13 ゲート 16 偏光板 17 絶縁膜 19 封止基板(封止膜) 20 走査線 21 信号線 22 電流供給線 23 コンデンサ 24 コンデンサ用電極線 25 赤色LED素子 26 緑色LED素子 27 青色LED素子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、少なくともスイッチング用薄
    膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
    線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
    制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
    された画素電極、画素を形成する少なくとも1層の有機
    発光層を有する有機LED層および対向電極から構成さ
    れる有機LED素子とを有する有機LED表示装置であ
    って、前記電流供給線の幅が、信号線もしくは走査線の
    幅よりも広いことを特徴とするアクティブマトリックス
    駆動型有機LED表示装置。
  2. 【請求項2】 基板上に、少なくともスイッチング用薄
    膜トランジスタ、電流制御用薄膜トランジスタ、信号
    線、走査線、電流供給線およびコンデンサと、前記電流
    制御用薄膜トランジスタを介して前記電流供給線に接続
    された画素電極、画素を形成する少なくとも1層の有機
    発光層を有する有機LED層および対向電極から構成さ
    れる有機LED素子とを有する有機LED表示装置であ
    って、前記電流供給線の厚さが、信号線もしくは走査線
    の厚さよりも厚いことを特徴とするアクティブマトリッ
    クス駆動型有機LED表示装置。
  3. 【請求項3】 有機LED素子が赤、緑および青に発光
    させるそれぞれの有機発光層を有し、前記各有機発光層
    に電流を供給するそれぞれの電流供給線の幅は、少なく
    とも1つが他と異なることを特徴とする請求項1または
    2に記載の表示装置。
  4. 【請求項4】 コンデンサが、電流供給線または画素電
    極と互いに立体的に配置された請求項1から3のいずれ
    か1つに記載の表示装置。
  5. 【請求項5】 電流供給線と信号線と走査線とが互いに
    立体的に配置された請求項1から4のいずれか1つに記
    載の表示装置。
  6. 【請求項6】 画素電極と対向電極は、これらのうちの
    一方が透明電極であり、他方が反射電極である請求項1
    から5のいずれか1つに記載の表示装置。
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