JP2002229085A

JP2002229085A - Ｓｈｇ素子ユニット、及び記録再生装置

Info

Publication number: JP2002229085A
Application number: JP2001030586A
Authority: JP
Inventors: Makoto Ishibashi; 真石橋; Shogo Horinouchi; 昇吾堀之内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-02-07
Filing date: 2001-02-07
Publication date: 2002-08-14

Abstract

(57)【要約】【課題】組立工数を削減し、発光波長の制御が容易な
ＳＨＧ素子ユニット及びＳＨＧ素子ユニットを用いた記
録再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】基本波を発生する半導体レーザ１１０
と、基本波をＳＨＧ素子１３０へ入射する半導体レーザ
集光レンズ１２０と、基本波を第２高調波に変換するＳ
ＨＧ素子１３０と、第２高調波を射出しディスクからの
反射光が入射する光集積素子１４０と、第２高調波をデ
ィスクに集光する対物レンズ１９５と、半導体レーザ１
１０と半導体レーザ集光レンズ１２０とＳＨＧ素子１３
０と光集積素子１４０とを保持する光学ベース１０１
と、以上の各素子を保護するキャン１０６からなるＳＨ
Ｇ素子ユニット及び記録再生装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度ディスク等
の光ディスクにおける記録再生に使用される光源、光ピ
ックアップ、及びそれらを用いた記録再生装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来の第二高調波（以後ＳＨＧと
呼ぶ）素子ユニットについて図面に基づいて説明する。
図１５は従来のＳＨＧ素子ユニットの断面図である。図
１５において、３はＬｉＮｂＯ3やＬｉＴａＯ3等の非線
形光学基板の光導波路内に形成された分極反転格子であ
り、この部分で第二高調波が発生されていた。この基板
の端面には基本波と第二高調波に対し無反射もしくは全
反射となるように光学コートが施されていた。５の半導
体レーザは端面反射率を持ち、４は波長選択性の反射手
段である分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、１ＳＨＧ素子ユニットは、高い精度にて調整、配置、
固定する必要があるため、組立工数がかかり、低コスト
が困難であるという問題点を有していた。

【０００４】２ＳＨＧ素子ユニットは半導体レーザの
微小温度変化に対して、発光波長が変化するため、放熱
用のスペースが必要であるばかりでなく、発光波長の制
御が困難であるという問題点を有していた。

【０００５】３ＳＨＧ素子ユニットを用いた記録再生
装置では、ＳＨＧ素子ユニット自体が長方形であるた
め、記録再生装置に利用するのが容易でないという問題
点を有していた。特に記録媒体であるディスクの直径が
６５ｃｍ以下では技術的に困難であった。従って、モバ
イル用途の記録再生装置では、ＳＨＧ素子ユニットが利
用できず、高容量化も困難であった。

【０００６】４小型のモバイル用途の記録再生装置で
は、光学部品等の小型化は容易であるが、光学信号や、
アクチュエータの駆動用の信号を記録再生装置へ電送す
るＦＰＣ上の信号ライン本数の低減は困難であった。即
ち、記録再生装置自体の小型化が可能でも、ＦＰＣ上の
信号ライン本数の制限により記録再生装置自体の小型化
が制限されていた。また、ＦＰＣ上の信号ライン本数の
制限から、ＦＰＣ自体の湾曲によるアクチュエータに与
える負荷を軽減が困難であった。

【０００７】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであって、組立工数を削減することができ、発光
波長の制御が容易なＳＨＧ素子ユニット及びＳＨＧ素子
ユニットを用いた記録再生装置を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のＳＨＧ素子ユニ
ットは、基本波を発生せしめる半導体レーザと、基本波
をＳＨＧ素子へ入射せしめる入射手段と、基本波を第２
高調波に変換せしめるＳＨＧ素子と、第２高調波をディ
スクに出射せしめる或いはディスクからの反射を入射せ
しめる光集積素子と、光集積素子から出射される第２高
調波を検出する第１光検出手段と、光集積素子から出射
される第２高調波をディスクに集光せしめる集光手段
と、ディスクから反射され光集積素子から出射された光
を検出する第２光検出手段と、半導体レーザと入射手段
とＳＨＧ素子と光集積素子と出射光検出手段と第１光検
出手段と集光手段と第２光検出手段とを保持する光学ベ
ースと、半導体レーザと入射手段とＳＨＧ素子と光集積
素子と出射光検出手段と第１光検出手段と集光手段と第
２光検出手段とを外気より保護するキャンからなること
を特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００１０】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるＳＨＧ素子ユニットの分解斜視図である。
光学ベース１０１には半導体レーザ１１０を位置決めす
るための半導体レーザ位置決め突起１０２、半導体レー
ザ集光レンズ１２０を位置決めするための半導体レーザ
集光レンズ位置決め溝１０３、ＳＨＧ素子１３０を位置
決めするためのＳＨＧ素子位置決め段差１０４とＳＨＧ
素子位置決め突起１０５、光電変換集積回路（以下ＯＥ
ＩＣと呼ぶ）１５０を位置決めするＯＥＩＣ位置決め凹
部１０７、フロントモニタ１８０と光集積素子１４０を
位置決めするフロントモニタ位置決め突起１０８が設置
されている。これらの光学部品を外気から保護するため
にキャン１０６が光学ベース１０１に固定される。本実
施の形態では上記光学部品が配置された光学ベース１０
１にキャン１０６にて封止した組立体をＳＨＧ素子ユニ
ット１００と呼ぶこととする。

【００１１】次に光路について図２と図３を用いて説明
する。図２は本発明の実施の形態１におけるＳＨＧ素子
ユニットを説明する光往路図である。半導体レーザ１１
０より出社される基本波２００は半導体レーザ集光レン
ズ１２０にて集光され集光基本波２０１としてＳＨＧ素
子１３０へ入射される。

【００１２】集光基本波２０１はＳＨＧ素子１３０にて
第２高調波２０２が出射される。第２高調波２０２は光
集積素子１４０内の反射層１４１、１４２にて光集積素
子１４０内部を反射後、光集積素子１４０から光集積出
射光２０４として出射される。また光集積素子１４０内
部を通過する第２高調波２０２の一部は透過光２０５と
して、光集積素子１４０からフロントモニタ１８０へ出
射される。

【００１３】以上が実施の形態１におけるＳＨＧ素子ユ
ニット１００を説明する光往路であるが、ＳＨＧ素子ユ
ニット１００から出射された後の光の往路についてもこ
こで述べておく。具体的な部品の配置等の詳細は実施の
形態２にて後述する。光集積出射光２０４はコリーメタ
レンズ１７０にて平行光束２０６へ変換され、対物レン
ズ１９５に入射される。平行光束２０６は対物レンズ１
９５にて集光され集光束２０７としてディスク５２０へ
集光される。図３は本発明の実施の形態１におけるＳＨ
Ｇ素子ユニットを説明する光復路図である。ディスク５
２０から反射された反射光２１０は対物レンズ１９５、
コリーメタレンズ１７０を透過後、光集積素子１４０へ
反射光２１３として入射される。

【００１４】反射光２１３は光集積素子１４０の反射層
１４２に形成された第1のビームスピリッタ１４７にて
透過され反射層１４３にて反射後、反射層１４２に形成
された非点収差ホログラム１４９に入射され、ＯＥＩＣ
１５０上に成形されたＯＥＩＣ制御部１５１へ入射光２
１６として入射される。また、反射光２１３は光集積素
子１４０の反射層１４２に形成された第１のビームスピ
リッタ１４７にて透過された光２１４の一部は反射層１
４３に成形された第２のビームスピリッタ１４８にてさ
らに透過光２１７として反射層１４５、１４６を透過、
偏向後、透過光２１８、偏向光２１９としてＯＥＩＣ１
５０上に形成されたＯＥＩＣデータ部１５２へ入射され
る。

【００１５】以上述べたように本発明のＳＨＧ素子ユニ
ット１００は、容易に高精度にて調整、配置、固定でき
るため、低コストにてＳＨＧ素子ユニット１００が実現
可能となる。なお、実施の形態１では記録再生装置に用
いるＯＥＩＣ１５０、光集積素子１４０、フロントモニ
タ１８０等を光学ベース１０１に搭載しているが、これ
らの光学部品がないＳＨＧ素子ユニットであっても、本
発明の効果が期待できることを付記しておく。さらに、
光学ベース１０１上に直接ＳＨＧ素子１３０やＯＥＩＣ
１５０等をプロセス成形すると、より容易、かつより高
精度にて調整、配置、固定できるため、さらなる低コス
トにてＳＨＧ素子ユニット１００が実現可能となる。

【００１６】（実施の形態２）図４は本発明の実施の形
態２におけるＳＨＧ素子ユニットと光学ユニットの分解
斜視図である。実施の形態１との違いはＳＨＧ素子ユニ
ット１００に、光学ユニット３００を付加した点であ
る。以下光学ユニット３００について説明する。コリー
メタレンズ１７０はコリーメタレンズホルダ１７１へ接
着固定されており、コリーメタレンズホルダ１７１は光
学ベース１０１へ設置される。圧電素子ＰＲ１９１、圧
電素子ＴＴ１９２、圧電素子ＲＬ１９３、圧電素子ＴＢ
１９４からなる対物レンズホルダ１９０はコリーメタレ
ンズホルダ１７１に配設されている。

【００１７】また、対物レンズ１９５は対物レンズホル
ダ１９０を介してコリーメタレンズホルダ１７１に接着
固定してある。本実施の形態では、コリーメタレンズホ
ルダ１７１と、キャン１０６にて、光学ベース１０１に
固定され、半導体レーザ１１０、ＳＨＧ素子１３０、光
集積素子１４０等の光学部品を外気から保護している。

【００１８】図５は本発明の実施の形態２におけるＳＨ
Ｇ素子ユニットと光学ユニットの斜視図である。図５に
おいて、内部構造が理解しやすいように、キャン１０６
を取り除いている。圧電素子ＰＲ１９１、圧電素子ＴＴ
１９２、圧電素子ＲＬ１９３、圧電素子ＴＢ１９４から
なる対物レンズホルダ１９０には各圧電素子に同一の電
圧を印加することにより、対物レンズ１９５の焦点方向
の位置決めを容易に実現している。

【００１９】図６は本発明の実施の形態２におけるアク
チュエータの分解斜視図である。アクチュエータ４００
は以下の構成部品からなる。アーム４０１はＳＨＧ素子
ユニット１００と光学ユニット３００の組立体を平面方
向に位置決め可能なユニット受端面４０３、ユニット受
溝４０４を有し、また、高さ方向を規制するユニット受
面４０２を有し、ＳＨＧ素子ユニット１００と光学ユニ
ット３００の組立体をアーム４０１へ取り付け可能とな
っている。また、アーム４０１はアーム４０１を回動さ
せるピボット軸４２０が取り付け可能なピボット開口部
４０５と、アーム４０１を駆動するためのコイル４１０
を取り付け可能にするコイル受面４０６とを有してい
る。

【００２０】以上述べたように本発明のＳＨＧ素子ユニ
ット１００は記録再生装置の光信号検出部品である光集
積素子１４０、ＯＥＩＣ１５０等を含む光学ベース１０
１を放熱材としているため、半導体レーザ１１０の放熱
効果が向上し、微小温度変化に対する発光波長の変化量
が従来のＳＨＧ素子ユニットよりも激減するため、半導
体レーザの波長制御が遥かに容易となる。

【００２１】さらに、ＳＨＧ素子ユニット１００と光学
ユニット３００とを一体化することにより、半導体レー
ザ１１０の放熱効率の良いサブアセンブリを提供するこ
とが可能となる。また、ＳＨＧ素子ユニット１００と光
学ユニットとを一体化することにより、ハンドリングの
容易なサブアセンブリを提供することが可能となる。Ｓ
ＨＧ素子ユニット１００と光学ユニット３００を一体化
し、かつこのサブアセンブリをアーム４０１へ組み込む
ことにより、更なる半導体レーザ１１０の放熱効果向上
が見込めるため、半導体レーザの波長制御がより容易と
なる。このとき、光学ベース１０１とアーム４０１との
材質は同一、あるいは、熱の伝導率が略同一な材質であ
ることが望ましいが、特に光学ベース１０１とアーム４
０１との材質を制限するものではない。さらに、光学ベ
ース１０１上に直接ＳＨＧ素子１３０やＯＥＩＣ１５０
等をプロセス成形すると、より容易、かつより高精度に
て調整、配置、固定できるため、さらなる低コストにて
ＳＨＧ素子ユニット１００が実現可能となる。

【００２２】（実施の形態３）図７は本発明の実施の形
態３における記録再生装置の分解斜視図である。本実施
の形態では先に実施の形態２にて述べたアクチュエータ
４００を実際に記録再生装置へ組み込んだものを開示し
ている。ベース５０１にはディスク５２０を回転させる
スピンドルモータ（以後ＳＰＭと呼称する）５１０が固
定されている。更に、ベース５０１には、アクチュエー
タ４００、アクチュエータ４００の揺動角度を規制する
スタッド４３０、アクチュエータ４００からの電気信号
を記録再生装置の基板へ電送するフレクシブル・プリン
ト・サーキット・コネクタ４８０（以後ＦＰＣコネクタ
と呼称する）が固定されている。

【００２３】また、アクチュエータ４００が暴走時にス
タッド４３０との衝撃を緩和するダンパ４４０がスタッ
ド４３０に固定されている。磁石４５０が固定された上
ヨーク４６０がスタッド４３０を介してベース５０１に
固定されており、ベース５０１、磁石４５０、上ヨーク
４６０にてボイスコイルモータの磁気回路を形成してい
る。ＦＰＣ４７０を介してアクチュエータ４００上のコ
イル４１０に電流を流すことにより、ボイスコイルモー
タの磁気回路内にアクチュエータ４００を揺動させるロ
ーレンツ力を得ることができる。

【００２４】光学ユニット３００やＳＨＧ素子ユニット
１００との電気的結合はＦＰＣ４７０上へワイヤボンデ
ィングや半田付け等により行われる。またＦＰＣ４７０
とＦＰＣコネクタ４８０との電気的結合はＦＰＣコネク
タ４８０を直接ＦＰＣ４７０へ半田付けしても良いし、
ＦＰＣ４７０をＦＰＣコネクタ４８０へ挿抜可能として
も良い。

【００２５】図８は本発明の実施の形態３における記録
再生装置の斜視図である。ベース５０１にはアクチュエ
ータ４００や、ＳＰＭ５１０を制御する集積回路を有す
る基板５３０が取り付け可能となっており、基板５３０
にはコンピュータ等のインターフェースとなるシステム
コネクタ５４０を有している。図８において、内部構造
が容易に理解できるように、記録装置自体のカバーはあ
えて図示していない。本実施の形態では、ディスク５２
０がＳＰＭ５１０に固定式であるとか、取り替え可能で
あるかとかの制限は受けないことを付記しておく。ちな
みに、本実施の形態では、システムコネクタ５４０にＰ
ＣＭＣＩＡを採用し、図８に示す記録装置全体（図示し
ていないカバーを含む）にて、ＰＣＭＣＩＡのタイプ２
のフォームファクタ（５４ｍｍ×８５ｍｍ×５５ｍｍ）
内に収納している。

【００２６】以上述べたように、本発明のＳＨＧ素子ユ
ニットを用いた記録再生装置では、従来のアクチュエー
タ・アームではデッドスペースであった領域に本発明の
ＳＨＧ素子ユニットを配置することにより、記録再生装
置に容易に利用可能となる。特に記録媒体であるディス
クの直径が６５ｃｍ以下であっても、本発明のＳＨＧ素
子ユニットを用いたアクチュエータ・アームを記録再生
装置に適応することにより、モバイル用途の記録再生装
置での高容量化が達成可能である。

【００２７】（実施の形態４）図９は本発明の実施の形
態４におけるアクチュエータの分解斜視図である。図１
〜図６までの実施の形態１、及び実施の形態２で示した
実施の形態との違いは、光学ベースの変りにＳＨＧアー
ム６０１を採用し、ＳＨＧアーム６０１上に半導体レー
ザ６１０、ＳＨＧ素子６３０、光集積素子６４０、ＯＥ
Ｉ６５０等の光学部品をキャン６０６にて気密封止して
いる点である。また、半導体レーザ６１０とＳＨＧ素子
６３０は集光レンズを用いない光直接結合とし、光集積
素子６４０から対物レンズ６９５へはコリーメタレンズ
を用いず、有限系の光学系としている。

【００２８】図１０は本発明の実施の形態４におけるＯ
ＥＩＣの平面図である。ＯＥＩＣ６５０上にはＯＥＩＣ
制御部６５１、ＯＥＩＣデータ部６５２とともにＯＥＩ
Ｃフロントモニタ部６５３が形成されている。図９にお
いて、対物レンズ６９５の焦点方向の位置制御に圧電素
子６９１、６９２、６９３、６９４を用いているが、従
来の光ディスク装置にて利用されている４本ワイヤサス
ペンション方式や、軸摺動方式のレンズホルダにて、フ
ォーカス制御を行っても良い。

【００２９】以上述べたように、本発明のＳＨＧ素子ユ
ニットは、容易に高精度にて調整、配置、固定できるた
め、低コストにてＳＨＧ素子ユニットが実現可能とな
る。さらに、本発明のＳＨＧ素子ユニットは放熱用のス
ペースとして、アクチュエータ・アームを利用している
ため、半導体レーザの放熱効果が向上し、微小温度変化
に対する発光波長の変化量が従来のＳＨＧ素子ユニット
よりも激減するため、半導体レーザの波長制御が遥かに
容易となる。

【００３０】さらに、本発明のＳＨＧ素子ユニットを用
いた記録再生装置では、従来のアクチュエータ・アーム
ではデッドスペースであった領域に本発明のＳＨＧ素子
ユニットを配置することにより、記録再生装置に容易に
利用可能となる。特に記録媒体であるディスクの直径が
６５ｃｍ以下であっても、本発明のＳＨＧ素子ユニット
を用いたアクチュエータ・アームを記録再生装置に適応
することにより、モバイル用途の記録再生装置での高容
量化が達成可能である。

【００３１】（実施の形態５）図１１は本発明の実施の
形態５における記録再生装置の平面図である。図７、図
８にて先に示した実施の形態３と本実施の形態との違い
は、バタフライＦＰＣ７７０である。バタフライＦＰＣ
７７０を詳しく説明するために図１２を用いて説明す
る。図１２は本発明の実施の形態５におけるバタフライ
ＦＰＣの展開図である。図１２において、バタフライＦ
ＰＣ７７０は駆動用ＦＰＣ部７７４と光学信号検出用Ｆ
ＰＣ部７７５からなり、駆動用ＦＰＣ部７７４と光学信
号検出用ＦＰＣ部７７５は略対称形状である。更にバタ
フライＦＰＣ７７０はアクチュエータからの電気信号を
伝送するためにパッド７７２を有し、また、駆動用コネ
クタ７８１、光学信号検出用コネクタ７８０へ各種電気
信号を電送するためのパッド７７１を有している。さら
に駆動用ＦＰＣ部７７４にはアクチュエータを揺動する
ためのコイル用パッド７７３も有している。ＳＨＧ素子
ユニットを小型・薄型化しても、ＦＰＣにて記録再生装
置まで電送しなければならない信号ラインの本数は１０
本から２０本必要であるため、図１２に示すように信号
の種類により、信号ラインを分割することにより、アク
チュエータ駆動時に発生する駆動系の大きな電流のため
に、光信号検出用の微小電流への悪影響を皆無にでき
る。

【００３２】図１３は本発明の実施の形態５におけるバ
タフライＦＰＣの外力分布図である。図１３において縦
軸にＦＰＣに加わる力、横軸にアクチュエータの位置を
とり、外周から内周へアクチュエータを揺動させたとき
のＦＰＣの外力分布である。従来のＦＰＣと比較し本発
明のバタフライＦＰＣの外力分布は遥かに小さくなって
おり、本発明の効果が大きいことを示している。従来の
ＦＰＣと本発明のバタフライＦＰＣとの比較をするにあ
たり、本発明のバタフライＦＰＣの幅ａ（図１２参照の
こと）としたとき、従来のＦＰＣの幅を２ａとし、両者
のＦＰＣの銅箔の厚み、レジストの厚み等は同一として
いる。

【００３３】以上述べたように、本発明の記録再生装置
では、本発明のバタフライＦＰＣを利用することによ
り、記録再生装置の小型化が達成可能なばかりでなく、
ＦＰＣ自体の湾曲によるアクチュエータに与える負荷を
大きく軽減できることも容易に実現可能である。さらに
バタフライＦＰＣ上に配線してある信号の信頼性が向上
可能であると言う３重の効果がある。本発明のバタフラ
イＦＰＣは本実施の形態にて先述したＳＨＧ素子ユニッ
トの適用ばかりでなく、他の磁気ディスク装置や光ディ
スク装置にても適用可能である。

【００３４】（実施の形態６）図１４は本発明の実施の
形態６におけるフローチャートである。アクチュエータ
４００にディスク５２０の傾き量検出手段を持たせた場
合、前述した図４においてディスク５２０の傾き量を補
正するように各圧電素子（圧電素子ＰＲ１９１、圧電素
子ＴＴ１９２、圧電素子ＲＬ１９３、圧電素子ＴＢ１９
４）へ適量のオフセット電圧を印加する。これらオフセ
ット電圧を保ちながら、焦点方向の位置決めをバイアス
電圧にて制御する。図１４において、先ず対物レンズを
ディスク上にフォーカスさせ（８０１〜８０２）、対物
レンズに対するディスクの傾き量を検出する検出手段８
０３にて、傾き量を検出する。

【００３５】次に検出された傾き量に応じて圧電素子Ｐ
Ｒ１９１、圧電素子ＴＴ１９２、圧電素子ＲＬ１９３、
圧電素子ＴＢ１９４へ適量の電圧を印可する傾き補正手
段８０４へすすむ。再度焦点位置決め手段８０５にてデ
ィスク上にフォーカスさせ、先に補正した傾き量補正手
段８０４にて補正した値が適切かどうか判断する（８０
７）。以上に述べたような、制御方式を用いることによ
り、より信頼性の高い記録再生装置が提供できる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、１本発明のＳＨＧ素子ユニットは、容易に高精度にて
調整、配置、固定できるため、低コストにてＳＨＧ素子
ユニットが実現可能となる。

【００３７】２本発明のＳＨＧ素子ユニットは放熱用
のスペースとして、アクチュエータ・アームを利用して
いるため、半導体レーザの放熱効果が向上し、微小温度
変化に対する発光波長の変化量が従来のＳＨＧ素子ユニ
ットよりも激減するため、半導体レーザの波長制御が遥
かに容易となる。

【００３８】３本発明のＳＨＧ素子ユニットを用いた
記録再生装置では、従来のアクチュエータ・アームでは
デッドスペースであった領域に本発明のＳＨＧ素子ユニ
ットを配置することにより、記録再生装置に容易に利用
可能となる。特に記録媒体であるディスクの直径が６５
ｃｍ以下であっても、本発明のＳＨＧ素子ユニットを用
いたアクチュエータ・アームを記録再生装置に適応する
ことにより、モバイル用途の記録再生装置での高容量化
が達成可能である。

【００３９】４本発明の記録再生装置では、本発明の
バタフライＦＰＣを利用することにより、記録再生装置
の小型化が達成可能なばかりでなく、ＦＰＣ自体の湾曲
によるアクチュエータに与える負荷を大きく軽減できる
ことも容易に実現可能である。さらにバタフライＦＰＣ
上に配線してある信号の信頼性が向上可能であると言う
３重の効果がある。本発明のバタフライＦＰＣは本実施
の形態にて先述したＳＨＧ素子ユニットの適用ばかりで
なく、他の小型磁気ディスク装置や光ディスク装置にて
も適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるＳＨＧ素子ユニ
ットの分解斜視図

【図２】本発明の実施の形態１におけるＳＨＧ素子ユニ
ットを説明する光往路図

【図３】本発明の実施の形態１におけるＳＨＧ素子ユニ
ットを説明する光復路図

【図４】本発明の実施の形態２におけるＳＨＧ素子ユニ
ットと光学ユニットの分解斜視図

【図５】本発明の実施の形態２におけるＳＨＧ素子ユニ
ットと光学ユニットの斜視図

【図６】本発明の実施の形態２におけるアクチュエータ
の分解斜視図

【図７】本発明の実施の形態３における記録再生装置の
分解斜視図

【図８】本発明の実施の形態３における記録再生装置の
斜視図

【図９】本発明の実施の形態４におけるアクチュエータ
の分解斜視図

【図１０】本発明の実施の形態４におけるＯＥＩＣの平
面図

【図１１】本発明の実施の形態５における記録再生装置
の平面図

【図１２】本発明の実施の形態５におけるバタフライＦ
ＰＣの展開図

【図１３】本発明の実施の形態５におけるバタフライＦ
ＰＣの外力分布図

【図１４】本発明の実施の形態６におけるフローチャー
ト

【図１５】従来のＳＨＧ素子ユニットの断面図

【符号の説明】

３ＳＨＧ素子５半導体レーザ４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１００ＳＨＧ素子ユニット１０１光学ベース１０２半導体レーザ位置決め突起１０３半導体レーザ集光レンズ位置決め溝１０４ＳＨＧ素子位置決め段差１０５ＳＨＧ素子位置決め突起１０６キャン１０７ＯＥＩＣ位置決め凹部１０８フロントモニタ位置決め突起１１０半導体レーザ１２０半導体レーザ集光レンズ１３０ＳＨＧ素子１４０光集積素子１４１反射層１４２、１４３反射層１４５、１４６反射層１４７第1のビームスピリッタ１４８第２のビームスピリッタ１４９非点収差ホログラム１５０ＯＥＩＣ１５１ＯＥＩＣ制御部１５２ＯＥＩＣデータ部１７０コリーメタレンズ１７１コリーメタレンズホルダ１８０フロントモニタ１９０対物レンズホルダ１９１圧電素子ＰＲ１９２圧電素子ＴＴ１９３圧電素子ＲＬ１９４圧電素子ＴＢ１９５対物レンズ２００基本波２０１集光基本波２０２第２高調波２０４光集積出射光２０５透過光２０６平行光束２０７集光束２１０反射光２１３反射光２１４透過された光２１６入射光２１７透過光２１８透過光２１９偏向光３００光学ユニット４００アクチュエータ４０１アーム４０２ユニット受面４０３ユニット受端面４０４ユニット受溝４０５ピボット開口部４０６コイル受面４１０コイル４２０ピボット軸４３０スタッド４４０ダンパ４５０磁石４６０上ヨーク４７０ＦＰＣ４８０ＦＰＣコネクタ５０１ベース５１０ＳＰＭ５２０ディスク５３０基板５４０システムコネクタ６０１ＳＨＧアーム６０６キャン６１０半導体レーザ６３０ＳＨＧ素子６４０光集積素子６５０ＯＥＩＣ６５１ＯＥＩＣ制御部６５２ＯＥＩＣデータ部６５３ＯＥＩＣフロントモニタ部６９１、６９２、６９３、６９４圧電素子７７０バタフライＦＰＣ７７１７７２パッド７７３コイル用パッド７７４駆動用ＦＰＣ部７７５光学信号検出用ＦＰＣ部８０１〜８０２対物レンズをディスク上にフォーカス８０３傾き量検出手段８０４傾き補正手段８０５〜８０６対物レンズをディスク上にフォーカス８０７補正値の判断

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/125 Ｇ１１Ｂ 7/125 Ａ５Ｄ１１９ 7/135 7/135 Ａ５Ｆ０７３ 21/02 ６０１ 21/02 ６０１ＥＨ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｆターム(参考） 2K002 AA05 AB12 EA22 EA24 EA25 EA30 HA20 5D068 AA02 BB01 GG30 5D090 AA01 CC16 FF11 KK06 5D117 AA02 CC07 HH01 KK08 KK18 5D118 AA13 BA01 CD02 CD03 CD04 5D119 AA38 BA01 FA01 FA05 HA63 KA04 5F073 AB23 AB27 BA06 FA23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基本波を発生せしめる半導体レーザと、基
本波をＳＨＧ素子へ入射せしめる入射手段と、基本波を
第２高調波に変換せしめる前記ＳＨＧ素子と、前記半導
体レーザと前記入射手段と前記ＳＨＧ素子とを保持する
光学ベースと、前記半導体レーザと前記入射手段と前記
ＳＨＧ素子とを外気より保護するキャンからなるＳＨＧ
素子ユニットにおいて、前記光学ベースが前記ＳＨＧ素
子を位置決めするＳＨＧ素子位置決め手段を有すること
を特徴とするＳＨＧ素子ユニット。
【請求項２】前記ＳＨＧ素子位置決め手段が前記光学ベ
ースへ直接成形されていることを特徴とする請求項１に
記載の記録再生装置。
【請求項３】基本波を発生せしめる半導体レーザと、基
本波をＳＨＧ素子へ入射せしめる入射手段と、基本波を
第２高調波に変換せしめる前記ＳＨＧ素子と、前記第２
高調波をディスクに出射せしめる或いは前記ディスクか
らの反射を入射せしめる光集積素子と、前記光集積素子
から出射される前記第２高調波を検出する第１光検出手
段と、前記光集積素子から出射される前記第２高調波を
前記ディスクに集光せしめる集光手段と、前記ディスク
から反射され前記光集積素子から出射された光を検出す
る第２光検出手段と、前記半導体レーザと前記入射手段
と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記出射光検出手
段と前記第１光検出手段と前記集光手段と前記第２光検
出手段とを保持する光学ベースと、前記半導体レーザと
前記入射手段と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記
出射光検出手段と前記第１光検出手段と前記集光手段と
前記第２光検出手段とを外気より保護するキャンからな
ることを特徴とするＳＨＧ素子ユニット。
【請求項４】前記ＳＨＧ素子が前記光学ベースへ直接成
形されているＳＨＧ素子位置決め手段を有することを特
徴とする請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項５】前記第２光検出手段が前記光学ベースへ直
接成形されている第２光検出位置決め手段を有すること
を特徴とする請求項３、及び４に記載の記録再生装置。
【請求項６】前記第１光検出手段が前記光学ベースへ直
接成形されている第１光検出位置決め手段を有すること
を特徴とする請求項３、４、及び５に記載の記録再生装
置。
【請求項７】基本波を発生せしめる半導体レーザと、基
本波をＳＨＧ素子へ入射せしめる入射手段と、基本波を
第２高調波に変換せしめる前記ＳＨＧ素子と、前記第２
高調波をディスクに出射せしめる或いは前記ディスクか
らの反射を入射せしめる光集積素子と、前記光集積素子
から出射される前記第２高調波を検出する第１光検出手
段と、前記光集積素子から出射される前記第２高調波を
前記ディスクに集光せしめる集光手段と、前記ディスク
から反射され前記光集積素子から出射された光を検出す
る第２光検出手段と、前記半導体レーザと前記入射手段
と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記出射光検出手
段と前記第１光検出手段と前記集光手段と前記第２光検
出手段とを保持する光学ベースと、前記半導体レーザと
前記入射手段と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記
出射光検出手段と前記第１光検出手段と前記集光手段と
前記第２光検出手段とを外気より保護するキャンからな
るＳＨＧ素子ユニットと、前記ＳＨＧ素子ユニットを支
持固定するアームと、前記ＳＨＧ素子ユニットと前記ア
ームとを位置決めするＳＨＧ素子ユニット位置決め手段
と、前記アームを回動せしめる回動手段と、前記アーム
を駆動せしめる駆動手段とを有することを特徴とするア
クチュエータ。
【請求項８】前記アームが前記半導体レーザと前記入射
手段と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記出射光検
出手段と前記第１光検出手段と前記集光手段と前記第２
光検出手段とを保持する保持手段を有することを特徴と
する請求項３に記載のアクチュエータ。
【請求項９】基本波を発生せしめる半導体レーザと、基
本波をＳＨＧ素子へ入射せしめる入射手段と、基本波を
第２高調波に変換せしめる前記ＳＨＧ素子と、前記第２
高調波をディスクに出射せしめる或いは前記ディスクか
らの反射を入射せしめる光集積素子と、前記光集積素子
から出射される前記第２高調波を検出する第１光検出手
段と、前記光集積素子から出射される前記第２高調波を
前記ディスクに集光せしめる集光手段と、前記ディスク
から反射され前記光集積素子から出射された光を検出す
る第２光検出手段と、前記半導体レーザと前記入射手段
と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記出射光検出手
段と前記第１光検出手段と前記集光手段と前記第２光検
出手段とを保持する光学ベースと、前記半導体レーザと
前記入射手段と前記ＳＨＧ素子と前記光集積素子と前記
出射光検出手段と前記第１光検出手段と前記集光手段と
前記第２光検出手段とを外気より保護するキャンからな
るＳＨＧ素子ユニットと、前記ＳＨＧ素子ユニットを支
持固定するアームと、前記ＳＨＧ素子ユニットと前記ア
ームとを位置決めするＳＨＧ素子ユニット位置決め手段
と、前記アームを回動せしめる回動手段と、前記アーム
を駆動せしめる駆動手段とを有する前記アクチュエータ
と、前記ディスクを回動せしめるディスク回動手段と、
前記アクチュエータからの信号を基板へ電送する電送手
段と、前記アクチュエータと前記ディスク回動手段と前
記電送手段を固定するベースと、前記アクチュエータと
前記ディスク回動手段と前記電送手段を保護するカバー
からなることを特徴とする記録再生装置。
【請求項１０】ディスクにデータを録再する録再手段を
有する録再ユニットと、前記録再ユニットを支持固定す
るアームと、前記アームを回動せしめる回動手段と、前
記アームを駆動せしめる駆動手段とを有するアクチュエ
ータと、前記ディスクを回動せしめるディスク回動手段
と、前記アクチュエータからの信号を基板へ電送する電
送手段と、前記アクチュエータと前記ディスク回動手段
と前記電送手段を固定するベースと、前記アクチュエー
タと前記ディスク回動手段と前記電送手段を保護するカ
バーからなる記録再生装置において、前記電送手段とし
てＦＰＣを用い前記ＦＰＣが２方向に伸び略左右対称に
前記ベースに配置されていることを特徴とする記録再生
装置。
【請求項１１】前記ＦＰＣが１枚からなり、かつ前記Ｆ
ＰＣの展開形状が略対称形状であることを特徴とする請
求項１０に記載の記録再生装置。
【請求項１２】前記ＦＰＣが前記アクチュエータを駆動
する駆動信号部分と前記録再ユニットへの入出力信号を
行う録再ユニット入出力信号部分とに分割されているこ
とを特徴とする請求項１０、及び１１に記載の記録再生
装置。
【請求項１３】ディスクにデータを録再する録再手段を
有する録再ユニットと、前記録再ユニットを支持固定す
るアームと、前記アームを回動せしめる回動手段と、前
記アームを駆動せしめる駆動手段とを有するアクチュエ
ータと、前記ディスクを回動せしめるディスク回動手段
と、前記アクチュエータからの信号を基板へ電送する電
送手段と、前記アクチュエータと前記ディスク回動手段
と前記電送手段を固定するベースと、前記アクチュエー
タと前記ディスク回動手段と前記電送手段を保護するカ
バーと、前記録再手段に対物レンズを有し、前記対物レ
ンズを前記ディスクに焦点方向に制御する焦点制御手段
をゆうする記録再生装置において、前記焦点制御手段が
前記ディスクに対する前記対物レンズの傾き量を検出す
る傾き量検出手段と、前記傾き量検出手段にて検出され
た前記検出量を補正する傾き量補正手段を有することを
特徴とする記録再生装置。
【請求項１４】前記傾き量補正手段として複数の圧電素
子を用いたことを特徴とする請求項１３に記載の記録再
生装置。