JP2002228861A - 光導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
光導波路素子及びその製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
- C03C21/005—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions to introduce in the glass such metals or metallic ions as Ag, Cu
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｇイオン交換により、低損失且つ低応力光
導波路を、ガラス基板に安価に安定的に形成できる光導
波路素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスであって、Ｎａ2 Ｏを５〜１３モル％含有
する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをド
ープすることで光導波路が形成されている光導波路素子
である。ここでガラス組成は、ＳｉＯ2 ：６０〜７５モ
ル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜１０モル％、Ｂ2Ｏ3 ：１０〜
２０モル％、Ｎａ2 Ｏ：５〜１３モル％、Ｌｉ2 Ｏ：０
〜１モル％、Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％、Ｓｂ2 Ｏ
3 ：０〜０．５モル％（但しＡｓ2Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：
０．０１〜１モル％）とするのが好ましい。
導波路を、ガラス基板に安価に安定的に形成できる光導
波路素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスであって、Ｎａ2 Ｏを５〜１３モル％含有
する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをド
ープすることで光導波路が形成されている光導波路素子
である。ここでガラス組成は、ＳｉＯ2 ：６０〜７５モ
ル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜１０モル％、Ｂ2Ｏ3 ：１０〜
２０モル％、Ｎａ2 Ｏ：５〜１３モル％、Ｌｉ2 Ｏ：０
〜１モル％、Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％、Ｓｂ2 Ｏ
3 ：０〜０．５モル％（但しＡｓ2Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：
０．０１〜１モル％）とするのが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス材料に、イ
オン交換法でＡｇをドープすることにより光導波路を形
成した光導波路素子及びその製造方法に関するものであ
る。
オン交換法でＡｇをドープすることにより光導波路を形
成した光導波路素子及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光導波路素子及びその製造方法として、
イオン交換法によって、ガラス基板に光導波路を形成す
る技術は、従来公知である。Ａｇイオンを使用し、ガラ
ス材料中のＮａイオンとイオン交換にする技術も、既に
報告されている。
イオン交換法によって、ガラス基板に光導波路を形成す
る技術は、従来公知である。Ａｇイオンを使用し、ガラ
ス材料中のＮａイオンとイオン交換にする技術も、既に
報告されている。
【０００３】Ａｇ−Ｎａイオン交換は、屈折率変化量が
大きく、複屈折性の低い光導波路が形成できるばかりで
なく、交換速度が大きく生産性に優れている利点があ
る。しかし、Ｎａイオン以外のアルカリ金属イオンとの
イオン交換による複屈折性の発生、Ａｇコロイド化によ
る着色及び吸収等の問題が指摘されている。
大きく、複屈折性の低い光導波路が形成できるばかりで
なく、交換速度が大きく生産性に優れている利点があ
る。しかし、Ｎａイオン以外のアルカリ金属イオンとの
イオン交換による複屈折性の発生、Ａｇコロイド化によ
る着色及び吸収等の問題が指摘されている。
【０００４】そこで、Ａｇイオン交換によって低損失、
低応力光導波路を形成するために、ガラス材料としてＦ
（フッ素）置換ガラスや非架橋酸素の少ないガラスの使
用（特開平４−２１９３４１号参照）が提案されてい
る。
低応力光導波路を形成するために、ガラス材料としてＦ
（フッ素）置換ガラスや非架橋酸素の少ないガラスの使
用（特開平４−２１９３４１号参照）が提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｆ置換ガラスは、ガラ
ス溶解の低温化、屈折率の低下を実現できるという利点
がある反面、揮発性の高いフッ素による屈折率の不均一
性が顕著であり、ガラスの生産性が悪く（低収率）、基
板（ウエハ）を大口径化し難い点が問題となっている。
ス溶解の低温化、屈折率の低下を実現できるという利点
がある反面、揮発性の高いフッ素による屈折率の不均一
性が顕著であり、ガラスの生産性が悪く（低収率）、基
板（ウエハ）を大口径化し難い点が問題となっている。
【０００６】提案されている非架橋酸素の少ないガラス
は、揮発成分は多くないがアルカリ成分が多く（約２０
モル％以上）、そのために耐候性に劣るばかりでなく、
高屈折率であり、光ファイバとのモードフィールド整合
が困難となる。また、光導波路と光ファイバとの結合部
での反射光量を増大することにもなる。更に、前記特許
公開公報においても、着色性の回避のために、添加物を
入れることが述べられており、それによる屈折率の上昇
が不可避となっている。
は、揮発成分は多くないがアルカリ成分が多く（約２０
モル％以上）、そのために耐候性に劣るばかりでなく、
高屈折率であり、光ファイバとのモードフィールド整合
が困難となる。また、光導波路と光ファイバとの結合部
での反射光量を増大することにもなる。更に、前記特許
公開公報においても、着色性の回避のために、添加物を
入れることが述べられており、それによる屈折率の上昇
が不可避となっている。
【０００７】ところで、実際のイオン交換による光導波
路素子の製造においては、イオン交換速度や埋め込み制
御性を考慮する材料設計が必要である。しかし、これら
については、従来公表されている特許公報あるいは文献
などに十分な記述が無く、着色性、生産性、組成の相関
は解明されていなかった。
路素子の製造においては、イオン交換速度や埋め込み制
御性を考慮する材料設計が必要である。しかし、これら
については、従来公表されている特許公報あるいは文献
などに十分な記述が無く、着色性、生産性、組成の相関
は解明されていなかった。
【０００８】本発明の目的は、Ａｇイオン交換により、
低損失且つ低応力光導波路を、ガラス材料に安価に安定
的に形成することができる光導波路素子及びその製造方
法を提供することである。
低損失且つ低応力光導波路を、ガラス材料に安価に安定
的に形成することができる光導波路素子及びその製造方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ
2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスであって、Ｎａ
2 Ｏを５〜１３モル％含有する多成分系ガラス材料に、
イオン交換によりＡｇをドープすることで光導波路が形
成されている光導波路素子である。
2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスであって、Ｎａ
2 Ｏを５〜１３モル％含有する多成分系ガラス材料に、
イオン交換によりＡｇをドープすることで光導波路が形
成されている光導波路素子である。
【００１０】ここで、多成分系ガラス材料としては、 ＳｉＯ2 ：６０〜７５モル％ Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜２０モル％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜１０モル％ Ｎａ2 Ｏ：５〜１３モル％ Ｌｉ2 Ｏ：０〜１モル％ Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ （但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル
％）からなる組成のものが好ましい。
％）からなる組成のものが好ましい。
【００１１】更に好ましい多成分系ガラス材料の組成と
しては、 ＳｉＯ2 ：６３〜７２モル％ Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜１８モル％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜８モル％ Ｎａ2 Ｏ：７〜１３モル％ Ｌｉ2 Ｏ：０〜１モル％ Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ （但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル
％）とすることである。
しては、 ＳｉＯ2 ：６３〜７２モル％ Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜１８モル％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜８モル％ Ｎａ2 Ｏ：７〜１３モル％ Ｌｉ2 Ｏ：０〜１モル％ Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ （但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル
％）とすることである。
【００１２】ガラス材料は、用途が光通信用である点を
考慮して、波長１２００〜１６５０nmの近赤外線に対す
る屈折率が、１．５０以下であることが望ましい。ま
た、使用するガラス材料は、厚さ５mm以下の基板状とし
て、少なくとも一面が表面粗さＲａが０．００１〜０．
１μｍの鏡面状態であることが望ましい。
考慮して、波長１２００〜１６５０nmの近赤外線に対す
る屈折率が、１．５０以下であることが望ましい。ま
た、使用するガラス材料は、厚さ５mm以下の基板状とし
て、少なくとも一面が表面粗さＲａが０．００１〜０．
１μｍの鏡面状態であることが望ましい。
【００１３】ガラス材料に形成する光導波路は、ガラス
材料の表面に設けてもよいが、ガラス材料内部にＡｇイ
オンドーピング領域を埋め込む構成が好ましい。
材料の表面に設けてもよいが、ガラス材料内部にＡｇイ
オンドーピング領域を埋め込む構成が好ましい。
【００１４】上記のような光導波路素子を製造するに際
して、Ａｇイオンのイオン交換は、例えば２００〜３５
０℃で、Ａｇイオンを含有する処理浴で行う。
して、Ａｇイオンのイオン交換は、例えば２００〜３５
０℃で、Ａｇイオンを含有する処理浴で行う。
【００１５】
【発明の実施の形態】ガラス材料に光導波路を形成する
ためには、 （１）単一モード導波に十分な屈折率変化 （２）低複屈折性 （３）低吸収特性 （４）優れた耐候性 （５）高生産性（ガラスウエハの収率、光導波路形成条
件） （６）光ファイバとの低損失接続（光ファイバとのモー
ドフィールド整合）が非常に重要となる。なお、上記
（５）の高生産性はイオン交換速度が関係し、 （６）の低損失接続性は屈折率の整合が関係している。
このため、ガラス成分の特徴を活かした組成設計が必要
となる。
ためには、 （１）単一モード導波に十分な屈折率変化 （２）低複屈折性 （３）低吸収特性 （４）優れた耐候性 （５）高生産性（ガラスウエハの収率、光導波路形成条
件） （６）光ファイバとの低損失接続（光ファイバとのモー
ドフィールド整合）が非常に重要となる。なお、上記
（５）の高生産性はイオン交換速度が関係し、 （６）の低損失接続性は屈折率の整合が関係している。
このため、ガラス成分の特徴を活かした組成設計が必要
となる。
【００１６】本発明におけるガラスは、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2
Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のガラスである。各成分
の果たす作用は次の如くであり、それに伴い成分比率は
次のように規定するのがよい。ＳｉＯ2 は、ガラス骨格
を形成する主成分であり、低濃度ではガラスが化学的に
不安定で、耐水性や耐酸性などが乏しくなり、高濃度で
は溶融温度が高くなる。そこで、６０〜７５モル％とす
ることが好ましく、より好ましくは６３〜７２モル％と
する。Ｂ2 Ｏ3 は、ガラス骨格を形成すると共に、ガラ
スの溶融温度、成形温度を低下させるため必ず含ませる
必要がある。低濃度では溶融温度低下の効果が乏しくな
り、高濃度では溶融、成形時に揮発しやすく、組成変動
によって脈理や失透などの欠陥が生じやすくなる。そこ
で、１０〜２０モル％とすることが好ましく、より好ま
しくは１０〜１８モル％とする。Ａｌ2 Ｏ3 は、ガラス
を化学的に安定にすると共に、イオン交換を促進する。
低濃度ではイオン交換促進の効果が小さく、高濃度では
ガラスの溶融温度が高くなり、且つガラスも失透しやす
くなる。そこで、２〜１０モル％とすることが好まし
く、より好ましくは２〜８モル％とする。Ｎａ2 Ｏは、
Ａｇイオンと交換してガラスに屈折率変化を生じさせる
ために一定量以上の濃度が必要である。しかし、高濃度
にするとガラスの耐久性が低下する（ガラス化し難くな
る）し、屈折率が大きくなるため、できるだけ少なくす
る。そこで、５〜１３モル％とすることが好ましく、よ
り好ましくは７〜１３モル％とする。Ｌｉ2 Ｏは、ガラ
スの溶融性（成形性）を向上させるが高価である。また
高濃度にしても溶融性向上の効果は少ないし、Ａｇイオ
ンとの交換が生じる。そこで、１モル％以下とすること
が好ましく、含まれていなくてもよい。
Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のガラスである。各成分
の果たす作用は次の如くであり、それに伴い成分比率は
次のように規定するのがよい。ＳｉＯ2 は、ガラス骨格
を形成する主成分であり、低濃度ではガラスが化学的に
不安定で、耐水性や耐酸性などが乏しくなり、高濃度で
は溶融温度が高くなる。そこで、６０〜７５モル％とす
ることが好ましく、より好ましくは６３〜７２モル％と
する。Ｂ2 Ｏ3 は、ガラス骨格を形成すると共に、ガラ
スの溶融温度、成形温度を低下させるため必ず含ませる
必要がある。低濃度では溶融温度低下の効果が乏しくな
り、高濃度では溶融、成形時に揮発しやすく、組成変動
によって脈理や失透などの欠陥が生じやすくなる。そこ
で、１０〜２０モル％とすることが好ましく、より好ま
しくは１０〜１８モル％とする。Ａｌ2 Ｏ3 は、ガラス
を化学的に安定にすると共に、イオン交換を促進する。
低濃度ではイオン交換促進の効果が小さく、高濃度では
ガラスの溶融温度が高くなり、且つガラスも失透しやす
くなる。そこで、２〜１０モル％とすることが好まし
く、より好ましくは２〜８モル％とする。Ｎａ2 Ｏは、
Ａｇイオンと交換してガラスに屈折率変化を生じさせる
ために一定量以上の濃度が必要である。しかし、高濃度
にするとガラスの耐久性が低下する（ガラス化し難くな
る）し、屈折率が大きくなるため、できるだけ少なくす
る。そこで、５〜１３モル％とすることが好ましく、よ
り好ましくは７〜１３モル％とする。Ｌｉ2 Ｏは、ガラ
スの溶融性（成形性）を向上させるが高価である。また
高濃度にしても溶融性向上の効果は少ないし、Ａｇイオ
ンとの交換が生じる。そこで、１モル％以下とすること
が好ましく、含まれていなくてもよい。
【００１７】以上の基本成分の他に、本発明の主旨を損
なわない範囲で、清澄剤などを添加しても構わない。例
えば、 Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ 但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル％ 添加する。これらは、気泡を抜きやすくする作用（脱泡
機能）を果たす。
なわない範囲で、清澄剤などを添加しても構わない。例
えば、 Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ 但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル％ 添加する。これらは、気泡を抜きやすくする作用（脱泡
機能）を果たす。
【００１８】ところで前記のように、光導波路素子では
低複屈折性を実現することが必要であるが、そのために
はＡｇイオンとの交換により応力を生じるＮａイオン以
外のアルカリ金属イオンを抑制することが重要である。
そこで本発明では、Ｋイオンはガラス成分として含有さ
せていない。
低複屈折性を実現することが必要であるが、そのために
はＡｇイオンとの交換により応力を生じるＮａイオン以
外のアルカリ金属イオンを抑制することが重要である。
そこで本発明では、Ｋイオンはガラス成分として含有さ
せていない。
【００１９】
【実施例】表１に示すような種々の組成のガラス材料で
基板を試作し、イオン交換処理した後、必要な測定を行
った。
基板を試作し、イオン交換処理した後、必要な測定を行
った。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１の組成となるようにガラス原料を調合
し、白金るつぼ内で溶融し、成形後徐冷して試料を作製
した。ウエハ基板状に加工した後、試料ガラス基板を３
モル％硝酸銀（ＡｇＮＯ3 ）溶融塩（温度：２８０℃）
に５時間浸漬してイオン交換した後、イオン交換速度、
屈折率変化、着色特性（吸収特性）、及び複屈折性を評
価した。また、基板ガラスの屈折率とガラスの均質化に
必要な溶融温度も測定した。
し、白金るつぼ内で溶融し、成形後徐冷して試料を作製
した。ウエハ基板状に加工した後、試料ガラス基板を３
モル％硝酸銀（ＡｇＮＯ3 ）溶融塩（温度：２８０℃）
に５時間浸漬してイオン交換した後、イオン交換速度、
屈折率変化、着色特性（吸収特性）、及び複屈折性を評
価した。また、基板ガラスの屈折率とガラスの均質化に
必要な溶融温度も測定した。
【００２２】試料番号１〜５は本発明の範囲内のガラス
組成で、試料番号６〜１０は本発明の範囲外のガラス組
成（比較例）である。試料番号１〜５のガラスは、いず
れも単一モード設計に十分な屈折率変化量をもち、且つ
透明で複屈折性も低い。またガラス基板の屈折率も低
く、且つ溶融温度も１５００℃以下と比較的低温で均質
ガラスを作製できた。それに対して試料番号６及び７の
ガラスは、Ａｌ2 Ｏ3 量が多いため、高温溶融が必要と
なり、均質ガラスの調製が困難であった。試料番号７の
ガラスはＢ2 Ｏ3 を含有しない唯一のガラスであるが、
着色が生じた。試料番号８は、アルカリ金属酸化物とし
てＫ2 Ｏを含有するため、複屈折性を示している。また
試料番号９のガラスは、アルカリ量が過多のために屈折
率が高くなり、光ファイバとの整合が困難になる。試料
番号１０のガラスは、逆にアルカリ量が過少のために屈
折率変化量が小さく、単一モード設計ができない欠点が
生じる。
組成で、試料番号６〜１０は本発明の範囲外のガラス組
成（比較例）である。試料番号１〜５のガラスは、いず
れも単一モード設計に十分な屈折率変化量をもち、且つ
透明で複屈折性も低い。またガラス基板の屈折率も低
く、且つ溶融温度も１５００℃以下と比較的低温で均質
ガラスを作製できた。それに対して試料番号６及び７の
ガラスは、Ａｌ2 Ｏ3 量が多いため、高温溶融が必要と
なり、均質ガラスの調製が困難であった。試料番号７の
ガラスはＢ2 Ｏ3 を含有しない唯一のガラスであるが、
着色が生じた。試料番号８は、アルカリ金属酸化物とし
てＫ2 Ｏを含有するため、複屈折性を示している。また
試料番号９のガラスは、アルカリ量が過多のために屈折
率が高くなり、光ファイバとの整合が困難になる。試料
番号１０のガラスは、逆にアルカリ量が過少のために屈
折率変化量が小さく、単一モード設計ができない欠点が
生じる。
【００２３】本発明は、特に例示していないが、ガラス
基板に光導波路を形成する様々な構造の光導波路素子に
適用できるものであり、各種の受動光平面回路のみなら
ず、能動部を有する光集積回路の一部などにも適用で
き、それらの場合も本発明に含まれることは言うまでも
ない。
基板に光導波路を形成する様々な構造の光導波路素子に
適用できるものであり、各種の受動光平面回路のみなら
ず、能動部を有する光集積回路の一部などにも適用で
き、それらの場合も本発明に含まれることは言うまでも
ない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によって、大口径の基板を安定的
に製造できるガラスに、Ａｇイオン交換によって低損失
且つ低応力の光導波路を形成することができる。即ち、
単一モード導波に十分な屈折率変化を生じ、低複屈折性
並びに低吸収特性で、優れた耐候性を呈し、高生産性
で、光ファイバとの低損失接続を実現できる。
に製造できるガラスに、Ａｇイオン交換によって低損失
且つ低応力の光導波路を形成することができる。即ち、
単一モード導波に十分な屈折率変化を生じ、低複屈折性
並びに低吸収特性で、優れた耐候性を呈し、高生産性
で、光ファイバとの低損失接続を実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石津 淳子 東京都港区新橋５丁目36番11号 エフ・デ ィー・ケイ株式会社内 (72)発明者 久納 達志 東京都港区新橋５丁目36番11号 エフ・デ ィー・ケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 PA13 QA01 QA04 TA11 TA31 TA42 4G059 AA11 AC09 HB03 HB17 HB23 4G062 AA04 BB01 BB05 CC10 DA06 DA07 DB03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EB03 EB04 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM04 NN01
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスであって、Ｎａ2 Ｏを５〜１３モル％含有
する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをド
ープすることで光導波路が形成されていることを特徴と
する光導波路素子。 - 【請求項２】 Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスであって、 ＳｉＯ2 ：６０〜７５モル％ Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜２０モル％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜１０モル％ Ｎａ2 Ｏ：５〜１３モル％ Ｌｉ2 Ｏ：０〜１モル％ Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ （但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル
％）からなる多成分系ガラス材料に、イオン交換により
Ａｇをドープすることで光導波路が形成されていること
を特徴とする光導波路素子。 - 【請求項３】 Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスであって、 ＳｉＯ2 ：６３〜７２モル％ Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜１８モル％ Ａｌ2 Ｏ3 ：２〜８モル％ Ｎａ2 Ｏ：７〜１３モル％ Ｌｉ2 Ｏ：０〜１モル％ Ａｓ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ Ｓｂ2 Ｏ3 ：０〜０．５モル％ （但し、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ：０．０１〜１モル
％）からなる多成分系ガラス材料に、イオン交換により
Ａｇをドープすることで光導波路が形成されていること
を特徴とする光導波路素子。 - 【請求項４】 ガラス材料が、波長１２００〜１６５０
nmの近赤外線に対する屈折率で、１．５０以下である請
求項１乃至３のいずれかに記載の光導波路素子。 - 【請求項５】 ガラス材料が厚さ５mm以下の基板状で、
少なくとも一面が表面粗さＲａ：０．００１〜０．１μ
ｍの鏡面状態である請求項１乃至４のいずれかに記載の
光導波路素子。 - 【請求項６】 ガラス材料内部にＡｇイオンドーピング
領域が埋め込まれている請求項１乃至５のいずれかに記
載の光導波路素子。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の光導
波路素子を製造する方法であって、Ａｇイオンのイオン
交換を２００〜３５０℃で行う光導波路素子の製造方
法。 - 【請求項８】 Ａｇイオンを含有する処理浴でイオン交
換を行う請求項７記載の光導波路素子の製造方法。
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