JP2002226218A - ガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋及びガラス多孔質母材の焼結方法 - Google Patents
ガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋及びガラス多孔質母材の焼結方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス多孔質母材を焼結してガラス物品とす
るための焼結炉の炉芯管上蓋であって、上蓋からの大気
の巻き込みや炉内のワークガスの大気中への漏出なく製
造できる上蓋構造、及び該上蓋を用いることにより、排
気圧を−500pa程度に設定し、大気の巻き込み、ワー
クガス漏出なく焼結できて、不純物混入のない母材を製
造でき、炉芯管寿命を延長できる方法の提供。 【解決手段】 上蓋に排気ポートを有する小室、シール
ガス導入ポートを有する小室及びポートのない小室をこ
の順序で設け、各室にはシード棒に遊嵌する気密リング
を移動自在に設ける。排気ポートを有する小室の気密リ
ングのみ下面に周方向の排気ガス通路を設ける。気密リ
ングとシード棒のクリアランスを0.15〜0.25m
mとする。上部の小室で気密性を向上し、中間の小室で
は気密リング下面のガス通路を設けず差圧を確保し、下
部の小室は周方向のガス通路の存在により排気が容易と
なる。
るための焼結炉の炉芯管上蓋であって、上蓋からの大気
の巻き込みや炉内のワークガスの大気中への漏出なく製
造できる上蓋構造、及び該上蓋を用いることにより、排
気圧を−500pa程度に設定し、大気の巻き込み、ワー
クガス漏出なく焼結できて、不純物混入のない母材を製
造でき、炉芯管寿命を延長できる方法の提供。 【解決手段】 上蓋に排気ポートを有する小室、シール
ガス導入ポートを有する小室及びポートのない小室をこ
の順序で設け、各室にはシード棒に遊嵌する気密リング
を移動自在に設ける。排気ポートを有する小室の気密リ
ングのみ下面に周方向の排気ガス通路を設ける。気密リ
ングとシード棒のクリアランスを0.15〜0.25m
mとする。上部の小室で気密性を向上し、中間の小室で
は気密リング下面のガス通路を設けず差圧を確保し、下
部の小室は周方向のガス通路の存在により排気が容易と
なる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス多孔質母材焼
結炉用上蓋及びこれを用いたガラス母材の製造方法に関
する。
結炉用上蓋及びこれを用いたガラス母材の製造方法に関
する。
【0002】ガラス物品の製造法の一つとして、OVD
法,VAD法等の気相合成法により作成されたガラス多
孔質母材を焼結炉で焼結して透明ガラス体とする方法が
ある。従来の焼結炉の炉芯管構造の一例を図3に示す。
図3に示すように、炉体1を貫通する炉芯管2は本体3
と上蓋4から構成されており、上蓋4は炉芯管本体3の
上端に装着され、その中央をシード棒5が貫通してい
る。シード棒5は石英あるいはその他の材料よりなる円
柱体であり、その上端が図示は省略した昇降装置の回転
チャック6に取り付けられる一方、その下端には炉芯管
2内で多孔質母材7が支持されている。従って、多孔質
母材7を回転させながら上下動させることができる。シ
ード棒5が貫通している上蓋4の穴とシード棒6の間に
は、シード棒6が上下しても引っ掛かりが生じないよう
に0.3mm〜2mm程度のクリアランス8が設けられ
ている。このクリアランス8は高温プロセスにおいてシ
ード棒が熱変形や振れ回りを起こすため必要であるが、
一方、上蓋4は一般的にガラス加工で作製されるため製
作誤差により0.25〜2mmの値をとらざるを得なか
った。炉芯管2内は通常He をベースとする雰囲気(ワ
ークガスとも言う)に維持する必要があるため、炉芯管
2下部にはワークガス導入ポート9が設けられ、一方、
上蓋4には図3に示すような排気ポート10を有する小
室11が設けられて、ワークガスはこの排気ポート10
を経由して図示を省略した排気手段及び排気の処理装置
に導かれる。
法,VAD法等の気相合成法により作成されたガラス多
孔質母材を焼結炉で焼結して透明ガラス体とする方法が
ある。従来の焼結炉の炉芯管構造の一例を図3に示す。
図3に示すように、炉体1を貫通する炉芯管2は本体3
と上蓋4から構成されており、上蓋4は炉芯管本体3の
上端に装着され、その中央をシード棒5が貫通してい
る。シード棒5は石英あるいはその他の材料よりなる円
柱体であり、その上端が図示は省略した昇降装置の回転
チャック6に取り付けられる一方、その下端には炉芯管
2内で多孔質母材7が支持されている。従って、多孔質
母材7を回転させながら上下動させることができる。シ
ード棒5が貫通している上蓋4の穴とシード棒6の間に
は、シード棒6が上下しても引っ掛かりが生じないよう
に0.3mm〜2mm程度のクリアランス8が設けられ
ている。このクリアランス8は高温プロセスにおいてシ
ード棒が熱変形や振れ回りを起こすため必要であるが、
一方、上蓋4は一般的にガラス加工で作製されるため製
作誤差により0.25〜2mmの値をとらざるを得なか
った。炉芯管2内は通常He をベースとする雰囲気(ワ
ークガスとも言う)に維持する必要があるため、炉芯管
2下部にはワークガス導入ポート9が設けられ、一方、
上蓋4には図3に示すような排気ポート10を有する小
室11が設けられて、ワークガスはこの排気ポート10
を経由して図示を省略した排気手段及び排気の処理装置
に導かれる。
【0003】図2の構成では、シード棒5は上下動する
ために軸方向断面形状を変化させることができないの
で、シード棒5の軸方向に沿ってガスが流れやすく、ま
た、炉芯管2内部と上蓋4の排気ポート10を有する小
室11部分で差圧が全く生じないため、排気圧が変動す
ると炉芯管2内の圧力も一緒に変動する。すなわち、炉
芯管2内外に気体の行き来が自由にできる状態にあるた
め、排気圧が陽圧になると隙間部分からワークガスが炉
心管外に流出し、逆に負圧になる或いは負圧に設定すれ
ば上記のワークガスの流失は防止できるが、大気や室内
雰囲気中が炉芯管2内に入りこみ、それに伴い大気中や
室内雰囲気中の異物や不純物が炉芯管2内に混入する恐
れがある。カーボン製の炉芯管を使用する場合には、大
気が混入するとカーボンの酸化による劣化が進み、炉芯
管の寿命が短くなってしまう。
ために軸方向断面形状を変化させることができないの
で、シード棒5の軸方向に沿ってガスが流れやすく、ま
た、炉芯管2内部と上蓋4の排気ポート10を有する小
室11部分で差圧が全く生じないため、排気圧が変動す
ると炉芯管2内の圧力も一緒に変動する。すなわち、炉
芯管2内外に気体の行き来が自由にできる状態にあるた
め、排気圧が陽圧になると隙間部分からワークガスが炉
心管外に流出し、逆に負圧になる或いは負圧に設定すれ
ば上記のワークガスの流失は防止できるが、大気や室内
雰囲気中が炉芯管2内に入りこみ、それに伴い大気中や
室内雰囲気中の異物や不純物が炉芯管2内に混入する恐
れがある。カーボン製の炉芯管を使用する場合には、大
気が混入するとカーボンの酸化による劣化が進み、炉芯
管の寿命が短くなってしまう。
【0004】この問題に対し、実開昭63−24236
号公報(文献)には、図3に示すガスシール構造を設
けた上蓋4により、シード棒5の貫通部分から大気が炉
芯管2内に混入するのを防止すると共に、炉芯管2内の
ワークガスを大気中に放出することなく排気ポート10
を経由して排気ガス除外設備に導入することが提案され
ている。図3において図2と同一部分には同一符号をつ
けている。炉芯管2の本体3は図2と同様であるが、上
蓋4には、2つ以上の小室11,12を形成し、小室1
1には排気ガスポート10を設け、小室12にはシール
ガス導入ポート13を設け、各小室11,12の中には
シード棒5に遊嵌する気密リング14,15を移動自在
に設けておき、上蓋4の下面を形成するつば16、同天
面を形成するつば18及び内部で小室11,12を区切
るつば17とシード棒5のクリアランスは各々0.25
〜2mm、気密リング14,15とシード棒5とのクリ
アランスが0.01〜0.25mmであり、気密リング
14,15の下面には周方向に向かう溝状のガス通路1
9,20を設けることが提案されている。この気密リン
グ14,15は石英その他の材料からなるが、形状が単
純で研削加工できるため内径を非常に高精度とすること
ができ、しかもシード棒5に遊嵌させてあるのでシード
棒5は自由に上下動、回転できる。この気密リング1
4,15により各室内間の圧力差を確保し、大気の巻き
込みや炉芯管からのガス漏れ出しを抑え、また上記周方
向のガス通路19,20の存在により各室間の圧力差は
少なくなるがシード棒5に沿ったガス流れを生じにくく
している。
号公報(文献)には、図3に示すガスシール構造を設
けた上蓋4により、シード棒5の貫通部分から大気が炉
芯管2内に混入するのを防止すると共に、炉芯管2内の
ワークガスを大気中に放出することなく排気ポート10
を経由して排気ガス除外設備に導入することが提案され
ている。図3において図2と同一部分には同一符号をつ
けている。炉芯管2の本体3は図2と同様であるが、上
蓋4には、2つ以上の小室11,12を形成し、小室1
1には排気ガスポート10を設け、小室12にはシール
ガス導入ポート13を設け、各小室11,12の中には
シード棒5に遊嵌する気密リング14,15を移動自在
に設けておき、上蓋4の下面を形成するつば16、同天
面を形成するつば18及び内部で小室11,12を区切
るつば17とシード棒5のクリアランスは各々0.25
〜2mm、気密リング14,15とシード棒5とのクリ
アランスが0.01〜0.25mmであり、気密リング
14,15の下面には周方向に向かう溝状のガス通路1
9,20を設けることが提案されている。この気密リン
グ14,15は石英その他の材料からなるが、形状が単
純で研削加工できるため内径を非常に高精度とすること
ができ、しかもシード棒5に遊嵌させてあるのでシード
棒5は自由に上下動、回転できる。この気密リング1
4,15により各室内間の圧力差を確保し、大気の巻き
込みや炉芯管からのガス漏れ出しを抑え、また上記周方
向のガス通路19,20の存在により各室間の圧力差は
少なくなるがシード棒5に沿ったガス流れを生じにくく
している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記文献に提案され
る技術によれば、周方向のガス通路19,20により周
方向に排気ガス(ワークガス),シールガスが流れるた
めシード棒5に沿った流れが生じにくくなり、大気の巻
き込みや炉芯管ガスの大気放出が抑制できる。また、気
密リングの下面に周方向のガス通路を設けると、各室間
の圧力差はガス通路を設けない場合に比べ小さくなる。
また、前記のように炉芯管2内を負圧にすると大気が侵
入してカーボン炉では劣化が進むため、負圧にはできる
だけしたくないが、陽圧ではワークガスが大気中に流出
してしまうため、排気圧はある程度の範囲で設定する必
要がある。そこで、現状では−100Pa〜50Paと
なるように設定している。しかし、炉芯管2の温度が上
昇するにつれて炉芯管2内の圧力変動は大きくなり、ゾ
ーン炉で焼結を実施する場合は、図2のように多孔質母
材7が炉芯管の下限近くにきた時点で炉芯管2内圧の変
動は最大となり400Paにも達するため、上記の排気
設定範囲では対応しきれない。実際、排気管圧力を−1
00Pa程度としておくと炉心管内は数%の酸素濃度
(大気の巻き込みを示す指標となる)となってしまっ
た。炉心管の劣化の問題を考慮すると−100Pa以下
の圧力にすることはできず、ワークガスは室内にリーク
することがあった。したがって、排気圧力を排気圧力を
−400Pa〜−500Pa程度に設定できて、炉心管
内圧の変動が最大400Pa程度に達しても、大気の巻
き込みや炉心管のワークガスのリークを抑制できる上蓋
構造が要求される。
る技術によれば、周方向のガス通路19,20により周
方向に排気ガス(ワークガス),シールガスが流れるた
めシード棒5に沿った流れが生じにくくなり、大気の巻
き込みや炉芯管ガスの大気放出が抑制できる。また、気
密リングの下面に周方向のガス通路を設けると、各室間
の圧力差はガス通路を設けない場合に比べ小さくなる。
また、前記のように炉芯管2内を負圧にすると大気が侵
入してカーボン炉では劣化が進むため、負圧にはできる
だけしたくないが、陽圧ではワークガスが大気中に流出
してしまうため、排気圧はある程度の範囲で設定する必
要がある。そこで、現状では−100Pa〜50Paと
なるように設定している。しかし、炉芯管2の温度が上
昇するにつれて炉芯管2内の圧力変動は大きくなり、ゾ
ーン炉で焼結を実施する場合は、図2のように多孔質母
材7が炉芯管の下限近くにきた時点で炉芯管2内圧の変
動は最大となり400Paにも達するため、上記の排気
設定範囲では対応しきれない。実際、排気管圧力を−1
00Pa程度としておくと炉心管内は数%の酸素濃度
(大気の巻き込みを示す指標となる)となってしまっ
た。炉心管の劣化の問題を考慮すると−100Pa以下
の圧力にすることはできず、ワークガスは室内にリーク
することがあった。したがって、排気圧力を排気圧力を
−400Pa〜−500Pa程度に設定できて、炉心管
内圧の変動が最大400Pa程度に達しても、大気の巻
き込みや炉心管のワークガスのリークを抑制できる上蓋
構造が要求される。
【0006】本発明はこのような問題を解決して大気巻
き込みや炉芯管ガスの大気放出を十分に抑制できると同
時に、外部と炉芯管内、並びに各室間の圧力差を大きく
確保できる上蓋構造を課題としている。また、本発明は
外部と炉芯管内との圧力差を十分に確保して不純物混合
等の問題がなく高品質の多孔質母材を製造できる方法を
課題としている。
き込みや炉芯管ガスの大気放出を十分に抑制できると同
時に、外部と炉芯管内、並びに各室間の圧力差を大きく
確保できる上蓋構造を課題としている。また、本発明は
外部と炉芯管内との圧力差を十分に確保して不純物混合
等の問題がなく高品質の多孔質母材を製造できる方法を
課題としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、炉体を貫通して設けられる炉芯管の上端に装着さ
れる略円筒形の炉芯管上蓋であって、該上蓋の天面をな
すつばと最下面をなすつばにはシード棒が貫通するため
の穴を有し、天面をなすつばと最下面をなすつばの間に
はシード棒が貫通するための穴を有する複数個のつばに
より少なくとも3室以上の小室が形成されており、炉芯
管本体側には排気ガスポートを有する小室を1以上設
け、該排気ガスポートを有する小室の上部にはシールガ
ス導入ポートを有する小室を1以上設け、該シールガス
導入ポートを有する小室の上部にはガスポートのない小
室を1以上設けてなり、上記各小室には上記シード棒に
遊嵌する気密リングが移動自在に挿入されており、該排
気ガスポートを有する小室に挿入される気密リングのみ
がその下面に中心部から周方向に向かう溝状のガス通路
を設けられており、上記シード棒と各つばの間のクリア
ランスが0.75〜1mm、上記シード棒と各気密リン
グの間のクリアランスが0.15〜0.25mmである
ことを特徴とするガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋
である。また本発明は、ガラス多孔質母材を焼結炉の炉
心管内に保持して焼結する方法において、上記(1) 記載
のガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋を取り付けた炉
心管を用い、上記排気ガスポートを有する小室内の圧力
を負圧にして焼結することを特徴とする上記方法に関す
る。
明は、炉体を貫通して設けられる炉芯管の上端に装着さ
れる略円筒形の炉芯管上蓋であって、該上蓋の天面をな
すつばと最下面をなすつばにはシード棒が貫通するため
の穴を有し、天面をなすつばと最下面をなすつばの間に
はシード棒が貫通するための穴を有する複数個のつばに
より少なくとも3室以上の小室が形成されており、炉芯
管本体側には排気ガスポートを有する小室を1以上設
け、該排気ガスポートを有する小室の上部にはシールガ
ス導入ポートを有する小室を1以上設け、該シールガス
導入ポートを有する小室の上部にはガスポートのない小
室を1以上設けてなり、上記各小室には上記シード棒に
遊嵌する気密リングが移動自在に挿入されており、該排
気ガスポートを有する小室に挿入される気密リングのみ
がその下面に中心部から周方向に向かう溝状のガス通路
を設けられており、上記シード棒と各つばの間のクリア
ランスが0.75〜1mm、上記シード棒と各気密リン
グの間のクリアランスが0.15〜0.25mmである
ことを特徴とするガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋
である。また本発明は、ガラス多孔質母材を焼結炉の炉
心管内に保持して焼結する方法において、上記(1) 記載
のガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋を取り付けた炉
心管を用い、上記排気ガスポートを有する小室内の圧力
を負圧にして焼結することを特徴とする上記方法に関す
る。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明は、図1に示すように少な
くとも3つの小室21,22,23を設けてなるシール
構造の上蓋であって、排気ガスポートを有する小室21
の気密リング15のみはその下面に周方向の溝を有する
が、シールガス導入ポート13を有する小室22の気密
リング15は周方向の溝を設けないこと、更にシールガ
ス導入ポート13を有する小室22の上段に設ける小室
23はガスを導入又は排出するポート(ガスポート)を
持たず、小室23内に挿入された気密リング25も周方
向の溝を設けない構造とする点を特徴とし、これにより
気密性を向上して大気の巻き込みを遮断し、また排気ガ
スポートを有する小室21とシールガス導入ポートを有
する小室22の間のコンダクタンスを小さくすることに
より各室の間の圧力差を確保すると同時に、小室21の
排気ガスポート10からのワークガスの排出は気密リン
グ下面の周方向の溝19により十分に行なうことができ
る。
くとも3つの小室21,22,23を設けてなるシール
構造の上蓋であって、排気ガスポートを有する小室21
の気密リング15のみはその下面に周方向の溝を有する
が、シールガス導入ポート13を有する小室22の気密
リング15は周方向の溝を設けないこと、更にシールガ
ス導入ポート13を有する小室22の上段に設ける小室
23はガスを導入又は排出するポート(ガスポート)を
持たず、小室23内に挿入された気密リング25も周方
向の溝を設けない構造とする点を特徴とし、これにより
気密性を向上して大気の巻き込みを遮断し、また排気ガ
スポートを有する小室21とシールガス導入ポートを有
する小室22の間のコンダクタンスを小さくすることに
より各室の間の圧力差を確保すると同時に、小室21の
排気ガスポート10からのワークガスの排出は気密リン
グ下面の周方向の溝19により十分に行なうことができ
る。
【0009】以下、図1により具体的に説明するが、図
1において、図2,図3と同一部分については同一符号
を付し、説明を省略する。図1に示すように、上蓋はつ
ば16,17,18,24により小室21,22及び2
3を形成している。シード棒5に遊嵌する気密リング1
4,15,25が小室21〜23内に各々移動可能に挿
入されている。図2の場合と同様にシード棒5は自由に
上下動し、回転することができ、シード棒5が振動や炉
心管中心軸とのズレにより水平方向に動いたとしても、
その動きに伴って気密リング14,15,25も移動す
ることができる。
1において、図2,図3と同一部分については同一符号
を付し、説明を省略する。図1に示すように、上蓋はつ
ば16,17,18,24により小室21,22及び2
3を形成している。シード棒5に遊嵌する気密リング1
4,15,25が小室21〜23内に各々移動可能に挿
入されている。図2の場合と同様にシード棒5は自由に
上下動し、回転することができ、シード棒5が振動や炉
心管中心軸とのズレにより水平方向に動いたとしても、
その動きに伴って気密リング14,15,25も移動す
ることができる。
【0010】気密リング14,15及び25は石英その
他の材料からなり形状が単純で研削加工ができるので内
径を例えば10μm単位のオーダーの高精度とすること
ができる。気密リング14,15,25の内径D1 とシ
ード棒5の外径dの差は0.3〜0.5mm程度、すな
わちシード棒5と気密リングの間のクリアランスは0.
15〜0.25mmとする。一方、つば16,17,1
8の内径D2 とシード棒5の外径dとの差は 1.5〜
2mm程度、すなわちクリアランスは前記した理由によ
り0.75〜1mmとする。つば24については、その
内径D3 とシード棒5の外径dの差は〜2mmでもよい
が、より好ましくは平均0.4mm、すなわちシード棒
5とつば24との間のクリアランスは平均0.2mmと
する。これによりシールガスのシード棒5に沿った流れ
をより低減できて気密性がさらに向上し、小室22内を
小室21に対して陽圧に保ち、ワークガスの漏出を防止
できる。
他の材料からなり形状が単純で研削加工ができるので内
径を例えば10μm単位のオーダーの高精度とすること
ができる。気密リング14,15,25の内径D1 とシ
ード棒5の外径dの差は0.3〜0.5mm程度、すな
わちシード棒5と気密リングの間のクリアランスは0.
15〜0.25mmとする。一方、つば16,17,1
8の内径D2 とシード棒5の外径dとの差は 1.5〜
2mm程度、すなわちクリアランスは前記した理由によ
り0.75〜1mmとする。つば24については、その
内径D3 とシード棒5の外径dの差は〜2mmでもよい
が、より好ましくは平均0.4mm、すなわちシード棒
5とつば24との間のクリアランスは平均0.2mmと
する。これによりシールガスのシード棒5に沿った流れ
をより低減できて気密性がさらに向上し、小室22内を
小室21に対して陽圧に保ち、ワークガスの漏出を防止
できる。
【0011】小室21に挿入した気密リング14の下面
には、中心から周方向に向かう溝状のガス通路(通気
溝)19を1以上設けてあり、炉芯管2内のワークガス
はこの通気溝19を通り、排気ガスポート10から図示
は省略した排気手段、排気ガス処理装置等へと排出され
る。
には、中心から周方向に向かう溝状のガス通路(通気
溝)19を1以上設けてあり、炉芯管2内のワークガス
はこの通気溝19を通り、排気ガスポート10から図示
は省略した排気手段、排気ガス処理装置等へと排出され
る。
【0012】小室22に挿入した気密リング15の下面
には通気溝を設けられておらず、小室22内にはシール
ガス導入ポート13から導入したN2 、He 等のシール
ガスを満たし、小室22内の圧力を10Pa程度に設定
する。シールガスは気密リング15とシード棒5との隙
間を流れるほかに、気密リング15下面とつば17上面
の隙間をも流れることができる。これは気密リング15
下面を特に精度良くは作製せずにおくことにより、つば
17上面との間にわずかな隙間が生じるためである。こ
のようにすることにより、図2の従来技術よりも小室2
1と小室22の間のコンダクタンスを小さくできるの
で、差圧を十分に確保できる。
には通気溝を設けられておらず、小室22内にはシール
ガス導入ポート13から導入したN2 、He 等のシール
ガスを満たし、小室22内の圧力を10Pa程度に設定
する。シールガスは気密リング15とシード棒5との隙
間を流れるほかに、気密リング15下面とつば17上面
の隙間をも流れることができる。これは気密リング15
下面を特に精度良くは作製せずにおくことにより、つば
17上面との間にわずかな隙間が生じるためである。こ
のようにすることにより、図2の従来技術よりも小室2
1と小室22の間のコンダクタンスを小さくできるの
で、差圧を十分に確保できる。
【0013】小室23に挿入した気密リング25にも通
気溝は設けられておらず、小室23はガス導入ポートも
排気用ポートを有していない。小室22のシールガス圧
力を10Pa程度に設定しておくため、小室23を経由
して小室22へ大気を巻き込むことを防止できる。ま
た、大気の巻き込み及びワークガスの室内への漏出を防
止するために、小室23を形成するつば24とシード棒
5とのクリアランスを前記のようにより好ましくは0.
2mm程度とする。これにより、図2や図3に示した従
来の上蓋より気密性を向上できる。
気溝は設けられておらず、小室23はガス導入ポートも
排気用ポートを有していない。小室22のシールガス圧
力を10Pa程度に設定しておくため、小室23を経由
して小室22へ大気を巻き込むことを防止できる。ま
た、大気の巻き込み及びワークガスの室内への漏出を防
止するために、小室23を形成するつば24とシード棒
5とのクリアランスを前記のようにより好ましくは0.
2mm程度とする。これにより、図2や図3に示した従
来の上蓋より気密性を向上できる。
【0014】以上のような構成とすることにより、炉芯
管2と外部との差圧を700Pa程度、得ることが可能
となる。そのため、排気圧力を〜−400Pa、さらに
は−500Paにまで設定しても炉芯管内の酸素濃度を
100ppm以下に保つことが可能となった。
管2と外部との差圧を700Pa程度、得ることが可能
となる。そのため、排気圧力を〜−400Pa、さらに
は−500Paにまで設定しても炉芯管内の酸素濃度を
100ppm以下に保つことが可能となった。
【0015】なお、以上の説明及び図1では簡単にする
ために排気ガスポートを有する小室、シールガス導入ポ
ートを有する小室及びポートのない小室は各1室の例を
挙げたが、各室はいずれも1以上を連続して設けること
ができる。このような場合にも、排気ガスポートを有す
る小室を連続して設けた上部にシールガス導入ポートを
有する小室を連続して設け、それらの上部に気密室とし
て作用する小室を設けることは言うまでもない。
ために排気ガスポートを有する小室、シールガス導入ポ
ートを有する小室及びポートのない小室は各1室の例を
挙げたが、各室はいずれも1以上を連続して設けること
ができる。このような場合にも、排気ガスポートを有す
る小室を連続して設けた上部にシールガス導入ポートを
有する小室を連続して設け、それらの上部に気密室とし
て作用する小室を設けることは言うまでもない。
【0016】
【実施例】実施例1 図1に示す構成の本発明の上蓋4を炉芯管本体3に取り
付け、排気圧力を−500Paに設定して、ガラス多孔
質母材を焼結した。なお、シード棒5と上蓋4の各つば
の間のクリアランスは0.75〜1mm、シード棒5と
上蓋4の各気密リングの間のクリアランスは0.15〜
0.25mmの範囲内であった。焼結中において排気圧
力の変動が最大になった時点でも、排気圧力は−50P
aと負圧の範囲で保たれ、上蓋のクリアランス部分から
のワークガスのリークも見られず、1000本以上連続
して焼結を実施してもカーボン部品の劣化は見られなか
った。この間に製造された焼結体から線引きされた光フ
ァイバは、通信波長帯での伝送損失が、通常製品レベル
と同等以上であった。
付け、排気圧力を−500Paに設定して、ガラス多孔
質母材を焼結した。なお、シード棒5と上蓋4の各つば
の間のクリアランスは0.75〜1mm、シード棒5と
上蓋4の各気密リングの間のクリアランスは0.15〜
0.25mmの範囲内であった。焼結中において排気圧
力の変動が最大になった時点でも、排気圧力は−50P
aと負圧の範囲で保たれ、上蓋のクリアランス部分から
のワークガスのリークも見られず、1000本以上連続
して焼結を実施してもカーボン部品の劣化は見られなか
った。この間に製造された焼結体から線引きされた光フ
ァイバは、通信波長帯での伝送損失が、通常製品レベル
と同等以上であった。
【0017】比較例1 図3に示す従来の上蓋を使用して排気圧力を−100P
a〜50Paの範囲内の種々の値に設定して実施例1と
同様のガラス多孔質母材の焼結を行ったところ、焼結
中、炉心管内温度の上昇により圧力変動幅が400Pa
となり、排気圧は−425〜375Paの幅で変動し
た。排気圧が−400Paに振れた時点で炉心管内は酸
素濃度が2%程度まで上昇してしまった。また、排気圧
が陽圧で300Pa程度に変動した際、炉心管内圧が+
100Paとなり、上蓋のクリアランスから微量なワー
クガスのリークが確認された。300本程度の焼結でカ
ーボン部品劣化が発生した。
a〜50Paの範囲内の種々の値に設定して実施例1と
同様のガラス多孔質母材の焼結を行ったところ、焼結
中、炉心管内温度の上昇により圧力変動幅が400Pa
となり、排気圧は−425〜375Paの幅で変動し
た。排気圧が−400Paに振れた時点で炉心管内は酸
素濃度が2%程度まで上昇してしまった。また、排気圧
が陽圧で300Pa程度に変動した際、炉心管内圧が+
100Paとなり、上蓋のクリアランスから微量なワー
クガスのリークが確認された。300本程度の焼結でカ
ーボン部品劣化が発生した。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の焼結炉用
炉芯管の上蓋を用いることにより、気密性を向上できて
外部と炉芯管内との差圧を200Pa以上と十分に確保
できるので、内部のガスの流出にも、外部大気の炉芯管
内への混入のいずれにも抵抗が大きくなり、最適な製造
条件を得ることができ、大気の巻き込みやワークガスの
リーク発生なくガラス母材を焼結できる。すなわち、本
発明の上蓋構造の炉芯管で焼結する場合には排気圧力を
〜−500Paに設定できるので、焼結の最終段階にい
たって炉芯管内の圧力変動が大きくなっても、大気の巻
き込みやワークガスのリーク発生なくガラス母材を焼結
でき、炉芯管の寿命を延長できて装置コストを低減でき
ることに加え、製造現場での環境を保全できる。さら
に、大気巻き込みなく製造できるので、高品質のガラス
母材を製造することができる。
炉芯管の上蓋を用いることにより、気密性を向上できて
外部と炉芯管内との差圧を200Pa以上と十分に確保
できるので、内部のガスの流出にも、外部大気の炉芯管
内への混入のいずれにも抵抗が大きくなり、最適な製造
条件を得ることができ、大気の巻き込みやワークガスの
リーク発生なくガラス母材を焼結できる。すなわち、本
発明の上蓋構造の炉芯管で焼結する場合には排気圧力を
〜−500Paに設定できるので、焼結の最終段階にい
たって炉芯管内の圧力変動が大きくなっても、大気の巻
き込みやワークガスのリーク発生なくガラス母材を焼結
でき、炉芯管の寿命を延長できて装置コストを低減でき
ることに加え、製造現場での環境を保全できる。さら
に、大気巻き込みなく製造できるので、高品質のガラス
母材を製造することができる。
【図1】 本発明の一具体例を説明する概略断面図であ
る。
る。
【図2】 従来法の上蓋構造の一例を説明する概略断面
図である。
図である。
【図3】 従来法の概略説明図である。
1 焼結炉、 2 炉芯管、 3 本体、 4
上蓋、 5 シード棒、 6 回転チャック、
7 ガラス多孔質母材、8 クリアランス、 9 ワ
ークガス導入ポート、 10 排気ガスポート、
11 第1の小室、 12 第2の小室、 13 シ
ールガス導入ポート、 14 気密リング、 15
気密リング、 16〜18 つば、19,20 ガ
ス通路、 21 小室、 22 小室、 23
小室、 24及び25 つば。
上蓋、 5 シード棒、 6 回転チャック、
7 ガラス多孔質母材、8 クリアランス、 9 ワ
ークガス導入ポート、 10 排気ガスポート、
11 第1の小室、 12 第2の小室、 13 シ
ールガス導入ポート、 14 気密リング、 15
気密リング、 16〜18 つば、19,20 ガ
ス通路、 21 小室、 22 小室、 23
小室、 24及び25 つば。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 真澄 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 川崎 希一郎 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 4G014 AH21
Claims (2)
- 【請求項1】 炉体を貫通して設けられる炉芯管の上端
に装着される略円筒形の炉芯管上蓋であって、該上蓋の
天面をなすつばと最下面をなすつばにはシード棒が貫通
するための穴を有し、天面をなすつばと最下面をなすつ
ばの間にはシード棒が貫通するための穴を有する複数個
のつばにより少なくとも3室以上の小室が形成されてお
り、炉芯管本体側には排気ガスポートを有する小室を1
以上設け、該排気ガスポートを有する小室の上部にはシ
ールガス導入ポートを有する小室を1以上設け、該シー
ルガス導入ポートを有する小室の上部にはガスポートの
ない小室を1以上設けてなり、上記各小室には上記シー
ド棒に遊嵌する気密リングが移動自在に挿入されてお
り、該排気ガスポートを有する小室に挿入される気密リ
ングのみがその下面に中心部から周方向に向かう溝状の
ガス通路を設けられており、上記シード棒と各つばの間
のクリアランスが0.75〜1mm、上記シード棒と各
気密リングの間のクリアランスが0.15〜0.25m
mであることを特徴とするガラス多孔質母材焼結炉用炉
芯管上蓋。 - 【請求項2】 ガラス多孔質母材を焼結炉の炉心管内に
保持して焼結する方法において、請求項1記載のガラス
多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋を取り付けた炉心管を用
い、上記排気ガスポートを有する小室内の圧力を負圧に
して焼結することを特徴とする上記方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001019870A JP2002226218A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | ガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋及びガラス多孔質母材の焼結方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001019870A JP2002226218A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | ガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋及びガラス多孔質母材の焼結方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002226218A true JP2002226218A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18885670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001019870A Withdrawn JP2002226218A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | ガラス多孔質母材焼結炉用炉芯管上蓋及びガラス多孔質母材の焼結方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002226218A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008105904A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
JP2009120451A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
EP2805928A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and apparatus for sintering a glass preform for an optical fiber |
DE102016105519A1 (de) | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sintervorrichtung und Sinterverfahren |
JP2016179934A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 焼結装置および焼結方法 |
JP2018020924A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 焼結装置 |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001019870A patent/JP2002226218A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008105904A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
JP4737031B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2011-07-27 | 住友電気工業株式会社 | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
JP2009120451A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
EP2805928A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and apparatus for sintering a glass preform for an optical fiber |
CN104176925A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 信越化学工业株式会社 | 光纤用玻璃母材的烧结装置及烧结方法 |
US9422185B2 (en) | 2013-05-21 | 2016-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for sintering a glass preform for an optical fiber and sintering method thereof |
DE102016105519A1 (de) | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sintervorrichtung und Sinterverfahren |
JP2016179934A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 焼結装置および焼結方法 |
US9751796B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-09-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sintering apparatus and method for sintering |
JP2018020924A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 焼結装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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