JP2002217465A - 圧電素子、及びその製造方法 - Google Patents
圧電素子、及びその製造方法Info
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Abstract
ミックス基体と圧電部間の振動伝達性に優れ、更には電
界に対する屈曲変位の直線性が高く、大きな屈曲変位で
の長期間に至る使用においても高い耐久性を有する圧電
素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックスからなる基体2と、例え
ば、Pb(Mg、Ni)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−
PbTiO3三成分固溶系組成物を主成分とする圧電磁
器組成物からなる圧電部1と、電極3(3a,3b)と
を備え、電極3は、圧電部1に電気的に接続され、圧電
部1は、基体2に、直接又は電極3(3a,3b)を介
して固着されている圧電素子とする。
Description
る。更に詳しくは、極めて高い圧電特性を有し、アクチ
ュエータとしては、大きな電界を印加した場合の変位の
増加割合が大きく、センサーとしては、大きな力が加わ
った場合の分解能が高い圧電部及びその製造方法に関す
る。
ド、スピーカー、マイクロフォン等に圧電素子が利用さ
れている。
る基体上に、圧電磁器組成物からなる圧電部と、この圧
電部に電気的に接続された電極とを備えているが、圧電
部を構成する圧電磁器組成物については種々改良された
ものが開示されている。
PbTiO3−PbZrO 3三成分固溶系組成物、又は当
該組成物中のPbの一部をSr、La等で置換した圧電
磁器組成物が開示されている(特公昭44−17103
号公報、特公昭45−8145号公報)。これらは、圧
電素子の圧電特性を決定する最も重要な要素である圧電
部を構成する圧電磁器組成物自体の圧電特性(例えば、
圧電d定数)を向上させたものであり、優れた圧電特性
を有する圧電素子が期待されるものである。
電磁器組成物からなる圧電材料をセラミックス基体上に
積層し、その後、熱処理して圧電素子を製造していたと
ころ、圧電部の緻密性が低く、屈曲変位が低い、又は電
圧を印加した際に緻密性が低い部分で絶縁破壊を起こし
てしまうという問題が指摘されていた。特に複数の圧電
部を、圧電部間に電極の負極と正極とを交互に挟んで配
設した積層構造の圧電素子の場合にはこの問題は顕著で
あり、その改良が強く要望されていた。
圧電部では、必ずしも充分な圧電特性が得られず、更に
は、屈曲変位を増加させるために電圧を大きくしていく
と、4kV/mm以上の高電界側では、得られる屈曲変
位の増加が、電圧の増加に対して非常に小さいという不
具合があった。更には、大きな屈曲変位を起こさせる条
件において長期間使用した場合には、圧電部が破壊した
り、圧電部とセラミックス基体、又は圧電部と電極とで
剥離が発生し、耐久性の点で必ずしも充分なものではな
かった。
成物からなる圧電材料を熱処理して圧電部を作製し、こ
の圧電部を、セラミックス基体上に張り付けたものが提
案されている(特開平11−29357号公報)。
束による圧電部の緻密化の阻害、という点に着目して、
圧電磁器組成物からなる圧電材料を予め加熱処理して圧
電部の緻密化を図ることにより圧電特性を向上させたも
のである。
部をセラミックス基体上に張付ける際に無機系又は有機
系の接着剤を用いる必要があるため、この接着剤が、セ
ラミックス基体と圧電部間の振動伝達を阻害したり、又
は接着剤成分が圧電部やセラミックス基体へ浸透してこ
れらの特性を劣化させてしまうという問題があった。
る圧電磁器組成物自体については、何ら考慮するもので
はないため、前述した圧電素子同様に、充分な圧電特性
が得られない、高電圧領域で屈曲変位の増加が電圧の増
加に対して非常に小さい、更には、耐久性が不充分であ
るという問題があった。
題に鑑みてなされたものであり、極めて高い圧電特性を
有するとともに、基体と圧電部間の振動伝達性に優れ、
更には、高電圧領域に至るまで、電圧に対する屈曲変位
の直線性が高く、大きな屈曲変位での長期間に至る使用
においても高い耐久性を有する圧電素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
題を解決するべく鋭意研究した結果、PbMg1/3Nb
2/3O3−PbZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物
でMgの一部をNiで置換した特定の組成を有する圧電
磁器組成物からなる圧電材料を用いた場合では、基体上
に積層した後、熱処理しても、均一な分極構造を有し、
かつ緻密な圧電部が得られ、上述の種々の問題を解決し
得ることを見出し、本発明を完成させた。
らなる基体と、下記一般式(1)に示すPb(Mg、N
i)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−PbTiO3三成分
固溶系組成物を主成分とする圧電磁器組成物からなる圧
電部と、電極とを備え、電極は、圧電部に電気的に接続
され、圧電部は、基体に、直接又は電極を介して固着さ
れていることを特徴とする圧電素子が提供される。
0.05≦y≦0.20、0.90≦a≦1.10であ
り、かつb,c,dが、該b,c,dを座標軸とする座
標中、(b,c,d)=(0.550,0.425,
0.025),(0.550,0.325,0.12
5),(0.375,0.325,0.300),
(0.100,0.425,0.475),(0.10
0,0.475,0.425),(0.375,0.4
25,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但
し、(b+c+d)=1.000である。)。」
らなる基体と、上記一般式(1)に示すPb(Mg、N
i)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−PbTiO3三成分
固溶系組成物を主成分とする圧電磁器組組成物からなる
複数の圧電部と、複数の電極とを備え、複数の圧電部
が、各圧電部間に、電極の負極と正極とを交互に挟んで
積層され、最下部の圧電部については、該基体に直接又
は該電極を介して固着されていることを特徴とする圧電
素子が提供される。
おいても、三成分固溶系組成物は、平均粒径が1〜10
μmで、最大粒径が平均粒径の5倍以下の粒子からなる
ことが好ましい。
らなる基体と、既述の一般式(1)に示すPb(Mg、
Ni)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−PbTiO 3三成
分固溶系組成物を主成分とする圧電磁器組成物からな
り、その表面及び/又は内部に、NiOを主成分とする
粒子が存在している圧電部と、電極とを備え、電極は、
圧電部に電気的に接続され、圧電部は、基体に、直接又
は電極を介して固着されていることを特徴とする圧電素
子が提供される。
ても、三成分固溶系組成物は、平均粒径が1〜10μm
で、最大粒径が、平均粒径の5倍以下の粒子からなるこ
とが好ましい。また、NiOを主成分とする粒子が、N
iOのみからなるものでもよく、MgOを固溶してなる
ものでもよい。
あっても、圧電磁器組成物中のNiが、圧電部における
セラミックス基体との固着面から厚さ方向に高濃度とな
る濃度勾配を有して分散していることが好ましい。
mol%は、Sr、Ca、及びBaからなる群から選ば
れる少なくとも1種で置換していることが好ましく、圧
電磁器組成物中Pbの0.2〜1.0mol%は、La
で置換していることが好ましい。
m〜1mmであることが好ましく、圧電部の厚さは、1
〜300μmであることが好ましい。また、圧電部の厚
さに対するセラミックス基体の厚さの比(セラミックス
基体/圧電部)は、0.1〜30であることが好まし
い。更に、セラミックス基体の厚さ方向における断面形
状が、三つの変曲点を有するW形状であることが好まし
い。
(1)に示す、Pb(Mg、Ni)1/3Nb2/3O3−P
bZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物を主成分と
する圧電材料を、セラミックスからなる基体上に、又は
該基体に形成された電極上に積層し、圧電材料と同じ組
成の雰囲気調整材料を、容器内空間単位体積当たりのN
iO換算量で、0.03〜0.5mg/cm3共存させ
た雰囲気内で、当該積層された圧電材料を熱処理するこ
とを特徴とする圧電素子製造方法が提供される。
0.05≦y≦0.20、0.90≦a≦1.10であ
り、かつb,c,dが、当該b,c,dを座標軸とする
座標中、(b,c,d)=(0.550,0.425,
0.025),(0.550,0.325,0.12
5),(0.375,0.325,0.300),
(0.100,0.425,0.475),(0.10
0,0.475,0.425),(0.375,0.4
25,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但
し、(b+c+d)=1.000である。)。」
(1)に示す、Pb(Mg、Ni)1/3Nb2/3O3−P
bZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物を主成分と
する圧電材料を、セラミックスからなる基体上に、又は
基体に形成された電極上に積層し、積層された圧電材料
を、雰囲気内で熱処理する圧電素子製造方法であって、
当該熱処理の際に、圧電材料が積層されたものを収納、
載置する容器及び棚板として、圧電材料と同じ組成の雰
囲気調整材料を、容器内空間単位体積当たりのNiO換
算量で0.03〜0.5mg/cm3共存させて、予め
雰囲気内で熱処理した容器及び棚板を用いることを特徴
とする圧電素子製造方法が提供される。
小型の誘電素子、焦電素子として、コンデンサや各種セ
ンサーに用いることができる。
図面を参照しつつ具体的に説明する。
は、セラミックスからなる基体2と、特定の圧電磁器組
成物からなる圧電部1と、電極3(3a、3b)とを備
え、電極3(3a、3b)は、圧電部1に電気的に接続
され、圧電部1は、基体2に、直接又は電極3を介して
固着されているものである。以下、各構成要素毎に具体
的に説明する。
からなるもであるが、耐熱性、化学的安定性、及び絶縁
性の点から、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニ
ウム、窒化珪素、及びガラスよりなる群から選ばれる少
なくとも1種を含むものが好ましい。中でも、機械的強
度が大きく、靭性に優れる点から安定化された酸化ジル
コニウムを含むものが好ましい。
〜1mmが好ましく、5〜500μmがより好ましく、
7〜200μmが特に好ましい。
電素子の機械的強度が弱くなることがあり、1mmを超
えると圧電素子に電圧を印加した場合に圧電部の収縮応
力に対する基体の剛性が大きくなり、圧電素子の屈曲変
位が小さくなってしまうことがある。
電部1又は電極3(3b)との固着面2aに略対応する
領域を上記の厚さとした薄肉部2cと、固着面2a以外
に略対応する領域を薄肉部2cより厚くした厚肉部2b
とを設けることもできる。
くし、かつ機械的強度を大きくすることができる。
造単位を、共用化した一の基体2に複数設けた構造とす
ることもできる。
状について特に制限はなく、例えば、長方形、正方形、
三角形、楕円形、真円形、R付正方形、R付長方形、カ
プセル型、又はこれらを組合わせた複合形等を挙げるこ
とができる。
状としては、電界に対する屈曲変位の直線性が高い点
で、三つの変曲点を有するW形状であることが好まし
い。
(Mg、Ni)1/3Nb2 /3O3−PbZrO3−PbTi
O3三成分固溶系組成物であって、下記一般式(1)に
示す圧電磁器組成物からなるものである。
0.05≦y≦0.20、0.90≦a≦1.10であ
り、かつb,c,dが、当該b,c,dを座標軸とする
座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,
0.025),(0.550,0.325,0.12
5),(0.375,0.325,0.300),
(0.100,0.425,0.475),(0.10
0,0.475,0.425),(0.375,0.4
25,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但
し、a+b+c=1.00である。)。」
つ緻密な圧電部とすることができるため、圧電素子の屈
曲変位の増大、電界に対する屈曲変位の直線性の向上、
更には大きな屈曲変位を起こさせる条件下での耐久性向
上が可能となる。
cを、上述した特定の範囲とするのは、この範囲外であ
ると、圧電素子の屈曲変位の低下、電界に対する屈曲変
位の直線性の低下、及び耐久性の低下を生じるためであ
る。また、上記一般式(1)中のy(Mgに対するNi
の置換割合を示す。)の範囲を、0.05〜0.20と
するのは、yが0.05未満であると緻密化が不充分と
なるため、圧電素子の屈曲変位の低下、並びに短絡及び
絶縁破壊の発生割合の増大を生じるからであり、yが
0.20を超えると電界に対する屈曲変位の直線性の低
下、及び圧電部1の耐久性の低下を生じるからである。
(1)中のyは、0.08〜0.18であることが好ま
しく、0.10〜0.15であることがより好ましい。
物中のNiが、この圧電磁器組成物により構成される圧
電部1に均一に分散していることが好ましく、圧電部の
セラミックス基体との固着面から厚さ方向に、高濃度と
なる濃度勾配を有して分散していることがより好まし
い。
体2に直接又は電極を介して固着した場合であっても、
より緻密化した圧電部1とすることができる。
組成物中のNiは、少なくとも一部がNiOを主成分と
する粒子として存在していることが好ましい。
対する屈曲変位の直線性を高電界領域まで確保すること
ができ、従来の圧電素子より、同一の電力で大きな屈曲
変位が得られる。
分とする粒子は、電界に対する屈曲変位の直線性をより
高電界領域まで確保することができる点で、圧電磁器組
成物の表面及び/又は内部に存在していることが好まし
く、圧電磁器組成物の表面に偏在していることがより好
ましい。
り、圧電磁器組成物の一部に偏って存在するという意味
であり、圧電磁器組成物の表面及び内部に存在している
が表面に偏って存在するもの、表面又は内部にのみ存在
するもの両方を含む意味である。
粒子の粒径については特に制限はないが、0.1〜2μ
mが好ましい。また、NiOを主成分とする粒子は、N
iOのみからなるものでも、MgOを固溶してなるもの
でもよいが、屈曲変位の直線性が大きい点でMgOを固
溶してなるものが好ましい。
は、圧電特性の向上、及び電界量に対する屈曲変位量の
直線性向上のために、圧電磁器組成物中のPbを、S
r、Ca、Ba、及びLaよりなる群から選ばれる少な
くとも1種で置換することが好ましい。
率で置換すると、反って、屈曲変位の低下、温度変化に
対する屈曲変位の影響増大、及び電界量に対する屈曲変
位量の直線性低下を生じることとなるので、置換元素毎
に好適な範囲とすることが好ましい。
を、Sr、Ca、及びBaからなる群から選ばれる少な
くとも1種で置換する場合は、圧電磁器組成物中のPb
の2〜10mol%を置換することが好ましく、4〜8
mol%を置換することがより好ましい。また、圧電磁
器組成物中のPbをLaで置換する場合は、圧電磁器組
成物中のPbの0.2〜1.0mol%を置換すること
が好ましく、0.4〜0.9mol%置換することがよ
り好ましい。
粒径が1〜10μmで、最大粒径が当該平均粒径の5倍
以下であることが好ましく、平均粒径が2〜5μmで、
最大粒径が当該平均粒径の4倍以下であることがより好
ましく、平均粒径2〜5μmで、最大粒径が当該平均粒
径の3倍以下であることが更に好ましい。
中の分域が充分発達しないため、屈曲変位の低下、及び
高電界領域における電界に対する屈曲変位の直線性の低
下が生じ易い。一方、平均粒径が10μmを超えても、
圧電部中の分域が大きいものの、分域が動きにくくなる
ため、結局屈曲変位が小さくなり易い。
ると、やはり分極が動きにくくなる粗大な粒子が多くな
るため、電界に対する屈曲変位の直線性は低くなり易
く、屈曲変位自体も小さくなり易い。
曲変位を向上させるためには、ペロブスカイト相以外の
相を、20容積%以下とすることが好ましく、10容積
%以下とすることがより好ましい。
位及び機械的強度を確保するため、並びに高電界領域に
おける電界に対する屈曲変位の直線性を高めるために
は、気孔率が10容積%以下であることが好ましく、5
容積%以下であることがより好ましい。
が1〜300μmであることが好ましく、厚さが3〜1
00μmであることがより好ましく、厚さが5〜30μ
mであることが特に好ましい。
前述した特定の圧電磁器組成物からなる圧電部であって
も緻密化が不十分となり易い。一方、圧電部の厚さが3
00μmを超えると相対的に基体への応力が過大となる
ため、基体破壊を防止するためにより厚いセラミックス
基体が必要となり、結局、小型化への対応が困難にな
る。
械的強度、及び所望の屈曲変位の確保という点から、圧
電部1の厚さに対するセラミックス基体2の厚さの比
(セラミックス基体/圧電部)が、0.1〜30である
ことが好ましく、0.3〜10であることがより好まし
く、0.5〜5であることが特に好ましい。
1に電気的に接続されるものであればよい。
ば、図4に示すように、基体2に固着してなる圧電部1
上に、一対の櫛形電極3a、3bを形成したもの、逆
に、図5に示すように、基体2に固着してなる一対の櫛
形電極3c、3d上に圧電部1を固着してなるものを挙
げることができる。
してなる一対の櫛形電極3c、3d上に圧電部1を固着
してなるとともに、櫛形電極3c、3dが固着している
圧電部の面と反対の面に共通電極3eを形成してなるも
のでもよく、逆に、図7に示すように、基体2に固着し
てなる共通電極3e上に圧電部1を固着してなるととも
に、共通電極3eを固着している圧電部1の面と反対の
面に一対の櫛形電極3c、3dを形成してなるものでも
よい。
部(1a〜1k)を階層的に設けられる積層型の圧電素
子では、各圧電部(1a〜1k)間に、電極の負極3f
と正極3gとを交互に挟持させる構造が好ましい。
0%が好ましく、70〜80%がより好ましい。電極幅
が圧電部幅の60%未満であると、電界が加わる圧電部
面積が小さいため屈曲変位が小さくなり、電極幅が圧電
部幅の90%を超えると電極の位置合わせに精度が必要
となり、位置合わせの精度が悪いと、電極間の短絡や絶
縁破壊の原因となる。
て特に制限はないが、例えば、白金、パラジウム、ロジ
ウム、金、銀、及びこれらの合金よりなる群から選ばれ
る少なくとも1種からなるものを挙げることができる。
また、熱処理の際の膜形成を容易とするために、ガラス
成分を加えてもよい。中でも、圧電部を熱処理する際の
耐熱性が高い点で、白金、又は白金を主成分とする合金
からなるものが好ましい。また、前述した積層型の圧電
素子とする場合には、各電極の材質は、総ての電極で同
一であってもよく、一部又は総ての電極で異なってもよ
い。
電極3が緩和層として作用し、屈曲変位が小さくなり易
いため、厚さが15μm以下のものが好ましく、5μm
以下のものがより好ましい。
説明した各構成要素が特定の状態、即ち、電極3は、圧
電部1に電気的に接続され、圧電部1は、基体2に、直
接又は電極を介して固着されているものである。
ミックス基体2と圧電部1間の振動伝達性の低下、及び
接着剤成分等の浸透による圧電部1やセラミックス基体
2の特性劣化による、圧電特性の低下を回避することが
できる。
の接着剤を用いることなく、セラミックス基体と圧電部
又は電極との固相反応により、セラミックス基体に圧電
部を直接又は電極を介して緊密一体化することを意味す
る。
は、最下部の圧電部1aを、基体2に、直接又は電極3
gを介して固着すればよい。
極前の容量に対する分極後の容量の比は、動き易い分極
構造であるという点で120%以上が好ましく、125
%以上であることがより好ましい。
いて説明する。本発明の製造方法では、まず、特定の三
成分固溶系組成物を主成分とする圧電材料を、セラミッ
クスからなる基体上、又は当該基体に形成された電極上
に積層する。
電素子のところで述べたセラミックスに対応する原料を
用いて、プレス加工、押し出し加工等の常法により所望
の形状の成形体を作製後、通常行われる条件により、焼
成して作製することができる。
本発明の圧電素子で述べた三成分固溶系組成物を主成分
とするものであり、以下のようにして調製することがで
きる。
La、Mg、Ni、Nb、Zr、Tiの各元素からなる
単体、これら各元素の酸化物(例えば、PbO、Pb3
O4、La2O3、MgO、NiO、Nb2O5、TiO2、
ZrO2)、これら各元素の炭酸塩(例えば、BaC
O3、SrCO3、MgCO3、CaCO3)、又はこれら
各元素を複数含有する化合物(例えば、MgNb2O)
等を、Pb、Ba、Ca、Sr、La、Mg、Ni、N
b、Zr、及びTiの各元素の含有率が、既に述べた一
般式(1)に示す所望の割合になるように混合して、混
合物を調製する。この際、得られた混合物は、均一な混
合がなされ易い点で、平均粒径を、好ましくは1μm以
下、より好ましくは0.5μm以下とする。
0℃で仮焼して圧電磁器組成物とする。この際、仮焼後
の圧電磁器組成物は、X線回折装置による回折強度にお
いて、パイロクロア相の最強回折線の強度に対するペロ
ブスカイト相の最強回折線の強度の比が、5%以下であ
ることが好ましく、2%以下であることがより好まし
い。
えば、ボールミル、アトライタ、ビーズミル等の粉砕装
置で粉砕して、所望の粒径の圧電材料粉末とする。この
際、圧電材料粉末の平均粒径は、0.1〜1.0μmで
あることが好ましく、0.3〜0.7μmであることが
より好ましい。また、圧電材料粉末の最大粒径は3.0
μ以下であることが好ましく、2.0μm以下であるこ
とがより好ましい。このような粒径としておくことで、
後述する熱処理によって、平均粒径が1〜10μmで、
最大粒径が平均粒径の5倍以下である所望の三成分固溶
系組成物とすることができる。
得られた圧電材料粉末を、400〜750℃で熱処理す
ることにより行ってもよい。この際には、微細な粒子ほ
ど他の粒子と一体化して粒径の揃った粉末となり、粒径
が揃った圧電部とすることができるため好ましい。ま
た、圧電材料は、例えば、アルコキシド法や共沈法等に
よって調製してもよい。
層する方法としては、例えば、スクリーン印刷、スプレ
ー、又はディッピング等を挙げることができる。中で
も、簡単に精度の高い形状、厚さで連続して積層するこ
とができる点でスクリーン印刷法が好ましい。
合には、基体上に直接圧電材料を積層すればよく、基体
上に電極を介して圧電部を固着する場合には、先に、基
体上に電極を形成し、その電極上に圧電材料を積層すれ
ばよい。
えば、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PV
D、イオンプレーティング、CVD、メッキ、スクリー
ン印刷、スプレー、又はディッピング等を挙げることが
できる。中でも、セラミックス基体及び圧電部との接合
性の点でスパッタリング法、又はスクリーン印刷法が好
ましい。
400℃程度の熱処理により、基体及び/又は圧電部と
一体化することができる。この際、当該熱処理は、圧電
材料を積層する前に、電極を形成した時点で行ってもよ
いが、次に述べる圧電材料を積層後に行う熱処理によっ
て一括して行ってもよい。
電極上に積層した圧電材料を、当該圧電材料と同組成の
雰囲気制御材料を共存させて、密封雰囲気内で熱処理す
る。
成分の揮発を防いで、各成分が所望の比率で含有する圧
電部とすることができる。また、この熱処理により、圧
電部を基体に直接又は電極を介して固着させることがで
きる。
を、雰囲気における容器内空間単位体積当たりのNiO
換算量で、0.03〜0.50mg/cm3共存させる
ことが好ましく、0.07〜0.40mg/cm3共存
させることがより好ましく、0.10〜0.30mg/
cm3共存させることが更に好ましい。
りのNiO換算量が、0.03mg/cm3未満である
と、所望量のNiを含有する圧電部を得難いため、高電
界を付与した際の電界に対する屈曲変位の直線性が低い
圧電素子となり易い。一方、容器内空間単位体積当たり
のNiO量が、0.50mg/cm3を超えると、Ni
Oを主成分とする粒子が過剰に存在する圧電部となるた
め、絶縁破壊を起こし易くなる。
O含有率を、圧電材料を構成する圧電磁器組成物と同一
とすることにより、NiOを圧電部中に均一に分散させ
ることができ、圧電材料を構成する圧電磁器組成物より
高濃度とすることにより、NiOを圧電部中にセラミッ
クス基体との接触面から厚さ方向に高濃度となる濃度勾
配をもたせて分散させることができる。また、共存させ
る組成物のNiO含有率を調整することにより濃度勾配
の大きさを調整することもできる。
圧電材料が積層されたものを収納、載置する容器、棚板
として、圧電材料と同じ組成の雰囲気調整材料を共存さ
せた雰囲気内で熱処理(以下、単に「予備処理」という
ことがある。)した容器、棚板を用いることが好まし
い。
有する圧電部を得ることができ、高電界領域に至るまで
電界に対する屈曲変位の直線性が高い圧電素子とするこ
とができる。
の雰囲気調整材料を共存させることに加え、当該予備処
理を行った容器及び棚板を用いて圧電材料の熱処理を行
うことが特に好ましい。
び/内部にNiOを主成分とする粒子が存在する圧電部
が得られ、高電界領域に至るまで電界に対する屈曲変位
の直線性がより高い圧電素子とすることができる。
させるには、当該粒子を形成することができる条件の
下、前述したNiOを圧電部中に濃度勾配を設けて存在
させる場合と同様にして熱処理を行えばよい。
ては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジル
コニウム、ムライト、又はスピネルを主成分とするもの
が好ましい。
を充分に発揮させるためには、基体等の上に積層した圧
電部材料を熱処理する際の温度に対して±100℃の温
度で行うことが好ましい。
Oを主成分とする粒子を確実に存在させるためには、当
該予備処理を、複数回行うことが好ましく、少なくとも
3回以上行うことがより好ましい。
後、圧電材料の熱処理を複数回行うことも好ましく、逆
に当該予備処理を複数回行った後、圧電材料の熱処理を
1回行うことも好ましい。また、当該予備処理を複数回
行った後、圧電材料の熱処理を複数回行うことも好まし
い。
は、1000〜1400℃が好ましく、1100〜13
50℃がより好ましい。1000℃未満の温度では、セ
ラミックス基体と圧電部との固着が不完全であったり、
圧電部の緻密性が不十分となることがあり、1400℃
を超えると、圧電材料中のPb、Niの揮発量が多くな
るため、所望の組成の圧電部を得ることが困難となる。
10分以上10時間以下が好ましく、1時間以上4時間
以下がより好ましい。10分未満では、圧電磁器組成物
の緻密化や粒成長が不充分となり易く、所望の特性が得
られない場合があり、10時間を超えると、たとえ雰囲
気制御を行っていても、PbやNiの揮発総量が多くな
り、特性が低下したり、絶縁破壊が増えるという不具合
が発生する。
形成する前に行ってもよいが、電極を形成した後に一括
して行ってもよい。同様に、積層型の圧電素子では、各
電極と各圧電部は、それぞれを形成するたびに熱処理し
てもよいし、全てを形成した後に熱処理してもよいし、
いくつかを形成した後に熱処理することを繰り返しても
よい。
に、圧電素子に圧電部の抗電界以上の電界を印加し、分
極方向を揃える分極処理を行うことが好ましい。この
際、分極処理後の容量は、当該処理前の容量に対して、
120%以上であることが好ましく、125%以上であ
ることがより好ましい。
するが、本発明はこれら実施例によって何ら限定される
ものではない。なお、各実施例及び比較例の圧電素子に
ついての評価は以下のようにして行った。
加した際に生じた屈曲変位をレーザー変位測定機により
測定した。
加した際に生じた屈曲変位と、2kV/mmとなるよう
に電圧を印加した際に生じた変位を測定し、その比を求
めて評価した。なお、直線性が高いほど200%に近似
した値となる。
電子顕微鏡で鏡検して測定した。具体的には、任意の観
察像に直線を引き、その直線を横切った粒界距離を粒径
とし、三成分固溶系組成物100個分の粒径を測定し、
平均粒径と最大粒径を求めた。
表面、縦横50μmの範囲を走査型電子顕微鏡で鏡検
し、3視野での圧電部中の気孔の占める面積の割合をそ
れぞれ求め、その平均値を気孔率とした。
/offを、1kHzの周波数で1×108回連続で印
加した時の、連続印加前の屈曲変位に対する連続印加後
の屈曲変位の割合で評価した。即ち、連続印加前後で屈
曲変位が変化していなければ耐久性100%であり、連
続印加後の屈曲変位が0となった場合耐久性は0%とな
る。
した場合に、全圧電素子数に対する絶縁破壊した圧電素
子数の割合を、絶縁破壊率として評価した。
2基体(薄肉部の寸法:1.6×1.1mm、厚さ:1
0μm、厚さ方向における断面形状が、長方形(圧電部
又は電極を固着する面が平坦))上に白金からなる下部
電極(寸法:1.2×0.8mm、厚さ:3μm)をス
クリーン印刷法により形成し、1300℃、2時間の熱
処理により基体と一体化させた。
粒径1.8μmであるPb1.00{(Mg0.87Ni0.13)
1/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる圧電材
料(寸法:1.3×0.9mm、厚さ:13μm)をス
クリーン印刷法により積層した。
御材料を、容器内空間単位体積当たりのNiO換算量で
0.15mg/cm3容器内に共存させ、基体上に圧電
材料を積層したものを、1275℃、2時間熱処理し
た。熱処理後の圧電部の厚さは、10μmであった。
組成の雰囲気調整材料を、容器内空間単位体積当たりの
NiO量で0.15mg/cm3容器内に共存させて、
用いる容器及び棚板について熱処理(以下、「予備処
理」ということがある。)を1回行って雰囲気に馴染ま
せておき、当該容器及び棚板に、収納及び載置して行っ
た。
極(寸法:1.2×0.8mm、厚さ:0.5μm)を
スクリーン印刷法により形成した後、熱処理して圧電素
子を製造した。
最大粒径が5.3μmである、Pb1.00{(Mg 0.87N
i0.13)1/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からな
る圧電材料を使用したこと以外は、実施例1と同様にし
て圧電素子を製造した。
は2.2μm、最大粒径は5.9μmであった。そし
て、電界2kV/mmの屈曲変位に対する4kV/mm
の屈曲変位の比率(以下、「4/2屈曲変位比率」とい
うことがある。)は、165%と、電界に対する屈曲変
位の直線性は高かった。また、屈曲変位自体も、2.1
8μmと大きかった。
径は2.3μmであるが、最大粒径は15.5μと平均
粒径の5倍を超えていた。そして、この圧電素子では、
4/2屈曲変位比率は151%であり、電界に対する屈
曲変位の直線性は実施例1の圧電素子より低かった。ま
た、屈曲変位自体も、1.81μmと実施例1の圧電素
子より小さかった。結果をまとめて表1に示す。
1.00{(Mg0.87Ni0.13)1/3Nb2/3}0.20Ti0. 43
Zr0.37O3からなる圧電磁器組成物を調製し、それぞ
れ得られた圧電磁器組成物97容量%、93容量%、8
5容量%に対して、粒径8〜12μmのラテックスをそ
れぞれ3容量%、7容量%、15容量%混合したものを
圧電材料として用いたこと以外は実施例1と同様にして
圧電素子を製造した。
にラテックスを15容量%混合)では、気孔率が19%
であったが、その際の4/2屈曲変位比率は139%
で、屈曲変位は1.65μmであった。同様に、参考例
2の圧電素子(圧電材料中にラテックスを7容量%混
合)では、気孔率が10%で、その際の4/2屈曲変位
比率は151%で、屈曲変位は1.93μmであり、参
考例1の圧電素子(圧電材料中にラテックスを3容量%
混合)では、気孔率が5%で、その際の4/2屈曲変位
比率は161%で、屈曲変位は2.02μmであった。
以上から、気孔率が小さくなるにしたがって電界に対す
る屈曲変位の直線性が高く、屈曲変位が大きくなること
が確認された。結果をまとめて表2に示す。
(y)の異なる3成分固溶系組成物からなる圧電材料を
用いたこと以外は実施例1と同様にして圧電素子を製造
した。
13の実施例1の圧電素子では、気孔率が3%と小さ
く、連続印加前の屈曲変位に対する連続印加後の屈曲変
位の割合は94%と、極めて耐久性に優れることが認め
られた。また、屈曲変位は、2.18μmと大きかっ
た。
(y)が0.03と小さな比較例1の圧電素子では、気
孔率が13%と大きく、連続印加前の屈曲変位に対する
連続印加後の屈曲変位の割合は89%と、耐久性が実施
例1の圧電素子より劣る結果となった。また、屈曲変位
も、1.96μmと実施例の圧電素子より小さかった。
他方、組成物中のNi割合(y)が0.25と大きな比
較例2の圧電素子では、気孔率が4%と小さいものの、
連続印加前の屈曲変位に対する連続印加後の屈曲変位の
割合は73%と、耐久性が最も劣る結果となった。ま
た、屈曲変位も、1.83μmと最も小さかった。結果
をまとめて表3に示す。
0.16)0.97/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からな
る圧電材料を積層したこと以外は実施例1と同様にして
圧電素子を製造した。
電極上に、Pb1.00{(Mg0.95Ni0.05)0.97/ 3Nb
2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる圧電材料を積層
し、更にその上に、Pb1.00{(Mg0.80Ni0.20)
0.97/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる圧電
材料を積層したこと以外は実施例1と同様にして圧電素
子を製造した。
電極上に、Pb1.00{(Mg0.95Ni0.05)0.97/ 3Nb
2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる圧電材料を積層
し、更にその上に、Pb1.00{(Mg0.80Ni0.20)
0.97/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる圧電
材料を積層したこと、並びに熱処理の際に、予め、予備
処理を3回行った容器及び棚板を用いたこと以外は実施
例1と同様にして圧電素子を製造した。
屈曲変位比率は168%と、電界に対する屈曲変位の直
線性が比較的高く、屈曲変位も2.22μmと大きかっ
た。また、圧電部におけるNiの分散状態をEPMA分
析により確認したところ、いずれでも、NiOを主成分
とする粒子の存在は認められなかった。
屈曲変位比率が、172%と実施例3の圧電素子より電
界に対する屈曲変位の直線性が高く、屈曲変位は略同程
度であった。また、圧電部におけるNiの分散状態をE
PMA分析により確認したところ、圧電部表面にはNi
Oを主成分とする粒子の存在は認められなかったもの
の、圧電部内部にはNiOを主成分とする粒子の存在が
認められた。また、Niは、圧電部とセラミックス基体
との固着面から厚さ方向に高濃度となる濃度勾配を有し
て分散していることが認められた。
屈曲変位比率が、177%と最も高い電界に対する屈曲
変位の直線性が認められ、屈曲変位については略同程度
であった。また、圧電部におけるNiの分散状態をEP
MA分析により確認したところ、圧電部表面及び圧電部
内部の両方で、NiOを主成分とする粒子が存在してい
ることが認められた。また、圧電部表面及び圧電部内部
のNiOを主成分とする粒子からは、Mgが検出され
た。結果をまとめて表4に示す。
おいて、表5に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は
実施例1と同様にして圧電素子を製造した。
合が本発明の範囲内(a=0.97)である実施例6の
圧電素子では、4/2屈曲変位比率が170%と、電界
に対する屈曲変位の直線性が高く、屈曲変位自体も2.
25μmと大きかった。
とNiの合計割合が小さな(a=0.85)比較例3の
圧電素子では、4/2屈曲変位比率が143%と電界に
対する屈曲変位の直線性が低く、屈曲変位自体も1.7
6μmと小さかった。また、圧電磁器組成物中のMgと
Niの合計割合が大きな(a=1.15)比較例4で
は、4/2屈曲変位比率が137%と、電界に対する屈
曲変位の直線性が最も低く、屈曲変位自体も1.59μ
mと最も小さかった。結果をまとめて表5に示す。
て、表6に示す組成の圧電材料を用いたこと以外は実施
例1と同様にして圧電素子を製造した。
明の範囲内(x=0.98)である実施例7の圧電素子
では4/2屈曲変位比率が162%と、電界に対する屈
曲変位の直線性が高く、屈曲変位自体も2.05μmと
大きかった。
率が小さな(x=0.93)比較例5の圧電素子では、
4/2屈曲変位比率が146%と、電界に対する屈曲変
位の直線性が低く、屈曲変位自体も1.72μmと小さ
かった。結果をまとめて表6に示す。
材料を積層したこと以外は実施例1と同様にして圧電素
子を製造した。
子も、4/2屈曲変位比率が160%以上と比較的高い
電界に対する屈曲変位の直線性が認められ、屈曲変位も
2.19μm以上と大きかった。
換した圧電材料を用いた実施例9の圧電素子、及びPb
の10.0mol%をBaで置換した圧電材料を用いた
実施例10の圧電素子では、4/2屈曲変位比率が、そ
れぞれ169%、166%と、Pbを全く置換しない組
成からなる圧電材料を用いた実施例8の圧電素子に比べ
て、電界に対する屈曲変位の直線性がより高くなった。
7.5mol%をCa(全体で15mol%)で置換し
た圧電材料を用いた実施例11の圧電素子では、4/2
屈曲変位比率が160%と、Pbを全く置換しない組成
からなる圧電材料を用いた実施例8の圧電素子に比べ
て、電界に対する屈曲変位の直線性がより低くなった。
結果をまとめて表7に示す。
電材料を用いたこと以外は実施例1と同様にして圧電素
子を製造した。
素子も、4/2屈曲変位比率が161%以上と、比較的
高い電界に対する屈曲変位の直線性が認められた。
換した圧電材料を用いた実施例12の圧電素子では、4
/2屈曲変位比率が167%と、Pbの一部をLaで置
換していない圧電材料を用いた実施例8の圧電素子に比
べ、電界に対する屈曲変位の直線性がより高く、屈曲変
位自体も2.30μm以上とより大きくなった。
換した圧電材料を用いた実施例13の圧電素子では、4
/2屈曲変位比率が161%と、実施例8の圧電素子に
比べ、電界に対する屈曲変位の直線性がより低く、屈曲
変位自体も2.18μmとより小さくなった。結果をま
とめて表8に示す。
1.00{(Mg0.90Ni0.10)1/3Nb2/3}0.20Ti0.43
Zr0.37O3からなる圧電材料を積層したこと、及び表
9に示すように、雰囲気制御材料を、容器内空間単位体
積当たりのNiO換算量で、それぞれ0.15mg/c
m3、0.750mg/cm3、0.015mg/cm3
雰囲気内に共存させて熱処理を行ったこと、及び予備処
理を行わない容器及び棚板を用いたこと以外は実施例1
と同様にして圧電素子を製造した。
位体積当たりのNiO量で0.15mg/cm3共存さ
せて熱処理を行った実施例14の圧電素子では、4/2
屈曲変位比率が167%と、高い電界に対する屈曲変位
の直線性が認められた。
内空間単位体積当たりのNiO換算量で、0.750m
g/cm3共存させて熱処理を行った比較例6の圧電素
子では、4/2屈曲変位比率が164%と、電界に対す
る屈曲変位の直線性が比較的高く、屈曲変位自体も2.
01μmと、比較的大きかったものの、圧電素子の絶縁
破壊率が15%と大きかった。また、雰囲気制御材料
を、容器内空間単位体積当たりのNiO量換算で、0.
015mg/cm3共存させて熱処理を行った比較例7
の圧電素子では、4/2屈曲変位比率が144%と小さ
く、電界に対する屈曲変位の直線性が最も低くなった。
また、屈曲変位自体も、1.58μmと最も小さくなっ
た。結果をまとめて表9に示す。
における断面形状が、W形状のものを用いたこと、及び
Pb1.00{(Mg0.90Ni0.10)1/3Nb2/3}0.20Ti
0.43Zr0.37O3からなる圧電材料を用いたこと以外
は、以外は実施例1と同様にして圧電素子を製造した。
0.10)1/3Nb2/3}0.20Ti0.43Zr0.37O3からなる
圧電材料を用いたこと以外は、以外は実施例1と同様に
して圧電素子を製造した。なお、基体の厚さ方向におけ
る断面形状は、実施例1と同様に長方形(圧電部又は電
極を固着する面が平坦)である。
の基体を用いた実施例15では、4/2屈曲変位比率が
173%と、厚さ方向における断面形状が長方形(圧電
部又は電極を固着する面が平坦)の基体を用いた実施例
16に比べ、電界に対する屈曲電位の直線性が高く、屈
曲変位自体も2.49μmと実施例16の圧電素子より
大きかった。
料、正電極、圧電材料、負極電極の順で積層し、2つの
圧電部間に、負電極と正電極とが交互に挟んで積層さ
れ、最下部の圧電部については、基体に電極を介して固
着されている積層型の圧電素子としたこと、及び、圧電
材料を積層した際の厚さを実施例1の半分にして、各圧
電部の厚さを5μm(全体では実施例1と同様に10μ
m)としたこと以外は実施例1と同様にして圧電素子を
製造した。
の圧電素子では、4/2屈曲変位比率が165%と大き
く、電界に対する屈曲電位の直線性が高かった。一方、
各圧電部の厚さが半分で層数が2である実施例17の圧
電素子では、4/2屈曲変位比率は161%と実施例1
の圧電素子より電界に対する屈曲電位の直線性が低くな
った。但し、屈曲変位自体は2.30μmと、実施例1
の圧電素子より大きかった。結果をまとめて表11に示
す。
ば、極めて高い圧電特性を有するとともに、セラミック
ス基体と圧電部間の振動伝達性に優れ、更には電界に対
する屈曲変位の直線性が高く、大きな屈曲変位での長期
間に至る使用においても高い耐久性を有する圧電素子及
びその製造方法を提供することができる。本発明の圧電
素子は、アクチュエータ、センサー等に好適に使用する
ことができる。
に示す説明図で、(イ)は、平面図、(ロ)は、X−
X’断面図である。
に示す説明図で、(イ)は、平面図、(ロ)は、X−
X’断面図である。
に示す説明図で、(イ)は、平面図、(ロ)は、X−
X’断面図である。
に示す説明図で、(イ)は、平面図、(ロ)は、X−
X’断面図である。
に示す説明図で、(イ)は、平面図、(ロ)は、X−
X’断面図である。
に示す断面図である。
に示す断面図である。
に示す断面図である。
2b…厚肉部、2c…薄肉部)、3…電極(3a…上部
電極、3b…下部電極、3c、3d…櫛型電極、共通電
極…3e、3f…負極、3g…正極)。
Claims (15)
- 【請求項1】 セラミックスからなる基体と、 下記一般式(1)に示すPb(Mg、Ni)1/3Nb2/3
O3−PbZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物を
主成分とする圧電磁器組成物からなる圧電部と、 電極とを備え、 該電極は、該圧電部に電気的に接続され、 該圧電部は、該基体に、直接又は該電極を介して固着さ
れていることを特徴とする圧電素子。 【化1】 Pbx{(Mg1-yNiy)1/3×aNb2/3}bTicZrdO3 …(1) 「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.05≦y
≦0.20、0.90≦a≦1.10であり、かつb,
c,dが、該b,c,dを座標軸とする座標中、(b,
c,d)=(0.550,0.425,0.025),
(0.550,0.325,0.125),(0.37
5,0.325,0.300),(0.100,0.4
25,0.475),(0.100,0.475,0.
425),(0.375,0.425,0.200)で
囲まれる範囲の小数である(但し、(b+c+d)=
1.000である。)。」 - 【請求項2】 セラミックスからなる基体と、 下記一般式(1)に示すPb(Mg、Ni)1/3Nb2/3
O3−PbZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物を
主成分とする圧電磁器組成物からなる複数の圧電部と、 複数の電極とを備え、 該複数の圧電部が、各圧電部間に、該電極の負極と正極
とを交互に挟んで積層され、最下部の圧電部について
は、該基体に直接又は該電極を介して固着されているこ
とを特徴とする圧電素子。 【化2】 Pbx{(Mg1-yNiy)1/3×aNb2/3}bTicZrdO3 …(1) 「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.05≦y
≦0.20、0.90≦a≦1.10であり、かつb,
c,dが、該b,c,dを座標軸とする座標中、(b,
c,d)=(0.550,0.425,0.025),
(0.550,0.325,0.125),(0.37
5,0.325,0.300),(0.100,0.4
25,0.475),(0.100,0.475,0.
425),(0.375,0.425,0.200)で
囲まれる範囲の小数である(但し、(b+c+d)=
1.000である。)。」 - 【請求項3】 前記三成分固溶系組成物は、平均粒径が
1〜10μmで、最大粒径が、該平均粒径の5倍以下で
ある請求項1又は2に記載の圧電素子。 - 【請求項4】 セラミックスからなる基体と、 下記一般式(1)に示すPb(Mg、Ni)1/3Nb2/3
O3−PbZrO3−PbTiO3三成分固溶系組成物を
主成分とする圧電磁器組成物からなり、その表面及び/
又は内部に、該NiOを主成分とする粒子が存在してい
る圧電部と、 電極とを備え、 該電極は、該圧電部に電気的に接続され、 該圧電部は、該基体に、直接又は該電極を介して固着さ
れていることを特徴とする圧電素子。 【化3】 Pbx{(Mg1-yNiy)1/3×aNb2/3}bTicZrdO3 …(1) 「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.05≦y
≦0.20、0.90≦a≦1.10であり、かつb,
c,dが、該b,c,dを座標軸とする座標中、(b,
c,d)=(0.550,0.425,0.025),
(0.550,0.325,0.125),(0.37
5,0.325,0.300),(0.100,0.4
25,0.475),(0.100,0.475,0.
425),(0.375,0.425,0.200)で
囲まれる範囲の小数である(但し、(b+c+d)=
1.000である。)。」 - 【請求項5】 前記三成分固溶系組成物は、平均粒径が
1〜10μmで、最大粒径が、該平均粒径の5倍以下で
ある請求項4に記載の圧電素子。 - 【請求項6】 前記NiOを主成分とする粒子が、Mg
Oを固溶してなる請求項4又は5に記載の圧電素子。 - 【請求項7】 前記圧電磁器組成物中の前記Niが、前
記圧電部における前記基体との固着面から厚さ方向に高
濃度となる濃度勾配を有して分散している請求項1〜6
のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項8】 前記圧電磁器組成物中のPbが、全Pb
中2〜10mol%を、Sr、Ca、及びBaからなる
群から選ばれる少なくとも1種で置換されてなる請求項
1〜7のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項9】 前記圧電磁器組成物中のPbが、全Pb
中0.2〜1.0mol%を、Laで置換されてなる請
求項1〜8のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項10】 前記圧電部の厚さが、1〜300μm
である請求項1〜9のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項11】 前記基体の厚さが、3μm〜1mmで
ある請求項1〜10のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項12】 前記圧電部の厚さに対する前記基体の
厚さの比(基体の厚さ/圧電部の厚さ)が、0.1〜3
0である請求項1〜11のいずれか一項に記載の圧電素
子。 - 【請求項13】 前記基体の厚さ方向における断面形状
が、三つの変曲点を有するW形状である請求項1〜12
のいずれか一項に記載の圧電素子。 - 【請求項14】 下記一般式(1)に示す、Pb(M
g、Ni)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−PbTiO3
三成分固溶系組成物を主成分とする圧電材料を、セラミ
ックスからなる基体上に、又は該基体に形成された電極
上に積層し、 該圧電材料と同組成の雰囲気調整材料を、容器内空間単
位体積当たりのNiO量に換算して、0.03〜0.5
mg/cm3共存させた雰囲気内で、該積層された圧電
材料を熱処理することを特徴とする圧電素子製造方法。 【化4】 Pbx{(Mg1-yNiy)1/3×aNb2/3}bTicZrdO3 …(1) 「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.05≦y
≦0.20、0.90≦a≦1.10であり、かつb,
c,dが、該b,c,dを座標軸とする座標中、(b,
c,d)=(0.550,0.425,0.025),
(0.550,0.325,0.125),(0.37
5,0.325,0.300),(0.100,0.4
25,0.475),(0.100,0.475,0.
425),(0.375,0.425,0.200)で
囲まれる範囲の小数である(但し、(b+c+d)=
1.000である。)。」 - 【請求項15】 下記一般式(1)に示す、Pb(M
g、Ni)1/3Nb2/3O3−PbZrO3−PbTiO3
三成分固溶系組成物を主成分とする圧電材料を、セラミ
ックスからなる基体上に、又は該基体に形成された電極
上に積層し、該積層された圧電材料を、雰囲気内で熱処
理する圧電素子製造方法であって、 前記熱処理の際に、該圧電材料が積層されたものを収
納、載置する容器及び棚板として、該圧電材料と同じ組
成の雰囲気調整材料を、容器内空間単位体積当たりのN
iO量で0.03〜0.5mg/cm3共存させて、予
め雰囲気内で熱処理した容器及び棚板を用いることを特
徴とする圧電素子製造方法。 【化5】 Pbx{(Mg1-yNiy)1/3×aNb2/3}bTicZrdO3 …(1) 「式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.05≦y
≦0.20、0.90≦a≦1.10であり、かつb,
c,dが、該b,c,dを座標軸とする座標中、(b,
c,d)=(0.550,0.425,0.025),
(0.550,0.325,0.125),(0.37
5,0.325,0.300),(0.100,0.4
25,0.475),(0.100,0.475,0.
425),(0.375,0.425,0.200)で
囲まれる範囲の小数である(但し、(b+c+d)=
1.000である。)。」
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003067673A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Element piezoelectrique multicouche et son procede de fabrication |
EP1471584A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive film type device and piezoelectric/electrostrictive porcelain composition |
JP2004349423A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Ngk Insulators Ltd | 多層型圧電/電歪素子 |
JP2005183701A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
US7176155B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrosrictive material, and piezoelectric/electrostrictive film device |
US7425790B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive porcelain composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of piezoelectric/electrostrictive device |
US7524041B2 (en) | 2002-10-15 | 2009-04-28 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Pressure producing apparatus |
EP2073284A2 (en) | 2007-12-18 | 2009-06-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive membrane element |
US7727585B2 (en) | 2007-02-19 | 2010-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric device and its manufacturing method |
US7727584B2 (en) | 2007-02-19 | 2010-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric device and its manufacturing method |
JP2010232666A (ja) * | 2010-04-26 | 2010-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪膜型素子 |
US7842398B2 (en) | 2006-03-23 | 2010-11-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005247619A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪磁器組成物、圧電/電歪体、及び圧電/電歪膜型素子 |
JP2006202990A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Ngk Insulators Ltd | 圧電素子 |
EP2124269B1 (en) | 2007-02-20 | 2013-05-08 | NGK Insulators, Ltd. | Piezoelectric device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS503519B1 (ja) * | 1970-11-11 | 1975-02-05 | ||
JPS60102779A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Hitachi Metals Ltd | 圧電磁器組成物 |
MY104019A (en) * | 1988-05-27 | 1993-10-30 | Mitsui Chemicals Inc | Ferroelectric ceramic material. |
US5275988A (en) * | 1991-04-12 | 1994-01-04 | Nec Corporation | Ceramic composition |
JP3151644B2 (ja) * | 1993-03-08 | 2001-04-03 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
US5900274A (en) * | 1998-05-01 | 1999-05-04 | Eastman Kodak Company | Controlled composition and crystallographic changes in forming functionally gradient piezoelectric transducers |
WO2001093345A1 (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-06 | Ceramtec Ag | Internal electrode material for piezoceramic multilayer actuators |
-
2001
- 2001-12-20 JP JP2001388315A patent/JP3953806B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-19 EP EP20020258796 patent/EP1321987B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-19 DE DE60229488T patent/DE60229488D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003067673A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Element piezoelectrique multicouche et son procede de fabrication |
US7484278B2 (en) | 2002-02-08 | 2009-02-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a multi-layered piezoelectric |
US6888292B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Multi-layered type piezoelectric device and process for production thereof |
US7524041B2 (en) | 2002-10-15 | 2009-04-28 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Pressure producing apparatus |
EP1471584A3 (en) * | 2003-03-31 | 2006-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive film type device and piezoelectric/electrostrictive porcelain composition |
EP1471584A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive film type device and piezoelectric/electrostrictive porcelain composition |
US7161284B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-01-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Multilayered piezoelectric/electrostrictive device |
JP2004349423A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Ngk Insulators Ltd | 多層型圧電/電歪素子 |
US7176155B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrosrictive material, and piezoelectric/electrostrictive film device |
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US7425790B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive porcelain composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of piezoelectric/electrostrictive device |
US7901729B2 (en) | 2005-01-11 | 2011-03-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device |
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