JP2002216697A - 検査装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、検査基板上の上層から下層に達す
る開口の内部を表示する検査装置に関し、試料にバイア
ス電圧をかけることによりアスペクト比が高く、直径の
小さい２次電子像では観察不可能なコンタクトホールの
像を下層電流像から高分解能、かつ安定に観察すること
を目的としている。 【解決手段】 検査基板上の上層から下層に達する開口
の内部を、細く絞った荷電粒子線で照射しつ面走査する
走査手段と、検査基板に所定の電圧を印加するバイアス
電圧源と、バイアス電圧源で上記検査基板にバイアス電
圧を印加した状態で当該検査基板に流れる電流を検出す
る電流検出手段と、走査手段による面走査に同期して電
流検出手段によって検出した電流で輝度変調して電流画
像を表示する手段とを備えた検査装置である。
る開口の内部を表示する検査装置に関し、試料にバイア
ス電圧をかけることによりアスペクト比が高く、直径の
小さい２次電子像では観察不可能なコンタクトホールの
像を下層電流像から高分解能、かつ安定に観察すること
を目的としている。 【解決手段】 検査基板上の上層から下層に達する開口
の内部を、細く絞った荷電粒子線で照射しつ面走査する
走査手段と、検査基板に所定の電圧を印加するバイアス
電圧源と、バイアス電圧源で上記検査基板にバイアス電
圧を印加した状態で当該検査基板に流れる電流を検出す
る電流検出手段と、走査手段による面走査に同期して電
流検出手段によって検出した電流で輝度変調して電流画
像を表示する手段とを備えた検査装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検査基板上の上
層から下層に達する１個あるいは複数個の開口を検査す
る検査装置であって、半導体ウエハの加工工程の中でウ
エハ表面に加工された回路パターンの中で層間の配線を
行うための貫通孔（いわゆるコンタクトホール）の加工
の不良の検査を行う検査装置に関するものである。コン
タクトホールの検査は、基本的には光学顕微鏡あるいは
電子顕微鏡の画像からその直径を計測し、目的とする許
容範囲内に入っているか否かを判定することであるが、
直径が小さくなるに従い画像の分解能（鮮明度）が低下
してくるため検査が困難となる。
層から下層に達する１個あるいは複数個の開口を検査す
る検査装置であって、半導体ウエハの加工工程の中でウ
エハ表面に加工された回路パターンの中で層間の配線を
行うための貫通孔（いわゆるコンタクトホール）の加工
の不良の検査を行う検査装置に関するものである。コン
タクトホールの検査は、基本的には光学顕微鏡あるいは
電子顕微鏡の画像からその直径を計測し、目的とする許
容範囲内に入っているか否かを判定することであるが、
直径が小さくなるに従い画像の分解能（鮮明度）が低下
してくるため検査が困難となる。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ技術のウエハのパターンが微細化
しコンタクトホールの加工寸法が直径で０．５進歩とと
もにμｍ以下となって光学顕微鏡の分解能では不十分と
なってきたため、量産工場の加工後の検査においてさえ
走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭという）が利用されるよ
うになっている。最近では加工技術の進歩によって更に
微細化が進められており、コンタクトホールの直径も
０．２μｍ以下となることが予想されている。
しコンタクトホールの加工寸法が直径で０．５進歩とと
もにμｍ以下となって光学顕微鏡の分解能では不十分と
なってきたため、量産工場の加工後の検査においてさえ
走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭという）が利用されるよ
うになっている。最近では加工技術の進歩によって更に
微細化が進められており、コンタクトホールの直径も
０．２μｍ以下となることが予想されている。
【０００３】ＳＥＭは高速の電子ビームで観察対象のウ
エハの表面を走査し、その表面から発生する２次電子を
検出して輝度変調して画像を形成表示するものである。
コンタクトホールの検査は、上述の２次電子像を観察し
てホールが下層まで貫通しているか否か、あるいは貫通
孔の直径を測定して行う。コンタクトホールが貫通すべ
き膜の厚さは１μｍ程度であるから、０．２μｍ径のホ
ールではアスペクト比（直径に対する深さの比）は５以
上となり、高速の電子ビームでのホールの底の部分を走
査したときに底で発生した２次電子がホールを脱出する
ことが困難となってしまう。２次電子を検出できなけれ
ばその部分（ホールの底の部分）の情報が得られないこ
ととなる。このような場合、従来の２次電子の変わりに
下層に流れる電流を検出する方法がある。
エハの表面を走査し、その表面から発生する２次電子を
検出して輝度変調して画像を形成表示するものである。
コンタクトホールの検査は、上述の２次電子像を観察し
てホールが下層まで貫通しているか否か、あるいは貫通
孔の直径を測定して行う。コンタクトホールが貫通すべ
き膜の厚さは１μｍ程度であるから、０．２μｍ径のホ
ールではアスペクト比（直径に対する深さの比）は５以
上となり、高速の電子ビームでのホールの底の部分を走
査したときに底で発生した２次電子がホールを脱出する
ことが困難となってしまう。２次電子を検出できなけれ
ばその部分（ホールの底の部分）の情報が得られないこ
ととなる。このような場合、従来の２次電子の変わりに
下層に流れる電流を検出する方法がある。
【０００４】図３は、従来行われてきたＳＥＭでのウエ
ハ下層に流れる電流を検出する方法を説明したものであ
る。図３において、電子線源１は、電子線ビームを発生
するものである。
ハ下層に流れる電流を検出する方法を説明したものであ
る。図３において、電子線源１は、電子線ビームを発生
するものである。
【０００５】電子ビーム２は、電子線源１によって発生
され、放出された１次電子ビームである。コンデンサレ
ンズ３は、電子線源１から放出された電子線ビーム２を
収束するものである。
され、放出された１次電子ビームである。コンデンサレ
ンズ３は、電子線源１から放出された電子線ビーム２を
収束するものである。
【０００６】対物絞り４は、電子線源１から放出された
１次電子ビームをコンデンサレンズ３で収束した時に所
定の開き角を与えるためのものである。出力電子検出器
５は、電子線ビーム２で試料８を照射したときに当該試
料８から放出された出力電子を検出する検出器である。
１次電子ビームをコンデンサレンズ３で収束した時に所
定の開き角を与えるためのものである。出力電子検出器
５は、電子線ビーム２で試料８を照射したときに当該試
料８から放出された出力電子を検出する検出器である。
【０００７】出力電子６は、試料８から上方に放出され
た出力電子の軌道である。対物レンズ７は、電子線ビー
ム２を細く絞って試料８上に照射するものである。
た出力電子の軌道である。対物レンズ７は、電子線ビー
ム２を細く絞って試料８上に照射するものである。
【０００８】試料８は、細く絞った１次電子ビームを照
射して放出される２次電子などを検出して電子線像を表
示して観察する対象の試料である。ホルダ９は、試料８
を支えるものであり、ウエハの下層とは導通が取れるよ
うになっている。
射して放出される２次電子などを検出して電子線像を表
示して観察する対象の試料である。ホルダ９は、試料８
を支えるものであり、ウエハの下層とは導通が取れるよ
うになっている。
【０００９】電流計１０は、ホルダ９を経由して電子ビ
ーム１が試料８上に照射されたときに試料の下層に流れ
た電流を計測するものである。図３の構成において、ま
ず、電子線源１から発生され、放出された電子線ビーム
２を図示外のビーム偏向器によって２段偏向し、対物レ
ンズ７により結像して試料８に細く絞って電子ビームを
照射し、面走査する。次に、試料８から放出された２次
電子などを対物レンズ７の上側に設けた出力電子検出器
５によって検出する。この検出器によって検出された信
号を増幅し、図示外の表示装置上に画像表示し、２次電
子像を得る。また、このときに試料８の下層に流れた電
流を電流計１０で計測する。この電流計１０によって計
測された信号を増幅し、図示外の表示装置上に画像表示
して下層電流像を得る。この下層電流像により加工不良
の検査を行っている。
ーム１が試料８上に照射されたときに試料の下層に流れ
た電流を計測するものである。図３の構成において、ま
ず、電子線源１から発生され、放出された電子線ビーム
２を図示外のビーム偏向器によって２段偏向し、対物レ
ンズ７により結像して試料８に細く絞って電子ビームを
照射し、面走査する。次に、試料８から放出された２次
電子などを対物レンズ７の上側に設けた出力電子検出器
５によって検出する。この検出器によって検出された信
号を増幅し、図示外の表示装置上に画像表示し、２次電
子像を得る。また、このときに試料８の下層に流れた電
流を電流計１０で計測する。この電流計１０によって計
測された信号を増幅し、図示外の表示装置上に画像表示
して下層電流像を得る。この下層電流像により加工不良
の検査を行っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、下層電流像を
得る際、試料８の表面が照射電子により帯電し、安定し
た信号が得られない。
得る際、試料８の表面が照射電子により帯電し、安定し
た信号が得られない。
【００１１】図４は、従来の技術の問題点を説明した図
である。この図はコンタクトホールなどの底の断面図で
ある。図４において、入射電子１１は、図３の電子線源
１から放出された電子線の電子である。
である。この図はコンタクトホールなどの底の断面図で
ある。図４において、入射電子１１は、図３の電子線源
１から放出された電子線の電子である。
【００１２】２次電子１２は、入射電子１１が観察試料
上に照射されたとき、後方散乱領域１５にて発生した２
次電子である。入射電子と２次電子の比率、即ち収率
は、試料の種類および入射電子エネルギーにより決ま
る。
上に照射されたとき、後方散乱領域１５にて発生した２
次電子である。入射電子と２次電子の比率、即ち収率
は、試料の種類および入射電子エネルギーにより決ま
る。
【００１３】チャージ電位１３は、２次電子１２の放出
量に応じて変化する電位で、収率が１より大きければチ
ャージ電位はプラスとなり、収率が１未満であればマイ
ナスになる。
量に応じて変化する電位で、収率が１より大きければチ
ャージ電位はプラスとなり、収率が１未満であればマイ
ナスになる。
【００１４】上層１４は、コンタクトホールなどの底の
表面に残っている薄い層である。後方散乱領域１５は、
入射電子１１が後方散乱し２次電子を発生させる領域で
ある。
表面に残っている薄い層である。後方散乱領域１５は、
入射電子１１が後方散乱し２次電子を発生させる領域で
ある。
【００１５】下層１６は、電流を計測する層である。電
流計１０は、下層１６に流れる電流を計測するものであ
る。図４の構成において、入射電子１１が試料に入射す
ると後方散乱領域１５で２次電子が発生する。この際、
上層と下層が後方散乱領域１５を占める割合におおじて
全体の収率が決まり、収率が１以外であれば電流計１０
に電流が流れ、電流計測できる。それと同時に、試料表
面には収率に応じて帯電が起こり、チャージ電位１３が
変化すると、２次電子１２の放出量も変わる。これは、
２次電子のエネルギーは低く、例えばチャージ電位がプ
ラスになれば、２次電子は試料上に引き戻されてしま
う。２次電子の放出量が変化すれば、電流計の計測値も
変わり安定しない。
流計１０は、下層１６に流れる電流を計測するものであ
る。図４の構成において、入射電子１１が試料に入射す
ると後方散乱領域１５で２次電子が発生する。この際、
上層と下層が後方散乱領域１５を占める割合におおじて
全体の収率が決まり、収率が１以外であれば電流計１０
に電流が流れ、電流計測できる。それと同時に、試料表
面には収率に応じて帯電が起こり、チャージ電位１３が
変化すると、２次電子１２の放出量も変わる。これは、
２次電子のエネルギーは低く、例えばチャージ電位がプ
ラスになれば、２次電子は試料上に引き戻されてしま
う。２次電子の放出量が変化すれば、電流計の計測値も
変わり安定しない。
【００１６】また、従来のＳＥＭで半導体試料を高分解
能で観察する際には、試料にバイアス電圧を印加し、試
料にビームが照射される直前でビームのエネルギーを落
としている。これは半導体試料のチャージを防ぐため
と、試料直前まで電子ビームを高速度にしておき、電子
線源およびさまざまなレンズ系の収差をできるだけ少な
くするためである。しかし、電流計をホルダに接続する
と、バイアス電圧をかけることができない。
能で観察する際には、試料にバイアス電圧を印加し、試
料にビームが照射される直前でビームのエネルギーを落
としている。これは半導体試料のチャージを防ぐため
と、試料直前まで電子ビームを高速度にしておき、電子
線源およびさまざまなレンズ系の収差をできるだけ少な
くするためである。しかし、電流計をホルダに接続する
と、バイアス電圧をかけることができない。
【００１７】
【課題を解決するための手段】これら２つの問題を解決
するため、本発明は、電流計を直接ホルダにつなげず、
高電圧ユニットなどを用いてホルダにバイアス電圧をか
けられるようにしたものである。
するため、本発明は、電流計を直接ホルダにつなげず、
高電圧ユニットなどを用いてホルダにバイアス電圧をか
けられるようにしたものである。
【００１８】図１を参照して課題を解決するための手段
を説明する。この図は、コンタクトホールなどの底の断
面図である。図１において、電流・電圧変換器１７は、
試料の下層１６より流れてきた電流を電圧に変換するも
のである。
を説明する。この図は、コンタクトホールなどの底の断
面図である。図１において、電流・電圧変換器１７は、
試料の下層１６より流れてきた電流を電圧に変換するも
のである。
【００１９】Ｖ／Ｆ変換器１８は、電圧に変換された信
号を周波数変換するものである。アンプ１９は、周波数
変換された信号を増幅するものである。発光素子２０
は、アンプ１９から送られてくる信号を光に変換するも
のである。
号を周波数変換するものである。アンプ１９は、周波数
変換された信号を増幅するものである。発光素子２０
は、アンプ１９から送られてくる信号を光に変換するも
のである。
【００２０】高電圧ユニット２１、電流・電圧変換器１
７、Ｖ／Ｆ変換器１８、アンプ１９、発光素子２０で構
成されており、バイアス電圧２２によりアース電位より
正あるいは負に浮遊（浮動）されるものである。
７、Ｖ／Ｆ変換器１８、アンプ１９、発光素子２０で構
成されており、バイアス電圧２２によりアース電位より
正あるいは負に浮遊（浮動）されるものである。
【００２１】バイアス電圧２２は、試料に電圧をかける
ものである。光ファイバ２３は、発光素子２０で発生し
た光信号を高電圧ユニット２１の外側に誘導するもので
ある。
ものである。光ファイバ２３は、発光素子２０で発生し
た光信号を高電圧ユニット２１の外側に誘導するもので
ある。
【００２２】Ｆ／Ｖ変換器２４は、光の周期を電圧に変
換するものである。画像表示装置２５は、Ｆ／Ｖ変換器
２４から出力された電圧を画像表示するものである。
換するものである。画像表示装置２５は、Ｆ／Ｖ変換器
２４から出力された電圧を画像表示するものである。
【００２３】図１の構成において、入射電子１１が試料
に入射すると後方散乱領域１５で２次電子１２が発生す
る。この際、上層と下層が後方散乱領域１５を占める割
合に応じて全体の収率が決まり、収率が１以外であれば
電流計１７に電流が流れ、電流計測できる。それと同時
に、試料表面には収率に応じて帯電が起こり、チャージ
電位１３が変化する。電圧計２２を安定させるために
は、このときチャージ電位１３をバイアス電位２２によ
り０（零）にする。また、高分解能で観察する際は、試
料直前で高速度の入射電子１１の速度を下げるためバイ
アス電圧２２に負の電圧をかける。
に入射すると後方散乱領域１５で２次電子１２が発生す
る。この際、上層と下層が後方散乱領域１５を占める割
合に応じて全体の収率が決まり、収率が１以外であれば
電流計１７に電流が流れ、電流計測できる。それと同時
に、試料表面には収率に応じて帯電が起こり、チャージ
電位１３が変化する。電圧計２２を安定させるために
は、このときチャージ電位１３をバイアス電位２２によ
り０（零）にする。また、高分解能で観察する際は、試
料直前で高速度の入射電子１１の速度を下げるためバイ
アス電圧２２に負の電圧をかける。
【００２４】試料下層１６に流れた電流を電流・電圧変
換器１７で電圧信号に変換し、更に、Ｖ／Ｆ変換器１８
で周波数信号に変え、アンプ１９で増幅し、発光素子２
０で光信号に変換する。光に変換された信号は、光ファ
イバ２３を経由して高圧ユニット２１外に導かれ、Ｆ／
Ｖ変換器２４で電圧信号に変換され、その電圧を更に増
幅して画像表示装置２５に画像表示し、下層の電流像を
得る。そして、この下層の電流像の面積測定などの画像
解析により、コンタクトホールの良否判定を行う。
換器１７で電圧信号に変換し、更に、Ｖ／Ｆ変換器１８
で周波数信号に変え、アンプ１９で増幅し、発光素子２
０で光信号に変換する。光に変換された信号は、光ファ
イバ２３を経由して高圧ユニット２１外に導かれ、Ｆ／
Ｖ変換器２４で電圧信号に変換され、その電圧を更に増
幅して画像表示装置２５に画像表示し、下層の電流像を
得る。そして、この下層の電流像の面積測定などの画像
解析により、コンタクトホールの良否判定を行う。
【００２５】また、入射電子１１を周期的に遮断し、デ
ィスチャージを行って電流を検出するロッキング・アン
プを用いて、高Ｓ／Ｎで電流を検出し、電流画像を表示
する。
ィスチャージを行って電流を検出するロッキング・アン
プを用いて、高Ｓ／Ｎで電流を検出し、電流画像を表示
する。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、図２を用いて本発明の実施
例を詳細に説明する。図２において、電子線源１は、電
子ビームを発生するものである。
例を詳細に説明する。図２において、電子線源１は、電
子ビームを発生するものである。
【００２７】電子線ビーム２は、電子線源１によって発
生され、放出された１次電子ビームである。コンデンサ
レンズ３は、電子線源１から放出された電子線ビーム２
を収束するものである。
生され、放出された１次電子ビームである。コンデンサ
レンズ３は、電子線源１から放出された電子線ビーム２
を収束するものである。
【００２８】ブランキング電極２６は、電子ビームに一
定の周期の遮断を与えるものである。対物絞り４は、電
子線源１から放出された１次電子ビームをコンデンサレ
ンズ３で収束した時に所定の開き角を与えるためのもの
である。
定の周期の遮断を与えるものである。対物絞り４は、電
子線源１から放出された１次電子ビームをコンデンサレ
ンズ３で収束した時に所定の開き角を与えるためのもの
である。
【００２９】出力電子検出器５は、電子線ビーム２で試
料８を照射したときに当該試料８から放出された出力電
子を検出する検出器である。出力電子６は、試料８から
上方に放出された出力電子の軌道である。
料８を照射したときに当該試料８から放出された出力電
子を検出する検出器である。出力電子６は、試料８から
上方に放出された出力電子の軌道である。
【００３０】対物レンズ７は、電子線ビーム２を細く絞
って試料８上に照射するものである。試料８は、細く絞
った１次電子ビームを照射して放出される２次電子など
を検出して電子線像を表示して観察する対象の試料であ
る。
って試料８上に照射するものである。試料８は、細く絞
った１次電子ビームを照射して放出される２次電子など
を検出して電子線像を表示して観察する対象の試料であ
る。
【００３１】ホルダ９は、試料８を支えるものであり、
ウエハの下層とは導通が取れるようになっている。高電
圧ユニット２１は、電流・電圧変換器、Ｖ／Ｆ変換器、
アンプ、発光素子で構成されており、バイアス電圧２２
によりアース電位より正あるいは負に浮遊（浮動）され
るものである。
ウエハの下層とは導通が取れるようになっている。高電
圧ユニット２１は、電流・電圧変換器、Ｖ／Ｆ変換器、
アンプ、発光素子で構成されており、バイアス電圧２２
によりアース電位より正あるいは負に浮遊（浮動）され
るものである。
【００３２】バイアス電圧２２は、試料８に電圧をかけ
るものである。光ファイバ２３は、高電圧ユニット２１
内の発光素子で発生した光信号を高電圧ユニット２１の
外側に誘導するものである。
るものである。光ファイバ２３は、高電圧ユニット２１
内の発光素子で発生した光信号を高電圧ユニット２１の
外側に誘導するものである。
【００３３】Ｆ／Ｖ変換器２４は、光の周期を電圧に変
換するものである。画像表示装置２５は、Ｆ／Ｖ変換器
２４から出力された電圧を画像表示するものである。
換するものである。画像表示装置２５は、Ｆ／Ｖ変換器
２４から出力された電圧を画像表示するものである。
【００３４】図２の構成において、まず、電子線源１か
ら発生され、放出された電子線ビーム２を図示外のビー
ム偏向器によって２段偏向し、対物レンズ７により結像
して試料８に細く絞った電子線ビームを照射し、面走査
する。この際、目的に応じて試料８には正あるいは負の
電圧がバイアス電圧２２によりかけられている。次に、
試料８から放出された２次電子などを対物レンズ７の上
側に設けた出力電子検出器５によって検出する。この検
出器によって検出された信号を増幅し、図示外の表示装
置上に画像表示し、２次電子像を得る。また、このとき
に試料８の下層１６に流れた電流を高電圧ユニット２１
内の電流・電圧変換器で電圧信号に変換し、更に、高電
圧ユニット２１内のＶ／Ｆ変換器で周波数信号に変え、
高電圧ユニット内のアンプで増幅し、高電圧ユニット２
１内の発光素子で光信号に変換する。光に変換された信
号は、光ファイバ２３を経由して高電圧ユニット２１の
外に導かれ、Ｆ／Ｖ変換器２４で電圧信号に変換され、
その電圧を更に増幅し、画像表示装置２５に画像表示し
て下層電流像を得る。信号が検出不可能な位小さけれ
ば、ブランキング電極に周期的に電圧をかけてビームを
遮断し、ロッキングアンプを用いて増幅し、高Ｓ／Ｎの
信号を得る。この下層の電流像により加工不良の検査を
行う。
ら発生され、放出された電子線ビーム２を図示外のビー
ム偏向器によって２段偏向し、対物レンズ７により結像
して試料８に細く絞った電子線ビームを照射し、面走査
する。この際、目的に応じて試料８には正あるいは負の
電圧がバイアス電圧２２によりかけられている。次に、
試料８から放出された２次電子などを対物レンズ７の上
側に設けた出力電子検出器５によって検出する。この検
出器によって検出された信号を増幅し、図示外の表示装
置上に画像表示し、２次電子像を得る。また、このとき
に試料８の下層１６に流れた電流を高電圧ユニット２１
内の電流・電圧変換器で電圧信号に変換し、更に、高電
圧ユニット２１内のＶ／Ｆ変換器で周波数信号に変え、
高電圧ユニット内のアンプで増幅し、高電圧ユニット２
１内の発光素子で光信号に変換する。光に変換された信
号は、光ファイバ２３を経由して高電圧ユニット２１の
外に導かれ、Ｆ／Ｖ変換器２４で電圧信号に変換され、
その電圧を更に増幅し、画像表示装置２５に画像表示し
て下層電流像を得る。信号が検出不可能な位小さけれ
ば、ブランキング電極に周期的に電圧をかけてビームを
遮断し、ロッキングアンプを用いて増幅し、高Ｓ／Ｎの
信号を得る。この下層の電流像により加工不良の検査を
行う。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料にバイアス電圧をかけることによりアスペクト比が
高く、直径の小さい２次電子像では観察不可能なコンタ
クトホールの像を下層電流像から高分解能、かつ安定に
観察することが可能となる。これにより、ウエハのコン
タクトホールの底の残膜の有無だけでなく、残膜の膜厚
測定も可能となる。
試料にバイアス電圧をかけることによりアスペクト比が
高く、直径の小さい２次電子像では観察不可能なコンタ
クトホールの像を下層電流像から高分解能、かつ安定に
観察することが可能となる。これにより、ウエハのコン
タクトホールの底の残膜の有無だけでなく、残膜の膜厚
測定も可能となる。
【図１】本発明の説明図である。
【図２】本発明の１実施例構成図である。
【図３】従来技術の説明図である。
【図４】従来の技術の問題点説明図である。
１：電子線源 ２：電子線ビーム ３：コンデンサレンズ ４：対物絞り ５：出力粒子検出器 ６：出力電子 ７：対物レンズ ８：試料 ９：ホルダ １１：入射電子 １２：２次電子 １３：チャージ電位 １４：上層 １５：後方散乱領域 １６：下層 １７：電流・電圧変換器 １８：Ｖ／Ｆ変換器 １９：アンプ ２０：発光素子 ２１：高電圧ユニット ２２：バイアス電圧 ２３：光ファイバ ２４：Ｆ／Ｖ変換器 ２５：画像表示装置 ２６：ブランキング電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山藤 泉 東京都新宿区新宿２丁目２番１号 株式会 社ホロン内 Ｆターム(参考） 2F067 AA22 AA24 AA62 AA67 BB06 CC17 HH06 JJ05 KK04 KK08 PP11 QQ02 RR17 RR35 UU38 4M106 AA01 AA20 BA02 BA14 CA38 DB05 DJ11 5C033 NN10 NP02 UU03 UU04 UU05
Claims (4)
- 【請求項１】検査基板上の上層から下層に達する開口の
内部を表示する検査装置において、 検査基板上の上層から下層に達する開口の内部を、細く
絞った荷電粒子線で照射しつ面走査する走査手段と、 上記検査基板に所定の電圧を印加するバイアス電圧源
と、 上記バイアス電圧源で上記検査基板にバイアス電圧を印
加した状態で当該検査基板に流れる電流を検出する電流
検出手段と、 上記走査手段による面走査に同期して上記電流検出手段
によって検出した電流で輝度変調して電流画像を表示す
る手段とを備えたことを特徴とする検査装置。 - 【請求項２】上記電流検出手段として、上記バイアス電
圧源と上記検査基板との間に電流を電圧に変換する変換
器を接続して当該変換器によって変換した電圧を周波数
信号に変換して伝送し、伝送されてきた光信号から電圧
に変換し、電流を検出することを特徴とする請求項１記
載の検査装置。 - 【請求項３】上記荷電粒子線を所定時間だけ照射した後
に遮断すると共に上記検査基板にチャージした電荷を放
電して電流を検出することを繰り返して面走査し、電流
を検出することを特徴とする請求項１あるいは請求項２
記載の検査装置。 - 【請求項４】上記バイアス電圧源によって、上記荷電粒
子線の加速電圧より少し低い負の電圧を印加し、検査基
板を低い加速電圧の荷電粒子線で走査することを特徴と
する請求項１から請求項３のいずれかに記載の検査装
置。
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|---|---|---|---|
| JP2001009542A JP2002216697A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2001009542A JP2002216697A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 検査装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002216697A true JP2002216697A (ja) | 2002-08-02 |
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ID=18877012
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|---|---|---|---|
| JP2001009542A Pending JP2002216697A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 検査装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002216697A (ja) |
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- 2001-01-17 JP JP2001009542A patent/JP2002216697A/ja active Pending
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