JPH1167857A - 試料吸収電流分光法 - Google Patents
試料吸収電流分光法Info
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- JPH1167857A JPH1167857A JP22845797A JP22845797A JPH1167857A JP H1167857 A JPH1167857 A JP H1167857A JP 22845797 A JP22845797 A JP 22845797A JP 22845797 A JP22845797 A JP 22845797A JP H1167857 A JPH1167857 A JP H1167857A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子上に作製された縦横比の大きな細
く深い穴の底の元素分析を可能とする測定方法及び装置
を提供すること。 【解決手段】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、試料に流れ込む電流の
照射電子線エネルギーに対する変化を計測することで、
試料表面上に付着あるいは試料表面に含まれる元素を分
析する。
く深い穴の底の元素分析を可能とする測定方法及び装置
を提供すること。 【解決手段】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、試料に流れ込む電流の
照射電子線エネルギーに対する変化を計測することで、
試料表面上に付着あるいは試料表面に含まれる元素を分
析する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面分析技術に関
し、電子線を加速エネルギーを変化させて試料表面に照
射することで試料に発生する吸収電流を測定し、試料の
表面に付着している、あるいは試料表面に含まれている
元素を分析する方法及びその装置に関する。
し、電子線を加速エネルギーを変化させて試料表面に照
射することで試料に発生する吸収電流を測定し、試料の
表面に付着している、あるいは試料表面に含まれている
元素を分析する方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面および表面上に付着した物質の元素
分析の従来法としては、電子線を照射しオージェ電子励
起現象により放出された電子をエネルギー分析するオー
ジェ電子分光法（ＡＥＳ）や、Ｘ線を照射し光電子放出
による電子をエネルギー分析するＸ線光電子分光法（Ｘ
ＰＳまたはＥＳＣＡ）、電子線を照射し特性Ｘ線放出に
よるＸ線の波長分析をするＥＰＭＡ、電子線を照射し非
弾性散乱された電子のエネルギーを分析する電子線エネ
ルギー損失分光（ＥＬＳ）、イオンビームを照射し発生
する２次イオン量を質量分析する２次イオン質量分析法
（ＳＩＭＳ）などがある。これら全ての測定手法は電子
線やイオンビーム、Ｘ線等を試料に照射し、放出あるい
は散乱される電子、イオンあるいはＸ線を検出する手法
である。
分析の従来法としては、電子線を照射しオージェ電子励
起現象により放出された電子をエネルギー分析するオー
ジェ電子分光法（ＡＥＳ）や、Ｘ線を照射し光電子放出
による電子をエネルギー分析するＸ線光電子分光法（Ｘ
ＰＳまたはＥＳＣＡ）、電子線を照射し特性Ｘ線放出に
よるＸ線の波長分析をするＥＰＭＡ、電子線を照射し非
弾性散乱された電子のエネルギーを分析する電子線エネ
ルギー損失分光（ＥＬＳ）、イオンビームを照射し発生
する２次イオン量を質量分析する２次イオン質量分析法
（ＳＩＭＳ）などがある。これら全ての測定手法は電子
線やイオンビーム、Ｘ線等を試料に照射し、放出あるい
は散乱される電子、イオンあるいはＸ線を検出する手法
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近の集積度が非常に
高い半導体素子においては、その製造工程の途中段階で
半導体素子表面上に垂直に細長い深い穴をつくる場合が
しばしばある。ところが、この穴の縦横比が非常に大き
い場合、従来の元素分析手法では表面に対し電子、イオ
ン、あるいはＸ線の入射してくる方向と、検出する電
子、イオンあるいはＸ線の出射する方向をほとんど同じ
方向にする必要があり、装置の構造上、この穴の底の元
素分析が、非常に困難であった。
高い半導体素子においては、その製造工程の途中段階で
半導体素子表面上に垂直に細長い深い穴をつくる場合が
しばしばある。ところが、この穴の縦横比が非常に大き
い場合、従来の元素分析手法では表面に対し電子、イオ
ン、あるいはＸ線の入射してくる方向と、検出する電
子、イオンあるいはＸ線の出射する方向をほとんど同じ
方向にする必要があり、装置の構造上、この穴の底の元
素分析が、非常に困難であった。
【０００４】本発明はこの問題を考慮し、この細長い穴
の底の元素分析を行うことを目的としている。
の底の元素分析を行うことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の分析方法は、試
料表面に電子線を照射して、その電子線の加速エネルギ
ーを変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネル
ギーに対する変化を計測することで、試料表面上に付着
あるいは試料表面に含まれる元素を分析することを特徴
とする。
料表面に電子線を照射して、その電子線の加速エネルギ
ーを変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネル
ギーに対する変化を計測することで、試料表面上に付着
あるいは試料表面に含まれる元素を分析することを特徴
とする。
【０００６】本発明の試料表面上に付着するあるいは試
料表面に含まれる元素の分布を分析する方法は、電子レ
ンズで集束させた電子線を、試料表面上の局所的な領域
に照射あるいは電子線照射位置を走査しながら照射し、
その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料に流れ込
む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測する
ことで、試料表面上に付着あるいは試料表面に含まれる
元素の分布を側定することを特徴とする。
料表面に含まれる元素の分布を分析する方法は、電子レ
ンズで集束させた電子線を、試料表面上の局所的な領域
に照射あるいは電子線照射位置を走査しながら照射し、
その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料に流れ込
む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測する
ことで、試料表面上に付着あるいは試料表面に含まれる
元素の分布を側定することを特徴とする。
【０００７】本発明の試料表面上に付着あるいは試料表
面に含まれる元素の分析装置は、試料表面に加速エネル
ギーを変化させながら電子線を照射するための手段と、
電子線照射時に試料に流れ込む電流の照射電子線エネル
ギーに対する変化を計測する手段とを有することを特徴
とする。
面に含まれる元素の分析装置は、試料表面に加速エネル
ギーを変化させながら電子線を照射するための手段と、
電子線照射時に試料に流れ込む電流の照射電子線エネル
ギーに対する変化を計測する手段とを有することを特徴
とする。
【０００８】本発明の試料吸収電流の測定方法は、電子
線を試料に照射して、試料に流れ込む試料吸収電流を検
出する方法において、照射する電子線の加速エネルギー
を周期的に変化させ、その周期と同じ周期の試料吸収電
流変化分を検出することを特徴とする。
線を試料に照射して、試料に流れ込む試料吸収電流を検
出する方法において、照射する電子線の加速エネルギー
を周期的に変化させ、その周期と同じ周期の試料吸収電
流変化分を検出することを特徴とする。
【０００９】本発明の試料吸収電流の測定装置は、電子
線を試料に照射して、試料に流れ込む試料吸収電流を検
出する装置において、電子線をその加速エネルギーを周
期的に変化させて試料に照射する手段と、この加速エネ
ルギーの変化の周期と同じ周期の試料吸収電流変化分を
検出するための手段とを有することを特徴とする。
線を試料に照射して、試料に流れ込む試料吸収電流を検
出する装置において、電子線をその加速エネルギーを周
期的に変化させて試料に照射する手段と、この加速エネ
ルギーの変化の周期と同じ周期の試料吸収電流変化分を
検出するための手段とを有することを特徴とする。
【００１０】本発明においては、試料に電子線が照射さ
れ、その照射によって試料に流れる試料吸収電流を測定
し、得られた測定値から試料表面に付着している、ある
いは試料表面に含まれている元素の分析が行われる。こ
のため、試料表面に対して電子線が照射されて来る方向
に検出器を用いる必要が無いため、非常に細長い穴の底
の分析も可能である。
れ、その照射によって試料に流れる試料吸収電流を測定
し、得られた測定値から試料表面に付着している、ある
いは試料表面に含まれている元素の分析が行われる。こ
のため、試料表面に対して電子線が照射されて来る方向
に検出器を用いる必要が無いため、非常に細長い穴の底
の分析も可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、検出しようとする元
素の内殻準位結合エネルギーと同程度のエネルギーに加
速した電子線を照射し、その内殻電子を真空準位以上に
励起することで試料吸収電流を変化させる。具体的に
は、例えば入射する電子のエネルギーを変化させそのと
きの試料吸収電流の変化を測定すると、内殻準位結合エ
ネルギーより入射電子のエネルギーが低い場合、内殻電
子は励起されても真空準位より低いエネルギーにしか成
り得ないが、内殻準位結合エネルギーより高いエネルギ
ーの場合、内殻電子は励起され真空準位より高いエネル
ギーになるため、真空中に放出される。このため、試料
吸収電流は入射電子のエネルギーが内殻準位結合エネル
ギーを越える際に大きな変化が生じる。内殻準位結合エ
ネルギーは元素によって大きく違うエネルギー値である
ため、照射する電子のエネルギーを変化させ、この試料
吸収電流が急に変化するエネルギーを調べることで、そ
の元素分析を行うことが可能である。また、集束させた
電子線を用いて試料表面上を走査させながら、この試料
吸収電流を測定することで元素の２次元の分布を調べる
ことが出来る。さらに、短時間で決まった元素の２次元
分布を調べる場合は、集束した入射電子線のエネルギー
をその元素の内殻準位結合エネルギーに固定して電子線
を走査し、試料吸収電流を計ることによってその分析が
可能である。
素の内殻準位結合エネルギーと同程度のエネルギーに加
速した電子線を照射し、その内殻電子を真空準位以上に
励起することで試料吸収電流を変化させる。具体的に
は、例えば入射する電子のエネルギーを変化させそのと
きの試料吸収電流の変化を測定すると、内殻準位結合エ
ネルギーより入射電子のエネルギーが低い場合、内殻電
子は励起されても真空準位より低いエネルギーにしか成
り得ないが、内殻準位結合エネルギーより高いエネルギ
ーの場合、内殻電子は励起され真空準位より高いエネル
ギーになるため、真空中に放出される。このため、試料
吸収電流は入射電子のエネルギーが内殻準位結合エネル
ギーを越える際に大きな変化が生じる。内殻準位結合エ
ネルギーは元素によって大きく違うエネルギー値である
ため、照射する電子のエネルギーを変化させ、この試料
吸収電流が急に変化するエネルギーを調べることで、そ
の元素分析を行うことが可能である。また、集束させた
電子線を用いて試料表面上を走査させながら、この試料
吸収電流を測定することで元素の２次元の分布を調べる
ことが出来る。さらに、短時間で決まった元素の２次元
分布を調べる場合は、集束した入射電子線のエネルギー
をその元素の内殻準位結合エネルギーに固定して電子線
を走査し、試料吸収電流を計ることによってその分析が
可能である。
【００１２】本発明では電子銃から放出した電子線を試
料の目的の場所に照射する。本発明おける分析装置の概
略を示したものが図１である。この装置は電子線照射手
段としての電子銃１及び電子銃１からの電子線の加速エ
ネルギーを変化させるための可変電圧源４と、試料２の
内部に流れ込む試料吸収電流を測定するための電流検出
器３とを有して構成されたものである。
料の目的の場所に照射する。本発明おける分析装置の概
略を示したものが図１である。この装置は電子線照射手
段としての電子銃１及び電子銃１からの電子線の加速エ
ネルギーを変化させるための可変電圧源４と、試料２の
内部に流れ込む試料吸収電流を測定するための電流検出
器３とを有して構成されたものである。
【００１３】この装置における測定は、電子銃１から試
料２の表面に可変電圧源４からの電圧を変化させて加速
エネルギーを変化させながら電子線を照射する。この加
速エネルギーの変化に応じて、分析対象の元素が試料２
の表面に存在すれば、上述した原理に従って電流検出器
３で検出される電流に変化が生じ、分析対象の元素に特
有の電流変化を測定することで該元素の存在を検出する
ことができる。
料２の表面に可変電圧源４からの電圧を変化させて加速
エネルギーを変化させながら電子線を照射する。この加
速エネルギーの変化に応じて、分析対象の元素が試料２
の表面に存在すれば、上述した原理に従って電流検出器
３で検出される電流に変化が生じ、分析対象の元素に特
有の電流変化を測定することで該元素の存在を検出する
ことができる。
【００１４】試料表面上の特定の箇所だけ測定する場
合、電子銃により照射する電子線を電子レンズ等の制御
系で集束し、その特定箇所に照射し、照射する電子の加
速エネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する
試料吸収電流の変動を測定する。照射する電子の加速エ
ネルギーは検出しようとする元素の内殻準位結合エネル
ギーを含む範囲で変化させる。
合、電子銃により照射する電子線を電子レンズ等の制御
系で集束し、その特定箇所に照射し、照射する電子の加
速エネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する
試料吸収電流の変動を測定する。照射する電子の加速エ
ネルギーは検出しようとする元素の内殻準位結合エネル
ギーを含む範囲で変化させる。
【００１５】一方、表面上の２次元的な元素の空間分布
を調べる場合には、電子レンズにより照射する電子線を
集束し、その電子線を調べたい範囲で走査して測定す
る。なお、電子線の走査系は、公知の構成のものを用い
ることができる。このような空間分布を測定するための
装置の一例を図２に示す。図２の装置は、図１の装置に
電子レンズ５を追加した構成を有するものである。
を調べる場合には、電子レンズにより照射する電子線を
集束し、その電子線を調べたい範囲で走査して測定す
る。なお、電子線の走査系は、公知の構成のものを用い
ることができる。このような空間分布を測定するための
装置の一例を図２に示す。図２の装置は、図１の装置に
電子レンズ５を追加した構成を有するものである。
【００１６】この装置における測定での電子線走査の各
点で、入射電子の加速エネルギーを変化させ、その変化
に対する試料吸収電流の変動を測定する。この各点にお
ける試料吸収電流の大きく変化するエネルギーとその変
化量を調べることで、この測定データから２次元的な元
素の分布（空間分布）を調べることができる。
点で、入射電子の加速エネルギーを変化させ、その変化
に対する試料吸収電流の変動を測定する。この各点にお
ける試料吸収電流の大きく変化するエネルギーとその変
化量を調べることで、この測定データから２次元的な元
素の分布（空間分布）を調べることができる。
【００１７】また、短時間で特定の元素について表面上
の２次元的な量の空間分布を調べる場合、電子レンズに
より照射する電子線を集束し、その電子線の加速エネル
ギーを目的の元素の内殻準位結合エネルギーの近くで、
例えば測定対象の元素の内殻準位結合エネルギーを含む
範囲、すなわち内殻準位結合エネルギーよりも低いエネ
ルギーから内殻準位結合エネルギーよりも高いエネルギ
ーの間を周期的に変動させ、調べたい範囲で走査して測
定する。このような目的に用い得る装置の一例を図３に
示す。図３の装置は、正弦波発生器６によって走査の各
点で、電子線の加速エネルギーを目的の元素の内殻準位
結合エネルギーの近くで周期的に変動させ、ロックイン
アンプ７において照射する電子線のエネルギー変化と同
じ周波数の試料吸収電流の変動成分を検出して、出力信
号８として取り出す。この各走査点における試料吸収電
流の変動信号の大きさから、その元素の２次元的な量の
空間分布を調べることができる。
の２次元的な量の空間分布を調べる場合、電子レンズに
より照射する電子線を集束し、その電子線の加速エネル
ギーを目的の元素の内殻準位結合エネルギーの近くで、
例えば測定対象の元素の内殻準位結合エネルギーを含む
範囲、すなわち内殻準位結合エネルギーよりも低いエネ
ルギーから内殻準位結合エネルギーよりも高いエネルギ
ーの間を周期的に変動させ、調べたい範囲で走査して測
定する。このような目的に用い得る装置の一例を図３に
示す。図３の装置は、正弦波発生器６によって走査の各
点で、電子線の加速エネルギーを目的の元素の内殻準位
結合エネルギーの近くで周期的に変動させ、ロックイン
アンプ７において照射する電子線のエネルギー変化と同
じ周波数の試料吸収電流の変動成分を検出して、出力信
号８として取り出す。この各走査点における試料吸収電
流の変動信号の大きさから、その元素の２次元的な量の
空間分布を調べることができる。
【００１８】
実施例１ ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）用ト
レンチ構造をもつシリコン半導体基板上の直径０．３５
μｍ、深さ５μｍの円筒状の穴の底に基板表面垂直方向
から集束した電子線を照射し、そのときの試料吸収電流
を測定することでその部分の組成分析を行った（図
４）。照射した電子線の加速エネルギーは１ｋｅＶから
３ｋｅＶの範囲で変化させて行い、ビーム径は０．２５
μｍ程度であった。その結果、試料吸収電流は入射電子
線のエネルギーが１８４０ｅＶ程度のエネルギーで大き
く変化する様子が観測された。この１８４０ｅＶの信号
はシリコンの１ｓ軌道の内殻準位結合エネルギーに相当
する。このことから、穴の底の表面部の元素の主成分は
シリコンであることが判る。 実施例２ 実施例１と同じＤＲＡＭ用トレンチ構造をもつシリコン
半導体基板上に、表面垂直方向から約３０°ずれた方向
から、厚さ０．０５μｍ程度のタングステン膜をスパッ
タ法によって成膜した（図５）。この試料を実施例１と
同様、基板表面垂直方向から集束した電子線を照射し、
そのときの試料吸収電流を測定することでその部分の組
成分析を行った。この実験では、電子線を走査する各点
で電子線の加速エネルギーを１ｋｅＶから３ｋｅＶまで
変化させながら、試料吸収電流の変化を観測した。その
結果、基板表面上の穴以外の部分では、入射する電子線
のエネルギーが２８２０ｅＶ、２５７５ｅＶ、２２８０
ｅＶ、１８７０ｅＶおよび１８１０ｅＶのエネルギーで
試料吸収電流に大きな変化が見られ、穴の部分では１８
４０ｅＶのエネルギーで試料吸収電流に大きな変化が見
られた。これらのうち、２８２０ｅＶ、２５７５ｅＶ、
２２８０ｅＶ、１８７０ｅＶおよび１８１０ｅＶの信号
はタングステンの３ｓ、３ｐ、３ｄの内殻準位結合エネ
ルギーに相当し、穴以外の基板表面部にはタングステン
が多く存在し、一方、穴の底の表面部にはシリコンが多
く存在することを示す。
レンチ構造をもつシリコン半導体基板上の直径０．３５
μｍ、深さ５μｍの円筒状の穴の底に基板表面垂直方向
から集束した電子線を照射し、そのときの試料吸収電流
を測定することでその部分の組成分析を行った（図
４）。照射した電子線の加速エネルギーは１ｋｅＶから
３ｋｅＶの範囲で変化させて行い、ビーム径は０．２５
μｍ程度であった。その結果、試料吸収電流は入射電子
線のエネルギーが１８４０ｅＶ程度のエネルギーで大き
く変化する様子が観測された。この１８４０ｅＶの信号
はシリコンの１ｓ軌道の内殻準位結合エネルギーに相当
する。このことから、穴の底の表面部の元素の主成分は
シリコンであることが判る。 実施例２ 実施例１と同じＤＲＡＭ用トレンチ構造をもつシリコン
半導体基板上に、表面垂直方向から約３０°ずれた方向
から、厚さ０．０５μｍ程度のタングステン膜をスパッ
タ法によって成膜した（図５）。この試料を実施例１と
同様、基板表面垂直方向から集束した電子線を照射し、
そのときの試料吸収電流を測定することでその部分の組
成分析を行った。この実験では、電子線を走査する各点
で電子線の加速エネルギーを１ｋｅＶから３ｋｅＶまで
変化させながら、試料吸収電流の変化を観測した。その
結果、基板表面上の穴以外の部分では、入射する電子線
のエネルギーが２８２０ｅＶ、２５７５ｅＶ、２２８０
ｅＶ、１８７０ｅＶおよび１８１０ｅＶのエネルギーで
試料吸収電流に大きな変化が見られ、穴の部分では１８
４０ｅＶのエネルギーで試料吸収電流に大きな変化が見
られた。これらのうち、２８２０ｅＶ、２５７５ｅＶ、
２２８０ｅＶ、１８７０ｅＶおよび１８１０ｅＶの信号
はタングステンの３ｓ、３ｐ、３ｄの内殻準位結合エネ
ルギーに相当し、穴以外の基板表面部にはタングステン
が多く存在し、一方、穴の底の表面部にはシリコンが多
く存在することを示す。
【００１９】実施例３ 実施例と同じＤＲＡＭ用トレンチ構造をもつシリコン半
導体基板上に、厚さ２００Åの薄膜を金を蒸着し、表面
垂直方向から約４５°ずれた方向からアルゴンイオンに
よるスパッタを行った（図６）。この試料を上記の実験
と同様、基板表面垂直方向から集束した電子線を照射
し、そのときの試料吸収電流を測定することでその部分
の組成分析を行った。この実験では、電子線を走査する
各点で電子線の加速エネルギーを１ｋｅＶから３ｋｅＶ
まで変化させながら、試料吸収電流の変化を観測した。
その結果、基板表面上の穴の部分では、入射する電子線
のエネルギーが２７４０ｅＶ、２２９０ｅＶおよび２２
１０ｅＶのエネルギーで試料吸収電流に大きな変化が見
られ、穴以外の部分では１８４０ｅＶのエネルギーで試
料吸収電流に大きな変化が見られた。これらのうち、２
７４０ｅＶ、２２９０ｅＶおよび２２１０ｃＶの信号は
金の３ｐ、３ｄの内殻準位結合エネルギーに相当し、穴
の底の表面部には金が多く存在し、一方、穴以外の基板
表面部にはシリコンが多く存在することを示す。
導体基板上に、厚さ２００Åの薄膜を金を蒸着し、表面
垂直方向から約４５°ずれた方向からアルゴンイオンに
よるスパッタを行った（図６）。この試料を上記の実験
と同様、基板表面垂直方向から集束した電子線を照射
し、そのときの試料吸収電流を測定することでその部分
の組成分析を行った。この実験では、電子線を走査する
各点で電子線の加速エネルギーを１ｋｅＶから３ｋｅＶ
まで変化させながら、試料吸収電流の変化を観測した。
その結果、基板表面上の穴の部分では、入射する電子線
のエネルギーが２７４０ｅＶ、２２９０ｅＶおよび２２
１０ｅＶのエネルギーで試料吸収電流に大きな変化が見
られ、穴以外の部分では１８４０ｅＶのエネルギーで試
料吸収電流に大きな変化が見られた。これらのうち、２
７４０ｅＶ、２２９０ｅＶおよび２２１０ｃＶの信号は
金の３ｐ、３ｄの内殻準位結合エネルギーに相当し、穴
の底の表面部には金が多く存在し、一方、穴以外の基板
表面部にはシリコンが多く存在することを示す。
【００２０】
【発明の効果】本発明により、半導体素子上に作製され
た縦横比の大きな細く深い穴の底の元素分析が可能であ
る。
た縦横比の大きな細く深い穴の底の元素分析が可能であ
る。
【図１】試料吸収電流分光装置の概略図である。
【図２】局所分析を行うための試料吸収電流分光装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】高速で局所分析を行うための試料吸収電流分光
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図４】トレンチ構造をもつ半導体試料の測定の概略図
と、試料の拡大した断面図である。
と、試料の拡大した断面図である。
【図５】スパッタ法によってタングステン膜を製膜した
トレンチ構造試料の断面図である。
トレンチ構造試料の断面図である。
【図６】蒸着法によって金の薄膜を製膜し、アルゴンイ
オンスパッタ法によって表面を研磨したトレンチ構造試
料の断面図である。
オンスパッタ法によって表面を研磨したトレンチ構造試
料の断面図である。
１ 電子銃 ２ 試料 ３ 電流検出器 ４ 可変電圧源 ５ 電子レンズ ６ 正弦波発生器 ７ ロックインアンプ ８ 出力信号 ９ トレンチ構造をもつ半導体試料 １０ トレンチの溝の部分 １１ 製膜されたタングステン膜 １２ 金蒸着膜
Claims (9)
- 【請求項１】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、試料に流れ込む電流の
照射電子線エネルギーに対する変化を計測することで、
試料表面上に付着あるいは試料表面に含まれる元素を分
析することを特徴とする分析法。 - 【請求項２】 前記電子線が電子レンズを用いて集束さ
れた電子線であり、前記試料表面の局所的な領域に電子
線を照射する請求項１に記載の分析法。 - 【請求項３】 電子レンズで集束させた電子線を、試料
表面上の局所的な領域に照射あるいは電子線照射位置を
走査しながら照射し、その電子線の加速エネルギーを変
化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに
対する変化を計測することで、試料表面上に付着あるい
は試料表面に含まれる元素の分布を側定することを特徴
とする測定法。 - 【請求項４】 電子線の加速エネルギーを測定対象の元
素の内殻準位結合エネルギーを含む範囲で周期的に変化
させる請求項１〜３に記載の測定法。 - 【請求項５】 試料表面に加速エネルギーを変化させな
がら電子線を照射するための手段と、電子線照射時に試
料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化
を計測する手段とを有することを特徴とする試料表面上
に付着あるいは試料表面に含まれる元素の分析装置。 - 【請求項６】 電子線を集束させる電子レンズと、集束
させた電子線を試料表面上の局所的な領域に照射あるい
は電子線照射位置を走査しながら照射するための電子線
制御系とを有する請求項５に記載の分析装置。 - 【請求項７】 電子線の加速エネルギーを、測定対象の
元素の電子線の加速エネルギーを測定対象の元素の内殻
準位結合エネルギーを含む範囲で周期的に変化させる請
求項５または６に記載の分析装置。 - 【請求項８】 電子線を試料に照射して、試料に流れ込
む試料吸収電流を検出する方法において、照射する電子
線の加速エネルギーを周期的に変化させ、その周期と同
じ周期の試料吸収電流変化分を検出することを特徴とす
る試料吸収電流の測定方法。 - 【請求項９】 電子線を試料に照射して、試料に流れ込
む試料吸収電流を検出する装置において、電子線をその
加速エネルギーを周期的に変化させて試料に照射する手
段と、この加速エネルギーの変化の周期と同じ周期の試
料吸収電流変化分を検出するための手段とを有すること
を特徴とする測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9228457A JP2996210B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 試料吸収電流分光法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9228457A JP2996210B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 試料吸収電流分光法 |
Publications (2)
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| JPH1167857A true JPH1167857A (ja) | 1999-03-09 |
| JP2996210B2 JP2996210B2 (ja) | 1999-12-27 |
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ID=16876797
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9228457A Expired - Fee Related JP2996210B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 試料吸収電流分光法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216697A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Horon:Kk | 検査装置 |
| JP2002257765A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Nec Corp | 基板表面の汚染評価方法及び汚染評価装置と半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP9228457A patent/JP2996210B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216697A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Horon:Kk | 検査装置 |
| JP2002257765A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Nec Corp | 基板表面の汚染評価方法及び汚染評価装置と半導体装置の製造方法 |
| JP4738610B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2011-08-03 | 株式会社トプコン | 基板表面の汚染評価方法及び汚染評価装置と半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996210B2 (ja) | 1999-12-27 |
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