JP2000124282A - 試料電流分光式表面測定法及び測定装置 - Google Patents
試料電流分光式表面測定法及び測定装置Info
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- JP2000124282A JP2000124282A JP10292102A JP29210298A JP2000124282A JP 2000124282 A JP2000124282 A JP 2000124282A JP 10292102 A JP10292102 A JP 10292102A JP 29210298 A JP29210298 A JP 29210298A JP 2000124282 A JP2000124282 A JP 2000124282A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料表面から散乱されて来る電子やＸ線を検
出することなく試料表面の結晶性を調べることが出来、
そのため半導体素子等の試料表面に形成された細長い穴
の底の分析を行うことが可能な表面分析技術を提供す
る。 【解決手段】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に流れ
込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測す
ることで、試料表面の結晶性を調べる。
出することなく試料表面の結晶性を調べることが出来、
そのため半導体素子等の試料表面に形成された細長い穴
の底の分析を行うことが可能な表面分析技術を提供す
る。 【解決手段】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に流れ
込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測す
ることで、試料表面の結晶性を調べる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面の分析技
術に関し、さらに詳述すると、試料表面の結晶性を調べ
るための試料電流分光式表面測定法及び測定装置に関す
る。
術に関し、さらに詳述すると、試料表面の結晶性を調べ
るための試料電流分光式表面測定法及び測定装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】試料表面の結晶性を調べる測定に関する
従来法としては、電子線を用いた低速電子線回折法及び
高速反射電子線回折法や、Ｘ線を用いた微小角入射Ｘ線
回折法などがある。これらの測定手法は、電子線やＸ線
を試料に照射し、散乱される電子あるいはＸ線の回折像
を検出する手法である。また、表面上の局所的な結晶性
の評価には、集束させた電子線を用いて電子回折測定を
行う手法や、探針を用いた走査型トンネル顕微鏡による
手法がある。
従来法としては、電子線を用いた低速電子線回折法及び
高速反射電子線回折法や、Ｘ線を用いた微小角入射Ｘ線
回折法などがある。これらの測定手法は、電子線やＸ線
を試料に照射し、散乱される電子あるいはＸ線の回折像
を検出する手法である。また、表面上の局所的な結晶性
の評価には、集束させた電子線を用いて電子回折測定を
行う手法や、探針を用いた走査型トンネル顕微鏡による
手法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近の集積度が非常に
高い半導体素子においては、その製造工程の途中段階
で、半導体素子の表面に垂直に細長く深い穴を作ること
がしばしばある。ところが、この穴の縦横比が非常に大
きい場合には、従来の電子線やＸ線を用いた回折法で
は、試料表面に対し電子あるいはＸ線が入射する方向
と、検出する電子あるいはＸ線が出射する方向とに制限
が生じるため、かかる穴の底の分析は不可能であった。
また、走査型トンネル顕微鏡のような探針を用いた観察
法でも、上記のような穴の底の分析は構造上困難であっ
た。
高い半導体素子においては、その製造工程の途中段階
で、半導体素子の表面に垂直に細長く深い穴を作ること
がしばしばある。ところが、この穴の縦横比が非常に大
きい場合には、従来の電子線やＸ線を用いた回折法で
は、試料表面に対し電子あるいはＸ線が入射する方向
と、検出する電子あるいはＸ線が出射する方向とに制限
が生じるため、かかる穴の底の分析は不可能であった。
また、走査型トンネル顕微鏡のような探針を用いた観察
法でも、上記のような穴の底の分析は構造上困難であっ
た。
【０００４】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、試料表面から散乱されて来る電子やＸ線を検出する
ことなく試料表面の結晶性を調べることが出来、そのた
め前述したような試料表面に形成された細長い穴の底の
分析を行うことが可能な表面分析技術を提供することを
目的としている。
で、試料表面から散乱されて来る電子やＸ線を検出する
ことなく試料表面の結晶性を調べることが出来、そのた
め前述したような試料表面に形成された細長い穴の底の
分析を行うことが可能な表面分析技術を提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記（１）〜（６）の試料電流分光式表面
測定法及び下記（７）〜（１２）の試料電流分光式表面
測定装置を提供する。
成するため、下記（１）〜（６）の試料電流分光式表面
測定法及び下記（７）〜（１２）の試料電流分光式表面
測定装置を提供する。
【０００６】（１）試料表面に電子線を照射して、その
電子線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に
流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計
測することで、試料表面の結晶性を調べることを特徴と
する試料電流分光式表面測定法。
電子線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に
流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計
測することで、試料表面の結晶性を調べることを特徴と
する試料電流分光式表面測定法。
【０００７】（２）電子レンズで集束させた電子線を用
いて、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試
料表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする
（１）の試料電流分光式表面測定法。
いて、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試
料表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする
（１）の試料電流分光式表面測定法。
【０００８】（３）電子レンズで集束させた電子線を用
いて、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しな
がら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特
徴とする（１）の試料電流分光式表面測定法。
いて、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しな
がら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特
徴とする（１）の試料電流分光式表面測定法。
【０００９】（４）電子線を試料表面とファラデーカッ
プに同条件で照射して、その電子線の加速エネルギーを
変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギー
に対する変化とファラデーカップで検出される電流変化
を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカッ
プで検出された同条件での電流で規格化することで、試
料表面の結晶性を調べることを特徴とする（１）〜
（３）の試料電流分光式表面測定法。
プに同条件で照射して、その電子線の加速エネルギーを
変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギー
に対する変化とファラデーカップで検出される電流変化
を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカッ
プで検出された同条件での電流で規格化することで、試
料表面の結晶性を調べることを特徴とする（１）〜
（３）の試料電流分光式表面測定法。
【００１０】（５）電子レンズで集束させた電子線を試
料表面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で照
射して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料
に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化と
ファラデーカップで検出される電流変化を測定し、試料
に流れ込む電流の変動をファラデーカップで検出された
同条件での電流で規格化することで、試料表面の結晶性
を調べることを特徴とする（１）〜（３）の試料電流分
光式表面測定法。
料表面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で照
射して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料
に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化と
ファラデーカップで検出される電流変化を測定し、試料
に流れ込む電流の変動をファラデーカップで検出された
同条件での電流で規格化することで、試料表面の結晶性
を調べることを特徴とする（１）〜（３）の試料電流分
光式表面測定法。
【００１１】（６）電子レンズで集束させた電子線をフ
ァラデーカップに照射し、加速エネルギーを変化させ、
そのファラデーカップに流れる電流を測定し、それと同
じ条件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査し
ながら照射して、その電子線の加速エネルギーを変化さ
せ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対す
る変化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデ
ーカップで検出された同条件での電流で規格化すること
で、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする（１）
〜（３）の試料電流分光式表面測定法。
ァラデーカップに照射し、加速エネルギーを変化させ、
そのファラデーカップに流れる電流を測定し、それと同
じ条件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査し
ながら照射して、その電子線の加速エネルギーを変化さ
せ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対す
る変化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデ
ーカップで検出された同条件での電流で規格化すること
で、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする（１）
〜（３）の試料電流分光式表面測定法。
【００１２】（７）試料表面に電子線を照射して、その
電子線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に
流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計
測することで、試料表面の結晶性を調べることを特徴と
する試料電流分光式表面測定装置。
電子線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に
流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計
測することで、試料表面の結晶性を調べることを特徴と
する試料電流分光式表面測定装置。
【００１３】（８）電子レンズで集束させた電子線を用
いて、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試
料表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする
（７）の試料電流分光式表面測定装置。
いて、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試
料表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする
（７）の試料電流分光式表面測定装置。
【００１４】（９）電子レンズで集束させた電子線を用
いて、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しな
がら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特
徴とする（７）の試料電流分光式表面測定装置。
いて、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しな
がら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特
徴とする（７）の試料電流分光式表面測定装置。
【００１５】（１０）電子線を試料表面とファラデーカ
ップに同条件で照射して、その電子線の加速エネルギー
を変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギ
ーに対する変化とファラデーカップで検出される電流変
化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカ
ップで検出された同条件での電流で規格化することで、
試料表面の結晶性を調べることを特徴とする（７）〜
（９）の試料電流分光式表面測定装置。
ップに同条件で照射して、その電子線の加速エネルギー
を変化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギ
ーに対する変化とファラデーカップで検出される電流変
化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカ
ップで検出された同条件での電流で規格化することで、
試料表面の結晶性を調べることを特徴とする（７）〜
（９）の試料電流分光式表面測定装置。
【００１６】（１１）電子レンズで集束させた電子線を
試料表面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で
照射して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試
料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化
とファラデーカップで検出される電流変化を測定し、試
料に流れ込む電流の変動をファラデーカップで検出され
た同条件での電流で規格化することで、試料表面の結晶
性を調べることを特徴とする（７）〜（９）の試料電流
分光式表面測定装置。
試料表面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で
照射して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試
料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化
とファラデーカップで検出される電流変化を測定し、試
料に流れ込む電流の変動をファラデーカップで検出され
た同条件での電流で規格化することで、試料表面の結晶
性を調べることを特徴とする（７）〜（９）の試料電流
分光式表面測定装置。
【００１７】（１２）電子レンズで集束させた電子線を
ファラデーカップに照射し、加速エネルギーを変化さ
せ、そのファラデーカップに流れる電流を測定し、それ
と同じ条件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走
査しながら照射して、その電子線の加速エネルギーを変
化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに
対する変化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファ
ラデーカップで検出された同条件での電流で規格化する
ことで、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする
（７）〜（９）の試料電流分光式表面測定装置。
ファラデーカップに照射し、加速エネルギーを変化さ
せ、そのファラデーカップに流れる電流を測定し、それ
と同じ条件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走
査しながら照射して、その電子線の加速エネルギーを変
化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに
対する変化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファ
ラデーカップで検出された同条件での電流で規格化する
ことで、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする
（７）〜（９）の試料電流分光式表面測定装置。
【００１８】本発明による試料表面の結晶性の分析は、
試料に電子線を照射し、その照射によって試料に流れる
試料電流を測定することによって行う。そのため、試料
表面から散乱されて来る電子やＸ線を検出する必要がな
いので、非常に細長い穴の底の分析も可能である。この
場合、本発明では、好ましくは１０から５０００エレク
トロンボルトの範囲内で加速した電子線を試料に照射
し、試料表面での回折現象により生じた試料電流の変化
を測定する。
試料に電子線を照射し、その照射によって試料に流れる
試料電流を測定することによって行う。そのため、試料
表面から散乱されて来る電子やＸ線を検出する必要がな
いので、非常に細長い穴の底の分析も可能である。この
場合、本発明では、好ましくは１０から５０００エレク
トロンボルトの範囲内で加速した電子線を試料に照射
し、試料表面での回折現象により生じた試料電流の変化
を測定する。
【００１９】試料に電子線を照射することによって起こ
る回折現象による試料電流の変化は、以下の過程によっ
て発生する。すなわち、試料に照射された電子の大半
は、試料表面でエネルギーを失わない弾性散乱を起こ
す。その弾性散乱された電子は、試料が結晶の場合には
回折し、回折波としてその一部は試料外部に放出され
る。第１次近似的には、この回折波のうち試料内部方向
に進行する波と試料外部方向に進行する波の強度は同じ
であり、弾性散乱電子の常にほぼ半分が試料外部に放出
される。しかし、実際には、試料内部と試料外部での電
子が感じるポテンシャルの違いから、試料外部方向に進
行する波は試料表面で屈折・反射をする。特に、表面す
れすれ方向に進行する波は表面で全反射し、試料外部に
出ることが出来ない。この屈折・反射現象のため、入射
電子線のエネルギー変化で表面すれすれ方向に回折波が
発生した場合、試料外部に放出される電子の量は減る。
つまり、表面すれすれ方向に回折する回折波の数によっ
て試料から放出される電子の量が変化する。この回折波
の数は、入射電子線のエネルギーに依存して変化する。
る回折現象による試料電流の変化は、以下の過程によっ
て発生する。すなわち、試料に照射された電子の大半
は、試料表面でエネルギーを失わない弾性散乱を起こ
す。その弾性散乱された電子は、試料が結晶の場合には
回折し、回折波としてその一部は試料外部に放出され
る。第１次近似的には、この回折波のうち試料内部方向
に進行する波と試料外部方向に進行する波の強度は同じ
であり、弾性散乱電子の常にほぼ半分が試料外部に放出
される。しかし、実際には、試料内部と試料外部での電
子が感じるポテンシャルの違いから、試料外部方向に進
行する波は試料表面で屈折・反射をする。特に、表面す
れすれ方向に進行する波は表面で全反射し、試料外部に
出ることが出来ない。この屈折・反射現象のため、入射
電子線のエネルギー変化で表面すれすれ方向に回折波が
発生した場合、試料外部に放出される電子の量は減る。
つまり、表面すれすれ方向に回折する回折波の数によっ
て試料から放出される電子の量が変化する。この回折波
の数は、入射電子線のエネルギーに依存して変化する。
【００２０】以上の現象から、電子線照射を行ったとき
に試料で散乱して試料外部に放出される電子の量は、入
射電子線のエネルギーの変化によって変化するが、試料
電流は試料に照射された電流と放出された電流の差であ
り、試料電流の変動を測定することによって試料から放
出される電子の量の変動を調べることが出来る。すなわ
ち、試料電流は回折現象によって変動するため、電子線
が照射された表面の結晶情報を有する。したがって、試
料電流を測定することにより、試料表面の電子線照射部
分の結晶性を調べることが出来る。
に試料で散乱して試料外部に放出される電子の量は、入
射電子線のエネルギーの変化によって変化するが、試料
電流は試料に照射された電流と放出された電流の差であ
り、試料電流の変動を測定することによって試料から放
出される電子の量の変動を調べることが出来る。すなわ
ち、試料電流は回折現象によって変動するため、電子線
が照射された表面の結晶情報を有する。したがって、試
料電流を測定することにより、試料表面の電子線照射部
分の結晶性を調べることが出来る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて詳細に説明する。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例を示す。第１
実施例では、電子銃１０１から放出した電子線を試料１
０４に照射する。この電子線の照射によって試料内部に
流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施例で
は、その電子銃としてＬａＢ6を材料とした熱フィラメ
ント方式の電子源を用いた。なお、図１において１０２
は試料電流検出用電流検出器、１０３は測定電流値出
力、１０５は可変電圧源を示す。
いて詳細に説明する。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例を示す。第１
実施例では、電子銃１０１から放出した電子線を試料１
０４に照射する。この電子線の照射によって試料内部に
流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施例で
は、その電子銃としてＬａＢ6を材料とした熱フィラメ
ント方式の電子源を用いた。なお、図１において１０２
は試料電流検出用電流検出器、１０３は測定電流値出
力、１０５は可変電圧源を示す。
【００２２】第１実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。
【００２３】（第２実施例）図２は本発明の第２実施例
を示す。第２実施例では、電子銃２０１から放出した電
子線を試料２０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
したコールド電界放出方式の電子源を用いた。なお、図
２において２０２は試料電流検出用電流検出器、２０３
は測定電流値出力、２０５は可変電圧源を示す。
を示す。第２実施例では、電子銃２０１から放出した電
子線を試料２０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
したコールド電界放出方式の電子源を用いた。なお、図
２において２０２は試料電流検出用電流検出器、２０３
は測定電流値出力、２０５は可変電圧源を示す。
【００２４】第２実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。第１実施例で用いた熱フィラメント方式の電
子銃は、放出される電子のエネルギー幅が広いため、エ
ネルギー分解能が悪い。これに対し、本例で用いた電界
放出型の電子銃は、エネルギー分解能を高めた分析に適
している。
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。第１実施例で用いた熱フィラメント方式の電
子銃は、放出される電子のエネルギー幅が広いため、エ
ネルギー分解能が悪い。これに対し、本例で用いた電界
放出型の電子銃は、エネルギー分解能を高めた分析に適
している。
【００２５】（第３実施例）図３は本発明の第３実施例
を示す。第３実施例では、電子銃３０１から放出した電
子線を試料３０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
した熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図３にお
いて３０２は試料電流検出用電流検出器、３０３は測定
電流値出力、３０５は可変電圧源を示す。
を示す。第３実施例では、電子銃３０１から放出した電
子線を試料３０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
した熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図３にお
いて３０２は試料電流検出用電流検出器、３０３は測定
電流値出力、３０５は可変電圧源を示す。
【００２６】第３実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。第２実施例で用いたコールド電界放出方式の
電子源はエネルギー幅が小さいため、エネルギー分解能
を最重視する分析には最も適しているが、反面電子銃か
ら放出される電子の量が少なく、感度が低い分析にな
る。これを改善するためには、本例で用いた熱電界放出
方式の電子源が適している。熱電界放出方式の電子源
は、コールド電界放出方式の電子源と比べるとやや放出
される電子のエネルギー幅が広いが、熱フィラメント方
式の電子源よりはかなりエネルギー幅が狭く、かつ放出
される電子の量は熱フィラメント方式と同程度である。
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。第２実施例で用いたコールド電界放出方式の
電子源はエネルギー幅が小さいため、エネルギー分解能
を最重視する分析には最も適しているが、反面電子銃か
ら放出される電子の量が少なく、感度が低い分析にな
る。これを改善するためには、本例で用いた熱電界放出
方式の電子源が適している。熱電界放出方式の電子源
は、コールド電界放出方式の電子源と比べるとやや放出
される電子のエネルギー幅が広いが、熱フィラメント方
式の電子源よりはかなりエネルギー幅が狭く、かつ放出
される電子の量は熱フィラメント方式と同程度である。
【００２７】（第４実施例）図４は本発明の第４実施例
を示す。第４実施例では、電子銃４０１から放出した電
子線を試料４０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
した熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図４にお
いて４０２は試料電流検出用ロックインアンプ、４０３
は測定電流値出力、４０５は可変電圧源、４０６は正弦
波波形電圧発生器を示す。
を示す。第４実施例では、電子銃４０１から放出した電
子線を試料４０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてタングステンを材料と
した熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図４にお
いて４０２は試料電流検出用ロックインアンプ、４０３
は測定電流値出力、４０５は可変電圧源、４０６は正弦
波波形電圧発生器を示す。
【００２８】第４実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーに振幅１エレクトロンボルト・周波数６５００ヘ
ルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを変
化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ４０２を用いて検波する。照射する電子の加速
エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルトの
範囲内で変化させる。分析によっては、試料電流の感度
を高めて測定することが必要な場合がある。その場合
は、本例のようなロックインアンプを利用した増幅測定
が有用である。
ルギーに振幅１エレクトロンボルト・周波数６５００ヘ
ルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを変
化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ４０２を用いて検波する。照射する電子の加速
エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルトの
範囲内で変化させる。分析によっては、試料電流の感度
を高めて測定することが必要な場合がある。その場合
は、本例のようなロックインアンプを利用した増幅測定
が有用である。
【００２９】以上の第１〜第４実施例では、試料表面上
の大きな領域での平均的な結晶情報を調べることが出来
た。一方、試料表面上の局所的な表面結晶性の空間分布
を調べる場合、電子レンズにより照射する電子線を集束
し、その電子線を調べたい領域に照射する。そこで電子
の加速エネルギーを変化させ、その変化に対する試料電
流の変動を測定する。この測定から表面上の特定箇所の
局所的な表面結晶性を調べることが出来る。以下にはそ
の実施例を示す。電子レンズを用いて電子線を収束させ
る場合、電子銃の特性から、試料に照射する電子の量を
多くするには熱電界放出式の電子源が最適である。その
ため、この収束した電子線の場合は、電子銃を熱電界放
出式に限って実施した。
の大きな領域での平均的な結晶情報を調べることが出来
た。一方、試料表面上の局所的な表面結晶性の空間分布
を調べる場合、電子レンズにより照射する電子線を集束
し、その電子線を調べたい領域に照射する。そこで電子
の加速エネルギーを変化させ、その変化に対する試料電
流の変動を測定する。この測定から表面上の特定箇所の
局所的な表面結晶性を調べることが出来る。以下にはそ
の実施例を示す。電子レンズを用いて電子線を収束させ
る場合、電子銃の特性から、試料に照射する電子の量を
多くするには熱電界放出式の電子源が最適である。その
ため、この収束した電子線の場合は、電子銃を熱電界放
出式に限って実施した。
【００３０】（第５実施例）図５は本発明の第５実施例
を示す。第５実施例では、電子銃５０１から放出した電
子線を電子レンズ５０６によって収束させ、試料５０４
の目的の場所に照射する。この電子線の照射によって試
料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実
施例では、その電子銃としてタングステンを材料とした
熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図５におい
て、５０２は試料電流検出用電流検出器、５０３は測定
電流値出力、５０５は可変電圧源を示す。
を示す。第５実施例では、電子銃５０１から放出した電
子線を電子レンズ５０６によって収束させ、試料５０４
の目的の場所に照射する。この電子線の照射によって試
料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実
施例では、その電子銃としてタングステンを材料とした
熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図５におい
て、５０２は試料電流検出用電流検出器、５０３は測定
電流値出力、５０５は可変電圧源を示す。
【００３１】第５実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。
【００３２】（第６実施例）図６は本発明の第６実施例
を示す。第６実施例では、電子銃６０１から放出した電
子線を電子レンズ６０７によって収束させ、試料６０４
の目的の場所に照射する。この電子線の照射によって試
料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実
施例では、その電子銃としてタングステンを材料とした
熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図６において
６０２は試料電流検出用ロックインアンプ、６０３は測
定電流値出力、６０５は可変電圧源、６０６は正弦波波
形電圧発生器を示す。
を示す。第６実施例では、電子銃６０１から放出した電
子線を電子レンズ６０７によって収束させ、試料６０４
の目的の場所に照射する。この電子線の照射によって試
料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実
施例では、その電子銃としてタングステンを材料とした
熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図６において
６０２は試料電流検出用ロックインアンプ、６０３は測
定電流値出力、６０５は可変電圧源、６０６は正弦波波
形電圧発生器を示す。
【００３３】第６実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーに振幅１０エレクトロンボルト・周波数６５００
ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを
変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ６０２を用いて検波する。照射する電子の加速
エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルトの
範囲内で変化させる。試料電流の感度を高めて測定する
ことが必要な場合、収束した電子線の場合も、本例のよ
うなロックインアンプを利用した増幅測定が有用であ
る。
ルギーに振幅１０エレクトロンボルト・周波数６５００
ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを
変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ６０２を用いて検波する。照射する電子の加速
エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルトの
範囲内で変化させる。試料電流の感度を高めて測定する
ことが必要な場合、収束した電子線の場合も、本例のよ
うなロックインアンプを利用した増幅測定が有用であ
る。
【００３４】以上の第５〜第６実施例では、電子レンズ
を用いて電子線を収束させることにより、試料表面上の
目的の箇所を調べることが出来た。さらに、試料表面上
の２次元的な表面結晶性の空間分布を調べる場合、電子
レンズにより照射する電子線を集束し、その電子線を調
べたい範囲で走査して測定する。この走査の各点で、入
射電子の加速エネルギーを変化させ、その変化に対する
試料電流の変動を測定する。この測定データから、２次
元的な表面結晶性の分布を調べることが出来る。以下に
はその実施例を示す。
を用いて電子線を収束させることにより、試料表面上の
目的の箇所を調べることが出来た。さらに、試料表面上
の２次元的な表面結晶性の空間分布を調べる場合、電子
レンズにより照射する電子線を集束し、その電子線を調
べたい範囲で走査して測定する。この走査の各点で、入
射電子の加速エネルギーを変化させ、その変化に対する
試料電流の変動を測定する。この測定データから、２次
元的な表面結晶性の分布を調べることが出来る。以下に
はその実施例を示す。
【００３５】（第７実施例）図７は本発明の第７実施例
を示す。第７実施例では、電子銃７０１から放出した電
子線を電子レンズ７０６によって収束させ、電子線照射
位置を走査しながら試料７０４の目的の領域に照射す
る。その走査の各点で、この電子線の照射によって試料
内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施
例では、その電子銃としてタングステンを材料とした熱
電界放出方式の電子源を用いた。なお、図７において７
０２は試料電流検出用電流検出器、７０３は測定電流値
出力、７０５は可変電圧源を示す。
を示す。第７実施例では、電子銃７０１から放出した電
子線を電子レンズ７０６によって収束させ、電子線照射
位置を走査しながら試料７０４の目的の領域に照射す
る。その走査の各点で、この電子線の照射によって試料
内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施
例では、その電子銃としてタングステンを材料とした熱
電界放出方式の電子源を用いた。なお、図７において７
０２は試料電流検出用電流検出器、７０３は測定電流値
出力、７０５は可変電圧源を示す。
【００３６】第７実施例では、電子線の照射位置を走査
する各点で照射する電子の加速エネルギーを変化させ、
そのエネルギー変化に対する試料電流の変動を測定す
る。照射する電子の加速エネルギーは、１０から５００
０エレクトロンボルトの範囲内で変化させる。
する各点で照射する電子の加速エネルギーを変化させ、
そのエネルギー変化に対する試料電流の変動を測定す
る。照射する電子の加速エネルギーは、１０から５００
０エレクトロンボルトの範囲内で変化させる。
【００３７】（第８実施例）図８は本発明の第８実施例
を示す。第８実施例では、電子銃８０１から放出した電
子線を電子レンズ８０７によって収束させ、電子線照射
位置を走査しながら試料８０４の目的の領域に照射す
る。その走査の各点で、この電子線の照射によって試料
内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施
例では、その電子銃としてタングステンを材料とした熱
電界放出方式の電子源を用いた。なお、図８において、
８０２は試料電流検出用ロックインアンプ、８０３は測
定電流値出力、８０５は可変電圧源、８０６は正弦波波
形電圧発生器を示す。
を示す。第８実施例では、電子銃８０１から放出した電
子線を電子レンズ８０７によって収束させ、電子線照射
位置を走査しながら試料８０４の目的の領域に照射す
る。その走査の各点で、この電子線の照射によって試料
内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。この実施
例では、その電子銃としてタングステンを材料とした熱
電界放出方式の電子源を用いた。なお、図８において、
８０２は試料電流検出用ロックインアンプ、８０３は測
定電流値出力、８０５は可変電圧源、８０６は正弦波波
形電圧発生器を示す。
【００３８】第８実施例では、電子線の照射位置を走査
する各点で、照射する電子の加速エネルギーに振幅１０
エレクトロンボルト・周波数８５００ヘルツの正弦波を
重畳させながら上記加速エネルギー変化させ、そのエネ
ルギー変化に対する試料電流の変動を、重畳させた正弦
波と同じ８５００ヘルツでロックインアンプ８０２を用
いて検波する。照射する電子の加速エネルギーは、１０
から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変化させ
る。試料電流の感度を高めて測定することが必要な場
合、収束した電子線を走査する場合も、本例のようなロ
ックインアンプを利用した増幅測定が有用である。
する各点で、照射する電子の加速エネルギーに振幅１０
エレクトロンボルト・周波数８５００ヘルツの正弦波を
重畳させながら上記加速エネルギー変化させ、そのエネ
ルギー変化に対する試料電流の変動を、重畳させた正弦
波と同じ８５００ヘルツでロックインアンプ８０２を用
いて検波する。照射する電子の加速エネルギーは、１０
から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変化させ
る。試料電流の感度を高めて測定することが必要な場
合、収束した電子線を走査する場合も、本例のようなロ
ックインアンプを利用した増幅測定が有用である。
【００３９】電子銃から試料へ照射される入射電子線の
電流は、加速電圧の変化によって徐々に変動するため、
定量的に正確な試料電流変化を測定するためには、入射
電子線の電流値を測定し校正する必要がある。ファラデ
ーカップを用いてこの電子銃の加速エネルギーに対する
校正を行うことが可能である。以下の実施例はその校正
を行ったものである。
電流は、加速電圧の変化によって徐々に変動するため、
定量的に正確な試料電流変化を測定するためには、入射
電子線の電流値を測定し校正する必要がある。ファラデ
ーカップを用いてこの電子銃の加速エネルギーに対する
校正を行うことが可能である。以下の実施例はその校正
を行ったものである。
【００４０】（第９実施例）図９は本発明の第９実施例
を示す。第９実施例では、電子銃９０１から放出した電
子線を試料９０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてＬａＢ6を材料とした
熱フィラメント方式の電子源を用いた。なお、図９にお
いて９０２は試料電流検出用電流検出器、９０３は規格
化された電流値出力、９０５は可変電圧源、９０６はフ
ァラデーカップ、９０７は入射電子線電流校正用電流検
出器を示す。
を示す。第９実施例では、電子銃９０１から放出した電
子線を試料９０４に照射する。この電子線の照射によっ
て試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定する。こ
の実施例では、その電子銃としてＬａＢ6を材料とした
熱フィラメント方式の電子源を用いた。なお、図９にお
いて９０２は試料電流検出用電流検出器、９０３は規格
化された電流値出力、９０５は可変電圧源、９０６はフ
ァラデーカップ、９０７は入射電子線電流校正用電流検
出器を示す。
【００４１】第９実施例では、照射する電子の加速エネ
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ９０６を試料と同
じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時と
同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し校
正する。
ルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電
流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ９０６を試料と同
じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時と
同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し校
正する。
【００４２】（第１０実施例）図１０は本発明の第１０
実施例を示す。第１０実施例では、電子銃１００１から
放出した電子線を試料１００４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料としたコールド電界放出方式の電子源を用い
た。なお、図１０において１００２は試料電流検出用電
流検出器、１００３は規格化された電流値出力、１００
５は可変電圧源、１００６はファラデーカップ、１００
７は入射電子線電流校正用電流検出器を示す。
実施例を示す。第１０実施例では、電子銃１００１から
放出した電子線を試料１００４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料としたコールド電界放出方式の電子源を用い
た。なお、図１０において１００２は試料電流検出用電
流検出器、１００３は規格化された電流値出力、１００
５は可変電圧源、１００６はファラデーカップ、１００
７は入射電子線電流校正用電流検出器を示す。
【００４３】第１０実施例では、照射する電子の加速エ
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１００６を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。ファラデーカップを用いた照射電子量の校正
は、本例のような電界放出式の電子銃でも同様に有効で
ある。
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１００６を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。ファラデーカップを用いた照射電子量の校正
は、本例のような電界放出式の電子銃でも同様に有効で
ある。
【００４４】（第１１実施例）図１１は本発明の第１１
実施例を示す。第１１実施例では、電子銃１１０１から
放出した電子線を試料１１０４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１１において、１１０２は試料電流検出用電流検
出器、１１０３は規格化された電流値出力、１１０５は
可変電圧源、１１０６はファラデーカップ、１１０７は
入射電子線電流校正用電流検出器を示す。
実施例を示す。第１１実施例では、電子銃１１０１から
放出した電子線を試料１１０４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１１において、１１０２は試料電流検出用電流検
出器、１１０３は規格化された電流値出力、１１０５は
可変電圧源、１１０６はファラデーカップ、１１０７は
入射電子線電流校正用電流検出器を示す。
【００４５】第１１実施例では、照射する電子の加速エ
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１１０６を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１１０６を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。
【００４６】（第１２実施例）図１２は本発明の第１２
実施例を示す。第１２実施例では、電子銃１２０１から
放出した電子線を試料１２０４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１２において１２０２は試料電流検出用ロックイ
ンアンプ、１２０３は規格化された電流値出力、１２０
５は可変電圧源、１２０６は正弦波波形電圧発生器、１
２０７はファラデーカップ、１２０８は入射電子線電流
校正用ロックインアンプを示す。
実施例を示す。第１２実施例では、電子銃１２０１から
放出した電子線を試料１２０４に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１２において１２０２は試料電流検出用ロックイ
ンアンプ、１２０３は規格化された電流値出力、１２０
５は可変電圧源、１２０６は正弦波波形電圧発生器、１
２０７はファラデーカップ、１２０８は入射電子線電流
校正用ロックインアンプを示す。
【００４７】第１２実施例では、照射する電子の加速エ
ネルギーに振幅１エレクトロンボルト・周波数６５００
ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを
変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ１２０２を用いて検波する。照射する電子の加
速エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルト
の範囲内で変化させる。さらに、ファラデーカップ１２
０７を試料と同じ位置に移動させることで、入射電子線
を試料照射時と同じ条件でロックインアンプ１２０８を
用いて測定し、その電流値で試料電流を規格化し校正す
る。ファラデーカップで照射電子量を校正しかつ測定感
度を向上させる場合、本例のように試料とファラデーカ
ップの両方を同じ条件でロックインアンプ増幅させるこ
とが有効である。
ネルギーに振幅１エレクトロンボルト・周波数６５００
ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギーを
変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動
を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロックイ
ンアンプ１２０２を用いて検波する。照射する電子の加
速エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボルト
の範囲内で変化させる。さらに、ファラデーカップ１２
０７を試料と同じ位置に移動させることで、入射電子線
を試料照射時と同じ条件でロックインアンプ１２０８を
用いて測定し、その電流値で試料電流を規格化し校正す
る。ファラデーカップで照射電子量を校正しかつ測定感
度を向上させる場合、本例のように試料とファラデーカ
ップの両方を同じ条件でロックインアンプ増幅させるこ
とが有効である。
【００４８】以上の第９〜第１２実施例では、試料表面
上の大きな領域での平均的な結晶情報を、入射電子線の
電流を校正して調べることが出来た。一方、表面上の局
所的な表面結晶性の空間分布を調べる場合、電子レンズ
により照射する電子線を集束し、その電子線を調べたい
領域に照射する。そこで電子の加速エネルギーを変化さ
せ、その変化に対する試料電流の変動を測定する。ま
た、ファラデーカップで測定する校正用電流も、試料照
射時と同じ条件で収束させた状態でファラデーカップに
照射し測定する。この測定から、表面上の特定箇所の局
所的な表面結晶性を、入射電子線の電流を校正して調べ
ることが出来る。以下にはその実施例を示す。
上の大きな領域での平均的な結晶情報を、入射電子線の
電流を校正して調べることが出来た。一方、表面上の局
所的な表面結晶性の空間分布を調べる場合、電子レンズ
により照射する電子線を集束し、その電子線を調べたい
領域に照射する。そこで電子の加速エネルギーを変化さ
せ、その変化に対する試料電流の変動を測定する。ま
た、ファラデーカップで測定する校正用電流も、試料照
射時と同じ条件で収束させた状態でファラデーカップに
照射し測定する。この測定から、表面上の特定箇所の局
所的な表面結晶性を、入射電子線の電流を校正して調べ
ることが出来る。以下にはその実施例を示す。
【００４９】（第１３実施例）図１３は本発明の第１３
実施例を示す。第１３実施例では、電子銃１３０１から
放出した電子線を電子レンズ１３０６によって収束さ
せ、試料１３０４の目的の場所に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１３において１３０２は試料電流検出用電流検出
器、１３０３は規格化された電流値出力、１３０５は可
変電圧源、１３０７はファラデーカップ、１３０８は入
射電子線電流校正用電流検出器を示す。
実施例を示す。第１３実施例では、電子銃１３０１から
放出した電子線を電子レンズ１３０６によって収束さ
せ、試料１３０４の目的の場所に照射する。この電子線
の照射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を
測定する。この実施例では、その電子銃としてタングス
テンを材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。な
お、図１３において１３０２は試料電流検出用電流検出
器、１３０３は規格化された電流値出力、１３０５は可
変電圧源、１３０７はファラデーカップ、１３０８は入
射電子線電流校正用電流検出器を示す。
【００５０】第１３実施例では、照射する電子の加速エ
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１３０７を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。
ネルギーを変化させ、そのエネルギー変化に対する試料
電流の変動を測定する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１３０７を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件で測定し、その電流値で試料電流を規格化し
校正する。
【００５１】（第１４実施例）図１４は本発明の第１４
実施例を示す。第１４実施例では、電子銃１４０１から
放出した電子線を電子レンズ１４０７によって収束さ
せ、試料の目的の場所に照射する。この電子線の照射に
よって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定す
る。この実施例では、その電子銃としてタングステンを
材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図
１４において１４０２は試料電流検出用ロックインアン
プ、１４０３は規格化された電流値出力、１４０５は可
変電圧源、１４０６は正弦波波形電圧発生器、１４０８
はファラデーカップ、１４０９は入射電子線電流校正用
ロックインアンプを示す。
実施例を示す。第１４実施例では、電子銃１４０１から
放出した電子線を電子レンズ１４０７によって収束さ
せ、試料の目的の場所に照射する。この電子線の照射に
よって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定す
る。この実施例では、その電子銃としてタングステンを
材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、図
１４において１４０２は試料電流検出用ロックインアン
プ、１４０３は規格化された電流値出力、１４０５は可
変電圧源、１４０６は正弦波波形電圧発生器、１４０８
はファラデーカップ、１４０９は入射電子線電流校正用
ロックインアンプを示す。
【００５２】第１４実施例では、照射する電子の加速エ
ネルギーに振幅１０エレクトロンボルト・周波数６５０
０ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギー
を変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変
動を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロック
インアンプ１４０２を用いて検波する。照射する電子の
加速エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボル
トの範囲内で変化させる。さらに、ファラデーカップ１
４０８を試料と同じ位置に移動させることで、入射電子
線を試料照射時と同じ条件でロックインアンプ１４０９
を用いて測定し、その電流値で試料電流を規格化し校正
する。収束させた電子線を用い、ファラデーカップを用
いて規格化した測定を行う場合も、測定感度を向上させ
るために本例のようにロックインアンプを利用すること
が有効である。
ネルギーに振幅１０エレクトロンボルト・周波数６５０
０ヘルツの正弦波を重畳させながら上記加速エネルギー
を変化させ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変
動を、重畳させた正弦波と同じ６５００ヘルツでロック
インアンプ１４０２を用いて検波する。照射する電子の
加速エネルギーは、１０から５０００エレクトロンボル
トの範囲内で変化させる。さらに、ファラデーカップ１
４０８を試料と同じ位置に移動させることで、入射電子
線を試料照射時と同じ条件でロックインアンプ１４０９
を用いて測定し、その電流値で試料電流を規格化し校正
する。収束させた電子線を用い、ファラデーカップを用
いて規格化した測定を行う場合も、測定感度を向上させ
るために本例のようにロックインアンプを利用すること
が有効である。
【００５３】以上の第１３〜第１４実施例では、電子レ
ンズを用いて電子線を収束させ、試料表面上の目的の箇
所を入射電子線の電流を校正して調べることが出来た。
さらに、表面上の２次元的な表面結晶性の空間分布を調
べる場合、電子レンズにより照射する電子線を集束し、
その電子線を調べたい範囲で走査して測定する。この走
査の各点で入射電子の加速エネルギーを変化させ、その
変化に対する試料電流の変動を測定する。また、ファラ
デーカップで測定する校正用電流も、試料照射時と同じ
条件で収束させた状態でファラデーカップに照射し測定
する。以下にはその実施例を示す。ただし、ファラデー
カップに照射する場合は電子線照射位置を走査せずに測
定し、照射位置走査による電子線照射量変動は非常に小
さいと考え無視して測定した。この測定データから、２
次元的な表面結晶性の分布を、入射電子線の電流を校正
して調べることが出来る。
ンズを用いて電子線を収束させ、試料表面上の目的の箇
所を入射電子線の電流を校正して調べることが出来た。
さらに、表面上の２次元的な表面結晶性の空間分布を調
べる場合、電子レンズにより照射する電子線を集束し、
その電子線を調べたい範囲で走査して測定する。この走
査の各点で入射電子の加速エネルギーを変化させ、その
変化に対する試料電流の変動を測定する。また、ファラ
デーカップで測定する校正用電流も、試料照射時と同じ
条件で収束させた状態でファラデーカップに照射し測定
する。以下にはその実施例を示す。ただし、ファラデー
カップに照射する場合は電子線照射位置を走査せずに測
定し、照射位置走査による電子線照射量変動は非常に小
さいと考え無視して測定した。この測定データから、２
次元的な表面結晶性の分布を、入射電子線の電流を校正
して調べることが出来る。
【００５４】（第１５実施例）図１５は本発明の第１５
実施例を示す。第１５実施例では、電子銃１５０１から
放出した電子線を電子レンズ１５０６によって収束さ
せ、電子線照射位置を走査しながら試料１５０４の目的
の領域に照射する。その走査の各点で、この電子線の照
射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定
する。この実施例では、その電子銃としてタングステン
を材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、
図１５において、１５０２は試料電流検出用電流検出
器、１５０３は規格化された電流値出力、１５０５は可
変電圧源、１５０７はファラデーカップ、１５０８は入
射電子線電流校正用電流検出器を示す。
実施例を示す。第１５実施例では、電子銃１５０１から
放出した電子線を電子レンズ１５０６によって収束さ
せ、電子線照射位置を走査しながら試料１５０４の目的
の領域に照射する。その走査の各点で、この電子線の照
射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定
する。この実施例では、その電子銃としてタングステン
を材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、
図１５において、１５０２は試料電流検出用電流検出
器、１５０３は規格化された電流値出力、１５０５は可
変電圧源、１５０７はファラデーカップ、１５０８は入
射電子線電流校正用電流検出器を示す。
【００５５】第１５実施例では、電子線の照射位置を走
査する各点で照射する電子の加速エネルギーを変化さ
せ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動を測定
する。照射する電子の加速エネルギーは、１０から５０
００エレクトロンボルトの範囲内で変化させる。さら
に、ファラデーカップ１５０７を試料と同じ位置に移動
させることで、入射電子線を試料照射時と同じ条件で測
定し、その電流値で試料電流を規格化し校正する。
査する各点で照射する電子の加速エネルギーを変化さ
せ、そのエネルギー変化に対する試料電流の変動を測定
する。照射する電子の加速エネルギーは、１０から５０
００エレクトロンボルトの範囲内で変化させる。さら
に、ファラデーカップ１５０７を試料と同じ位置に移動
させることで、入射電子線を試料照射時と同じ条件で測
定し、その電流値で試料電流を規格化し校正する。
【００５６】（第１６実施例）図１６は本発明の第１６
実施例を示す。第１６実施例では、電子銃１６０１から
放出した電子線を電子レンズ１６０７によって収束さ
せ、電子線照射位置を走査しながら試料１６０１の目的
の領域に照射する。その走査の各点で、この電子線の照
射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定
する。この実施例では、その電子銃としてタングステン
を材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、
図１６において、１６０２は試料電流検出用ロックイン
アンプ、１６０３は規格化された電流値出力、１６０５
は可変電圧源、１６０６は正弦波波形電圧発生器、１６
０８はファラデーカップ、１６０９は入射電子線電流校
正用ロックインアンプを示す。
実施例を示す。第１６実施例では、電子銃１６０１から
放出した電子線を電子レンズ１６０７によって収束さ
せ、電子線照射位置を走査しながら試料１６０１の目的
の領域に照射する。その走査の各点で、この電子線の照
射によって試料内部に流れ込む試料電流の電流量を測定
する。この実施例では、その電子銃としてタングステン
を材料とした熱電界放出方式の電子源を用いた。なお、
図１６において、１６０２は試料電流検出用ロックイン
アンプ、１６０３は規格化された電流値出力、１６０５
は可変電圧源、１６０６は正弦波波形電圧発生器、１６
０８はファラデーカップ、１６０９は入射電子線電流校
正用ロックインアンプを示す。
【００５７】第１６実施例では、電子線の照射位置を走
査する各点で、照射する電子の加速エネルギーに振幅１
０エレクトロンボルト・周波数８５００ヘルツの正弦波
を重畳させながら上記加速エネルギーを変化させ、その
エネルギー変化に対する試料電流の変動を、重畳させた
正弦波と同じ８５００ヘルツでロックインアンプ１６０
２を用いて検波する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１６０８を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件でロックインアンプ１６０９を用いて測定
し、その電流値で試料電流を規格化し校正する。収束し
た電子線の照射位置を走査し、２次元分布をファラデー
カップを利用して校正し測定する場合でも、感度を向上
させるために本例のようにロックインアンプを利用する
ことは有効である。
査する各点で、照射する電子の加速エネルギーに振幅１
０エレクトロンボルト・周波数８５００ヘルツの正弦波
を重畳させながら上記加速エネルギーを変化させ、その
エネルギー変化に対する試料電流の変動を、重畳させた
正弦波と同じ８５００ヘルツでロックインアンプ１６０
２を用いて検波する。照射する電子の加速エネルギー
は、１０から５０００エレクトロンボルトの範囲内で変
化させる。さらに、ファラデーカップ１６０８を試料と
同じ位置に移動させることで、入射電子線を試料照射時
と同じ条件でロックインアンプ１６０９を用いて測定
し、その電流値で試料電流を規格化し校正する。収束し
た電子線の照射位置を走査し、２次元分布をファラデー
カップを利用して校正し測定する場合でも、感度を向上
させるために本例のようにロックインアンプを利用する
ことは有効である。
【００５８】以上の実施例で選られた代表的な実験結果
を以下に示す。 （第１７実施例）図１の装置でシリコン（１００）単結
晶表面に集束した電子線を照射し、そのときの試料電流
を測定することで、その部分の結晶性を調べた。照射す
る電子線の加速エネルギーは、５０ｅＶから３００ｅＶ
の範囲で変化させた。実験の結果得られた試料電流スペ
クトルが図１７である。このシリコン（１００）単結晶
表面での試料電流スペクトルには、１０ｅＶ程度の幅の
ピークが多数現れた。
を以下に示す。 （第１７実施例）図１の装置でシリコン（１００）単結
晶表面に集束した電子線を照射し、そのときの試料電流
を測定することで、その部分の結晶性を調べた。照射す
る電子線の加速エネルギーは、５０ｅＶから３００ｅＶ
の範囲で変化させた。実験の結果得られた試料電流スペ
クトルが図１７である。このシリコン（１００）単結晶
表面での試料電流スペクトルには、１０ｅＶ程度の幅の
ピークが多数現れた。
【００５９】（第１８実施例）一方、同様に図１の装置
で多結晶シリコンの表面に集束した電子線を照射し測定
を行った試料電流スペクトルが図１８である。図１８の
スペクトルには、図１７で見られたような１０ｅＶ程度
の幅の細かなピークは見られなかった。この両者の違い
は、通常の電子線回折で回折スポットが現れるか否かに
相当する。
で多結晶シリコンの表面に集束した電子線を照射し測定
を行った試料電流スペクトルが図１８である。図１８の
スペクトルには、図１７で見られたような１０ｅＶ程度
の幅の細かなピークは見られなかった。この両者の違い
は、通常の電子線回折で回折スポットが現れるか否かに
相当する。
【００６０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、試料に電子線を照射し、試料に流れ込む電流
を測定することで、試料から散乱・放出される電子量を
直接測定することなく、試料表面の結晶状態を調べるこ
とが出来る。そのため、従来技術では測定が不可能であ
った、試料表面に垂直に形成された細長く深い穴の底を
調べることが可能となる。
によれば、試料に電子線を照射し、試料に流れ込む電流
を測定することで、試料から散乱・放出される電子量を
直接測定することなく、試料表面の結晶状態を調べるこ
とが出来る。そのため、従来技術では測定が不可能であ
った、試料表面に垂直に形成された細長く深い穴の底を
調べることが可能となる。
【図１】熱フィラメント式電子銃を用いた試料電流分光
式表面測定装置の概略図である。
式表面測定装置の概略図である。
【図２】コールド電界放出式電子銃を用いた試料電流分
光式表面測定装置の概略図である。
光式表面測定装置の概略図である。
【図３】熱電界放出式電子銃を用いた試料電流分光式表
面測定装置の概略図である。
面測定装置の概略図である。
【図４】交流検波方式を利用して感度を向上させた試料
電流分光式表面測定装置の概略図である。
電流分光式表面測定装置の概略図である。
【図５】電子レンズにより入射電子線を収束する試料電
流分光式表面測定装置の概略図である。
流分光式表面測定装置の概略図である。
【図６】電子レンズにより入射電子線を収束し、交流検
波方式を利用して感度を向上させた試料電流分光式表面
測定装置の概略図である。
波方式を利用して感度を向上させた試料電流分光式表面
測定装置の概略図である。
【図７】電子レンズにより入射電子線を収束して試料表
面上で走査する試料電流分光式表面測定装置の概略図で
ある。
面上で走査する試料電流分光式表面測定装置の概略図で
ある。
【図８】電子レンズにより入射電子線を収束して試料表
面上で走査し、交流検波方式を利用して感度を向上させ
た試料電流分光式表面測定装置の概略図である。
面上で走査し、交流検波方式を利用して感度を向上させ
た試料電流分光式表面測定装置の概略図である。
【図９】熱フィラメント式電子銃を用い、入射電流で試
料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略
図である。
料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略
図である。
【図１０】コールド電界放出式電子銃を用い、入射電流
で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の
概略図である。
で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の
概略図である。
【図１１】熱電界放出式電子銃を用い、入射電流で試料
電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略図
である。
電流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略図
である。
【図１２】交流検波方式を利用して感度を向上させ、入
射電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定
装置の概略図である。
射電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定
装置の概略図である。
【図１３】電子レンズにより入射電子線を収束し、入射
電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装
置の概略図である。
電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表面測定装
置の概略図である。
【図１４】電子レンズにより入射電子線を収束し、交流
検波方式を利用して感度を向上させ、入射電流で試料電
流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略図で
ある。
検波方式を利用して感度を向上させ、入射電流で試料電
流を規格化する試料電流分光式表面測定装置の概略図で
ある。
【図１５】電子レンズにより入射電子線を収束して試料
表面上で走査し、入射電流で試料電流を規格化する試料
電流分光式表面測定装置の概略図である。
表面上で走査し、入射電流で試料電流を規格化する試料
電流分光式表面測定装置の概略図である。
【図１６】電子レンズにより入射電子線を収束して試料
表面上で走査し、交流検波方式を利用して感度を向上さ
せ、入射電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表
面測定装置の概略図である。
表面上で走査し、交流検波方式を利用して感度を向上さ
せ、入射電流で試料電流を規格化する試料電流分光式表
面測定装置の概略図である。
【図１７】図１の装置でシリコン（１００）単結晶表面
を測定した試料電流スペクトルである。
を測定した試料電流スペクトルである。
【図１８】図１の装置で多結晶シリコン表面を測定した
試料電流スペクトルである。
試料電流スペクトルである。
１０１ 熱フィラメント式電子銃 １０２ 試料電流検出用電流検出器 １０３ 測定電流値出力 １０４ 試料 １０５ 可変電圧源 ２０１ コールド電界放出式電子銃 ２０２ 試料電流検出用電流検出器 ２０３ 測定電流値出力 ２０４ 試料 ２０５ 可変電圧源 ３０１ 熱電界放出式電子銃 ３０２ 試料電流検出用電流検出器 ３０３ 測定電流値出力 ３０４ 試料 ３０５ 可変電圧源 ４０１ 熱電界放出式電子銃 ４０２ 試料電流検出用ロックインアンプ ４０３ 測定電流値出力 ４０４ 試料 ４０５ 可変電圧源 ４０６ 正弦波波形電圧発生器 ５０１ 熱電界放出式電子銃 ５０２ 試料電流検出用電流検出器 ５０３ 測定電流値出力 ５０４ 試料 ５０５ 可変電圧源 ５０６ 電子レンズ ６０１ 熱電界放出式電子銃 ６０２ 試料電流検出用ロックインアンプ ６０３ 測定電流値出力 ６０４ 試料 ６０５ 可変電圧源 ６０６ 正弦波波形電圧発生器 ６０７ 電子レンズ ７０１ 熱電界放出式電子銃 ７０２ 試料電流検出用電流検出器 ７０３ 測定電流値出力 ７０４ 試料 ７０５ 可変電圧源 ７０６ 電子レンズ ８０１ 熱電界放出式電子銃 ８０２ 試料電流検出用ロックインアンプ ８０３ 測定電流値出力 ８０４ 試料 ８０５ 可変電圧源 ８０６ 正弦波波形電圧発生器 ８０７ 電子レンズ ９０１ 熱フィラメント式電子銃 ９０２ 試料電流検出用電流検出器 ９０３ 規格化された電流値出力 ９０４ 試料 ９０５ 可変電圧源 ９０６ ファラデーカップ ９０７ 入射電子線電流校正用電流検出器 １００１ コールド電界放出式電子銃 １００２ 試料電流検出用電流検出器 １００３ 規格化された電流値出力 １００４ 試料 １００５ 可変電圧源 １００６ ファラデーカップ １００７ 入射電子線電流校正用電流検出器 １１０１ 熱電界放出式電子銃 １１０２ 試料電流検出用電流検出器 １１０３ 規格化された電流値出力 １１０４ 試料 １１０５ 可変電圧源 １１０６ ファラデーカップ １１０７ 入射電子線電流校正用電流検出器 １２０１ 熱電界放出式電子銃 １２０２ 試料電流検出用ロックインアンプ １２０３ 規格化された電流値出力 １２０４ 試料 １２０５ 可変電圧源 １２０６ 正弦波波形電圧発生器 １２０７ ファラデーカップ １２０８ 入射電子線電流校正用ロックインアンプ １３０１ 熱電界放出式電子銃 １３０２ 試料電流検出用電流検出器 １３０３ 規格化された電流値出力 １３０４ 試料 １３０５ 可変電圧源 １３０６ 電子レンズ １３０７ ファラデーカップ １３０８ 入射電子線電流校正用電流検出器 １４０１ 熱電界放出式電子銃 １４０２ 試料電流検出用ロックインアンプ １４０３ 規格化された電流値出力 １４０４ 試料 １４０５ 可変電圧源 １４０６ 正弦波波形電圧発生器 １４０７ 電子レンズ １４０８ ファラデーカップ １４０９ 入射電子線電流校正用ロックインアンプ １５０１ 熱電界放出式電子銃 １５０２ 試料電流検出用電流検出器 １５０３ 規格化された電流値出力 １５０４ 試料 １５０５ 可変電圧源 １５０６ 電子レンズ １５０７ ファラデーカップ １５０８ 入射電子線電流校正用電流検出器 １６０１ 熱電界放出式電子銃 １６０２ 試料電流検出用ロックインアンプ １６０３ 規格化された電流値出力 １６０４ 試料 １６０５ 可変電圧源 １６０６ 正弦波波形電圧発生器 １６０７ 電子レンズ １６０８ ファラデーカップ １６０９ 入射電子線電流校正用ロックインアンプ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA09 GA01 GA06 GA11 HA01 JA02 KA08 LA11 2G060 AA08 AF03 EB03 EB08 HA02 HC08 KA09 4M106 AA01 AA20 BA02 CB19 DH01 DH11 DH33 5C033 RR02 RR03 RR06
Claims (12)
- 【請求項１】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に流れ
込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測す
ることで、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする
試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項２】 電子レンズで集束させた電子線を用い
て、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試料
表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする請求項
１に記載の試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項３】 電子レンズで集束させた電子線を用い
て、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しなが
ら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特徴
とする請求項１に記載の試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項４】 電子線を試料表面とファラデーカップに
同条件で照射して、その電子線の加速エネルギーを変化
させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対
する変化とファラデーカップで検出される電流変化を測
定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカップで
検出された同条件での電流で規格化することで、試料表
面の結晶性を調べることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載の試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項５】 電子レンズで集束させた電子線を試料表
面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で照射し
て、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料に流
れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化とファ
ラデーカップで検出される電流変化を測定し、試料に流
れ込む電流の変動をファラデーカップで検出された同条
件での電流で規格化することで、試料表面の結晶性を調
べることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項６】 電子レンズで集束させた電子線をファラ
デーカップに照射し、加速エネルギーを変化させ、その
ファラデーカップに流れる電流を測定し、それと同じ条
件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しなが
ら照射して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、
試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変
化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカ
ップで検出された同条件での電流で規格化することで、
試料表面の結晶性を調べることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載の試料電流分光式表面測定法。 - 【請求項７】 試料表面に電子線を照射して、その電子
線の加速エネルギーを変化させ、そのときに試料に流れ
込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化を計測す
ることで、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする
試料電流分光式表面測定装置。 - 【請求項８】 電子レンズで集束させた電子線を用い
て、試料表面上の局所的な領域に電子線を照射し、試料
表面の局所的な結晶性を調べることを特徴とする請求項
７に記載の試料電流分光式表面測定装置。 - 【請求項９】 電子レンズで集束させた電子線を用い
て、試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しなが
ら照射し、試料表面の結晶性の分布を調べることを特徴
とする請求項７に記載の試料電流分光式表面測定装置。 - 【請求項１０】 電子線を試料表面とファラデーカップ
に同条件で照射して、その電子線の加速エネルギーを変
化させ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに
対する変化とファラデーカップで検出される電流変化を
測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデーカップ
で検出された同条件での電流で規格化することで、試料
表面の結晶性を調べることを特徴とする請求項７〜９の
いずれか１項に記載の試料電流分光式表面測定装置。 - 【請求項１１】 電子レンズで集束させた電子線を試料
表面の局所的な領域とファラデーカップに同条件で照射
して、その電子線の加速エネルギーを変化させ、試料に
流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対する変化とフ
ァラデーカップで検出される電流変化を測定し、試料に
流れ込む電流の変動をファラデーカップで検出された同
条件での電流で規格化することで、試料表面の結晶性を
調べることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に
記載の試料電流分光式表面測定装置。 - 【請求項１２】 電子レンズで集束させた電子線をファ
ラデーカップに照射し、加速エネルギーを変化させ、そ
のファラデーカップに流れる電流を測定し、それと同じ
条件で試料表面上に電子線を電子線照射位置を走査しな
がら照射して、その電子線の加速エネルギーを変化さ
せ、試料に流れ込む電流の照射電子線エネルギーに対す
る変化を測定し、試料に流れ込む電流の変動をファラデ
ーカップで検出された同条件での電流で規格化すること
で、試料表面の結晶性を調べることを特徴とする請求項
７〜９のいずれか１項に記載の試料電流分光式表面測定
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10292102A JP3109493B2 (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 試料電流分光式表面測定法及び測定装置 |
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