KR100788467B1 - 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속측정방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 백색 엑스선과 에너지 분해능을 갖는 디텍터를 이용한 백색 엑스선 반사율 방법을 이용하여 나노스케일 박막 두께를 고속으로 측정하는 것이다. 보다 상세하게는 연속적인 파장을 포함하고 있는 백색 엑스선을 일정 각도로 박막에 조사하고 박막으로부터 반사되는 엑스선을 에너지 분해능을 갖는 디텍터를 사용하여 파장 별로 동시에 관찰함으로써 단시간 내에 박막의 두께를 알아낼 수 있는 방법이다. 본 발명은 기존의 단색 엑스선과 일반 디텍터를 이용하여 박막에 대한 엑스선 조사각도를 변화시키며 엑스선 반사율을 측정하여 박막의 두께를 얻는 방법의 가장 큰 단점인 측정 시간을 수십 배 단축시킬 수 있다. 이 방법을 이용함으로써 박막의 두께가 빠르게 변화하고 있는 여러 상황의 박막의 두께를 실시간에 나노스케일의 분해능으로 정확하게 측정할 수 있게 되었다.
백색 엑스선, 에너지 디텍터, 싱크로트론, 박막의 두께

Description

백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속 측정방법 및 그 장치{Rapid measurement method of nano-scale thickness of thin film using white X-ray reflectivity and system thereof}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속 측정장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께의 고속측정 방법에 의해 얻어진 실험 결과이다.
{도면의 주요 부분의 부호에 대한 설명}
1 : 엑스선 방출부 2 : 엑스선 검출부
3 : 슬릿 4 : 에너지 디텍터 조정 컴퓨터
5 : 에너지 디텍터 전력공급기 6 : 박막
7 : 기판 8 : 입사각
9 : 반사각
본 발명은 방사광가속기에서 발생하는 강한 백색 엑스선, 즉 연속적인 파장을 갖는 엑스선을 사용하고, 실리콘 PIN 다이오드를 이용한 에너지분해 X-선 디텍터를 사용한 백색 X-선 반사율 기법을 사용하여 나노스케일 박막의 두께를 고속으로 측정하는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 입사각과 반사각의 변화 없이 일정하게 유지된 입사각과 반사각에서 연속적인 파장을 갖는 백색 엑스선의 입사만으로 박막의 두께를 측정할 수 있게 된다.
기존의 박막의 두께를 측정하는 방법은 점 검출기와 단일 파장의 엑스선을 사용하는 것으로 다음과 같다. 단일 파장을 갖는 엑스선을 박막에 입사시키고 이때 박막으로부터 입사되는 각과 동일한 각으로 엑스선이 반사된다. 박막의 두께를 측정하기 위해서는 역격자 공간상의 길이 배열(Q)이 필요하고 이를 위해서는 입사각과 반사각을 동일하게 증가시켜야한다. 입사각과 반사각을 동일하게 키워나가면 박막의 두께에 의해서 엑스선이 상쇄간섭과 보강간섭을 일으키게 되고 이런 간섭의 주기성으로부터 박막의 두께를 알 수 있다. 이 경우는 입사각과 반사각을 동일하게 변화시켜주어야 하고 정확한 관찰을 위해서는 입사각과 반사각을 미세하게 변화시켜주어야 한다.
따라서 박막의 두께를 측정하는데 일정 시간이 소요될 수밖에 없다. 이 소요되는 시간은 박막을 성장시키면서 분석을 수행하는 실시간 실험과 같이 두께가 빠 르게 변화하는 상황에서는 측정되는 두께에 오차를 가져오게 된다. 박막의 두께를 측정하는 동안에도 박막의 두께가 변화하고 있기 때문에 매 순간순간 박막의 정확한 두께를 측정할 수 없다.
본 발명과 관련된 선행기술은 켈러만(B. K. Kellerman, et. al, suface science, vol.375, p331-339, 1997)등은 rotating anode 엑스선을 이용하여 CVD방법으로 성장되는 박막에 관련된 실험을 수행하였다. 이는 백색 엑스선을 이용하여 반사율을 측정하는 면에서 본 발명과 유사하지만 사용된 백색 엑스선의 광원 및 에너지 분해 디텍터에서 차이가 있다. 또한, 본 발명은 나노스케일 박막의 두께를 정량적으로 고속 측정할 수 있는 기술임에 반해 선행기술은 박막의 두께 측정과는 관련이 적은 기술이다. Rotating anode 엑스선 장비는 주목적이 타겟 물질에 의해서 결정되는 특정 파장을 갖는 엑스선을 만드는 장비로 백색 엑스선의 강도는 매우 약하다. 그러므로 짧은 시간에 넓은 역격자 공간크기를 측정할 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로써, 그 목적은 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 사용하여 박막 두께의 분석 시간을 단축시킴으로써 박막 두께가 빠르게 변화하는 상황에서 측정에 의한 오류를 최소화하여 실제 박막의 두께를 정확히 관찰하는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속 측정방법은 연속적인 파장을 갖는 엑스선을 박막의 표면에 입사시키는 단계; 및 상기 입사되어 반사되는 엑스선을 검출하여 주기적인 진동간격을 검출하고 이로부터 박막의 두께를 결정하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 상기 엑스선은 백색 엑스선이고, 상기 백색 엑스선은 방사선 가속기에서 얻어지는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 엑스선의 입사각과 반사각은 고정되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 반사되는 엑스선을 검출하는 방법은 실리콘 PIN 다이오드 에너지 디텍터를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 박막은 스퍼터링 방법으로 성장되고, 상기 스퍼터링 방법은 라디오 주파수 마그네트론(radio frequency magnetron) 스퍼터링 방법인 것이 바람직하다.
본 발명의 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속 측정장치는 연속적인 파장을 가지는 엑스선 방출부; 상기 방출되는 엑스선이 입사되도록 박막을 위치시키는 박막위치부; 및 상기 박막에서 반사되는 엑스선을 검출하여 상기 박막의 두께를 결정하는 엑스선 검출부를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께 고속 측정장치의 구성도이다.
상기 실시예에서, 박막 두께 고속 측정장치는 엑스선 방출부(1), 슬릿(3), 박막위치부(도면부호 미표시) 및 엑스선 검출부(2)를 포함한다.
상기 실시예는, 연속파장을 가지는 백색 엑스선을 이용하여 박막(6)의 두께를 측정하는 장치를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명은 백색 엑스선, 즉 연속적인 파장을 갖는 엑스선을 사용함으로써 입사각(8)과 반사각(9)을 변화시켜야 하는 조건을 대체하였다. 박막(6)의 두께는 Q의 함수로 나타낼 수 있고, Q는 파장과 입사각(8)의 함수이다.(박막의 두께=
Figure 112005063377117-pat00001
,
Figure 112005063377117-pat00002
λ=파장)
기존의 방법은 파장을 일정하게 하고 입사각(8)을 변화시킴으로써 Q의 배열을 얻을 수 있었지만 본 발명은 입사각(8)은 일정하게 유지하고 백색 엑스선에 포함된 연속적인 파장을 이용해서 Q의 배열을 얻는 방법이다. 일정한 하나의 입사각(8)에서 모든 정보를 얻을 수 있기 때문에 측정에 소요되는 시간을 수십 배 단축할 수 있다. 이때 반사된 엑스선에는 여러 파장에 의한 정보가 담겨 있기 때문에 엑스 선 검출부(2)에 점 디텍터 대신 이를 분별할 수 있는 에너지 디텍터를 사용해야 한다.
원하는 수준의 정보를 더욱 빠르게 얻기 위해서는 강한 휘도를 갖는 백색 엑스선이 필수적으로 필요하다. 본 발명은 강한 휘도를 갖는 백색 엑스선을 얻을 수 있는 방사광 엑스선을 기초로 개발되었고 이 발명을 통해서 기존의 측정보다 측정시간을 수십 배 단축시킴으로써 측정에 의해 발생하는 두께 측정의 오차를 없애고 정확한 두께 분석을 할 수 있게 되었다.
본 발명에서 사용된 백색 X-선 반사율 기법에서는
Figure 112005063377117-pat00003
(c:빛의속도, h:플랑크상수)의 공식에서 X-선의 에너지 E를 변화시켜 Q의 변화를 구현한다.
본 발명에서 시편은 고정되어 있는 상태에서 백색 X-선을 입사하고 반사되는 백색 X-선의 에너지의 분포를 실리콘 PIN 다이오드에서 다중채널에너지 분해 방식으로 동시에 측정하므로, 반사율 측정 속도가 매우 빠르다. 특히 강력한 방사광 X-선을 사용하여 측정시간을 1초 정도로 줄일 수 있고, 두께 측정의 오차를 없애고 정확한 두께 분석을 할 수 있게 되었다.
본 발명에서는 방사광 가속기에서 얻을 수 있는 매우 강한 백색 엑스선을 사용하여 광대역 에너지 영역에서 균일한 X-선을 입사시킬 수 있었고, 상온에서 이용 가능한 실리콘PIN 다이오드 디텍터를 사용하여 손쉬운 두께 측정기술을 구현하였다. 박막의 성장 속도가 더 빠른 스퍼터 성장의 경우에 넓은 역격자 공간에서의 반 사율을 고속으로 측정한 결과는 본 발명의 중요성을 보여준다.
백색 엑스선을 두 개의 슬릿(3)을 이용해서 원하는 크기와 방향을 갖도록 만들고 이렇게 만들어진 엑스선을 박막(6)의 분석에 사용한다. 백색 엑스선은 특정 파장만을 갖는 단색광과는 달리 연속적인 파장을 가지고 있다. 이런 연속적인 파장들에 의해서 박막(6)의 두께를 측정하기 위해 입사각과 반사각을 변화시켜야하는 효과와 동일한 효과를 일정한 각도에서 얻을 수 있다. 사용된 박막(6)은 스퍼터링 방법으로 성장된 질화알루미늄 박막이다. 엑스선의 입사각(8)과 반사각(9)은 자유로이 조절할 수 있고 다양한 입사각(8)과 반사각(9)에서 실험을 수행함으로써 입사(8), 반사각(9)에 따른 영향도 관찰할 수 있다. 반사된 엑스선은 박막의 두께에 의한 정보를 함축적으로 가지고 있고 이를 분석하기 위해서는 에너지 분해능을 가지고 있는 디텍터를 사용해야 한다. 이를 위해서 149eV 정도의 에너지 분해능을 가지고 있는 실리콘 PIN다이오드 디텍터를 사용한다. 엑스선의 입사각(8)과 반사각(9) 그리고 디텍터의 게인 정도를 적당히 조절함으로써 점 디텍터를 이용해서 얻은 결과와 동일한 결과를 단시간에 얻을 수 있다.
본 발명의 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께의 고속측정방법은 방사광 가속기를 이용한 백색 엑스선과 에너지 디텍터와 박막시편은 질화알루미늄 박막을 사용하였다. 박막(6) 두께의 측정 시간을 단축시키기 위해서는 가능한 엑스선의 휘도가 커야하기 때문에 백색 엑스선이면서 큰 휘도를 얻을 수 있는 방사광 가속기를 이용하였다.
질화알루미늄 박막과 에너지 디텍터는 엑스선에 대해 각도를 조절할 수 있는 회절기위에 설치되고 이들로부터 다양한 입사각(8)과 반사각(9)에서 실험을 수행하였다.
에너지 디텍터에는 검출된 엑스선의 크기를 조절할 수 있는 게인이 존재하고 게인을 조절함으로써 가장 민감한 입사각과 반사각 그리고 게인의 관계를 얻을 수 있다.
백색 엑스선은 슬릿(3)에 의해 원하는 크기와 방향을 가지고 박막에 입사되고 입사된 엑스선은 두께에 의한 정보를 가지고 박막으로부터 반사된다. 이 반사된 빔으로부터 에너지 분해능을 갖는 검출기를 통해 박막의 두께를 짧은 시간 내에 알아낼 수 있다.
도 2는 본 발명의 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께의 고속측정 방법에 의해 얻어진 실험 결과이다. 상기 도면은 반사된 엑스선의 세기와 역격자 공간에서의 길이관계의 그래프로 주기적인 진동간의 간격(ΔQ)은 박막의 두께의 함수이다.(두께=2×π/ΔQ) 이로부터 박막의 두께를 쉽게 알 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 백색 엑스선과 에너지 디텍터를 이용한 박막 두께의 고속측정 방법으로 연속적인 파장을 갖는 백색 엑스선의 성격과 이를 분해할 수 있는 능력이 있는 에너지 디텍터를 이용하여 박막의 두께를 고속 측정함으로써 박막의 두께가 빠르게 변화하는 상황에서의 측정 시간에 따른 오차없이 매 순간순간 박막의 정확한 두께를 얻을 수 있다.
이런 두께 측정 방법은 기존의 실시간 연구들에 적용된다면 측정에 의한 오차없이 박막 성장의 극 초기 단계부터의 동역학 연구가 가능하게 될 것으로 기대된다.

Claims (12)

  1. 연속적인 파장을 갖는 엑스선을 박막의 표면에 입사시키는 단계; 및
    상기 입사되어 반사되는 엑스선을 실리콘 PIN 다이오드 에너지 디텍터로 검출하여 주기적인 진동간격을 검출하고 이로부터 박막의 두께를 결정하는 단계를 포함하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 엑스선은 백색 엑스선인 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 백색 엑스선은 방사선 가속기에서 얻어지는 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 엑스선의 입사각과 반사각은 고정되는 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서, 상기 박막은 스퍼터링 방법으로 성장되는 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 스퍼터링 방법은 라디오 주파수 마그네트론(radio frequency magnetron) 스퍼터링 방법인 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 박막의 두께는 다음식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정방법.
    Figure 112005063377117-pat00004
    단, 상기에서 △Q는 주기적인 진동간이 간격이다.
  9. 연속적인 파장을 가지는 엑스선을 방출하는 엑스선 방출부; 상기 엑스선 방출부에 의해 방출되는 엑스선이 입사되도록 박막을 위치시키는 박막위치부; 및 상기 박막에서 반사되는 엑스선을 실리콘 PIN 다이오드 에너지 디텍터로 검출하여 상기 박막의 두께를 결정하는 엑스선 검출부를 포함하는 박막 두께의 고속 측정장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 엑스선은 백색 엑스선인 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정장치.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 엑스선 방출부는 방사광 가속기를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 두께의 고속 측정장치.
  12. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100253316B1 (ko) 1997-09-04 2000-04-15 김영환 두께측정용 표준시료 및 그 제조방법
US6885727B2 (en) 2001-08-07 2005-04-26 Sii Nanotechnology Inc. Apparatus and method for measuring thickness and composition of multi-layered sample

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100253316B1 (ko) 1997-09-04 2000-04-15 김영환 두께측정용 표준시료 및 그 제조방법
US6885727B2 (en) 2001-08-07 2005-04-26 Sii Nanotechnology Inc. Apparatus and method for measuring thickness and composition of multi-layered sample

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