JP2002214800A - フォトレジスト用現像液及びフォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジスト用現像液及びフォトレジストの現像方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】脂環式化合物系レジストに対する濡れ性と溶解
選択性に優れ、更には現像液の溶解残さを発生せず、微
細なパターンを安定して形成することが可能な現像液、
及び現像方法を提供すること。 【解決手段】脂環式アミン化合物と非金属アルカリ化合
物を含有するフォトレジスト用現像液およびこれを用い
た現像方法。
選択性に優れ、更には現像液の溶解残さを発生せず、微
細なパターンを安定して形成することが可能な現像液、
及び現像方法を提供すること。 【解決手段】脂環式アミン化合物と非金属アルカリ化合
物を含有するフォトレジスト用現像液およびこれを用い
た現像方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト用現
像液に関する。
像液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩデバイスの製造におけるリソグラ
フィー技術では、回路の高密度化、超微細化が更に要求
され、露光光源は従来のｉ線（波長３６５ｎｍ）などの
水銀ランプから、より短波長であるＫｒＦエキシマレー
ザ（波長２４８ｎｍ）、更にはＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）に移行しつつある。
フィー技術では、回路の高密度化、超微細化が更に要求
され、露光光源は従来のｉ線（波長３６５ｎｍ）などの
水銀ランプから、より短波長であるＫｒＦエキシマレー
ザ（波長２４８ｎｍ）、更にはＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）に移行しつつある。
【０００３】この様な光源の移行に伴い、使用するフォ
トレジストも、従来のノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジド化合物を組み合わせた組成物から、ベース樹脂に
光酸発生剤を含有した化学増幅型レジスト組成物に移行
しつつあり、更には、ベース樹脂も従来のノボラック樹
脂のようなフェノール系樹脂からＡｒＦエキシマレーザ
光に透明性を有するテルペン、ボルネン、トリシクロデ
カン、アダマンタンなどの脂環式化合物に代わりつつあ
る。
トレジストも、従来のノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジド化合物を組み合わせた組成物から、ベース樹脂に
光酸発生剤を含有した化学増幅型レジスト組成物に移行
しつつあり、更には、ベース樹脂も従来のノボラック樹
脂のようなフェノール系樹脂からＡｒＦエキシマレーザ
光に透明性を有するテルペン、ボルネン、トリシクロデ
カン、アダマンタンなどの脂環式化合物に代わりつつあ
る。
【０００４】このようなレジスト用の現像液としては、
一般にはアルカリ性化合物の水溶液が使用されるが、Ｌ
ＳＩデバイス製造には、デバイス特性に悪影響を及ぼす
金属を含有しない非金属アルカリ化合物、例えば、テト
ラメチルアンモニウム水酸化物（以下、ＴＭＡＨと略称
する。）のような第四級アンモニウム水酸化物の水溶液
が使用される。
一般にはアルカリ性化合物の水溶液が使用されるが、Ｌ
ＳＩデバイス製造には、デバイス特性に悪影響を及ぼす
金属を含有しない非金属アルカリ化合物、例えば、テト
ラメチルアンモニウム水酸化物（以下、ＴＭＡＨと略称
する。）のような第四級アンモニウム水酸化物の水溶液
が使用される。
【０００５】このような現像液はレジスト表面に対して
の濡性が十分でなく、微細なレジストパターンに対する
浸透が不十分となる、または、基板の面内全体に均一に
作用しないなど現像不良の原因となる場合があった。そ
こで、上記の問題を解決するために、特公平６−３８１
５９号公報では有機塩基の水溶液に非イオン性界面活性
剤が添加された現像液などが提案されている。
の濡性が十分でなく、微細なレジストパターンに対する
浸透が不十分となる、または、基板の面内全体に均一に
作用しないなど現像不良の原因となる場合があった。そ
こで、上記の問題を解決するために、特公平６−３８１
５９号公報では有機塩基の水溶液に非イオン性界面活性
剤が添加された現像液などが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＡｒＦ
エキシマレーザー用の脂環式化合物系のレジストではレ
ジスト表面の疎水性が益々顕著となり、上記のような現
像液でも濡性は不十分であり、また、現像液に添加する
界面活性剤の種類によっては高露光部と低露光部の溶解
選択性が十分とれないという問題があった。更には、従
来のフェノール樹脂をベースとするレジストに使用して
きた現像液を、脂環式化合物系レジストに適用した場合
には、現像後に溶解部にレジストの溶け残りが発生する
問題もあった。このような問題により、微細なパターン
を安定して形成できる脂環式化合物系レジスト用の現像
液に対する需要が拡大していた。
エキシマレーザー用の脂環式化合物系のレジストではレ
ジスト表面の疎水性が益々顕著となり、上記のような現
像液でも濡性は不十分であり、また、現像液に添加する
界面活性剤の種類によっては高露光部と低露光部の溶解
選択性が十分とれないという問題があった。更には、従
来のフェノール樹脂をベースとするレジストに使用して
きた現像液を、脂環式化合物系レジストに適用した場合
には、現像後に溶解部にレジストの溶け残りが発生する
問題もあった。このような問題により、微細なパターン
を安定して形成できる脂環式化合物系レジスト用の現像
液に対する需要が拡大していた。
【０００７】そこで、本発明は、脂環式化合物系レジス
トに対する濡性と溶解選択性に優れ、更には現像後の溶
解残渣を発生せず、微細なパターンを安定して形成する
ことが可能な現像液、及び、現像方法を提供することを
目的とする。
トに対する濡性と溶解選択性に優れ、更には現像後の溶
解残渣を発生せず、微細なパターンを安定して形成する
ことが可能な現像液、及び、現像方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
ついて鋭意検討した結果、脂環式アミン化合物と非金属
アルカリ化合物を含有するフォトレジスト用現像液が、
脂環式化合物系レジストに対する濡性と溶解選択性に優
れ、更には現像後の溶解残渣を発生せず、微細なパター
ンを安定して形成することが可能であることを見いだ
し、本発明に至った。
ついて鋭意検討した結果、脂環式アミン化合物と非金属
アルカリ化合物を含有するフォトレジスト用現像液が、
脂環式化合物系レジストに対する濡性と溶解選択性に優
れ、更には現像後の溶解残渣を発生せず、微細なパター
ンを安定して形成することが可能であることを見いだ
し、本発明に至った。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
【００１０】本発明の現像液の原料には非金属アルカリ
化合物が使用される。この非金属アルカリ化合物として
は、従来からアルカリ可溶性レジストの現像液として使
用されるものをそのまま使用することができる。具体的
には、一級、二級、三級の脂肪族アミン類の水溶液、炭
素、窒素、酸素、硫黄原子の中から選ばれた少なくとも
１種を含む複素環式アミンの水溶液、又は第四級アンモ
ニウム水酸化物などである。これらの内、揮発性がなく
ハンドリングが容易である、現像特性が優れているなど
の理由で第四級アンモニウム水酸化物が特に好適であ
る。
化合物が使用される。この非金属アルカリ化合物として
は、従来からアルカリ可溶性レジストの現像液として使
用されるものをそのまま使用することができる。具体的
には、一級、二級、三級の脂肪族アミン類の水溶液、炭
素、窒素、酸素、硫黄原子の中から選ばれた少なくとも
１種を含む複素環式アミンの水溶液、又は第四級アンモ
ニウム水酸化物などである。これらの内、揮発性がなく
ハンドリングが容易である、現像特性が優れているなど
の理由で第四級アンモニウム水酸化物が特に好適であ
る。
【００１１】一級、二級、三級の脂肪族アミン類として
はプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、ト
リエチルアミン等が挙げられる。
はプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、ト
リエチルアミン等が挙げられる。
【００１２】複素環式アミン類としては、ピロール、ピ
ロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジ
ン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾール等が挙げら
れる。
ロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジ
ン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾール等が挙げら
れる。
【００１３】第四級アンモニウム水酸化物の例としては
テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）、トリ
メチルエチルアンモニウム水酸化物、トリエチルメチル
アンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸
化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチ
ル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、ト
リエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化
物、トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物）などが挙げられ、これらの中ではＴＭＡ
Ｈ、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
水酸化物が特に好適である。これら第四級アンモニウム
水酸化物は単独でも、２種以上を組み合わせて使用して
もかまわない。
テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）、トリ
メチルエチルアンモニウム水酸化物、トリエチルメチル
アンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸
化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチ
ル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、ト
リエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化
物、トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ム水酸化物）などが挙げられ、これらの中ではＴＭＡ
Ｈ、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
水酸化物が特に好適である。これら第四級アンモニウム
水酸化物は単独でも、２種以上を組み合わせて使用して
もかまわない。
【００１４】現像液中の非金属アルカリ化合物の濃度と
しては、使用されるアルカリによって、ｐＨが１３〜１
４となるように適切な濃度が選ばれるが、一般的に０．
１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％である。濃度
がこの範囲より低いと溶解に時間を要し現像時間が長く
なり、またこの範囲より高いと溶解選択性を損なう点で
好ましくない。
しては、使用されるアルカリによって、ｐＨが１３〜１
４となるように適切な濃度が選ばれるが、一般的に０．
１〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％である。濃度
がこの範囲より低いと溶解に時間を要し現像時間が長く
なり、またこの範囲より高いと溶解選択性を損なう点で
好ましくない。
【００１５】本発明の現像液の原料として前記アルカリ
化合物とともに、脂環式アミン化合物が使用される。脂
環式アミン化合物は現像液に含まれることでその表面張
力を下げるとともに、レジストの脂環骨格との親和性を
高めることでレジストに対する濡性を向上させ、更に現
像溶解部に溶解残渣を残さない働きを示すものである。
化合物とともに、脂環式アミン化合物が使用される。脂
環式アミン化合物は現像液に含まれることでその表面張
力を下げるとともに、レジストの脂環骨格との親和性を
高めることでレジストに対する濡性を向上させ、更に現
像溶解部に溶解残渣を残さない働きを示すものである。
【００１６】本発明に使用される脂環式アミン化合物の
脂環骨格としては、一般式ＣnＨ2n（ｎ＝３以上）で表
される環状シクロ化合物や環状ビシクロ化合物、及びそ
れらの縮合環などが挙げられ、具体的には例えば、シク
ロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シ
クロヘプタン環、シクロヘプタン環、及びシクロオクタ
ン環などが挙げられる。またこれらの脂環化合物に橋か
け炭化水素が導入された化合物も用いることができ、具
体的には、スピロヘプタン、スピロオクタンなどのスピ
ロ環、ノルボニル環、アダマンチル環、ボルネン環、メ
ンチル環、メンタン環などのテルペン環、ツジャン、サ
ビネン、ツジョン、コレステリック環などのステロイド
骨格、ショウノウ環、イソショウノウ環、セスキテルペ
ン環、サントン環、ジテルペン環、トリテルペン環など
が挙げられる。
脂環骨格としては、一般式ＣnＨ2n（ｎ＝３以上）で表
される環状シクロ化合物や環状ビシクロ化合物、及びそ
れらの縮合環などが挙げられ、具体的には例えば、シク
ロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シ
クロヘプタン環、シクロヘプタン環、及びシクロオクタ
ン環などが挙げられる。またこれらの脂環化合物に橋か
け炭化水素が導入された化合物も用いることができ、具
体的には、スピロヘプタン、スピロオクタンなどのスピ
ロ環、ノルボニル環、アダマンチル環、ボルネン環、メ
ンチル環、メンタン環などのテルペン環、ツジャン、サ
ビネン、ツジョン、コレステリック環などのステロイド
骨格、ショウノウ環、イソショウノウ環、セスキテルペ
ン環、サントン環、ジテルペン環、トリテルペン環など
が挙げられる。
【００１７】脂環式アミン化合物は分子中にアミノ基を
１以上有しているものであり、そのアミノ基としては、
一般式−Ｎ・Ｒ1Ｒ2 (Ｒ1とＲ2は水素又は炭素数1〜4の
炭化水素)で表されるアミノ基、又は−（ＣＨ2）n−Ｎ
・Ｒ3Ｒ4（ｎ＝１〜６、Ｒ3とＲ4は水素又は炭素数１〜
４の炭化水素）で表されるアミノアルキル基が挙げられ
る。
１以上有しているものであり、そのアミノ基としては、
一般式−Ｎ・Ｒ1Ｒ2 (Ｒ1とＲ2は水素又は炭素数1〜4の
炭化水素)で表されるアミノ基、又は−（ＣＨ2）n−Ｎ
・Ｒ3Ｒ4（ｎ＝１〜６、Ｒ3とＲ4は水素又は炭素数１〜
４の炭化水素）で表されるアミノアルキル基が挙げられ
る。
【００１８】前記の脂環式アミン化合物は、分子中にア
ミノ基の他にアルキル基、ヒドロキシル基、ヒドロキシ
アルキル基、又はニトロ基などから選ばれる１種または
それ以上が脂環骨格に直接結合している化合物でもよ
い。
ミノ基の他にアルキル基、ヒドロキシル基、ヒドロキシ
アルキル基、又はニトロ基などから選ばれる１種または
それ以上が脂環骨格に直接結合している化合物でもよ
い。
【００１９】アミノ基を分子構造に含む脂環式化合物と
しては、アミノシクロブタン、アミノシクロペンタン、
アミノシクロヘキサン、アミノシクロヘプタン、１，２
―ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘ
キサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、アミノメチ
ルシクロブタン、アミノメチルシクロペンタン、アミノ
メチルシクロヘキサン、１，２−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１，３−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１，４−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロペンタン、１，４−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１−メチル−２，４−ジアミノ
シクロヘキサン、１−メチル−２，６−ジアミノシクロ
ヘキサン、メチレン−ビス−４，４’−アミノシクロヘ
キサン、メチレン−ビス−２，４’−アミノシクロヘキ
サン、及び、ビス−（アミノメチル）−トリシクロデカ
ン類、アミノメチルノルボルネン類、ビス−（アミノメ
チル）−ノルボルネン類、イソホロンジアミン類などが
好ましい。これらの内、生分解性に優れ、生体毒性の少
ない１，３−ビス−（アミノメチル）−シクロヘキサ
ン、１，４−ビス−（アミノメチル）−シクロヘキサン
等のシクロヘキサン環を有する脂環式化合物が特に好適
である。
しては、アミノシクロブタン、アミノシクロペンタン、
アミノシクロヘキサン、アミノシクロヘプタン、１，２
―ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘ
キサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、アミノメチ
ルシクロブタン、アミノメチルシクロペンタン、アミノ
メチルシクロヘキサン、１，２−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１，３−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１，４−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロペンタン、１，４−ビス−（アミノメチ
ル）−シクロヘキサン、１−メチル−２，４−ジアミノ
シクロヘキサン、１−メチル−２，６−ジアミノシクロ
ヘキサン、メチレン−ビス−４，４’−アミノシクロヘ
キサン、メチレン−ビス−２，４’−アミノシクロヘキ
サン、及び、ビス−（アミノメチル）−トリシクロデカ
ン類、アミノメチルノルボルネン類、ビス−（アミノメ
チル）−ノルボルネン類、イソホロンジアミン類などが
好ましい。これらの内、生分解性に優れ、生体毒性の少
ない１，３−ビス−（アミノメチル）−シクロヘキサ
ン、１，４−ビス−（アミノメチル）−シクロヘキサン
等のシクロヘキサン環を有する脂環式化合物が特に好適
である。
【００２０】現像液中の脂環式アミン化合物含有量とし
ては、０．００１〜５重量％、好ましくは０．０１〜２
重量％、さらに好ましくは０．０２〜１重量％である。
この範囲より少ないと、表面張力が低下しないなどレジ
スト親和性が低下する。この範囲より多いと、溶解選択
性が十分でなくなる。尚、脂環式アミン化合物は、必要
に応じて、２種以上を混合して使用しても良い。
ては、０．００１〜５重量％、好ましくは０．０１〜２
重量％、さらに好ましくは０．０２〜１重量％である。
この範囲より少ないと、表面張力が低下しないなどレジ
スト親和性が低下する。この範囲より多いと、溶解選択
性が十分でなくなる。尚、脂環式アミン化合物は、必要
に応じて、２種以上を混合して使用しても良い。
【００２１】本発明の現像液には、脂環式アミン化合物
及び非金属アルカリ化合物の他に、従来の現像液で添加
されていた公知の添加成分、例えば、界面活性剤、有機
溶剤、防食剤等を合わせて使用しても良い。
及び非金属アルカリ化合物の他に、従来の現像液で添加
されていた公知の添加成分、例えば、界面活性剤、有機
溶剤、防食剤等を合わせて使用しても良い。
【００２２】本発明の現像液はＡｒＦエキシマレーザー
用化学増幅型レジストに特に好適である。このレジスト
は脂環式化合物を含むアルカリ可溶性樹脂に保護基を導
入した樹脂と光酸発生剤を組み合わせた脂環式レジスト
である。このようなレジストの例としては、脂環式化合
物としては、アダマンチル（メタクリレート）系やイソ
ボニルメタクリレート系重合体、または、その誘導体等
が挙げられる。また、保護基としては、ｔ−ブチルオキ
シカルボニル基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。
用化学増幅型レジストに特に好適である。このレジスト
は脂環式化合物を含むアルカリ可溶性樹脂に保護基を導
入した樹脂と光酸発生剤を組み合わせた脂環式レジスト
である。このようなレジストの例としては、脂環式化合
物としては、アダマンチル（メタクリレート）系やイソ
ボニルメタクリレート系重合体、または、その誘導体等
が挙げられる。また、保護基としては、ｔ−ブチルオキ
シカルボニル基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。
【００２３】光酸発生剤としては、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、ハロゲン化イソ
シアヌレート、ハロゲン化トリアジン、ニトロベンジル
スルフォン酸エステル、ジアゾナフトキノン−４−スル
フォン酸エステル、アルキルスルフォン酸エステル等が
挙げられる。
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、ハロゲン化イソ
シアヌレート、ハロゲン化トリアジン、ニトロベンジル
スルフォン酸エステル、ジアゾナフトキノン−４−スル
フォン酸エステル、アルキルスルフォン酸エステル等が
挙げられる。
【００２４】本発明の現像液は従来の芳香族系のアルカ
リ可溶性樹脂と光酸発生剤を組み合わせたレジスト、及
びアルカリ可溶性のノボラック樹脂とアジド化合物系感
光剤を組み合わせたレジストなどアルカリ現像型のポ
ジ、及び、ネガ型レジストにも使用することができる。
リ可溶性樹脂と光酸発生剤を組み合わせたレジスト、及
びアルカリ可溶性のノボラック樹脂とアジド化合物系感
光剤を組み合わせたレジストなどアルカリ現像型のポ
ジ、及び、ネガ型レジストにも使用することができる。
【００２５】現像方法は、一般的には、基板表面上に現
像液を滴下するパドル法、現像液槽に基板を浸漬するデ
ィップ法、基板にスプレーするスプレー法などの方法に
より、露光されたフォトレジストを現像する。本発明の
現像液はいずれの方法にも適用できる。現像時の温度は
１０〜６０℃、好ましくは１５〜３０℃である。
像液を滴下するパドル法、現像液槽に基板を浸漬するデ
ィップ法、基板にスプレーするスプレー法などの方法に
より、露光されたフォトレジストを現像する。本発明の
現像液はいずれの方法にも適用できる。現像時の温度は
１０〜６０℃、好ましくは１５〜３０℃である。
【００２６】本発明の現像液、及び現像方法によれば、
ＡｒＦエキシマレーザーを用いた脂環式レジストの現像
において基板面内均一性、及び、溶解選択性に優れた現
像を行うことが可能となり基板上に微細なデバイス構造
を形成することができる。
ＡｒＦエキシマレーザーを用いた脂環式レジストの現像
において基板面内均一性、及び、溶解選択性に優れた現
像を行うことが可能となり基板上に微細なデバイス構造
を形成することができる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を具体的に説明するために、実
施例及び比較例を挙げて説明する。なお、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
施例及び比較例を挙げて説明する。なお、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
【００２８】実施例１〜１０ 非金属アルカリ化合物としてＴＭＡＨを２．３８重量
％、及び、表１に示す種々の脂環式アミン化合物を０．
２重量％含有する水溶液を調整し現像液とした。調製し
た現像液の表面張力を表１に示す。
％、及び、表１に示す種々の脂環式アミン化合物を０．
２重量％含有する水溶液を調整し現像液とした。調製し
た現像液の表面張力を表１に示す。
【００２９】最初に、ＡｒＦエキシマレーザー用ポジ型
フォトレジストをスピナーにより６インチシリコンウェ
ハー上に０．５マイクロメーターの膜厚で塗布した。次
いで、ホットプレート上で１００℃で２分間のプリベー
クを行った。その後、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ
レーザー光を光源とした露光装置を用いてパターン露光
を行い、露光後速やかにホットプレート上で１１０℃で
２分間のベークを行った。
フォトレジストをスピナーにより６インチシリコンウェ
ハー上に０．５マイクロメーターの膜厚で塗布した。次
いで、ホットプレート上で１００℃で２分間のプリベー
クを行った。その後、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ
レーザー光を光源とした露光装置を用いてパターン露光
を行い、露光後速やかにホットプレート上で１１０℃で
２分間のベークを行った。
【００３０】表１記載の組成の現像液を用いて、２分間
現像してレジストパターンを形成した。現像後のシリコ
ンウェハー上の未露光部のレジスト膜厚を膜厚計を用い
て測定し残膜量を求めた。また、ＳＥＭ観察により露光
部のレジスト溶解残渣の有無を確認した。これらの結果
を表１に示す。表中、○は残渣が観察されなかった、△
は残渣が多少観察された、×は残渣が顕著に観察された
ことを表す。
現像してレジストパターンを形成した。現像後のシリコ
ンウェハー上の未露光部のレジスト膜厚を膜厚計を用い
て測定し残膜量を求めた。また、ＳＥＭ観察により露光
部のレジスト溶解残渣の有無を確認した。これらの結果
を表１に示す。表中、○は残渣が観察されなかった、△
は残渣が多少観察された、×は残渣が顕著に観察された
ことを表す。
【００３１】表１に示した様に実施例の現像液で現像を
行った場合、未露光部の膜減りは抑制され、また露光部
の溶解残渣も認められず、良好な結果であった。
行った場合、未露光部の膜減りは抑制され、また露光部
の溶解残渣も認められず、良好な結果であった。
【００３２】比較例１〜３ ＴＭＡＨ２．３８重量％水溶液、及び添加剤としてトリ
ブチルアミン、ヘキサメチレンジアミンを加えた現像液
を調製した。実施例と同様に現像を行い評価した。その
結果を表１に示す。表中の記号は実施例と同様である。
未露光部の残膜量は実施例の現像液と同様であったが、
露光部にはレジストの溶解残渣が認められた。
ブチルアミン、ヘキサメチレンジアミンを加えた現像液
を調製した。実施例と同様に現像を行い評価した。その
結果を表１に示す。表中の記号は実施例と同様である。
未露光部の残膜量は実施例の現像液と同様であったが、
露光部にはレジストの溶解残渣が認められた。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明のレジスト現像液は脂環式化合物
系レジストに対する濡性に優れ、現像の均一性を高める
ことができる。更には溶解選択性、及び現像後の溶解残
渣が発生しないため、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた
超微細構造のパターンを精度良く安定して形成すること
が可能となる。
系レジストに対する濡性に優れ、現像の均一性を高める
ことができる。更には溶解選択性、及び現像後の溶解残
渣が発生しないため、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた
超微細構造のパターンを精度良く安定して形成すること
が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB41 FA16 2H096 AA25 BA11 EA05 EA23 GA09 5F046 CA04 LA12
Claims (6)
- 【請求項１】 脂環式アミン化合物と非金属アルカリ化
合物を含有するフォトレジスト用現像液。 - 【請求項２】 非金属アルカリ化合物が、脂肪族アミン
化合物、複素環式アミン化合物又は第４級アンモニウム
水酸化物である請求項１記載のフォトレジスト用現像
液。 - 【請求項３】 脂環式アミン化合物が、分子内の脂環構
造として一般式ＣnＨ2n（n＝３以上）で表される環状シ
クロ化合物、環状ビシクロ化合物、これらの縮合環を有
する化合物またはこれらの化合物に橋かけ炭化水素が導
入された構造を有する化合物である請求項１記載のフォ
トレジスト用現像液。 - 【請求項４】 脂環式アミン化合物が、シクロヘキサン
環を有する化合物である請求項１記載のフォトレジスト
用現像液。 - 【請求項５】 フォトレジストが、脂環式化合物から成
るＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅型レジストである
請求項１記載のフォトレジスト用現像液。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか記載のフォトレ
ジスト用現像液を用いて、露光されたフォトレジストを
現像することを特徴とするフォトレジストの現像方法。
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- 2002-01-03 US US10/033,922 patent/US6602654B2/en not_active Expired - Lifetime
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