JP2002214593A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2002214593A
JP2002214593A JP2001009233A JP2001009233A JP2002214593A JP 2002214593 A JP2002214593 A JP 2002214593A JP 2001009233 A JP2001009233 A JP 2001009233A JP 2001009233 A JP2001009233 A JP 2001009233A JP 2002214593 A JP2002214593 A JP 2002214593A
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JP
Japan
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liquid crystal
light
crystal display
display panel
shielding layer
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Application number
JP2001009233A
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English (en)
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Kiyoshi Shobara
潔 庄原
Takeshi Yamamoto
武志 山本
Natsuko Maya
奈津子 磨矢
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】表示領域の周辺を確実に遮光するとともに、黒
色樹脂材料に起因する表示ムラの発生を防止することが
可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】この液晶表示装置は、一対の基板100及
び200間に液晶組成物300を挟持した液晶表示パネ
ル10と、バックライトユニット400とを備えてい
る。アレイ基板100は、画像を表示する表示領域10
2の外周に沿って配置された遮光領域41に額縁状に形
成された遮光層SPを備えている。この遮光層SPは、
光硬化性透明樹脂に顔料を分散することによって形成さ
れ、さらに、光吸収波長が400nm以下の光重合開始
材及び顔料分散材を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
係り、特に、基板周辺の遮光領域の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、複数の画素電極がマト
リクス状に配置されたアレイ基板と、このアレイ基板に
対向配置された対向基板と、アレイ基板と対向基板との
間に挟持された液晶組成物とを有する液晶表示パネルを
備えている。透過型の液晶表示パネルを備えた液晶表示
装置は、液晶表示パネルを背面から照明するバックライ
トユニットを備えている。
【0003】カラー液晶表示装置は、さらに、画像を表
示する表示領域において、アレイ基板上に、基板面を全
体的に覆い各画素電極にそれぞれ割当てられた色成分の
光を透過させるカラーフィルタや、アレイ基板と対向基
板間との間に所定のギャップを形成するための複数のス
ペーサを備え、また、表示領域の外周に沿って配置され
た遮光領域に額縁状に形成された遮光層を備えている。
このように、アレイ基板にカラーフィルタや遮光層を設
けることにより、両基板を貼り合わせる際のマージンが
拡大し、画素領域における各画素部の開口率を向上する
ことが可能となる。
【0004】ところで、遮光領域に配置された遮光層
は、表示領域周辺部の遮光性を向上するために、黒色に
着色した樹脂によって形成される。このような遮光層
は、光硬化性透明樹脂に顔料を分散し光重合開始材や顔
料分散材などを混合した黒色樹脂材料を、フォトリソグ
ラフィ工程によってパターニングすることによって形成
される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな黒色樹脂をフォトリソグラフィ工程でパターニング
しようとした場合、黒色樹脂材料を硬化させるための露
光工程において、黒色樹脂材料の深部まで光が届かず、
光重合反応が不十分となるおそれがある。このため、露
光されて硬化した表面近傍以外の黒色樹脂材料内部に
は、未反応物質が散在している場合がある。
【0006】このような状態の遮光層を有する液晶表示
パネルをモジュール化し、耐久性試験などの工程におい
て、背面からバックライト光で長時間照明した場合、バ
ックライト光の発光波長を光吸収波長とする遮光層内部
の未反応物質は、光分解し、液晶組成物中に溶け出す。
このような光分解物質は、液晶組成物中において、焼き
付きなどの表示ムラを誘発する原因となる。
【0007】また、アレイ基板と対向基板との間に所定
のギャップを形成するためのスペーサを遮光層と同一の
黒色樹脂材料で形成した場合、同様に、内部に未反応物
質が散在するおそれがあり、バックライト光の発光波長
を光吸収波長とする未反応物質は、液晶組成物中に溶け
出し、表示ムラを誘発する。
【0008】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、表示領域の周辺を確実に
遮光するとともに、黒色樹脂材料に起因する表示ムラの
発生を防止することが可能な液晶表示装置を提供するこ
とにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1に記載の液晶表示装置は、一
対の基板間に液晶組成物を挟持した液晶表示パネルを備
えた液晶表示装置において、前記少なくとも一方の基板
は、画像を表示する表示領域の外周に沿って配置された
遮光領域に額縁状に形成された遮光層を備え、前記遮光
層は、光硬化性樹脂に顔料を分散することによって形成
され、さらに、光吸収波長が400nm以下の光重合開
始材及び顔料分散材を含むことを特徴とする。
【0010】請求項7に記載の液晶表示装置は、一対の
基板間に液晶組成物を挟持した液晶表示パネルを備えた
液晶表示装置において、前記少なくとも一方の基板は、
画像を表示する表示領域の外周に沿って配置された遮光
領域に額縁状に形成された遮光層を備え、前記遮光層
は、前記一対の基板間を通過する光の波長から外れた光
吸収波長を有する光重合開始材及び顔料分散材を含むこ
とを特徴とする。
【0011】請求項8に記載の液晶表示装置は、一対の
基板間に液晶組成物を挟持した液晶表示パネルと、前記
液晶表示パネルを照明する照明手段と、を備えた液晶表
示装置において、前記少なくとも一方の基板は、画像を
表示する表示領域の外周に沿って配置された遮光領域に
額縁状に形成された遮光層を備え、前記遮光層は、前記
照明手段の発光波長から外れた波長を光吸収波長とする
光重合開始材及び顔料分散材を含むことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の液晶表示装置の
一実施の形態について図面を参照して説明する。
【0013】この発明の液晶表示装置、例えばアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の画像を表示する表示領域
に備えられたスイッチング素子や、表示領域周辺の周辺
領域に備えられた駆動回路素子は、主に、nチャネル型
薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタに
よって構成されている。これらの薄膜トランジスタは、
ポリシリコン薄膜によって形成された半導体層を備えて
いる。
【0014】図1は、この発明の液晶表示装置に適用さ
れる液晶表示パネルの一例を概略的に示す図である。
【0015】図2は、図1に示した液晶表示パネルの回
路構成を概略的に示す図である。
【0016】液晶表示パネル10は、図1及び図2に示
すように、アレイ基板100と、このアレイ基板100
に対向配置された対向基板200と、アレイ基板100
と対向基板200との間に配置された液晶組成物300
とを備えている。このような液晶表示パネル10におい
て、画像を表示する表示領域102は、アレイ基板10
0と対向基板200とを貼り合わせる外縁シール部材1
06によって囲まれた領域内に形成されている。表示領
域102内から引出された配線や駆動回路、電源供給配
線などを有する周辺領域104は、外縁シール部材10
6の外側の領域に形成されている。
【0017】表示領域102において、アレイ基板10
0は、図2に示すように、マトリクス状に配置されたm
xn個の画素電極151、これら画素電極151の行方
向に沿って形成されたm本の走査線Y1〜Ym、これら
画素電極151の列方向に沿って形成されたn本の信号
線X1〜Xn、mxn個の画素電極151に対応して走
査線Y1〜Ymおよび信号線X1〜Xnの交差位置近傍
にスイッチング素子として配置されたmxn個の薄膜ト
ランジスタすなわち画素TFT121を有している。
【0018】また、周辺領域104において、アレイ基
板100は、走査線Y1〜Ymを駆動する走査線駆動回
路18、信号線X1〜Xnを駆動する信号線駆動回路1
9などを有している。これら走査線駆動回路18や信号
線駆動回路19は、nチャネル型薄膜トランジスタ及び
Pチャネル型薄膜トランジスタからなる相補型の回路に
よって構成されている。これらの薄膜トランジスタは、
ポリシリコン薄膜を活性層とする例えばトップゲート型
薄膜トランジスタである。
【0019】図2に示すように、液晶容量CLは、画素
電極151、対向電極204、及びこれらの電極間に挟
持された液晶層300によって形成される。また、補助
容量Csは、液晶容量CLと電気的に並列に形成され
る。この補助容量Csは、一対の電極、すなわち、画素
電極151と同電位の補助容量電極61と、所定の電位
に設定された補助容量線52との間に形成される電位差
によって形成される。補助容量電極61は、ポリシリコ
ン薄膜によって形成され、画素電極151にコンタクト
している。また、補助容量線52は、ゲート電極114
と一体の走査線Yと同一材料によって形成されている。
【0020】図3に示すように、液晶表示装置は、アレ
イ基板100と対向基板200との間に液晶組成物30
0を挟持した透過型の液晶表示パネル10と、この液晶
表示パネル10を背面から照明する照明手段として機能
するバックライトユニット400と、を備えている。
【0021】液晶表示パネル10のアレイ基板100
は、表示領域102において、ガラス基板などの透明な
絶縁性基板11上に、複数の画素電極151にそれぞれ
対応して形成されたスイッチング素子すなわち画素TF
T121、これら画素電極151および画素TFT12
1を含む表示領域102を覆って形成されるカラーフィ
ルタ層24(R、G、B)、カラーフィルタ層24上に
形成された複数の柱状スペーサ31、および複数の画素
電極151全体を覆うように形成された配向膜13Aを
備えている。また、アレイ基板100は、周辺領域10
4において、表示領域102の外周を取り囲み、透明基
板11の遮光領域41に配置された遮光層SPを備えて
いる。
【0022】カラーフィルタ層24は、例えば約3.0
μmの厚さを有し、緑色(G)、青色(B)、および赤
色(R)にそれぞれ着色され、画素電極30の列に対応
してストライプ状に並んで配置されている。これらカラ
ーフィルタ層24は、緑色、青色、および赤色の各色成
分の光をそれぞれ透過させる3色のカラーフィルタ層2
4G,24B,24Rで構成されている。
【0023】画素電極151は、これらに割当てられる
カラーフィルタ層24G,24B,24R上にそれぞれ
形成されるITO(インジウム・ティン・オキサイド)
等の透明電極であり、これらカラーフィルタ層24を貫
通するスルーホール26を介して画素TFT121にそ
れぞれ接続されている。
【0024】各画素TFT121は、画素電極151の
行に沿って形成される走査線および画素電極151の列
に沿って形成される信号線に接続され、走査線からの駆
動電圧により導通し、信号電圧を画素電極に印加する。
【0025】図4に、より詳細な構造を示すように、ア
レイ基板100は、画素電極151の行に沿って形成さ
れた走査線Y、画素電極151の列に沿って形成された
信号線X、画素電極151に対応して走査線Yおよび信
号線Xの交差位置近傍に配置された画素TFT121を
有している。
【0026】さらに、アレイ基板100は、液晶容量C
Lと電気的に並列な補助容量CSを形成するためにゲー
ト絶縁膜62を介して対向配置された画素電極151と
同電位の補助容量電極61と、所定の電位に設定された
補助容量線52とを備えている。
【0027】図4に示すように、信号線Xは、層間絶縁
膜76を介して、走査線Y及び補助容量線52に対して
直交するように配置されている。補助容量線52は、走
査線Yと同一の層に設けられているとともに、走査線Y
に対して平行に形成されている。補助容量線52の一部
は、ゲート絶縁膜62を介して補助容量電極61に対向
配置されている。この補助容量電極61は、不純物ドー
プされたポリシリコン膜によって形成されている。
【0028】これら信号線X、走査線Y、及び補助容量
線52等の配線部は、アルミニウムや、モリブデン−タ
ングステンなどの遮光性を有する低抵抗材料によって形
成されている。この実施の形態では、走査線Y及び補助
容量線52は、モリブデン−タングステンによって形成
され、信号線Xは、主にアルミニウムによって形成され
ている。
【0029】画素TFT121は、補助容量電極61と
同層のポリシリコン膜によって形成された半導体層11
2を有している。この半導体層112は、チャネル領域
112Cの両側にそれぞれ不純物をドープすることによ
って形成されたドレイン領域112D及びソース領域1
12Sを有している。この画素TFT121は、ゲート
絶縁膜62を介して半導体層112に対向して配置され
た走査線Yと一体のゲート電極63とを備えている。
【0030】画素TFT121のドレイン電極88は、
信号線Xと一体に形成され、ゲート絶縁膜62及び層間
絶縁膜76を貫通するコンタクトホール77を介して半
導体層112のドレイン領域112Dに電気的に接続さ
れることによって形成されている。画素TFT121の
ソース電極89は、ゲート絶縁膜62及び層間絶縁膜7
6を貫通するコンタクトホール78を介して半導体層1
12のソース領域112Sに電気的に接続されることに
よって形成されている。
【0031】アレイ基板100の層間絶縁膜76上に
は、各画素領域ごとに、赤(R)、緑(G)、青(B)
にそれぞれ着色されたカラーフィルタ層24(R、G、
B)が設けられている。そして、カラーフィルタ層24
上には、画素電極151が設けられている。画素電極1
51は、スルーホール26を介して画素TFT121の
ソース電極89に電気的に接続されている。
【0032】補助容量電極61は、ゲート絶縁膜62及
び層間絶縁膜76を貫通するコンタクトホール79を介
して信号線Xと同一材料によって形成されたコンタクト
電極80に電気的に接続されている。画素電極151
は、カラーフィルタ層24を貫通するコンタクトホール
81を介してコンタクト電極80に電気的に接続されて
いる。これにより、画素TFT121のソース電極8
9、画素電極30、及び補助容量電極61は、同電位と
なる。
【0033】図3に示すように、遮光層SPは、表示領
域102の外周に沿って額縁状に設けられた遮光領域4
1において、光の透過を遮るために黒色樹脂によって形
成されている。また、柱状スペーサ31は、黒色の樹脂
によって形成され、遮光層SPと同一の材料によって同
一の工程で形成される。例えば、柱状スペーサ31及び
遮光パターンSPは、顔料を含有する感光性のカーボン
レス黒色樹脂によって形成されている。この遮光パター
ンSPおよびスペーサ31は、約5μmの厚さに形成さ
れている。
【0034】この柱状スペーサ31は、表示領域40内
においては、遮光性を有する配線部(例えば、モリブデ
ン−タングステン合金膜で形成された走査線や補助容量
線、及び、アルミニウムで形成された信号線など)に積
層された各カラーフィルタ層24(R、G、B)上に配
置されている。
【0035】配向膜13Aは、液晶組成物300に含ま
れる液晶分子を所定方向に配向する。
【0036】対向基板120は、ガラス基板などの透明
な絶縁性基板21上に形成された対向電極22、および
この対向電極22を覆う配向膜13Bを有している。
【0037】対向電極22は、アレイ基板110側の画
素電極151全体に対向するよう配置されるITO等の
透明電極である。配向膜13Bは、液晶組成物300に
含まれる液晶分子を所定方向に対して例えば90度の角
度だけずれた方向に配向する。
【0038】液晶表示パネル10におけるアレイ基板1
00の表面には、偏光板PL1が設けられているととも
に、対向基板200の表面には、偏光板PL2が設けら
れている。これら偏光板PL1及びPL2は、400n
m以下の波長の光を吸収する特性を有している。
【0039】図5に示すように、液晶表示パネル10に
おける外縁シール部材106は、液晶注入口32(幅約
20mm)を除いて印刷塗布されている。この外縁シー
ル部材106は、遮光領域41に配置された遮光層SP
の外周に沿って額縁状に形成されている。液晶注入口3
2は、液晶組成物が注入された後、注入口シール部材3
3によって封止される。
【0040】次に、この液晶表示装置に適用されるバッ
クライトユニットの構造について説明する。
【0041】図6に示すように、バックライトユニット
400は、矩形板状の保持フレーム424、導光体42
6、複数のシート部材、例えば、3枚の光学シート42
8、430、432、光源としての細長い管状光源43
3、リフレクタ448等を備えている。
【0042】保持フレーム424は、例えば合成樹脂に
よって形成され、各部材を収納するための矩形状の収納
凹所436を有している。光学シート428は、例えば
乳白色のポリイミド樹脂などからなる反射シートであ
り、収納凹所436とほぼ等しい寸法の矩形状に形成さ
れている。
【0043】導光体426は、例えば、PMMAなどの
樹脂を射出成形することによって形成され、保持フレー
ム424の収納凹所436とほぼ等しい寸法の矩形状に
形成されている。この導光体426は、その一辺に肉厚
部426aを有するとともに、肉厚部426aに対向す
る辺に肉薄部426bを有し、楔状の断面を有してい
る。
【0044】リフレクタ448は、厚さ約0.1mmの
ステンレスに銀スパッタリング層を設けた材料によって
形成され、ほぼUの字形の断面を有している。このリフ
レクタ448は、管状光源433の周囲のうち導光体4
26と対向する周面以外の周面を囲むように配置され
る。
【0045】光学シート430は、拡散シートであっ
て、収納凹所436とほぼ等しい寸法の矩形状に形成さ
れている。この光学シート430は、導光体426上に
積層される。また、光学シート432は、プリズムシー
トであって、収納凹所436とほぼ等しい寸法の矩形状
に形成されている。この光学シート432は、拡散シー
ト430の上に積層される。
【0046】管状光源433は、例えば、冷陰極線管に
よって形成されている。管状光源433は、例えば、図
7に示すような発光波長の強度分布BLを有する光、す
なわち400nm乃至750nmの発光波長を有する光
を発生する。
【0047】このようなバックライトユニット400に
おいて、管状光源433から発生された光は、導光板4
26の肉厚部426a側から入射する。導光板426に
入射した光は、導光板426の内部を伝播し、導光板4
26の表面から出射する。導光板426の裏面側に出射
した光は、反射シート428により、再び導光板426
の内部に向けて反射される。導光板426の表面から出
射した光は、光学シート430によって拡散され、さら
に、光学シート432によって集束される。
【0048】そして、バックライトユニット400から
出射された光は、液晶表示パネル10をアレイ基板10
0の背面側から照明する。液晶表示パネル10における
アレイ基板100側の偏光板PL1を通過して液晶表示
パネル10の内部に入射した光は、液晶組成物300を
介して変調され、対向基板200側の偏光板PL2によ
って選択的に透過される。これにより、液晶表示パネル
10の表示領域102に画像が表示される。
【0049】ところで、上述した液晶表示パネル10の
遮光領域41に備えられた遮光層SP及び表示領域10
2に備えられた柱状スペーサ31は、顔料分散タイプの
黒色樹脂材料をフォトリソグラフィ工程によってパター
ニングすることによって形成される。この黒色樹脂材料
は、アクリル樹脂などの光硬化性透明樹脂に、緑、青、
赤の主顔料を分散するとともに、色調整用の黄色、紫な
どの顔料を分散し、さらに顔料分散材、光重合開始材の
他、密着性、平坦性、保存安定性、色特性などを調整す
るための特性調整材を添加することによって形成されて
いる。
【0050】このような黒色樹脂材料をフォトリソグラ
フィ工程によってパターニングする場合、露光工程での
光が黒色樹脂材料の深部まで届かず、表面のみが光重合
反応によって硬化する一方で、内部は光重合反応が不十
分であり、大部分の光重合開始材が内部に残留する。通
常、液晶表示パネル10において、400nm以下の波
長の光は、偏光板PL1及びPL2によって吸収される
ため、液晶表示パネル10の内部には、400nm以上
の波長の光が入射する。信頼性試験での長時間のバック
ライト点灯試験や、耐光性信頼性試験においては、40
0nm以上の発光波長を有するバックライトユニットか
らのバックライト光が液晶表示パネル10の内部に入射
することになる。
【0051】光重合開始材として、例えば、イルガキュ
ア1700(ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−
2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサ
イド及び2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−
プロパン−1−オンの1:3混合物;チバガイギー社
製)は、図7に示すような吸収波長分布X1を有してい
る。図7に示すように、この光重合開始材は、400n
mを超える吸収波長を有しているため、400nm以上
の発光波長を有するバックライト光により光分解反応を
おこしやすい。このような光重合開始材を含む遮光層や
柱状スペーサは、液晶組成物や配向膜に直接接触してい
る。このため、光分解反応によって生じた光分解物質
は、液晶組成物や配向膜に溶け出しやすく、表示ムラを
誘発するおそれがある。
【0052】また、顔料分散材として、例えば、アジス
パーPB711(塩基性高分子系分散材;味の素社製)
は、図7に示すような吸収波長分布Y1を有している。
図7に示すように、この顔料分散材は、同様に、400
nmを超える吸収波長を有しているため、400nm以
上の発光波長を有するバックライト光により光分解反応
をおこしやすく、液晶組成物や配向膜に溶け出した光分
解物質は、表示ムラを誘発するおそれがある。
【0053】そこで、この実施の形態に係る液晶表示装
置では、遮光層および柱状スペーサを形成する黒色樹脂
材料は、液晶表示パネル10の内部に入射する光の波長
から外れた光吸収波長を有する光重合開始材及び顔料分
散材を含んでいる。すなわち、この実施の形態で用いる
黒色樹脂材料は、バックライトユニットの発光波長から
外れた波長、すなわち400nm以下の波長を光吸収波
長とする光重合開始材及び顔料分散材を含んでいる。
【0054】これにより、液晶組成物や配向膜に直接接
触する遮光層や柱状スペーサから、表示ムラを誘発する
原因となる未反応物質や光分解物質の溶出を抑制するこ
とが可能となり、表示ムラの発生を防止し、大幅に信頼
性を向上することができる。
【0055】次に、上述した液晶表示パネル10の製造
方法について説明する。
【0056】アレイ基板100の製造工程では、まず、
厚さ0.7mmのガラス基板11上に、CVD法によ
り、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を続けて成膜
し、2層構造のアンダーコーティング層60を形成す
る。続いて、アンダーコーティング層60上に、CVD
法などにより、アモルファスシリコン膜を成膜する。そ
して、このアモルファスシリコン膜をアニールし、脱水
素処理を施した後、エキシマレーザビームを照射し、多
結晶化する。その後に、多結晶化されたシリコン膜すな
わちポリシリコン膜112をフォトリソグラフィ工程に
よりパターニングして、TFT121のチャネル層を形
成するとともに、補助容量電極61を形成する。
【0057】続いて、CVD法により、全面にシリコン
酸化膜を成膜して、ゲート絶縁膜62を形成する。続い
て、スパッタリグ法により、ゲート絶縁膜62上の全面
にタンタル(Ta)、クロム(Cr)、アルミニウム
(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、
銅(Cu)などの単体、または、これらの積層膜、ある
いは、これらの合金膜(この実施の形態では、Mo−W
合金膜)を成膜し、フォトリソグラフィ工程により所定
の形状にパターニングする。これにより、走査線Y、補
助容量線52、及び、走査線Yと一体のゲート電極63
などの各種配線を形成する。
【0058】続いて、ゲート電極63をマスクとして、
イオン注入法やイオンドーピング法によりポリシリコン
膜112に不純物を注入する。これにより、TFT12
1のドレイン領域112D及びソース領域112Sを形
成する。そして、基板全体をアニールすることにより不
純物を活性化する。
【0059】続いて、CVD法により、全面に酸化シリ
コン膜を成膜し、層間絶縁膜76を形成する。
【0060】続いて、フォトリソグラフィ工程により、
ゲート絶縁膜62及び層間絶縁膜76を貫通してTFT
121のドレイン領域112Dに至るコンタクトホール
77及びソース領域112Sに至るコンタクトホール7
8と、補助容量電極61に至るコンタクトホール79
と、を形成する。
【0061】続いて、スパッタリング法により、層間絶
縁膜76上の全面に、Ta,Cr,Al,Mo,W,C
uなどの単体、または、これらの積層膜、あるいは、こ
れらの合金膜(この実施の形態では、Mo−Alの積層
膜)を成膜し、フォトリソグラフィ工程により所定の形
状にパターニングする。これにより、信号線Xを形成す
るとともに、信号線Xと一体にTFT121のドレイン
電極88を形成する。また、同時に、TFT121のソ
ース電極89、及び、補助容量電極61にコンタクトす
るコンタクト電極80を形成する。
【0062】続いて、スピンナーにより、赤色の顔料を
分散させた紫外線硬化性アクリル樹脂レジストを基板全
面に塗布する。そして、このレジスト膜をプリベークし
た後、赤色画素に対応した部分に光が照射されるような
フォトマスクを介して露光する。そして、このレジスト
膜を所定の現像液によって現像し、さらに水洗後、ポス
トベークする。そして、赤色のカラーフィルタ層24R
を形成する。
【0063】続いて、同様の工程を繰り返すことによ
り、緑色のカラーフィルタ層24G、青色のカラーフィ
ルタ層24Bを形成する。これにより、約3μmの膜厚
を有するカラーフィルタ層24(R、G、B)が形成さ
れる。
【0064】このカラーフィルタ層24の形成工程で
は、スイッチング素子121と画素電極151とをコン
タクトするスルーホール26も同時に形成する。また、
画素電極151とコンタクト電極80とをコンタクトす
るコンタクトホール81も同時に形成する。
【0065】続いて、スパッタリング法により、カラー
フィルタ層24上にITOを成膜し、所定の画素パター
ンにパターニングすることにより、スイッチング素子1
21にコンタクトした画素電極151を形成する。
【0066】続いて、スピンナーにより、この基板表面
に、顔料を含有する感光性のカーボンレス黒色樹脂材料
を約5μmの厚さに塗布する。この黒色樹脂材料は、以
下のようにして調整される。すなわち、エチルセルソル
ブアセテートなどの有機溶媒に、赤色顔料としてC.
I.Pigment Red 168(アンスアンスロ
ン系顔料)、色調整用の黄色顔料としてC.I.Pig
ment Yellow110(イソインドリノン系顔
料)、緑色顔料としてC.I.PigmentGree
n 36(クロロブロモ銅フタロシアニン系顔料)、青
色顔料としてC.I.Pigment Blue 1
5:6(クロロ銅フタロシアニン系顔料)、及び、分散
材としてPB821(塩基性高分子分散材;味の素社
製)を混合し、サンドミルにて分散した後、テフロン
(登録商標)製0.5μm径フィルタを用いて加圧濾過
処理を行い、分散液を調整する。さらに、この分散液
と、光重合開始材としてイルガキュア651(2,2−
ジメトキシ−、2−ジフェニルエタン−1−オン;チバ
ガイギー社製)を添加した紫外線硬化型アクリル樹脂C
K−2000(富士ハントテクノロジー社製)とを十分
に混合し、黒色樹脂材料を作製する。
【0067】ここで黒色樹脂材料に混合される光重合開
始材としてのイルガキュア651は、図7に示すような
吸収波長分布X2を有している。図7に示すように、こ
の光重合開始材は、400nm以下の吸収波長を有し、
且つ400nmを超える吸収波長を有していないため、
400nm以上の発光波長を有するバックライト光によ
る光分解反応を生じにくい。
【0068】また、黒色樹脂材料に混合される顔料分散
材としてのPB821は、図7に示すような吸収波長分
布Y2を有している。図7に示すように、この顔料分散
材は、同様に、400nm以下の吸収波長を有し、且つ
400nmを超える吸収波長を有していないため、40
0nm以上の発光波長を有するバックライト光により光
分解反応を生じにくい。
【0069】続いて、基板表面に塗布した黒色樹脂材料
を乾燥した後、遮光領域41及び柱状スペーサ31のパ
ターンに対応するように所定のパターン形状フォトマス
クを用いて、露光する。このとき、例えば、365nm
の波長で、500mJ/cm の露光量で露光する。続
いて、露光された黒色樹脂材料を有機アルカリ水溶液に
より現像し、200℃で60分間焼成する。
【0070】これにより、画素電極151上を避けてカ
ラーフィルタ層24上の所定位置に、約5μmの高さの
遮光性の柱状スペーサ31を形成する。また、同時に、
表示領域40の外側となる遮光領域41に、約5μmの
膜厚の遮光層SPを額縁状に形成する。
【0071】続いて、基板全面に、ポリイミドなどの配
向膜材料を500オングストロームの膜厚で塗布し、焼
成した後、ラビング処理を行い、配向膜13Aを形成す
る。
【0072】これにより、アレイ基板100が製造され
る。
【0073】一方、対向基板200の製造工程では、ま
ず、厚さ0.7mmのガラス基板21上に、スパッタリ
ング法により、ITOを約100nmの厚さに成膜し、
パターニングすることによって対向電極22を形成す
る。そして、対向電極22を覆って透明基板21の全面
にポリイミドなどの配向膜材料を塗布し、焼成後、配向
処理を施すことにより、配向膜13Bを形成する。
【0074】これにより、対向基板200が製造され
る。
【0075】液晶表示パネル10の製造工程では、外縁
シール部材106を液晶注入口32を残して液晶収容空
間を囲むようアレイ基板100の外縁に沿って塗布し、
アレイ基板100の外縁と対向基板200の外縁とを接
着する。外縁シール部材106は、例えば熱硬化型エポ
キシ系接着剤である。
【0076】続いて、液晶組成物300を液晶注入口3
2から液晶収容空間に注入し、さらに液晶注入口32を
熱硬化型エポキシ系接着剤である注入口シール部材33
により封止する。液晶組成物300は、例えばカイラル
材が添加されたネマティック液晶で構成される。
【0077】以上のような製造方法によって液晶表示パ
ネルが製造される。
【0078】このようにして製造された液晶表示パネル
と、バックライトユニットとを組み込んだ液晶表示装置
によれば、高温/高湿度(60℃/80%)の条件下で
1000時間連続点灯試験を行ったが、表示ムラの発生
は皆無であり、良好な表示品位を確保することができ
た。
【0079】なお、遮光層及び柱状スペーサを形成する
黒色樹脂材料に、図7に示したような400nm以上の
吸収波長分布X1を有するイルガキュア1700を光重
合開始材として用いて上述したような液晶表示装置を製
造した場合、上述した実施の形態と同一の試験を行った
ところ、ほとんどの液晶表示装置において焼き付きなど
の表示ムラが発生した。
【0080】また、遮光層及び柱状スペーサを形成する
黒色樹脂材料に、図7に示したような400nm以上の
吸収波長分布Y1を有するアジスパーPB711を顔料
分散材として用いて上述したような液晶表示装置を製造
した場合、上述した実施の形態と同一の試験を行ったと
ころ、ほとんどの液晶表示装置において焼き付きなどの
表示ムラが発生した。
【0081】上述した実施の形態では、400nm以上
の吸収波長分布を持たない光重合開始材として、イルガ
キュア651を用いたが、イルガキュア2959(1−
[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−
ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン;チ
バガイギー社製)も同様に400nm以上の吸収波長分
布を持たない。このため、イルガキュア2959を光重
合開始材として適用しても、上述した実施の形態の液晶
表示装置と同様の作用効果を得ることができる。
【0082】また、上述した実施の形態では、400n
m以上の吸収波長分布を持たない顔料分散材として、P
B821を用いたが、Disperbyk−161(ビ
ックケミー社製)も同様に400nm以上の吸収波長分
布を持たない。このため、Disperbyk−161
を顔料分散材として適用しても、上述した実施の形態の
液晶表示装置と同様の作用効果を得ることができる。
【0083】なお、上述した実施の形態では、遮光層S
P、柱状スペーサ、カラーフィルタ層24などは、アレ
イ基板100側に形成されたが、これらは対向基板20
0側に形成されてもよい。
【0084】また、上述した実施の形態では、遮光層S
P及び柱状スペーサ31は、黒色樹脂によって形成され
たが、ある程度の遮光性を確保することが可能であれ
ば、他の色の樹脂で形成しても良い。
【0085】さらに、上述した実施の形態では、光重合
開始材としてイルガキュア651を用いるとともに、顔
料分散材としてPB821を用いたが、400nm以上
の光吸収波長を有していない材料を選定して用いること
により、同様の作用効果が得らることは言うまでもな
い。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、表示領域の周辺を確実に遮光するとともに、黒色樹
脂材料に起因する表示ムラの発生を防止することが可能
な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の液晶表示装置に適用される
液晶表示パネルの構造を概略的に示す図である。
【図2】図2は、図1に示した液晶表示パネルの構成を
概略的に示す図である。
【図3】図3は、この発明の液晶表示装置の構造を概略
的に示す断面図である。
【図4】図4は、図1に示した液晶表示パネルを構成す
るアレイ基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図5】図5は、図1に示した液晶表示パネルの表示領
域及び周辺領域の構造を概略的に示す図である。
【図6】図6は、この発明の液晶表示装置に適用される
バックライトユニットの構造を概略的に示す図である。
【図7】図7は、この発明の液晶表示装置におけるバッ
クライトユニットの発光波長特性、光重合開始材の光吸
収波長特性、及び顔料分散材の光吸収波長特性を示す図
である。
【符号の説明】
10…液晶表示パネル 31…柱状スペーサ 32…液晶注入口 33…注入口シール部材 41…遮光領域 100…アレイ基板 102…表示領域 104…周辺領域 106…外縁シール部材 121…スイッチング素子 151…画素電極 200…対向基板 300…液晶組成物 400…バックライトユニット SP…遮光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G03F 7/004 501 5C094 // G03F 7/004 501 505 505 7/028 7/028 G02F 1/1335 530 (72)発明者 磨矢 奈津子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H025 AA00 AB13 AB17 AC01 AD01 BC14 CA01 CC12 CC20 DA40 FA03 FA17 FA29 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BA45 BA47 BA48 BB02 BB08 BB44 2H089 LA09 LA11 PA05 QA05 TA09 TA13 TA18 2H091 FA34Y FA41Z FB04 FB12 FB13 FD04 GA08 GA09 GA13 LA16 5C094 AA03 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 EC04 ED15

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一対の基板間に液晶組成物を挟持した液晶
    表示パネルを備えた液晶表示装置において、 前記少なくとも一方の基板は、画像を表示する表示領域
    の外周に沿って配置された遮光領域に額縁状に形成され
    た遮光層を備え、 前記遮光層は、光硬化性樹脂に顔料を分散することによ
    って形成され、さらに、光吸収波長が400nm以下の
    光重合開始材及び顔料分散材を含むことを特徴とする液
    晶表示装置。
  2. 【請求項2】前記遮光層は、黒色の樹脂であることを特
    徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】前記液晶表示パネルは、さらに前記一対の
    基板を貼り合わせる外縁シール部材を備え、前記遮光領
    域は、前記外縁シール部材より前記表示領域側に配置さ
    れたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】前記液晶表示パネルは、さらに前記一対の
    基板間にそのギャップを保持する柱状スペーサを備え、
    前記柱状スペーサと前記遮光層は、同一材料で形成され
    たことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
    板は、行方向に配列された走査線と、列方向に配列され
    た信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部近傍に
    配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子
    に接続されマトリクス状に形成された画素電極と、を備
    えたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】前記液晶表示パネルは、透過型であり、そ
    の背面に前記液晶表示パネルを400nm以上の波長の
    光で照明するバックライトユニットを備えたことを特徴
    とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】一対の基板間に液晶組成物を挟持した液晶
    表示パネルを備えた液晶表示装置において、 前記少なくとも一方の基板は、画像を表示する表示領域
    の外周に沿って配置された遮光領域に額縁状に形成され
    た遮光層を備え、 前記遮光層は、前記一対の基板間を通過する光の波長か
    ら外れた光吸収波長を有する光重合開始材及び顔料分散
    材を含むことを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項8】一対の基板間に液晶組成物を挟持した液晶
    表示パネルと、 前記液晶表示パネルを照明する照明手段と、を備えた液
    晶表示装置において、 前記少なくとも一方の基板は、画像を表示する表示領域
    の外周に沿って配置された遮光領域に額縁状に形成され
    た遮光層を備え、 前記遮光層は、前記照明手段の発光波長から外れた波長
    を光吸収波長とする光重合開始材及び顔料分散材を含む
    ことを特徴とする液晶表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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