JP2002214169A - 電子分光装置 - Google Patents
電子分光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｅonset の測定による表面電位の測定と共に
オージェスペクトルの正確なピーク位置測定が行えるよ
うにした電子分光装置を提供する。 【解決手段】 試料ステージ上に載置された試料２に対
して電子線を照射する電子照射装置１と、試料より放出
される二次電子又はオージェ電子を分光検出する電子分
光器３とを有し、該電子分光器の分光検出出力に基づい
て試料のオージェスペクトル又は表面電位を測定するよ
うにした電子分光装置において、試料に対してバイアス
電圧を印加するバイアス電圧印加制御装置５を備え、表
面電位の測定時には所定のバイアス電圧を試料に印加
し、オージェスペクトル測定時には試料に印加するバイ
アス電圧を０とするように、バイアス電圧印加制御装置
５をホストコンピュータ６で制御するように構成する。
オージェスペクトルの正確なピーク位置測定が行えるよ
うにした電子分光装置を提供する。 【解決手段】 試料ステージ上に載置された試料２に対
して電子線を照射する電子照射装置１と、試料より放出
される二次電子又はオージェ電子を分光検出する電子分
光器３とを有し、該電子分光器の分光検出出力に基づい
て試料のオージェスペクトル又は表面電位を測定するよ
うにした電子分光装置において、試料に対してバイアス
電圧を印加するバイアス電圧印加制御装置５を備え、表
面電位の測定時には所定のバイアス電圧を試料に印加
し、オージェスペクトル測定時には試料に印加するバイ
アス電圧を０とするように、バイアス電圧印加制御装置
５をホストコンピュータ６で制御するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子分光装置に
関し、特にオージェスペクトルと共に表面電位を正確に
測定できるようにした電子分光装置に関する。
関し、特にオージェスペクトルと共に表面電位を正確に
測定できるようにした電子分光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子分光装置は、オージェスペ
クトルの測定により試料表面上の元素分析や状態分析を
行ったり、あるいはＥonset(立ち上がりエネルギー値）
の測定により試料の表面電位（二次電子像）の測定を行
ったりする場合に用いられている。
クトルの測定により試料表面上の元素分析や状態分析を
行ったり、あるいはＥonset(立ち上がりエネルギー値）
の測定により試料の表面電位（二次電子像）の測定を行
ったりする場合に用いられている。
【０００３】Ｅonset の測定においては、試料の仕事関
数と電子分光器の検出素子の仕事関数との関係により、
試料にバイアス電圧を印加して測定する必要があり、そ
のため従来は、オージェスペクトルの測定時をも含め、
常に一定の値のバイアス電圧を試料に印加して、それぞ
れの測定が行われている。
数と電子分光器の検出素子の仕事関数との関係により、
試料にバイアス電圧を印加して測定する必要があり、そ
のため従来は、オージェスペクトルの測定時をも含め、
常に一定の値のバイアス電圧を試料に印加して、それぞ
れの測定が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に試料のＥonset の測定時と共にオージェスペクトルの
測定時においても、試料に常時バイアス電圧を印加して
測定を行っている場合には、オージェスペクトルの測定
時にはオージェスペクトルのエネルギー位置が、試料へ
印加しているバイアス電圧分だけシフトする。そのた
め、オージェスペクトルの位置が本来の位置からずれた
状態となり、正確なオージェスペクトルが得られないと
いう問題点がある。
に試料のＥonset の測定時と共にオージェスペクトルの
測定時においても、試料に常時バイアス電圧を印加して
測定を行っている場合には、オージェスペクトルの測定
時にはオージェスペクトルのエネルギー位置が、試料へ
印加しているバイアス電圧分だけシフトする。そのた
め、オージェスペクトルの位置が本来の位置からずれた
状態となり、正確なオージェスペクトルが得られないと
いう問題点がある。
【０００５】本発明は、従来の電子分光装置における上
記問題点を解消するためになされたもので、Ｅonset の
測定と共に正確なオージェスペクトル測定が行えるよう
にした電子分光装置を提供することを目的とする。
記問題点を解消するためになされたもので、Ｅonset の
測定と共に正確なオージェスペクトル測定が行えるよう
にした電子分光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に係る発明は、試料ステージ上に載置され
た試料に対して一次励起線を照射する一次励起線源と、
試料より放出される二次線を分光検出する電子分光器と
を有し、該電子分光器の分光検出出力に基づいて試料の
オージェスペクトル又は表面電位を測定するようにした
電子分光装置において、試料に対してバイアス電圧を印
加するバイアス電圧印加手段と、該バイアス電圧印加手
段の印加電圧の設定を制御する制御手段を備え、該制御
手段は指定分析エネルギー値に基づくオージェスペクト
ルの測定か表面電位の測定かに応じて、バイアス電圧印
加手段の設定印加電圧を切り替え制御するように構成さ
れていることを特徴とするものである。
め、請求項１に係る発明は、試料ステージ上に載置され
た試料に対して一次励起線を照射する一次励起線源と、
試料より放出される二次線を分光検出する電子分光器と
を有し、該電子分光器の分光検出出力に基づいて試料の
オージェスペクトル又は表面電位を測定するようにした
電子分光装置において、試料に対してバイアス電圧を印
加するバイアス電圧印加手段と、該バイアス電圧印加手
段の印加電圧の設定を制御する制御手段を備え、該制御
手段は指定分析エネルギー値に基づくオージェスペクト
ルの測定か表面電位の測定かに応じて、バイアス電圧印
加手段の設定印加電圧を切り替え制御するように構成さ
れていることを特徴とするものである。
【０００７】このように構成した電子分光装置において
は、電子分光器に指定される分析エネルギー値ＥK が低
い領域のＥonset の測定時には、制御手段によりバイア
ス電圧印加手段が所定のバイアス電圧を試料に印加する
ように制御され、また電子分光器に指定される分析エネ
ルギー値が高い領域のオージェスペクトル測定時には、
制御手段によりバイアス電圧印加手段が試料に印加する
バイアス電圧をゼロにするように制御される。これによ
り、Ｅonset の測定による表面電位の測定が可能となる
と共に、オージェスペクトル測定時にはバイアス電圧に
よるオージェスペクトルのずれが発生せず、正確なオー
ジェスペクトル測定を行うことができる。
は、電子分光器に指定される分析エネルギー値ＥK が低
い領域のＥonset の測定時には、制御手段によりバイア
ス電圧印加手段が所定のバイアス電圧を試料に印加する
ように制御され、また電子分光器に指定される分析エネ
ルギー値が高い領域のオージェスペクトル測定時には、
制御手段によりバイアス電圧印加手段が試料に印加する
バイアス電圧をゼロにするように制御される。これによ
り、Ｅonset の測定による表面電位の測定が可能となる
と共に、オージェスペクトル測定時にはバイアス電圧に
よるオージェスペクトルのずれが発生せず、正確なオー
ジェスペクトル測定を行うことができる。
【０００８】そして、この場合、上記制御手段は、電子
分光器の動作パラメータを指定送出するホストコンピュ
ータに内蔵させることができ、あるいはまた上記制御手
段は、電子分光器の動作パラメータを指定するホストコ
ンピュータから電子分光器へ指定送出される分析エネル
ギー値ＥK をモニタし、基準電圧と比較してバイアス切
り替え信号を送出する電圧比較回路で構成することがで
きる。
分光器の動作パラメータを指定送出するホストコンピュ
ータに内蔵させることができ、あるいはまた上記制御手
段は、電子分光器の動作パラメータを指定するホストコ
ンピュータから電子分光器へ指定送出される分析エネル
ギー値ＥK をモニタし、基準電圧と比較してバイアス切
り替え信号を送出する電圧比較回路で構成することがで
きる。
【０００９】また請求項４に係る発明は、試料ステージ
上に載置された試料に対して一次励起線を照射する一次
励起線源と、試料より放出される二次線を分光検出する
電子分光器とを有し、該電子分光器の分光検出出力に基
づいて試料のオージェスペクトル又は表面電位を測定す
るようにした電子分光装置において、前記試料にバイア
ス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記電子分
光器の動作パラメータを指定するホストコンピュータと
を備え、前記バイアス電圧印加手段は表面電位の測定に
必要なバイアス電圧を試料に常時印加し、前記ホストコ
ンピュータは、オージェスペクトル測定時には電子分光
器への動作パラメータとして前記バイアス電圧に相当す
るエネルギー値を加算補正して分析エネルギー値を指定
するように構成されていることを特徴とするものであ
る。
上に載置された試料に対して一次励起線を照射する一次
励起線源と、試料より放出される二次線を分光検出する
電子分光器とを有し、該電子分光器の分光検出出力に基
づいて試料のオージェスペクトル又は表面電位を測定す
るようにした電子分光装置において、前記試料にバイア
ス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記電子分
光器の動作パラメータを指定するホストコンピュータと
を備え、前記バイアス電圧印加手段は表面電位の測定に
必要なバイアス電圧を試料に常時印加し、前記ホストコ
ンピュータは、オージェスペクトル測定時には電子分光
器への動作パラメータとして前記バイアス電圧に相当す
るエネルギー値を加算補正して分析エネルギー値を指定
するように構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１０】このように構成した電子分光装置において
は、バイアス電圧印加手段により、試料には表面電位の
測定に必要な一定のバイアス電圧を常時印加しておい
て、ホストコンピュータは、電子分光器に指定する分析
エネルギー値を高くしてオージェスペクトル測定を実行
する場合には、該電子分光器に指定するパラメータとし
て、バイアス電圧に相当するエネルギー値を加算補正し
た値を用いるようにしている。これにより、Ｅonset の
測定が行えると共に、オージェスペクトル測定時には試
料にバイアス電圧を印加しない場合と同様にずれのない
正確なスペクトルを表示し測定することが可能となる。
は、バイアス電圧印加手段により、試料には表面電位の
測定に必要な一定のバイアス電圧を常時印加しておい
て、ホストコンピュータは、電子分光器に指定する分析
エネルギー値を高くしてオージェスペクトル測定を実行
する場合には、該電子分光器に指定するパラメータとし
て、バイアス電圧に相当するエネルギー値を加算補正し
た値を用いるようにしている。これにより、Ｅonset の
測定が行えると共に、オージェスペクトル測定時には試
料にバイアス電圧を印加しない場合と同様にずれのない
正確なスペクトルを表示し測定することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係る電子分光装置の第１の実施の
形態を示すブロック構成図である。図１において、１は
電子照射装置（一次励起線源）で、２は該電子照射装置
１からの電子線が照射される図示しない試料ステージ上
に載置された試料、３は電子線の照射された試料より放
出される二次電子やオージェ電子（二次線）を分光して
検出するための電子分光器、４は該電子分光器３の動作
を制御するための分光器制御装置、５は試料２にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電圧印加制御装置、６
は分光器制御装置４及びバイアス電圧印加制御装置５を
制御するためのホストコンピュータ、７は分光器制御装
置４及びバイアス電圧印加制御装置５とホストコンピュ
ータ６との間の信号の授受を行うためのバスである。
る。図１は、本発明に係る電子分光装置の第１の実施の
形態を示すブロック構成図である。図１において、１は
電子照射装置（一次励起線源）で、２は該電子照射装置
１からの電子線が照射される図示しない試料ステージ上
に載置された試料、３は電子線の照射された試料より放
出される二次電子やオージェ電子（二次線）を分光して
検出するための電子分光器、４は該電子分光器３の動作
を制御するための分光器制御装置、５は試料２にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電圧印加制御装置、６
は分光器制御装置４及びバイアス電圧印加制御装置５を
制御するためのホストコンピュータ、７は分光器制御装
置４及びバイアス電圧印加制御装置５とホストコンピュ
ータ６との間の信号の授受を行うためのバスである。
【００１２】次に、このように構成されている第１の実
施の形態の動作について説明する。電子照射装置１より
出射される電子を試料２で照射し、試料２より放出され
る二次電子あるいはオージェ電子を電子分光器３で分光
検出し、該電子分光器３の分光検出信号から得られるス
ペクトルのＥonset の測定により表面電位（二次電子
像）の測定を行い、更にはオージェスペクトルを測定す
ることにより試料表面の元素分析や状態分析を行う。
施の形態の動作について説明する。電子照射装置１より
出射される電子を試料２で照射し、試料２より放出され
る二次電子あるいはオージェ電子を電子分光器３で分光
検出し、該電子分光器３の分光検出信号から得られるス
ペクトルのＥonset の測定により表面電位（二次電子
像）の測定を行い、更にはオージェスペクトルを測定す
ることにより試料表面の元素分析や状態分析を行う。
【００１３】ところで、Ｅonset の測定においては、電
子分光器３の検出素子の仕事関数に対する試料２の仕事
関数の差異等により、Ｅonset のエネルギー位置が０ e
Ｖよりも小さくなる場合があるので、通常−５Ｖ程度の
バイアス電圧を試料２に印加し、試料２の仕事関数に依
存せず、正確なＥonset 値が得られるようにしている。
子分光器３の検出素子の仕事関数に対する試料２の仕事
関数の差異等により、Ｅonset のエネルギー位置が０ e
Ｖよりも小さくなる場合があるので、通常−５Ｖ程度の
バイアス電圧を試料２に印加し、試料２の仕事関数に依
存せず、正確なＥonset 値が得られるようにしている。
【００１４】しかしながら、オージェスペクトル測定時
においても、試料２に対して同じくバイアス電圧を印加
しておくと、先に述べたようにオージェスペクトルがず
れて正確なスペクトル測定ができなくなる。例えば、−
５Ｖのバイアス電圧を印加した場合、銅のスペクトルピ
ークは914eＶであるのに、919eＶにずれて表示される。
においても、試料２に対して同じくバイアス電圧を印加
しておくと、先に述べたようにオージェスペクトルがず
れて正確なスペクトル測定ができなくなる。例えば、−
５Ｖのバイアス電圧を印加した場合、銅のスペクトルピ
ークは914eＶであるのに、919eＶにずれて表示される。
【００１５】そこで、本実施の形態においては、バイア
ス電圧印加制御装置５を設け、Ｅonset の測定時には試
料２に対して、表面電位の測定に必要なバイアス電圧を
印加し、一方、オージェスペクトル測定時にはバイアス
電圧を印加せず零バイアスとするものである。
ス電圧印加制御装置５を設け、Ｅonset の測定時には試
料２に対して、表面電位の測定に必要なバイアス電圧を
印加し、一方、オージェスペクトル測定時にはバイアス
電圧を印加せず零バイアスとするものである。
【００１６】オージェスペクトル測定において、オージ
ェピーク値が現れるのは、その運動エネルギーＥK は最
低でも 30eＶ程度である。またＥonset の測定において
は、最大でもその運動エネルギーＥK は 30eＶ程度まで
しかデータを収集しない。したがって、本実施の形態で
は、分析している電子の運動エネルギーＥK の値に応じ
て、すなわちオージェスペクトル測定かＥonset による
表面電位の測定かに応じて、バイアス電圧印加制御装置
を切り替えて制御するようにしている。すなわち、ＥK
が 30eＶ未満のＥonset の測定時にはバイアス電圧印加
制御装置５により、−５Ｖのバイアス電圧を試料２に印
加するようにし、ＥK が 30eＶ以上のオージェスペクト
ル測定時には、試料２に印加するバイアス電圧を０Ｖと
する。
ェピーク値が現れるのは、その運動エネルギーＥK は最
低でも 30eＶ程度である。またＥonset の測定において
は、最大でもその運動エネルギーＥK は 30eＶ程度まで
しかデータを収集しない。したがって、本実施の形態で
は、分析している電子の運動エネルギーＥK の値に応じ
て、すなわちオージェスペクトル測定かＥonset による
表面電位の測定かに応じて、バイアス電圧印加制御装置
を切り替えて制御するようにしている。すなわち、ＥK
が 30eＶ未満のＥonset の測定時にはバイアス電圧印加
制御装置５により、−５Ｖのバイアス電圧を試料２に印
加するようにし、ＥK が 30eＶ以上のオージェスペクト
ル測定時には、試料２に印加するバイアス電圧を０Ｖと
する。
【００１７】このように、バイアス電圧印加制御装置５
により試料２へ印加するバイアス電圧を制御することに
より、Ｅonset の測定と共にオージェスペクトルのピー
ク値を正確に測定することができる。なお、本実施の形
態においては、上記バイアス電圧印加制御装置５は、電
子分光器３の各種動作パラメータを送出するホストコン
ピュータ６から指定される電子分光器３への分析エネル
ギー（運動エネルギー）ＥK 値に基づいて、切り替え制
御されるようになっている。
により試料２へ印加するバイアス電圧を制御することに
より、Ｅonset の測定と共にオージェスペクトルのピー
ク値を正確に測定することができる。なお、本実施の形
態においては、上記バイアス電圧印加制御装置５は、電
子分光器３の各種動作パラメータを送出するホストコン
ピュータ６から指定される電子分光器３への分析エネル
ギー（運動エネルギー）ＥK 値に基づいて、切り替え制
御されるようになっている。
【００１８】次に、第２の実施の形態を図２に示すブロ
ック構成図に基づいて説明する。図２において、図１に
示した第１の実施の形態の電子分光装置と同一又は対応
する構成要素には、同一符号を付して示している。この
実施の形態では、電子分光器３の動作パラメータを指定
するホストコンピュータ６から電子分光器３へ送出され
る分析エネルギーＥK 値を、直接アナログ的にモニタ
し、基準電圧と比較してバイアス電圧印加制御装置５へ
バイアス切り替え信号を送出する電圧比較回路11を設
け、この電圧比較回路11から出力されるバイアス切り替
え信号により、バイアス電圧印加制御装置５は試料２へ
のバイアス印加電圧を、ＥK が 30eＶ未満のＥonset の
測定を行う場合には−５Ｖに設定し、ＥK が 30eＶ以上
のオージェスペクトル測定時には０Ｖに設定するもので
ある。
ック構成図に基づいて説明する。図２において、図１に
示した第１の実施の形態の電子分光装置と同一又は対応
する構成要素には、同一符号を付して示している。この
実施の形態では、電子分光器３の動作パラメータを指定
するホストコンピュータ６から電子分光器３へ送出され
る分析エネルギーＥK 値を、直接アナログ的にモニタ
し、基準電圧と比較してバイアス電圧印加制御装置５へ
バイアス切り替え信号を送出する電圧比較回路11を設
け、この電圧比較回路11から出力されるバイアス切り替
え信号により、バイアス電圧印加制御装置５は試料２へ
のバイアス印加電圧を、ＥK が 30eＶ未満のＥonset の
測定を行う場合には−５Ｖに設定し、ＥK が 30eＶ以上
のオージェスペクトル測定時には０Ｖに設定するもので
ある。
【００１９】これにより、第１の実施の形態と同様に、
Ｅonset の測定と共に、オージェスペクトルの正確なピ
ーク位置の測定を行うことができる。
Ｅonset の測定と共に、オージェスペクトルの正確なピ
ーク位置の測定を行うことができる。
【００２０】次に、第３の実施の形態について説明す
る。図３は第３の実施の形態を示すブロック構成図で、
図１及び図２に示した第１及び第２の実施の形態と同一
又は対応する構成要素には、同一符号を付して示してい
る。この実施の形態は、試料２に対して、Ｅonset を測
定するのに必要なバイアス電圧を常時印加するバイアス
電圧印加装置21を備え、試料２には、Ｅonset の測定時
のみならずオージェスペクトル測定時にも、Ｅonset の
測定に必要とするバイアス電圧（−Ｖボルト）を印加す
るように構成している。そして、ＥK が 30eＶ未満のＥ
onset の測定を行う場合は、ＥK をそのまま用いて電子
分光器３の各種パラメータを指定し、ＥKが 30eＶ以上
のオージェスペクトルの測定を行う場合には、ホストコ
ンピュータ６は電子分光器３に対して、ＥK の代わり
に、ＥK ′＝ＥK ＋ eＶを用いて、電子分光器３の各種
パラメータを指定すると共に、スペクトルとして得られ
るデータのＥK を表す軸（通常は横軸）には、ＥK その
ものを表示するように構成する。
る。図３は第３の実施の形態を示すブロック構成図で、
図１及び図２に示した第１及び第２の実施の形態と同一
又は対応する構成要素には、同一符号を付して示してい
る。この実施の形態は、試料２に対して、Ｅonset を測
定するのに必要なバイアス電圧を常時印加するバイアス
電圧印加装置21を備え、試料２には、Ｅonset の測定時
のみならずオージェスペクトル測定時にも、Ｅonset の
測定に必要とするバイアス電圧（−Ｖボルト）を印加す
るように構成している。そして、ＥK が 30eＶ未満のＥ
onset の測定を行う場合は、ＥK をそのまま用いて電子
分光器３の各種パラメータを指定し、ＥKが 30eＶ以上
のオージェスペクトルの測定を行う場合には、ホストコ
ンピュータ６は電子分光器３に対して、ＥK の代わり
に、ＥK ′＝ＥK ＋ eＶを用いて、電子分光器３の各種
パラメータを指定すると共に、スペクトルとして得られ
るデータのＥK を表す軸（通常は横軸）には、ＥK その
ものを表示するように構成する。
【００２１】このように構成することにより、試料２に
は所定のバイアス電圧（−Ｖ）が印加されていても、オ
ージェスペクトル測定時には、バイアス電圧分を補正し
たＥ K ′を用いて、電子分光器３の各種パラメータを指
定するようにしているので、表示装置22のＥK を表す横
軸に従来と同様にＥK そのものを表示することにより、
Ｅonset の測定と共にオージェスペクトルの正確なピー
クを表示し測定することができる。
は所定のバイアス電圧（−Ｖ）が印加されていても、オ
ージェスペクトル測定時には、バイアス電圧分を補正し
たＥ K ′を用いて、電子分光器３の各種パラメータを指
定するようにしているので、表示装置22のＥK を表す横
軸に従来と同様にＥK そのものを表示することにより、
Ｅonset の測定と共にオージェスペクトルの正確なピー
クを表示し測定することができる。
【００２２】上記各実施の形態では、ＥK 値を 30eＶ以
上か 30eＶ未満かを、オージェスペクトル測定とＥonse
t の測定の場合分けの境界に設定しているが、この境界
は 30eＶに必ずしも厳密に設定する必要はなく、例え
ば、 20eＶ程度に境界の設定をしても、実用上支障は生
じない。
上か 30eＶ未満かを、オージェスペクトル測定とＥonse
t の測定の場合分けの境界に設定しているが、この境界
は 30eＶに必ずしも厳密に設定する必要はなく、例え
ば、 20eＶ程度に境界の設定をしても、実用上支障は生
じない。
【００２３】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項１に係る発明によれば、指定分析エネルギー
値に基づくオージェスペクトルの測定か表面電位の測定
かに応じて、試料に印加するバイアス電圧値を切り替え
制御するように構成しているので、Ｅonset の測定によ
る表面電位の測定と共にオージェスペクトルの正確なピ
ーク測定を行うことができる。請求項４に係る発明によ
れば、試料には一定のバイアス電圧を常時印加しておい
て、オージェスペクトル測定時には、電子分光器に指定
する分析エネルギー値として、バイアス電圧に相当する
エネルギー値を加算補正した値を用いるようにしている
ので、Ｅonset の測定が行えると共に、オージェスペク
トル測定時にもずれのない正確なスペクトルピークを表
示測定することができる。
に、請求項１に係る発明によれば、指定分析エネルギー
値に基づくオージェスペクトルの測定か表面電位の測定
かに応じて、試料に印加するバイアス電圧値を切り替え
制御するように構成しているので、Ｅonset の測定によ
る表面電位の測定と共にオージェスペクトルの正確なピ
ーク測定を行うことができる。請求項４に係る発明によ
れば、試料には一定のバイアス電圧を常時印加しておい
て、オージェスペクトル測定時には、電子分光器に指定
する分析エネルギー値として、バイアス電圧に相当する
エネルギー値を加算補正した値を用いるようにしている
ので、Ｅonset の測定が行えると共に、オージェスペク
トル測定時にもずれのない正確なスペクトルピークを表
示測定することができる。
【図１】本発明に係る電子分光装置の第１の実施の形態
を示すブロック構成図である。
を示すブロック構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すブロック構成
図である。
図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示すブロック構成
図である。
図である。
１ 電子照射装置 ２ 試料 ３ 電子分光器 ４ 分光器制御装置 ５ バイアス電圧印加制御装置 ６ ホストコンピュータ ７ バス 11 電圧比較回路 21 バイアス電圧印加装置 22 表示装置
Claims (4)
- 【請求項１】 試料ステージ上に載置された試料に対し
て一次励起線を照射する一次励起線源と、試料より放出
される二次線を分光検出する電子分光器とを有し、該電
子分光器の分光検出出力に基づいて試料のオージェスペ
クトル又は表面電位を測定するようにした電子分光装置
において、試料に対してバイアス電圧を印加するバイア
ス電圧印加手段と、該バイアス電圧印加手段の印加電圧
の設定を制御する制御手段を備え、該制御手段は指定分
析エネルギー値に基づくオージェスペクトルの測定か表
面電位の測定かに応じて、バイアス電圧印加手段の設定
印加電圧を切り替え制御するように構成されていること
を特徴とする電子分光装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記電子分光器の動作
パラメータを指定するホストコンピュータであることを
特徴とする請求項１に係る電子分光装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、前記電子分光器の動作
パラメータを指定するホストコンピュータから前記電子
分光器へ送出される指定分析エネルギー値をモニタし、
基準電圧と比較してバイアス切り替え信号を前記バイア
ス電圧印加手段へ送出する電圧比較回路であることを特
徴とする請求項１に係る電子分光装置。 - 【請求項４】 試料ステージ上に載置された試料に対し
て一次励起線を照射する一次励起線源と、試料より放出
される二次線を分光検出する電子分光器とを有し、該電
子分光器の分光検出出力に基づいて試料のオージェスペ
クトル又は表面電位を測定するようにした電子分光装置
において、前記試料にバイアス電圧を印加するバイアス
電圧印加手段と、前記電子分光器の動作パラメータを指
定するホストコンピュータとを備え、前記バイアス電圧
印加手段は表面電位の測定に必要なバイアス電圧を試料
に常時印加し、前記ホストコンピュータは、オージェス
ペクトル測定時には電子分光器への動作パラメータとし
て前記バイアス電圧に相当するエネルギー値を加算補正
して分析エネルギー値を指定するように構成されている
ことを特徴とする電子分光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001005919A JP2002214169A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電子分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001005919A JP2002214169A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電子分光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214169A true JP2002214169A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18873888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001005919A Withdrawn JP2002214169A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電子分光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002214169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009154329A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Semisysco Co., Ltd. | Connection structure of remote spectrometer |
| WO2009137706A3 (en) * | 2008-05-08 | 2010-02-25 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001005919A patent/JP2002214169A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009137706A3 (en) * | 2008-05-08 | 2010-02-25 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
| US8283631B2 (en) | 2008-05-08 | 2012-10-09 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
| WO2009154329A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Semisysco Co., Ltd. | Connection structure of remote spectrometer |
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