JP2002212146A - 光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸類の製造法 - Google Patents

光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸類の製造法

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JP2002212146A
JP2002212146A JP2001015226A JP2001015226A JP2002212146A JP 2002212146 A JP2002212146 A JP 2002212146A JP 2001015226 A JP2001015226 A JP 2001015226A JP 2001015226 A JP2001015226 A JP 2001015226A JP 2002212146 A JP2002212146 A JP 2002212146A
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JP2001015226A
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English (en)
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Makoto Ueda
真 上田
Akira Nishiyama
章 西山
Shigemi Kishimoto
成己 岸本
Naoaki Taoka
直明 田岡
Noriyuki Kizaki
憲之 木崎
Yoshihiko Yasohara
良彦 八十原
Kenji Inoue
健二 井上
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 医薬中間体として有用な光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ酪酸類を安価で入手容易な原料から
簡便に製造できる方法を提供する。 【解決手段】 入手容易な4−アリール−4−オキソ−
2−ブテン酸誘導体のカルボニル基を、微生物由来の酵
素源存在下で立体特異的に還元して光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体を製造し、更
に遷移金属触媒存在下で水素化することにより、光学活
性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を製造す
る。又は、4−アリール−4−オキソ−2−ブテン酸誘
導体のカルボニル基を、微生物由来の酵素源存在下で立
体特異的に還元するとともに、該酵素源で2重結合も還
元することにより、光学活性4−アリール−4−ヒドロ
キシ酪酸誘導体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬中間体として
有用な光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸類、
即ち光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸誘導体、及び光学活性4−アリール−4−ヒドロキ
シ酪酸誘導体の製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光学活性4−アリール−4−ヒド
ロキシ−2−ブテン酸誘導体の製造法としては、以下の
様な方法が知られている。 1)ベンズアルデヒドと3−ヨードーアクリル酸メチル
を、触媒量のニッケル/コバルト錯体とキラルアミン存
在下にカップリングさせ、光学活性4−フェニル−4−
ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルを合成する方法(J.
Org.Chem.1995,60,5386−538
7)。 2)4−フェニル−3−ブテン酸メチルを、キラルセレ
ノ化合物でヒドロキシセレノ化し、脱セレノ化すること
により、光学活性4−フェニル−4−ヒドロキシ−2−
ブテン酸メチルを製造する方法(Tetrahedro
n Asymmetry 1999,10,747−7
57.)。 3)フェニルアセトアルデヒドとキラルなα―スルフィ
ニル酢酸メチル誘導体とカップリング、ヒドロキシル基
の2,3−転位により、光学活性4−フェニル−4−ヒ
ドロキシ−2−ブテン酸メチルを製造する方法(J.O
r g.Chem.1991,56,2050−205
7)。
【0003】しかしながら、上記従来技術で製造される
4−フェニル−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル
は、いずれも0〜60%ee.と低光学純度であり、実
用的ではない。
【0004】また、光学活性4−アリール−4−ヒドロ
キシ酪酸誘導体の製造法としては、以下の様な方法が知
られている。 4)4−(3,4−ジクロロフェニル)−4−オキソ酪
酸tret−ブチルを、化学量論量の(+)−クロロジ
イソピノカンフィルボランで不斉還元することにより、
(R)−4−(3,4−ジクロロフェニル)−4−ヒド
ロ キシ酪酸tret−ブチルを製造する方法(Tet
rahedron 1992,48,10239−10
248.)。 5)4−フェニル−4−オキソ酪酸メチル、及び4−
(3,4−ジメトキシフェニル)−4−オキソ酪酸メチ
ルを、触媒量のキラルなオキサゾボロリジン存在下にボ
ラン還元することにより、(R)−4−フェニル−4−
ヒドロキシ酪酸メチル、及び(R)−4−(3,4−ジ
メトキシフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルを製造
する方法(J.Am.Chem.Soc.1 987,
109,7925−7926.)。 6)4−フェニル−4−オキソ酪酸メチルを、プロリン
から誘導されるキラルアミン存在下に塩化スズとジイソ
ブチルアルミニウムヒドリドから調製される還元剤を用
いて、不斉還元することにより、光学活性4−フェニル
−4−ヒドロキシ酪酸メチルを製造する方法(Chem
istry Lett .1985,813−81
6.)。
【0005】しかしながら、従来技術4)〜5)におい
ては、高い光学純度を達成しているが、高価な還元剤を
使用しており、さらに基質である4−アリール−4−オ
キソ酪酸誘導体が、主に置換ベンゼンとコハク酸無水物
とのフリーデルクラフツ反応により製造されるため、特
にニトロ基やメタンスルホニルアミノ基等の電子吸引性
置換基や異なる複数の置換基を有する4−アリール−4
−ヒドロキシ酪酸誘導体の合成に適用することが困難で
あった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記に鑑み、本発明の
目的は、医薬中間体として有用な光学活性4−アリール
−4−ヒドロキシ酪酸類、即ち光学活性4−アリール−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体、及び光学活性4
−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を安価で入手容
易な原料から簡便に製造できる方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記に鑑
み、鋭意検討を行った結果、安価で入手容易な原料から
光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸類を簡便に
製造できる方法を開発するに至った。
【0008】即ち、本発明は、一般式(2);
【0009】
【化15】 (式中、Arは置換基を有しても良い炭素数4〜15の
アリール基を表す。Rは水素原子、炭素数1〜10のア
ルキル基、又は炭素数1〜10のアラルキル基を表す。
*は不斉炭素を表す。)において、Arが置換基を有す
るフェニル基、又は置換基を有しても良いナフチル基で
ある光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸誘導体を提供する。
【0010】また、一般式(3);
【0011】
【化16】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)において、Ar
が4−アミノフェニル基、4−メタンスルホニルアミノ
フェニル基、又は4−ニトロフェニル基である光学活性
4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を提供する。
【0012】また、一般式(1):
【0013】
【化17】 (式中、Ar、Rは上記に同じ。)で表わされる4−ア
リール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカルボニル
基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源の存在
下、前記式(1)で表される4−アリール−4−オキソ
−2−ブテン酸誘導体のカルボニル基を立体特異的に還
元するとともに、該酵素源で2重結合も還元することを
特徴とする、一般式(3):
【0014】
【化18】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法
を提供する。また、一般式(1):
【0015】
【化19】 (式中、Ar、Rは上記に同じ。)で表わされる4−ア
リール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカルボニル
基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源の存在
下、前記式(1)で表される4−アリール−4−オキソ
−2−ブテン酸誘導体のカルボニル基を立体特異的に還
元し、一般式(2):
【0016】
【化20】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導
体を製造し、更に遷移金属触媒存在下に水素化すること
を特徴とする、一般式(3):
【0017】
【化21】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法
を提供する。
【0018】また、一般式(1a):
【0019】
【化22】 (式中、Rは上記に同じ。)で表わされる4−(4−ニ
トロフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカ
ルボニル基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源
の存在下、前記式(1a)で表される化合物のカルボニ
ル基を立体特異的に還元することにより、一般式(2
a):
【0020】
【化23】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
−(4―ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸誘導体を製造し、遷移金属触媒存在下に水素化する
と同時にニトロ基を還元することにより、一般式(3
b):
【0021】
【化24】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
−(4―アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
を製造し、更にアミノ基を保護することを特徴とする、
一般式(3c):
【0022】
【化25】 (式中、R、P1、P2、*は上記に同じ。)で表される
光学活性4−(4―N−保護アミノフェニル)−4−ヒ
ドロキシ酪酸誘導体の製造法を提供する。
【0023】また、一般式(1a):
【0024】
【化26】 (式中、Rは上記に同じ。)で表わされる4−(4−ニ
トロフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカ
ルボニル基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源
の存在下、前記式(1a)で表される化合物のカルボニ
ル基を立体特異的に還元するとともに、該酵素源で2重
結合も還元することにより、一般式(3a):
【0025】
【化27】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表わされる光学活性
4−(4―ニトロフェニル)―4―ヒドロキシ酪酸誘導
体を製造し、遷移金属触媒存在下にニトロ基を還元する
ことにより、一般式(3b):
【0026】
【化28】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
−(4―アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
を製造し、更にアミノ基を保護することを特徴とする、
一般式(3c):
【0027】
【化29】 (式中、R、P1、P2、*は上記に同じ。)で表される
光学活性4−(4―N−保護アミノフェニル)−4−ヒ
ドロキシ酪酸誘導体の製造法を提供する。
【0028】また、不純物が混入している一般式(2
a);
【0029】
【化30】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸誘導体から有機溶剤を用いて、前記式(2a)で表
される化合物に混入している不純物を除去し、前記式
(2a)で表される化合物を結晶として取得することを
特徴とする、単離精製法を提供する。
【0030】
【発明の実施の形態】以下に、本発明について詳述す
る。
【0031】本発明で用いる4−アリール−4−オキソ
−2−ブテン酸誘導体は、一般式(1)で表される。
【0032】
【化31】 本発明で製造される光学活性4−アリール−4−ヒドロ
キシ−2−ブテン酸誘導体は、一般式(2)で表され
る。
【0033】
【化32】 本発明で製造される光学活性4−アリール−4−ヒドロ
キシ酪酸誘導体は、一般式(3)で表される。
【0034】
【化33】 前記式(1)、(2)、及び(3)で表される化合物に
おいて、Arは置換基を有しても良い炭素数4〜15の
アリール基を表す。アリール基としては、例えばフェニ
ル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられ、更にピ
リジル基、フラニル基、チエニル基、ピローリル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、ピラゾリル基、ベ
ンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基、又はインドリル
基等の複素環も含まれる。好ましくは、フェニル基、ナ
フチル基、ピリジル基、又はインドリル基等であり、更
に好ましくは、フェニル基、又はナフチル基である。
【0035】上記Arの置換基としては、例えばフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、ニトロ基、ニト
ロソ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシアミノ基、炭
素数1〜10のアルキルアミノ基、炭素数1〜10のジ
アルキルアミノ基、N−保護アミノ基、アジド基、トリ
フルオロメチル基、カルボキシル基、ホルミル基、アセ
チル基、ベンゾイル基、ヒドロキシル基、炭素数1〜1
0のアルコキシ基、炭素数1〜10のアシルオキシ基、
炭素数1〜10のアルキルチオ基等が挙げられ、好まし
くはニトロ基、アミノ基、N−保護アミノ基、ハロゲ
ン、又は炭素数1〜10のアルキコキシ基等であり、置
換基の数は0〜3個が挙げられる。
【0036】ここで、N−保護アミノ基の保護基として
は例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガ
ニック・シンセシス第2版(Protective G
roups in Organic Synthesi
s,2nd Ed.)、テオドラ ダブリュ.グリーン
(Theodora W.Green)著、ジョン・ウ
イリー・アンド・サンズ(JOHN WILEY &
SONS)出版、1990年の309頁〜384頁に記
載された保護基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、
フェネチル基、トリフェニルメチル基等のアラルキル型
保護基;メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、
p−トルエンスルホニル基、o−ニトロベンゼンスルホ
ニル基、 m−ニトロベンゼンスルホニル基、p−ニト
ロベンゼンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニ
ル基等のスルホニル型保護基;メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ベンジロキシカルボニル基、t
ert−ブトキシカルボニル基等のカルバメート型保護
基;フタロイル基、アセチル基、クロロアロチル基、ト
リフルオロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等
のアセチル型保護基が挙げられ、好ましくはメタンスル
ホニル基、ベンゼンスルホニル基、p−トルエンスルホ
ニル基、o−ニトロベンゼンスルホニル基、m−ニトロ
ベンゼンスルホニル基、p−ニトロベンゼンスルホニル
基、トリフルオロメタンスルホニル基等のスルホニル型
保護基が挙げられ、更に好ましくはメタンスルホニル基
である。
【0037】また、前記式(1)、(2)、及び(3)
で表される化合物において、Rは水素原子、炭素数1〜
10のアルキル基、又は炭素数7〜10のアラルキル基
を表す。アルキル基としては、例えばメチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基、n−ヘキシル基等が挙げられ、好ましくはメ
チル基、又はエチル基等である。アラルキル基として
は、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【0038】また、前記式(2)及び(3)で表される
化合物において、*は不斉炭素を表す。
【0039】前記式(1)で表される4−アリール−4
−オキソ−2−ブテン酸誘導体は、安価で入手容易なア
リールメチルケトンから、特開平4−235142に記
載の方法に従って、簡便に製造することが出来る。具体
的には例えば、グリオキシル酸とメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、n−ブタノール、又はベンジル
アルコール等のアルコールを硫酸、又はメタンスルホン
酸等の酸触媒存在下に加熱脱水することにより、グリオ
キシル酸エステル誘導体を製造し、更にアリールメチル
ケトンと加熱攪拌することにより容易に製造することが
出来る。
【0040】なお、前記式(2)において、Arが置換
基を有するフェニル基、又は置換基を有しても良いナフ
チル基である光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ−
2−ブテン酸誘導体は、文献に未記載の新規化合物であ
る。ここで、置換基として好ましくは、ニトロ基、N−
保護アミノ基、ハロゲン、炭素数1〜10のアルコキシ
基である。また、Arとして更に好ましくは、4−ニト
ロフェニル基、4−メタンスルホニルアミノフェニル
基、3,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジメトキシ
フェニル基、ナフタレン−1−イル基が挙げられる。ま
た、Rとして好ましくは炭素数1〜10のアルキル基で
あり、更に好ましくはメチル基、又はエチル基である。
【0041】また、前記式(2)で表される化合物の絶
対配置として、好ましくはS体である。
【0042】前記式(3)において、Arが4−アミノ
フェニル基、又は4−ニトロフェニル基である光学活性
4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体は、文献に未
記載の新規化合物である。ここで、Rとして好ましくは
炭素数1〜10のアルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、又はエチル基である。また、前記式(3)で表
される化合物の絶対配置として、好ましくはS体であ
る。
【0043】次に、4−(4−ニトロフェニル)−4−
オキソ−2−ブテン酸誘導体は、一般式(1a)で表さ
れる。
【0044】
【化34】 光学活性4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ
−2−ブテン酸誘導体は、一般式(2a)で表される。
【0045】
【化35】 光学活性4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ
酪酸誘導体は、一般式(3a)で表される。
【0046】
【化36】 光学活性4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ
酪酸誘導体は、一般式(3b)で表される。
【0047】
【化37】 光学活性4−(4−N−保護アミノフェニル)−4−ヒ
ドロキシ酪酸誘導体は、一般式(3c)で表される。
【0048】
【化38】 前記式(1a)、(2a)、(3a)、(3b)、及び
(3c)で表される化合物において、Rは水素原子、炭
素数1〜10のアルキル基、又は炭素数7〜10のアラ
ルキル基を表す。アルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、
n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基等が挙げられ、好
ましくはメチル基、又はエチル基等である。アラルキル
基としては、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げ
られる。
【0049】また、前記式(3c)で表される化合物に
おいて、P1とP2は、独立して水素原子、又はアミノ基
の保護基を表し、P1とP2が一緒になってフタルロイル
基であってもよく、P1とP2が共に水素原子であること
はない。ここで、アミノ基の保護基としては、例えば、
プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シ
ンセシス第2版(Protective Groups
in Organic Synthesis,2nd
Ed.)、テオドラ ダブリュ.グリーン(Theo
dora W.Green)著、ジョン・ウイリー・ア
ンド・サンズ(JOHN WILEY & SONS)
出版、1990年の309頁〜384頁に記載された保
護基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル
基、トリフェニルメチル基等のアラルキル型保護基;メ
タンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、p−トルエ
ンスルホニル基、o−ニトロベンゼンスルホニル基、
m−ニトロベンゼンスルホニル基、p−ニトロベンゼン
スルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基等のス
ルホニル型保護基;メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ベンジロキシカルボニル基、tert−ブ
トキシカルボニル基等のカルバメート型保護基;フタロ
イル基、アセチル基、クロロアロチル基、トリフルオロ
アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のアセチル
型保護基が挙げられ、好ましくはメタンスルホニル基、
ベンゼンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、o
−ニトロベンゼンスルホニル基、m−ニトロベンゼンス
ルホニル基、p−ニトロベンゼンスルホニル基、トリフ
ルオロメタンスルホニル基等のスルホニル型保護基が挙
げられ、更に好ましくはメタンスルホニル基である。
【0050】また、前記式(2a)、(3a)、(3
b)、及び(3c)で表される化合物において、*は不
斉炭素を表す。
【0051】次に、本発明における光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ酪酸類、即ち光学活性4−アリール
−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体、及び光学活性
4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法につ
いて説明する。
【0052】まず、本発明における光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体、又は光学活
性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法に
ついて説明する。
【0053】前記式(1)で表される光学活性4−アリ
ール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカルボニル基
を立体特異的に還元する活性を有する酵素源の存在下、
前記式(1)のカルボニル基を立体特異的に還元するこ
とにより、前記式(2)で表される光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体を製造するこ
とが出来る。また、前記式(1)で表される光学活性4
−アリール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカルボ
ニル基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源の存
在下、前述式(1)のカルボニル基を立体特異的に還元
するとともに、該酵素源で2重結合も還元することによ
り、前記式(3)で表される光学活性4−アリール−4
−ヒドロキシ酪酸誘導体を製造することが出来る。
【0054】本発明の還元工程において、4−アリール
−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体を立体特異的に還元
する活性を有する酵素源としては、キャンディダ属、ク
リプトコッカス属、デバリオマイセス属、デッカラ属、
クリベロマイセス属、コマガタエラ属、ロッデロマイセ
ス属、メッチニコビア属、オガタエア属、ピキア属、ロ
ードスポリディウム属、ロードトルラ属、サッカロマイ
セス属、サッカロマイコプシス属、スポロボロマイセス
属、トルラスポラ属、トリゴノプシス属、ウィリオプシ
ス属、ヤマダザイマ属、チゴサッカロマイセス属、セル
ロモナス属、エンテロバクター属、エンセニア属、マイ
クロバクテリウム属、マイクロコッカス属、ノカルディ
ア属、ロードコッカス属、セラチア属に属する微生物の
菌体、培養物またはそれらの処理物が挙げられ、好まし
くは、キャンディダ・アルビカンス、キャンディダ・カ
ンタレリー、キャンディダ・グラエボーサ、キャンディ
ダ・インターメディア、キャンディダ・マグノリエ、キ
ャンディダ・マルトサ、キャンディダ・マリス、キャン
ディダ・モギー、キャンディダ・オレオフィラ、キャン
ディダ・テヌイス、キャンディダ・トロピカリス、キャ
ンディダ・バーサチリス、クリプトコッカス・アルビダ
ス・バー・アルビダス、デバリオマイセス・カルソニ
ー、デバリオマイセス・シュードポリモルファス、デッ
カラ・アノマラ、クリベロマイセス・サーモトレラン
ス、コマガタエラ・パストリス、ロッデロマイセス・エ
ロンギスポラス、メッチニコビア・ビカスピダータ、メ
ッチニコビア・プルケリマ、オガタエア・ミヌタ・バー
・ミヌタ、オガタエア・ポリモルファ、ピキア・アノマ
ラ、ピキア・ボビス、ピキア・シルビコーラ、ピキア・
トリアングラリス、ロードスポリディウム・スファエロ
カルファム、ロードスポリディウム・トルロイデス、ロ
ードトルラ・アラウカリアエ、ロードトルラ・グルチニ
ス、ロードトルラ・グラミニス、サッカロマイセス・ダ
イレンシス、サッカロマイコプシス・マランガ、スポロ
ボロマイセス・パラロセウス、スポロボロマイセス・サ
ルモニコーラ、トルラスポラ・デルブルエッキー、トル
ラスポラ・グロボサ、トリゴノプシス・バリアビリス、
ウィリオプシス・サターナス・バー・ムラキー、ウィリ
オプシス・サターナス・バー・サターナス、ウィリオプ
シス・サターナス・バー・スアベオレンス、ヤマダザイ
マ・ファリノサ、ヤマダザイマ・ハプロフィラ、ヤロヴ
ィア・リポリティカ、チゴサッカロマイセス・バイリ
ー、チゴサッカロマイセス・ルキシー、セルロモナス・
スピーシーズ、セルロモナス・フィミ、エンテロバクタ
ー・アエロジェネス、エンセニア・カニクルリア、マイ
クロバクテリウム・アルボレッセンス、マイクロバクテ
リウム・インペリアレ、マイクロコッカス・ルテアス、
ノカルディア・グロベルーラ、ロードコッカス・エリス
ロポリス、ロードコッカス・ロードクロウス、セラチア
・プロテアマクランス・サブスピーシーズ・プロテアマ
クランスからなる群から選ばれた微生物の菌体、培養物
またはそれらの処理物である。
【0055】ここで、「微生物の培養物」とは、菌体を
含む培養液あるいは培養菌体を意味し、「その処理物」
とは、例えば、粗抽出液、凍結乾燥微生物体、アセトン
乾燥微生物体、またはそれら菌体の磨砕物等を意味す
る。さらにそれらは、酵素自体あるいは菌体のまま公知
の手段で固定化されて用いることが出来る。固定化は、
当業者に周知の方法(例えば架橋法、物理的吸着法、包
括法等)で行うことが出来る。
【0056】なお、上記微生物は野生株であっても変異
株であってもよい。さらに、酵素源として、細胞融合ま
たは遺伝子操作等の遺伝学的手法により誘導される形質
転換細胞も用いることが出来る。形質転換細胞は、例え
ば、該カルボニル還元酵素を単離及び/または精製して
酵素のアミノ酸配列の一部または全部を決定する工程、
このアミノ酸配列に基づいて酵素をコードするDNA配
列を得る工程、このDNAを宿主細胞に導入して形質転
換細胞を得る工程、及びこの形質転換細胞を培養して、
本酵素を得る工程を含有する方法により得ることが出来
る(WO98−35025)。
【0057】形質転換細胞として、カルボニル還元酵素
と該酵素が依存する補酵素を再生する能力を有する酵素
の遺伝子を同一宿主細胞内に導入することによって、還
元酵素及びこの酵素が依存する補酵素を再生する能力を
有する酵素を生産できる形質転換細胞を育種し、その培
養物またはその処理物等を用いて上記と同様の反応を行
えば、別途に補酵素の再生に必要な酵素源を調整し添加
する必要がないため、より低コストで光学活性4−アリ
ール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体、または光
学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を製造
することができる。
【0058】このような形質転換細胞としては、例え
ば、上記カルボニル還元酵素をコードするDNA、及び
該酵素が依存する補酵素を再生する能力を有する酵素を
コードするDNAを有するプラスミドで形質転換された
形質転換細胞が挙げられ、好ましくは前記補酵素を再生
する能力を有する酵素がグルコース脱水素酵素である上
記形質転換細胞、前記グルコース脱水素酵素が、バシラ
ス・メガテリウム(Bacillus megater
ium)由来である上記形質転換細胞、前記プラスミド
がpNTCRGである上記形質転換細胞、形質転換細胞
が大腸菌である上記形質転換細胞等が挙げられ、より好
ましくは、Escherichia coli HB1
01(pNTCRG)受託番号FERM BP-689
8が挙げられる。
【0059】酵素源として用いる微生物の為の培養培地
は、その微生物が増殖し得るものである限り特に限定さ
れない。例えば、炭素源として、グルコース、シューク
ロース等の糖質、エタノール、グリセロール等のアルコ
ール類、オレイン酸、ステアリン酸等の脂肪酸及びその
エステル類、菜種油、大豆油等の油類、窒素源として、
硫酸アンモニウム、硝酸ナトリウム、ペプトン、カザミ
ノ酸、コーンスティープリカー、ふすま、酵母エキスな
ど、無機塩類として、硫酸マグネシウム、塩化ナトリウ
ム、炭酸カルシウム、燐酸1水素カリウム、燐酸2水素
カリウムなど、他の栄養源として、麦芽エキス、肉エキ
ス等を含有する通常の液体培地が使用することが出来
る。培養は好気的に行い、通常、培養時間は1〜5日間
程度、培地のpH3〜9、培養温度は10〜50℃で行
うことが出来る。
【0060】本発明の還元工程において、反応は適当な
溶媒中に基質の4−アリール−4−オキソ−2−ブテン
酸誘導体、補酵素NAD(P)及び上記微生物の培養物
またはその処理物等を添加し、pH調整下攪拌する事に
より行うことが出来る。反応条件は用いる酵素、微生物
またはその処理物、基質濃度等によって異なるが、通
常、基質濃度は約0.1〜90重量%、補酵素NAD
(P)は基質に対して0.0001〜1モル%、反応温
度は10〜50℃、反応pH4〜9、反応時間は1〜7
2時間で行うことが出来る。基質は一括、または連続的
に添加して行うことが出来る。反応はバッチ方式または
連続方式で行うことが出来る。
【0061】本還元工程においては、一般に用いられる
補酵素NAD(P)H再生系を組み合わせて用いる事に
より、高価な補酵素の使用量を大幅に減少させることが
出来る。代表的な補酵素再生系としては、グルコース脱
水素酵素及びグルコースを用いる方法、又は、ギ酸脱水
素酵素とギ酸を用いる方法等が挙げられる。
【0062】還元反応で生じた光学活性4−アリール−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体、または光学活性
4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体は、常法によ
り精製することが出来る。例えば、(S)−4−(4−
ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチ
ルは、微生物等を用いた場合には必要に応じ遠心分離、
濾過等の処理を施して菌体等の懸濁物を除去し、次いで
酢酸エチル、トルエン等の有機溶媒で抽出し、有機溶媒
を減圧下に除去し、そして減圧蒸留またはクロマトグラ
フィー等の処理を行う事により、精製することが出来
る。
【0063】次に、本発明における光学活性4−アリー
ル−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法について説明す
る。
【0064】前記式(2)で表される光学活性4−アリ
ール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体は、遷移金
属触媒存在下に水素化することにより、前記式(3)で
表される光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘
導体に変換することが出来る。上記遷移金属触媒として
は、例えば白金、ロジウム、パラジウム、ニッケル、ル
テニウム、イリジウム、又はレニウム触媒であり、好ま
しくは、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、又
はニッケル触媒が挙げられる。
【0065】具体的には白金、ロジウム、パラジウム、
ニッケル、ルテニウム、イリジウム、又はレニウム等の
金属、合金、若しくはその塩化物、臭化物、ヨウ化物、
硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、酸化物、硫化物、硼化物、
水酸化物、シアン化物、アセチルアセトネート、酢酸
塩、又はトリフルオロ酢酸塩等が挙げられ、更に具体的
には、白金金属、白金ブラック、白金(II)アセチル
アセトネート、白金(II)ビス(ベンゾニトリル)ジ
クロリド、白金(II)ブロミド、白金(IV)ブロミ
ド、白金(II)クロリド、白金(IV)クロリド、白
金(II)シアニド、白金(II)ヨージド、白金イリ
ジウム合金、酸化(IV)白金、酸化(IV)白金水和
物、白金ロジウム合金、白金パラジウム合金、白金(I
V)スルフィド、ロジウム金属、ロジウムブラック、ロ
ジウム(II)酢酸塩、ロジウム(II)アセチルアセ
テート、ロジウム(II)ブロミド水和物、ロジウム
(III)クロリド、ロジウム(III)クロリド水和
物、ロジウム(II)ヘキサフルオロブタン酸塩、ロジ
ウム(II)ヘキサン酸塩、ロジウム(III)ヨージ
ド水和物、硝酸ロジウム(III)、酸化ロジウム(I
II)、酸化ロジウム(III)水和物、リン酸ロジウ
ム(III)、硫酸ロジウム(III)、ロジウム(I
I)トリフルオロ酢酸塩、パラジウム金属、パラジウム
ブラック、パラジウム(II)酢酸塩、パラジウム(I
I)アセチルアセトネート、パラジウム(II)ビス
(ベンゾニトリル)ジクロリド、パラジウム(II)ブ
ロミド、パラジウム(II)クロリド、パラジウム(I
I)シアニド、水酸化パラジウム(II)、パラジウム
(II)ヨージド、硝酸パラジウム(II)、硝酸パラ
ジウム(II)水和物、酸化パラジウム(II)、酸化
パラジウム(II)水和物、パラジウム(II)プロピ
オン酸塩、硫酸パラジウム(II)、パラジウム(I
I)スルフィド、パラジウム(II)トリフルオロ酢酸
塩、ニッケル金属、ラネーニッケル、硼化ニッケル、酸
化ニッケル(II)、ルテニウム金属、ルテニウムブラ
ック、ルテニウム(III)アセチルアセトネート、ル
テニウム(III)ブロミド、ルテニウム(III)ブ
ロミド水和物、ルテニウム(III)クロリド、ルテニ
ウム(III)クロリド水和物、ルテニウム(III)
ヨージド、ルテニウム(III)ニトロシルクロリド水
和物、硝酸ルテニウム(III)ニトロシル、酸化ルテ
ニウム(IV)、酸化ルテニウム(IV)水和物、イリ
ジウム金属、イリジウム(III)アセチルアセトネー
ト、イリジウム(III)ブロミド水和物、イリジウム
(III)クロリド、イリジウム(III)クロリド塩
酸塩、イリジウム(IV)クロリド水和物、酸化イリジ
ウム(IV)、酸化イリジウム(IV)水和物、レニウ
ム金属、レニウム(III)クロリド、レニウム(V)
クロリド、レニウム(IV)フルオリド、酸化レニウム
(IV)、酸化レニウム(VI)、酸化レニウム(VI
I)、レニウム(VII)スルフィド等が挙げられる。
好ましくは、酸化白金、酸化パラジウム、プラチナブラ
ック、パラジウムブラック、ラネーニッケル、硼化ニッ
ケル等が挙げられる。
【0066】また、これらの触媒は、触媒活性、再現
性、保存安定性、操作性、リサイクルの観点から、粉末
担体に分散させた触媒を用いることがより好ましい。上
記粉末担体としては、例えば、炭素、アルミナ、シリカ
ーアルミナ、シリカ、炭酸バリウム、硫酸バリウム、炭
酸カルシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、ゼオラ
イト、又はアスベスト等が挙げられ、好ましくは、これ
ら粉末担体に担持された白金、ロジウム、ルテニウム、
又はパラジウムの金属、若しくはその硫化物、又は水酸
化物等である。
【0067】具体的には、例えば、白金−炭素、白金
(II)スルフィド−炭素、白金−アルミナ、白金−シ
リカーアルミナ、白金−シリカ、白金−炭酸バリウム、
白金−硫酸バリウム、白金−炭酸カルシウム、白金−酸
化チタン、白金−酸化ジルコニウム、白金−ゼオライ
ト、白金−アスベスト、白金ロジウム合金−炭素、白金
パラジウム合金−炭素、ロジウム−炭素、ロジウム−ア
ルミナ、ロジウム−シリカ、ロジウム−炭酸カルシウ
ム、パラジウム−炭素、水酸化パラジウム(II)−炭
素、パラジウム(II)スルフィド−炭素、パラジウム
−アルミナ、パラジウム−シリカーアルミナ、パラジウ
ム−シリカ、パラジウム−炭酸バリウム、パラジウム−
硫酸バリウム、パラジウム−炭酸カルシウム、パラジウ
ム−酸化チタン、パラジウム−酸化ジルコニウム、パラ
ジウム−ゼオライト、パラジウム−アスベスト、ルテニ
ウム−炭素、ルテニウム−アルミナ、ルテニウム−シリ
カ、ルテニウム−炭酸カルシウム、イリジウム−炭素、
イリジウム−アルミナ、イリジウム−シリカ、イリジウ
ム−炭酸カルシウム等が挙げられ、好ましくは、パラジ
ウム−炭素、ロジウム−炭素、白金−炭素、ルテニウム
−炭素、パラジウム−アルミナ、白金−アルミナ、パラ
ジウム−炭酸カルシウム、白金−炭酸カルシウム、パラ
ジウム−硫酸バリウム、白金−硫酸バリウム等が挙げら
れる。
【0068】これら遷移金属触媒は、単独で用いてもよ
く、2種以上併用してもよい。上記遷移金属触媒の使用
量としては、光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ−
2−ブテン酸誘導体に対し、1倍モル量以下、好ましく
は0.5倍モル量以下、更に好ましくは0.2倍モル量
以下である。
【0069】本反応の反応温度としては、好ましくは−
20〜100℃、更に好ましくは0〜50℃である。本
反応における水素圧は、好ましくは50気圧以下であ
り、更に好ましくは10気圧以下である。
【0070】本反応に使用できる反応溶媒は、例えば、
水;メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−
ブタノール等のアルコール系溶媒;ヘキサン、ヘプタ
ン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶剤;ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、
メチルtert−ブチルエーテル、ジメトキシエタン等
のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢
酸tert−ブチル等のエステル系溶媒;アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶媒;塩化メチレン、ク
ロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン等のハロゲ
ン系溶媒;ジメチルホルムアミド、アセトアミド、ホル
ムアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル等の含窒
素系溶媒;ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極
性溶媒等が挙げられる。上記有機溶媒は、単独で用いて
もよく、2種以上を併用してもよい。好ましくは、メタ
ノール、エタノール、トルエン、酢酸エチル、アセト
ン、塩化メチレン、メチルtert−ブチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等である。
【0071】本反応においては、副反応として、例えば
4位の水酸基の水素化分解による4−アリール酪酸誘導
体の副生、及び、4位の炭素上のアリル水素が転位する
ことによる4−アリール−4−オキソ酪酸誘導体の副生
等が生じることから、反応を効率よく実施するために
は、これら副反応を最小限に抑制するのが好ましい。本
発明者らは鋭意検討の結果、本反応を触媒量の塩基の存
在下で実施することにより、これら副反応を最小限に抑
制出来ることを見出した。
【0072】ここで、塩基としては、例えば水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム、水酸化マグネシウム、炭酸リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩基;リチウムメ
トキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムtert−ブト
キシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カ
リウムtert−ブトキシド等の金属アルコキシド;ア
ンモニア、メチルアミン、ブチルアミン、アニリン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミ
ン、N−メチルアニリン、ピペリジン、モルホリン、ト
リエチルアミン、N−メチルピペリジン、N−メチルモ
ルホリン、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチル
ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、イミダゾ
ール等のアミン類が挙げられる。好ましくは、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、ナトリ
ウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、アンモニア、
トリエチルアミン、又はピリジン等であり、更に好まし
くはトリエチルアミン、又はピリジンである。
【0073】上記塩基の使用量としては、光学活性4−
アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体に対
し、好ましくは0.001〜10倍モル量であり、更に
好ましくは0.01〜2倍モル量である。
【0074】本反応の後処理としては、例えば反応液か
ら生成物を取得するための一般的な後処理を行えばよ
い。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な
抽出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化
メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行
う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応
溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。ま
た、反応溶剤に不溶の遷移金属触媒を用いる場合は、減
圧濾過、加圧濾過、又は遠心分離等の操作により遷移金
属触媒を濾別した後、減圧加熱等の操作により反応溶媒
を留去して目的物を得ることが出来、更に溶液のまま次
工程に用いることも出来る。
【0075】前記式(3)で表される光学活性4−アリ
ール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の中でも、特に前記式
(3c)で表される光学活性4−(N−保護アミノフェ
ニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体は医薬品等の中間体
として有用な化合物であることから、その製造法につい
て、下記に示した式に従い順を追って説明する。
【0076】
【化39】 まず、工程1は、前記式(1a)で表される光学活性4
−(4−ニトロフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸
誘導体のカルボニル基を立体特異的に還元する活性を有
する酵素源の存在下、前記式(1a)で表される化合物
のカルボニル基を立体特異的に還元することにより、前
記式(2a)で表わされる光学活性4−(4―ニトロフ
ェニル)―4―ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体を製造
する工程である。本工程の反応条件については、前記式
(1)で表される光学活性4−アリール−4−オキソ−
2−ブテン酸誘導体から、前記式(3)で表される光学
活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導
体に変換する工程で行った詳細説明と同じである。
【0077】次に、工程2は、前記式(2a)で表わさ
れる光学活性4−(4―ニトロフェニル)―4―ヒドロ
キシ−2−ブテン酸誘導体を、遷移金属触媒存在下に水
素化すると同時に、ニトロ基を還元することにより、前
記式(3b)で表される光学活性4−(4−アミノフェ
ニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を製造する工程であ
る。本反応において、使用できる遷移金属触媒とその使
用量、反応温度、水素圧、使用できる反応溶剤、使用で
きる塩基とその使用量、後処理法等は、前記式(2)で
表わされる光学活性4−アリール―4―ヒドロキシ−2
−ブテン酸誘導体から、前記式(3)で表される光学活
性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体に変換する
工程で行った詳細説明と同じである。
【0078】次に、工程3は、前記式(3b)で表され
る光学活性4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキ
シ酪酸誘導体のアミノ基を保護することにより、前記式
(3c)で表される光学活性4−(4−N−保護アミノ
フェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体を製造する工程
である。ここで、アミノ基の保護基としては特に限定さ
れず、保護基に応じて条件を設定する。例えば、プロテ
クティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシ
ス第2版(Protective Groups in
Organic Synthesis,2nd E
d.)、テオドラダブリュ.グリーン(Theodor
a W.Green)著、ジョン・ウイリー・アンド・
サンズ(JOHN WILEY & SONS)出版、
1990年の309頁〜384頁に記載された方法を用
いて行うことが出来る。
【0079】具体的には、例えば前記式(3b)で表さ
れる光学活性4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロ
キシ酪酸誘導体を、塩基存在下に保護試薬で処理するこ
とにより、アミノ基を保護することが出来る。
【0080】前記塩基としては、例えば水酸化リチウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウム、水酸化マグネシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム、
炭酸マグネシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等の無機塩基、又はトリエチル
アミン、N−メチルピペリジン、N−メチルモルホリ
ン、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジ
ン、N,N−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール等
の3級アミン類が挙げられる。好ましくは、トリエチル
アミン、N−メチルピペリジン、N−メチルモルホリ
ン、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジ
ン、N,N−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール等
の3級アミン類であり、更に好ましくはトリエチルアミ
ン、又はピリジンである。前記塩基の使用量としては、
光学活性4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ
酪酸誘導体に対し、好ましくは0.8〜10倍モル量で
あり、更に好ましくは1〜4倍モル量である。
【0081】前記保護試薬としては、ベンジルクロライ
ド、ベンジルブロマイド、p−クロロベンジルクロライ
ド、p−メトキシベンジルクロライド、p−ニトロベン
ジルクロライド、フェネチルクロライド、トリフェニル
メチルクロライド等のアラルキル化剤;メタンスルホニ
ルクロライド、ベンゼンスルホニルクロライド、p−ト
ルエンスルホニルクロライド、o−ニトロベンゼンスル
ホニルクロライド、m−ニトロベンゼンスルホニルクロ
ライド、p−ニトロベンゼンスルホニルクロライド、無
水トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン化剤;メ
トキシカルボニルクロライド、エトキシカルボニルクロ
ライド、ベンジロキシカルボニルクロライド、ジter
t−ブトキシジカーボネート等のカルバメート化剤;ア
セチルクロライド、アセチルブロマイド、プロピオニル
クロライド、ピバロイルクロライド、ベンゾイルクロラ
イド、p−ニトロベンゾイルクロライド、クロロアセチ
ルクロライド、トリクロロアセチルクロライド、無水酢
酸、無水トリフルオロ酢酸、無水安息香酸、無水フタル
酸等のアシル化剤等が挙げられる。好ましくは、メタン
スルホニクロライド、ベンゼンスルホニルクロライド、
p−トルエンスルホニルクロライド、o−ニトロベンゼ
ンスルホニルクロライド、 m−ニトロベンゼンスルホ
ニルクロライド、p−ニトロベンゼンスルホニルクロラ
イド、無水トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン
化剤であり、更に好ましくはメタンスルホニルクロライ
ドである。
【0082】前記保護試薬の使用量としては、光学活性
4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導
体に対し、好ましくは0.8〜10倍モル量であり、更
に好ましくは1〜3倍モル量である。
【0083】本反応の反応温度としては、好ましくは−
20〜80℃、更に好ましくは−10〜40℃である。
【0084】本反応に使用できる反応溶媒は、例えば、
ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶剤;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,
4−ジオキサン、メチルtert−ブチルエーテル、ジ
メトキシエタン等のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸
n−プロピル、酢酸tert−ブチル等のエステル系溶
媒;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒;
塩化メチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロ
エタン等のハロゲン系溶媒;ジメチルホルムアミド、ア
セトアミド、ホルムアミド、アセトニトリル、プロピオ
ニトリル等の含窒素系溶媒;ジメチルスルホキシド、N
−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等
の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。上記有機溶媒
は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
好ましくは、トルエン、酢酸エチル、アセトン、塩化メ
チレン、メチルtert−ブチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジメチルホルムアミド等である。
【0085】本反応の後処理としては、例えば反応液か
ら生成物を取得するための一般的な後処理を行えばよ
い。例えば、反応終了後の反応液に水、又は塩酸、硫
酸、塩化アンモニウム等の酸水溶液を加え、一般的な抽
出溶媒、例えば酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メ
チレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行
う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応
溶媒及び抽出溶媒を留去すると、目的物が得られる。さ
らに目的物は、カラムクロマトグラフィー、分別蒸留、
晶析等の操作により精製を行い、純度を高めることが出
来る。
【0086】次に、工程4は、前記式(1a)で表され
る光学活性4−(4−ニトロフェニル)−4−オキソ−
2−ブテン酸誘導体のカルボニル基を立体特異的に還元
する活性を有する酵素源の存在下、前記式(1a)で表
される化合物のカルボニル基を立体特異的に還元すると
ともに、該酵素源で2重結合も還元することにより、前
記式(3a)で表わされる光学活性4−(4―ニトロフ
ェニル)―4―ヒドロキシ酪酸誘導体を製造する工程で
ある。本工程の反応条件については、前記式(1)で表
される光学活性4−アリール−4−オキソ−2−ブテン
酸誘導体から、前記式(3)で表される光学活性4−ア
リール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体に変換する工程で行
った詳細説明と同じである。
【0087】次に、工程5は、前記式(3a)で表わさ
れる光学活性4−(4―ニトロフェニル)―4―ヒドロ
キシ酪酸誘導体を、遷移金属触媒存在下にニトロ基を還
元することにより、前記式(3b)で表される光学活性
4−(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導
体を製造する工程である。
【0088】本工程において、使用できる遷移金属触媒
とその使用量、反応温度、水素圧、使用できる反応溶
剤、使用できる塩基とその使用量、後処理法等は、前記
式(2)で表わされる光学活性4−アリール―4―ヒド
ロキシ−2−ブテン酸誘導体から、前記式(3)で表さ
れる光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
に変換する工程で行った詳細説明と同じである。
【0089】次に、本発明における光学活性4−(4−
ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導
体の単離精製法について説明する。
【0090】前記式(1a)で表される4−(4−ニト
ロフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカル
ボニル基を、微生物由来の酵素源存在下に立体特異的に
還元することにより製造される、前記式(2a)で表さ
れる光学活性4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロ
キシ−2−ブテン酸誘導体は、製造過程における分解や
副反応のため、各種不純物を含有しやすい。とりわけ、
立体選択性の低い酵素源による還元反応では、前記化合
物(2a)の鏡像異性体(エナンチオマー)を多量に副
生する傾向があり、高品質の目的物を得るためには、こ
れらの不純物を除去する必要がある。一般に、構造の類
似した不純物(類縁物質)の除去は難しく、これらの不
純物を除去して高品質の目的物を得るためには、優れた
精製、単離方法が必要である。本発明者らは鋭意検討の
結果、不純物を含む前記化合物(2a)を有機溶剤から
晶析することにより、これら不純物を除去し、高純度の
目的物を効率よく取得できる方法を開発するに至った。
【0091】本工程において使用される有機溶剤として
は、湿結晶からの溶剤の乾燥や溶剤の回収再利用(蒸留
回収)等の観点から、比較的沸点の低い有機溶剤が好ま
しく、このような有機溶剤としては、一般には、1気圧
以下で沸点が約100℃以下のものが挙げられる。
【0092】前記有機溶剤としては特に限定されず、具
体的には例えば、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸tret
−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、
γ―ブチロラクトン等のエステル系溶剤;ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、テトラヒドロフランアセトン等のエーテル系
溶剤;メチルエチルケトン、ジエチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;アセト
ニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤、塩化
メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロ
ロエタン、1,1,1―トリクロロエタン等のハロゲン
系溶剤;メタノール、エタノール、iso−プロパノー
ル、n−ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられ
る。好ましくは蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸tret−ブ
チル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ―
ブチロラクトン等のエステル系溶剤であり、更に溶剤コ
ストや取り扱い性の総合的観点から、酢酸エチル等が好
ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上併用し
てもよい。
【0093】前記有機溶剤を使用すると、前記化合物
(2a)の高い精製効果、即ち、各種不純物、とりわけ
前記化合物(2a)の鏡像異性体(エナンチオマー)の
効果的な除去が達成される。
【0094】前記有機溶剤の使用量は、前記化合物(2
a)の晶析操作終了時において、取得物の流動性が維持
できる量であるのが好ましく、例えば、前記化合物(2
a)に対し、好ましくは約30倍重量以下であり、更に
好ましくは約1〜30倍重量である。
【0095】本発明において、前記化合物(2a)の晶
析の際には、冷却晶析、濃縮晶析等の晶析方法、又は、
これらの晶析方法を組み合わせて用いることが出来る。
なお、前記濃縮晶析は、前記有機溶剤以外の他の溶剤か
らなる溶液を前記有機溶剤からなる溶液に置換していく
晶析法であってもよい。また、晶析に際しては、種晶を
添加してもよい。
【0096】本発明において、晶析に際しては前記有機
溶剤の他に、前記化合物(2a)の収量、処理濃度、液
性状、及び得られる結晶の物性のうち、少なくとも1つ
を改善するために、更に補助的な溶剤を用いることがで
きる。前記補助的な溶剤は、必要に応じて、前記有機溶
剤に添加してもよく、予め補助的な溶剤と前記有機溶剤
の混合溶液に前記化合物(2a)を加熱溶解させ、冷却
晶析することもできる。
【0097】前記補助的な溶剤としては、特に限定され
ず、例えばペンタン、石油エーテル、ネオペンタン、ヘ
キサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘプ
タン、シクロヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナ
ン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤、又はベンゼン、
トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレ
ン、エチルベンゼン、クメン、n−ブチルベンゼン、
1,3,5−メシチレン等の芳香族炭化水素系溶剤が挙
げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上併用
してもよい。なかでも、湿体からの溶剤の乾燥、溶剤の
回収再利用(蒸留回収)、溶剤コストや取り扱い性等の
総合的観点から、ヘキサン又はトルエン等が好ましい。
さらに、前記有機溶剤が水と相溶性のある溶剤、具体的
にはメタノール、エタノール、アセトン、又はアセトニ
トリル等である場合は、前記補助的な溶剤として水が使
用できる。
【0098】前記補助的な溶剤の適切な使用量は、簡単
な実験により設定できる。前記補助的な溶剤の使用量
は、収量や結晶スラリーの流動性の観点から、前記化合
物(2a)の晶析操作が終了した時点において、前記有
機溶剤と前記補助的な溶剤の容量比(前記有機溶剤/補
助的な溶剤)が、20以下となる量が好ましい。より好
ましくは、10以下となる量が用いられる。
【0099】本発明の精製、単離方法は、室温付近で実
施することができる。必要に応じて、加温又は冷却をす
ることができ、例えば、約60℃以下、通常は−30℃
〜50℃で行う。
【0100】このようにして得られた前記化合物(2
a)は、固液分離を行い、必要に応じて、更にケーキ洗
浄し、乾燥することもできる。前記固液分離の方法とし
ては特に限定されず、例えば、加圧濾過、減圧濾過、遠
心分離等の方法が挙げられる。前記乾燥の方法として
は、例えば、熱分解や溶融を避けて約60℃以下で、減
圧乾燥(真空乾燥)するのが好ましい。
【0101】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではない。
【0102】実施例1 4−(4−ニトロフェニル)−
4−オキソ−2−ブテン酸メチルの製造 グリオキシル酸水溶液(38.5重量%)300.0g
(1.56mol)を、減圧加熱下に約70重量%まで
濃縮した。ここに、メタノール400mL、トルエン3
00mL、濃硫酸3.06g(31.2mmol)を加
え、3時間加熱還流させ、得られた溶液を減圧濃縮する
と、黄色油状物194.6gが得られた。ここに、トル
エン500mL、p−ニトロアセトフェノン147.1
g(891mmol)を加え、130℃、8時間共沸脱
水させながら、加熱還流させた。得られる黒色溶液を、
水500mL、重曹10.48g、酢酸エチル1Lから
なる溶液に加えて抽出し、更に有機層を水500mLで
洗浄後、活性炭5gで攪拌処理を行った。次に、活性炭
を濾別後、約1/3容量まで減圧濃縮すると結晶が析出
したため、さらにヘキサン500mLを加えて、5℃、
1時間攪拌した。減圧濾過にて結晶を濾別し、冷トルエ
ン/ヘキサン溶液で洗浄、40℃で真空乾燥することに
より、4−(4−ニトロフェニル)−4−オキソ−2−
ブテン酸メチルを黄色結晶(134.9g)として得た
(単離収率:64%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
3.88(3H,s)、6.98(1H,d)、7.8
9(1H,d)、8.15(2H,d)、8.37(2
H,d)。
【0103】実施例2 4−(4−ニトロフェニル)−
4−オキソ−2−ブテン酸エチルの製造 グリオキシル酸水溶液(38.5重量%)44.9g
(227.1mmol)を、減圧加熱下に約70重量%
まで濃縮した。ここに、エタノール60mL、トルエン
50mL、濃硫酸297mg(3.03mmol)を加
え、3時間加熱還流させた。得られた溶液を減圧濃縮す
ると、黄色油状物が得られ、ここに、トルエン50m
L、p−ニトロアセトフェノン25.0g(151.4
mmol)を加えて、130℃、8時間共沸脱水させな
がら、加熱還流させた。得られる黒色溶液を、水100
mL、トルエン200mLからなる溶液に加えて抽出を
行い、更に有機層を飽和重曹水100mLで2回、水1
00mL、飽和食塩水100mLで順次洗浄後、活性炭
3.8gで攪拌処理を行った。活性炭を濾別後、減圧濃
縮することにより黄色固体49.13gが得られ、ここ
に酢酸エチル15mLを加えて、70℃で加温溶解させ
た。更にヘキサン45mLを加えて、室温まで冷却する
ことにより結晶が析出、減圧濾過にて結晶を濾別し、酢
酸エチル/ヘキサン=1/5溶液25mLで洗浄、40
℃で真空乾燥することにより、黄色固体23.0gを得
た。さらにこの固体を酢酸エチル20mL、ヘキサン2
0mLからなる溶液から再結晶することにより、4−
(4−ニトロフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸エ
チルを淡黄色結晶(11.73g)として得た(単離収
率:31%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.37(3H,t)、4.32(2H,q)、6.9
4(1H,d)、7.87(1H,d)、8.15(2
H,d)、8.37(2H,d)。
【0104】実施例3 4−(4−ニトロフェニル)−
4−オキソ−2−ブテン酸イソプロピルの製造 グリオキシル酸水溶液(38.5重量%)60.0g
(303.7mmol)を、減圧加熱下に約70重量%
まで濃縮した。ここに、イソプロパノール90mL、ト
ルエン69mL、濃硫酸620mg(6.33mmo
l)を加え、3時間加熱還流させた。得られた溶液を減
圧濃縮すると、黄色油状物(40.52g)が得られ、
ここにトルエン50mL、p−ニトロアセトフェノン2
5.0g(151.4mmol)を加え、130℃、8
時間共沸脱水させながら、加熱還流させた。得られる黒
色溶液を、水150mL、トルエン200mLからなる
溶液に加えて抽出を行い、更に有機層を飽和重曹水10
0mLで2回、飽和食塩水100mLで順次洗浄後、活
性炭3.5gで攪拌処理を行った。活性炭を濾別後、減
圧濃縮することにより褐色固体52.36gが得られ、
ここにトルエン20mLを加えて、60℃で加温溶解さ
せた。室温まで冷却することにより、結晶が析出し、減
圧濾過にて結晶を濾別し、冷トルエン40mLで洗浄、
40℃で真空乾燥することにより、4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸イソプロピルを淡
黄色固結晶(11.12g)として得た(単離収率:4
0%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.34(6H,d)、5.17(1H,m)、6.9
2(1H,d)、7.82(1H,d)、8.15(2
H,d)、8.37(2H,d)。
【0105】実施例4 4−(4−メタンスルホニルア
ミノフェニル)−4−オキソ−2−ブテン酸メチルの製
グリオキシル酸メチル・メチルヘミアセタール/トルエ
ン溶液(77.6重量%)30.9g(200mmo
l)、濃硫酸196mg(2mmol)、トルエン60
mL、4−(メタンスルホニルアミノ)アセトフェノン
21.3g(100mmol)からなる溶液を、130
℃、8時間共沸脱水させながら、加熱還流させた。得ら
れる黒色溶液を、飽和重曹水溶液100mL、酢酸エチ
ル500mLからなる溶液に加え、50℃に加温後、抽
出した。更に有機層を飽和食塩水100mLで洗浄し、
活性炭5g、無水硫酸マグネシウムで攪拌処理を行っ
た。活性炭、無水硫酸マグネシウムを濾別後、約1/2
容量まで減圧濃縮することにより結晶が析出、さらにト
ルエン200mLを加えて、5℃、1時間攪拌した。減
圧濾過にて結晶を濾別し、冷トルエン/ヘキサン溶液で
洗浄、40℃で真空乾燥することにより、4−(4−メ
タンスルホニルアミノフェニル)−4−オキソ−2−ブ
テン酸メチルを黄色結晶(13.44g)として得た
(単離収率:46%)。1 H−NMR( DMSO,400MHz/ppm);
3.05(3H,s)、3.85(3H,s)、6.8
6(1H,d)、7.39(2H,d)、7.90(1
H,d)、7.97(2H,d)、10.06(1H,
bs)。
【0106】実施例5 4−(3,4−ジクロロフェニ
ル)−4−オキソ−2−ブテン酸エチルの製造 グリオキシル酸エチル・エチルヘミアセタール/トルエ
ン溶液4.28g(39.7mmol)、濃硫酸52m
g(0.53mmol)、トルエン20mL、3,4−
ジクロロアセトフェノン4.28g(26.45mmo
l)からなる溶液を、130℃、8時間共沸脱水させな
がら、加熱還流させた。得られる黒色溶液を、水50m
L、トルエン100mLからなる溶液に加え、抽出し
た。有機層は更に飽和重曹水50mLで2回、飽和食塩
水50mLで順次洗浄し、活性炭720mg、無水硫酸
ナトリウムで攪拌処理を行った。活性炭、無水硫酸ナト
リウムを濾別後、減圧濃縮することにより、黄色固体
(9.28g)を得た。シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/7)にて精製し、
黄色固体(6.28g)を得た。さらにこの固体を酢酸
エチル5mL、ヘキサン25mLから再結晶することに
より、4−(3,4−ジクロロフェニル)−4−オキソ
−2−ブテン酸エチルを淡黄色固体(3.49g)とし
て得た(単離収率:48%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.36(3H,t)、4.31(2H,q)、6.9
1(1H,d)、7.60(1H,d)、7.81(1
H,d)、7.83(1H,d)、8.08(1H,
s)。
【0107】実施例6 4−(3,4−ジメトキシフェ
ニル)−4−オキソ−2−ブテン酸メチルの製造 グリオキシル酸メチル・メチルヘミアセタール/トルエ
ン溶液(77.6重量%)30.9g(200mmo
l)、濃硫酸196mg(2mmol)、トルエン60
mL、3,4−ジメトキシアセトフェノン18.0g
(100mmol)からなる溶液を、130℃、8時間
共沸脱水させながら、加熱還流させた。得られる黒色溶
液を、飽和重曹水溶液100mL、酢酸エチル300m
Lからなる溶液に加え、抽出した。有機層は更に飽和食
塩水100mLで洗浄し、活性炭5g、無水硫酸マグネ
シウムで攪拌処理を行った。活性炭、無水硫酸マグネシ
ウムを濾別後、減圧下に濃縮することにより、黒色油状
物40.8gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/3)にて精製するこ
とにより、4−(3,4−ジメトキシフェニル)−4−
オキソ−2−ブテン酸メチルを黄色固体(10.60
g)として得た(単離収率:54%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
3.85(3H,s)、3.96(3H,s)、3.9
8(3H,s)、6.89(1H,d)、6.93(1
H,d)、7.58(1H,s)、7.67(1H,
d)、7.95(1H,d)。
【0108】実施例7 4−(ナフタレン−1−イル)
−4−オキソ−2−ブテン酸メチルの製造 グリオキシル酸メチル・メチルヘミアセタール/トルエ
ン溶液(77.6重量%)30.9g(200mmo
l)、濃硫酸196mg(2mmol)、トルエン60
mL、1−アセトナフトン17.0g(100mmo
l)からなる溶液を、130℃、8時間共沸脱水させな
がら、加熱還流させた。得られる黒色溶液を、飽和重曹
水溶液50mL、酢酸エチル200mLからなる溶液に
加え、抽出した。有機層は更に飽和食塩水50mLで洗
浄し、活性炭5g、無水硫酸マグネシウムで攪拌処理を
行った。活性炭、無水硫酸マグネシウムを濾別後、減圧
下に濃縮することにより、濃赤色油状物を得た。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン
=1/3)にて精製することにより、4−(ナフタレン
−1−イル)−4−オキソ−2−ブテン酸メチルを黄色
油状物(28.94g)として得た。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
3.84(3H,s)、6.80(1H,d)、7.5
1−7.63(3H,m)、7.76(1H,d)、
7.86(1H,d)、7.90(1H,d)、8.0
4(1H,d)、8.53(1H,d)。
【0109】実施例8 光学活性4−(4−ニトロフェ
ニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル及び、光
学活性4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ酪
酸メチルの製造 (酵母)表1及び表2に示した微生物を、試験管中で滅
菌した5mLの半合成培地A(グルコース 40g、イ
ーストエキス 3g、(NH42HPO4 6.5g、K
2PO4 1g、MgS04・7H2O 0.8g、ZnS
4・7H2O 0.06g、FeS04・7H2O 0.0
9g、CuS04・5H2O 0.005g、MnS0 4
4H2O 0.01g、NaCl 0.1g、水 1L)に接
種し、28℃で3〜4日間振盪培養した。培養終了後、
遠心分離により培養液 より菌体を回収し、0.1Mカ
リウム-リン酸緩衝液(pH6.5)2.5mlにて懸
濁した。菌体懸濁液0.5mlに、実施例1で製造した
4−(4−ニトロフェニル)−4−オキソ-2−ブテン
酸メチル2.5mg、グルコース10mgを添加し、2
8℃で1日間振とうした。反応終了後、反応液を酢酸エ
チル2mlで抽出し、有機層をアセトニトリルで0.0
2%になるように希釈し、高速液体クロマトグラフィー
(HPLC)で生成した4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ酪酸メチル(表中、MNHB)および4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチル(表中、MNHC)の収率、光学純度、及び
立体配置を調べた結果を表1及び表2に示した。 HPLC分析条件(変換率) カラム:野村化学Develosil ODS−HG−
3 4.6φ×150mm、溶離液:アセトニトリル/
0.1%リン酸水溶液=1/1、流速:0.5mL/m
in.、温度:25℃、検出器:UV210nm HPLC分析条件(光学純度) カラム:ダイセルCHIRALPAK OD 4.6φ
×250mm、溶離液:ヘキサン/イソプロパノール=9
5/5、流速:1mL/min.、カラム温度:25
℃、検出器:UV230nm
【0110】
【表1】
【0111】
【表2】
【0112】(細菌)表3に示した微生物を、試験管中
で滅菌した5mLの半合成培地B(グリセリン15g、
プロエキス10g、イーストエキス5g、水 1L、p
H7.0)に接種し、28℃で3〜4日間振盪培養し
た。培養終了後、遠心分離により培養液より菌体を回収
し、0.1Mカリウム-リン酸緩衝液(pH6.5)
2.5mlにて懸濁した。菌体懸濁液0.5mlに実施
例1で製造した4−(4−ニトロフェニル)−4−オキ
ソ-2−ブテン酸メチル2.5mg、グルコース10m
gを添加し、28℃で1日間振とうした。反応終了後、
上記と同様に変換率、光学純度および立体配置を調べた
結果を表3に示した。
【0113】
【表3】
【0114】実施例9 (S)−4−(4−ニトロフェ
ニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの半合成
培地C(グリセリン15g、イーストエキス3g、Na
2HPO46g、K2HPO43g、NaCl2g、MgS
4・7H2O0.5g、水1L、pH=7.2)に接種
し、37℃で28時間振とう培養した。得られた培養液
50mlにグルコース5.75g、NADP2.8m
g、エマルゲン810(花王社製)50μlを添加し、
実施例1で製造した4−(4−ニトロフェニル)−4−
オキソ-2−ブテン酸メチル0.5gを1時間おきに1
0回分割添加した。5N NaOHにてpH=6.5に
調整しつつ30℃で攪拌、20時間反応を行った。反応
終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、減圧濃縮
し、黄色の固体として(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ-2−ブテン酸メチルの粗結晶
4.92g(光学純度 80.5%ee.)を得た。こ
の固体をHPLCにて分析(分析条件 カラム:野村化
学Develosil ODS−HG−34.6φ×1
50mm、溶離液:アセトニトリル/0.1%リン酸水
溶液=1/1、流速:0.5mL/min.、温度:2
5℃、検出器:UV210nm)した結果、(S)−4−
(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ-2−ブテン
酸メチルの反応収率は80.3%であった。
【0115】実施例10 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸エチルの製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの前記半
合成培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養し
た。得られた培養液 100mLにグルコース10.8
g、NADP11.2mg、エマルゲン810(花王社
製)100μlを添加し、実施例2で製造した4−(4
−ニトロフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸エチル
10.0gを添加した。5N NaOHにてpH=6.
5に調整しつつ30℃で攪拌、42時間反応を行った。
反応終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、減圧
濃縮し、黄色の固体として(S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ-2−ブテン酸エチルの粗結
晶9.26gを得た(光学純度83.7%ee.)。こ
の粗結晶8.51gを酢酸エチル/ヘキサン=1/1
からなる溶媒20mlを用いて冷却晶析を行い、薄黄色
の結晶として(S)−4−(4−ニトロフェニル)−4
−ヒドロキシ-2−ブテン酸エチル3.34g(単離収
率32.8%、光学純度 100%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
1.29(t,3H),2.37(d,1H),4.18−
4.23(m,2H),5.50(bs,1H),6.18
(d,1H),7.12(dd,1H),7.56(d,2
H),8.24(d,2H)。 [α]D 25=−44.3(c=1.62,CHCl3)。
【0116】実施例11 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸イソプロピル
の製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの前記半
合成培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養し
た。得られた培養液 150mLにグルコース15.4
g、NADP25.2mg、エマルゲン810(花王社
製)150μlを添加し、実施例3で製造した4−(4
−ニトロフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸イソプ
ロピル15.0gを添加した。5NNaOHにてpH=
6.5に調整しつつ30℃で攪拌、44時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、
減圧濃縮し、黄色油状物質14.4gを得た。シリカゲ
ルカラムで生成することにより黄色固体状の(S)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸イソプロピル12.9g(単離収率85.8%、光
学純度90.1%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
1.26(d,6H),5.03−5.09(m,1H),
5.49(d,1H),6.14(d,1H),6.95
(dd,1H),7.56(d,2H),8.23(d,2
H)。[α]D 25=−31.2(c=1.59,CHC
3)。
【0117】実施例12 (R)−4−(4−メチルス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチルの製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの半合成
培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養した。得
られた培養液500mLにグルコース9.54g、NA
DP108mg、エマルゲン810(花王社製)500
μlを添加し、実施例4で製造した4−(4−メチルス
ルホニルアミノフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸
メチル5.00gを添加した。5N NaOHにてpH
=6.5に調整しつつ30℃で攪拌、72時間反応を行
った。反応終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽
出、減圧濃縮し、茶色油状物質を得た。シリカゲルカラ
ムで精製することにより黄色油状の(R)−4−(4−
メチルスルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ−
2−ブテン酸メチル4.01g(単離収率79.9%、
光学純度16.7%ee.)を得た。1 H−NMR(δCDCl3,400MHz/ppm):
3.02(s,3H),3.76(s,3H),5.37
(d,1H),6.18(d,1H),6.97(bs,1
H),7.02(dd,1H),7.22(d,2H),
7.34(d,2H)。
【0118】実施例13 (−)−4−(3,4−ジク
ロロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸エチル
の製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの前記半
合成培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養し
た。得られた培養液 50mLにグルコース2.47
g、NADP5.6mg、エマルゲン810(花王社
製)50μlを添加し、実施例5で製造した4−(3,
4−ジクロロフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸エ
チル2.50gを添加した。5N NaOHにてpH=
6.5に調整しつつ30℃で攪拌、43時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、
減圧濃縮し、黄色固体の物質を得た。シリカゲルカラム
で精製することにより黄色固体状の(−)−4−(3,
4−ジクロロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン
酸エチル2.08g(単離収率83.0%、光学純度8
1.8%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
1.29(t,3H),4.17−4.23(m,2H),
5.46(d,1H),6.15(d,1H),6.96
(dd,1H),7.20(d,1H), 7.44(d,1
H),7.46(d,1H)。 [α]D 25=−45.2(c=1.52,CHCl3)。
【0119】実施例14 (+)−4−(3,4−ジメ
トキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチ
ルの製造 Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの半合成
培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養した。得
られた培養液500mLにグルコース11.3g、NA
DP56.0mg、エマルゲン810(花王社製)50
0μlを添加し、実施例6で製造した4−(3,4−ジ
メトキシフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸メチル
5.00gを添加した。5N NaOHにてpH=6.
5に調整しつつ30℃で攪拌、45時間反応を行った。
反応終了後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、減圧
濃縮し、茶色油状物質5.50gを得た。シリカゲルカ
ラムで精製することにより黄色油状の(+)−4−
(3,4−ジメトキシフェニル)−4−ヒドロキシ−2
−ブテン酸メチル3.50g(単離収率69.1%、光
学純度43.9%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
3.74(s,3H),3.88(s,3H),3.89
(s,3H),5.32(d,1H),6.27(d,1
H),6.84−6.91(m,3H),7.06(dd,
1H)。 [α]D 25=+22.0(c=1.84,CHCl3)。
【0120】実施例15 (−)−4−(ナフタレン−
1−イル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの製
Escherichia coli HB101(pN
TCRG)受託番号FERM BP-6898を、50
0mL容坂口フラスコ中で滅菌した100mLの半合成
培地Cに接種し、37℃で28時間振とう培養した。得
られた培養液200mLにグルコース5.63g、NA
DP22.4mg、エマルゲン810(花王社製)20
0μlを添加し、実施例7で製造した4−(ナフタレン
−1−イル)−4−オキソ−2−ブテン酸メチル10.
0gを添加した。5N NaOHにてpH6.5に調整
しつつ30℃で攪拌、45時間反応を行った。反応終了
後、反応液を2倍量の酢酸エチルで抽出、減圧濃縮し、
赤色油状物質を得た。シリカゲルカラムで精製すること
により黄色油状の(―)−4−(2−ナフチル)−4−
ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル7.33g(単離収率
73.1%、光学純度97.8%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
3.72(s,3H),6.09(d,1H),6.28
(d,1H),7.25(dd,1H),7.43−7.5
7(m,4H),7.82−7.91(m,1H),8.1
4(d,1H)。 [α]D 25=−95.5(c=1.89,CHCl3)。
【0121】実施例16 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 クリベロマイセス・サーモトレランス(Kluyver
omyces thermotolerans)IFO
0662を、500ml容量坂口フラスコ内で滅菌した
50mlの前記半合成培地Aに接種し、30℃にて4日
間振とう培養した。培養終了後、実施例1で製造した4
−(4−ニトロフェニル)−4−オキソ-2−ブテン酸
メチル125mg、グルコース1.50gを添加し、3
0℃で1日間振とうした。反応終了後、反応液を酢酸エ
チル100mlで抽出、減圧濃縮し、茶色油状物質を得
た。シリカゲルカラムで精製することにより黄色油状の
(S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ
酪酸メチル62mg(単離収率49.4%、光学純度8
0.0%ee.)を得た。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
2.00−2.12(m,1H),2.44−2.52
(m,1H),2.86(bs,1H),3.70(s,3
H),4.92(bs,1H),7.54(d,2H),
8.21(d,2H)。
【0122】実施例17 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果、(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体3.82gに、酢酸エチル7.6mLを加えて、6
0℃で加温溶解させ、5℃に冷却、1時間攪拌した。析
出した結晶を濾過し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥するこ
とにより、淡黄色結晶2.24gを得た。この結晶をH
PLC分析した結果、 (S)−4−(4−ニトロフェ
ニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:9
9.0重量%(晶析回収率:70.3%)、(R)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチル含量:0.1重量%(除去率:99.0
%)、光学純度99.7%ee.であった。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm ):
2.49(d,1H),3.75(s,3H),5.50
(bs,1H),6.20(d,1H),7.00(dd,
1H),7.55(d,2H),8.23(d,2H)。 [α]D 25=−48.8(c=1.60,CHCl3)。
【0123】実施例18 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、酢酸エチル5mLを加え、60℃に
加温溶解させた。ここに、ヘキサン5mLを加え、5℃
に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、ヘキ
サン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色結晶77
5.8mgを得た。この結晶をHPLC分析した結果、
(S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキ
シ−2−ブテン酸メチル含量:97.9重量%(晶析回
収率:70.8%)、(R)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:0.
9重量%(除去率:94.1%)、光学純度98.2%
ee.であった。
【0124】実施例19 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、酢酸エチル5mLを加え、60℃に
加温溶解させた。ここに、トルエン5mLを加え、5℃
に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、ヘキ
サン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色結晶60
7.6mgを得た。この結晶をHPLC分析した結果、
(S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキ
シ−2−ブテン酸メチル含量:97.2重量%(晶析回
収率:55.0%)、(R)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:0.
8重量%(除去率:95.9%)、光学純度98.4%
ee.であった。
【0125】実施例20 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、トルエン10mLを加え、60℃に
加温後に5℃まで冷却、1時間攪拌した。析出した結晶
を濾過し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥することにより、
淡黄色結晶1003.9mgを得た。この結晶をHPL
C分析した結果、 (S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:9
5.5重量%(晶析回収率:89.3%)、(R)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチル含量:3.2重量%(除去率:72.7
%)、光学純度93.6%ee.であった。
【0126】実施例21 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、メチルtert−ブチルエーテル1
0mLを加え、60℃に加温溶解させた。更にこの溶液
を5℃に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過
し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色
結晶715.5mgを得た。この結晶をHPLC分析し
た結果、 (S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−
ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:92.7重量%
(晶析回収率:61.8%)、(R)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含
量:0.9重量%(除去率:94.2%)、光学純度9
8.0%ee.であった。
【0127】実施例22 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、酢酸tert−ブチル10mLを加
え、60℃に加温溶解させた。更にこの溶液を5℃に冷
却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、ヘキサン
洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色結晶811.
6mgを得た。この結晶をHPLC分析した結果、
(S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ
−2−ブテン酸メチル含量:95.6重量%(晶析回収
率:72.3%)、(R)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:1.
1重量%(除去率:92.6%)、光学純度97.8%
ee.であった。
【0128】実施例23 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、テトラヒドロフラン5mLを加え、
60℃に加温溶解させた。ここに、ヘキサン5mLを加
え、5℃に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過
し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色
結晶682.1mgを得た。この結晶をHPLC分析し
た結果、 (S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−
ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:98.0重量%
(晶析回収率:62.3%)、(R)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含
量:1.0重量%(除去率:94.2%)、光学純度9
8.0%ee.であった。
【0129】実施例24 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、エタノール5mLを加え、60℃に
加温溶解させた。ここに、ヘキサン10mLを加え、5
℃に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、ヘ
キサン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色結晶9
42.6mgを得た。この結晶をHPLC分析した結
果、 (S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒド
ロキシ−2−ブテン酸メチル含量:92.5重量%(晶
析回収率:81.3%)、(R)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:
2.8重量%(除去率:77.6%)、光学純度94.
2%ee.であった。
【0130】実施例25 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、イソプロパノール5mLを加え、6
0℃に加温溶解させた。ここに、ヘキサン5mLを加
え、5℃に冷却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過
し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥することにより、淡黄色
結晶812.3mgを得た。この結晶をHPLC分析し
た結果、 (S)−4−(4−ニトロフェニル)−4−
ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:95.5重量%
(晶析回収率:72.3%)、(R)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含
量:1.9重量%(除去率:87.0%)、光学純度9
6.2%ee.であった。
【0131】実施例26 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、塩化メチレン5mLを加えて40℃
に加温後、ヘキサン5mLを加え、5℃に冷却、1時間
攪拌した。析出した結晶を濾過し、ヘキサン洗浄後、真
空乾燥することにより、淡黄色結晶947.9mgを得
た。この結晶をHPLC分析した結果、 (S)−4−
(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン
酸メチル含量:94.3重量%(晶析回収率:83.3
%)、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒド
ロキシ−2−ブテン酸メチル含量:5.3重量%(除去
率:56.9%)、光学純度89.4%ee.であっ
た。
【0132】実施例27 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、アセトニトリル5mLを加え、60
℃に加温溶解させた。ここに、トルエン5mL、ヘキサ
ン5mLを加え、5℃に冷却、1時間攪拌した。析出し
た結晶を濾過し、ヘキサン洗浄後、真空乾燥することに
より、淡黄色結晶544.2mgを得た。この結晶をH
PLC分析した結果、 (S)−4−(4−ニトロフェ
ニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:9
6.3重量%(晶析回収率:48.8%)、(R)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチル含量:1.3重量%(除去率:94.0
%)、光学純度97.4%ee.であった。
【0133】実施例28 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、メタノール5mLを加え、40℃に
加温溶解させた。ここに、水5mLを加え、5℃に冷
却、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、水洗浄
後、真空乾燥することにより、黄色結晶1134.0m
gを得た。この結晶をHPLC分析した結果、 (S)
−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−
ブテン酸メチル含量:86.2重量%(晶析回収率:9
1.1%)、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−4
−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.2重量%
(除去率:19.7%)、光学純度82.6%ee.で
あった。
【0134】実施例29 (S)−4−(4−ニトロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルの単離
精製 実施例9にて製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチルのクルード
固体をHPLC分析(カラム:ダイセルChiralp
ackAS 250x4.6mm、溶離液:イソプロパ
ノール/ヘキサン=1/9(v/v)、カラム温度:3
0℃、流速:0.4ml/min.、検出器:UV23
0nm)した結果,(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8
2.5重量%、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−
4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル含量:8.9重量
%、光学純度80.5%ee.であった。上記クルード
固体1.30gに、アセトン5mLを加え、40℃に加
温溶解させた。ここに、水5mLを加え、5℃に冷却、
1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、水洗浄後、真
空乾燥することにより、黄色結晶1104.4mgを得
た。この結晶をHPLC分析した結果、 (S)−4−
(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン
酸メチル含量:88.6重量%(晶析回収率:91.1
%)、(R)−4−(4−ニトロフェニル)−4−ヒド
ロキシ−2−ブテン酸メチル含量:5.0重量%(除去
率:52.8%)、光学純度89.4%ee.であっ
た。
【0135】実施例30 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 10%パラジウム−炭素20mg、メタノール4mL、
ナトリウムメトキシド2.3mg(0.04mmol)
からなる溶液に、実施例17で製造した(S)−4−
(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン
酸メチル100mg(0.422mmol)を加え、常
圧水素雰囲気下で15℃、5時間攪拌した。減圧濾過に
て触媒を濾別後、酢酸2.4mg、水10mL、酢酸エ
チル10mLを加えて抽出し、飽和食塩水10mLで洗
浄した。有機層を減圧濃縮することにより、黄色油状物
77.6mgを得た。シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー(酢酸エチル/ヘキサン=5/1)にて精製すること
により、(S)−4−(4−アミノフェニル)−4−ヒ
ドロキシ酪酸メチルを黄色油状物(47.0mg)とし
て得た(単離収率:54%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.99−2.09(2H,m)、2.40(2H,
t)、3.66(3H,s)、4.61(1H,t)、
6.65(2H,d)、7.12(2H,d)。
【0136】実施例31 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 10%パラジウム−炭素50mg、エタノール3mLか
らなる溶液に、実施例17で製造した(S)−4−(4
−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メ
チル50mg(0.2mmol)を加え、常圧水素雰囲
気下で30℃、1時間攪拌した。このものをHPLC
(カラム:野村化学DevelosilODS−HG−
3 150x4.6mm、溶離液:10mMリン酸バッ
ファー(pH=6.5)/アセトニトリル=2/1、流
速:0.5mL/min.、カラム温度:40℃、検出
器:UV210nm)にて分析した結果、(S)−4−
(4−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの
反応収率は47%であった。
【0137】実施例32 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 10%白金−炭素50mg、エタノール3mLからなる
溶液に、実施例17で製造した(S)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル5
0mg(0.2mmol)を加え、常圧水素雰囲気下で
30℃、1時間攪拌した。このものをHPLC(カラ
ム:野村化学Develosil ODS−HG−3
150x4.6mm、溶離液:10mMリン酸バッファ
ー(pH=6.5)/アセトニトリル=2/1、流速:
0.5mL/min.、カラム温度:40℃、検出器:
UV210nm)にて分析した結果、(S)−4−(4
−アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの反応
収率は60%であった。
【0138】実施例33 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 酸化白金5mg、エタノール3mLからなる溶液に、実
施例17で製造した(S)−4−(4−ニトロフェニ
ル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル50mg
(0.2mmol)を加え、常圧水素雰囲気下で30
℃、1時間攪拌した。このものをHPLC(カラム:野
村化学Develosil ODS−HG−3150x
4.6mm、溶離液:10mMリン酸バッファー(pH
=6.5)/アセトニトリル=2/1、流速:0.5m
L/min.、カラム温度:40℃、検出器:UV21
0nm)にて分析した結果、(S)−4−(4−アミノ
フェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの反応収率は8
9%であった。
【0139】実施例34 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 プラチナブラック5mg、エタノール3mLからなる溶
液に、実施例17で製造した(S)−4−(4−ニトロ
フェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル50
mg(0.2mmol)を加え、常圧水素雰囲気下で3
0℃、6時間攪拌した。このものをHPLC(カラム:
野村化学Develosil ODS−HG−3 15
0x4.6mm、溶離液:10mMリン酸バッファー
(pH6.5)/アセトニトリル=2/1、流速:0.
5mL/min.、カラム温度:40℃、検出器:UV
210nm)にて分析した結果、(S)−4−(4−ア
ミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの反応収率
は97%であった。
【0140】実施例35 (S)−4−(4−アミノフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸エチルの製造 10%パラジウム−炭素200mg、メタノール40m
L、29%アンモニア水397mg(6.77mmo
l)からなる溶液に、実施例10で製造した(S)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸エチル1.00g(3.98mmol)を加え、3
気圧の水素雰囲気下で40℃、5時間攪拌した。減圧濾
過にて触媒を濾別後、減圧濃縮することにより、黄色油
状物883mgを得た。シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/1)にて精製する
ことにより、(S)−4−(4−アミノフェニル)−4
−ヒドロキシ酪酸エチルを黄色油状物(389mg)と
して得た(単離収率:44%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.24(3H,t)、1.95−2.12(2H,
m)、2.46(2H,t)、2.96(2H,b
s)、3.47(1H,s)、4.12(2H,q)、
4.61(1H,t)、6.66(2H,d)、7.1
4(2H,d)。
【0141】実施例36 4−(3,4−ジクロロフェ
ニル)−4−ヒドロキシ酪酸エチルの製造 酸化白金65mg、テトラヒドロフラン20mLからな
る溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。こ
こに、実施例13で製造した4−(3,4−ジクロロフ
ェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸エチル1.3
05g(4.75mmol)を加え、水素雰囲気下に2
0℃、8時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒を濾別
し、減圧濃縮することにより、黒色油状物1.3466
gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸
エチル/ヘキサン=1/2)にて精製することにより、
4−(3,4−ジクロロフェニル)−4−ヒドロキシ酪
酸エチルを無色油状物(1.220g)として得た(単
離収率:93%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.26(3H,t)、2.01−2.06(2H,
m)、2.41−2.46(2H,m)、2.70(1
H,bs)、4.14(2H,q)、4.75(1H,
m)、7.18(1H,d)、7.41(1H,d)、
7.46(1H,s)。
【0142】実施例37 4−(3,4−ジメトキシフ
ェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの製造 酸化白金100mg、テトラヒドロフラン20mLから
なる溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。
ここに、実施例14で製造した4−(3,4−ジメトキ
シフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル
2.01g(7.42mmol)を加え、水素雰囲気下
に30℃、20時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒を
濾別し、減圧濃縮することにより、黒色油状物2.13
2gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢
酸エチル/ヘキサン=1/3)にて精製することによ
り、4−(3,4−ジメトキシフェニル)−4−ヒドロ
キシ酪酸メチルを黄色油状物(1.572g)として得
た(単離収率:78%)。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm);
1.99−2.13(2H,m)、2.32(1H,b
s)、2.43(2H,t)、3.71(3H,s)、
3.87(3H,s)、3.94(3H,s)、4.6
9(1H,m)、6.80−6.91(3H,m)。
【0143】実施例38 4−(ナフタレン−1−イ
ル)−4−ヒドロキシ酢酸メチルの製造 酸化白金100mg、テトラヒドロフラン20mLから
なる溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。
ここに、実施例15で製造した4−(ナフタレン−1−
イル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル2.01
g(7.89mmol)を加え、水素雰囲気下に30
℃、20時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒を濾別
し、減圧濃縮することにより、黒色油状物2.086g
を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エ
チル/ヘキサン=1/4)にて精製することにより、4
−(ナフタレン−1−イル)−4−ヒドロキシ酪酸メチ
ルを黄色油状物(1.676g)として得た(単離収
率:84%)。1 H−NMR(CDCl3,400MHz/ppm);
2.12−2.16(1H,m)、2.29−2.32
(1H,m)、2.43(1H,bs)、2.43−
2.63(2H,m)3.67(3H,s)、5.55
(1H,m)、7.45−7.54(3H,m)、7.
66(1H,d)、7.77(1H,d)、7.86
(1H,d)、8.11(1H,d)。
【0144】実施例39 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチル
の製造 酸化白金210mg、テトラヒドロフラン70mLから
なる溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。
ここに、実施例17で製造した(S)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル
7.00g(30.0mmol)を加え、水素雰囲気下
に30℃、7時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒を濾
別後、ピリジン4.98g(63.0mmol)、メタ
ンスルホニルクロライド3.78g(33.0mmo
l)を加え、20℃、16時間攪拌した。ここに、5重
量%クエン酸水溶液42mLを加えて反応をクエンチし
た後、さらに水70mL、酢酸エチル140mLを加え
て抽出した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮することにより、桃色
油状物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(酢酸エチル/ヘキサン=2/1)にて精製することに
より、(S)−4−(4−メタンスルホニルアミノフェ
ニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルを淡黄色固体(9.
101g)として得た(単離収率:78%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
2.04(2H,dt)、2.44(2H,t)、2.
67(1H,d)、3.00(3H,s)、3.68
(3H,s)、4.74(1H,m)、7.06(1
H,s)、7.19(2H,d)、7.32(2H,
d)。
【0145】実施例40 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸エチル
の製造 酸化白金136mg、テトラヒドロフラン30mLから
なる溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。
ここに、実施例10で製造した(S)−4−(4−ニト
ロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸エチル
3.00g(11.9mmol)を加え、水素雰囲気下
に30℃、16時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒を
濾別後、ピリジン1.98g(25.0mmol)、メ
タンスルホニルクロライド1.50g(13.1mmo
l)を加え、20℃、3時間攪拌した。ここに、5重量
%クエン酸水溶液15mLを加えて反応をクエンチした
後、さらに水30mL、酢酸エチル50mLを加えて抽
出した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥、減圧濃縮することにより、桃色油状
物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸
エチル/ヘキサン=2/1)にて精製することにより、
(S)−4−(4−メタンスルホニルアミノフェニル)
−4−ヒドロキシ酪酸エチルを淡黄色固体(1.858
g)として得た(単離収率:51%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.26(3H,t)、2.04(2H,dt)、2.
42(2H,t)、2.81(1H,bs)、2.99
(3H,s)、4.73(1H,m)、7.19(2
H,d)、7.20(1H,s)、7.31(2H,
d)。
【0146】実施例41 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸イソプ
ロピルの製造 酸化白金43mg、テトラヒドロフラン10mLからな
る溶液を常温、常圧水素雰囲気下で30分攪拌した。こ
こに、実施例11で製造した(S)−4−(4−ニトロ
フェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸イソプロピ
ル1.00g(3.77mmol)を加え、水素雰囲気
下に30℃、16時間攪拌した。減圧濾過にて白金触媒
を濾別後、ピリジン630mg(7.92mmol)、
メタンスルホニルクロライド600mg(4.15mm
ol)を加え、20℃、3時間攪拌した。ここに、5重
量%クエン酸水溶液5mLを加えて反応をクエンチした
後、さらに水10mL、酢酸エチル20mLを加えて抽
出した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥、減圧濃縮することにより、桃色油状
物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸
エチル/ヘキサン=1/1)にて精製することにより、
(S)−4−(4−メタンスルホニルアミノフェニル)
−4−ヒドロキシ酪酸イソプロピルを淡黄色油状物(8
39mg)として得た(単離収率:70%)。1 H−NMR( CDCl3,400MHz/ppm);
1.23(6H,d)、2.02(2H,dt)、2.
39(2H,t)、2.98(4H,s)、4.72
(1H,m)、5.01(1H,m)、7.19(2
H,d)、7.28(1H,s)、7.30(2H,
d)。
【0147】実施例42 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチル
の製造 20%パラジウム−炭素100mg、テトラヒドロフラ
ン5mL、ピリジン17mg(0.21mmol)から
なる溶液に、実施例17で製造した(S)−4−(4−
ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチ
ル500mg(2.11mmol)を加え、常圧水素雰
囲気下で15℃、5時間攪拌した。減圧濾過にて触媒を
濾別後、ピリジン334mg(4.2mmol)、メタ
ンスルホニルクロライド266mg(2.32mmo
l)を加え、15℃、2時間攪拌した。ここに、5重量
%クエン酸水溶液3mLを加えて反応をクエンチした
後、さらに水5mL、酢酸エチル20mLを加えて抽出
した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥、減圧濃縮することにより、桃色油状物
を得た。このものをHPLC(カラム:野村化学Dev
elosil ODS−HG−3 150x4.6m
m、溶離液:10mMリン酸バッファー(pH=6.
5)/アセトニトリル=2/1、流速:0.5mL/m
in.、カラム温度:40℃、検出器:UV230n
m)にて分析した結果、(S)−4−(4−メタンスル
ホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの
反応収率は61%であった。
【0148】実施例43 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチル
の製造 5%ロジウム−炭素200mg、テトラヒドロフラン8
mLからなる溶液に、実施例17で製造した(S)−4
−(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
ン酸メチル500mg(2.11mmol)を加え、常
圧水素雰囲気下で15℃、22時間攪拌した。減圧濾過
にて触媒を濾別後、ピリジン334mg(4.2mmo
l)、メタンスルホニルクロライド266mg(2.3
2mmol)を加え、15℃、60時間攪拌した。ここ
に、5重量%クエン酸水溶液3mLを加えて反応をクエ
ンチした後、さらに水5mL、酢酸エチル20mLを加
えて抽出した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮することにより、桃
色油状物(765mg)を得た。このものをHPLC
(カラム:野村化学Develosil ODS−HG
−3 150x4.6mm、溶離液:10mMリン酸バ
ッファー(pH=6.5)/アセトニトリル=2/1、
流速:0.5mL/min.、カラム温度:40℃、検
出器:UV230nm)にて分析した結果、(S)−4
−(4−メタンスルホニルアミノフェニル)−4−ヒド
ロキシ酪酸メチルの反応収率は51%であった。
【0149】実施例44 (S)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチル
の製造 ラネーニッケル含水物約1.0g、エタノール5mLか
らなる溶液に、実施例17で製造した(S)−4−(4
−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メ
チル500mg(2.11mmol)を加え、常圧水素
雰囲気下で15℃、19時間攪拌した。減圧濾過にて触
媒を濾別後、減圧濃縮により溶媒を留去し、ここにテト
ラヒドロフラン5mL、ピリジン334mg(4.2m
mol)、メタンスルホニルクロライド266mg
(2.32mmol)を加え、15℃、3時間攪拌し
た。ここに、5重量%クエン酸水溶液3mLを加えて反
応をクエンチした後、さらに水5mL、酢酸エチル20
mLを加えて抽出した。有機層は更に飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮することに
より、桃色油状物(781mg)を得た。このものをH
PLC(カラム:野村化学Develosil ODS
−HG−3 150x4.6mm、溶離液:10mMリ
ン酸バッファー(pH=6.5)/アセトニトリル=2
/1、流速:0.5mL/min.、カラム温度:40
℃、検出器:UV230nm)にて分析した結果、
(S)−4−(4−メタンスルホニルアミノフェニル)
−4−ヒドロキシ酪酸メチルの反応収率は36%であっ
た。
【0150】実施例45 (R)−4−(4−メタンス
ルホニルアミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチル
の製造 酸化白金100mg、テトラヒドロフラン5mL、ピリ
ジン17mgからなる溶液に、実施例12で製造した
(R)−4−(4−メタンスルホニルアミノフェニル)
−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸メチル500mg
(2.11mmol)を加え、常圧水素雰囲気下で15
℃、5時間攪拌した。減圧濾過にて触媒を濾別後、得ら
れた溶液を、HPLC(カラム:野村化学Develo
sil ODS−HG−3 150x4.6mm、溶離
液:10mMリン酸バッファー(pH=6.5)/アセ
トニトリル=2/1、流速:0.5mL/min.、カ
ラム温度:40℃、検出器:UV230nm)にて分析
した結果、(R)−4−(4−メタンスルホニルアミノ
フェニル)−4−ヒドロキシ酪酸メチルの反応収率は6
1%であった。
【0151】
【発明の効果】本発明によれば、医薬品等の中間体とし
て有用な4−アリール−4−ヒドロキシ−ブテン酸誘導
体、及び、4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
を、簡便かつ実用的な方法で製造、提供することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 311/08 C07C 311/08 C12P 7/62 C12P 7/62 //(C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:72) C12R 1:72) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:645) C12R 1:645) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:84) C12R 1:84) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:725) C12R 1:725) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:74) C12R 1:74) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:85) C12R 1:85) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:01) C12R 1:01) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:265) C12R 1:265) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:425) C12R 1:425) (C12P 7/62 (C12P 7/62 C12R 1:365) C12R 1:365) C07M 7:00 C07M 7:00 (72)発明者 八十原 良彦 兵庫県高砂市高砂町宮前町1−8 (72)発明者 井上 健二 兵庫県高砂市高砂町宮前町1−8 Fターム(参考) 4B064 AD75 BH01 BH04 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA19 CB17 CB18 CC24 DA01 4H006 AA02 AC11 AC41 AC81 BA22 BA24 BA25 BA26 BA29 BA34 BA36 BA37 BE20 4H039 CA60 CB20

Claims (65)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(2); 【化1】 (式中、Arは炭素数4〜15のアリール基を表す。R
    は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、又は炭素数
    7〜10のアラルキル基を表す。*は不斉炭素を表
    す。)において、Arが置換基を有するフェニル基、又
    は置換基を有しても良いナフチル基である光学活性4−
    アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導体。
  2. 【請求項2】 置換基がニトロ基、N−保護アミノ基、
    ハロゲン、炭素数1〜10のアルコキシ基からなる群よ
    り選択された少なくとも1種である請求項1記載の化合
    物。
  3. 【請求項3】 Arが4−ニトロフェニル基、4−メタ
    ンスルホニルアミノフェニル基、3,4−ジクロロフェ
    ニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、ナフタレン−
    1−イル基である請求項1記載の化合物。
  4. 【請求項4】 Arが4−ニトロフェニル基である請求
    項1記載の化合物。
  5. 【請求項5】 Rが炭素数1〜10のアルキル基である
    請求項1〜4のいずれかに記載の化合物。
  6. 【請求項6】 アルキル基がメチル基またはエチル基で
    ある請求項5記載の化合物。
  7. 【請求項7】 化合物の絶対配置がSである請求項1〜
    6のいずれかに記載の化合物。
  8. 【請求項8】 一般式(3); 【化2】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)において、Ar
    が4−アミノフェニル基、又は4−ニトロフェニル基で
    ある光学活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導
    体。
  9. 【請求項9】 Rが炭素数1〜10のアルキル基である
    請求項8記載の化合物。
  10. 【請求項10】 アルキル基がメチル基またはエチル基
    である請求項9記載の化合物。
  11. 【請求項11】 化合物の絶対配置がSである請求項8
    〜10のいずれかに記載の化合物。
  12. 【請求項12】 一般式(1): 【化3】 (式中、Ar、Rは上記に同じ。)で表わされる4−ア
    リール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体のカルボニル
    基を立体特異的に還元する活性を有する酵素源の存在
    下、前記式(1)で表される4−アリール−4−オキソ
    −2−ブテン酸誘導体のカルボニル基を立体特異的に還
    元し、該酵素源で二重結合を還元してもよいことを特徴
    とする一般式(2): 【化4】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
    活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導
    体、または、一般式(3): 【化5】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
    活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造
    法。
  13. 【請求項13】 酵素源が、一般式(1)で表される4
    −アリール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体をS選択
    的に還元する活性を有する事を特徴とする請求項12に
    記載の製造法。
  14. 【請求項14】 S選択的な酵素源が、キャンディダ
    属、クリプトコッカス属、デバリオマイセス属、デッカ
    ラ属、クリベロマイセス属、コマガタエラ属、ロッデロ
    マイセス属、メッチニコビア属、オガタエア属、ピキア
    属、ロードスポリディウム属、ロードトルラ属、スポロ
    ボロマイセス属、トリゴノプシス属、ウィリオプシス
    属、ヤロヴィア属、チゴサッカロマイセス属、セルロモ
    ナス属、エンテロバクター属、マイクロバクテリウム
    属、マイクロコッカス属、ロードコッカス属、セラチア
    属に属する微生物の菌体、培養物またはそれらの処理物
    である請求項13記載の製造法。
  15. 【請求項15】 S選択的な酵素源が、キャンディダ・
    カンタレリー、キャンディダ・グラエボーサ、キャンデ
    ィダ・インターメディア、キャンディダ・マグノリエ、
    キャンディダ・マルトサ、キャンディダ・マリス、キャ
    ンディダ・モギー、キャンディダ・オレオフィラ、キャ
    ンディダ・バーサチルス、クリプトコッカス・アルビダ
    ス・バー・アルビダス、デバリオマイセス・カルソニ
    ー、デバリオマイセス・シュードポリモルファス、デッ
    カラ・アノマラ、クリベロマイセス・サーモトレラン
    ス、コマガタエラ・パストリス、ロッデロマイセス・エ
    ロンギスポラス、メッチニコビア・ビカスピダータ、オ
    ガタエア・ミヌタ・バー・ミヌタ、オガタエア・ポリモ
    ルファ、ピキア・アノマラ、ピキア・シルビコーラ、ピ
    キア・トリアングラリス、ロードスポリディウム・スフ
    ァエロカルファム、ロードスポリディウム・トルロイデ
    ス、ロードトルラ・グルチニス、ロードトルラ・グラミ
    ニス、スポロボロマイセス・パラロセウス、スポロボロ
    マイセス・サルモニコーラ、トリゴノプシス・バリアビ
    リス、ウィリオプシス・サターナス・バー・ムラキー、
    ウィリオプシス・サターナス・バー・サターナス、ウィ
    リオプシス・サターナス・バー・スアベオレンス、ヤロ
    ヴィア・リポリティカ、チゴサッカロマイセス・バイリ
    ー、チゴサッカロマイセス・ルキシー、セルロモナス・
    スピーシ−ズ、エンテロバクター・アエロジェネス、マ
    イクロバクテリウム・アルボレッセンス、マイクロバク
    テリウム・インペリアレ、マイクロコッカス・ルテア
    ス、ロードコッカス・ロードクロウス、セラチア・プロ
    テアマクランス・サブスピーシーズ・プロテアマクラン
    スからなる群から選ばれた微生物の菌体、培養物または
    それらの処理物であるで請求項13記載の製造法。
  16. 【請求項16】 S選択的な酵素源が、キャンディダ属
    (Candida)属に属する微生物由来であるカルボ
    ニル還元酵素をコードするDNA、及び該酵素が依存す
    る補酵素を再生する能力を有する酵素をコードするDN
    Aを有するプラスミドで形質転換された形質転換細胞で
    ある請求項13に記載の製造法。
  17. 【請求項17】 形質転換細胞がEscherichi
    a coli HB101(pNTCRG)受託番号F
    ERM BP-6898である請求項16記載の製造
    法。
  18. 【請求項18】 酵素源が、一般式(1)で表される4
    −アリール−4−オキソ−2−ブテン酸誘導体をR選択
    的に還元する活性を有する事を特徴とする請求項12に
    記載の製造法。
  19. 【請求項19】 R選択的な酵素源が、キャンディダ
    属、メッチニコビア属、ピキア属、ロードトルラ属、サ
    ッカロマイセス属、サッカロマイコプシス属、トルラス
    ポラ属、ヤマダザイマ属、セルロモナス属、エンセニア
    属、ノカルディア属、ロードコッカス属に属する微生物
    の菌体、培養物またはその処理物である請求項18記載
    の製造法。
  20. 【請求項20】 R選択的な酵素源が、キャンディダ・
    アルビカンス、キャンディダ・テヌイス、キャンディダ
    ・トロピカリス、キャンディダ・バーサチリス、メッチ
    ニコビア・プルケリマ、ピキア・ボビス、ロードトルラ
    ・アラウカリアエ、サッカロマイセス・ダイレンシス、
    サッカロマイコプシス・マランガ、トルラスポラ・デル
    ブルエッキー、トルラスポラ・グロボサ、ヤマダザイマ
    ・ファリノサ、ヤマダザイマ・ハプロフィラ、セルロモ
    ナス・フィミ、エンセニア・カニクルリア、ノカルディ
    ア・グロベルーラ、ロードコッカス・エリスロポリスか
    らなる群から選ばれた微生物の菌体、培養物またはその
    処理物である請求項18記載の製造法。
  21. 【請求項21】 Arが置換基を有してもよいフェニル
    基、置換基を有しても良いナフチル基、置換基を有して
    もよいピリジル基、または置換基を有しても良いインド
    リル基である請求項12〜20のいずれかに記載の製造
    法。
  22. 【請求項22】 置換基がニトロ基、N−保護アミノ
    基、ハロゲン、炭素数1〜10のアルコキシ基からなる
    群より選択された少なくとも1種である請求項21記載
    の製造法。
  23. 【請求項23】 Arが4−ニトロフェニル基、4−メ
    タンスルホニルアミノフェニル基、3,4−ジクロロフ
    ェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、又はナフタ
    レン−1−イル基である請求項12〜20のいずれかに
    記載の製造法。
  24. 【請求項24】 Arが4−ニトロフェニル基である請
    求項12〜20のいずれかに記載の製造法。
  25. 【請求項25】 Rが炭素数1〜10のアルキル基であ
    る請求項12〜24のいずれかに記載の製造法。
  26. 【請求項26】 アルキル基がメチル基またはエチル基
    である請求項25記載の製造法。
  27. 【請求項27】 一般式(2): 【化6】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
    活性4−アリール−4−ヒドロキシ−2−ブテン酸誘導
    体を遷移金属触媒存在下に水素化することを特徴とする
    一般式(3): 【化7】 (式中、Ar、R、*は上記に同じ。)で表される光学
    活性4−アリール−4−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造
    法。
  28. 【請求項28】 遷移金属触媒が、白金、ロジウム、パ
    ラジウム、ルテニウム、又はニッケル触媒である請求項
    27に記載の製造法。
  29. 【請求項29】 遷移金属触媒が、白金、ロジウム、パ
    ラジウム、ルテニウム、又はニッケルの金属、若しくは
    その塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、酸化
    物、硫化物、硼化物、水酸化物、シアン化物、アセチル
    アセトネート、酢酸塩、又はトリフルオロ酢酸塩である
    請求項27記載の製造法。
  30. 【請求項30】 遷移金属触媒が、酸化白金、酸化パラ
    ジウム、プラチナブラック、パラジウムブラック、ラネ
    ーニッケル、又は硼化ニッケルである請求項27記載の
    製造法。
  31. 【請求項31】 遷移金属触媒が、炭素、アルミナ、シ
    リカーアルミナ、シリカ、炭酸バリウム、硫酸バリウ
    ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、
    ゼオライト、又はアスベストに坦持された白金、ロジウ
    ム、ルテニウム、又はパラジウムの金属、又は、その硫
    化物若しくは水酸化物である請求項27記載の製造法。
  32. 【請求項32】 遷移金属触媒が、パラジウム−炭素、
    ロジウム−炭素、白金−炭素、ルテニウム−炭素、パラ
    ジウム−アルミナ、白金−アルミナ、パラジウム−炭酸
    カルシウム、白金−炭酸カルシウム、パラジウム−硫酸
    バリウム、又は白金−硫酸バリウムである請求項27記
    載の製造法。
  33. 【請求項33】 触媒量の塩基の存在下に水素化を行う
    ことを特徴とする請求項27〜32に記載の製造法。
  34. 【請求項34】 塩基が、水酸化ナトリウム、水酸化カ
    リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
    リウム、炭酸水素カリウム、ナトリウムメトキシド、ナ
    トリウムエトキシド、アンモニア、トリエチルアミン、
    又はピリジンである請求項33に記載の製造法。
  35. 【請求項35】 Arが置換基を有してもよいフェニル
    基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有して
    もよいピリジル基、または置換基を有しても良いインド
    リル基である請求項27〜34のいずれかに記載の製造
    法。
  36. 【請求項36】 置換基がN−置換アミノ基、ハロゲ
    ン、炭素数1〜10のアルコキシ基からなる群より選択
    された少なくとも1種である請求項35に記載の製造
    法。
  37. 【請求項37】 Arが4−メタンスルホニルアミノフ
    ェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジメ
    トキシフェニル基、又はナフチタレン−1−イル基であ
    る請求項27〜34のいずれかに記載の製造法。
  38. 【請求項38】 Arが4−ニトロフェニル基である一
    般式(2a); 【化8】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
    ン酸誘導体を遷移金属触媒存在下に水素化すると同時に
    ニトロ基も還元し、一般式(3b): 【化9】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4―アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
    を製造することを特徴とする、請求項27〜34のいず
    れかに記載の製造法。
  39. 【請求項39】 Rが炭素数1〜10のアルキル基であ
    る請求項27〜38のいずれかに記載の製造法。
  40. 【請求項40】 Rがメチル基またはエチル基である請
    求項27〜39に記載の製造法。
  41. 【請求項41】 請求項12〜26のいずれかに記載の
    方法により製造された光学活性4−アリール−4−ヒド
    ロキシ−2−ブテン酸誘導体を出発原料に用いることを
    特徴とする、請求項27〜40のいずれかに記載の製造
    法。
  42. 【請求項42】 請求項12〜26のいずれかに記載の
    方法により製造された一般式(2a); 【化10】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
    ン酸誘導体を遷移金属触媒存在下に水素化すると同時に
    ニトロ基を還元するか、又は、請求項12〜26のいず
    れかに記載の方法により製造された一般式(3a): 【化11】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4―ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
    を、遷移金属触媒存在下にニトロ基を還元することによ
    り、一般式(3b): 【化12】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4―アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪酸誘導体
    を製造し、更にアミノ基を保護することを特徴とする、
    一般式(3c): 【化13】 (式中、R、*は上記に同じ。P1、P2は、独立して水
    素原子、又はアミノ基の保護基を表し、P1とP2が一緒
    になってフタルロイル基であってもよく、P1とP2が共
    に水素原子であることはない。)で表される光学活性4
    −(4―N−保護アミノフェニル)−4−ヒドロキシ酪
    酸誘導体の製造法。
  43. 【請求項43】 遷移金属触媒が、白金、ロジウム、パ
    ラジウム、ルテニウム、又はニッケル触媒である請求項
    42に記載の製造法。
  44. 【請求項44】 遷移金属触媒が、白金、ロジウム、パ
    ラジウム、ルテニウム、又はニッケルの金属、若しくは
    その塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、酸化
    物、硫化物、硼化物、水酸化物、シアン化物、アセチル
    アセトネート、酢酸塩、又はトリフルオロ酢酸塩である
    請求項42記載の製造法。
  45. 【請求項45】 遷移金属触媒が、酸化白金、酸化パラ
    ジウム、プラチナブラック、パラジウムブラック、ラネ
    ーニッケル、又は硼化ニッケルである請求項42記載の
    製造法。
  46. 【請求項46】 遷移金属触媒が、炭素、アルミナ、シ
    リカーアルミナ、シリカ、炭酸バリウム、硫酸バリウ
    ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、
    ゼオライト、又はアスベストに坦持された白金、ロジウ
    ム、ルテニウム、又はパラジウムの金属、若しくはその
    硫化物、又は水酸化物である請求項42記載の製造法。
  47. 【請求項47】 遷移金属触媒が、パラジウム−炭素、
    ロジウム−炭素、白金−炭素、ルテニウム−炭素、パラ
    ジウム−アルミナ、白金−アルミナ、パラジウム−炭酸
    カルシウム、白金−炭酸カルシウム、パラジウム−硫酸
    バリウム、又は白金−硫酸バリウムである請求項42記
    載の製造法。
  48. 【請求項48】 触媒量の塩基の存在下に還元を行うこ
    とを特徴とする請求項42〜47のいずれかに記載の製
    造法。
  49. 【請求項49】 塩基が、水酸化ナトリウム、水酸化カ
    リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
    リウム、炭酸水素カリウム、ナトリウムメトキシド、ナ
    トリウムエトキシド、アンモニア、トリエチルアミン、
    又はピリジンである請求項48に記載の製造法。
  50. 【請求項50】 アミノ基の保護を塩基存在下で行うこ
    とを特徴とする請求項42〜49のいずれかに記載の製
    造法。
  51. 【請求項51】 塩基が第3級アミン類である請求項5
    0記載の製造法。
  52. 【請求項52】 第3級アミン類がピリジンまたはトリ
    エチルアミンである請求項51記載の製造法。
  53. 【請求項53】 P1がメタンスルホニル基、ベンゼン
    スルホニル基、p−トルエンスルホニル基、o−ニトロ
    ベンゼンスルホニル基、 p−ニトロベンゼンスルホニ
    ル基、トリフルオルメタンスルホニル基、アセチル基、
    ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル
    基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、t
    ert−ブトキシカルボニル基、ベンジロキシカルボニ
    ル基であり、P2が水素原子であるか、 又は、P1とP2
    がベンジル基であるか、又はP1とP2が一緒になってフ
    タロイル基である請求項42〜52のいずれかに記載の
    製造法。
  54. 【請求項54】 P1がメタンスルホニル基であり、P2
    が水素原子である請求項42〜52のいずれかに記載の
    製造法。
  55. 【請求項55】 不純物が混入している一般式(2
    a); 【化14】 (式中、R、*は上記に同じ。)で表される光学活性4
    −(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
    ン酸誘導体から有機溶剤を用いて、前記式(2a)で表
    される化合物に混入している不純物を除去し、前記式
    (2a)で表される化合物を結晶として取得することを
    特徴とする単離精製法。
  56. 【請求項56】 前記式(2a)で表される光学活性4
    −(4−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−ブテ
    ン酸誘導体に混入している不純物が、前記式(2a)で
    表される化合物の鏡像異性体である請求項55記載の単
    離精製法。
  57. 【請求項57】 有機溶剤がエステル系溶剤、エーテル
    系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、ハロゲン系溶
    剤、又はアルコールらなる群より選択された少なくとも
    1種である請求項55、又は56に記載の単離精製法。
  58. 【請求項58】 有機溶剤が酢酸メチル、酢酸エチル、
    酢酸プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸tert−ブチ
    ル、プロピオン酸メチル、メチルtert−ブチルエー
    テル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
    ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキ
    サン、アニソール、アセトン、メチルエチルケトン、ジ
    エチルケトン、アセトニトリル、プロピオニトリル、塩
    化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジク
    ロロエタン、クロロベンゼン、メタノール、エタノー
    ル、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノ
    ールからなる群より選択された少なくとも1種である請
    求項55、又は56に記載の単離精製法。
  59. 【請求項59】 有機溶剤が酢酸エチルである請求項5
    5、又は56に記載の製造法。
  60. 【請求項60】 前記式(2a)で表される化合物の収
    量、処理濃度、液性状、得られる結晶の物性のうち少な
    くとも1つを改善するために、さらに補助的な溶剤をを
    用いて行う請求項55〜59のいずれかに記載の単離精
    製法。
  61. 【請求項61】 補助的な溶剤が水、又は炭化水素系溶
    剤である請求項60に記載の単離精製法。
  62. 【請求項62】 炭化水素系溶剤が、ペンタン、ヘキサ
    ン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘプタ
    ン、オクタン、イソオクタン、ベンゼン、トルエン、エ
    チルベンゼン、プロピルベンゼン、o−キシレン、m−
    キシレン、p−キシレンからなる群より選択された少な
    くとも1種である請求項61記載の単離精製法。
  63. 【請求項63】 炭化水素系溶剤が、ヘキサン、又はト
    ルエンである請求項61記載の製造法。
  64. 【請求項64】 補助的な溶剤は、結晶化のための操作
    が終了した時点で、有機溶剤と前記補助的な溶剤との容
    量比(有機溶剤/前記補助的な溶剤)が、10以下とな
    る量で用いられる請求項60〜63のいずれかに記載の
    単離精製法。
  65. 【請求項65】 請求項12〜26のいずれかに記載の
    方法により製造された前記式(2a)で表される光学活
    性4−(p−ニトロフェニル)−4−ヒドロキシ−2−
    ブテン酸誘導体を用いることを特徴とする請求項55〜
    64のいずれかにに記載の単離精製法。
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JP2010088455A (ja) * 2002-12-06 2010-04-22 Kaneka Corp 光学活性3−ヒドロキシプロピオン酸エステル誘導体の製造法

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