JP2002208477A5

JP2002208477A5 - 発光装置及びその作製方法

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Publication number: JP2002208477A5
Application number: JP2001345439A
Authority: JP
Filing date: 2001-11-09
Publication date: 2005-05-26
Anticipated expiration: 2021-11-09

Claims

窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁層と窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁層と窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁層と窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料からなる隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁層と窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、前記発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムから成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムから成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、前記発光素子は絶縁材料から成る隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムから成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、前記発光素子は絶縁材料から成る隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、前記発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第２絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムから成る第３絶縁層と、窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層と、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、前記発光素子は、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層の間に形成され、前記有機化合物層と前記陰極とは、前記隔壁層に接することなく設けられていることを特徴とする発光装置。
請求項５乃至請求項１２のいずれか一において、前記第２絶縁層の上に前記第３絶縁層が形成され、前記第３絶縁層の上に発光素子が形成され、前記発光素子の上に前記第４絶縁層が形成されていることを特徴とする発光装置。
請求項５乃至請求項１３のいずれか一において、前記第１絶縁層の上に前記薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上に前記第２絶縁層が形成されていることを特徴とする発光装置。
請求項５乃至請求項１４のいずれか一において、前記第４絶縁層はダイアモンドライクカーボンからなる層であることを特徴とする発光装置。
請求項５乃至請求項１５のいずれか一において、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間には、有機樹脂層が設けられていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記発光素子と前記隔壁層は前記第３絶縁層の上に形成され、前記発光素子は同一の絶縁層上に存在する前記隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至請求項１７のいずれか一において、前記隔壁層は前記陽極の端部を被覆するように形成されることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記隔壁層はネガ型のレジスト材料または感光性ポリイミドから成ることを特徴とする発光装置。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上にアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上にアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、前記隔壁層に接することなく有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に前記隔壁層に接することなくアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に、上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、前記隔壁層に接することなく有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に前記隔壁層に接することなくアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第１絶縁層上に、珪素を主成分とする半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に酸化窒化珪素から成る第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層上に窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上にアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第１絶縁層上に、珪素を主成分とする半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に酸化窒化珪素から成る第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層上に窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上にアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第１絶縁層上に、珪素を主成分とする半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に酸化窒化珪素から成る第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層上に窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、前記隔壁層に接することなく有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に前記隔壁層に接することなくアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第１絶縁層上に、珪素を主成分とする半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に酸化窒化珪素から成る第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層上に窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層上に、陽極を形成し、
前記陽極の端部を覆うように前記絶縁層上に上部が基板と平行な方向に突出する形状の絶縁材料から成る隔壁層を形成し、
前記陽極上であって前記隔壁層の間に、前記隔壁層に接することなく有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に前記隔壁層に接することなくアルカリ金属を含む陰極層を形成し、
前記陰極層上に窒化珪素または炭素を主成分とする第４絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項２０乃至請求項２７のいずれか一において、前記隔壁層は、前記陽極上にネガ型のレジスト材料を塗布し、
フォトマスクを用いて、前記レジスト材料に紫外線を照射して露光した後に、前記レジスト材料を現像することによって形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項２８において、前記陽極上に前記ネガ型のレジスト材料を塗布し、前記レジスト材料の膜の厚さ方向で感光する割合を変化させ、前記レジスト材料を現像することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項２０乃至２８のいずれか一において、前記隔壁層を感光性のポリイミドを用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。