JPWO2008102694A1 - 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008102694A1 JPWO2008102694A1 JP2009500158A JP2009500158A JPWO2008102694A1 JP WO2008102694 A1 JPWO2008102694 A1 JP WO2008102694A1 JP 2009500158 A JP2009500158 A JP 2009500158A JP 2009500158 A JP2009500158 A JP 2009500158A JP WO2008102694 A1 JPWO2008102694 A1 JP WO2008102694A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- panel
- display device
- filling
- inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 115
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 71
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 45
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 449
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- -1 oxides and nitrides) Chemical compound 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
- H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/54—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
- H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
- H01J1/70—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels with protective, conductive, or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02376—Carbon, e.g. diamond-like carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
しかし、有機ELに用いられる有機材料は一般に水や酸素と接触すると化学的に変化しやすく、表示装置内部に大気中から水や酸素が進入すると有機材料が変性して、発光不良が起こる。
本発明は前記表示装置であって、前記無機膜はダイヤモンドライクカーボンと、AlNのいずれか一方を主成分とする前記表示装置である。
本発明は前記表示装置であって、前記保護膜は、前記無機膜表面に形成された樹脂膜を有し、前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記無機膜が形成された面は、前記樹脂膜に密着する前記表示装置である。
本発明は前記表示装置であって、前記各発光部は、前記第一のパネルの縁よりも内側の発光領域に位置し、前記充填膜の縁は前記発光領域よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、前記無機膜の縁は前記充填膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、前記樹脂膜の縁は前記無機膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着する前記表示装置である。
本発明は、表示装置用の製造装置であって、第一、第二の成膜室と、前記第一、第二の成膜室にそれぞれ接続された排気系と、前記第一の成膜室内部に配置された印刷ヘッドと、充填剤が配置され、前記印刷ヘッドに接続された充填剤供給系と、前記印刷ヘッドに接続された制御系と、前記第二の成膜室内部に配置された無機膜成膜装置とを有し、前記印刷ヘッドは、前記充填剤供給系から供給された前記充填剤を、前記制御系内の位置情報に従った位置に吐出するようにされ、前記第一、第二の成膜室の間は、前記第一の成膜室内から処理対象物を大気に曝さずに前記第二の成膜室内に搬送可能にされた表示装置用の製造装置である。
本発明は前記表示装置用の前記製造装置であって、前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された第一、第二の電極を有し、前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部に炭化水素ガスを供給するガス導入系が接続され、前記第一、第二の電極間には高周波電圧が印加されるように構成された前記表示装置用の前記製造装置である。
本発明は、前記表示装置用の前記製造装置であって、前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された無機材料のターゲットを有し、前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部にスパッタガスを供給するスパッタガス導入系が接続された前記表示装置用の前記製造装置である。
本発明は、第一、第二のパネルと、保護膜とを有し、前記第一、第二のパネルは表面を互いに対向して配置され、前記第一のパネルの表面には、凹部を有する積層膜が配置され、前記積層膜の前記凹部が位置する部分には、下部電極と有機膜と上部電極とが積層された発光部が位置し、前記保護膜は前記積層膜表面に形成された表示装置を製造する表示装置の製造方法であって、前記積層膜が形成された状態の前記第一のパネルを第一の成膜室内部に搬入し、前記第一の成膜室の内部に大気圧よりも圧力の低い印刷雰囲気を形成した状態で、前記凹部に充填剤を着弾させて充填膜を形成し、前記第一のパネルの前記凹部が形成された面を、前記充填膜が形成される前よりも平坦にした後、前記充填膜表面に無機膜を形成し、前記充填膜と前記無機膜とを有する保護膜を形成する表示装置の製造方法である。
本発明は前記表示装置の製造方法であって、前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、前記第二の成膜室内部の第一、第二の電極間に配置し、前記第二の成膜室の内部に、炭化水素ガスを含有し、圧力が大気圧よりも低く、かつ、前記印刷雰囲気と同じかそれよりも高い反応雰囲気を形成した状態で、前記第一、第二の電極間に電圧を印加し、前記充填膜表面にダイヤモンドライクカーボンを含有する前記無機膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
本発明は、前記表示装置の製造方法であって、前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、前記第二の成膜室の内部に、スパッタガスを含有し、圧力が前記印刷雰囲気よりも低いスパッタ雰囲気を形成した状態で、前記第二の成膜室内部に配置されたターゲットをスパッタリングして、前記充填膜表面に前記無機膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
本発明は、前記表示装置の製造方法であって、前記ターゲットとしてAlを含有するものを用い、化学構造中に窒素を含有する窒化ガスを、前記スパッタ雰囲気に含有させてスパッタリングし、AlNを含有する前記無機膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
本発明は前記表示装置の製造方法であって、インクジェット法により、前記凹部に前記充填剤を着弾させる前記表示装置の製造方法である。
本発明は前記表示装置の製造方法であって、前記第一の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記充填膜を形成し、前記第二の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記無機膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
本発明は、前記無機膜が形成された状態の前記第一のパネルの表面に、樹脂膜を形成した後、前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記樹脂膜が形成された面と対面させ、前記第二のパネルを前記樹脂膜に密着させた状態で、前記樹脂膜の周囲を取り囲むリング状の封止部材によって、前記第一のパネルと貼り合わせる前記表示装置の製造方法。
本発明は、前記表示装置の製造方法であって、前記無機膜が形成された前記第一のパネルを第三の成膜室内部に配置し、前記第三の成膜室内部に、前記反応雰囲気と同じか、それよりも圧力の低い塗布雰囲気を形成した状態で、前記無機膜の表面上に樹脂液を塗布し、前記樹脂膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
本発明は、前記表示装置の製造方法であって、前記無機膜が形成された状態の前記第一のパネルの表面に、樹脂膜を形成した後、前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記樹脂膜が形成された面と対面させ、前記第二のパネルを前記樹脂膜に密着させた状態で、前記樹脂膜の周囲を取り囲むリング状の封止部材によって、前記第一のパネルと貼り合わせる前記表示装置の製造方法である。
本発明は前記表示装置の製造方法であって、前記無機膜が形成された前記第一のパネルを第三の成膜室内部に配置し、前記第三の成膜室内部に、大気圧よりも低く、かつ、前記スパッタ雰囲気よりも圧力の高い塗布雰囲気を形成した状態で、前記無機膜の表面上に樹脂液を塗布し、前記樹脂膜を形成する前記表示装置の製造方法である。
この表示装置1は、第一、第二のパネル10、20を有しており、第一、第二のパネル10、20は、表面が互いに対向した状態で、リング状の封止部材22によって互いに貼り合わされている。
積層膜19には、積層膜19を構成する薄膜の種類や膜厚によって厚さにばらつきがあり、発光部15が位置する部分は、トランジスタ40等が位置する部分に比べて薄く、凹部13が形成されている。充填膜27は少なくとも各発光部15上に凹部13を充填するように形成されている。
無機膜28はダイヤモンドライクカーボンを主成分とするダイヤモンドライクカーボン薄膜、又は、AlNを主成分とするAlN薄膜である。尚、本発明で主成分とは、主成分とする物質を50重量%以上含有することである。
ダイヤモンドライクカーボン薄膜とAlN薄膜は、いずれも透明性が高いだけでなく、樹脂膜等に比べて気密性が高いので、水や酸素が無機膜28を通過せず、発光部15には上方から水や酸素が進入しない。
無機膜28は段差の大きいところに形成されると亀裂が生じやすいが、上述したように充填膜27で凹部13が充填された後に形成されるので、各発光部15は無機膜28で覆われた状態が維持される。
<製造装置の第一例>
図2の符号5は本発明の製造装置の第一例を示しており、この製造装置5は第一〜第三の成膜室51〜53を有している。
第二の成膜室52の内部には、無機膜成膜装置60が配置されている。第一例の製造装置5では、無機膜成膜装置60は第一、第二の電極61、62を有しており、第一、第二の電極61、62は第二の成膜室52内に配置されている。
ここでは、第一、第二の電極61、62は平板電極であり、第二の成膜室52内部に互いに平行にされた状態で水平配置され、処理対象物は第二の電極62の第一の電極61と対向する表面に配置される。
尚、処理対象物が第二の電極62上に保持されるのであれば、第一、第二の電極61、62はそれぞれ水平面から傾いていてもよい。
次に、第一例の製造装置5を用いて本発明の表示装置を製造する工程について説明する。
先ず、第一、第三の成膜室51、53内部を予め真空排気する。ここでは、第一〜第三の成膜室51〜53にはそれぞれガス供給系68が接続されている。第一、第三の成膜室51、53の真空排気を続けながら、水と酸素の含有量がそれぞれ1ppm以下の不活性ガス(例えば乾燥N2ガス)をガス供給系68から第一、第三の成膜室51、53内部に供給し、水と酸素の含有量がそれぞれ1ppm以下であって、圧力が大気圧よりも低い減圧雰囲気(印刷雰囲気、塗布雰囲気)をそれぞれ形成する(前処理工程)。
図3(a)は充填膜27が形成される前の第一のパネル10を示しており、この状態では各発光部15が露出している。第一の成膜室51内の印刷雰囲気を維持しながら、図3(a)に示す状態の第一のパネル10を、第一の成膜室51内部に搬入し、印刷台55上に配置する。
制御系57に予め発光部15の位置情報を入力しておき、印刷雰囲気を維持したまま、制御系57は第一のパネル10と印刷ヘッド56を相対的に移動させ、制御系57内の位置情報に従い、各発光部15に充填剤を着弾させ、凹部13を充填剤で充填した後、加熱手段で充填剤を乾燥させて、凹部13を充填する充填膜27を形成する。
尚、制御系57には直接位置情報を入力してもよいし、既に位置情報が記憶された他の装置を接続することで、制御系57に位置情報を入力してもよい。
ここでは、原料ガス供給系64は、CH4、C6H6、C2H2とからなる炭化水素群より選択される少なくとも1種類の原料ガスが配置された原料ガスタンクと、Arガス等不活性ガスが配置された希釈ガスタンクとを有している。
第一のパネル10上に不図示のマスクを配置し、第一のパネル10の縁部分をマスクで覆い、少なくとも発光部15が配置された領域をマスクの貫通孔内に露出させて、第一、第二の電極61、62間に高周波電圧を印加すると、各発光部15上の樹脂膜27表面には炭化水素の重合物(ダイヤモンドライクカーボン)からなる無機膜28が成長する(図3(c))。
上述したように、第三の成膜室53の内部には、予め大気圧よりも低圧の塗布雰囲気が形成されおり、塗布雰囲気を維持しながら、無機膜28が形成された状態の第一のパネル10を、第三の成膜室53内部に搬入し、載置台72上に水平配置し、第一のパネル10の表面上にスクリーン74を水平配置する。
保護膜25が形成された状態の第一のパネル10を、第三の成膜室53から取り出し、製造装置5外部に搬出する。
樹脂膜29が形成された状態の第一のパネル10の表面に、樹脂膜29の外周に沿って、樹脂膜29の側面と密着するように、リング状の封止部材を配置する。
次に、本発明の第二例の製造装置と、第二例の製造方法について説明する。
図4の符号6は第二例の製造装置を示している。第二例の製造装置6は、無機膜形成装置90と、第二の成膜室52に接続されたガス供給系94が異なる以外は、上記第一例の製造装置5と同じ構成を有しており、第一例の製造装置5と同じ部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
第二例の製造装置6の無機膜形成装置90はターゲット91を有しており、該ターゲット91は第二の成膜室52の内部に配置されている。
排気系69によって第二の成膜室52内部を真空排気し、スパッタガス供給系94から第二の成膜室52内部にスパッタガスを供給しながら、第二の成膜室52を接地電位に置いた状態で、電源95からターゲット91に電圧を印加すると、ターゲット91がスパッタリングされるように構成されている。
第二の成膜室52と、第一、第三の成膜室51、53の間の圧力差が大きくても、第二の成膜室52の内部雰囲気が、第一、第三の成膜室51、53に直接接続されないから、発塵が起こらない。
次に、上記第二例の製造装置6を用いた第二例の製造方法について説明する。
第二例の製造方法は、第一例の製造方法と、前処理工程と、充填膜形成工程が同じであり、上述した工程で、第一のパネル10の表面上に充填膜27を形成する。
次に、第二例の製造方法の無機膜形成工程を説明する。
ここでは、第二の成膜室52内部に基板ホルダ92が配置されており、第二の成膜室52内部に搬入した第一のパネル10を基板ホルダ92上に配置し、第一のパネル10の充填膜27が形成された側の面をターゲット91と対面させる。
上述したように、発光部15が位置する凹部13は充填膜27で充填され、周囲の凸部との段差が小さくなっているので、発光部15上に成長する無機膜28と、その周囲に成長する無機膜28とが分断せず、各発光部15は連続した一枚の無機膜28で覆われる。無機膜28の厚さが所定膜厚に達したところで、ターゲット91の電圧印加を停止する。
尚、スパッタ雰囲気は高真空であり、樹脂膜を形成する際の塗布雰囲気をスパッタ雰囲気と同程度の高真空にすると、樹脂液供給系76内部の圧力調整が困難になるから、塗布雰囲気はスパッタ雰囲気の圧力よりは高く、かつ、大気圧よりも低くする。
樹脂膜を形成後、第一例の製造方法の封止工程と同じ方法で第一、第二のパネルを封止すれば、表示装置1が得られる。
第二の成膜室52を第一、第三の成膜室51、53に接続する前に、第二の成膜室52の内部圧力を上げるか、第一、第三の成膜室51、53の内部圧力を下げて、圧力差を小さくすれば、発塵は抑えられるが、圧力調整に時間がかかり、製造に要する時間が長くなる。
処理対象物(第一のパネル)を第一の成膜室51から第二の成膜室52へ搬送する際は、第一、第二の成膜室51、52間のバッファ室を、第二の成膜室52から遮断した状態で、該バッファ室内に、第一の成膜室51の内部圧力と略等しい圧力の内部雰囲気を形成し、第一のパネル10を第一の成膜室51からバッファ室に搬入する。
このように、第一、第二の成膜室51、52間の搬送と、第二、第三の成膜室52、53間の搬送を、バッファ室を介して行えば、発塵が抑えられ、第一のパネル10が汚染されない。
<その他の実施例>
また、第一、第二例の製造方法の充填剤として、上述したような樹脂と、無機材料の捕水剤の両方を含有するものを用い、樹脂と捕水剤の両方を含有する充填膜27を形成することもできる。
また、本発明は、前記各発光部は、前記第一のパネルの縁よりも内側の発光領域に位置し、前記充填膜の縁は前記発光領域よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、前記無機膜の縁は前記充填膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、前記樹脂膜の縁は前記無機膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着する表示装置である。
本発明は、第一、第二、第三の成膜室と、前記第一、第二、第三の成膜室にそれぞれ接続された排気系と、前記第一の成膜室内部に配置された充填膜形成装置と、前記第二の成膜室内部に配置された無機膜成膜装置と、前記第三の成膜室内部に配置された樹脂膜形成装置と、を有し、前記充填膜形成装置は、インクジェット法により充填剤を吐出する印刷ヘッドと、前記印刷ヘッドに充填剤を供給する充填剤供給系と、前記印刷ヘッドに接続された制御系とを有し、前記印刷ヘッドは、前記充填剤供給系から供給された前記充填剤を、前記制御系内の位置情報に従った位置に吐出し、前記位置情報は処理対象物の凹部の位置を示す情報を含み、前記第一、第二、第三の成膜室は、それぞれ減圧雰囲気にされ、前記第一、第二、第三の成膜室の間は、前記処理対象物を大気に曝さずに搬送可能にされた表示装置用の製造装置である。
また、本発明は、前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された第一、第二の電極を有し、前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部に炭化水素ガスを供給するガス導入系が接続され、前記第一、第二の電極間には高周波電圧が印加されるように構成された表示装置用の製造装置である。
また、本発明は、前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された無機材料のターゲットを有し、前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部にスパッタガスを供給するスパッタガス導入系が接続された表示装置用の製造装置である。
また、本発明は、前記第三の成膜室には、スクリーンと、前記スクリーン上に樹脂を供給する樹脂液供給手段と、前記スクリーン上の樹脂をスクリーンを通過するように押圧する押圧手段を有している表示装置用の製造装置である。
本発明は、第一、第二のパネルと、保護膜とを有し、前記第一、第二のパネルは表面を互いに対向して配置され、前記第一のパネルの表面には、凹部を有する積層膜が配置され、前記積層膜の前記凹部が位置する部分には、下部電極と有機膜と上部電極とが積層された発光部が位置し、前記保護膜は充填膜と無機膜と樹脂膜を有し、前記保護膜は前記積層膜表面に形成された表示装置を製造する表示装置の製造方法であって、前記積層膜が形成された状態の前記第一のパネルを第一の成膜室内部に搬入し、前記第一の成膜室の内部に大気圧よりも圧力の低い印刷雰囲気を形成した状態で、インクジェット法により前記凹部に充填剤を着弾させて充填膜を形成し、前記第一のパネルの前記凹部が形成された面を、前記充填膜が形成される前よりも平坦にする充填膜形成工程と、前記充填膜が形成された状態の前記第一のパネルを第二の成膜室内部に搬入し、前記第二の成膜室の内部に大気圧よりも圧力の低い成膜雰囲気を形成した状態で、前記充填膜表面に無機膜を形成する無機膜形成工程と、前記無機膜が形成された状態の前記第一のパネルを第三の成膜室内部に搬入し、前記第三の成膜室の内部に大気圧よりも圧力の低い印刷雰囲気を形成した状態で、前記無機膜上にスクリーン印刷法により樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程とを含む、表示装置の製造方法である。
また、本発明は、前記無機膜形成工程は、前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、前記第二の成膜室内部の第一、第二の電極間に配置し、前記第二の成膜室の内部に、炭化水素ガスを含有し、圧力が大気圧よりも低く、かつ、前記印刷雰囲気と同じかそれよりも高い反応雰囲気を形成した状態で、前記第一、第二の電極間に電圧を印加し、前記充填膜表面にダイヤモンドライクカーボンを含有する前記無機膜を形成する表示装置の製造方法である。
また、本発明は、前記無機膜形成工程は、前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、前記第二の成膜室の内部に、スパッタガスを含有し、圧力が前記印刷雰囲気よりも低いスパッタ雰囲気を形成した状態で、前記第二の成膜室内部に配置されたターゲットをスパッタリングして、前記充填膜表面に前記無機膜を形成する表示装置の製造方法である。
また、本発明は、前記ターゲットとしてAlを含有するものを用い、化学構造中に窒素を含有する窒化ガスを、前記スパッタ雰囲気に含有させてスパッタリングし、AlNを含有する前記無機膜を形成する表示装置の製造方法である。
また、本発明は、前記第一の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記充填膜を形成し、前記第二の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記無機膜を形成する表示装置の製造方法である。
また、本発明は、前記樹脂膜形成工程の後、前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記樹脂膜が形成された面と対面させ、前記第二のパネルを前記樹脂膜に密着させた状態で、前記樹脂膜の周囲を取り囲むリング状の封止部材によって、前記第一のパネルと貼り合わせる表示装置の製造方法である。
Claims (17)
- 第一、第二のパネルと、保護膜とを有し、
前記第一、第二のパネルは表面を互いに対向して配置され、
前記第一のパネルの表面には、凹部を有する積層膜が配置され、
前記積層膜の前記凹部が位置する部分には、下部電極と有機膜と上部電極とが積層された発光部が位置し、
前記保護膜は前記積層膜表面に形成された表示装置であって、
前記保護膜は、前記凹部を充填する充填膜と、少なくとも前記充填膜表面の前記凹部に位置する部分に形成された無機膜とを有し、
前記第一のパネルの前記凹部が形成された面は、前記充填膜を充填する前よりも、前記充填膜を充填した後の方が平坦にされた表示装置。 - 前記無機膜はダイヤモンドライクカーボンと、AlNのいずれか一方を主成分とする請求項1記載の表示装置。
- 前記保護膜は、前記無機膜表面に形成された樹脂膜を有し、
前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記無機膜が形成された面は、前記樹脂膜に密着する請求項1記載の表示装置。 - 前記各発光部は、前記第一のパネルの縁よりも内側の発光領域に位置し、
前記充填膜の縁は前記発光領域よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、
前記無機膜の縁は前記充填膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着し、
前記樹脂膜の縁は前記無機膜の縁よりも外側で前記第一のパネルの表面に密着する請求項3記載の表示装置。 - 第一、第二の成膜室と、
前記第一、第二の成膜室にそれぞれ接続された排気系と、
前記第一の成膜室内部に配置された印刷ヘッドと、
充填剤が配置され、前記印刷ヘッドに接続された充填剤供給系と、
前記印刷ヘッドに接続された制御系と、
前記第二の成膜室内部に配置された無機膜成膜装置とを有し、
前記印刷ヘッドは、前記充填剤供給系から供給された前記充填剤を、前記制御系内の位置情報に従った位置に吐出するようにされ、
前記第一、第二の成膜室の間は、前記第一の成膜室内から処理対象物を大気に曝さずに前記第二の成膜室内に搬送可能にされた表示装置用の製造装置。 - 前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された第一、第二の電極を有し、
前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部に炭化水素ガスを供給するガス導入系が接続され、
前記第一、第二の電極間には高周波電圧が印加されるように構成された請求項5記載の表示装置用の製造装置。 - 前記無機膜成膜装置は、前記第二の成膜室内部に配置された無機材料のターゲットを有し、
前記第二の成膜室には、前記第二の成膜室の内部にスパッタガスを供給するスパッタガス導入系が接続された請求項5記載の表示装置用の製造装置。 - 第一、第二のパネルと、保護膜とを有し、
前記第一、第二のパネルは表面を互いに対向して配置され、
前記第一のパネルの表面には、凹部を有する積層膜が配置され、
前記積層膜の前記凹部が位置する部分には、下部電極と有機膜と上部電極とが積層された発光部が位置し、
前記保護膜は前記積層膜表面に形成された表示装置を製造する表示装置の製造方法であって、
前記積層膜が形成された状態の前記第一のパネルを第一の成膜室内部に搬入し、前記第一の成膜室の内部に大気圧よりも圧力の低い印刷雰囲気を形成した状態で、前記凹部に充填剤を着弾させて充填膜を形成し、前記第一のパネルの前記凹部が形成された面を、前記充填膜が形成される前よりも平坦にした後、
前記充填膜表面に無機膜を形成し、前記充填膜と前記無機膜とを有する保護膜を形成する表示装置の製造方法。 - 前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、前記第二の成膜室内部の第一、第二の電極間に配置し、
前記第二の成膜室の内部に、炭化水素ガスを含有し、圧力が大気圧よりも低く、かつ、前記印刷雰囲気と同じかそれよりも高い反応雰囲気を形成した状態で、前記第一、第二の電極間に電圧を印加し、前記充填膜表面にダイヤモンドライクカーボンを含有する前記無機膜を形成する請求項8記載の表示装置の製造方法。 - 前記充填膜が形成された前記第一のパネルを、第二の成膜室の内部に搬入し、
前記第二の成膜室の内部に、スパッタガスを含有し、圧力が前記印刷雰囲気よりも低いスパッタ雰囲気を形成した状態で、前記第二の成膜室内部に配置されたターゲットをスパッタリングして、前記充填膜表面に前記無機膜を形成する請求項8記載の表示装置の製造方法。 - 前記ターゲットとしてAlを含有するものを用い、化学構造中に窒素を含有する窒化ガスを、前記スパッタ雰囲気に含有させてスパッタリングし、AlNを含有する前記無機膜を形成する請求項10記載の表示装置の製造方法。
- インクジェット法により、前記凹部に前記充填剤を着弾させる請求項8記載の表示装置の製造方法。
- 前記第一の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記充填膜を形成し、
前記第二の成膜室内部の酸素と水の含有量をそれぞれ1ppm以下にして前記無機膜を形成する請求項8記載の表示装置の製造方法。 - 前記無機膜が形成された状態の前記第一のパネルの表面に、樹脂膜を形成した後、
前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記樹脂膜が形成された面と対面させ、
前記第二のパネルを前記樹脂膜に密着させた状態で、前記樹脂膜の周囲を取り囲むリング状の封止部材によって、前記第一のパネルと貼り合わせる請求項9記載の表示装置の製造方法。 - 前記無機膜が形成された前記第一のパネルを第三の成膜室内部に配置し、
前記第三の成膜室内部に、前記反応雰囲気と同じか、それよりも圧力の低い塗布雰囲気を形成した状態で、
前記無機膜の表面上に樹脂液を塗布し、前記樹脂膜を形成する請求項14記載の表示装置の製造方法。 - 前記無機膜が形成された状態の前記第一のパネルの表面に、樹脂膜を形成した後、
前記第二のパネルの表面と、前記第一のパネルの前記樹脂膜が形成された面と対面させ、
前記第二のパネルを前記樹脂膜に密着させた状態で、前記樹脂膜の周囲を取り囲むリング状の封止部材によって、前記第一のパネルと貼り合わせる請求項10記載の表示装置の製造方法。 - 前記無機膜が形成された前記第一のパネルを第三の成膜室内部に配置し、
前記第三の成膜室内部に、大気圧よりも低く、かつ、前記スパッタ雰囲気よりも圧力の高い塗布雰囲気を形成した状態で、
前記無機膜の表面上に樹脂液を塗布し、前記樹脂膜を形成する請求項16記載の表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007040867 | 2007-02-21 | ||
JP2007040867 | 2007-02-21 | ||
JP2007040866 | 2007-02-21 | ||
JP2007040866 | 2007-02-21 | ||
PCT/JP2008/052501 WO2008102694A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-02-15 | 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011265038A Division JP2012109248A (ja) | 2007-02-21 | 2011-12-02 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008102694A1 true JPWO2008102694A1 (ja) | 2010-05-27 |
Family
ID=39709971
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009500158A Pending JPWO2008102694A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-02-15 | 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 |
JP2011265038A Pending JP2012109248A (ja) | 2007-02-21 | 2011-12-02 | 表示装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011265038A Pending JP2012109248A (ja) | 2007-02-21 | 2011-12-02 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7857673B2 (ja) |
EP (2) | EP2560459A3 (ja) |
JP (2) | JPWO2008102694A1 (ja) |
KR (1) | KR101098859B1 (ja) |
CN (1) | CN101617564B (ja) |
TW (1) | TW200904237A (ja) |
WO (1) | WO2008102694A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5416913B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 有機el素子 |
US12018857B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-06-25 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
CN102959707B (zh) * | 2011-06-30 | 2016-09-28 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示面板以及显示面板的制造方法 |
FR2985076B1 (fr) * | 2011-12-23 | 2014-08-29 | Valeo Systemes Thermiques | Module de commande et d'affichage pour vehicule automobile et procede de fabrication |
KR101188748B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2012-10-09 | 지스마트 주식회사 | 투명전광판 및 그 제조방법 |
WO2014065171A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-01 | シャープ株式会社 | 貼合基板の製造方法 |
JP6253923B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
KR102080296B1 (ko) * | 2013-12-03 | 2020-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR101878084B1 (ko) | 2013-12-26 | 2018-07-12 | 카티바, 인크. | 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술 |
EP3975229A1 (en) * | 2014-01-21 | 2022-03-30 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for electronic device encapsulation |
CN110265326B (zh) | 2014-04-30 | 2024-03-08 | 科迪华公司 | 用于衬底涂覆的气垫设备和技术 |
JP6560923B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2019-08-14 | 東レエンジニアリング株式会社 | 封止膜形成装置および封止膜形成方法 |
JP6684564B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2020-04-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20170071779A (ko) * | 2015-12-16 | 2017-06-26 | 주식회사 트레이스 | 반구형 터치센서 판넬의 진공 열성형 장치 |
JP6932910B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2021-09-08 | 船井電機株式会社 | 表示装置 |
CN109830181A (zh) | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN110571354B (zh) * | 2019-09-09 | 2022-03-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 封装结构、显示面板及显示装置 |
CN113571435B (zh) * | 2021-07-02 | 2024-02-27 | 矽磐微电子(重庆)有限公司 | 芯片封装结构的形成方法 |
JP7501766B1 (ja) | 2023-10-03 | 2024-06-18 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル基板上への塗布膜形成方法及び接合型ウェーハの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324667A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器およびそれらの作製方法 |
JP2003195787A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004111386A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法 |
JP2004119086A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2005251721A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3409762B2 (ja) | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002093586A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
KR100365590B1 (ko) | 2000-09-01 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 듀얼클럭으로 작동하는 전자레인지 |
JP4632337B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP4493926B2 (ja) | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP4561201B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2005123089A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | カラー有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP4801346B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4329740B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP4631683B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
CN100581304C (zh) * | 2005-03-24 | 2010-01-13 | 双叶电子工业株式会社 | 干燥剂和使用该干燥剂的场致发光装置 |
JP2006286211A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機elパネルの製造方法 |
JP2007128741A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 有機el発光装置および電子機器、有機el発光装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-02-15 JP JP2009500158A patent/JPWO2008102694A1/ja active Pending
- 2008-02-15 CN CN2008800055651A patent/CN101617564B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-15 EP EP12192918.6A patent/EP2560459A3/en not_active Withdrawn
- 2008-02-15 WO PCT/JP2008/052501 patent/WO2008102694A1/ja active Application Filing
- 2008-02-15 EP EP08711331A patent/EP2120510A4/en not_active Withdrawn
- 2008-02-15 KR KR1020097017161A patent/KR101098859B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-19 TW TW097105757A patent/TW200904237A/zh unknown
-
2009
- 2009-08-20 US US12/544,665 patent/US7857673B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-18 US US12/926,437 patent/US20110069473A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-12-02 JP JP2011265038A patent/JP2012109248A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324667A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器およびそれらの作製方法 |
JP2003195787A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2004111386A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法 |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004119086A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2005251721A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200904237A (en) | 2009-01-16 |
EP2560459A3 (en) | 2013-04-10 |
CN101617564A (zh) | 2009-12-30 |
CN101617564B (zh) | 2013-02-06 |
US20110069473A1 (en) | 2011-03-24 |
KR101098859B1 (ko) | 2011-12-26 |
EP2120510A1 (en) | 2009-11-18 |
US7857673B2 (en) | 2010-12-28 |
JP2012109248A (ja) | 2012-06-07 |
KR20090117742A (ko) | 2009-11-12 |
EP2560459A2 (en) | 2013-02-20 |
US20100013385A1 (en) | 2010-01-21 |
WO2008102694A1 (ja) | 2008-08-28 |
EP2120510A4 (en) | 2012-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2008102694A1 (ja) | 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 | |
KR101089487B1 (ko) | 자체 발광 패널의 제조 방법 | |
US10333105B2 (en) | Organic light emitting display packaging structure and manufacturing method thereof | |
JP4227134B2 (ja) | 平板表示装置の製造方法、平板表示装置、及び平板表示装置のパネル | |
CN1212931C (zh) | 气密室连接管线的贯通结构、有该结构的装置及其制法 | |
KR101931336B1 (ko) | 평판 표시장치의 보호필름 부착용 전사필름 및 전사필름을 이용한 평판 표시장치의 제조 방법 | |
WO2016086535A1 (zh) | Oled封装结构及其封装方法 | |
CN108598277B (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
JP2010027599A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
JP2009187941A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
WO2002059861A1 (fr) | Dispositif d'affichage | |
JP2003187962A (ja) | 有機elディスプレイ用対向基板の製造方法および有機elディスプレイの製造方法 | |
JP2010020973A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
CN103329300A (zh) | 衬底及其制备方法、以及使用该衬底的有机电致发光器件 | |
US11251405B2 (en) | Organic light emitting diode display panel with barrier film package bag and fabricating method thereof | |
TW200845805A (en) | Resin film forming device, resin film forming method, display device and manufacturing device for display device and manufacturing method for display device | |
JP2007080713A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
WO2018133143A1 (zh) | Oled封装方法 | |
WO2020042251A1 (zh) | 顶发光型有机发光二极管显示装置及其封装方法 | |
KR20190091550A (ko) | Oled 디스플레이의 패키징 방법 및 oled 디스플레이 | |
JP2006004707A (ja) | 封止装置、封止方法、有機el装置、および電子機器 | |
KR100380316B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 봉지 방법 | |
KR102005392B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 | |
CN1665356A (zh) | 有机el面板的制造方法、有机el面板 | |
JP2008218309A (ja) | 有機el基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121120 |