JP2002208180A - 光記録媒体の構造およびその製作方法 - Google Patents
光記録媒体の構造およびその製作方法Info
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- JP2002208180A JP2002208180A JP2001086524A JP2001086524A JP2002208180A JP 2002208180 A JP2002208180 A JP 2002208180A JP 2001086524 A JP2001086524 A JP 2001086524A JP 2001086524 A JP2001086524 A JP 2001086524A JP 2002208180 A JP2002208180 A JP 2002208180A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 局所的に成膜された層により、凹凸を形成す
ることによって、１００ｎｍ以下の記録ビットの読み出
し専用の光記録媒体を提供し、また、従来用いられてい
たスタンパーを作る必要がないため、製造時間を効果的
に短縮できるだけでなく、製造コストも効果的に低くす
ることができる読み出し専用の光記録媒体及びその製造
方法、より詳しくは、相変化記録材料の相状態の違いに
より、選択的に高屈折材料を局所的に成膜した光記録媒
体及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 読み出し専用の光記録媒体において、局
所的に成膜された層、例えば相変化記録材料の相状態の
違いにより、選択的に高屈折材料を局所的に成膜された
層により凹凸を形成している構造を有することを特徴と
する光記録媒体。
ることによって、１００ｎｍ以下の記録ビットの読み出
し専用の光記録媒体を提供し、また、従来用いられてい
たスタンパーを作る必要がないため、製造時間を効果的
に短縮できるだけでなく、製造コストも効果的に低くす
ることができる読み出し専用の光記録媒体及びその製造
方法、より詳しくは、相変化記録材料の相状態の違いに
より、選択的に高屈折材料を局所的に成膜した光記録媒
体及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 読み出し専用の光記録媒体において、局
所的に成膜された層、例えば相変化記録材料の相状態の
違いにより、選択的に高屈折材料を局所的に成膜された
層により凹凸を形成している構造を有することを特徴と
する光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
る分野に関し、特に、ＲＯＭ（Read Only Memory；読み
出し専用）の光記録媒体構造およびその製造法に関す
る。
る分野に関し、特に、ＲＯＭ（Read Only Memory；読み
出し専用）の光記録媒体構造およびその製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のスタンパーによる技術として、特
開平６−２６７１１７号公報には従来の凹凸形状からな
る読み出し専用（ＲＯＭ）光記録媒体の製造方法が記載
されているが、この製造方法は、ＲＯＭ作製時に必要と
なるスタンパー製造において、スタンパー完成後に電解
メッキもしくは無電解メッキ等のメッキ法により、補正
用メッキ皮膜を形成し、信頼性の高いスタンパー原盤を
形成することを特徴とするものであるが、この方法にお
いては、１００ｎｍ以下の記録ビットの読み出し専用の
光記録媒体を製造することが難しい。また、特開平１０
−６４１２５号公報には、スタンパーの記録ビットのみ
選択的にデポするＲＯＭの製造方法が記載されており、
ＲＯＭ作製時に必要となるマスターディスクの製造ステ
ップを必要とせず、製造時間の短縮を特徴としている。
この技術によると、図５に示すように、基体上にレジス
トを塗布し（図５−（ｂ））、レジストパターンを形成
し（図５−（ｄ））、その後、このレジストパターン以
外の領域に、電気的もしくは化学的に基体と同種の材料
を付着させ（図５−（ｈ））ることにより、ＲＯＭ製作
用のプレス台が製造される。しかしながら、この読み出
し専用の光記録媒体の製造方法においても、１００ｎｍ
以下の記録ビットの読み出し専用の光記録媒体の製造は
難しい。
開平６−２６７１１７号公報には従来の凹凸形状からな
る読み出し専用（ＲＯＭ）光記録媒体の製造方法が記載
されているが、この製造方法は、ＲＯＭ作製時に必要と
なるスタンパー製造において、スタンパー完成後に電解
メッキもしくは無電解メッキ等のメッキ法により、補正
用メッキ皮膜を形成し、信頼性の高いスタンパー原盤を
形成することを特徴とするものであるが、この方法にお
いては、１００ｎｍ以下の記録ビットの読み出し専用の
光記録媒体を製造することが難しい。また、特開平１０
−６４１２５号公報には、スタンパーの記録ビットのみ
選択的にデポするＲＯＭの製造方法が記載されており、
ＲＯＭ作製時に必要となるマスターディスクの製造ステ
ップを必要とせず、製造時間の短縮を特徴としている。
この技術によると、図５に示すように、基体上にレジス
トを塗布し（図５−（ｂ））、レジストパターンを形成
し（図５−（ｄ））、その後、このレジストパターン以
外の領域に、電気的もしくは化学的に基体と同種の材料
を付着させ（図５−（ｈ））ることにより、ＲＯＭ製作
用のプレス台が製造される。しかしながら、この読み出
し専用の光記録媒体の製造方法においても、１００ｎｍ
以下の記録ビットの読み出し専用の光記録媒体の製造は
難しい。
【０００３】光記録媒体は、追記型のＣＤ−Ｒや書き換
え可能なＣＤ−ＲＷなどの登場により、その市場規模が
劇的に大きくなっている。特に、近年発売されたＤＶＤ
により、さらに大きくなるものと考えられる。このよう
な光記録媒体の市場の拡大に伴い、この光記録媒体によ
り公的文書や重要機密文章を保存する傾向が高まってい
る。特に、このような記録媒体は、音楽用の数十万枚と
作られるＣＤ−ＲＯＭと異なり、数十枚単位でしか作ら
れないことが多い。このような数十枚単位のＣＤ―ＲＯ
Ｍに代表される読み込み専用の光記録媒体では、製造コ
ストが非常に高くなってしまう。また、ＣＤ−Ｒに代表
される追記型の光記録媒体やＣＤ−ＲＷに代表される書
き換え可能な光記録媒体の場合、１枚当たりの製造単価
は抑えられるものの、上書きされる（改ざんされる）可
能性がある。また、今後伸びゆく微小化により、その凹
凸構造も、スタンパー形成では非常に難しいという問題
がある。
え可能なＣＤ−ＲＷなどの登場により、その市場規模が
劇的に大きくなっている。特に、近年発売されたＤＶＤ
により、さらに大きくなるものと考えられる。このよう
な光記録媒体の市場の拡大に伴い、この光記録媒体によ
り公的文書や重要機密文章を保存する傾向が高まってい
る。特に、このような記録媒体は、音楽用の数十万枚と
作られるＣＤ−ＲＯＭと異なり、数十枚単位でしか作ら
れないことが多い。このような数十枚単位のＣＤ―ＲＯ
Ｍに代表される読み込み専用の光記録媒体では、製造コ
ストが非常に高くなってしまう。また、ＣＤ−Ｒに代表
される追記型の光記録媒体やＣＤ−ＲＷに代表される書
き換え可能な光記録媒体の場合、１枚当たりの製造単価
は抑えられるものの、上書きされる（改ざんされる）可
能性がある。また、今後伸びゆく微小化により、その凹
凸構造も、スタンパー形成では非常に難しいという問題
がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来技術に鑑みて、局所的に成膜された層によ
り、凹凸を形成することによって、１００ｎｍ以下の記
録ビットの読み出し専用の光記録媒体を提供し、また、
従来用いられていたスタンパーを作る必要がないため、
製造時間を効果的に短縮できるだけでなく、製造コスト
も効果的に低くすることができる読み出し専用の光記録
媒体及びその製造方法、より詳しくは、相変化記録材料
の相状態の違いにより、選択的に高屈折材料を局所的に
成膜した光記録媒体及びその製造方法を提供することに
ある。
は、上記従来技術に鑑みて、局所的に成膜された層によ
り、凹凸を形成することによって、１００ｎｍ以下の記
録ビットの読み出し専用の光記録媒体を提供し、また、
従来用いられていたスタンパーを作る必要がないため、
製造時間を効果的に短縮できるだけでなく、製造コスト
も効果的に低くすることができる読み出し専用の光記録
媒体及びその製造方法、より詳しくは、相変化記録材料
の相状態の違いにより、選択的に高屈折材料を局所的に
成膜した光記録媒体及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「読み出し専用の光記録媒体の構造において、局
所的に成膜された層により凹凸を形成している構造を有
することを特徴とする光記録媒体」、（２）「少なくと
も１層として相変化型記録材料からなる層を有すること
を特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、
（３）「局所的に成膜される層として、高屈折率材料か
らなる層を用いていることを特徴とする前記第（１）項
または第（２）項に記載の光記録媒体」、（４）「局所
的に成膜される高屈折率材料からなる層として、炭素膜
を用いることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）
項の何れか１に記載の光記録媒体」により達成される。
（１）「読み出し専用の光記録媒体の構造において、局
所的に成膜された層により凹凸を形成している構造を有
することを特徴とする光記録媒体」、（２）「少なくと
も１層として相変化型記録材料からなる層を有すること
を特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、
（３）「局所的に成膜される層として、高屈折率材料か
らなる層を用いていることを特徴とする前記第（１）項
または第（２）項に記載の光記録媒体」、（４）「局所
的に成膜される高屈折率材料からなる層として、炭素膜
を用いることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）
項の何れか１に記載の光記録媒体」により達成される。
【０００６】また、上記課題は、本発明の（５）「前記
第（１）項乃至第（４）項の何れか１に記載の読み出し
専用の光記録媒体において、前記第（３）項または第
（４）項に記載の高屈折率材料の局所的な選択成膜の方
法として、前記第（２）項に記載の相変化型記録材料の
相状態の違いを用いることを特徴とする前記第（１）項
に記載の光記録媒体の製造方法」、（６）「前記第
（１）項乃至第（４）項の何れか１に記載の読み出し専
用の光記録媒体において、前記第（５）項に記載の相変
化記録材料の相状態の違いにより選択的に成膜させる製
造方法であって、少なくとも相変化材料を成膜する工
程、相変化材料に局所的に相状態を変化させる工程を有
することを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体の製造方法」、（７）「前記第（４）項に記載の炭素
膜を、前記第（５）項または第（６）項に記載の製造方
法により選択的に成膜される光記録媒体の製造方法にお
いて、選択的に成膜される炭素膜の成膜条件として、水
素雰囲気中で行なうことを特徴とする読み出し専用の光
記録媒体の製造方法」により達成される。
第（１）項乃至第（４）項の何れか１に記載の読み出し
専用の光記録媒体において、前記第（３）項または第
（４）項に記載の高屈折率材料の局所的な選択成膜の方
法として、前記第（２）項に記載の相変化型記録材料の
相状態の違いを用いることを特徴とする前記第（１）項
に記載の光記録媒体の製造方法」、（６）「前記第
（１）項乃至第（４）項の何れか１に記載の読み出し専
用の光記録媒体において、前記第（５）項に記載の相変
化記録材料の相状態の違いにより選択的に成膜させる製
造方法であって、少なくとも相変化材料を成膜する工
程、相変化材料に局所的に相状態を変化させる工程を有
することを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体の製造方法」、（７）「前記第（４）項に記載の炭素
膜を、前記第（５）項または第（６）項に記載の製造方
法により選択的に成膜される光記録媒体の製造方法にお
いて、選択的に成膜される炭素膜の成膜条件として、水
素雰囲気中で行なうことを特徴とする読み出し専用の光
記録媒体の製造方法」により達成される。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、先に記述したように、読み出し専用の光記録媒体の
構造に関するものであり、特に、この光記録媒体の構造
として、局所的に成膜された層を形成し凹凸を作り出し
たものである。この凹凸構造は、相変化材料のクリスタ
ル相状態とアモルファス相状態の２相での電気特性の違
いを用いている。また、この局所的に選択成膜される材
料として、再生時に高いモジュレーションを保ちつつ、
その膜厚を薄くできる高屈折率材料を用いている。特
に、この高屈折率材料として、高屈折率材料の１つであ
る炭素膜、特に、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を用い
ている。このような読み出し専用の光記録媒体の構造を
形成することで、従来用いられていたスタンパーを作る
必要がないため、製造時間を効果的に短縮できるだけで
なく、製造コストも効果的に低くすることができる。さ
らに、相変化材料に１００ｎｍの記録マークを形成する
ことで、スタンパーでは非常に難しい、１００ｎｍ以下
の凹凸構造による記録ビット形成をすることができる。
は、先に記述したように、読み出し専用の光記録媒体の
構造に関するものであり、特に、この光記録媒体の構造
として、局所的に成膜された層を形成し凹凸を作り出し
たものである。この凹凸構造は、相変化材料のクリスタ
ル相状態とアモルファス相状態の２相での電気特性の違
いを用いている。また、この局所的に選択成膜される材
料として、再生時に高いモジュレーションを保ちつつ、
その膜厚を薄くできる高屈折率材料を用いている。特
に、この高屈折率材料として、高屈折率材料の１つであ
る炭素膜、特に、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を用い
ている。このような読み出し専用の光記録媒体の構造を
形成することで、従来用いられていたスタンパーを作る
必要がないため、製造時間を効果的に短縮できるだけで
なく、製造コストも効果的に低くすることができる。さ
らに、相変化材料に１００ｎｍの記録マークを形成する
ことで、スタンパーでは非常に難しい、１００ｎｍ以下
の凹凸構造による記録ビット形成をすることができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に記述する。
請求項１に記載の読み出し専用の光記録媒体の構造の１
例を、図７を用いて説明する。この読み出し専用の光記
録媒体の層構成は、ポリカーボネート基板（１）／局所
的に成膜された層（３）／反射層（４）／ＵＶ樹脂層
（５）からなる。この局所的に成膜された層（３）の形
成方法の１例としては、ポリカーボネート基板（１）
に、半導体のリソグラフィー技術を用いて、フォトレジ
ストパターンを形成する。この実施例では、フォトレジ
ストの膜厚として、４０ｎｍ程度にした。このフォトレ
ジストパターン上に反射層（４）となるＡｇ層を１２０
ｎｍ成膜し、さらに、スピンコート等によりＵＶ樹脂
（５）を成膜する。この実施例では、局所的に成膜した
層（３）として、フォトレジスト材料を用いたが、ポリ
カーボネート基板（１）上に請求項３に記載の高屈折率
材料を成膜し、この高屈折材料膜上に、レジストパター
ンを形成、さらに、このレジストパターンをマスクとし
てエッチングを行なうことにより、ポリカーボネート基
板（１）上に、高屈折率材料からなる局所的に成膜され
た層（３）を形成することも可能である。
請求項１に記載の読み出し専用の光記録媒体の構造の１
例を、図７を用いて説明する。この読み出し専用の光記
録媒体の層構成は、ポリカーボネート基板（１）／局所
的に成膜された層（３）／反射層（４）／ＵＶ樹脂層
（５）からなる。この局所的に成膜された層（３）の形
成方法の１例としては、ポリカーボネート基板（１）
に、半導体のリソグラフィー技術を用いて、フォトレジ
ストパターンを形成する。この実施例では、フォトレジ
ストの膜厚として、４０ｎｍ程度にした。このフォトレ
ジストパターン上に反射層（４）となるＡｇ層を１２０
ｎｍ成膜し、さらに、スピンコート等によりＵＶ樹脂
（５）を成膜する。この実施例では、局所的に成膜した
層（３）として、フォトレジスト材料を用いたが、ポリ
カーボネート基板（１）上に請求項３に記載の高屈折率
材料を成膜し、この高屈折材料膜上に、レジストパター
ンを形成、さらに、このレジストパターンをマスクとし
てエッチングを行なうことにより、ポリカーボネート基
板（１）上に、高屈折率材料からなる局所的に成膜され
た層（３）を形成することも可能である。
【０００９】さらに、請求項５および６の製造方法によ
り形成された請求項１，２，３および４に記載の読み出
し専用光記録媒体の構造の１例を、図１を用いて説明す
る。この読み出し専用の光記録媒体の層構成は、ポリカ
ーボネート基板（１）／相変化記録材料層（２）／局所
的に成膜された層（３）／反射層（４）／ＵＶ樹脂層
（５）からなる。
り形成された請求項１，２，３および４に記載の読み出
し専用光記録媒体の構造の１例を、図１を用いて説明す
る。この読み出し専用の光記録媒体の層構成は、ポリカ
ーボネート基板（１）／相変化記録材料層（２）／局所
的に成膜された層（３）／反射層（４）／ＵＶ樹脂層
（５）からなる。
【００１０】ポリカーボネイト基板（１）に、請求項２
に記載の相変化記録材料層（２）を成膜する（図２
（ｂ）参照）。この実施例は、７５０ｎｍピッチのラン
ド／グルーブのポリカーボネイト基板を用い、相変化記
録材料層としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅの４元素系のもの
を成膜している。この相変化記録材料層（２）に、請求
項６に記載の変調された光を用いて情報を記録する（図
２（ｃ）参照）。この実施例では、１５ｍＷ程度の光を
入射し、急冷することでアモルファス相（２ａ）を形成
し、また、８ｍＷ程度の光を入射することによりクリス
タル相（２ｃ）を形成する。入射する光は、ポリカーボ
ネイト基板側からでも、相変化記録層側からでも、どち
らでもよい。
に記載の相変化記録材料層（２）を成膜する（図２
（ｂ）参照）。この実施例は、７５０ｎｍピッチのラン
ド／グルーブのポリカーボネイト基板を用い、相変化記
録材料層としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅの４元素系のもの
を成膜している。この相変化記録材料層（２）に、請求
項６に記載の変調された光を用いて情報を記録する（図
２（ｃ）参照）。この実施例では、１５ｍＷ程度の光を
入射し、急冷することでアモルファス相（２ａ）を形成
し、また、８ｍＷ程度の光を入射することによりクリス
タル相（２ｃ）を形成する。入射する光は、ポリカーボ
ネイト基板側からでも、相変化記録層側からでも、どち
らでもよい。
【００１１】次に、相変化記録材料層（２）側に、請求
項３に記載の高屈折材料層を、アモルファス相とクリス
タル相の電気伝導度の違いを用いて、アモルファス相
（２ａ）にだけ局所的に選択成膜する（図２（ｄ）参
照）。この実施例では、高屈折材料として、請求項４に
記載の炭素を用いた。特に、所謂ダイヤモンド状炭素
（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）
と呼ばれる炭素（以下、ＤＬＣと略す）を用いた。この
ＤＬＣ膜の成膜方法としては、請求項７に記載のよう
に、水素雰囲気中で、炭素ターゲットをＲＦ マグネト
ロンスパッタ法により成膜した。水素添加の有無による
ＤＬＣ膜の成膜状態の違いを、図３（ＳＥＭ像）および
図４（トポログラフィー像）に示す。このＳＥＭ像およ
びトポグライフィー像からも分かるように、水素雰囲気
中でＲＦ マグネトロンスパッタ成膜することで、効果
的にアモルファス相のみに選択的に成膜できることが分
かる。この実施例では、アモルファス相にも選択的に成
膜しているが、水素雰囲気中で、成膜条件を変えること
によりクリスタル相にのみ成膜することも可能である。
この実施例のＤＬＣ膜の膜厚としては、約３０ｎｍであ
る。成膜方法に関しても、この実施例では、ＲＦマグネ
トロンスパッタを用いているが、蒸着やＣＶＤ等の方法
でも問題はない。この実施例では、凹凸の段差として約
３０ｎｍで、凹凸の大きさとして約３００ｎｍの記録マ
ークを形成しているが、相変化材料に書かれた記録マー
クの寸法を小さくすれば、さらに小さな凹凸を形成する
ことが出来る。このように、請求項５に記載の相変化記
録膜材料の相状態の違いを用いて、局所的にかつ選択的
な成膜を行ない、請求項１に記載の局所的に選択成膜さ
れた層による凹凸を形成している。さらに、このＤＬＣ
膜を成膜した上に、反射層となるＡｇ膜を成膜する。
（図２（ｅ）参照）。このＡｇ膜上に、スピンコート等
によりＵＶ樹脂（５）を成膜する（図２（ｆ）参照）。
さらに、全面クリスタル相となるように相変化材料層を
初期化する（図２（ｇ）参照）。
項３に記載の高屈折材料層を、アモルファス相とクリス
タル相の電気伝導度の違いを用いて、アモルファス相
（２ａ）にだけ局所的に選択成膜する（図２（ｄ）参
照）。この実施例では、高屈折材料として、請求項４に
記載の炭素を用いた。特に、所謂ダイヤモンド状炭素
（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）
と呼ばれる炭素（以下、ＤＬＣと略す）を用いた。この
ＤＬＣ膜の成膜方法としては、請求項７に記載のよう
に、水素雰囲気中で、炭素ターゲットをＲＦ マグネト
ロンスパッタ法により成膜した。水素添加の有無による
ＤＬＣ膜の成膜状態の違いを、図３（ＳＥＭ像）および
図４（トポログラフィー像）に示す。このＳＥＭ像およ
びトポグライフィー像からも分かるように、水素雰囲気
中でＲＦ マグネトロンスパッタ成膜することで、効果
的にアモルファス相のみに選択的に成膜できることが分
かる。この実施例では、アモルファス相にも選択的に成
膜しているが、水素雰囲気中で、成膜条件を変えること
によりクリスタル相にのみ成膜することも可能である。
この実施例のＤＬＣ膜の膜厚としては、約３０ｎｍであ
る。成膜方法に関しても、この実施例では、ＲＦマグネ
トロンスパッタを用いているが、蒸着やＣＶＤ等の方法
でも問題はない。この実施例では、凹凸の段差として約
３０ｎｍで、凹凸の大きさとして約３００ｎｍの記録マ
ークを形成しているが、相変化材料に書かれた記録マー
クの寸法を小さくすれば、さらに小さな凹凸を形成する
ことが出来る。このように、請求項５に記載の相変化記
録膜材料の相状態の違いを用いて、局所的にかつ選択的
な成膜を行ない、請求項１に記載の局所的に選択成膜さ
れた層による凹凸を形成している。さらに、このＤＬＣ
膜を成膜した上に、反射層となるＡｇ膜を成膜する。
（図２（ｅ）参照）。このＡｇ膜上に、スピンコート等
によりＵＶ樹脂（５）を成膜する（図２（ｆ）参照）。
さらに、全面クリスタル相となるように相変化材料層を
初期化する（図２（ｇ）参照）。
【００１２】この実施例で形成された読み出し専用の光
記録媒体の再生方法としては、局所的に選択成膜された
ＤＬＣ膜の有無による光路差を利用する。つまり、再生
用の光を、ポリカーボネート基板（１）、相変化記録媒
体層（２）および局所的に選択成膜されたＤＬＣ層のあ
る部分（３）を透過させ、反射層（４）で反射し、再び
同じ経路を辿る光路と、ポリカーボネート基板（１）、
相変化記録媒体層（２）を透過させ、反射層（４）で反
射し、再び同じ経路を辿る光路の２つの光路差による光
の干渉効果を用いる。つまり、ＤＬＣ層の厚さを、入射
する光の波長；λのλ／４にすることにより、干渉条件
を変えることができ、効果的にモジュレーションを付け
ることができる。また、このＤＬＣ膜の特性によって
は、ＤＬＣ膜自体の光の吸収を用いることも可能であ
る。
記録媒体の再生方法としては、局所的に選択成膜された
ＤＬＣ膜の有無による光路差を利用する。つまり、再生
用の光を、ポリカーボネート基板（１）、相変化記録媒
体層（２）および局所的に選択成膜されたＤＬＣ層のあ
る部分（３）を透過させ、反射層（４）で反射し、再び
同じ経路を辿る光路と、ポリカーボネート基板（１）、
相変化記録媒体層（２）を透過させ、反射層（４）で反
射し、再び同じ経路を辿る光路の２つの光路差による光
の干渉効果を用いる。つまり、ＤＬＣ層の厚さを、入射
する光の波長；λのλ／４にすることにより、干渉条件
を変えることができ、効果的にモジュレーションを付け
ることができる。また、このＤＬＣ膜の特性によって
は、ＤＬＣ膜自体の光の吸収を用いることも可能であ
る。
【００１３】この実施例では、通常のＣＤ−ＲＯＭやＤ
ＶＤ−ＲＯＭを基準とした実施形態を記述したが、今後
期待される近接場光による光記録時にも、この凹凸構造
を用いることができる。また、この実施例では、ポリカ
ーボネート側から再生光となる光ピックアップの光を入
射することを想定しているが、ＵＶ樹脂が成膜されてい
る側から光を入射する場合は、全面クリスタル層にする
ための初期化を省いてもよい。また、この実施例では、
全面クリスタル相にアモルファスマークを記録し、その
アモルファス相に選択成膜を行なったが、逆に、全面ア
モルファス相に、クリスタルマークを記録し、穴状にク
リスタルマーク以外に選択成膜を行なってもよい。ま
た、この実施例では、最後の工程に全面クリスタル相に
なるように、相変化材料層を初期化しているが、高屈折
材料層（ＤＬＣ層）とのマッチングにより、全面アモル
ファス相にしてもよい。
ＶＤ−ＲＯＭを基準とした実施形態を記述したが、今後
期待される近接場光による光記録時にも、この凹凸構造
を用いることができる。また、この実施例では、ポリカ
ーボネート側から再生光となる光ピックアップの光を入
射することを想定しているが、ＵＶ樹脂が成膜されてい
る側から光を入射する場合は、全面クリスタル層にする
ための初期化を省いてもよい。また、この実施例では、
全面クリスタル相にアモルファスマークを記録し、その
アモルファス相に選択成膜を行なったが、逆に、全面ア
モルファス相に、クリスタルマークを記録し、穴状にク
リスタルマーク以外に選択成膜を行なってもよい。ま
た、この実施例では、最後の工程に全面クリスタル相に
なるように、相変化材料層を初期化しているが、高屈折
材料層（ＤＬＣ層）とのマッチングにより、全面アモル
ファス相にしてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の請求項１では、読み出し専用（ＲＯ
Ｍ）の光記録媒体の構造を、局所的に成膜された層の凹
凸から形成することにより、通常用いられているスタン
パーを形成することなくその構造を形成できることか
ら、製造コストを効果的に安価にし、また、製造時間も
効果的に短くすることができる。さらに、１００ｎｍ以
下の凹凸パターンも効果的に形成することができる。ま
た、請求項１に記載の読み出し専用の光記録媒体の構造
形成に、請求項２に記載の相変化材料を用いることで、
その相状態の違いにより、効果的に局所に選択成膜する
ことができる。また、請求項１および２に記載の読み出
し専用の光記録媒体に形成されている局所的に成膜され
た層からなる凹凸部の材料として、請求項３に記載の高
屈折材料を用いることで、光の実効波長を短くすること
ができることから、膜厚を薄くすることが可能であり、
製造時間を効果的に短縮することができる。また、請求
項４では、請求項１，２および３に記載の読み出し専用
の光記録媒体に形成されている局所的に成膜された層か
らなる凹凸部の材料として、高屈折率であるダイヤモン
ド状炭素を用いることで、効果的にアモルファス相もし
くはクリスタル相に選択成膜することができる。更に、
請求項５では、請求項１，２，３および４に記載の読み
出し専用の光記録媒体の構造において、請求項３および
４の高屈折材料の局所的な選択成膜の方法として、請求
項２に記載の相変化材料の相状態の違いを用いること
で、アモルファス相もしくはクリスタル相のみに、効果
的に選択成膜することができる。また、請求項６では、
請求項１，２，３および４に記載の読み出し専用の光記
録媒体の構造において、請求項５に記載の相変化材料の
相状態の違いにより選択成膜させる製造方法において、
相変化材料を成膜する工程およびその相変化材料に局所
的に相状態を変化させる工程を有することで、効果的に
目的とする情報を、読み出し専用の光記録媒体に記録さ
せることができる。更にまた、請求項７では、請求項
１，２，３および４に記載の読み出し専用の光記録媒体
の構造において、請求項５および６に記載の相変化材料
の相状態の違いにより選択成膜させる製造方法におい
て、水素雰囲気中で炭素膜を成膜することにより、効果
的に局所に炭素膜を成膜することができるという極めて
優れた効果を奏するものである。
なように、本発明の請求項１では、読み出し専用（ＲＯ
Ｍ）の光記録媒体の構造を、局所的に成膜された層の凹
凸から形成することにより、通常用いられているスタン
パーを形成することなくその構造を形成できることか
ら、製造コストを効果的に安価にし、また、製造時間も
効果的に短くすることができる。さらに、１００ｎｍ以
下の凹凸パターンも効果的に形成することができる。ま
た、請求項１に記載の読み出し専用の光記録媒体の構造
形成に、請求項２に記載の相変化材料を用いることで、
その相状態の違いにより、効果的に局所に選択成膜する
ことができる。また、請求項１および２に記載の読み出
し専用の光記録媒体に形成されている局所的に成膜され
た層からなる凹凸部の材料として、請求項３に記載の高
屈折材料を用いることで、光の実効波長を短くすること
ができることから、膜厚を薄くすることが可能であり、
製造時間を効果的に短縮することができる。また、請求
項４では、請求項１，２および３に記載の読み出し専用
の光記録媒体に形成されている局所的に成膜された層か
らなる凹凸部の材料として、高屈折率であるダイヤモン
ド状炭素を用いることで、効果的にアモルファス相もし
くはクリスタル相に選択成膜することができる。更に、
請求項５では、請求項１，２，３および４に記載の読み
出し専用の光記録媒体の構造において、請求項３および
４の高屈折材料の局所的な選択成膜の方法として、請求
項２に記載の相変化材料の相状態の違いを用いること
で、アモルファス相もしくはクリスタル相のみに、効果
的に選択成膜することができる。また、請求項６では、
請求項１，２，３および４に記載の読み出し専用の光記
録媒体の構造において、請求項５に記載の相変化材料の
相状態の違いにより選択成膜させる製造方法において、
相変化材料を成膜する工程およびその相変化材料に局所
的に相状態を変化させる工程を有することで、効果的に
目的とする情報を、読み出し専用の光記録媒体に記録さ
せることができる。更にまた、請求項７では、請求項
１，２，３および４に記載の読み出し専用の光記録媒体
の構造において、請求項５および６に記載の相変化材料
の相状態の違いにより選択成膜させる製造方法におい
て、水素雰囲気中で炭素膜を成膜することにより、効果
的に局所に炭素膜を成膜することができるという極めて
優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明における読み出し専用光記録媒体の構造
の一例を示した図である。
の一例を示した図である。
【図２】本発明における読み出し専用光記録媒体の製造
方法の一例を示した図である。
方法の一例を示した図である。
【図３】本発明における水素添加の有無のよるＤＬＣ膜
の成膜状態の違い（ＳＥＭ像）を示した図である。
の成膜状態の違い（ＳＥＭ像）を示した図である。
【図４】本発明における水素添加の有無のよるＤＬＣ膜
の成膜状態の違い（トポグラフィー像）を示した図であ
る。
の成膜状態の違い（トポグラフィー像）を示した図であ
る。
【図５】従来技術における光ディス用クプレス台を製造
する方法の幾つかのステップを概略的に示す図である。
する方法の幾つかのステップを概略的に示す図である。
【図６】本発明における成膜されたＤＬＣ膜のラマンス
ペクトルを示した図である。
ペクトルを示した図である。
【図７】本発明における光記録媒体の構造の一例を示し
た図である。
た図である。
１ ポリカーボネート基板 ２ 相変化記録材料（媒体）層 ２ａ アモルファス相 ２ｃ クリスタル相 ３ 局所的に成膜された層 ４ 反射層 ５ ＵＶ樹脂層 １１ 基体 １２ 感光性樹脂層 １３ レーザビーム １４ 感光領域 １５ 小孔 １７ 材料 Ｂ プレス台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 博 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 4K029 BA34 BC07 BD00 CA05 EA05 5D029 JB04 JB05 JB09 JB46 NA02 5D121 AA01 EE03 EE22 GG02 GG04
Claims (7)
- 【請求項１】 読み出し専用の光記録媒体において、局
所的に成膜された層により凹凸を形成している構造を有
することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 少なくとも１層として相変化型記録材料
からなる層を有することを特徴とする請求項１に記載の
光記録媒体。 - 【請求項３】 局所的に成膜される層として、高屈折率
材料からなる層を用いていることを特徴とする請求項１
または２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 局所的に成膜される高屈折率材料からな
る層として、炭素膜を用いることを特徴とする請求項１
乃至３の何れか１に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れか１に記載の読み
出し専用の光記録媒体において、請求項３または４に記
載の高屈折率材料の局所的な選択成膜の方法として、請
求項２に記載の相変化型記録材料の相状態の違いを用い
ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の製造
方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至４の何れか１に記載の読み
出し専用の光記録媒体の構造において、請求項５に記載
の相変化記録材料の相状態の違いにより選択的に成膜さ
せる製造方法であって、少なくとも相変化材料を成膜す
る工程、相変化材料に局所的に相状態を変化させる工程
を有することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項４に記載の炭素膜を、請求項５ま
たは６に記載の製造方法により選択的に成膜される光記
録媒体の製造方法であって、選択的に成膜される炭素膜
の成膜条件として、水素雰囲気中で行なうことを特徴と
する読み出し専用の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086524A JP4198327B2 (ja) | 2000-11-13 | 2001-03-26 | 光記録媒体の構造およびその製作方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-345236 | 2000-11-13 | ||
| JP2000345236 | 2000-11-13 | ||
| JP2001086524A JP4198327B2 (ja) | 2000-11-13 | 2001-03-26 | 光記録媒体の構造およびその製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208180A true JP2002208180A (ja) | 2002-07-26 |
| JP4198327B2 JP4198327B2 (ja) | 2008-12-17 |
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ID=26603851
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001086524A Expired - Fee Related JP4198327B2 (ja) | 2000-11-13 | 2001-03-26 | 光記録媒体の構造およびその製作方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4198327B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488526B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
| US7501225B2 (en) | 2003-12-09 | 2009-03-10 | Ricoh Company, Ltd. | Structure and method for manufacturing thereof, medium for forming structure, and optical recording medium and method for reproducing thereof |
| JP2009114478A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| US7920458B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-04-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and recording and reproducing method |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001086524A patent/JP4198327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7501225B2 (en) | 2003-12-09 | 2009-03-10 | Ricoh Company, Ltd. | Structure and method for manufacturing thereof, medium for forming structure, and optical recording medium and method for reproducing thereof |
| US7920458B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-04-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and recording and reproducing method |
| US7488526B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
| JP2009114478A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4198327B2 (ja) | 2008-12-17 |
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