JP2002201216A - 低誘電率重合体 - Google Patents

低誘電率重合体

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JP2002201216A
JP2002201216A JP2001332317A JP2001332317A JP2002201216A JP 2002201216 A JP2002201216 A JP 2002201216A JP 2001332317 A JP2001332317 A JP 2001332317A JP 2001332317 A JP2001332317 A JP 2001332317A JP 2002201216 A JP2002201216 A JP 2002201216A
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与一 森
Kazunori Sugimoto
和則 杉本
Atsuyuki Otake
淳之 大竹
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】電子部品に使用する低誘電率かつ空孔径の小さ
い多孔質耐熱性重合体と架橋構造を形成する重合体組成
物を提供する。 【解決手段】一般式(1)で表される構造単位を含むポ
リ(脂環式オレフィン)組成物を含む多孔質重合体であ
ることを特徴とする多孔質重合体。(a)一般式(1)
で表される構造単位を含むポリ(脂環式オレフィン)組
成物を含むマトリックス重合体と、マトリックス重合体
の分解温度よりも低い温度で熱分解する熱分解性重合体
との共重合体を含むことを特徴とする多孔質重合体であ
り、一般式(1)で表される構造単位を含む架橋ポリ
(脂環式オレフィン)組成物。 一般式(1)において、lは1〜2、m、n、oは0〜
5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数である。Xは
直接結合、またはO、S、CH2、CO、SO、SO2
示す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品に使用する
低誘電性層間絶縁体としてと好適な小さい空孔径を有す
る多孔質重合体と架橋構造を形成する重合体組成物に関
する。
【0002】
【従来の技術】コンピューター産業では、コンピュータ
ーの電子部品、例えばマルチチップモジュール、チップ
等の回路密度を電気的性能(例えばクロストーク)を低
下させることなく増加させること及びこれらの部品にお
ける信号伝搬速度を増加させることが望まれている。こ
れらの問題を解決する一つの方法は、部品中に使用され
ている層間絶縁体の誘電率を低下させることである。具
体的には、従来の層間絶縁膜に用いられている酸化ケイ
素膜を、より誘電率の小さい有機膜に替える試みがなさ
れている。しかし、層間絶縁膜には、低誘電性ととも
に、実装基板製造時の薄膜形成工程や、チップ接続、ピ
ン付け等の後工程に耐えられる優れた耐熱性及び機械特
性を有することが要求される。代表的な低誘電性有機材
料であるポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂や
ポリノルボルネン系樹脂が知られているが、前者は耐熱
性が不十分であり、後者は機械特性や耐薬品性が不十分
である。一方では、耐熱性や機械特性の優れた有機材料
が知られているが、従来のポリイミド、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂等の誘電率は3.0〜4.0程度であ
り、低誘電性の面で満足できない。また、従来のポリイ
ミドは誘電率の異方性が大きく、配線間方向と配線層間
方向で誘電率が異なるという問題がある。また、ノルボ
ルネンイミド系ポリマー(Macromol.Chem.Phys.200,338
-347,1999)が知られている。
【0003】また、ポリイミドのような層間絶縁体の誘
電率を低下させる一つの方法として重合体を多孔質化さ
せることが挙げられる。
【0004】Scheuerleinらの米国特許第3,883,4
52号明細書(1975年5月13日発行)にはスリー
ブ軸受として使用する約20ミクロンの平均空孔径を有
する多孔質重合体を生成させることが開示されている。
しかしながらポリイミドのような多孔質重合体を効果的
な絶縁体にするには、重合体はサブミクロンの間隔で平
均した一定の誘電率を有さなければならない。また、特
開平5−205526号公報において、ポリアミド酸と
熱分解性重合体とをブロック共重合し、そのブロック共
重合体をイミド化した後に熱分解性基を熱分解させるこ
とでポリイミド多孔質体を生成させることが開示されて
いる。また、polymer preprint (ACS)40(1)(1999)p.494
〜495において、側鎖に熱分解性基を共有結合でポリア
ミド酸に導入した重合体で同様にポリイミド多孔質体を
生成させることが報告されている。これらの方法では、
マトリックス重合体として、ポリイミド、ポリ(フェニ
ルキノキサリン)を用いているが、それらの誘電率は
2.8以上と高いため、より低い誘電率を達成するため
には空孔の導入量を上げなければならず、機械特性の低
下や、洗浄液のしみ込み、吸湿性が高くなる等の問題が
生じる可能性がある。
【0005】すなわち、耐薬品性、耐熱性、機械特性、
低誘電性、誘電率の等方性を同時に兼ね備えた絶縁材料
は、未だ見出されていないのが現状である。また、光通
信関係、特に光導波路のクラッド材には低屈折率、低複
屈折率であることが期待されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低誘
電性と耐薬品性、耐熱性、低屈折性、誘電率の等方性
(低複屈折率)及び機械特性を同時に兼ね備えた絶縁材
料として有用なポリマーを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は一般式
(1)で表される構造単位を含むポリ(脂環式オレフィ
ン)組成物を含む多孔質重合体であることを特徴とする
多孔質重合体と一般式(1)で表される構造単位を含む
架橋ポリ(脂環式オレフィン)組成物である。
【0008】
【化4】
【0009】(一般式(1)において、lは1〜2、
m、n、oは0〜5の整数を示し、m+n≧1を満たす
整数である。Xは直接結合、またはO、S、CH2、C
O、SO、SO2を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭
素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール
基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。R
5、R6はH、または炭素数1〜10のアルキル基を示
し、同じでも異なっていてもよい。R7、R8はH、F、
CF3、OCF3、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
6〜20のアリール基のいずれかを示し、同じでも異な
っていてもよい。)
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に用いるマトリックス重合
体は一般式(1)で表される構造単位を含むポリ(脂環
式オレフィン)を含む。本発明でマトリックス重合体と
して用いる一般式(1)で表されるポリ(脂環式オレフ
ィン)は、一般式(2)で表される不飽和基含有脂環式
イミド化合物を、有機溶媒中、金属触媒下でビニル付加
重合することにより得られる。
【0011】
【化5】
【0012】一般式(2)において、lは1〜2、m、
n、oは0〜5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数
である。Xは直接結合、またはO、S、CH2、CO、
SO、SO2を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭素数
1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基の
いずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。R5
6はH、または炭素数1〜10のアルキル基を示し、
同じでも異なっていてもよい。R7、R8はH、F、CF
3、OCF3、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜
20のアリール基のいずれかを示し、同じでも異なって
いてもよい。
【0013】モノマーである不飽和基含有脂環式イミド
化合物は、一般式(3)で表される不飽和基含有脂環式
酸無水物と一般式(4)で表される芳香族アミン化合物
を有機溶媒中、反応温度20℃〜200℃が好ましく、
より好ましくは50℃〜150℃で0.5〜24時間反
応させることにより得られる。
【0014】ここで用いられる有機溶媒の好ましい具体
例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、ヘプタノン等のケトン類、1,2−ジクロロ
エタン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化
炭化水素類、1,2−ジメトキシエタン、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチ
ルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキサン、1,
4−ジオキサン等のエーテル類、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、スルホラン
等の非プロトン性極性溶媒、酢酸等のプロトン性極性溶
媒等を挙げることができる。また、これらの有機溶媒
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
きる。
【0015】
【化6】
【0016】一般式(3)において、lは1〜2の整数
を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭素数1〜10の
アルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいずれかを
示し、同じでも異なっていてもよい。R5、R6はH、ま
たは炭素数1〜10のアルキル基を示す。
【0017】
【化7】
【0018】一般式(4)において、m、n、oは0〜
5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数である。Xは
直接結合、またはO、S、CH2、CO、SO、SO2
示す。R7、R8はH、F、CF3、OCF3、炭素数1〜
10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいず
れかを示し、同じでも異なっていてもよい。
【0019】また、各式のR7、R8はH、F、CF3
OCF3、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜2
0のアリール基のいずれかを示しているが、R7、R8
少なくとも1つはCF3であることが、低誘電率化の点
よりさらに好ましい。
【0020】用いられる酸無水物の具体例としては、ビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカ
ルボン酸無水物、2,3−ジメチル−ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水
物、7−フルオロ−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、7,7−ジフル
オロ−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,
3−ジカルボン酸無水物、5,6−ジフルオロ−ビシク
ロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物、5,6,7,7,−テトラフルオロ−ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、7−トリフルオロメチル−ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、7,7−ビス(トリフルオロメチル)−ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、5,6−ビス(トリフルオロメチル)−
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジ
カルボン酸無水物、5,6,7,7,−テトラキス(ト
リフルオロメチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、7−メチル−
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジ
カルボン酸無水物、7,7−ジメチル−ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水
物、5,6−ジメチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,6,
7,7−テトラメチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、7−エチル
−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−
ジカルボン酸無水物、7,7−ジエチル−ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、5,6−ジエチル−ビシクロ[2.2.1]
ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,
6,7,7−テトラエチル−ビシクロ[2.2.1]ヘ
プト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、7−シ
クロヘキシル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エ
ン−2,3−ジカルボン酸無水物、7,7−ジシクロヘ
キシル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物、7−フェニル−ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、7,7−ジフェニル−ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、
7−メチル−7−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘ
プト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,6
−ジフルオロ−7,7−ジフェニル−ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水
物、5,6−ジメチル−7,7−ジフェニル−ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、5,6−ビス(トリフルオロメチル)−7,
7−ジフェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.
2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水
物、ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3
−ジカルボン酸無水物、7,8−ジフルオロ−ビシクロ
[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、7,7,8,8−テトラフルオロ−ビシクロ
[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、5,6−ジフルオロ−ビシクロ[2.2.
2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、
5,6,7,7,8,8−ヘキサフルオロ−ビシクロ
[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン
酸無水物、7,8−ビス(トリフルオロメチル)−ビシ
クロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、7,7,8,8−テトラキス(トリフル
オロメチル)−ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エ
ン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,6−ビス(トリ
フルオロメチル)−ビシクロ[2.2.2]オクト−5
−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,6,7,
7,8,8−ヘキサキス(トリフルオロメチル)−ビシ
クロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、7,8−ジメチル−ビシクロ[2.2.
2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、
7,7,8,8−テトラメチル−ビシクロ[2.2.
2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、
5,6−ジメチル−ビシクロ[2.2.2]オクト−5
−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、5,6,7,
7,8,8−ヘキサメチル−ビシクロ[2.2.2]オ
クト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、7,8
−ジエチル−ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン
−2,3−ジカルボン酸無水物、7,7,8,8−テト
ラエチル−ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物、5,6−ジエチル−ビシ
クロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、5,6,7,7,8,8−ヘキサエチル
−ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−
ジカルボン酸無水物、7,8−ジシクロヘキシル−ビシ
クロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、7,8−ジフェニル−ビシクロ[2.
2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水
物、5,6−ジフルオロ−7,8−ジフェニル−ビシク
ロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物、5,6−ジメチル−7,8−ジフェニル−
ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジ
カルボン酸無水物、5,6−ビス(トリフルオロメチ
ル)−7,8−ジフェニル−ビシクロ[2.2.2]オ
クト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、等を挙
げることができるがこれに限定されない。用いる不飽和
基含有酸無水物としては、酸無水物部の立体配置がex
o−体であることが、endo−体であることより、不
飽和基含有酸無水物から得られる不飽和基含有脂環式イ
ミド化合物の重合反応性が高いという点で好ましい。
【0021】本発明の用いられる芳香族アミン化合物の
具体例としては、2−トリフルオロメチルアニリン、3
−トリフルオロメチルアニリン、4−トリフルオロメチ
ルアニリン、2,3−ビス(トリフルオロメチル)アニ
リン、2,4−ビス(トリフルオロメチル)アニリン、
2,5−ビス(トリフルオロメチル)アニリン、2,6
−ビス(トリフルオロメチル)アニリン、3,4−ビス
(トリフルオロメチル)アニリン、3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)アニリン、2,4,6−トリス(トリ
フルオロメチル)アニリン、2,3,4,5,6−ペン
タキス(トリフルオロメチル)アニリン、2−フルオロ
−3−トリフルオロアニリン、2−フルオロ−4−トリ
フルオロアニリン、2−フルオロ−5−トリフルオロア
ニリン、3−フルオロ−4−トリフルオロアニリン、3
−フルオロ−5−トリフルオロアニリン、2−メチル−
3−トリフルオロアニリン、2−メチル−4−トリフル
オロアニリン、2−メチル−5−トリフルオロアニリ
ン、3−メチル−4−トリフルオロアニリン、3−メチ
ル−5−トリフルオロアニリン、2−フェニル−3−ト
リフルオロアニリン、2−フェニル−4−トリフルオロ
アニリン、2−フェニル−5−トリフルオロアニリン、
3−フェニル−4−トリフルオロアニリン、3−フェニ
ル−5−トリフルオロアニリン、2−(3−トリフルオ
ロメチルフェニル)アニリン、3−(3−トリフルオロ
メチルフェニル)アニリン、4−(3−トリフルオロメ
チルフェニル)アニリン、2−[3,4−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニル]アニリン、3−[3,4−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]アニリン、4−[3,
4−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]アニリン、
2−[2,4−ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]
アニリン、3−[2,4−ビス(トリフルオロメチル)
フェノキシ]アニリン、4−[2,4−ビス(トリフルオ
ロメチル)フェノキシ]アニリン、2−[3,4−ビス
(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリン、3−
[3,4−ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニ
リン、4−[3,4−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ノキシ]アニリン、2−[3,5−ビス(トリフルオロメ
チル)フェノキシ]アニリン、3−[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]アニリン、4−[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリン、
2,4−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フ
ェノキシ]アニリン、2,3−ビス[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]アニリン、2,6−ビス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニ
リン、3,4−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェノキシ]アニリン、3,5−ビス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリン、2,
4,6−トリス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)
フェノキシ]アニリン、2−フルオロ−4−[3,5−ビ
ス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリン、3−
フルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)
フェノキシ]アニリン、2,5−ジフルオロ−4−[3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリ
ン、2,6−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェノキシ]アニリン、3,5−ジフル
オロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ノキシ]アニリン、2−トリフルオロメチル−4−[3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェノキシ]アニリ
ン、3−トリフルオロメチル−4−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェノキシ]アニリン、2,5−ビ
ス(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]アニリン、2,6−ビス
(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェノキシ]アニリン、3,5−ビス
(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェノキシ]アニリン、2−[3,5−ビ
ス(トリフルオロメチル)ベンジル]アニリン、3−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]アニリ
ン、4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジ
ル]アニリン、2,4−ビス[3,5−ビス(トリフルオ
ロメチル)ベンジル]アニリン、2,6−ビス[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]アニリン、3,
5−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジ
ル]アニリン、2,4,6−トリス[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)ベンジル]アニリン、2−フルオロ−
4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]ア
ニリン、3−フルオロ−4−[3,5−ビス(トリフル
オロメチル)ベンジル]アニリン、2,5−ジフルオロ
−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]
アニリン、2,6−ジフルオロ−4−[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)ベンジル]アニリン、3,5−
ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンジル]アニリン、2−トリフルオロメチル−4
−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]アニ
リン、3−トリフルオロメチル−4−[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)ベンジル]アニリン、2,5−
ビス(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)ベンジル]アニリン、2,6−ビス
(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)ベンジル]アニリン、3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフルオ
ロメチル)ベンジル]アニリン、2−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、3−[3,5
−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、
4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]
アニリン、2,4−ビス[3,5−ビス(トリフルオロ
メチル)ベンゾイル]アニリン、2,6−ビス[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、
3,5−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベ
ンゾイル]アニリン、2,4,6−トリス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、2−フ
ルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベ
ンゾイル]アニリン、3−フルオロ−4−[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、2,5
−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンゾイル]アニリン、2,6−ジフルオロ−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニ
リン、3,5−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)ベンゾイル]アニリン、2−トリフル
オロメチル−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンゾイル]アニリン、3−トリフルオロメチル−
4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]
アニリン、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニ
リン、2,6−ビス(トリフルオロメチル)−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニ
リン、3,5−ビス(トリフルオロメチル)−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]アニ
リン、2−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニルチオ]アニリン、3−[3,5−ビス(トリフルオロ
メチル)フェニルチオ]アニリン、4−[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニルチオ]アニリン、2,
4−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ルチオ]アニリン、2,6−ビス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニルチオ]アニリン、3,5−ビス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルチオ]ア
ニリン、2,4,6−トリス[3,5−ビス(トリフル
オロメチル)フェニルチオ]アニリン、2−フルオロ−
4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルチ
オ]アニリン、3−フルオロ−4−[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェニルチオ]アニリン、2,5−ジ
フルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)
フェニルチオ]アニリン、2,6−ジフルオロ−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルチオ]ア
ニリン、3,5−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニルチオ]アニリン、2−トリ
フルオロメチル−4−[3,5−ビス(トリフルオロメ
チル)フェニルチオ]アニリン、3−トリフルオロメチ
ル−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ルチオ]アニリン、2,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニルチオ]アニリン、2,6−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニルチオ]アニリン、3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニルチオ]アニリン、2−[3,5−ビス(トリフルオロ
メチル)フェニルスルフィニル]アニリン、3−[3,5
−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフィニル]
アニリン、4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)
フェニルスルフィニル]アニリン、2,4−ビス[3,5
−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフィニル]
アニリン、2,6−ビス[3,5−ビス(トリフルオロ
メチル)フェニルスルフィニル]アニリン、3,5−ビ
ス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスル
フィニル]アニリン、2,4,6−トリス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニルスルフィニル]アニリ
ン、2−フルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロ
メチル)フェニルスルフィニル]アニリン、3−フルオ
ロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ルスルフィニル]アニリン、2,5−ジフルオロ−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフ
ィニル]アニリン、2,6−ジフルオロ−4−[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフィニル]ア
ニリン、3,5−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニルスルフィニル]アニリン、
2−トリフルオロメチル−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニルスルフィニル]アニリン、3−
トリフルオロメチル−4−[3,5−ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニルスルフィニル]アニリン、2,5−
ビス(トリフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニルスルフィニル]アニリン、
2,6−ビス(トリフルオロメチル)−4−[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフィニル]ア
ニリン、3,5−ビス(トリフルオロメチル)−4−
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルフ
ィニル]アニリン、2−[3,5−ビス(トリフルオロメ
チル)フェニルスルホニル]アニリン、3−[3,5−ビ
ス(トリフルオロメチル)フェニルスルホニル]アニリ
ン、4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ルスルホニル]アニリン、2,4−ビス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニルスルホニル]アニリ
ン、2,6−ビス[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニルスルホニル]アニリン、3,5−ビス[3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルホニル]
アニリン、2,4,6−トリス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニルスルホニル]アニリン、2−フ
ルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フ
ェニルスルホニル]アニリン、3−フルオロ−4−[3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルスルホニル]
アニリン、2,5−ジフルオロ−4−[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニルスルホニル]アニリ
ン、2,6−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニルスルホニル]アニリン、3,5
−ジフルオロ−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニルスルホニル]アニリン、2−トリフルオロ
メチル−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フ
ェニルスルホニル]アニリン、3−トリフルオロメチル
−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル
スルホニル]アニリン、2,5−ビス(トリフルオロメ
チル)−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フ
ェニルスルホニル]アニリン、2,6−ビス(トリフル
オロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニルスルホニル]アニリン、3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)−4−[3,5−ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニルスルホニル]アニリン、等を挙げる
ことができるがこれに限定されない。
【0022】前記不飽和基含有脂環式イミドのビニル付
加重合反応は、金属触媒を用いて行われる。反応温度
は、0〜250℃が好ましく、より好ましくは20℃〜
150℃である。反応圧力は特に限定されず、通常、常
圧で実施することができる。また、反応時間は、好まし
くは0.5〜120時間であり、より好ましくは0.5
〜48時間である。
【0023】重合溶媒の好ましい具体例としては、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ヘプタ
ノン等のケトン類、1,2−ジクロロエタン、クロロホ
ルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、1,
2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン
等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N
−メチル−2−ピロリドン、スルホラン等の非プロトン
性極性溶媒等を挙げることができる。また、これらの重
合溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができる。
【0024】本発明で好ましく用いられる金属触媒は、
通常、第4属あるいは第10属遷移金属触媒であり、そ
の具体例としては、Cp2ZrCl2/メチルアルミノキノサン
(MAO)、Cp2ZrCl2/メチルイソブチルアルミノキサン、P
dCl3/MAO、Ni(acac)2/MAO、Ni(acac)2/EtAlCl2、Ni(aca
c)2・2H2O/EtAlCl2、Ni(acac)2/TiCl4、Ni(acac)2/BF3
Et2O、NiCl2(PPh3)2/AlCl3、Pd(acac)2/EtAlCl2、PdCl2
(C6H5CN)2/EtAlCl2、PdCl2(C6H5CN)2/TiCl4、PdCl2(C6H
5CN)2/BF3・Et2Oの組み合わせた触媒系、[(η3-allyl)Pd
X](X=BF4,SbF6,AsF6,PF6,CF3SO3 -)で表されるアリルPd
イオン錯体、CpTiCl3、CpTiCl3のシクロペンタジエニル
基にエーテル基を有するハーフチタノセン、等を挙げる
ことができるがこれに限定されない。触媒の濃度は、反
応原料に対して0.01〜10モル%が好ましく、より
好ましくは0.1〜5モル%である。また、反応は触媒
の失活を抑えるため、不飽和基含有脂環式イミドのビニ
ル付加重合反応は、不活性ガス下で行うのが好ましい。
【0025】また、前記不飽和基含有脂環式イミドは、
他のノルボルネン系化合物と共重合しても良い。このよ
うな重合反応により、前記一般式(1)で表される繰り
返し単位を含有するポリ脂環式オレフィンを得ることが
できる。
【0026】本発明のマトリックス重合体であるポリ
(脂環式オレフィン)の重量平均分子量は、500以上
が好ましく、より好ましくは1000以上である。
【0027】本発明におけるポリ(脂環式オレフィン)
は、良好な機械特性を有し、かつ熱分解性重合体の分解
温度で熱的に安定な重合体を形成する必要がある。ポリ
(脂環式オレフィン)の分解温度は、熱分解性重合体の
分解温度よりも一般的に少なくとも25〜50℃高いこ
とが好ましい。またポリ(脂環式オレフィン)の1%重
量減少温度(Td1)は、工程上、必要とされる耐熱性
の点から、350℃以上が好ましく、より好ましくは4
00℃以上である。また、ガラス転移温度(Tg)は2
50℃以上が好ましく、より好ましくは300℃以上で
ある。ポリ(脂環式オレフィン)を含んだ本発明のマト
リックス重合体は、低い誘電率並びに良好な機械的特
性、例えば高い引っ張り弾性率及び高い破断点伸びを有
することが好ましい。
【0028】本発明の多孔質重合体を形成する第1の工
程はマトリックス重合体及び熱分解性重合体からなる多
孔質前駆体を生成させることであり、この多孔質前駆体
はマトリックス重合体と熱分解性重合体とを共重合させ
ても良いし、マトリックス重合体に熱分解性重合体を分
散させても良い。前記多孔質前駆体は好ましくは熱分解
性重合体が微小相(microphase)としてナノ相分離して
いる多孔質前駆体である。共重合体は複数の単量体と熱
分解性重合体を有する単量体と共重合させて製造するの
が好ましい。
【0029】さらに本発明の多孔質重合体を生成させる
方法の第2の工程は上記多孔質前駆体を加熱し熱分解性
重合体を分解することであり、多孔質前駆体を熱分解性
重合体の熱分解温度以上に約15分から5時間加熱す
る。多孔質前駆体に含まれる熱分解性重合体はガスに分
解し重合体の残った空隙から外へ拡散することで空孔が
形成される。
【0030】多孔質重合体の空孔径は一般的に熱分解性
重合体のドメインと同じ大きさであり、空孔径は熱分解
性重合体の分子量を変えることにより変化させることが
できる。本発明の多孔質重合体は、好ましくは空孔径が
約0.5μmより小さい、さらに好ましくは100nm
より小さい、さらに好ましくは50nmより小さい独立
空孔を有することがよい。また、本発明の多孔質重合体
の空孔率は、機械強度の点から、好ましくは、1%体積
以上50体積%以下、さらに好ましくは5体積%以上3
0体積%以下がよい。
【0031】また上記加熱工程により多孔質前駆体から
キャステング溶媒が除去され多孔質前駆体は硬化される
が、好ましくは最初に熱分解性重合体の分解温度よりも
低い温度にて多孔質前駆体を加熱して溶媒を除去してマ
トリックス重合体を硬化させる。次いでマトリックス重
合体を熱分解性重合体の分解温度よりも高い温度に加熱
して多孔質重合体を生成させる。
【0032】ここで本発明の多孔質重合体を形成するの
に必要な熱分解性重合体との共重合体は、単独もしくは
複数の一般式(2)で表される単量体と熱分解性重合体
を有する単量体とを共重合させて製造するのが好まし
い。熱分解性重合体を有する単量体としては、一般式
(5)、(6)、(7)で表される化合物が挙げられ
る。
【0033】
【化8】
【0034】一般式(5)、(6)、(7)において、
q、u、vは1〜2、r、s、tは0〜5の整数を示
し、r+s≧1を満たす整数である。Yは直接結合、ま
たはO、S、CH2、CO、SO、SO2を示す。R9
12、R17〜R20、R24〜R27はH、F、CF3、炭素
数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基
のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。
13、R14、R21、R22、R 28、R29はH、または炭素
数1〜10のアルキル基を示し、同じでも異なっていて
もよい。R15、R16はF、CF3、OCF3、炭素数1〜
10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいず
れかを示し、同じでも異なっていてもよい。R 23は炭素
数1〜10のアルキル基、または熱分解性重合体、Rd
は熱分解性重合体を有する基を示す。
【0035】一般式(5)、(6)、(7)において、
Rdは熱分解性重合体であり、ポリ(アルキレンオキサ
イド)、例えばポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(エチ
レンオキシド)など、エチレン性不飽和物の付加重合
体、例えば、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリスチレ
ン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ(4−ヒドロキシ
スチレン)、ポリイソブチレンなど、ポリアセタール、
脂肪族ポリエステル、例えばポリカプロラクトン、ポリ
カプロラクタム、ポリ乳酸など、並びに脂肪族ポリカー
ボネート、例えばポリ(プロピレンカーボネート)及びポ
リ(エチレンカーボネート)などが挙げられる。また一般
式(5)、(6)、(7)で表される単量体は対応する
カルボン酸、カルボン酸無水物、カルボン酸クロライド
と反応性基(水酸基など)を有する熱分解性重合体との
反応で得られる。
【0036】本発明で用いられる熱分解性重合体は1種
類またはそれ以上の単量体から生成することができる。
共重合体の生成に使用される熱分解性重合体は分子量1
000〜2000000、好ましくは2000〜500
000のものが用いられる。また、熱分解性重合体は、
約150℃より高い、好ましくは約200℃より高い分
解温度を有することが望ましく、その分解温度で非毒性
のガスに分解するのが好ましい。
【0037】本発明における共重合体は一般式(2)で
表される単量体と一般式(8)で表される酸無水物とを
共重合させた後、酸無水物に反応性基(水酸基など)を
有する熱分解性重合体を反応させる方法によっても得る
ことができる。
【0038】
【化9】
【0039】一般式(8)において、wは1〜2、R30
〜R33はH、F、CF3、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数6〜20のアリール基のいずれかを示し、同
じでも異なっていてもよい。R34、R35はH、または炭
素数1〜10のアルキル基を示し、同じでも異なってい
てもよい。
【0040】上記の方法によれば一般式(9)、(1
0)、(11)で表される構造単位を含む共重合体が得
られる。
【0041】
【化10】
【0042】一般式(9)、(10)、(11)におい
て、a、b、c、dはそれぞれ独立に正の整数を示す。
その他の記号は前述の単量体と同じなので、一般式
(1)、(6)、(7)、(8)と同じである。
【0043】本発明の多孔質重合体を形成する第1の工
程において、マトリックス重合体に熱分解性重合体を分
散させる場合、前記マトリックス重合体は一般式(1)
で表される構造単位を含むマトリックス重合体やその前
駆体(一般式(12))などがあげられる。
【0044】
【化11】
【0045】一般式(12)において、R24は、H、炭
素数1〜10までアルキル基、炭素数6〜20のアリー
ル基のいずれかを示し、同じでも、異なっていてもよ
い。その他の記号については、一般式(1)の前駆体で
あるので、一般式(1)と同じである。R24は、熱分解
性重合体との親和性の点からHであることが好ましい。
熱分解性重合体との親和性を高めるために、一般式(1
2)で表される構造単位を含むことが好ましい。一般式
(12)で表される重合体は、単独もしくは複数の一般
式(13)で表される単量体を重合させても良いし、一
般式(8)で表される単量体を重合または共重合後、重
合体中の酸無水物に反応性基(一般式(4))を反応さ
せる方法によっても得ることができる。
【0046】
【化12】
【0047】一般式(13)は一般式(12)の単量体
であるので、一般式(13)中の記号は一般式(12)
中の記号と同じである。
【0048】分散させる熱分解性重合体は、ポリ(アル
キレンオキサイド)、例えばポリ(プロピレンオキシ
ド)、ポリ(エチレンオキシド)など、エチレン性不飽
和物の付加重合体、例えば、ポリ(メチルメタクリレー
ト)、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ
(4−ヒドロキシスチレン)、ポリイソブチレンなど、
ポリアセタール、脂肪族ポリエステル、例えばポリカプ
ロラクトン、ポリカプロラクタム、ポリ乳酸など、並び
に脂肪族ポリカーボネート、例えばポリ(プロピレンカ
ーボネート)及びポリ(エチレンカーボネート)などが挙
げられるが、マトリックス重合体との親和性を高めるた
めにマトリックスポリマーと相互作用する官能基を有す
ることが好ましい。例えば、前述の熱分解性重合体の一
部にマトリックス重合体とイオン結合、水素結合、疎水
結合の少なくとも1つを形成する基が含まれていること
が好ましい。さらに、上記に挙げられた熱分解性重合体
同士が自己集合的に集まる相互作用力よりも、マトリッ
クス重合体へのイオン結合力や水素結合力や疎水結合力
が同じもしくはそれより大きいことが好ましい。また、
マトリックス重合体とイオン結合、水素結合、疎水結合
を形成する基として、オニウムイオンとしてアンモニウ
ムイオン、ホスホニウムイオン等、アミド、カルボン
酸、アミン、ヒドロキシル基、脂肪族アルキル基等が挙
げられる。さらにマトリックス重合体との親和性を高く
するために、熱分解性重合体を分岐状にすることが好ま
しい。
【0049】分散させる熱分解性重合体は1種類または
それ以上の単量体から生成することができる。また、熱
分解性重合体は分子量200〜2000000、好まし
くは1000〜500000のものが用いられる。ま
た、熱分解性重合体は、約150℃より高い、好ましく
は約200℃より高い分解温度を有することが望まし
く、その分解温度で非毒性のガスに分解するのが好まし
い。
【0050】本発明で用いるポリ(脂環式オレフィン)
は架橋構造を形成させることができ、耐薬品性、耐熱
性、機械特性を向上させることができる。架橋構造を形
成する化合物は一般式(2)で表される構造単位かつ/
または前記構造単位の前駆体を含むポリ(脂環式オレフ
ィン)と共重合させても良いし、分散させても良いし、
共重合と分散の両方を用いても良い。共重合する場合は
例えば、架橋構造を形成する化合物や一般式(8)で表
される酸無水物とこの酸無水物と反応する架橋構造を形
成する化合物(例えば、アミノ基を有する架橋構造を形
成する化合物)と反応させて得られるノルボルネン誘導
体を共重合体の単量体の一部として用いて、架橋性基を
有する共重合体を得ても良い。また、一般式(8)を一
般式(2)かつ/または一般式(13)と共重合した後
に、共重合体中の酸無水物と反応する架橋構造を形成す
る化合物(例えばアミノ基を有する架橋構造を形成する
化合物)とを反応させて架橋性基を有する共重合体を得
てもよい。分散させる場合は両者を溶解する溶媒に溶解
すれば良く、例えば、反応性基を有する共重合体(例え
ば、酸無水物を共重合した前記共重合体)を合成し、そ
の反応性基と反応する基を2つ以上の有する化合物(例
えば、ジアミン化合物)を溶媒に分散させ、両者を反応
させることで架橋構造を形成することもできる。また、
ポリ(脂環式オレフィン)と反応点を持たない架橋構造
を形成する化合物を用いても良い。
【0051】本発明の架橋構造を形成する化合物の具体
例としては、アルコキシシラン化合物(例えば、テトラ
エトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、4−アミノフェニルトリメトキシシラン等)、エチ
ニル化合物(例えば、1,3−ジエチニルベンゼン、
1,4−ジエチニルベンゼン、9,10−ビス(フェニ
ルエチニルアントラセン)、1,3,5−トリエチニル
ベンゼン、4−エチニルアニリン、3−エチニルアニリ
ン、4−アミノ−4’−エチニルジフェニルエーテル
等)、ビニル化合物(例えば、ジビニルベンゼン、1,
2,4−トリビニルシクロヘキサン、4−アミノスチレ
ン、4−アミノスチルベン等)、アリル化合物(例え
ば、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレ
ート等)、架橋基を有するノルボルネンイミド誘導体
(N−{4−エチニルフェニル}ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−{3−エチニルフェニル}ビシクロ[2.2.1]
ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−
{4−(トリメトキシシリル)フェニル}ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキ
シイミド、N−{3−(トリエトキシシリル)プロピ
ル}ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、N−{4−(フェニルビニル)
フェニル}ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシイミド、N−{4−ビニルフェニ
ル}ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、N−{4−(4−エチニルフェ
ノキシ)フェニル}ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボキシイミド、2,5−ノルボ
ルナジエン等)等があげられる。また、ポリマー中の反
応性基が酸無水物の場合、ジアミン化合物(4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル、p−フェニレンジアミ
ン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシ−4−フェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(トリフ
ルオロメチル)ベンジジン等)等が挙げられる。上記架
橋構造を形成する化合物は単独もしくは複数で用いるこ
とができる。
【0052】架橋構造を形成する化合物は0.01〜8
0重量%、好ましくは0.1〜50重量%とするのが良
い。架橋構造を形成する化合物の添加量が少なすぎると
架橋密度が不十分で耐薬品性や耐熱性が改善されない恐
れがある。
【0053】架橋構造を形成する化合物を上記のように
マトリックス重合体に分散かつ/または共重合し、加熱
または光照射処理などにより、架橋構造を形成させるこ
とができる。加熱処理は100℃〜500℃、好ましく
は150℃〜400℃である。架橋構造を形成させる光
は、可視光、紫外光、電子線、X線などが挙げられる。
【0054】また、本発明の重合体の特性を損なわない
範囲で他の重合体をマトリックス重合体としてブレンド
または共重合することができ、その好ましい重合体とし
て、ポリイミド、ポリ(フェニルキノキサリン)、ポリ
(ベンズオキサゾール)、ポリ(ベンズイミダゾール)、ポ
リ(トリアゾール)、ポリ(オキサジアゾール)及びポ(ベ
ンゾチアゾール)、シリコーンが挙げられる。
【0055】電子部品、例えばチップまたは集積回路を
形成する場合、重合体は通常、普通の有機のキャスティ
ング溶媒、例えばアセトン、2−ヘプタノン、2−デカ
ノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラク
ロロエタン、N−メチルピロリドン、ガンマ−ブチロラ
クトン等に溶解されそして当分野で既知の技術例えばス
ピンコーティング、スプレーコーティングまたはドクタ
ーブレーディングにより、回路構成要素等を用いてまた
は用いずに種々の基体、例えばシリコン、セラミック、
ガラス、石英、重合体の上に膜として製造される。
【0056】本発明の重合体の誘電率(1kHz)は
2.8以下さらに2.5以下であることが好ましく、屈
折率については平行方向、垂直方向のいずれの屈折率も
1.6以下さらに1.5以下であることが、必要とされ
る低誘電性の点から好ましい。さらに複屈折率は0.0
1以下であることが好ましい。1%重量減少温度(Td
1)は、工程上、必要とされる耐熱性の点から、350
℃以上が好ましく、より好ましくは400℃以上であ
る。またガラス転移温度(Tg)は250℃以上が好ま
しく、より好ましくは300℃以上である。
【0057】本発明の多孔質重合体は、半導体の多層配
線の層間絶縁膜、多層プリント基板のリジット板やフレ
キソ印刷等の層間絶縁膜、パッケージやMCM基板等の
層間絶縁膜等の電子部品を構成するものとして使用する
ことができる。また半導体のパッシベーション膜(スト
レスバッファー膜)、α線遮断膜等として使用すること
もできる。また、光導波路のコア、クラッド材等の光学
部品として極めて良好に使用することができる。
【0058】
【実施例】以下本発明をより詳細に説明するために、実
施例および比較例をあげて説明するが、本発明はこれら
の例によって限定されるものではない。
【0059】特性の測定方法 比誘電率の測定 アルミ基板に製膜した多孔質重合体に上部電極を日本真
空技術(株)製真空蒸着機EBH−6を用いて蒸着し
た。多孔質重合体の膜厚は、アルミ基板に多孔質重合体
を製膜した条件と同じ条件でシリコンウエハーに製膜し
た膜に傷を付け、その傷の深さを測定し、その深さを膜
の厚さとした。次いで多孔質重合体の1kHzにおける
静電容量を(株)横川ヒューレットパッカード製のLC
Rメーター4284Aを用いて測定し、下記式により比
誘電率(ε)を求めた。 ε=C・d/ε0・S(但し、Cは静電容量(単位:
F)、dは試料膜厚(単位:m)、ε0は真空中の誘電
率、Sは上部電極面積(単位:m2)である。) 赤外吸収スペクトル(IR)測定 不飽和基含有脂環式イミドはKBr法で測定し、ポリ
(脂環式イミド)はシリコンウエハー上に製膜したもの
をそのまま測定した。(装置:堀場製作所(株)製FT
−720)。
【0060】多孔質膜の空孔率の測定 空孔率(P)は、無多孔質膜の密度(ρ)と多孔質膜の
密度(ρ’)を密度勾配管を用いて測定し、次式より求
めた。P=(ρ−ρ’)/ρ 空孔の観察 空孔の観察は、多孔質膜の断面を日立製作所(株)H−
9000UHRを用いて、加速電圧300KVで行っ
た。平均空孔径は、1μm2で観察されたすべての空孔
径を計測し、それらを平均して算出した。
【0061】核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)の
測定 溶媒CDCl3またはTHF−d8に溶解し、270M
Hzで測定した。測定装置は超伝導FTNMR「EX−
270」(日本電子データム(株)製)を用いた。
【0062】ガラス転移温度(Tg)の測定 示差走査熱量計DSC−50(島津製作所(株)製)に
より、窒素雰囲気中、昇温速度20℃/分で測定した。
【0063】屈折率の測定 He−Neレーザーの波長(633nm)を用い、プリ
ズムカップラー法で20℃で測定し、膜面に対して平行
方向の屈折率(TE)と垂直方向の屈折率(TM)およ
びそれらの差である複屈折率を求めた。 1%重量減少温度(Td1)の測定 熱天秤を用い、窒素中、昇温速度10℃/分で加熱し
て、1%重量減少を示した温度を測定した。
【0064】重量平均分子量の測定 ゲルパーミネーションクロマトグラフィー(GPC)を
用いて、ポリスチレン換算にて重量平均分子量(Mw)
を測定した。
【0065】参考例1 exo−ナジック酸無水物の製
造 exo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物(exo−ナジック酸無水
物)の合成) endo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物(endo−ナジック酸無
水物)100g(0.61モル)を、窒素下、200℃
で6時間攪拌して熱異性化させた。反応物を120℃ま
で冷却し、トルエン100mlを加えた後、室温まで冷
却すると淡黄色の結晶が析出した。さらに、この結晶を
トルエンで再結晶することにより無色透明の針状結晶を
得た。濾過により、結晶を分離し、減圧下で乾燥し、目
的の化合物を32.83g得た。 1H−NMRおよびI
Rから目的化合物であると同定した。
【0066】融点:143〜144℃ 赤外吸収スペクトル:1860,1778cm-1(以上
C=O)、1218,913cm-1(以上C−O)1 H−NMR:(CDCl3,ppm):6.34(s,
2H,CH=CH),3.45(s,2H,CH),
3.01(s,2H,CH),1.56(d−d,2
H,CH2)。
【0067】参考例2 パラジウム錯体の製造 塩化パラジウム(II)2g(0.011モル)を塩酸
(36%)5mlに加熱しながら溶解し、冷却後エタノ
ール150mlを加えた。この反応液を濾過後、濾液に
2,5−ノルボルナジエン2.31g(0.025モ
ル)を加えたところ、黄色固体が析出した。濾過により
固体を分離し、減圧下で乾燥し、ビシクロ[2.2.
1]ヘプタジエン−パラジウムクロリド3.07gを得
た。
【0068】このビシクロ[2.2.1]ヘプタジエン
−パラジウムクロリド2.62g(0.0097モ
ル)、炭酸ナトリウム0.88g(0.0083モル)
にメタノール35mlを加え、窒素下、室温で2時間撹
拌して反応させた。反応液を濾過により分離し、減圧下
で乾燥したところ、ビシクロ[2.2.1]ヘプタジエ
ン−パラジウムクロリド二量体2.57gを淡黄色の粉
末として得た。
【0069】さらに、このビシクロ[2.2.1]ヘプ
タジエン−パラジウムクロリド二量体をクロロベンゼン
に溶解させた後(0.002モル/l)、1.6等量の
テトラフルオロホウ酸銀を加え、室温で15分撹拌し、
目的とするパラジウム錯体の溶液を得た。この溶液を不
飽和基含有脂環式イミドの重合触媒として用いた。
【0070】参考例3 モノマーAの製造 N−{3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル}
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジ
カルボキシイミドの合成 exo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物6.85g(0.04モ
ル)を氷酢酸34ml(20w/v)に溶解した。この
溶液に3,5−ビス(トリフルオロメチル)アニリン1
0.19g(0.04モル)を滴下し、窒素下、120
℃で8時間攪拌して反応させた。反応液を冷却後、水6
00mlに注ぐと淡黄色の結晶が析出した。さらに、こ
の結晶を酢酸エチルで再結晶することにより無色透明の
針状結晶を得た。濾過により、結晶を分離し、減圧下で
乾燥し、目的の化合物を11.62g得た。1H−NM
RおよびIRから目的化合物であると同定した。
【0071】融点:128〜129℃ 赤外吸収スペクトル:3116,3074,2962,
2892cm-1(以上CH)、1709cm-1(以上C
=O(イミド))1 H−NMR:(CDCl3,ppm):7.89(s,
1H,Ar−H),7.85(s,2H,Ar−H),
6.38(t,2H,CH=CH),3.44(s,2
H,CH),2.91(s,2H,CH),1.57
(d−d,2H,CH2)。
【0072】参考例4 モノマーBの製造 N−(4−トリフルオロメチルフェニル)ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキ
シイミドの合成 exo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物9.26g(0.06モ
ル)を氷酢酸46ml(20w/v)に溶解した。この
溶液に4−トリフルオロメチルアニリン10g(0.0
6モル)を滴下し、窒素下、120℃で8時間攪拌して
反応させた。反応液を冷却後、水600mlに注ぐと淡
黄色の結晶が析出した。さらに、この結晶を酢酸エチル
で再結晶することにより無色透明の針状結晶を得た。濾
過により、結晶を分離し、減圧下で乾燥し、目的の化合
物を13.12g得た。1H−NMRおよびIRから目
的化合物であると同定した。
【0073】融点:202〜204℃ 赤外吸収スペクトル:3112,3081,2989,
2888cm-1(以上CH)、1708cm-1(以上C
=O(イミド))1 H−NMR:(CDCl3,ppm):7.59(d−
d,4H,Ar−H),6.37(t,2H,CH=C
H),3.43(s,2H,CH),2.89(s,2
H,CH),1.56(d−d,2H,CH2)。
【0074】参考例5 モノマーCの製造 N−[3−トリフルオロメチル−4−{3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェノキシ]ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミ
ドの合成 exo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物5.75g(0.04モ
ル)を氷酢酸29ml(20w/v)に溶解した。この
溶液に3−トリフルオロメチル−4−{3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェノキシ}アニリン15g
(0.04モル)を滴下し、窒素下、120℃で8時間
攪拌して反応させた。反応液を冷却後、水600mlに
注ぐと淡黄色の結晶が析出した。さらに、この結晶を酢
酸エチルで再結晶することにより無色透明の針状結晶を
得た。濾過により、結晶を分離し、減圧下で乾燥し、目
的の化合物を13.61g得た。
【0075】融点:176〜178℃ 赤外吸収スペクトル:3108,3074,2993,
2889cm-1(以上CH)、1705cm-1(以上C
=O(イミド))1 H−NMR:(CDCl3,ppm):7.07−7.
73(m,6H,Ar−H),6.38(t,2H,C
H=CH),3.44(s,2H,CH),2.91
(s,2H,CH),1.57(d−d,2H,C
2)。
【0076】参考例6 モノマーDの製造 exo−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボン酸無水物0.41g(2.5ミリモ
ル)と三洋化成工業(株)ニューポールLB1800X
(ポリ(プロピレングリコール)モノメチルエーテル:
Mw=2400)6g(2.5ミリモル)をテトラヒド
ロフラン(THF)20mlに溶解した。この溶液を、
窒素下、リフラックスで48時間攪拌して反応させた。
反応液を冷却後、溶媒を溜去した。さらに、減圧下で乾
燥し、茶色透明で粘ちょうな液体を得た。この液体に、
塩化チオニル1.47gを加えた。その後30℃で24
時間攪拌した。続いて、30℃で減圧乾燥し、過剰の塩
化チオニルを溜去し茶色透明で粘ちょうな液体を得た。
この液体6.5gにTHF40g、トリエチルアミン
0.71gを加え溶解した。その後、3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)アニリン0.93gのTHF溶液を
滴下し30℃で4時間攪拌した。析出したトリエチルア
ミン塩を取り除き、水洗した。THFを溜去し、さらに
減圧乾燥し、目的の化合物7gの粘ちょうな液体を得
た。
【0077】参考例7 モノマーEの製造 参考例6のポリ(プロピレングリコール)の代わりにポ
リ(エチレングリコール)モノメチルエーテル、分子量
6000を用いた以外は、参考例6と同様に行い、目的
の化合物を得た。
【0078】実施例1、比較例1 窒素下、参考例2で得られたパラジウム錯体のクロロベ
ンゼン溶液40.5mlに,参考例3で得られたモノマ
ーA3.64g(0.0097モル)、およびモノマー
D0.72g(モノマーAに対して20wt%)を加
え、室温で36時間反応させた。この反応液を濾過し、
固体をNMP、水、メタノールで洗浄した後、減圧下に
て乾燥し共重合体Aを得た。収量は、1.61gであっ
た。重量平均分子量(Mw)は42000であった。
【0079】前述の共重合体A1gを2−ヘプタノン3
gに溶解した。この溶液を住友電気工業(株)製四弗化
エチレン樹脂製フィルター(ポアサイズ2μm)を用い
て濾過した。つぎに、この溶液を6×6cmのAl基板
上およびシリコンウエハー上に回転塗布し、ついで、ホ
ットプレート(大日本スクリーン(株)製SKW−63
6)を用いて、80℃で3分、前乾燥し、さらにオーブ
ン(光洋リンドバーグ(株)製イナートオーブン)を用
いて、窒素雰囲気下中140℃で0.5時間、300℃
で1時間加熱し、次いで酸素存在下で240℃3時間熱
処理することにより、透明な膜を得た。その後、Al基
板上に形成したこの共重合体膜上にマスクをしてAlを
真空蒸着し、上部電極を形成して比誘電率(ε)測定試
料とした。その試料の誘電率を測定した結果、ε=1.
95であり低い値であった。次に、ガラス上に形成した
共重合体膜を用いて、屈折率を測定した。その結果、屈
折率は、TE=1.3610、TM=1.3590、複
屈折率は0.0030であり、屈折率、複屈折率ともに
小さな値となった。平均空孔径は20nmで、空孔率は
20体積%であった。この膜は、THFに溶解した。
【0080】また、ガラス転移温度(Tg)は400℃
まで検出されず、1%重量減少温度(Td1)はTd1
=420℃であった。
【0081】比較例1としてモノマーDを用いずモノマ
ーAのみで合成した重合体Bの誘電率を測定した結果、
ε=2.36であり、屈折率は、TE=1.4846、
TM=1.4812、複屈折率は0.0034であっ
た。
【0082】また、ガラス転移温度(Tg)は400℃
まで検出されず、1%重量減少温度(Td1)はTd1
=420℃であった。この膜は、THFに溶解した。
【0083】実施例2、比較例2 窒素下、参考例2で得られたパラジウム錯体のクロロベ
ンゼン溶液81mlに、参考例4で得られたモノマーB
6g(0.0195モル)およびモノマーD1.2g
(モノマーBに対して20wt%)を加え、室温で36
時間反応させた。この反応液を濾過し、固体をNMP、
水、メタノールで洗浄した後、減圧下にて乾燥し共重合
体Cの固体を得た。収量は、4.66gであった。重量
平均分子量(Mw)は20000であった。
【0084】実施例1と同様な加熱処理を行い、得られ
た膜のε、屈折率、Tg、Td1を測定した結果、ε=
2.10、TE=1.3718、TM=1.3686、
複屈折率は0.0032、であり、Tgは400℃まで
検出されず、Td1=443℃であった。平均空孔径は
20nmで、空孔率は20体積%であった。
【0085】比較例2としてモノマーDを用いずモノマ
ーBのみで合成した重合体Dの誘電率を測定した結果、
ε=2.50であり、屈折率は、TE=1.5021、
TM=1.4985、複屈折率は0.0036であっ
た。
【0086】実施例3、比較例3 窒素下、参考例2で得られたパラジウム錯体のクロロベ
ンゼン溶液47mlに、参考例5で得られたモノマーC
6g(0.0112モル)およびモノマーD1.8g
(モノマーCに対して30wt%)を加え、室温で36
時間反応させた。この反応液をメタノール300mlに
注ぎ、析出物を濾過し分離した後、減圧下にて乾燥し、
共重合体Eを得た。収量は、4.03gであった。重量
平均分子量(Mw)は20000であった。
【0087】実施例1と同様に加熱処理を行い、得られ
た膜のε、屈折率、Tg、Td1を測定した結果、ε=
1.89、TE=1.3636、TM=1.3604、
複屈折率は0.0032であり、Tgは400℃まで検
出されず、Td1=443℃であった。平均空孔径は2
0nmで、空孔率は25%であった。
【0088】比較例3としてモノマーDを用いずモノマ
ーCのみで合成した共重合体Fの誘電率を測定した結
果、ε=2.32でありであり、屈折率は、TE=1.
4801、TM=1.4773、複屈折率は0.002
8であった。
【0089】実施例4 実施例3のモノマーDの代わりにモノマーEを用いた以
外は、実施例3と同様に行い、共重合体Fを得た。重量
平均分子量(Mw)は28000であった。
【0090】実施例1と同様に加熱処理を行い、得られ
た膜のε、屈折率、Tg、Td1を測定した結果、ε=
1.93、TE=1.3306、TM=1.3273、
複屈折率は0.0033、であり、Tgは400℃まで
検出されず、Td1=443℃であった。平均空孔径は
50nmで、空孔率は23体積%であった。
【0091】実施例5 窒素下、参考例2で得られたパラジウム錯体のクロロベ
ンゼン溶液40.5mlに,参考例1で得られたexo
−ナジック酸無水物4.37g(0.0266モル)、
およびモノマーA10.00g(0.0266モル)を
加え、室温で36時間反応させた。この反応液をヘキサ
ン300mlに注ぎ、析出物を濾過し分離した。さらに
トルエン300ml、ヘキサン300mlで洗浄し、モ
ノマーを除去した後、減圧下にて乾燥し、共重合体Gを
得た。収量は、10.06gであった。重量平均分子量
(Mw)は73000であった。得られた共重合体G
2.00gをN−メチルピロリドン4.00g、THF
2.00gに溶解した。ここに、3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)アニリンを1.14g(0.005モ
ル)を加え、50℃で48時間攪拌した。この反応溶液
を0.1Nの塩酸300mlに注ぎ、析出物をを濾過し
分離した。さらに精製水で洗浄後、減圧下にて乾燥し、
アミド酸含有共重合体H1.91gを得た。NMRの結
果から、3,5−ビス(トリフルオロメチル)アニリン
は9モル%導入していた。この共重合体H1gを、分岐
状ポリプロピレンオキシドであるアデカポリエーテルT
−4000(旭電化工業(株))0.2gと2−デカノ
ン3gを加え1時間攪拌して前駆体溶液を得た。実施例
1と同様な加熱処理を行い、得られた膜のε、屈折率、
Tg、Td1を測定した結果、ε=2.12、TE=
1.4200、TM=1.4176、複屈折率は0.0
033、であり、Tgは400℃まで検出されず、Td
1=420℃であった。平均空孔径は10nmで、空孔
率は10体積%であった。
【0092】実施例6 実施例5の共重合体G2gを窒素下でN−メチルピロリ
ドン4.00g、THF2.00gに溶解した。ここ
に、4−エチニルアニリン0.58g(0.005モ
ル)を加え、50℃で48時間攪拌した。この反応溶液
を0.1Nの塩酸300mlに注ぎ、析出物を濾過し分
離した。さらに、精製水で洗浄後、減圧下にて乾燥し、
架橋構造を形成する化合物を含有する共重合体Iを2.
00g得た。NMRの測定から、エチニル基は10モル
%導入していた。この共重合体C1.00gをシクロヘ
キサノン3gを加え1時間攪拌して前駆体溶液を得た。
実施例1と同様に製膜、前乾燥し、熱処理はオーブン
(光洋リンドバーグ(株)製イナートオーブン)を用い
て、窒素雰囲気下中140℃で0.5時間、340℃で
1時間加熱とし、透明な膜を得た。得られた膜のε、屈
折率、Tg、Tdを測定した結果、ε=2.40、TE
=1.5000、TM=1.4970、複屈折率は0.
0030、であり、Tgは400℃まで検出されず、T
d1は440℃であり、重合体Aより耐熱性が向上して
いた。得られた膜はTHFに溶解せず、耐薬品性があっ
た。
【0093】実施例7 実施例6の共重合体I1.00gと0.20gのT−4
000とをN−メチルピロリドン0.30g、シクロヘ
キサノン3.00gに溶解した。
【0094】実施例1と同様に製膜、前乾燥を行い、オ
ーブンを用いて窒素雰囲気下中170℃0.5時間、3
40℃1時間加熱した。得られた膜のε、屈折率、T
g、Td1を測定した結果、ε=2.00、TE=1.
3288、TM=1.3252、複屈折率は0.003
6であり、Tgは400℃まで検出されず、Td1=4
40℃であった。平均空孔径は10nmで空孔率は20
体積%であった。この膜はTHFに溶解せず、耐薬品性
があった。
【0095】実施例8 実施例5の共重合体G2.00gをN−メチル−2−ピ
ロリドン4.00g、THF2.00gに溶解した。こ
こに、4−アミノフェニルトリメトキシシラン0.08
g(0.37ミリモル)を加え、50℃で48時間攪拌
し、共重合体Jの溶液を得た。実施例5と同様に製膜、
加熱処理を行い、得られた膜のε、屈折率、Tg、Td
を測定した結果、ε=2.40、TE=1.4992、
TM=1.4956、複屈折率は0.0036、であ
り、Tgは400℃まで検出されず、Td1は460℃
であった。得られた膜はTHFに溶解せず、耐薬品性が
あった。
【0096】比較例4 ポリ(プロピレングリコール)モノメチルエーテル:M
w=2400を480g(0.2モル)にピロメリト酸
無水物(PMDA)21.8g(0.1モル)を投入
し、120℃で48時間反応させ、粘ちょうな液体のモ
ノマーFを得た。PMDA21.8gにエタノール20
0gを投入し、リフラックスさせ反応させた。未反応の
エタノールを溜去し白色固体のモノマーGを得た。ガン
マーブチロラクトン(GBL)にモノマーGを3.0
g、モノマーFを2.0gを溶解し、0℃に冷却した。
これに、ジシクロヘキシルカルボジイミド4.1gを溶
解したアセトン8.0g、GBL4.0gの溶液を滴下
し20分攪拌した。続いて、2,2−ビス〔4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロプロパン(HFBAPP)5.2g
(0.1mol)を溶解したアセトン4.0g、GBL
8.0gの溶液を滴下した。10℃で2時間、40℃で
1時間攪拌した。析出したジシクロヘキシルウレアを濾
過により除去した。濾液をメタノールに投入し、共重合
体を析出させた。この共重合体を濾取し、アセトンに溶
解し、メタノールに再沈澱させた。この共重合体を濾取
し、メタノールでよく洗浄した後に、減圧乾燥して目的
の共重合体を得た。この共重合体1.0gをシクロヘキ
サノン1.6g、N−メチルピロリドン0.4gに溶解
した。実施例1と同様に、重合体の誘電率を測定した結
果、ε=2.40であった。次に、ガラス上に形成した
重合体膜を用いて、屈折率を測定した。その結果、屈折
率は、TE=1.4638、TM=1.4329、複屈
折率は0.0309であり、屈折率、複屈折率ともに値
となった。平均空孔径は40nmで、空孔率は20%で
あった。実施例1と同様な空孔率であるが、実施例1の
誘電率より大きな誘電率である。
【0097】
【発明の効果】本発明の多孔質重合体は、低誘電率でか
つ耐熱性に優れており、プリント基板やLSI用の層間
絶縁膜として極めて良好に使用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大竹 淳之 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株 式会社滋賀事業場内 Fターム(参考) 4J100 AK31P AK33P AM41P BA02H BA12H BA51H BA55H BA58H BB07H BB07P BB18P BC04P BC43H BC43P BC66H CA01 CA04 CA31 HA45 HC43 JA44

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(1)で表される構造単位を含むポ
    リ(脂環式オレフィン)組成物を含む多孔質重合体であ
    ることを特徴とする多孔質重合体。 【化1】 (一般式(1)において、lは1〜2、m、n、oは0
    〜5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数である。X
    は直接結合、またはO、S、CH2、CO、SO、SO2
    を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭素数1〜10の
    アルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいずれかを
    示し、同じでも異なっていてもよい。R5、R6はH、ま
    たは炭素数1〜10のアルキル基を示し、同じでも異な
    っていてもよい。R7、R8はH、F、CF3、OCF3
    炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリー
    ル基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよ
    い。)
  2. 【請求項2】請求項1記載の一般式(1)で表される構
    造単位を含むポリ(脂環式オレフィン)組成物を含む多
    孔質重合体であって、空孔径が100nmより小さいこ
    とを特徴とする多孔質重合体。
  3. 【請求項3】(I)請求項2記載の一般式(1)で表さ
    れる構造単位かつ/または前記構造単位の前駆体を含む
    ポリ(脂環式オレフィン)組成物を含むマトリックス重
    合体と、(II)マトリックス重合体の分解温度よりも低
    い温度で熱分解する熱分解性重合体との共重合体を含む
    ことを特徴とする多孔質重合体の前駆体組成物。
  4. 【請求項4】(a)請求項3記載のマトリックス重合体
    とマトリックス重合体の分解温度よりも低い温度で熱分
    解する熱分解性重合体との共重合体を生成させる工程
    と、(b)前記共重合体を前記熱分解性重合体の分解温
    度以上、前記マトリックス重合体の分解温度よりも低い
    温度にて加熱して、多孔質重合体を生成する工程とを含
    むことを特徴とする多孔質重合体の製造方法。
  5. 【請求項5】(I)請求項2記載の一般式(1)で表さ
    れる構造単位かつ/または前記構造単位の前駆体を含む
    ポリ(脂環式オレフィン)組成物を含むマトリックス重
    合体と、(II)マトリックス重合体の分解温度よりも低
    い温度で熱分解する熱分解性重合体とを分散させること
    を特徴とする多孔質重合体の前駆体組成物。
  6. 【請求項6】請求項2記載のポリ(脂環式オレフィン)
    が架橋構造を形成していることを特徴とする多孔質重合
    体。
  7. 【請求項7】請求項3記載の多孔質重合体の前駆体組成
    物が、架橋構造を形成する化合物を含むことを特徴とす
    る多孔質重合体の前駆体組成物。
  8. 【請求項8】請求項5記載の多孔質重合体の前駆体組成
    物が、架橋構造を形成する化合物を含むことを特徴とす
    る多孔質重合体の前駆体組成物。
  9. 【請求項9】請求項5、7、8のいずれか記載の多孔質
    重合体の前駆体組成物を、熱分解重合体の分解温度以
    上、マトリックス重合体の熱分解温度よりも低い温度に
    て加熱して、多孔質重合体を生成する工程を含むことを
    特徴とする多孔質重合体の製造方法。
  10. 【請求項10】一般式(1)で表される構造単位かつ/
    または前記構造単位の前駆体を含むポリ(脂環式オレフ
    ィン)組成物および架橋構造を形成する化合物を含むポ
    リ(脂環式オレフィン)組成物。 【化2】 (一般式(1)において、lは1〜2、m、n、oは0
    〜5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数である。X
    は直接結合、またはO、S、CH2、CO、SO、SO2
    を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭素数1〜10の
    アルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいずれかを
    示し、同じでも異なっていてもよい。R5、R6はH、ま
    たは炭素数1〜10のアルキル基を示し、同じでも異な
    っていてもよい。R7、R8はH、F、CF3、OCF3
    炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリー
    ル基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよ
    い。)
  11. 【請求項11】一般式(1)で表される構造単位を含む
    架橋ポリ(脂環式オレフィン)組成物。 【化3】 (一般式(1)において、lは1〜2、m、n、oは0
    〜5の整数を示し、m+n≧1を満たす整数である。X
    は直接結合、またはO、S、CH2、CO、SO、SO2
    を示す。R1〜R4はH、F、CF3、炭素数1〜10の
    アルキル基、炭素数6〜20のアリール基のいずれかを
    示し、同じでも異なっていてもよい。R5、R6はH、ま
    たは炭素数1〜10のアルキル基を示し、同じでも異な
    っていてもよい。R7、R8はH、F、CF3、OCF3
    炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリー
    ル基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよ
    い。)
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