JP2002198402A - 半導体装置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体装置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 はんだボール接合強度の信頼性が高く、し
かもワイヤボンディング性に優れた半導体装置用テープ
キャリアおよびこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を搭載するテープキャリア
は、はんだボール取り付け用パッド３、およびボンディ
ングパッド４上に設けるＮｉ／Ａｕめっきとして、Ａｕ
めっき１３の厚みを０．２μｍ以上、好ましくは０．２
０μｍ〜１．５μｍに形成し、且つ、はんだボール８搭
載の際のはんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量
／（Ａｕの重量＋はんだの重量）］が０．２％以下、好
ましくは０．０５％〜０．２％以下になるように構成さ
れていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア
およびこれを用いた半導体装置を提供する。
かもワイヤボンディング性に優れた半導体装置用テープ
キャリアおよびこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を搭載するテープキャリア
は、はんだボール取り付け用パッド３、およびボンディ
ングパッド４上に設けるＮｉ／Ａｕめっきとして、Ａｕ
めっき１３の厚みを０．２μｍ以上、好ましくは０．２
０μｍ〜１．５μｍに形成し、且つ、はんだボール８搭
載の際のはんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量
／（Ａｕの重量＋はんだの重量）］が０．２％以下、好
ましくは０．０５％〜０．２％以下になるように構成さ
れていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア
およびこれを用いた半導体装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
配線テープとそれを用いた半導体装置、特にはんだボー
ル取り付け用パッドを有する半導体装置用テープキャリ
アおよびそれを用いたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）型の半導体装置に関するものである。
配線テープとそれを用いた半導体装置、特にはんだボー
ル取り付け用パッドを有する半導体装置用テープキャリ
アおよびそれを用いたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）型の半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のパソコン、コンピュータ、高速デ
ジタル・データ処理機器に使用される半導体素子搭載用
配線テープとそれを用いた半導体装置においては、小型
化、薄型化、多ピン化が進んでいる。
ジタル・データ処理機器に使用される半導体素子搭載用
配線テープとそれを用いた半導体装置においては、小型
化、薄型化、多ピン化が進んでいる。
【０００３】従来の半導体装置用テープキャリアの構成
は、絶縁材料よりなるポリイミドテープの片面に、銅箔
によって形成された配線パターンを有しており、その配
線パターンは一端部に半導体接続用のボンディングパッ
ドが形成されているとともに、他端部にはんだボール取
り付け用パッドが形成されている。さらに、はんだボー
ル取り付け用パッドの領域の配線パターンの面上に、絶
縁皮膜を有し、ボンディングパッドとはんだボール取り
付け用パッドにはＮｉ／Ａｕめっきが施こされている。
は、絶縁材料よりなるポリイミドテープの片面に、銅箔
によって形成された配線パターンを有しており、その配
線パターンは一端部に半導体接続用のボンディングパッ
ドが形成されているとともに、他端部にはんだボール取
り付け用パッドが形成されている。さらに、はんだボー
ル取り付け用パッドの領域の配線パターンの面上に、絶
縁皮膜を有し、ボンディングパッドとはんだボール取り
付け用パッドにはＮｉ／Ａｕめっきが施こされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置に
よると、ボンディングワイヤのピール強度及びはんだボ
ールのシェア強度にばらつきがあり、信頼性に欠けると
いう問題があった。
装置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置に
よると、ボンディングワイヤのピール強度及びはんだボ
ールのシェア強度にばらつきがあり、信頼性に欠けると
いう問題があった。
【０００５】それ故、本発明の目的は、はんだボール接
合強度の信頼性が高く、しかもワイヤボンディング性に
優れた半導体装置用テープキャリアおよびこれを用いた
半導体装置を提供することにある。
合強度の信頼性が高く、しかもワイヤボンディング性に
優れた半導体装置用テープキャリアおよびこれを用いた
半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テ
ープの片面に銅箔によって形成された配線回路と、前記
配線回路の一部に形成された半導体接続用のボンディン
グパッドと、前記配線回路の他の部分に形成されたはん
だボール取り付け用パッドと、前記ボンディングパッド
および前記はんだボール取り付け用パッドに施こされた
Ｎｉ／Ａｕめっきを備え、前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、Ａ
ｕめっきの厚みが０．２μｍ以上に形成されていること
を特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
達成するため、絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テ
ープの片面に銅箔によって形成された配線回路と、前記
配線回路の一部に形成された半導体接続用のボンディン
グパッドと、前記配線回路の他の部分に形成されたはん
だボール取り付け用パッドと、前記ボンディングパッド
および前記はんだボール取り付け用パッドに施こされた
Ｎｉ／Ａｕめっきを備え、前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、Ａ
ｕめっきの厚みが０．２μｍ以上に形成されていること
を特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【０００７】さらに、本発明は、上記の目的を達成する
ために、前記配線回路は、前記ボンディングパッドと前
記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除いて
絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とし、前記
Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディングパッドおよび前
記はんだボール取り付け用パッドの上にＮｉめっき、Ａ
ｕめっきの順に積層して設けられていることを特徴と
し、前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記Ａｕめっきの所定の
厚さとして、Ａｕめっきの厚みが好ましくは０．２０μ
ｍ以上〜１．５μｍに形成されていることを特徴とする
半導体装置用テープキャリアを提供する。
ために、前記配線回路は、前記ボンディングパッドと前
記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除いて
絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とし、前記
Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディングパッドおよび前
記はんだボール取り付け用パッドの上にＮｉめっき、Ａ
ｕめっきの順に積層して設けられていることを特徴と
し、前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記Ａｕめっきの所定の
厚さとして、Ａｕめっきの厚みが好ましくは０．２０μ
ｍ以上〜１．５μｍに形成されていることを特徴とする
半導体装置用テープキャリアを提供する。
【０００８】また、この発明は、上記の目的を達成する
ため、絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テープの片
面に銅箔によって形成された配線回路と、前記配線回路
の一部に形成された半導体接続用のボンディングパッド
と、前記配線回路の他の部分に形成されたはんだボール
取り付け用パッドと、前記ボンディングパッドおよび前
記はんだボール取り付け用パッドに施こされたＮｉ／Ａ
ｕめっきと、前記絶縁テープに搭載され、前記ボンディ
ングパッドにワイヤにより接続された半導体素子と、前
記はんだボール取り付け用パッドの前記Ｎｉ／Ａｕめっ
きに搭載されたはんだボールと、前記半導体素子、前記
ボンディングパッド、および前記半導体素子と前記ボン
ディングパッドを接続する前記ワイヤを封止する封止樹
脂を備え、前記はんだボールを搭載する際のはんだは、
はんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕ
の重量＋はんだの重量）］が０．２％以下になるように
構成されていることを特徴とする半導体装置を提供す
る。
ため、絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テープの片
面に銅箔によって形成された配線回路と、前記配線回路
の一部に形成された半導体接続用のボンディングパッド
と、前記配線回路の他の部分に形成されたはんだボール
取り付け用パッドと、前記ボンディングパッドおよび前
記はんだボール取り付け用パッドに施こされたＮｉ／Ａ
ｕめっきと、前記絶縁テープに搭載され、前記ボンディ
ングパッドにワイヤにより接続された半導体素子と、前
記はんだボール取り付け用パッドの前記Ｎｉ／Ａｕめっ
きに搭載されたはんだボールと、前記半導体素子、前記
ボンディングパッド、および前記半導体素子と前記ボン
ディングパッドを接続する前記ワイヤを封止する封止樹
脂を備え、前記はんだボールを搭載する際のはんだは、
はんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕ
の重量＋はんだの重量）］が０．２％以下になるように
構成されていることを特徴とする半導体装置を提供す
る。
【０００９】さらに、この発明は、上記の目的を達成す
るために、前記配線回路は、前記ボンディングパッドと
前記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除い
て絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とし、前
記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディングパッドおよび
前記はんだボール取り付け用パッドの上にＮｉめっき、
Ａｕめっきの順に積層して設けられていることを特徴と
し、前記はんだボールを搭載する際の前記はんだは、前
記はんだの所定のＡｕ重量濃度として、はんだ中に占め
るＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだ
の重量）］が好ましくは０．０５％〜０．２％以下にな
るように構成されていることを特徴とする半導体装置を
提供する。
るために、前記配線回路は、前記ボンディングパッドと
前記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除い
て絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とし、前
記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディングパッドおよび
前記はんだボール取り付け用パッドの上にＮｉめっき、
Ａｕめっきの順に積層して設けられていることを特徴と
し、前記はんだボールを搭載する際の前記はんだは、前
記はんだの所定のＡｕ重量濃度として、はんだ中に占め
るＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだ
の重量）］が好ましくは０．０５％〜０．２％以下にな
るように構成されていることを特徴とする半導体装置を
提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】（テープキャリアの実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態による半導体装置用テープ
キャリアを示しており、（イ）はテープキャリアの断面
説明図、（ロ）はＡ部詳細図である。
図１は、本発明の実施の形態による半導体装置用テープ
キャリアを示しており、（イ）はテープキャリアの断面
説明図、（ロ）はＡ部詳細図である。
【００１１】図１（イ）のテープキャリアは、絶縁材料
よりなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の
片面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パ
ターン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体
接続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他
の部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３
と、ボンディングパッド４およびはんだボール取り付け
用パッド３に施こされたＮｉ／Ａｕめっきを備えてい
る。配線回路は、ボンディングパッド４とはんだボール
取り付け用パッド３の所定の領域を除いて銅箔パターン
６の面上に形成された絶縁皮膜２により絶縁されてい
る。
よりなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の
片面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パ
ターン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体
接続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他
の部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３
と、ボンディングパッド４およびはんだボール取り付け
用パッド３に施こされたＮｉ／Ａｕめっきを備えてい
る。配線回路は、ボンディングパッド４とはんだボール
取り付け用パッド３の所定の領域を除いて銅箔パターン
６の面上に形成された絶縁皮膜２により絶縁されてい
る。
【００１２】図１（ロ）は、Ｎｉめっき１２と、Ａｕめ
っき１３の詳細を示し、ポリイミドテープ１の片面に銅
箔によって形成された銅箔パターンの他の部分に、はん
だボール取り付け用パッド３を有し、さらに、はんだボ
ール取り付け用パッド３の所定の領域を除いて銅箔パタ
ーンの面上に形成された絶縁皮膜２を有する。Ｎｉめっ
き１２とＡｕめっき１３は、ボンディングパッド（４）
および直径０．６３ｍｍのはんだボール取り付け用パッ
ド３上に施こされており、Ｎｉ／Ａｕめっきのうち、Ａ
ｕめっきの厚みは０．４μｍに形成されている。なお、
本発明においては、Ｎｉ／ＡｕめっきのＮｉめっきは、
Ａｕめっきの下地めっきであり、はんだボールを搭載し
リフロー処理する際に、銅箔のＣｕがＡｕめっきに拡散
しないようにするために、通常１μｍ〜５μｍ施され
る。これは、１μｍ未満では、銅箔のＣｕがＡｕめっき
に拡散することを制御する効果が低下してしまうためで
ある。
っき１３の詳細を示し、ポリイミドテープ１の片面に銅
箔によって形成された銅箔パターンの他の部分に、はん
だボール取り付け用パッド３を有し、さらに、はんだボ
ール取り付け用パッド３の所定の領域を除いて銅箔パタ
ーンの面上に形成された絶縁皮膜２を有する。Ｎｉめっ
き１２とＡｕめっき１３は、ボンディングパッド（４）
および直径０．６３ｍｍのはんだボール取り付け用パッ
ド３上に施こされており、Ｎｉ／Ａｕめっきのうち、Ａ
ｕめっきの厚みは０．４μｍに形成されている。なお、
本発明においては、Ｎｉ／ＡｕめっきのＮｉめっきは、
Ａｕめっきの下地めっきであり、はんだボールを搭載し
リフロー処理する際に、銅箔のＣｕがＡｕめっきに拡散
しないようにするために、通常１μｍ〜５μｍ施され
る。これは、１μｍ未満では、銅箔のＣｕがＡｕめっき
に拡散することを制御する効果が低下してしまうためで
ある。
【００１３】つぎに、図２〜図４により、本発明の実施
の形態によるＢＧＡ型半導体装置として、それぞれ異な
るタイプのｗＢＧＡ型半導体装置、ＦＢＧＡ型半導体装
置、ＴＢＧＡ型導体装置について説明する。
の形態によるＢＧＡ型半導体装置として、それぞれ異な
るタイプのｗＢＧＡ型半導体装置、ＦＢＧＡ型半導体装
置、ＴＢＧＡ型導体装置について説明する。
【００１４】（ｗＢＧＡ型の実施の形態）図２は、本発
明の実施の形態によるｗＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このｗＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．３ｍｍのはんだボ
ール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、め
っき厚０．２μｍのＡｕめっき（図示省略）を有する。
また、配線回路は、はんだボール取り付け用パッド３と
ボンディングパッド４の所定の領域を除いて銅箔パター
ン６の面上に形成された絶縁皮膜２により絶縁されてい
る。
明の実施の形態によるｗＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このｗＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．３ｍｍのはんだボ
ール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、め
っき厚０．２μｍのＡｕめっき（図示省略）を有する。
また、配線回路は、はんだボール取り付け用パッド３と
ボンディングパッド４の所定の領域を除いて銅箔パター
ン６の面上に形成された絶縁皮膜２により絶縁されてい
る。
【００１５】ワイドな半導体素子７は、接着剤５（ソル
ダーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテ
ープ１に搭載され、半導体素子７の電極（符号省略）と
ボンディングパッド４は金ワイヤ９により接続されてい
る。はんだボール取り付け用パッド３のＮｉ／Ａｕめっ
き（図示省略）には、はんだボール８が搭載されてい
る。はんだボール８を搭載する際のはんだは、はんだ中
に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋
はんだの重量）］が０．２％以下になるように構成され
ている。直径０．３５ｍｍのはんだボールを搭載する
と、Ａｕの重量濃度は０．１４３ｗｔ％となる。
ダーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテ
ープ１に搭載され、半導体素子７の電極（符号省略）と
ボンディングパッド４は金ワイヤ９により接続されてい
る。はんだボール取り付け用パッド３のＮｉ／Ａｕめっ
き（図示省略）には、はんだボール８が搭載されてい
る。はんだボール８を搭載する際のはんだは、はんだ中
に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋
はんだの重量）］が０．２％以下になるように構成され
ている。直径０．３５ｍｍのはんだボールを搭載する
と、Ａｕの重量濃度は０．１４３ｗｔ％となる。
【００１６】さらに、半導体素子７、ボンディングパッ
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてｗＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてｗＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
【００１７】（ＦＢＧＡ型の実施の形態）図３は、本発
明の実施の形態によるＦＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このＦＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．４５ｍｍのはんだ
ボール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、
めっき厚０．３μｍのＡｕめっき（Ｎｉ／Ａｕめっきは
図示省略）を有する。
明の実施の形態によるＦＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このＦＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．４５ｍｍのはんだ
ボール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、
めっき厚０．３μｍのＡｕめっき（Ｎｉ／Ａｕめっきは
図示省略）を有する。
【００１８】薄型な半導体素子７は、接着剤５（ソルダ
ーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテー
プ１に搭載され、半導体素子７の電極（図示省略）とボ
ンディングパッド４は金ワイヤ９により接続されてい
る。はんだボール取り付け用パッド３のＮｉ／Ａｕめっ
きには、はんだボール８が搭載されている。はんだボー
ル８を搭載する際のはんだは、はんだ中に占めるＡｕの
重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだの重
量）］が０．２％以下になるように構成されている。直
径０．５ｍｍのはんだボールを搭載すると、Ａｕの重量
濃度は０．１６５ｗｔ％となる。
ーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテー
プ１に搭載され、半導体素子７の電極（図示省略）とボ
ンディングパッド４は金ワイヤ９により接続されてい
る。はんだボール取り付け用パッド３のＮｉ／Ａｕめっ
きには、はんだボール８が搭載されている。はんだボー
ル８を搭載する際のはんだは、はんだ中に占めるＡｕの
重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだの重
量）］が０．２％以下になるように構成されている。直
径０．５ｍｍのはんだボールを搭載すると、Ａｕの重量
濃度は０．１６５ｗｔ％となる。
【００１９】さらに、半導体素子７、ボンディングパッ
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてＦＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてＦＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
【００２０】（ＴＢＧＡ型の実施の形態）図４は、本発
明の実施の形態によるＴＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このＴＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．６３ｍｍのはんだ
ボール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、
めっき厚０．４μｍのＡｕめっき（Ｎｉ／Ａｕめっきは
図示省略）を有する。また、配線回路は、はんだボール
取り付け用パッド３とボンディングパッド４の所定の領
域を除いて銅箔パターン６の面上に形成された絶縁皮膜
２により絶縁されている。
明の実施の形態によるＴＢＧＡ型半導体装置を示してい
る。このＴＢＧＡ型用のテープキャリアは、絶縁材料よ
りなるポリイミドテープ１と、ポリイミドテープ１の片
面に銅箔によって形成された配線回路としての銅箔パタ
ーン６と、銅箔パターン６の一部に形成された半導体接
続用のボンディングパッド４と、銅箔パターン６の他の
部分に形成されたはんだボール取り付け用パッド３と、
ボンディングパッド４および直径０．６３ｍｍのはんだ
ボール取り付け用パッド３に施こされたＮｉめっきと、
めっき厚０．４μｍのＡｕめっき（Ｎｉ／Ａｕめっきは
図示省略）を有する。また、配線回路は、はんだボール
取り付け用パッド３とボンディングパッド４の所定の領
域を除いて銅箔パターン６の面上に形成された絶縁皮膜
２により絶縁されている。
【００２１】小型な半導体素子７は、接着剤５（ソルダ
ーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテー
プ１に搭載されるとともに、半導体素子７から発生する
熱を放散する放熱板１１を有し、半導体素子７の電極
（図示省略）とボンディングパッド４は金ワイヤ９によ
り接続されている。
ーレジスト）を介してテープキャリアのポリイミドテー
プ１に搭載されるとともに、半導体素子７から発生する
熱を放散する放熱板１１を有し、半導体素子７の電極
（図示省略）とボンディングパッド４は金ワイヤ９によ
り接続されている。
【００２２】はんだボール取り付け用パッド３のＮｉ／
Ａｕめっきには、はんだボール８が搭載されている。は
んだボール８を搭載する際のはんだは、はんだ中に占め
るＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだ
の重量）］が０．２％以下になるように構成されてい
る。直径０．７６ｍｍのはんだボールを搭載すると、Ａ
ｕの重量濃度は０．１２３ｗｔ％となる。
Ａｕめっきには、はんだボール８が搭載されている。は
んだボール８を搭載する際のはんだは、はんだ中に占め
るＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだ
の重量）］が０．２％以下になるように構成されてい
る。直径０．７６ｍｍのはんだボールを搭載すると、Ａ
ｕの重量濃度は０．１２３ｗｔ％となる。
【００２３】さらに、半導体素子７、ボンディングパッ
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてＴＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
ド４、および半導体素子７の電極とボンディングパッド
４を接続する金ワイヤ９の全体を封止する封止樹脂１０
を備えてＴＢＧＡ型半導体装置が構成されている。
【００２４】図５は、本発明の実施の形態によるＡｕめ
っき厚とワイヤボンディング性の関係を示す特性図であ
る。図５によると、ボンディングパッドのＮｉめっきの
上に施されるＡｕめっきは、Ａｕめっきの所定の厚さと
して、Ａｕめっきの厚みが０．１８μｍ以下であると、
Ａｕワイヤのボンディング性であるピール強度（ｇｆ）
が低下していることが分かる。しかし、Ａｕめっきの厚
みが０．２０μｍを超えて、０．２０μｍ以上〜１．５
μｍの厚みに形成されていると、Ａｕワイヤのピール強
度（ｇｆ）が安定した特性を示していることが分かる。
っき厚とワイヤボンディング性の関係を示す特性図であ
る。図５によると、ボンディングパッドのＮｉめっきの
上に施されるＡｕめっきは、Ａｕめっきの所定の厚さと
して、Ａｕめっきの厚みが０．１８μｍ以下であると、
Ａｕワイヤのボンディング性であるピール強度（ｇｆ）
が低下していることが分かる。しかし、Ａｕめっきの厚
みが０．２０μｍを超えて、０．２０μｍ以上〜１．５
μｍの厚みに形成されていると、Ａｕワイヤのピール強
度（ｇｆ）が安定した特性を示していることが分かる。
【００２５】図６は、本発明の実施の形態による信頼性
試験後のＡｕめっき厚とはんだボール接合性の関係を示
す特性図である。図６においては、はんだボールのシェ
ア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）として、つぎの２つの場合の特
性値が示されている。 （１）はんだボール取り付け用パッドランド径０．３０
ｍｍ、ボール径０．３５ｍｍ （２）はんだボール取り付け用パッドランド径０．６３
ｍｍ、ボール径０．７６ｍｍ
試験後のＡｕめっき厚とはんだボール接合性の関係を示
す特性図である。図６においては、はんだボールのシェ
ア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）として、つぎの２つの場合の特
性値が示されている。 （１）はんだボール取り付け用パッドランド径０．３０
ｍｍ、ボール径０．３５ｍｍ （２）はんだボール取り付け用パッドランド径０．６３
ｍｍ、ボール径０．７６ｍｍ
【００２６】図６によると、はんだボールを搭載する際
のはんだは、はんだの所定のＡｕ重量濃度として、はん
だ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重
量＋はんだの重量）］を０．２％以下にすると、特に
０．０５％〜０．２％の範囲において、はんだボールシ
ェア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）が高い数値を示すことが分か
る。しかし、Ａｕの重量濃度が０．２％を超えると、
０．５％位まではんだボールシェア強度（ｇｆ／ｍｍ
2 ）が低下し、０．５％を超えると低下が止まり数値が
一定になることが分かる。
のはんだは、はんだの所定のＡｕ重量濃度として、はん
だ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重
量＋はんだの重量）］を０．２％以下にすると、特に
０．０５％〜０．２％の範囲において、はんだボールシ
ェア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）が高い数値を示すことが分か
る。しかし、Ａｕの重量濃度が０．２％を超えると、
０．５％位まではんだボールシェア強度（ｇｆ／ｍｍ
2 ）が低下し、０．５％を超えると低下が止まり数値が
一定になることが分かる。
【００２７】このように本発明の実施の形態の半導体装
置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置の構
成によると、半導体装置に構成した場合にテープキャリ
アの優れたワイヤボンディング性が確保されるととも
に、はんだボール接合強度も信頼性の高いものを確保す
ることができる。
置用テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置の構
成によると、半導体装置に構成した場合にテープキャリ
アの優れたワイヤボンディング性が確保されるととも
に、はんだボール接合強度も信頼性の高いものを確保す
ることができる。
【００２８】本発明の実施の形態において、ボンディン
グパッドおよびはんだボール取り付け用パッドのＮｉめ
っきの上に施されるＡｕめっきは、Ａｕめっきの所定の
厚さとして、Ａｕめっきの厚みが０．２μｍ以上、好ま
しくは０．２０μｍ以上〜１．５μｍの厚みに形成され
ていること（図５参照）が、半導体装置用テープキャリ
アにおけるＡｕワイヤ接続時のピール強度（ｇｆ）を所
望の値に維持するのに適切である。
グパッドおよびはんだボール取り付け用パッドのＮｉめ
っきの上に施されるＡｕめっきは、Ａｕめっきの所定の
厚さとして、Ａｕめっきの厚みが０．２μｍ以上、好ま
しくは０．２０μｍ以上〜１．５μｍの厚みに形成され
ていること（図５参照）が、半導体装置用テープキャリ
アにおけるＡｕワイヤ接続時のピール強度（ｇｆ）を所
望の値に維持するのに適切である。
【００２９】本発明の実施の形態において、はんだボー
ルを搭載する際のはんだは、はんだの所定のＡｕ重量濃
度として、はんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重
量／（Ａｕの重量＋はんだの重量）］が０．２％以下、
好ましくは０．０５％〜０．２％以下になるように構成
されていること（図６参照）が、はんだボール搭載時の
半導体装置のはんだボールシェア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）
を所望の値に維持するのに適切である。
ルを搭載する際のはんだは、はんだの所定のＡｕ重量濃
度として、はんだ中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重
量／（Ａｕの重量＋はんだの重量）］が０．２％以下、
好ましくは０．０５％〜０．２％以下になるように構成
されていること（図６参照）が、はんだボール搭載時の
半導体装置のはんだボールシェア強度（ｇｆ／ｍｍ2 ）
を所望の値に維持するのに適切である。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体装置用テープキャリアお
よびこれを用いた半導体装置によると、半導体素子を搭
載するテープキャリアは、はんだボール取り付け用パッ
ド、およびボンディングパッド上に設けるＮｉ／Ａｕめ
っきとして、Ａｕめっきの厚みを０．２μｍ以上に形成
し、且つ、はんだボール搭載の際のはんだ中に占めるＡ
ｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだの重
量）］を０．２％以下とすることにより、はんだボール
接合強度の信頼性が高く、しかもワイヤボンディング性
に優れたＢＧＡ型半導体装置を提供できるという効果が
得られる。
よびこれを用いた半導体装置によると、半導体素子を搭
載するテープキャリアは、はんだボール取り付け用パッ
ド、およびボンディングパッド上に設けるＮｉ／Ａｕめ
っきとして、Ａｕめっきの厚みを０．２μｍ以上に形成
し、且つ、はんだボール搭載の際のはんだ中に占めるＡ
ｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋はんだの重
量）］を０．２％以下とすることにより、はんだボール
接合強度の信頼性が高く、しかもワイヤボンディング性
に優れたＢＧＡ型半導体装置を提供できるという効果が
得られる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置用テープ
キャリアを示し、（イ）はテープキャリアの断面説明
図、（ロ）はＡ部詳細図である。
キャリアを示し、（イ）はテープキャリアの断面説明
図、（ロ）はＡ部詳細図である。
【図２】本発明の実施の形態によるｗＢＧＡ型半導体装
置の断面を示す説明図である。
置の断面を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態によるＦＢＧＡ型半導体装
置の断面を示す説明図である。
置の断面を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態によるＴＢＧＡ型半導体装
置の断面を示す説明図である。
置の断面を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態によるＡｕめっき厚とワイ
ヤボンディング性の関係を示す特性図である。
ヤボンディング性の関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施の形態による信頼性試験後のＡｕ
めっき厚とはんだボール接合性の関係を示す特性図であ
る。
めっき厚とはんだボール接合性の関係を示す特性図であ
る。
１ ポリイミドテープ ２ 絶縁皮膜 ３ はんだボール取り付けパッド ４ ボンディングパッド ５ 接着剤 ６ 銅箔パターン ７ 半導体素子 ８ はんだボール ９ 金ワイヤ １０ 封止樹脂 １１ 放熱板 １２ Ｎｉめっき １３ Ａｕめっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 洋 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F044 AA03 MM03 MM13 MM23 MM48
Claims (8)
- 【請求項１】絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テー
プの片面に銅箔によって形成された配線回路と、前記配
線回路の一部に形成された半導体接続用のボンディング
パッドと、前記配線回路の他の部分に形成されたはんだ
ボール取り付け用パッドと、前記ボンディングパッドお
よび前記はんだボール取り付け用パッドに施こされたＮ
ｉ／Ａｕめっきを備え、 前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、Ａｕめっきの厚みが０．２μ
ｍ以上に形成されていることを特徴とする半導体装置用
テープキャリア。 - 【請求項２】前記配線回路は、前記ボンディングパッド
と前記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除
いて絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項３】前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディン
グパッドおよび前記はんだボール取り付け用パッドの上
にＮｉめっき、Ａｕめっきの順に積層して設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テー
プキャリア。 - 【請求項４】前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記Ａｕめっき
の所定の厚さとして、Ａｕめっきの厚みが好ましくは
０．２０μｍ以上〜１．５μｍに形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリ
ア。 - 【請求項５】絶縁材料よりなるテープと、前記絶縁テー
プの片面に銅箔によって形成された配線回路と、前記配
線回路の一部に形成された半導体接続用のボンディング
パッドと、前記配線回路の他の部分に形成されたはんだ
ボール取り付け用パッドと、前記ボンディングパッドお
よび前記はんだボール取り付け用パッドに施こされたＮ
ｉ／Ａｕめっきと、 前記絶縁テープに搭載され、前記ボンディングパッドに
ワイヤにより接続された半導体素子と、 前記はんだボール取り付け用パッドの前記Ｎｉ／Ａｕめ
っきに搭載されたはんだボールと、 前記半導体素子、前記ボンディングパッド、および前記
半導体素子と前記ボンディングパッドを接続する前記ワ
イヤを封止する封止樹脂を備え、 前記はんだボールを搭載する際のはんだは、はんだ中に
占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量＋は
んだの重量）］が０．２％以下になるように構成されて
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】前記配線回路は、前記ボンディングパッド
と前記はんだボール取り付け用パッドの所定の領域を除
いて絶縁皮膜によって絶縁されていることを特徴とする
請求項５に記載の半導体装置。 - 【請求項７】前記Ｎｉ／Ａｕめっきは、前記ボンディン
グパッドおよび前記はんだボール取り付け用パッドの上
にＮｉめっき、Ａｕめっきの順に積層して設けられてい
ることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。 - 【請求項８】前記はんだボールを搭載する際の前記はん
だは、前記はんだの所定のＡｕ重量濃度として、はんだ
中に占めるＡｕの重量濃度［Ａｕの重量／（Ａｕの重量
＋はんだの重量）］が好ましくは０．０５％〜０．２％
以下になるように構成されていることを特徴とする請求
項５に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000393051A JP4134512B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000393051A JP4134512B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198402A true JP2002198402A (ja) | 2002-07-12 |
| JP4134512B2 JP4134512B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=18858931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000393051A Expired - Fee Related JP4134512B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4134512B2 (ja) |
-
2000
- 2000-12-25 JP JP2000393051A patent/JP4134512B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4134512B2 (ja) | 2008-08-20 |
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| JP2003258193A5 (ja) | ||
| JP4123719B2 (ja) | テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置 |
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