JP2002198365A - 半導体処理チャンバを浄化する装置 - Google Patents
半導体処理チャンバを浄化する装置Info
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板処理チャンバに浄化ガスを分配す
る装置。 【解決手段】 該装置は、処理チャンバの上部に配置さ
れた給送ブロックと、この給送ブロックの上方に配置さ
れた支持ブロックとを備えている。これらの給送ブロッ
ク及び支持ブロックは、互いに、滑動自在にインターフ
ィットし且つ同軸方向に移動可能である。
る装置。 【解決手段】 該装置は、処理チャンバの上部に配置さ
れた給送ブロックと、この給送ブロックの上方に配置さ
れた支持ブロックとを備えている。これらの給送ブロッ
ク及び支持ブロックは、互いに、滑動自在にインターフ
ィットし且つ同軸方向に移動可能である。
Description
【０００１】開示の背景 １． 発明の分野 本発明は、一般に、半導体ウエハを処理する装置に関す
る。より具体的には、本発明は、半導体ウエハ処理チャ
ンバを浄化する装置に関する。
る。より具体的には、本発明は、半導体ウエハ処理チャ
ンバを浄化する装置に関する。
【０００２】２． 背景技術の説明 半導体ウエハ処理チャンバは、処理ガスからの凝縮物又
は処理中に形成される反応物によって起こる粒子生成に
影響されやすい。種々のチャンバ構成部品上に凝縮物が
蓄積すると、フレーキングに影響されやすい残留物が生
じる。こうしたフレーキングは、粒子（又は、汚染物）
を発生させ、これらの粒子は、処理中にウエハ上をドリ
フトするので望ましくない。その後、これらの汚染物に
より、処理されたウエハ内に形成されるデバイス中にシ
ョート又はボイドがつくられる結果、ウエハの質が落ち
てしまう。
は処理中に形成される反応物によって起こる粒子生成に
影響されやすい。種々のチャンバ構成部品上に凝縮物が
蓄積すると、フレーキングに影響されやすい残留物が生
じる。こうしたフレーキングは、粒子（又は、汚染物）
を発生させ、これらの粒子は、処理中にウエハ上をドリ
フトするので望ましくない。その後、これらの汚染物に
より、処理されたウエハ内に形成されるデバイス中にシ
ョート又はボイドがつくられる結果、ウエハの質が落ち
てしまう。
【０００３】具体的には、プラズマ補助による化学気相
堆積処理中に、半導体基板（つまり、ウエハ）を含むチ
ャンバ内へ、処理するガスが導入される。ウエハは、処
理キットによって周りが制限された基板支持体上に支持
され且つ保持されている。この処理キットは、半導体ウ
エハにわたるガス分配の制御を補助するものである。い
ったん、プラズマが作られると、処理ガスは、ウエハと
反応して所望の材料層が堆積される。この処理中に、チ
ャンバの内壁、基板支持体、及び処理キットは、上述の
残留物、粒子、又は汚染物に影響されやすい。
堆積処理中に、半導体基板（つまり、ウエハ）を含むチ
ャンバ内へ、処理するガスが導入される。ウエハは、処
理キットによって周りが制限された基板支持体上に支持
され且つ保持されている。この処理キットは、半導体ウ
エハにわたるガス分配の制御を補助するものである。い
ったん、プラズマが作られると、処理ガスは、ウエハと
反応して所望の材料層が堆積される。この処理中に、チ
ャンバの内壁、基板支持体、及び処理キットは、上述の
残留物、粒子、又は汚染物に影響されやすい。
【０００４】一般に、残留物の除去は、チャンバの壁に
取付けられた浄化装置からチャンバ内へ注入される浄化
剤を介して達成される。この浄化装置は、浄化剤（例え
ば、フッ素）を有する容器を備えているものである。浄
化剤は、チャンバの内壁及びウエハ支持装置から、望ま
しくない残留物をエッチングするために使われる。しか
し、現在の浄化装置は、チャンバ内の種々の表面領域か
ら、望ましくない残留物を均一に除去しない。
取付けられた浄化装置からチャンバ内へ注入される浄化
剤を介して達成される。この浄化装置は、浄化剤（例え
ば、フッ素）を有する容器を備えているものである。浄
化剤は、チャンバの内壁及びウエハ支持装置から、望ま
しくない残留物をエッチングするために使われる。しか
し、現在の浄化装置は、チャンバ内の種々の表面領域か
ら、望ましくない残留物を均一に除去しない。
【０００５】したがって、本技術分野において、チャン
バ表面及び部品から、望ましくない堆積物を均一に除去
する装置に対する必要性がある。
バ表面及び部品から、望ましくない堆積物を均一に除去
する装置に対する必要性がある。
【０００６】発明の概要 先行技術に関連する不利な点は、半導体基板処理チャン
バを浄化する装置についての本発明によって克服され
る。具体的には、本装置は、処理チャンバの上部に配置
された給送ブロックと、この給送ブロックの上方に配置
された支持ブロックとを備えている。これらの給送ブロ
ック及び支持ブロックは、互いに、滑動自在にインター
フィットし且つ同軸方向に移動可能である。
バを浄化する装置についての本発明によって克服され
る。具体的には、本装置は、処理チャンバの上部に配置
された給送ブロックと、この給送ブロックの上方に配置
された支持ブロックとを備えている。これらの給送ブロ
ック及び支持ブロックは、互いに、滑動自在にインター
フィットし且つ同軸方向に移動可能である。
【０００７】発明の詳細な説明 本発明の教示は、添付の図面と共に、以下の詳細な説明
を考慮することによって容易に理解されよう。
を考慮することによって容易に理解されよう。
【０００８】理解を容易にするために、可能な個所で
は、図に共通する同一の構成要素を示すために、同一の
参照番号が使われている。
は、図に共通する同一の構成要素を示すために、同一の
参照番号が使われている。
【０００９】本発明は、一般に、半導体ウエハ処理チャ
ンバ内の、望ましくない堆積物を除去する装置を提供す
る。本発明は、化学気相堆積システム（カリフォルニア
州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可
能な、ＵＬＴＩＭＡR高密度プラズマ化学気相堆積（Ｈ
ＤＰ−ＣＶＤ）システム等）として、以下において例示
的に説明されている。しかし、物理気相堆積チャンバ、
エッチングチャンバ、イオンめっきチャンバ及びその他
の半導体処理チャンバ等の、他のチャンバ構成に本発明
が組み込まれてもよいことは理解されるべきである。粒
子残留物は、チャンバ内へ導入されたガスから、堆積又
はエッチング等の半導体処理中に、チャンバ内に蓄積す
る。チャンバの上方に配置されているのは、チャンバの
側壁からの導入に対抗し、チャンバの上方から浄化剤を
供給するチャンバ浄化キットである。
ンバ内の、望ましくない堆積物を除去する装置を提供す
る。本発明は、化学気相堆積システム（カリフォルニア
州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可
能な、ＵＬＴＩＭＡR高密度プラズマ化学気相堆積（Ｈ
ＤＰ−ＣＶＤ）システム等）として、以下において例示
的に説明されている。しかし、物理気相堆積チャンバ、
エッチングチャンバ、イオンめっきチャンバ及びその他
の半導体処理チャンバ等の、他のチャンバ構成に本発明
が組み込まれてもよいことは理解されるべきである。粒
子残留物は、チャンバ内へ導入されたガスから、堆積又
はエッチング等の半導体処理中に、チャンバ内に蓄積す
る。チャンバの上方に配置されているのは、チャンバの
側壁からの導入に対抗し、チャンバの上方から浄化剤を
供給するチャンバ浄化キットである。
【００１０】図１は、チャンバ本体１０２及びチャンバ
浄化キット１０３を一般に備える例示的な堆積システム
１００を表す。具体的には、チャンバ１０２は、側壁１
０４と、低部１０６と、基板処理を実行するために排気
可能なチャンバを画定するドーム１０８とを備えてい
る。システム１００は、アプライドマテリアルズ社から
入手可能なＣＥＮＴＵＲＡR処理プラットフォーム等の
半導体ウエハ処理プラットフォームに結合された、数々
の基板処理システムの一つであってよい。システム１０
０は、チャック１１４を有する半導体基板支持体１１０
と、第一の電源１１８に結合された加熱電極１１６と、
処理キット１１２とを含んでいる。ウエハ「Ｗ」は、静
電チャック及び真空チャック等の、本技術分野で知られ
るチャッキング技術を介して、チャック１１４の上部表
面に保持される。また、化学気相堆積による反応産物
が、ウエハＷ又はウエハ支持体１１０の下側上に堆積さ
れるのを防ぐために、処理キット１１２が利用されてい
る。
浄化キット１０３を一般に備える例示的な堆積システム
１００を表す。具体的には、チャンバ１０２は、側壁１
０４と、低部１０６と、基板処理を実行するために排気
可能なチャンバを画定するドーム１０８とを備えてい
る。システム１００は、アプライドマテリアルズ社から
入手可能なＣＥＮＴＵＲＡR処理プラットフォーム等の
半導体ウエハ処理プラットフォームに結合された、数々
の基板処理システムの一つであってよい。システム１０
０は、チャック１１４を有する半導体基板支持体１１０
と、第一の電源１１８に結合された加熱電極１１６と、
処理キット１１２とを含んでいる。ウエハ「Ｗ」は、静
電チャック及び真空チャック等の、本技術分野で知られ
るチャッキング技術を介して、チャック１１４の上部表
面に保持される。また、化学気相堆積による反応産物
が、ウエハＷ又はウエハ支持体１１０の下側上に堆積さ
れるのを防ぐために、処理キット１１２が利用されてい
る。
【００１１】処理ガスは、（図示されていない）外部処
理ガス源から、外部処理ガス源のポート１２４を介し
て、チャンバ１０２内へ導入される。処理ガスには、Ｓ
ｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2及びＳｉＣｌ4とがＮＨ3及びＮ2と
共に含まれ、その中で反応性の窒化珪素（ＳｉＮ）が形
成されるものでよい。チャンバ１０２の外部にある第二
の電源１２０は、チャンバ１０２のドーム１０８の周り
を制限している第一の複数コイル１２２と、ドーム１０
８の上方に配置された第二の複数コイル１２３とに、高
周波電力を供給し、注入されたガスの近傍に電場をつく
る。コイル１２２及び１２３によって生じた電場によ
り、ガスがプラズマ状態に励起される。励起された処理
ガスは半導体ウエハＷと反応し、所望の被覆及び膜（つ
まり、窒化珪素）を形成する。ＣＶＤ処理が完了する
と、過剰の処理ガス及び副産物ガスは、（図示されてい
ない）外部排気ポンプに結合された排気ポート１０７を
介して、チャンバ１０２から排気される。
理ガス源から、外部処理ガス源のポート１２４を介し
て、チャンバ１０２内へ導入される。処理ガスには、Ｓ
ｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2及びＳｉＣｌ4とがＮＨ3及びＮ2と
共に含まれ、その中で反応性の窒化珪素（ＳｉＮ）が形
成されるものでよい。チャンバ１０２の外部にある第二
の電源１２０は、チャンバ１０２のドーム１０８の周り
を制限している第一の複数コイル１２２と、ドーム１０
８の上方に配置された第二の複数コイル１２３とに、高
周波電力を供給し、注入されたガスの近傍に電場をつく
る。コイル１２２及び１２３によって生じた電場によ
り、ガスがプラズマ状態に励起される。励起された処理
ガスは半導体ウエハＷと反応し、所望の被覆及び膜（つ
まり、窒化珪素）を形成する。ＣＶＤ処理が完了する
と、過剰の処理ガス及び副産物ガスは、（図示されてい
ない）外部排気ポンプに結合された排気ポート１０７を
介して、チャンバ１０２から排気される。
【００１２】ドーム１０８は、セラミックス、石英等の
誘電材料から製造されている。ドーム１０８の上部に配
置されているのは、種々の処理サイクル（つまり、堆積
サイクル及び浄化サイクル）中にドーム１０８の温度を
調節するために利用される温度制御アセンブリ１２６で
ある。温度制御アセンブリ１２６は、互いに隣接して配
置された加熱板１２８及び冷却版１３０を備えており、
それらの間には、グラフォイル（grafoil）等の熱伝導
性材料の薄層があることが好ましい。冷却版１３０は、
その中に一つ以上の液体通路を備えており、この液体通
路を通って水等の冷却流体が流れる。加熱板１２８は、
その中に配置された、一つ以上の（図示されていない）
抵抗性加熱素子を有し、浄化サイクル中、ドーム１０８
に熱を供給するものであることが好ましい。加熱板１２
８は、電気的に絶縁性であり熱的に伝導性である誘電材
料から製造されている。加熱板１２８は、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）から製造されていることが好ましいが、
本技術分野で知られるその他の材料が使われてもよい。
また、第二の複数コイル１２３は、加熱板１２８内に配
置されている。
誘電材料から製造されている。ドーム１０８の上部に配
置されているのは、種々の処理サイクル（つまり、堆積
サイクル及び浄化サイクル）中にドーム１０８の温度を
調節するために利用される温度制御アセンブリ１２６で
ある。温度制御アセンブリ１２６は、互いに隣接して配
置された加熱板１２８及び冷却版１３０を備えており、
それらの間には、グラフォイル（grafoil）等の熱伝導
性材料の薄層があることが好ましい。冷却版１３０は、
その中に一つ以上の液体通路を備えており、この液体通
路を通って水等の冷却流体が流れる。加熱板１２８は、
その中に配置された、一つ以上の（図示されていない）
抵抗性加熱素子を有し、浄化サイクル中、ドーム１０８
に熱を供給するものであることが好ましい。加熱板１２
８は、電気的に絶縁性であり熱的に伝導性である誘電材
料から製造されている。加熱板１２８は、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）から製造されていることが好ましいが、
本技術分野で知られるその他の材料が使われてもよい。
また、第二の複数コイル１２３は、加熱板１２８内に配
置されている。
【００１３】温度制御アセンブリ１２６は、一つ以上の
温度制御アセンブリ交差部材１３１によって、ドームの
上方に据え付けられている。この温度制御アセンブリ交
差部材１３１は、冷却板１３０に結合されており、且
つ、ドーム１０８から放射状に外側へ伸張している少な
くとも一つのフランジ１３３にわたって伸張している。
一つの実施形態においては、温度制御アセンブリ交差部
材１３１は、ボルト頭１４１を各々に有する複数のボル
ト１３５等の複数の固定具によって、一対のフランジ１
３３に固定されている。具体的には、ボルト１３５の各
々は、温度制御アセンブリ交差部材１３１内の対応する
穴１３７を通り抜け、フランジ１３３内の対応する穴１
３９とネジを締めるようにして係合している。上記のよ
うに、ドーム１０８はセラミックス材料から製造されて
おり、低い引っ張り強度を有している。したがって、固
定具（つまり、ボルト）１３５は、ドーム１０８の上方
に温度制御アセンブリ１２６を安全に固定する一方にお
いて、温度制御アセンブリ交差部材１３１内に配置され
たバネ１３２と係合して、ドーム１０８上にかけられる
引張力又は圧力を減らす。特に、温度制御アセンブリ交
差部材１３１内の穴１３７は、バネ１３２（つまり、コ
イル状バネ）を支持するために、穴１３７よりも直径が
大きな対立穴１３６を有してよい。ボルト１３５は、ボ
ルト１３５がフランジ１３３内の穴１３９と係合すると
き、ボルト頭１４１がコイル状バネ１３２を所望の抵抗
値まで押すように、コイル状バネ１３２を通り抜けてい
る。当業者であれば、ドーム１０８の完全性に障害をき
たすことなく、ドーム１０８の上方に温度制御アセンブ
リ１２６を安全に固定するために、他の固定具や支持部
材が利用されてもよいことを認識できよう。また、バネ
１３２により、温度の上昇及び下降が原因して冷却板１
３０、加熱板１２８、及びドーム１０８間で膨張及び伸
縮が起こるときに、各々の板が移動できるようなってい
る。さらに、温度制御アセンブリ１２６には、処理中、
ドームの温度を調節するためのコントローラ１３４が結
合されている。
温度制御アセンブリ交差部材１３１によって、ドームの
上方に据え付けられている。この温度制御アセンブリ交
差部材１３１は、冷却板１３０に結合されており、且
つ、ドーム１０８から放射状に外側へ伸張している少な
くとも一つのフランジ１３３にわたって伸張している。
一つの実施形態においては、温度制御アセンブリ交差部
材１３１は、ボルト頭１４１を各々に有する複数のボル
ト１３５等の複数の固定具によって、一対のフランジ１
３３に固定されている。具体的には、ボルト１３５の各
々は、温度制御アセンブリ交差部材１３１内の対応する
穴１３７を通り抜け、フランジ１３３内の対応する穴１
３９とネジを締めるようにして係合している。上記のよ
うに、ドーム１０８はセラミックス材料から製造されて
おり、低い引っ張り強度を有している。したがって、固
定具（つまり、ボルト）１３５は、ドーム１０８の上方
に温度制御アセンブリ１２６を安全に固定する一方にお
いて、温度制御アセンブリ交差部材１３１内に配置され
たバネ１３２と係合して、ドーム１０８上にかけられる
引張力又は圧力を減らす。特に、温度制御アセンブリ交
差部材１３１内の穴１３７は、バネ１３２（つまり、コ
イル状バネ）を支持するために、穴１３７よりも直径が
大きな対立穴１３６を有してよい。ボルト１３５は、ボ
ルト１３５がフランジ１３３内の穴１３９と係合すると
き、ボルト頭１４１がコイル状バネ１３２を所望の抵抗
値まで押すように、コイル状バネ１３２を通り抜けてい
る。当業者であれば、ドーム１０８の完全性に障害をき
たすことなく、ドーム１０８の上方に温度制御アセンブ
リ１２６を安全に固定するために、他の固定具や支持部
材が利用されてもよいことを認識できよう。また、バネ
１３２により、温度の上昇及び下降が原因して冷却板１
３０、加熱板１２８、及びドーム１０８間で膨張及び伸
縮が起こるときに、各々の板が移動できるようなってい
る。さらに、温度制御アセンブリ１２６には、処理中、
ドームの温度を調節するためのコントローラ１３４が結
合されている。
【００１４】チャンバ浄化キットは、浄化剤ジェネレー
タ１６６と、支持ブロック１６２と、滑動可能な密閉ア
ダプタ１６０と、給送ブロック１４０の上部と、カバー
１７０と、チャンバ浄化キット支持構造体１７１とを備
えている。図２は、図１のチャンバ浄化キット１０３の
断面図を表している。具体的には、給送ブロック１４０
の上部は、給送ブロックチャネル１４１を備えており、
温度制御アセンブリ１２６の上方に配置されている。給
送ブロック１４０の上部は、温度制御アセンブリ１２６
の冷却板１３０及び加熱板１２８を通って伸張し、ドー
ム１０８の上部表面上で終わっている。給送ブロック１
４０は、ドーム１０８内の穴１０９を通ってガスを流す
ことができるハウジングであり、温度制御アセンブリ１
２６に取付けられている。Ｏリング１５５は、給送ブロ
ック１４０の底端部１５７にあるＯリング溝１５６内に
配置されており、このようなガスが漏れないように密閉
している。一つの実施形態においては、給送ブロック１
４０は、温度制御アセンブリ交差部材１３１に実質的に
平行して外側に放射状に伸張しているフランジ１４５を
備えている。フランジ１４５は、フランジ１４５を通っ
て伸張している複数の穴１４７と、フランジ１４５の上
部に配置された、穴１４７よりも大きな直径を有する対
穴１４９とを備えている。ボルト頭１５２を有する（一
つのみが図示されている）ボルト１５１等の複数の固定
具は、フランジ１４５内の穴１４７を通り抜け、温度制
御アセンブリ交差部材１３１内に配置されたネジ切り穴
１５３とネジを締めるようにして係合して、その上に給
送ブロック１４０を安全に固定している。好ましい実施
形態では、コイル状バネ等のバネ１５４が、フランジ１
４５の対穴１４９内に配置されている。アセンブリの
間、複数のボルト１５１の各々は、コイル状バネ１５４
を通り抜ける。温度制御アセンブリ交差部材内の対応す
る穴１５３内へ各々のボルト１５１がネジで締められる
と、各々のボルト頭１５２は、対穴１４９内の対応する
バネ１５４を所望の抵抗値まで押す。当業者であれば、
温度制御アセンブリ１２６に給送ブロック１４０を安全
に固定するために、他の固定具が利用されてもよいこと
を認識できよう。このようにして、バネ１５４により、
温度の上昇及び下降が原因して冷却板１３０、加熱板１
２８及びドーム１０８間の膨張及び伸縮が起こるとき
に、給送ブロック１４０が移動することができるように
なっている。
タ１６６と、支持ブロック１６２と、滑動可能な密閉ア
ダプタ１６０と、給送ブロック１４０の上部と、カバー
１７０と、チャンバ浄化キット支持構造体１７１とを備
えている。図２は、図１のチャンバ浄化キット１０３の
断面図を表している。具体的には、給送ブロック１４０
の上部は、給送ブロックチャネル１４１を備えており、
温度制御アセンブリ１２６の上方に配置されている。給
送ブロック１４０の上部は、温度制御アセンブリ１２６
の冷却板１３０及び加熱板１２８を通って伸張し、ドー
ム１０８の上部表面上で終わっている。給送ブロック１
４０は、ドーム１０８内の穴１０９を通ってガスを流す
ことができるハウジングであり、温度制御アセンブリ１
２６に取付けられている。Ｏリング１５５は、給送ブロ
ック１４０の底端部１５７にあるＯリング溝１５６内に
配置されており、このようなガスが漏れないように密閉
している。一つの実施形態においては、給送ブロック１
４０は、温度制御アセンブリ交差部材１３１に実質的に
平行して外側に放射状に伸張しているフランジ１４５を
備えている。フランジ１４５は、フランジ１４５を通っ
て伸張している複数の穴１４７と、フランジ１４５の上
部に配置された、穴１４７よりも大きな直径を有する対
穴１４９とを備えている。ボルト頭１５２を有する（一
つのみが図示されている）ボルト１５１等の複数の固定
具は、フランジ１４５内の穴１４７を通り抜け、温度制
御アセンブリ交差部材１３１内に配置されたネジ切り穴
１５３とネジを締めるようにして係合して、その上に給
送ブロック１４０を安全に固定している。好ましい実施
形態では、コイル状バネ等のバネ１５４が、フランジ１
４５の対穴１４９内に配置されている。アセンブリの
間、複数のボルト１５１の各々は、コイル状バネ１５４
を通り抜ける。温度制御アセンブリ交差部材内の対応す
る穴１５３内へ各々のボルト１５１がネジで締められる
と、各々のボルト頭１５２は、対穴１４９内の対応する
バネ１５４を所望の抵抗値まで押す。当業者であれば、
温度制御アセンブリ１２６に給送ブロック１４０を安全
に固定するために、他の固定具が利用されてもよいこと
を認識できよう。このようにして、バネ１５４により、
温度の上昇及び下降が原因して冷却板１３０、加熱板１
２８及びドーム１０８間の膨張及び伸縮が起こるとき
に、給送ブロック１４０が移動することができるように
なっている。
【００１５】滑動可能な密閉アダプタ１６０は、密閉ア
ダプタチャネル１６１を画定しており、給送ブロックチ
ャネル１４１と同軸方向に配列され、給送ブロック１４
０に（好ましくはボルトによって）取付けられている。
（図示されていない）ガスケット等のシールは、滑動可
能な密閉アダプタ１６０と給送ブロック１４０との間に
配置され、それらの間を密閉している。当業者であれ
ば、密閉アダプタ１６０が、給送ブロック１４０に一体
化した伸張部分に代替されてもよいことを容認できよ
う。一つの実施形態では、支持ブロック１６２は、密閉
アダプタチャネル１６１内へ滑動自在に挿入される、支
持ブロックチャネル１６３を形成する中空の伸張部１６
８を備えている。したがって、支持ブロックチャネル１
６３もまた、密閉アダプタチャネル１６１及び給送ブロ
ックチャネル１４１と同軸方向に配列されている。図２
に表された実施形態では、ピストン１６８は、密閉アダ
プタ１６０を通り抜け、給送ブロック１４０内へ伸張し
ている。しかし、当業者であれば、一つの実施形態にお
いては、密閉アダプタ１６０の長さ、又は密閉アダプタ
１６０の長さの一部分にピストン１６８が伸張してもよ
いことが容認できよう。
ダプタチャネル１６１を画定しており、給送ブロックチ
ャネル１４１と同軸方向に配列され、給送ブロック１４
０に（好ましくはボルトによって）取付けられている。
（図示されていない）ガスケット等のシールは、滑動可
能な密閉アダプタ１６０と給送ブロック１４０との間に
配置され、それらの間を密閉している。当業者であれ
ば、密閉アダプタ１６０が、給送ブロック１４０に一体
化した伸張部分に代替されてもよいことを容認できよ
う。一つの実施形態では、支持ブロック１６２は、密閉
アダプタチャネル１６１内へ滑動自在に挿入される、支
持ブロックチャネル１６３を形成する中空の伸張部１６
８を備えている。したがって、支持ブロックチャネル１
６３もまた、密閉アダプタチャネル１６１及び給送ブロ
ックチャネル１４１と同軸方向に配列されている。図２
に表された実施形態では、ピストン１６８は、密閉アダ
プタ１６０を通り抜け、給送ブロック１４０内へ伸張し
ている。しかし、当業者であれば、一つの実施形態にお
いては、密閉アダプタ１６０の長さ、又は密閉アダプタ
１６０の長さの一部分にピストン１６８が伸張してもよ
いことが容認できよう。
【００１６】代替的な実施形態においては、密閉アダプ
タ１６０及びこれに対応する密閉アダプタチャネル１６
１は、支持ブロック１６２に結合されているか又は一体
化していてもよい。このような配置では、密閉アダプタ
チャネル１６１よりも小さな直径を有する中空ピストン
１６８は、給送ブロック１４０の上部に一体化している
か又は結合されており、中空ピストン１６８は、給送ブ
ロックチャネル１４１と同軸方向に配列されている。こ
の代替的な構成においては、ピストン１６８は、給送ブ
ロック１４０から密閉アダプタチャネル１６１及び支持
ブロック１６２内へ伸張している。したがって、ピスト
ンは、上向き方向へ垂直に伸張しており、密閉アダプタ
チャネル１６１及び支持ブロック１６２と滑動自在に係
合している。これは、図２の実施形態に示されているよ
うな下向き方向とは反対である。
タ１６０及びこれに対応する密閉アダプタチャネル１６
１は、支持ブロック１６２に結合されているか又は一体
化していてもよい。このような配置では、密閉アダプタ
チャネル１６１よりも小さな直径を有する中空ピストン
１６８は、給送ブロック１４０の上部に一体化している
か又は結合されており、中空ピストン１６８は、給送ブ
ロックチャネル１４１と同軸方向に配列されている。こ
の代替的な構成においては、ピストン１６８は、給送ブ
ロック１４０から密閉アダプタチャネル１６１及び支持
ブロック１６２内へ伸張している。したがって、ピスト
ンは、上向き方向へ垂直に伸張しており、密閉アダプタ
チャネル１６１及び支持ブロック１６２と滑動自在に係
合している。これは、図２の実施形態に示されているよ
うな下向き方向とは反対である。
【００１７】図２を参照すると、浄化剤ジェネレータ１
６６は、支持ブロック１６２の上方に配置されており、
好ましくは支持ブロック１６２にボルトで締められてお
り、これによって、分離化フッ素等の浄化剤が発生され
る。したがって、浄化剤は、浄化サイクル中、支持ブロ
ック１６２のピストンと、密閉アダプタ１６０と、給送
ブロック１４０と、ドーム穴１０９とを通って、チャン
バ１０２内へ流れ込む。このようにして、浄化剤の流れ
は、浄化ガスジェネレータ１６６からチャンバ１０２へ
制御される。
６６は、支持ブロック１６２の上方に配置されており、
好ましくは支持ブロック１６２にボルトで締められてお
り、これによって、分離化フッ素等の浄化剤が発生され
る。したがって、浄化剤は、浄化サイクル中、支持ブロ
ック１６２のピストンと、密閉アダプタ１６０と、給送
ブロック１４０と、ドーム穴１０９とを通って、チャン
バ１０２内へ流れ込む。このようにして、浄化剤の流れ
は、浄化ガスジェネレータ１６６からチャンバ１０２へ
制御される。
【００１８】加えて、給送ブロック１４０は、給送ブロ
ックチャネル１４１を通って伸張しており、更にその中
に配置されたノズル１４４に結合された、処理ガスチャ
ネル１４２を備えている。ノズル１４４は、ドーム穴１
０９を通って伸張しており、ノズル支持体１４３を介し
て給送ブロックチャネル１４１内に安全に固定されてい
る。このように、処理ガスは、（例えば、堆積）処理サ
イクル中、処理ガス源１２４から処理ガスチャネル１４
２及びノズル１４４を通ってチャンバ１０２内へ流れ
る。したがって、チャンバ浄化サイクル中、浄化剤ジェ
ネレータ１６６からの浄化剤は、その流れにごくわずか
な影響を受けるだけで、処理ガスチャネル１４２及びノ
ズル１４４を通り越して流れる。
ックチャネル１４１を通って伸張しており、更にその中
に配置されたノズル１４４に結合された、処理ガスチャ
ネル１４２を備えている。ノズル１４４は、ドーム穴１
０９を通って伸張しており、ノズル支持体１４３を介し
て給送ブロックチャネル１４１内に安全に固定されてい
る。このように、処理ガスは、（例えば、堆積）処理サ
イクル中、処理ガス源１２４から処理ガスチャネル１４
２及びノズル１４４を通ってチャンバ１０２内へ流れ
る。したがって、チャンバ浄化サイクル中、浄化剤ジェ
ネレータ１６６からの浄化剤は、その流れにごくわずか
な影響を受けるだけで、処理ガスチャネル１４２及びノ
ズル１４４を通り越して流れる。
【００１９】図３は、図１の支持ブロック１６２の等角
図を表す。具体的には、支持ブロック１６２は、フラン
ジ１６５と、上部コネクタ１６７と、Ｏリング１６９を
有するピストン１６８とを備えている。上部コネクタ１
６７及びピストン１６８は、同軸方向に配列されてい
る。さらに、上部コネクタ１６７は、ＩＳＯ、ＫＦ４０
等の市販されている標準的なコネクタのいずれかであっ
て、浄化剤ジェネレータ１６６を支持することができ、
処理及び浄化サイクル中に生産される熱及びガスに耐え
られるものであればよい。一つの実施形態においては、
支持ブロック１６２は、浄化剤ジェネレータ１６６内に
貯蔵された浄化剤の流れを制御するオリフィス自動調節
弁１６４を備えている。オリフィス自動調節弁１６４
は、このようなガス状の流れを自動的に調節するため
に、（図示されていない）コントローラに結合されてい
てもよい。
図を表す。具体的には、支持ブロック１６２は、フラン
ジ１６５と、上部コネクタ１６７と、Ｏリング１６９を
有するピストン１６８とを備えている。上部コネクタ１
６７及びピストン１６８は、同軸方向に配列されてい
る。さらに、上部コネクタ１６７は、ＩＳＯ、ＫＦ４０
等の市販されている標準的なコネクタのいずれかであっ
て、浄化剤ジェネレータ１６６を支持することができ、
処理及び浄化サイクル中に生産される熱及びガスに耐え
られるものであればよい。一つの実施形態においては、
支持ブロック１６２は、浄化剤ジェネレータ１６６内に
貯蔵された浄化剤の流れを制御するオリフィス自動調節
弁１６４を備えている。オリフィス自動調節弁１６４
は、このようなガス状の流れを自動的に調節するため
に、（図示されていない）コントローラに結合されてい
てもよい。
【００２０】図１及び図２を参照すると、外側カバー１
７０は、チャンバドーム１０８と、温度制御アセンブリ
１２６と、給送ブロック１４０の上部と、密閉アダプタ
１６０との上方に配置され、且つ、これらを囲ってい
る。具体的には、外側カバー穴１５７により、支持ブロ
ック１６２のピストン１６８は、外側カバー１７０を通
って突き出ることができるようになっている。また、外
側カバー１７０は、ステンレス鋼から製造されているこ
とが好ましく、温度制御アセンブリ１２６の下方のセラ
ミックスドーム１０８に結合されている。外側カバー１
７０が上述の構成部品を囲んでいるので、オペレータ
は、チャンバ１０２によって発生される高熱から保護さ
れる。
７０は、チャンバドーム１０８と、温度制御アセンブリ
１２６と、給送ブロック１４０の上部と、密閉アダプタ
１６０との上方に配置され、且つ、これらを囲ってい
る。具体的には、外側カバー穴１５７により、支持ブロ
ック１６２のピストン１６８は、外側カバー１７０を通
って突き出ることができるようになっている。また、外
側カバー１７０は、ステンレス鋼から製造されているこ
とが好ましく、温度制御アセンブリ１２６の下方のセラ
ミックスドーム１０８に結合されている。外側カバー１
７０が上述の構成部品を囲んでいるので、オペレータ
は、チャンバ１０２によって発生される高熱から保護さ
れる。
【００２１】追加して、チャンバ浄化キット支持構造体
１７１が外側カバー１７０の上方に配置され、支持ブロ
ック１６２及び浄化剤ジェネレータ１６６をしっかり固
定している。浄化キット支持構造体１７１は、ドームの
上方にある複数のコイル１２３によって発生する高周波
電場によって浄化剤ジェネレータ１６６が影響されない
ように位置している。具体的には、支持構造体１７１
は、チャンバ１０２の側壁１０４に結合された複数のブ
レース１７４に取付けられた複数の脚部１７２を備えて
いる。一つの実施形態においては、４つの脚部１７２
は、４つのブレース１７４を介してチャンバ側壁１０４
に結合されている。追加して、交差部材１７６は、各々
のブレース１７４に反対の末端で各々の対の脚部１７２
に結合されている。したがって、交差部材１７６は、実
質的に矩形のブレースを形成する。支持ブロック１６２
は、各々の交差部材１７６に対し反対側上にある、支持
ブロック１６２のフランジ１６５をボルトで締めること
によって、各々の交差部材１７６に取付けられている
（図３を参照）。このようにして、支持ブロック１６２
は、支持構造体１７１に取付けられ、浄化剤ジェネレー
タ１６６、支持ブロック１６２、密閉アダプタ１６０及
び給送ブロック１４０の追加的な重量からチャンバ１０
２のセラミックスドーム１０８上にかかるストレスを減
少させ且つ安定化させている。
１７１が外側カバー１７０の上方に配置され、支持ブロ
ック１６２及び浄化剤ジェネレータ１６６をしっかり固
定している。浄化キット支持構造体１７１は、ドームの
上方にある複数のコイル１２３によって発生する高周波
電場によって浄化剤ジェネレータ１６６が影響されない
ように位置している。具体的には、支持構造体１７１
は、チャンバ１０２の側壁１０４に結合された複数のブ
レース１７４に取付けられた複数の脚部１７２を備えて
いる。一つの実施形態においては、４つの脚部１７２
は、４つのブレース１７４を介してチャンバ側壁１０４
に結合されている。追加して、交差部材１７６は、各々
のブレース１７４に反対の末端で各々の対の脚部１７２
に結合されている。したがって、交差部材１７６は、実
質的に矩形のブレースを形成する。支持ブロック１６２
は、各々の交差部材１７６に対し反対側上にある、支持
ブロック１６２のフランジ１６５をボルトで締めること
によって、各々の交差部材１７６に取付けられている
（図３を参照）。このようにして、支持ブロック１６２
は、支持構造体１７１に取付けられ、浄化剤ジェネレー
タ１６６、支持ブロック１６２、密閉アダプタ１６０及
び給送ブロック１４０の追加的な重量からチャンバ１０
２のセラミックスドーム１０８上にかかるストレスを減
少させ且つ安定化させている。
【００２２】図２を参照すると、Ｏリング１６９は、支
持ブロック１６２のピストン１６８の壁と給送ブロック
チャネル１４１の壁との間の密閉性を保持するために利
用されている。具体的には、半導体ウエハ処理からのプ
ラズマ及び温度制御アセンブリ１２６により、ドーム１
０８と支持ブロック１６２との間に温度差が起こされ
る。操作中、ドーム１０８及び給送ブロック１４０の下
方部分の温度は、ドーム１０８から遠くの部分よりも温
度が高い。ドーム１０８の温度は２００℃に到達するだ
ろうが、支持ブロック１６２の温度は、８０℃よりも低
い温度範囲に到達するだろう。半導体処理及び浄化サイ
クル中に温度が変化するので、給送ブロック１４０、密
閉アダプタ１６０、及び支持ブロック１６２のピストン
１６８は、膨張及び収縮し、支持ブロック１６２のピス
トン１６８に対して、給送ブロックチャネル１４１及び
密閉アダプタ１６０を熱膨張させる。熱膨張は、ピスト
ン１６８と給送ブロックチャネル１４１との間で放射状
の方向に起こるか、又は、ピストン１６８と密閉アダプ
タチャネル１６１の同軸方向に起こる。このような熱膨
張は、処理剤又は浄化剤の漏れの原因となるとともに、
ドーム１０８及びチャンバ浄化キット１０３上に望まし
くないストレスをかける。密閉アダプタ１６０は、給送
ブロック１４０にしっかりと固定されており、支持構造
体１７１が、支持ブロック１６２及び浄化剤ジェネレー
タ１６６をしっかりと支持しているので、チャンバ浄化
キット１０３の構成部品が動く余地は最小になってい
る。チャンバ浄化キット１０３において、しっかりと結
合されていない唯一の連結は、ピストン１６８と密閉ア
ダプタ１６０との間である。このようにして、Ｏリング
１６９が、ドーム１０８から離れていて且つ給送ブロッ
ク１４０の下部分である、ピストン１６８の辺りに配置
されていおり、このような熱膨張を補い且つガス漏れを
防いでいる。また、ドーム１０８から離れた位置及び給
送ブロック１４０の下部分であるので、Ｏリングの弾力
性を劣化させるような高温に、Ｏリング１６９が晒され
ることが少なくなる。必要な弾力性を維持しながらＯリ
ングの寿命を上げるには、Ｏリングは、ＣＨＡＭＲＥＺ
TM等のフッ素化高分子で製造されていることが好まし
い。このようにして、Ｏリング１６９及び密閉アダプタ
１６０と共にピストン１６８は、望ましくないストレス
及びガス漏れを防ぐことで、チャンバ浄化キット１０３
の耐用寿命を延ばすことが発明として提供されている。
持ブロック１６２のピストン１６８の壁と給送ブロック
チャネル１４１の壁との間の密閉性を保持するために利
用されている。具体的には、半導体ウエハ処理からのプ
ラズマ及び温度制御アセンブリ１２６により、ドーム１
０８と支持ブロック１６２との間に温度差が起こされ
る。操作中、ドーム１０８及び給送ブロック１４０の下
方部分の温度は、ドーム１０８から遠くの部分よりも温
度が高い。ドーム１０８の温度は２００℃に到達するだ
ろうが、支持ブロック１６２の温度は、８０℃よりも低
い温度範囲に到達するだろう。半導体処理及び浄化サイ
クル中に温度が変化するので、給送ブロック１４０、密
閉アダプタ１６０、及び支持ブロック１６２のピストン
１６８は、膨張及び収縮し、支持ブロック１６２のピス
トン１６８に対して、給送ブロックチャネル１４１及び
密閉アダプタ１６０を熱膨張させる。熱膨張は、ピスト
ン１６８と給送ブロックチャネル１４１との間で放射状
の方向に起こるか、又は、ピストン１６８と密閉アダプ
タチャネル１６１の同軸方向に起こる。このような熱膨
張は、処理剤又は浄化剤の漏れの原因となるとともに、
ドーム１０８及びチャンバ浄化キット１０３上に望まし
くないストレスをかける。密閉アダプタ１６０は、給送
ブロック１４０にしっかりと固定されており、支持構造
体１７１が、支持ブロック１６２及び浄化剤ジェネレー
タ１６６をしっかりと支持しているので、チャンバ浄化
キット１０３の構成部品が動く余地は最小になってい
る。チャンバ浄化キット１０３において、しっかりと結
合されていない唯一の連結は、ピストン１６８と密閉ア
ダプタ１６０との間である。このようにして、Ｏリング
１６９が、ドーム１０８から離れていて且つ給送ブロッ
ク１４０の下部分である、ピストン１６８の辺りに配置
されていおり、このような熱膨張を補い且つガス漏れを
防いでいる。また、ドーム１０８から離れた位置及び給
送ブロック１４０の下部分であるので、Ｏリングの弾力
性を劣化させるような高温に、Ｏリング１６９が晒され
ることが少なくなる。必要な弾力性を維持しながらＯリ
ングの寿命を上げるには、Ｏリングは、ＣＨＡＭＲＥＺ
TM等のフッ素化高分子で製造されていることが好まし
い。このようにして、Ｏリング１６９及び密閉アダプタ
１６０と共にピストン１６８は、望ましくないストレス
及びガス漏れを防ぐことで、チャンバ浄化キット１０３
の耐用寿命を延ばすことが発明として提供されている。
【００２３】したがって、処理チャンバを浄化するため
の発明としての装置がここに開示されている。考案され
たチャンバ浄化キット１０３は、処理チャンバとの関係
において配置されているものであり、浄化サイクル中、
処理チャンバ内で浄化剤がより均一に分配されるように
している。また、この装置は、チャンバ浄化キットにわ
たる温度差により構成部品が熱的な膨張及び収縮をする
ような状態で、チャンバドーム１０８に据え付けられて
いる。
の発明としての装置がここに開示されている。考案され
たチャンバ浄化キット１０３は、処理チャンバとの関係
において配置されているものであり、浄化サイクル中、
処理チャンバ内で浄化剤がより均一に分配されるように
している。また、この装置は、チャンバ浄化キットにわ
たる温度差により構成部品が熱的な膨張及び収縮をする
ような状態で、チャンバドーム１０８に据え付けられて
いる。
【００２４】本発明の教示は、本明細書中で示され且つ
詳細に説明されているが、当業者であれば、本発明の教
示を組み込んだ様々な他の実施形態であって、本発明の
精神から離れないものを容易に考案することができよ
う。
詳細に説明されているが、当業者であれば、本発明の教
示を組み込んだ様々な他の実施形態であって、本発明の
精神から離れないものを容易に考案することができよ
う。
【図１】図１は、本発明の半導体処理システムの断面図
を表す。
を表す。
【図２】図２は、本発明によるチャンバ浄化キットの断
面図を表す。
面図を表す。
【図３】図３は、図１の支持ブロックの等角図を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リリー エル パン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， カブリロ ドライヴ 35694 (72)発明者 トム ケー チョー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， ケンダル アヴェニュー 723 (72)発明者 テツヤ イシカワ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ブラッサム ドライヴ 873 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 BA20 BC03 BD04 5F045 AA08 AB33 AC01 AC02 AC03 AC05 AC12 AC15 BB15 DP03 EB06 EB10 EF02 EF10 EH11 EJ04 EK05
Claims (34)
- 【請求項１】 半導体基板処理チャンバにガスを分配す
る装置であって、 前記処理チャンバの上部に配置された給送ブロックと、 前記給送ブロックの上方に配置された支持ブロックであ
って、前記給送ブロック及び前記支持ブロックは、互い
に、滑動自在にインターフィットし且つ同軸方向に移動
可能である、前記支持ブロックと、 を備える、前記装置。 - 【請求項２】 前記支持ブロックが、前記給送ブロック
に結合された滑動可能なピストンを収容する支持ブロッ
クチャネルを備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記給送ブロックが、前記支持ブロック
に結合された滑動可能なピストンを収容する給送ブロッ
クチャネルを備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 前記滑動可能なピストンの辺りであっ
て、前記給送ブロックチャネルに接触して配置されたＯ
リングを更に備える、請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記給送ブロックが、処理ガスチャネル
を更に備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 浄化剤ジェネレータが、前記支持ブロッ
クの上部に配置されている、請求項３記載の装置。 - 【請求項７】 密閉アダプタチャネルを有する密閉アダ
プタにおいて、前記給送ブロックと前記支持ブロックと
の間に配置されている前記密閉アダプタを更に備え、前
記密閉アダプタチャネルが、前記給送ブロックチャネル
と同軸方向に配列されている、請求項３記載の装置。 - 【請求項８】 前記ピストンが、前記密閉アダプタ及び
前記給送ブロックに対して滑動自在に移動する、請求項
７記載の装置。 - 【請求項９】 前記チャンバが、ドーム穴を有するドー
ムを備え、前記給送ブロックチャネルが、前記ドーム穴
と同軸方向に配列されている、請求項６記載の装置。 - 【請求項１０】 前記チャンバの前記ドームの上方に配
置され、且つ、前記給送ブロックの周りを制限してい
る、ドーム温度制御アセンブリを更に備える、請求項７
記載の装置。 - 【請求項１１】 前記ドーム温度制御アセンブリが、 加熱板と、 前記加熱板に隣接する冷却板と、 前記加熱板及び前記冷却板の上方に配置された温度制御
アセンブリ交差部材であって、前記ドームから放射状に
外側へ伸張しているフランジの少なくとも一つに結合さ
れた前記温度制御アセンブリ交差部材と、 を更に備える、請求項１０記載の装置。 - 【請求項１２】 前記交差部材が、バネ装着固定具を介
して前記フランジに結合されている、請求項１１記載の
装置。 - 【請求項１３】 前記浄化剤ジェネレータ及び前記支持
ブロックを支持するために、前記チャンバに結合された
支持構造体を更に備える、請求項９記載の装置。 - 【請求項１４】 前記支持構造体が、 複数の脚部であって、その第一端部上で前記チャンバの
反対側の側壁に結合されている、前記複数の脚部と、 前記複数の脚部の第二端部において前記複数の脚部に結
合された、複数の交差部材と、 を備える、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 前記支持ブロックが、前記支持構造体
の前記交差部材の上方に配置されている、請求項１４記
載の装置。 - 【請求項１６】 前記支持構造体が、前記チャンバの前
記側壁に結合された４つの脚部と、４つの交差部材であ
って、各々が一対の脚部に結合されて矩形を形成されて
いる前記４つの交差部材とを備える、請求項１４記載の
装置。 - 【請求項１７】 穴を有する外側カバーであって、前記
ドームの上方に配置された前記外側カバーを更に備え、 前記ドーム、前記給送ブロック、及び前記温度制御アセ
ンブリが、前記外側カバーによって覆われており、且
つ、前記支持ブロック及び浄化剤ジェネレータが、前記
外側カバーよりも上に配置されるよう、前記ピストンが
前記外側カバーの穴から突き出ている、請求項１５記載
の装置。 - 【請求項１８】 半導体ウエハ処理システムであって、 ドーム穴を有するドームを備えるチャンバであって、そ
の中には半導体基板支持体が配置された前記チャンバ
と、 前記ドーム穴の上方に配置され、更に前記ドーム穴と同
軸方向に配列して配置された給送ブロックと、 前記給送ブロックチャネルの上方に配置された支持ブロ
ックであって、前記給送ブロック及び前記支持ブロック
は、互いに、滑動自在にインターフィットし且つ軸方向
に移動可能である、前記支持ブロックと、 前記支持ブロックに結合された浄化剤ジェネレータと、 を備える、前記システム。 - 【請求項１９】 前記支持ブロックが、前記給送ブロッ
クに結合された滑動可能なピストンを収容する支持ブロ
ックチャネルを備える、請求項１８記載の半導体ウエハ
処理システム。 - 【請求項２０】 前記給送ブロックが、前記支持ブロッ
クに結合された滑動可能なピストンを収容する給送ブロ
ックチャネルを備える、請求項１８記載の半導体ウエハ
処理システム。 - 【請求項２１】 前記滑動可能なピストンの辺りであっ
て、前記給送ブロックチャネルに接触して配置されたＯ
リングを更に備える、請求項２０記載の半導体ウエハ処
理システム。 - 【請求項２２】 前記給送ブロックが、処理ガスチャネ
ルを更に備える、請求項１８記載の半導体ウエハ処理シ
ステム。 - 【請求項２３】 前記浄化剤ジェネレータが、前記支持
ブロックの上部に配置されている、請求項２０記載の半
導体ウエハ処理システム。 - 【請求項２４】 密閉アダプタチャネルを有する密閉ア
ダプタにおいて、前記給送ブロックと前記支持ブロック
との間に配置されている前記密閉アダプタを更に備え、
前記密閉アダプタチャネルが、前記給送ブロックチャネ
ルと同軸方向に配列されている、請求項２１記載の半導
体ウエハ処理システム。 - 【請求項２５】 前記ピストンが、前記密閉アダプタ及
び前記給送ブロックとの関係で滑動自在に移動する、請
求項２４記載の半導体ウエハ処理システム。 - 【請求項２６】 前記チャンバが、ドーム穴を有するド
ームを備え、前記給送ブロックチャネルが、前記ドーム
穴と同軸方向に配列されている、請求項２３記載の半導
体ウエハ処理システム。 - 【請求項２７】 前記チャンバの前記ドームの上方に配
置され、且つ、前記給送ブロックの周りを制限してい
る、ドーム温度制御アセンブリを更に備える、請求項２
４記載の半導体ウエハ処理システム。 - 【請求項２８】 前記ドーム温度制御アセンブリが、 加熱板と、 前記加熱板に隣接する冷却板と、 前記加熱板及び前記冷却板の上方に配置された温度制御
アセンブリ交差部材であって、前記ドームから放射状に
外側へ伸張しているフランジの少なくとも一つに結合さ
れた前記温度制御アセンブリ交差部材と、 を更に備える、請求項２５記載の半導体ウエハ処理シス
テム。 - 【請求項２９】 前記交差部材が、バネ装着固定具を介
して前記フランジに結合されている、請求項２８記載の
半導体ウエハ処理システム。 - 【請求項３０】 前記浄化剤ジェネレータ及び前記支持
ブロックを支持するために、前記チャンバに結合された
支持構造体を更に備える、請求項２５記載の半導体ウエ
ハ処理システム。 - 【請求項３１】 前記支持構造体が、 複数の脚部であって、その第一端部上で前記チャンバの
反対側の側壁に結合されている、前記複数の脚部と、 前記複数の脚部の第二端部において前記複数の脚部に結
合されている、複数の交差部材と、 を備える、請求項２７記載の半導体ウエハ処理システ
ム。 - 【請求項３２】 前記支持ブロックが、前記支持構造体
の前記交差部材の上方に配置されている、請求項３０記
載の半導体ウエハ処理システム。 - 【請求項３３】 前記支持構造体が、前記チャンバの前
記側壁に結合された４つの脚部と、４つの交差部材であ
って、各々が一対の脚部に結合されて矩形を形成してい
る前記４つの交差部材とを備える、請求項３０記載の半
導体ウエハ処理システム。 - 【請求項３４】 穴を有する外側カバーであって、前記
ドームの上方に配置された前記外側カバーを更に備え、 前記ドーム、前記給送ブロック、及び前記温度制御アセ
ンブリが、前記外側カバーによって覆われており、且
つ、前記支持ブロック及び浄化剤ジェネレータが、前記
外側カバーよりも上に配置されるよう、前記ピストンが
前記外側カバーの穴から突き出ている、請求項３１記載
の半導体ウエハ処理システム。
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